KR20070084262A - 마스터 기판과 고밀도 릴리프 구조의 제조방법 - Google Patents

마스터 기판과 고밀도 릴리프 구조의 제조방법 Download PDF

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KR20070084262A
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recording layer
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에르빈 알. 마인더스
롤프 에이. 로크
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 기판층(26)과, 기판층(26) 위의 제 1 기록층(12) 및 제 2 기록층(16)과, 제 1 기록층(12)과 제 2 기록층(16) 사이에 있는 인터페이스층(14)을 구비하고, 기록층들(12, 16)은 상변화 재료를 포함하고, 이들 기록층의 화학약품에 대한 특성이 기록층들에 빛을 조사하여 유도된 상변화에 의해 변경될 수 있는 광 기록용 마스터 기판에 관한 것이다. 더구나, 본 발명은 고밀도 릴리프 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다.
마스터 기판, 광 기록매체, 고밀도 릴리프 구조, 상변화 재료

Description

마스터 기판과 고밀도 릴리프 구조의 제조방법{MASTER SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING A HIGH-DENSITY RELIEF STRUCTURE}
본 발명은, 마스터 기판과, 고밀도 릴리프 구조의 제조방법에 관한 것이다.
광학 프로세스를 기반으로 제조된 릴리프 구조는, 예를 들어, 판독전용 메모리(ROM)와 프리그루브된 1회 기록형(R) 및 재기록형(RE) 디스크의 대량복제용 스탬퍼로 사용될 수 있다. 복제공정에서 사용되는 이와 같은 스탬퍼의 제조는 마스터링으로 알려져 있다.
통상적인 마스터링에서는, 유리 기판 상에 스핀코팅된 박막 감광층을 변조되고 초점이 맞추어진 레이저 빔으로 조사한다. 레이저 빔의 변조는, 디스크의 일부 부분이 UV 광에 의해 노광되는 한편, 피트들 사이에 있는 중간 영역들이 노광되지 않은 상태로 유지되도록 한다. 디스크가 회전하고, 초점이 맞추어진 레이저빔이 서서히 디스크의 외측으로 당겨지는 동안, 교번하는 조사 영역들로 이루어진 나선이 남게 된다. 두 번째 단계에서는, 소위 현상공정에서 노광된 영역들을 용해하여 결국 감광측 내부에 물리적인 구멍 등을 얻게 된다. NaOH 및 KOH 등의 알칼리성 액체 를 사용하여 노광된 영역들을 용해시킨다. 갈바니 공정에서는, 이와 같이 스퍼터 적층된 Ni 층을 반전된 피트 구조를 갖는 두꺼운 다루기 쉬운 Ni 기판으로 더 성장시킨다. 돌출된 범프들을 갖는 이와 같은 Ni 기판은 노광된 영역을 갖는 기판으로부터 분리되며 스탬퍼로 불린다.
ROM 디스크는 인코딩된 데이터를 표시하는 교번하는 피트들과 랜드들의 나선을 포함한다. 반사층(서로 다른 굴절률을 갖는 금속 또는 다른 종류의 재료)을 추가하여 정보의 판독을 용이하게 한다. 대부분의 광 기록 시스템에서는, 데이터 트랙 피치가 광학 판독/기록 스폿의 크기와 동일한 수준의 크기를 가져 최적의 데이터 용량을 보장한다. 예를 들어 블루레이 디스크(BD)의 경우에 320nm의 트랙 피치와 305nm의 1/e 스폿 반경(1/e는 광 강도가 최대 강도의 1/e로 감소하였을 때의 반경이다)을 비교하기 바란다. 1회 기록형 및 재기록형 광학 마스터 기판과 달리, ROM 디스크의 피트 폭은 보통 인접한 데이터 트랙들 사이의 피치의 절반이다. 최적의 판독을 위해 이와 같은 작은 피트들이 필요하다. ROM 디스크가 위상 변조, 즉 광속의 보강 및 상쇄 간섭을 통해 판독된다는 것은 공지되어 있다. 더 큰 피트의 판독 중에는, 피트 저면에서 반사된 광속과 이와 인접한 랜드 평탄부에서 반사된 광속 사이에 상쇄 간섭이 일어나, 더 낮은 반사 레벨을 제공한다.
광학 판독 스폿의 대략 절반의 피트들을 갖는 피트 구조의 마스터링은 일반적으로 판독용으로 사용되는 것보다 낮은 파장을 갖는 레이저를 필요로 한다. CD/DVD 마스터링을 위해, 레이저 빔 레코더(LBR)는 보통 413nm의 파장과 NA=0.9의 대물렌즈의 개구수에서 동작한다. BD 마스터링에 대해서는, 270nm 파장을 갖는 원 자외(deep) UV 레이저를 높은 NA 렌즈(원장(far-field)에 대해서는 0.9, 액체침지 마스터링(liquid immersion mastering)에 대해서는 1.25)와 결합하여 사용한다. 즉, 차세대 LBR은 기존의 광 디스크 세대를 위한 스탬퍼를 제조하는 것이 필요하다. 종래의 포토레지스트 마스터링의 추가적인 문제점은 누적 광자 효과이다. 포토레지스터층에 있는 감광성 화합물의 열화는 조사량에 비례한다. 초점이 맞추어진 에어리 스폿(Airy spot)의 면들도 중심 트랙에 피트들을 기록하는 동안 인접한 궤적(trace)들을 조사한다. 이와 같은 다중 노광은 피트의 국부적인 폭의 확대를 일으키므로, 피트 노이즈(지터)의 증가를 일으킨다. 또한, 교차 조사(cross-illumination)의 감소에 대해서도, 가능한한 작은 초점이 맞추어진 레이저 스폿이 필요하다. 종래의 마스터링에 사용되는 감광성 재료의 또 다른 문제점은 포토레지스트에 존재하는 폴리머 사슬의 길이이다. 노광된 영역들의 용해는 긴 폴리머 사슬로 인해 다소 거친 측면 모서리들을 발생한다. 특히, (ROM에 대한) 피트들과 (1회 기록형(R) 및 재기록형(RE) 응용을 위한 프리그루브된 기판에 대한) 그루브들의 경우에는, 이와 같은 모서리 거칠음이 사전에 기록된 ROM 피트들과 기록된 R/RE 데이터의 판독신호의 열화를 일으킬 수도 있다.
전술한 것과 같이, 고밀도 릴리프 구조는 예를 들어 광 디스크의 복제를 위해 사용될 수 있다. 다양한 길이를 갖는 피트들로 인코딩된 데이터는 위상 변조를 통해 판독된다. BD-ROM 디스크에 대해, 피트 깊이는 보통 약 80nm이다. 가능한한 가파른 벽이 바람직하며, 60 내지 80도의 각도를 추구한다.
결국, 본 발명의 목적은, 가파른 벽을 특징으로 하는 피트들을 갖는 고밀도 릴리프 구조로 현상되는 마스터 레코드를 제공함에 있다.
상기한 목적은 독립항들의 특징에 의해 해결된다. 본 발명의 또 다른 개량예 및 바람직한 실시예들은 종속항에 기재되어 있다.
본 발명에 따르면, 광 기록용 마스터 기판은, 기판층과, 기판층 위의 제 1 기록층 및 제 2 기록층과, 상기 제 1 기록층과 제 2 기록층 사이에 있는 인터페이스층을 구비하고, 상기 기록층들은 상변화 재료를 포함하고, 이들 기록층의 화학약품에 대한 특성이 상기 기록층들에 빛을 조사하여 유도된 상변화에 의해 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 광 기록용 마스터 기판이 제공된다. 상변화는 특히 조사된 빛에 의해 축적된 열에 의해 유도된다. 일반적으로, 상변화 재료는 다소 높은 흡광도를 갖는다. 마크 형성을 위한 기록층의 용융을 가능하게 하기 위해서는 이와 같은 빛의 흡수가 필요하다. 50nm보다 두꺼운 두께를 갖는 상변화층은 광학적으로 폐쇄되는데(optically closed), 이것은 입사광의 아주 적은 양이 바닥에 도달한다는 것을 의미한다. 그 결과, 층의 두께에 따라 온도 프로파일이 감소한다. 따라서, 용융된 영역이 원추형 형상을 갖는데, 층에서 더 깊을수록, 비정질 영역이 더 좁아진다. 현상제에서 용해된 후에, 작은 벽 각도를 갖는 피트가 남는다. 따라서, BD-ROM의 경우에, T가 채널 비트 길이일 때, 가장 짧은 피트, 즉 2T의 피트들의 판독이 방해를 받아, 인코딩된 데이터의 복원의 열화를 초래한다. 이와 관련하여, 종래의 마스터링의 경우에는 포로레지스트와 기판 사이에 박막의 금속 인터페이스층을 도포함으로써, 데이터 품질의 상당한 향상을 달성한다고 설명하였다. 금속층도 형성된 피트들의 벽 경사도를 증가시킨다. 따라서, 본 발명에 기초하여, 가파른 벽을 지닌 깊은 피트들을 갖는 릴리프 구조가 제공될 수 있다. 기록 재료는 바람직하게는, 다음의 조성, 즉 SnGeSb(Sn18.3-Ge12.6-Sb69.2(At %), Eg는 InGeSbTe 등과 같이 In, Ge 등으로 도핑된 Sb2Te로 이루어진 소위 급속성장(fast-growth) 상변화 재료이다. 에칭을 통해 릴리프 구조로 변형될 수 있는 이와 같은 기록층에 데이터 패턴이 기록된다. 기록층의 두께는 5 내지 40nm이고, 바람직하게는 10 내지 15nm이다.
바람직한 실시예에 따르면, 인터페이스층이 제 2 기록층 아래에 설치된다. 인터페이스층도 마찬가지로 에칭가능하다. 이것의 두께는 5 내지 50nm, 바람직하게는 10 내지 15nm이다. 바람직한 재료는 ZnS-SiO2이다.
본 발명은, n≥2일 때, n쌍의 기록층들 및 연관된 인터페이스층들의 적층체가 설치된 실시예들을 사용하여 구현된다. 2개보다 많은 수의 기록층, 예를 들면, 3개의 기록층에 의해, 원하는 벽 경사를 여전히 제공하는 더 깊이가 깊은 피트가 달성될 수 있다.
바람직하게는, 히트싱크층이 기판 위에 직접 설치된다. 히트싱크층은 금속으로 제조하는 것이 바람직하다. 금속층은 히트싱크층으로서의 역할을 하여 기록중에 열을 제거함으로써 용융-급속냉각(melt-quenching)을 가능하게 한다. 적절한 금속으로는 Ag, Al 등을 들 수 있다. 바람직한 층 두께는 15 내지 150nm이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 기록층의 상변화 재료가 동일하다. 이와 같은 경우에, 제 2 기록층에 형성된 용융된 영역이 제 1 기록층에 형성된 용융된 영역보다 작다. 비정질 마크의 재결정화가 이들 두가지 기록층에서 다소 유사하다. 에칭 이후에, 피트가 단차 벽을 갖고 유지된다. 이와 같은 피트 형상은 다중레벨 기록에 매우 적합하다.
또 다른 실시예에 따르면, 제 1 및 제 2 기록층의 상변화 재료가 다르다. 상변화 재료의 특성의 변동에 기초하여, 피트들의 형상이 변경될 수 있다.
예를 들면, 제 1 기록층의 상변화 재료는 제 2 기록층의 상변화 재료보다 빠른 종류를 갖는다. 제 2 기록층에 형성된 용융된 영역이 더 작기는 하지만, 재결정화를 덜 겪는다. 제 1 기록층에 있는 용융된 영역은 더 크지만, 비정질 마크가 더 많은 재결정화를 겪는다. 이것은 제 1 및 제 2 기록층 모두에서 대략 동일한 크기를 갖는 비정질 마크를 제공한다. 에칭 후에, 매우 가파른 벽을 갖는 피트가 남는다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 기록층의 상변화 재료가 상기 제 2 기록층의 상변화 재료보다 느린 종류를 갖는다. 제 2 기록층에 형성된 용융된 영역이 더 작으며, 마찬가지로 더 큰 재결정화를 겪는다. 제 1 기록층의 용융된 영역은 더 크며, 마찬가지로 재결정화를 덜 겪는다. 따라서, 제 1 기록층의 비정질 마크가 제 2 기록층의 비정질 마크보다 크다. 에칭 후에, 단차 벽을 갖는 피트가 남는다. 이 피트 형상은 다중레벨 기록용으로 매우 적합하다.
또 다른 실시예에 따르면, 제 1 기록층의 상변화 재료의 용융 온도가 제 2 기록층의 상변화 재료의 용융 온도보다 높다. 따라서, 제 1 기록층의 용융된 영역이 제 2 기록층의 용융된 영역보다 작다. 재결정화 후에, 제 1 기록층의 비정질 마크가 제 2 기록층의 비정질 마크와 대략 같은 크기를 갖는다. 에칭 후에, 매우 가파른 벽을 갖는 피트가 남는다.
제 1 기록층의 상변화 재료의 용융 온도가 제 2 기록층의 상변화 재료의 용융 온도보다 낮은 것도 가능하다. 이때에는 제 1 기록층의 용융된 영역이 제 2 기록층의 용융된 영역보다 크다. 재결정화 후에, 제 1 기록층의 비정질 마크가 제 2 기록층의 비정질 마크보다 크다. 에칭 후에, 단차 벽을 갖는 피트가 남는다. 이 피트 형상은 다중레벨 기록용으로 매우 적합하다.
또한, 본 발명은, 기판층과, 상기 기판층 위의 제 1 기록층 및 제 2 기록층과, 상기 제 1 기록층과 제 2 기록층 사이의 인터페이스층을 구비하되, 상기 기록층들이 상변화 재료를 포함하는 마스터 기판 상에 고밀도 릴리프 구조를 제조하는 방법으로서, 상기 기록층들 위에 빛을 조사함으로써, 상기 기록층들의 상변화에 의해 상기 기록층들의 화학약품에 대한 특성을 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 마스터 기판의 개략적인 단면도를 나타낸 것이고,
도 2는 본 발명에 따른 제 1 레이저 파워를 사용하여 마스터 기판 위에 기록된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이며,
도 3은 본 발명에 따른 제 2 레이저 파워를 사용하여 마스터 기판 위에 기록 된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이고,
도 4는 제 2 레이저 파워를 사용하여 기록된 피트의 확대도이며,
도 5는 본 발명에 따른 마스터 기판에 기록된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이고,
도 6은 기록 깊이와 마크 폭에 관해 단일 기록층을 본 발명에 따른 기록 적층체와 비교한 도면이다.
기록 적층체의 최상층은 KOH 및 NaOH 등의 통상적인 현상액에 잘 용해되는 재료로 제조된다. 보호층은 ZnS-SiO2 또는 포토레지스트로 제조하는 것이 바람직하다. 비정질 기록의 경우에 보호층이 약 600-700℃의 높은 기록 온도에 견뎌야만 한다. 이 층 두께는 5 내지 100nm, 바람직하게는 10 내지 25nm이다. 보호층(10) 아래에는, 제 1 기록층(12)이 설치된다. 기록 재료는, 바람직하게는 SnGeSb(Sn18.3-Ge12.6-Sb69.2(At%)) 또는 InGeSbTe 등의 In, Ge 등으로 도핑된 Sb2Te로 이루어진 소위 급속성장 상변화 재료인 것이 바람직하다. 데이터 패턴이 이 기록층(12)에 기록되고, 이것이 에칭을 통해 릴리프 구조로 변환될 수 있다. 기록층(12)의 두께는 5 내지 40nm, 바람직하게는 10 내지 15nm이다. 제 1 기록층(12) 뒤에는 인터페이스층(14)이 위치하고, 이것의 뒤에는 제 2 기록층(16)이 위치한다. 이 제 2 기록층(16)은 제 1 기록층(12)과 유사한 특성을 가지며, 기록층 12 및 16이 서로 다를 수도 있다. 제 2 기록층(16) 다음에는 제 2 인터페이스층(18)이 위치한다. 이 인터페이스층들도 마찬가지로 에칭이 가능하다. 인터페이스층들의 두께는 5 내지 50nm, 바람직하게는 10 내지 15nm이다. 바람직한 재료는 ZnS-SiO2이다. 2쌍의 기록층들(12, 16)과 인터페이스층들(14, 18) 뒤에는 1개 이상의 추가적인 쌍의 기록층들(20)과 인터페이스층들(22)이 위치할 수 있다. 이 층 뒤에는 히트싱크층으로의 역할을 하며 기록중에 열을 제거하여 용융-급속냉각을 가능하게 하는 금속층(24)이 위치한다. 적절한 금속으로는 Ag, Al 등을 들 수 있다. 바람직한 층 두께는 15 내지 150nm이다. 기록층들 및 인터페이스층들의 수가 증가할 수 있으며, 이와 같은 다층 적층체의 공식은 C(PI)nM인데, 이때 C: 보호층, P: 기록층, I: 인터페이스층, M: 금속층; n≥2이다. 전체 적층체가 기판(26)에 의해 유지된다.
도 2 내지 도 5는 C(PI)n=3M 적층체에 대해 행해진 실험의 결과를 나타낸 것으로, 이때 보호층은 25nm의 두께를 갖는 포로레지스트이었고, 기록층들은 10nm의 두께를 갖는 InGeSbTe로 제조되었으며, 인터페이스층은 10nm의 두께를 갖는 ZnS-SiO2로 제조되었다. 금속층은 100nm의 두께를 갖는 Ag로 제조되었다. 상변화층들은 마스터링 이전에 초기화기(initializer)를 사용하여 결정성으로 만들었다. N-1 기록 스트래티지, 즉 채널 비트 길이 T의 N배의 길이를 갖는 마크에 대해 N-1개의 기록 펄스를 사용하는 스트래티지를 포함하여 다양한 기록 스트래티지를 사용하였다. 결정성 층에 비정질 마크들을 기록하기 위해 짧은 펄스들을 사용하였다. 디스크를 10% NaOH를 사용하여 5분 동안 현상하였다.
도 2는 본 발명에 따른 제 1 레이저 파워를 사용하여 마스터 기판에 기록된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이다. 마크들은 N-1 스트래티지를 사용하여 30ILV(ILV=absolute laser power)의 다소 낮은 기록 파워로 기록하였다. 이와 같은 상태에서는 기록 적층체에 매우 작은 마크들이 생긴다. 10% NaOH로 현상한 후에, 13nm 깊이의 피트가 남는다. 이들 피트의 원자력 현미경(atomic force microscopy: AFM) 사진을 도 2의 하부에 나타내었다. 상부의 도면은 흑색 선에서의 사진을 통과한, 즉 기록 방향을 따른 단면을 나타낸 것이다. 상부 및 하부 도면의 화살표들은 대응하는 점들을 가리키고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 제 2 레이저 파워를 사용하여 마스터 기판 위에 기록된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이다. 이 실험에서는, 더 늪은 기록 파워, 즉 ILV=40 이상의 기록 파워를 가하였다. 이에 따라, 비정질 마크들이 제 2 기록층까지도 연장되는데, 이것은 도 3의 2개의 도면에서 알 수 있다. 마찬가지로, 하부의 도면은 표면 스캔에 기초한 사진이고, 상부의 도면은 흑색 선을 따라 도면을 통과한 단면도이다. 피트들이 전형적인 형상을 갖고 있는 것을 특징으로 한다. 전술한 것과 같이, 흡광도가 깊이에 따라 감소한다. 따라서, 상부 기록층의 용융된 영역이 하부 기록층의 용융된 영역보다 크다. 일부 중첩하는 비정질 마크들은 마크의 선두 부분에 이전에 기록된 비정질 재료의 재결정화를 일으켜, 그 결과 너무 빠른 상변화 재료 또는 너무 낮은 기록 속도에 대해 관찰된 효과(공지된 기록중의 재결정화)를 발생한다. 하부 기록층의 비정질 영역은 더 작지만, 이와 유사한 형상을 갖는다. 선두 부분에 위치한 마크의 폭은 상부 기록층에서보다 작다. 이와 같은 경우에, 재결정화는 하부 기록층에 있는 마크의 선두 부분의 완전한 소거를 일으킨다. 두가지, 즉 상부 및 하부 기록층에 있는 마크의 후미 부분은 거의 재결정화되지 않는다. 현상 후에, 2-레벨 피트가 남는다.
도 4는 제 2 레이저 파워를 사용하여 기록된 피트의 확대도를 나타낸 것이다. 얕은 선두부의 깊이는 13nm로서, 낮은 기록 파워에서 얻어진 피트와 유사하다. 이것은, 깊이가 에칭후의 제 1 기록층 및 인터페이스층의 두께를 닮는다는 것을 의미한다.
도 5는 본 발명에 따라 마스터 기판 상에 기록된 데이터 패턴을 2가지 다른 도면으로 나타낸 것이다. 우측 도면은 표면 스캔이고, 좌측 도면은 반경 방향으로 점선에서 우측 도면을 통과한 단면도를 나타낸 것이다. 마찬가지로, 2-레벨 구조를 볼 수 있다. 열적 응답은 반경 방향으로 대칭적인데, 이것은 얕은 부분이 존재하지 않는 것을 설명하고 있다.
도 6은 기록 깊이와 마크 폭에 관해 단일 기록층을 본 발명에 따른 기록 적층체와 비교한 도면이다. 제 1 기록층의 상변화 조성이 제 2 기록층의 상변화 조성과 유사한 기록 적층체를 고려하자. 제 1 기록 적층체의 용융된 영역이 흡광 효과로 인해 제 2 기록층의 용융된 영역보다 크다. 이것을 20nm의 인터페이스층에 의해 분리된 2개의 20nm의 상변화층을 갖는 기록 적층체에 대해 도시된 계산된 상대 마크 폭을 도시한 도 6에 예시한다. 흡광 효과로 인해 제 1 기록층에 기록시의 마크 폭이 제 2 기록층에 기록시의 마크 폭보다 크다. 60nm의 두께를 갖는 상변화층에 대한 결과도 도 6에 나타낸다. 빛이 z=60nm에서 적층체에 입사되는 것을 파악하기 바란다. 따라서, 가장 폭이 넓은 마크는 60nm에서 기록되고, 적층체 내부의 더 깊은 위치에 대해서는 마크가 더 작아진다(z=10nm). 계산에 따르면 두꺼운(60nm)의 기록층의 깊이에서는 마크가 형성되지 않는 것으로 밝혀졌는데, 이것은 예측과 일치한다. 이에 반해 다층 적층체는, 제 2의 (더 깊은) 기록층에 실제로 마크 형성을 나타낸다. 이 계산으로부터, 제안된 다층 적층체를 사용하면, 더 깊고 더 가파른 피트를 제조할 수 있다는 것이 명백하다. 제 1 및 제 2 기록층의 마크 형상은 사로 다른 용융 온도를 갖는 2개의 상변화 조성을 사용함으로써 조절될 수 있다.
제 1 및 제 2 기록층의 마크 형상은 결정화 메카니즘에 의해 더 제어될 수도 있다. 제 2 기록층의 상변화 재료의 성장 속도가 제 1 기록층의 조성의 성장 속도보다 훨씬 느리면, 재결정화가 더 작아, 더 큰 비정질 마크를 발생한다. 재결정화가 재료 조성의 결정화 속도를 통해 조절되면, 매우 가파른 벽 각도를 얻을 수 있다. 또한, 제 2 기록층의 제어된 재결정화를 이용하면 단차 거동을 더 강조할 수 있다. 따라서, 이와 같은 경우에는 더 깊은 기록층을 위해 더 빠른 상변화 재료를 사용한다.
인터페이스층들은 흡수를 갖지 않으므로 적층체에 열 축적을 덜 일으켜, 더 깊은 마크들을 기록할 수 있다. 더구나, 하지의 인터페이스층을 에칭하기 위한 마스크로 상변화층을 사용한다. 층 두께와 광학특성을 피트의 경사를 최대로 하기 위해 최적화할 수 있다. 더 가파른 벽을 사용하여 더 깊은 피트들을 얻을 수 있다.
첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 위에서 설명하지 않은 등가물 및 변형물이 채용될 수도 있다.

Claims (13)

  1. 기판층(26)과,
    상기 기판층(26) 위의 제 1 기록층(12) 및 제 2 기록층(16)과,
    상기 제 1 기록층(12)과 제 2 기록층(16) 사이에 있는 인터페이스층(14)을 구비하고,
    상기 기록층들(12, 16)은 상변화 재료를 포함하고, 이들 기록층의 화학약품에 대한 특성이 상기 기록층들에 빛을 조사하여 유도된 상변화에 의해 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 광 기록용 마스터 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    인터페이스층(18)이 제 2 기록층(16) 아래에 설치된 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  3. 제 1항에 있어서,
    n≥2일 때, n쌍의 기록층들 및 연관된 인터페이스층들의 적층체가 설치된 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  4. 제 1항에 있어서,
    히트싱크층(24)이 기판(26) 위에 직접 설치된 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  5. 제 1항에 있어서,
    보호층(10)이 상기 제 1 기록층(12) 위에 설치된 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기록층(12, 16)의 상변화 재료가 동일한 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기록층(12, 16)의 상변화 재료가 서로 다른 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  8. 제 7항에 있어서,
    제 1 기록층(12)의 상변화 재료는 상기 제 2 기록층(16)의 상변화 재료보다 빠른 종류를 갖는 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 기록층(12)의 상변화 재료가 상기 제 2 기록층(16)의 상변화 재료보다 느린 종류를 갖는 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  10. 제 7항에 있어서,
    제 1 기록층(12)의 상변화 재료의 용융 온도가 상기 제 2 기록층(16)의 상변화 재료의 용융 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 기록층(12)의 상변화 재료의 용융 온도가 상기 제 2 기록층(16)의 상변화 재료의 용융 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 마스터 기판.
  12. 기판층(26)과, 상기 기판층(26) 위의 제 1 기록층(12) 및 제 2 기록층(16)과, 상기 제 1 기록층(12)과 제 2 기록층(16) 사이의 인터페이스층(18)을 구비하되, 상기 기록층들이 상변화 재료를 포함하는 마스터 기판 상에 고밀도 릴리프 구조를 제조하는 방법으로서,
    상기 기록층들(12, 16) 위에 빛을 조사함으로써, 상기 기록층들의 상변화에 의해 상기 기록층들의 화학약품에 대한 특성을 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 릴리프 구조의 제조방법.
  13. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 기재된 마스터 기판에 근거하여 제조된 릴리프 구조를 사용하여 광 데이터 매체를 제조하는 방법.
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