JP2002365806A

JP2002365806A - 微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法

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Publication number: JP2002365806A
Application number: JP2001172790A
Authority: JP
Inventors: Masashi Kuwabara; 正史桑原; Takashi Nakano; 隆志中野; Junji Tominaga; 淳二富永; Nobufumi Atoda; 伸史阿刀田; Mihalcea Christphe; ミハルシアクリストフ; Hiroshi Fuji; 寛藤; Takashi Kikukawa; 隆菊川
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST; Sharp Corp; TDK Corp
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST; Sharp Corp; TDK Corp
Priority date: 2001-06-07
Filing date: 2001-06-07
Publication date: 2002-12-18
Anticipated expiration: 2021-06-07
Also published as: JP4791653B2

Abstract

(57)【要約】【課題】大規模の装置を必要とせずに、回折限界より
はるかに小さい微細加工が可能で、急激な熱上昇による
レジスト材料の変形や蒸発を伴うことなく、かつ使用可
能な光の範囲を拡大することができ、しかも既存の光リ
ソグラフィー法と組み合わせることができる微細パター
ン描画方法と微細パターン形成方法とそれに用いる新規
な材料を提供する。【解決手段】基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感
応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料、これを
用いて光照射により描画する微細パターン描画方法、及
びこの微細パターン描画材料を用いて、光照射によりパ
ターン描画を行ったのち、さらに露光処理及び現像処理
を行う微細パターン形成方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光及び熱感応性物
質を利用した新規な微細パターン描画材料、それを用い
る描画方法及び微細パターン形成方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路や光ディスク原盤のよう
な電子、電気部品の製造に際し、真空紫外光（ＶＵ
Ｖ）、Ｘ線などを用いる光リソグラフィー法のような微
細パターン描画方法についての研究が盛んに行われ、現
在ではこれらの技術を用いて線幅０．１μｍ以下の微細
パターンが実現しており、数年後の実用化が期待されて
いる（電気学会技術報告第７７０号，「先端リソグラフ
ィ技術の開発動向」参照）。

【０００３】ところで、現在、電子、電気部品製造用の
レジストパターンは、所定のマスクパターンを通して感
光性レジスト膜に活性光を照射して画像を形成したの
ち、現像することによって作製されているが、形成され
るレジストパターンの最小寸法は、光の回折により制限
されるため、実用上は使用波長を若干下回る程度の寸法
が限度となっている。ところで、この回折限界は、使用
する光の波長とレンズの開口数に依存し、波長の短かい
光を用いるほど、またレンズの開口度を大きくするほど
限界値を小さくすることができるが、レンズの開口度を
増大させることは、技術上ほぼ限界に達しているため、
現在はもっぱら波長の短かい光を使用することにより、
レジストパターンの微細化をはかる方向に進んでいる。

【０００４】このため、深紫外光、レーザ光、軟Ｘ線な
どを用いた新らしい露光技術に対する研究が行われ、Ｋ
ｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザを用いて寸
法１５０ｎｍ前後の微細化が可能になったが、高性能光
源の開発、光学材料やレジスト材料における特性の改善
など付随する周辺技術についての解決しなければならな
い上に、２０ｎｍ以下のラインアンドスペースをもつ微
細レジストパターンを得るには、大規模な装置を必要と
したり、特殊な材料を用いて煩雑な操作を行わなければ
ならないため、コスト高になるのを免れない。

【０００５】また、電子線リソグラフィー法は、電子線
を使用するため、光に比べて、はるかに微細な加工が可
能であり、数ｎｍの加工寸法が実現しているが、電子線
の加速や偏向を真空中で行わなければならないため、装
置が大型化する上に、数１０ｋＶという高い加速電圧を
用いるため安全性についての配慮が必要になる結果、コ
スト高になるのを免れない。

【０００６】このような従来の微細パターン描画方法が
もつ欠点を克服するために、種々のパターン描画方法が
提案されている。例えばレーザー光をカルコゲン化合物
に照射して熱を発生させ、カルコゲン化合物中に結晶状
態の差を発生させてパターンを描画する方法（特願平８
−２４９４９３号）が提案されている。そして、この方
法では、その後で結晶状態の違いによるエッチングレー
トを利用して微細加工するものである。この方法は回折
限界を超えたパターン描画が可能であるが、結晶状態の
違いによるエッチングレートの差が極めて小さい上、カ
ルコゲン化合物の膜は必ずしも均一でないため、同じ結
晶状態の膜でもエッチングレートが異なり、特に粒界部
分が先にエッチングされることにより品質のよい微細パ
ターンを得ることは困難である。また、カルコゲン化合
物を必ず用いなければならないため、半導体の微細加工
には適用できないし、カルコゲン化合物の変形に起因す
るトラブルも避けられないという欠点がある。

【０００７】そのほか、レーザーによる直接描画用のレ
ジスト材料を用いる方法も提案されている。これは、そ
れ自体が光を吸収し、発熱する物質で作られているレジ
ストを用いる方法であるが、この方法では、せいぜい数
μｍの加工寸法が得られるにすぎない上に、加工寸法が
小さくなると急激な熱上昇によりレジスト材料が変形し
たり、蒸発するというトラブルを生じる。しかもレジス
ト材料としては、熱のみに感応するものが用いられるた
め、半導体デバイス製造に広く利用されている光リソグ
ラフィー法を組み合わせて使用することができない。さ
らに、ここで用いられるレジストは、特定の波長のみを
吸収し、熱を発生するため、ごく限られた波長の光しか
使用できないという欠点がある。また、半導体デバイス
製造に汎用されているレジスト材料も、熱による直接描
画用レジスト材料と同様に使用可能な波長は限られると
いう欠点がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来方法がもつ欠点を克服し、大規模の装置を必要とせ
ずに、回折限界よりはるかに小さい微細加工が可能で、
急激な熱上昇によるレジスト材料の変形や蒸発を伴うこ
となく、かつ使用可能な光の範囲を拡大することがで
き、しかも既存の光リソグラフィー法と組み合わせるこ
とができる微細パターン描画方法と微細パターン形成方
法とそれに用いる新規な材料を提供することを目的とし
てなされたものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、微細なパ
ターンを形成するための新規な方法を開発するために鋭
意研究を重ねた結果、絞られた光のスポット内の光強度
が強度分布を有し、これに対応した熱分布を形成するこ
とを利用し、光吸収熱物質を併用して光を熱に変換し、
発生した熱で光及び熱感応性物質に反応を励起させる光
励起による方法と既存の光リソグラフィー法とを組み合
わせることにより、所望の微細なパターンを容易に形成
しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなす
に至った。

【００１０】すなわち、本発明は、基板上に、光吸収熱
変換層と光及び熱感応性物質層を設けてなる微細パター
ン描画材料、これを用いて光照射により描画する微細パ
ターン描画方法、及びこの微細パターン描画材料を用い
て、光照射によりパターン描画を行ったのち、さらに露
光処理及び現像処理を行うことを特徴とする微細パター
ン形成方法を提供するものである。なお、本発明におい
て、パターン描画とは、光及び熱感応性物質層内の所定
領域での反応によりパターンを描くことを意味し、パタ
ーン形成とは、パターン描画後、現像処理して基体上に
パターンを担持した構造体を形成させることを意味す
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、添付図面により本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の微細パターン描
画材料の構造の１例及びそれを用いた描画方法の原理を
示す断面説明図である。微細パターン描画材料は基板１
の上に基板保護層２を介して光吸収熱変換層３及び光及
び熱感応性物質層４を順次積層した構造を有している。
このような構造をもつ微細パターン描画材料にレンズ８
を通して、レーザ光７を照射すると、光吸収熱変換層３
の作用によりその一部５の温度が上昇し、この熱によっ
て光及び熱感応性物質層の一部６が反応する。この図に
おいてはレーザ光７を基板１の側から照射しているが、
所望ならば光及び熱感応性物質層４の側から照射するこ
とができる。基板保護層２は、光吸収熱変換層３で発生
した熱から基板１を保護するために設けられているが、
基板自体が耐熱性を有する場合には、特に設ける必要は
ない。

【００１２】このようにして、集光された光は、光吸収
熱変換層３で吸収され、熱に変換される。図２は、この
ときに光吸収熱変換層３上の集光された光のスポット内
の光強度の分布を示すグラフで、このようにガウス分布
となっている。そして、スポット中心の光強度が強いた
め、光吸収熱変換層３の温度分布もガウス分布になる。
光及び熱感応性物質として所定温度以上において反応を
起す物質を用いると、光の強度を調整することにより、
スポット中心部のみで選択的に反応させることができ、
したがって回折限界をはるかに越えた領域で熱反応を起
こさせることができる。次いで、この反応した領域をエ
ッチングして除去するか、あるいは逆にその他の領域を
除去することにより微細パターンを形成することができ
る。

【００１３】図３は、光及び熱感応性物質層４が急激な
温度上昇するのを防止するため、光吸収熱変換層３との
間に熱保護層９を設け、かつ光及び熱感応性物質層４が
熱による変形、蒸発、膨張するのを防ぐためにその上に
キャップ層１０を設けた構造の例を示す断面説明図であ
る。光吸収熱変換層３は、光を吸収して数１００℃に達
することがあり、その際、光及び熱感応性物質層４が蒸
発したり変形するのを防ぐ役割を果すものである。この
場合、基板１、光吸収熱変換層３、光及び熱感応性物質
層４の組み合わせによっては、熱保護層９のみにした
り、キャップ層１０のみにすることもできる。このキャ
ップ層１０の厚さは通常５〜２００ｎｍの範囲内で選ば
れるが、加工寸法や光及び熱感応性物質層４の材質によ
っては、さらに薄くしたり厚くすることもできる。

【００１４】これらの構造をもつ、本発明の微細パター
ン描画材料における基板１としては、一般にリソグラフ
ィー法により電子、電気部品を製造する際に、基板とし
て通常用いられているものの中から任意に選んで用いる
ことができる。このようなものとしては、例えば、ケイ
素、タンタル、アルミニウム、ガリウム−ヒ素、ガラス
板のような無機質基板やポリプロピレン、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、スチレン系樹脂、塩化ビニル系
樹脂などのプラスチック基板などがある。そのほかアル
ミニウム、タンタル、酸化ケイ素などの無機質基板やガ
ラス板上にアルミニウムやタンタルを蒸着したものや光
硬化性樹脂層で被覆したものも用いることができる。

【００１５】また、光及び熱感応性物質層４の材料とし
ては、加熱又は活性光の照射により、性質が変化して、
現像処理によりパターンを顕出しうる性能をもつ物質で
あればどのようなものも用いることができる。このよう
なものとしては、例えばこれまでリソグラフィー法によ
り電子、電気部品を製造する際に用いられていたポジ型
及びネガ型のホトレジストを挙げることができるが、特
に最近、微細パターン形成用として開発された化学増幅
型ホトレジストが好ましい。

【００１６】この化学増幅型ホトレジストは、一般に酸
の作用によりアルカリ可溶性になる樹脂成分と、放射線
の照射により酸を発生する酸発生成分とからなるホトレ
ジストであり、これまで感度、解像性、焦点深度幅特性
及び引き置き経時安定性を向上させ、かつ断面形状の良
好なパターンを与えるように種々の組成物が提案されて
いるが（例えば特開平５−３４６６６８号公報、特開平
７−１８１６７７号公報、特開平１０−９７０７４号公
報、特開平１０−１７１１０９号公報、特開平１０−２
０７０６９号公報、特開平１１−１５１６２号公報、特
開平１１−１５１５８号公報参照）、本発明の微細パタ
ーン描画材料においては、これらのいずれを用いてもよ
い。

【００１７】そのほか、アルカリ可溶性ノボラック型樹
脂とキノンジアジド基含有化合物とを主成分とする非化
学増幅型ホトレジスト（例えば米国特許第４３７７６３
１号明細書、特開昭６２−３５４４９号公報、特開平１
−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４７号公報
参照）、含窒素複素環ポリマーとキノンジアジド基含有
化合物とを主成分とする非化学増幅型ホトレジスト（例
えば特公平１−４６８６２号公報、特開平４−４６３４
５号公報参照）なども用いることができる。

【００１８】次に、光吸収熱変換層３の材料としては、
光を吸収して熱に変換する機能をもつものであればどの
ようなものを用いてもよい。このような材料としては、
例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭの記録層として用いられている
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅のようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金や、Ｓ
ｂ金属、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ−Ｖ合金のような合金、ニオブ酸リチウム、メ
チルニトロアニリンのような化合物がある。

【００１９】本発明の微細パターン描画材料における光
及び熱感応性物質層４の厚さとしては、１０〜１０００
ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内が選ばれ
る。また、光吸収熱変換層３の厚さとしては５〜３００
ｎｍ、好ましくは１０〜１５０ｎｍの範囲内が選ばれ
る。光吸収熱変換層３の厚さは、使用する光の波長及び
材質に依存するため、必ずしもこの厚さに限定されるも
のではない。

【００２０】本発明の微細パターン描画材料には、光吸
収熱変換層３で発生した熱により基板１がそこなわれる
のを防ぐために基板保護層２を基板１の表面に設けるこ
とができる。この基板保護層２の材料としては、例えば
ＺｎＳ・ＳｉＯ₂のような無機化合物やポリイミドのよ
うな有機化合物が用いられる。この基板保護層２の厚さ
としては、通常５０〜５００ｎｍの範囲内で選ばれる。
この基板保護層２の厚さは、使用する光の波長及び材質
に依存するため、必ずしもこの厚さに限定されるもので
はない。

【００２１】また、本発明の微細パターン描画材料にお
いては、光の照射の際発生する熱による急激な温度上昇
により光及び熱感応性物質層４がそこなわれるのを防ぐ
ため、両者の間に熱保護層９を設けることができる。こ
の熱保護層９の材料としては、基板保護層２と同じもの
を用いることができる。この熱保護層９の厚さは、５〜
１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍの範囲内で選ば
れる。熱保護層の厚さは、熱の広がりに影響するため、
所望の微細寸法より薄くするのが望ましい。

【００２２】本発明の微細パターン描画材料における光
吸収熱変換層３は、数１００℃に達することがあり、熱
光反応体の変形や蒸発を招くことがあるので、これを防
ぐためにキャップ層１０を設けることができる。このキ
ャップ層１０の材料としては、透明プラスチックや透明
ガラスなどが用いられる。また、このキャップ層１０の
厚さは、５〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍの
範囲内で選ばれるが、キャップ層１０は現像に先立って
取り除かれるため、必ずしもこの厚さに限定されるもの
ではない。

【００２３】次に、図４は、本発明の微細パターン形成
方法の１例を示す工程図である。すなわち、基板１、基
板保護層２、光吸収熱変換層３、熱保護層９、光及び熱
感応性物質層４を順次積層してなる微細パターン描画材
料に、先ず活性光７、例えばレーザー光を照射して光吸
収熱変換層３の一部５において熱を発生させ、光及び熱
感応性物質層４の一部６で反応を行わせると、この部分
はもはや光に感応しない物質に変化する（ａ）。そこ
で、次に別の活性光例えば青色光７′を前面にわたって
照射すると（ｂ）、前記の６以外の部分６′が反応し、
現像液に溶解する物質に変化するので（ｃ）、現像処理
すると６の部分のみが残り、微細パターンが形成される
（ｄ）。この際の活性光７と７′は必ずしも異なったも
のである必要はなく、所望ならば同一のものを用いてよ
い。

【００２４】次に図５は、本発明の微細パターン描画方
法と既存の光リソグラフィー法とを組み合わせて異なる
寸法部分をもつ微細パターンを形成する例を示す工程図
である。この例では、基板をシリコンに代表される半導
体基板とし、かつ光吸収熱変換の役割も基板が兼ねてい
る。半導体基板への光吸収熱変換層からの汚染の可能性
がなければ半導体基板と光及び熱感応性物質の間に、光
吸収熱変換層を設けてもよい。半導体の微細加工におい
ては、すべての加工を最小寸法レベルで行うわけではな
い。そこで寸法の小さい部分を本発明の描画方法で行
い、寸法が大きい部分を光リソグラフィー法で行うのが
好ましい。すなわち、先ず光リソグラフィー法によりマ
スクパターン１１を介して、微細パターン描画材料に対
する露光処理を行って、光及び熱感応性物質層４に第一
潜像部１２を活性光７′により描画し（ａ）、次いで非
潜像部４′に本発明の描画方法に従い、活性光７を照射
し、第二潜像部１３を描画する（ｂ）。そして、最後に
現像すると、光リソグラフィー法によるパターン１２′
と本発明の描画方法によるパターン１３′を有する微細
パターンが得られる（ｃ）。しかしながら、場合によっ
ては、本発明の描画方法を行ったのち、光リソグラフィ
ー法を行うこともできる。

【００２５】また図６は、試料全体を加温しながら加工
する例を示す断面説明図であり、基板１、基板保護層
２、光吸収熱変換層３、光及び熱感応性物質層４からな
る微細パターン描画材料はヒーター１４で加温され、レ
ンズ８を通して照射されるレーザー光７により加工され
る。このように、加温しながら加工することにより、レ
ーザー光の出力を低くすることができ、したがって急激
な温度上昇を防ぐことができる。この際の加熱温度とし
ては、５０〜１００℃の範囲が好ましい。この加温は、
ヒーターの代りにレーザー光の照射を用いてもよい。

【００２６】本発明の微細パターン描画方法における光
源としては、一般の微細パターン描画の際に使用されて
いる各種活性光の中から必要に応じ適宜選んで用いるこ
とができる。このような活性光としては、可視光、深紫
外光、電子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー、
ＡｒＦエキシマレーザーなどがある。また、本発明方法
においては、基板側からレンズを通して短波長の活性光
を照射すると同時に、その反対側から長波長の活性光を
照射することもできる。このようにすると、長波長の活
性光により光及び熱感応性物質層が熱せられ、短波長の
活性光との相乗効果により光及び熱感光性物質の化学変
化が促進される。

【００２７】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００２８】実施例１図１に示す構造における基板１としてポリカーボネート
製ディスク基板（厚さ０．６ｍｍ）を、基板保護層２と
してＺｎＳ・ＳｉＯ₂（厚さ２００ｎｍ）を、光吸収熱
変換層３としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅層（厚さ１５ｎｍ）
を、光及び熱感応性物質層４として厚さ１００ｎｍのポ
ジ型ホトレジスト層（クラリアント社製、製品名「ＡＺ
５２１４−ｅ」）をそれぞれ用い、微細パターン描画材
料を調製した。次に、この材料をディスクの上に載置
し、その基板側から波長６３５ｎｍのレーザー光を照射
した。この際の光学系の開口数は０．６、使用した波長
は６３５ｎｍであり、回折限界は、５３０ｎｍであるの
で、熱を用いずに、光で直接反応させた場合は、これ以
下の寸法の微細パターンを描画することはできない。次
に、光ディスクドライブテスターを用いて、この材料を
線速６ｍ／ｓで回転させ、絞った出力３ｍＷのレーザー
光を１０秒間照射したのち、常法に従って現像した。こ
のようにして得た微細パターンを原子間力顕微鏡（Ａｔ
ｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察
した結果を図７に写真図で示す。この図では、微細パタ
ーンが、ランド上に白線として示されている。このもの
の寸法は、幅１４０ｎｍ、高さ３０ｎｍであった。

【００２９】実施例２単結晶シリコン基板１上に、実施例１と同じポジ型ホト
レジストを用いて、厚さ５０ｎｍの光及び熱感応性物質
層４を形成させた。次いで、その上に実施例１で用いた
のと同じ光吸収熱変換層３を積層して、微細パターン描
画材料を製造した。次に、図８に示す方法により半導体
レーザー光７を用いて直線描画を行った。図中の１５は
ミラーである。このようにして露光処理したのち、エッ
チングにより光吸収熱変換層３を剥離し、次いで現像す
ることにより微細パターンを得た。

【００３０】

【発明の効果】本発明の微細パターン描画材料及び微細
パターン描画方法は、全く新しい原理に基づくものであ
り、これによれば、大規模な装置を用いる必要がなく、
しかも回折限界よりもはるかに小さい微細加工を行うこ
とができる。また、従来方法の欠点となっていた、急激
な熱上昇によるレジスト材料の変形や蒸発を伴うことが
ない上に、既存の光リソグラフィー法と組み合わせて行
うことができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の微細パターン描画材料の構造例を示
す断面説明図。

【図２】光吸収熱変換層の光スポット内の光強度分布
を示すグラフ。

【図３】本発明の微細パターン描画材料の別の構造例
を示す断面説明図。

【図４】本発明の形成方法の１例の工程図。

【図５】光リソグラフィー法と組み合わせた本発明の
パターン形成方法の例の工程図。

【図６】加温しながら行う本発明の描画方法の説明
図。

【図７】実施例で得た微細パターンの原子間力顕微鏡
写真図。

【図８】半導体レーザーを用いて直接描画を行う本発
明の描画方法の説明図。

【符号の説明】

１基板２基板保護層３光吸収熱変換層４光及び熱感応性物質層４′非潜像部５光吸収熱変換層の温度上昇域６，６′光及び熱感応性物質層の反応域７，７′活性光８レンズ９熱保護層１０キャップ層１１マスクパターン１２第一潜像部１３第二潜像部１２′，１３′パターン１４ヒーター１５ミラー

フロントページの続き (72)発明者桑原正史茨城県つくば市東１丁目１番地１独立行政法人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者中野隆志茨城県つくば市東１丁目１番地１独立行政法人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者富永淳二茨城県つくば市東１丁目１番地１独立行政法人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者阿刀田伸史茨城県つくば市東１丁目１番地１独立行政法人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者クリストフミハルシア茨城県つくば市東１丁目１番地１独立行政法人産業技術総合研究所つくばセンター内 (72)発明者藤寛大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者菊川隆東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB16 AB20 AC08 AD03 BB03 DA01 DA31 DA40 FA04 2H096 AA25 AA30 BA09 CA20 EA04 EA12 KA30 2H097 AA03 CA17 GB04 LA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感
応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料。
【請求項２】基板がその表面に基板保護層を有する請
求項１記載の微細パターン描画材料。
【請求項３】光吸収熱変換層と光及び熱感応性物質層
との間に熱保護層を介挿した請求項１又は２記載の微細
パターン描画材料。
【請求項４】光及び熱感応性物質層上にキャップ層を
設けてなる請求項１ないし３のいずれかに記載の微細パ
ターン描画材料。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の微
細パターン描画材料を用い、光照射により描画すること
を特徴とする描画方法。
【請求項６】光照射と同時に加熱する請求項５記載の
描画方法。
【請求項７】請求項５又は６記載の方法によりパター
ン描画を行ったのち、さらに露光処理及び現像処理を行
うことを特徴とする微細パターン形成方法。