TWI273457B - Generation and use of integrated circuit profile-based simulation information - Google Patents

Description

1273457 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案係關於由Jakatdar等人於西元2000年11月28曰申請的 美國專利申請案申請序號第09/727,530號，案名"Systemand Method for Real-Time Library Generation of Grating Profiles”，其為 本申請案之申請人所擁有且併入此處作為參考，並且也關於 Jakatdar等人於西元2000年1月26曰申請的美國專利申請案申請序 號第 09/764,780號’案名"Caching of Intra_Layer Calculations for Rapid Rig〇rous Coupled-Wave Analyses”，其為本申請案之申請人所 擁有且併入此處作為參考。 本申請案係關於積體電路(1C)製造之一般領域，尤其關於一種 用以產生且應用基於輪廓的模擬資訊之資料庫的方法與系統。 【先前技術】 隨著增加時鐘速率且減少1(：構造幾何之需求，必須迅速地回 ，晶圓設計與製程決策之效果。在許多傳統的1C製造環境中，設 。十者或製程工程師經常不會立即知道設計決策或製程改變之效 果二，知之甚遲，導致高成本的重新製造或無法使用的終端產品。 目標驅動了設計活動，其產生遮罩與1c製造計晝且傳送至 造。1C製造生產晶圓，在Ic測試中受測試且經過完成操作， 此^气發現到晶圓之缺陷與錯誤。典型上，若干設計或製程決策 •^衝擊於鱗_至設計與製造群。在產品運送至顧客之後，額 夕的關於设計與製程變化之產品回饋最終會回到1(:;設計。眾所週 界中，於晶圓層次時偵測不良晶片會比在許多終端產品 震轉客處之後才偵測不良晶片來得__多。因此，需 姐，提供肴關設計與製德改變之衝擊的資訊。 璇-，缺乏立即回饋設計與製程決策給予製程控制群。圖1 S 二，1€製程控制流動至各種製造領域且從各製造領域回饋 衣壬控制之先前技藝架構圖。1C製造目標21藉著製造計晝24 1273457 f 雜制23群，該製造計晝24翁_職程、沉積、或 佑拋光((^)25、微影27、餘刻29、光阻㈣剝除33與35、 J總體製造回細送至_程控制23群。然二 ==產十 生所期望的絲錢·絲造之某賴繼界尺寸㈣㈣ CD则可接受的細，财能必撤棄受影響的晶 人。因A，需要提供即時的資訊至IC製程控制群，以使不合 數量最小化且細並修正製健制參數漂移或製程控制 iijm用目前的設計與製程模擬器，典型上在製程之 早期及，縣之各階段巾，仍無法㈣獲得充分的資訊。 目則使用若干製程、元件、與電路模擬器。例子包括有可互 ^微影模擬、佈植模擬、擴散模擬、氧化模擬、沉積與 莫擬、沉積與重炫流佈模擬、2維製程模擬、以及 與其他可模擬ic製程之一步驟或一系列步驟 ΔΡΛ^Γ 。某些模擬态假設1C構造為簡單的幾何形狀。然而，由 媸1、剖面SEM(X_SEM)、與光學度量系統所提供的資料指示出 业=剖面為複雜雜。此等複獅狀的構造提料同於假設的 ^ =何形狀之電性性質、熱性性質、與性能。其他企圖模擬複 Ϊ 製造過程中變數之數目而僅達成有限的成 冰且牛f 。5構造形狀受到製程控制參數例如微影數值孔徑、 1^二由來焦曝光、曝光後烘烤(1)〇贫饮1)〇3111^^)也6，1^]5)溫度、光 k厚度、抗反射塗佈厚度、介f材料、以及所_製程之影響很 口隨著科技進展至深次幾米幾何(0·250微米或更少）， 外心太可信賴的用於製程控制參數例如PEB溫度、焦點、曝光之資 性造輪靡且進而提供所期望的元件與電路屬 5確？程屬性例如構造輪廓、S件屬性例如電容值： ’需要一種可在製程中獲得輪廓資料、信號、製程控制 1273457 多數以及製程屬性之貧訊的方法及/或系統。另外，當給定一構 f輪廓或製程屬性目標時，需要迅速的用以提供所期望的結果之 ‘私控制參數值之資訊。舉例而言，知道用以製造具有所期望的 =廓且可提供所要求的電性性質、熱性性質、與性能的構造之PEB 、度日寸間、數值孔徑、與焦點之組合係一項有益的優點。 【發明内容】 本發明包括一種用以產生且應用一基於輪廓的模擬資訊之資 垆ί之方法與系統。一實施例包括產生且應用一基於輪廓的資訊 料f，包含由一度量裝置所測得的信號、構造輪廓資料、製 制芩數、以及製造屬性。資料庫之資訊得在設計或製程中即 守使用且/或於製程設備内原位(in-situ)使用。 另一實施例係一種使用測試光柵來產生一互 座？，光栅係模型化用於1c之互連線之幾何。 ，貝枓庫辨時_於監視絲造過財ic之電性料性性質。 ί二服器提供關於製程控制參數之資訊，該製程 將滿足在1c設計帽於—給定的製程所要求的互連線之 1貝枓庫之方法與糸統。製程模擬器得模 放、乳化、沉積與侧、CMP 二二f巧 此等製程控制參數之偏離，使^ 擬的構造輪廓資料轉換成信號、 此等缴遊射,基於1圍内的製程控制參數與 擬資料庫產生器產生資料座亲如'竹评俠风1¥說。一模 用一度量模擬器與一組人的制八他貫知例包括利 庫來的資邙猓如iL 拉械貧料庫之方法與系統。從模擬眘料 1273457 資訊 移0 ’以改良料、製造步驟、良率、或提供資訊以修正製程漂 【實施方式】 大、、土月包括種產生且應用基於輪廓的模擬資訊之資料肩之 圖2與3顯示構造之難輪軸實際輪廓間之差i。 二你田装1不產生基於輪廓的模擬資料庫之實施例。圖9纽9B領 i吏的模擬資訊之實施例。_顯示模擬資料庫之格 i用Ξ Β代表經驗的資料，顯示本發明之概賴原則之 模搪際微影製程麵之雜物件輪触典型的微影 實心里制π的？ί輪廓之先前技藝架構圖。微影模擬器73模擬 d’包括自旋塗侧、軟式烘烤63、曝光65、曝: 電路之電性性f不_s錄程顧g' ^I所^ 形狀的構造之電性性質。 d上所H又的間早成何 遠線圖/對照著實1^微影、倾、與金屬化製程步驟之互 Ϊ2圖?ΐϊϊ，細所產生之互連線剖面之 ::在互連線汉计81、製造83、與測試85之步驟後所繁成的 ίίίΐ#^^ 0 材科與相關的介電材料之幾 此具顯者的影響。雖然原子力顯微鏡(AFM)可提供互連線輪 1273457 廓資訊，但AFM速度慢且無法提 掃描電子顯微鏡(CD-SEM)可心雄層，界尺寸 案化層之輪廓資訊或資料 界尺寸，但热法提供關於非圖 為了促進本發明之說明，使用光學度量 :统請?原則可同樣應用至下文所述的其‘i量 ίΐ系二電子、或機械度量系統。光學 料/ Γ 軸里(erGmetrie)裝置例如光譜分析橢 =2(sp^_pic ellipsometer)、反射計(reflectome㈣盘諸 子度量系統之例子包括⑽帚描電子顯微鏡” )、透射式電子顯微鏡(TEM)、與聚焦離子炎(focl] H · 裝置。機械度量系統之例子包括原子力顯微鏡(AFM) ^ 統之例子包括電容值測量單位。在此應用中，度L 為光予域、離子束、電子束、或其他類似信號。 =員=吏用光學度量系統以確定週期構造之輪廊之架構 t ϋϊ糸統4G包括—度量信號源41，投射—信號43於安裝 sLa，里平口55上之晶圓47中作為標靶的週期構造53上。度量信 ί 一 角Θ投射向作為標㈣週期構造53。反射信號^ ^度里#唬，收器51所量測。反射信號資料57傳送至一度量輪 f f。度量輪廓系統59比較所麟的反射信號資料57與代表 :、、、二巴?週期構造之臨界尺寸與解析度之各種組合所計算出的 1=號資料之數據庫。選出數據料最佳符合於剩得的反射 ΐίϊ料57之案例。選出的數據賴例之輪廓與_的臨界尺寸 為標1巴的週期構造53之剖面輪廓與臨界尺寸。類似的 光f度I:系統仞係描述於由址邮紅等人於西元如㈨年^月烈日所 申請的美國專_讀案申讀序號第〇奶 and Method for Real-Time Libraty Generation of Grat^^^ 為本申請案之申請人所擁有且併入此處作為參考。 、、、圖顯示在本發明之一實施例中使用元件模擬器產生模擬資 料庫之架翻。基於輪廓的模擬資料庫1〇〇之產±包括製程設計器 1273457 101佈局出一系列1C製造步驟。在測試光栅遮罩·設計器1〇3中設計 一組測試光柵遮罩’以獲得在有利害關係領域中之關鍵物件或特 徵。舉例而§，倘若有利害關係的領域係互連線之電容值，則所 設計出的此組測试光柵遮罩佔有各種互連線幾何資訊。互連線幾 何資訊包括晶圓中構造之輪廓。1C製造器105使用此組測試光柵遮 罩形成測試構造，而由一度量裝置107所量測。度量裝置1〇7得為 光學度量裝置或非光學度量裝置，測量離開測試光柵之信號且傳 送此測得的k號至輪廓應用伺服器109。輪廓應用伺服器辦比較 所測得的離開測試構造之信號與涵蓋所預期的構造輪廓臨界尺寸 與解析度之範圍的輪廓數據庫110中所計算出的信號。輪廓應用伺 服器109伙輪廓數據庫110之计异的信號中選擇出最佳匹配的於 數據庫案例。在—實施例中，作為所測得的繞射5信 匹配者係相較於繞射度量信號而言具有最小誤差者。若干最佳化 程序用以使誤差最小化，例如模擬的退火，描述於”Numerical Recipes；» section 10.9 ^ Press, Flanneiy, Teulkolsky & Vetterling, Cambridge University Press，1986中；其併入此處作為參考。產生 適當結果之誤差量係「差的平方之和 (sum-of-the-squared-difference)」的誤差，最佳化程序使所測得繞 射度量仏號與所計异出的繞射度量信號間之誤差量最小化。對於 一範圍内的構造輪廓臨界尺寸與解析度產生計算的信號作為輪廓 =據庫，且從所計算的信號數據庫中選出最佳匹配數據庫案例之 言羊細程序係包含於由Jakatdar等人於西元2〇〇〇年η月28日所申請的 美國專利申請案申請序號第09/727,530號中，案名"Cachingof Intra-Layer Calculations for Rapid Rigorous Coupled-Wave Analyses”，其併入此處作為參考。 一仍然參照圖5A，最佳匹配輪靡數據庫案例之輪廓資料係傳送 ，元件模擬器113。輪廓資料包含臨界尺寸、輪廓形狀描述、與輪 廓圖形代表。臨界尺寸典型上以測量尺寸來表示，舉例而言，寬 度5〇奈米。另外，臨界尺寸也表示為另一臨界尺寸之百分比，舉 1273457 部t8r°高度卿意味著構造頂部在構造之高度的· 輪狀描述之例子係具有頂部圓形輪廓之梯形。 J:二二二歹仔，輪廊之位兀圖。元件模擬器113得為模擬電 徵之5何二二：33:穩態或暫態信號、漏電流及/或光學特 二” 件模擬11 °元件模擬器之例子為從各公司例如 、f gyModelingASSO— ·ΤΜ、Medid.TM、ATLAS.™、與TMAW1.TM。 ΐίίΪΪΐ數據庫^來之最伽配的雜賴例之輪廓臨界 尺寸，由輪廓應用伺服器109所擷取出且傳送至元件模擬器113。 一件$擬J 113產生使用於拉擬執行之該組製程控制參數與導 s兀=性：為輸出。舉例而言，倘若元件模擬器為互連線模 Μ裔’則輸入得為以奈米為單位之頂部與底部CD，及以度為單位 ^側壁角，具有所使用的互連線模擬器所要求的格式。元件模擬 ，、出之輸出係元件屬性，包括以歐姆為單位的電阻值、以法拉為 早位的，容值、與以亨利為單位的電感值。模擬資料庫產生器⑴ 產生二貧料庫案例，包含關聯於特定的元件模擬之信號、輪廓資 料、模擬類型、與元件屬性。模擬類型係所進行的模擬之特徵，、 舉例而言，元件模擬。模擬類型之一部分列表係包括於圖1〇中。 圖5B顯示在本發明之一實施例中產生互連線模擬資料庫之架 構圖。基於輪廓的互連線模擬資料庫12〇之產生包括一製程設計器 121佈局出一系列ic互連線。在測試光栅遮罩設計器123中設計一 組測試光栅遮罩，獲得各種互連線幾何資訊。互連線幾何資訊包 括晶圓中之構造之輪廓。1C製造器125使用此組測試光栅遮罩以形 成測試構造，其由一度量裝置127量測。度量裝置127得為反射計、 橢圓偏光計、或其他非光學獲畫讓置，測量離開測試構造之繞射 信號且傳送搿測得的信號至緩廓應用伺服器丨29。輪廓應用伺服器 129比較所測得的離開測試構造之信號與涵蓋所預期的構造輪靡^ 臨界尺寸與解析度之一範圍的數據庫13〇之計算的信號。輪廓應用 伺服為129從數據庫選出最佳匹配的數據庫案例。最佳匹配的數據 11 !273457 =例之歸CD係由麵制做㉝賴取& ϊίϊ器.互連線模擬器133產生使用於模擬H談組制t 工:多數與兀件屬性作為輸出。互連線模擬器之例子包括乂衣 出I括元件屬f賴擬器133之輸 二ίΓϋ電感值。模擬資料庫產生器⑶對於每 咖贿=庫之 示，類似的圖示物件係由相同的參考數字所標 制程模縣之5細。圖6續示在本發明之—實施例中使用 ;值5=之：===: 包括層狀構造之幾何。製程控制參數132與製造 ^傳ΪΪ模擬，庫產生器139。製造屬性134傳送至度量^ ^^:里她③137制有關構造輪廓之製造屬性，以產生 Ϊ應程模擬器133所產生的構造之輪靡的繞射信號。舉例而 i程、侧、或組合的微影與侧模擬器。

旧痒工地、1數132侍包括膜厚度、烘烤時間、曝光、PEB時間、PEB 衽、及/紐職率與_劑之麵。製造雜麻 二、勢臨界尺寸箱，例如樣D^ 仍售參照圖6A，從製造屬性134、度量模擬哭137柙敗φ 資料且計算對應於_具有所傳送的輪廓雜與&之光拇的I# 12 1273457 號之信號。在度量模擬器137係光學度量模擬器之例子中，該信號 為模擬的繞射信號。至於模擬的繞射信號之計算之說明，參照由" Jakatdar等人於西元2000年1月26曰所申請的美國專利申請案申嗜 案號第09/764,780，案名”Caching of Intra-Layer Calculati_f/

RapM Rigorous Coupled-Wave Analyses”，其併入此處作為參考。模 擬資料庫產生器139處理製程控制參數132與從製程模擬器133與、 度量模擬器137輸入的資料，以產生模擬資料庫149案例。模擬資 料庫案巧包含關聯於製程模擬之信號、輪廓資料、模擬類型、雙 程控制參數、與製造屬性。模擬類型係所進行的模擬之特徵，= 例而言，製程模擬。模擬類型之一部分列表包括於圖1〇中。牛 圖6B顯不在本發明之一實施例中使用製造與元件模擬哭 基於輪廓的模擬資料庫之架構圖。使用製程模擬器與元件& 之】以產生核擬貧料庫140之基於輪廓的系統係類似於圖6A所示 ，處理，差異之處在於製程模擬器⑶之包括製造屬性 达至兀=模擬器135。元件模擬器135利用製造屬性以進行元掇 擬且傳送元件屬性136JL模擬資料庫產生n 139 ^ 器戦理嫌潮㈣珊人的龍，其包含=貝 =唬if，以及從元件模擬器135輸入的資料，其包含元 ^模擬類型:製程控制參數、製造屬性^；=ί。= 〜核擬類型係組合的製程與元件模擬。舉例而t，f程模擬 若所;;=^;;;:;=干_問。條 所要求的互連線之麵。句；^的％减，職擬資料庫可提供 廓，則模擬資*庫倘若給定的*料係互連線之輪 _庫了&供對應的製程控制參數，例如數值孔徑、 13 1273457 、f刻時間、或蝕刻劑種類。隨後所討論的給 午夕其他㈣可被公式化以提供所期望的查詢回應。 物杜=終照Ϊ6Β，製賴擬11133與元件模擬11135得為分離的 或組合於單一物件或單一軟體封裝中。組合的製程與元件 挺器之例子包括Silvac〇 Intemati〇nal的Vict〇ry ΤΜ與柳沉、、

Systems, Inc·的Microtec.TM。 、 圖6C顯示在本發明之一實施例中使用製程、元件、與電路模 ，器產生基於輪廓的模擬聽庫之架構圖。使製擬'哭、 、與電路模擬器之用於產生模擬雜庫携之‘ 糸^係類似於圖6B所說明之處理，差異之處在於從耕模擬器135 ，來的包括S件屬性136之輸出也傳送至電路模擬器141。電路模 利用形成電路的若干元件之元件屬性。舉例而言，傳輪線 I括若干互連線元件以形成一電路。得模擬的電 阻m放以、傳 成電路之元件之組合加以模擬，此模擬產生用以藉 者電路模擬态141進行電路模擬之元件屬性136。電路模擬器141產 士且傳送電路屬性138至模擬資料庫產生器139。模擬資料庫產生 處理攸‘私模擬斋133輸入的資料，其包含製程控制參數I” 與屬性134 ;從度量模擬器137輸入的資料，其包含計/算的繞 射仏號142，從元件模擬器135輸入的資料，其包含元件屬性I% ; 以及從電路模擬器141輪入的資料，其包含電路屬性138，以產生 模擬資料庫149。模擬資料庫149案例包含信號、輪廓資料、模擬 類型]製程控制參數、製造屬性、元件屬性、與電路屬性。模擬 類型係所進行的模擬之特徵，舉例而言，組合的製程、元件、盥 電路模，。穩擬類型之一部分列表係包括於圖1〇中。^ t、 …仍舊ί照圖6〇,製程模擬器133、元件模擬器135、與電路模 擬裔141得為分離的物件或組合於單一物件中或單一軟體封裝 中。電路模擬器之例子包括SPICRTM、各種改編的spiCE.T^、 SPECTRE.TM、APLACTM、與PROTOLAB.TM。組合的全製程 14 1273457 模挺 之例子係 siivaco jntemati〇nai 的 athena.tm。 元件將應用至其他組合模擬器，例如組合的 ,,Γ ，擬。杈擬資料庫之產生將以類似的方式來完成。類 二中^件模擬11與電路模擬11得為分離的物件或組合於單-位 軟體封裝中。組合的元件與電路模擬器之例子包括 f Ι.ΤΜ、TOPSPICE.TM、CIDER.TM、與SIMPLORER ΤΜ。 之牟^八顯"示^本發明之一實施例中詢問齡時使用模擬資料庫 207，八^^\問兀件2〇1來的詢問2〇3傳送至模擬資料庫伺服器 模擬-刀存取模擬資料庫215之案例並規劃其回應205。 、貝；、庫伺服為207亦得由即時查詢209所呼叫，產生一回應 應用中，詢問2_從即時查詢元件211而來，產生二回 ^杏2問209包含詢問類型與查詢所給的資料。取決於詢問類 之:商給的貢料’模擬資料庫飼服器207擷取模擬資料庫215 j虽的案例’並且格式化且傳送回應213。即時查詢元 統之-部分或IC製造系統之—部分。詢問元_;為__ 由網ί存^統之—部分。更且，制元侧得為區域性或可經 制^^頁力不^本發明之一實施例中原位使用模擬資料庫於各種 2^)得。搞合至模擬資料庫255的模擬資料庫伺服器 輪廓的模擬資訊。模擬資料庫伺服器 原 、微影227、姉29、細 得^區域性布植f 3山及/或熱製f237元件。模擬資料庫伺服器250 =====碰 15 1273457 號，則模擬資料庫料健_絲栅之繞射信 導電值、電容值、及/或電阻值。在微影步驟 Ϊ ΪΪ=Ϊ制減’則模擬資料庫値器25G將規割出一回 二=Ϊ時間、烘烤溫度、焦點、及ΡΕΒ時間與溫*。如下文 座:Γ類型與查詢所給的資料之許多其他組合可傳送至 板擬貝枓庫伺服器，，已獲得所要求的特定回應。 基於據毅顧以產生 之所期望_^3,作步驟流程表。確定用於輪廓數據庫 3〇0 :兴存丨而?、4:"構之輪廓形狀之輪靡資料範圍與解析度 CD、底、^巧彡輪赫狀之特徵得私奈料單位的頂部 輪廓資ir鬥脾=度、曲折點之高度與寬度、以及下方的厚度。 小佶Ί5括用於頂部CD、底部CD、光栅厚度、高度等等 靡資料r ριί®、ί解析度。在輪細彡狀之各種解析度中之輪 1用於^ 算模擬的繞射信號且產生輪廓數據庫320。產 细程^包Tlr構造輪廓臨界尺寸與解析度之輪廓數據庫之言ί 專^巧i=iaf人於西元細年1擊日所_美國 Γογ ΖΓ/ ^ ，"System and Method 為來考。1^ 1卿Genera011 〇f如㈣Pr〇flleS”，其併入此處作 人形狀之輪廊資料麵轉換成元件模擬器輸 幹廊右疋件模擬器係互連線模擬器，則所期望的 口= 成選出的互連線模擬器例如R_ei.™所要求 件屬^生350。繼而者^几件模擬器輸入’呼叫元件模擬器，產生元 ===電：互生，、包含 貝澤私阻值、電谷值、電感值、電位、溫度、與 16 1273457 I瓜貧料庫案例’包含繞射的信號、輪廊資 Ϊ丄件屬性。再次考慮互連線例子且假設光學 ΐίίϊ 波長範圍與測量點取決於光學度量裝置 擬完成37(Γ。”包合山又刀。板擬貧料庫產生製程重複直到模 界尺寸之輪廓資ί ^性成包含輪廓形狀與臨 枓用以產生一模擬資料庫案例435。與卄汁开的仏號之貝 得包括;‘ 轉換成度量模擬器所要求的CD /以^^=„狀與幾何 係具有頂部變圓且底部基腳之梯形幹j若輪廓形狀 度' 度、梯“：=度底部寬 要求換成可相容於元件模擬器 Ύ衣私杈挺态與兀件模擬器係組人於置一私壯丄 貝她例 數轉換成可相容的格式之要求“電:1:=ίΐ 1273457 兀，彳 =群集在一起用於電路模擬。舉例而言，形成電路或電路之 一部分的若干ic構件例如閘、接觸孔、通孔、與墊係 =一 此等群集的元件之每一個之元件屬性係ί換成可 目各；龟路模擬态要求之格式46〇。使用轉換的元件屬性，呼· $擬器，產生電路屬性秘。電路屬性之例子係身為時間Ζ 〔、電流、雜訊分析、失真度分析、以及靈敏度分析。藉著對 應的電路屬性更新適當的模擬資料庫案例47〇。 9 、 圖9Α在本發明之一實施例中原位利用基於輪廓的模 3作步^流程表。城量裝置_離開晶圓之測試光拇之㈣ 確定廊的ί擬資料庫中之最佳匹配的信號案例61^ 640。製程㈣Ιϊ ίί f ί 庫來之所要求的資訊 /或電路屬示域、輪廓浦、製造屬性、元件屬性、及 量裝=言產ί戶 巧 選定模擬轉之最佳案例射光+f， 所要求的資訊包含關聯於互連線元件模^之麟。 f莫擬資料庫而來的對應於測試光柵之輪廓；料之if ί。I1示 值、與電感值資訊。 傅心卿貝抖之包谷值、電阻 資料實於輪廓的模擬 於輪廓的模擬資料庫有效化700。讲丄旬所給的貧料對於基 合詢問類型與查詢所給的資料之宰==於擬資料庫中符 問類型係微影模擬之製程控制炎^=3〇。_而言，詢 光、卿溫度、光阻/度影製程之焦點、曝 詢問類輸恤糊^ 18 1273457 資訊得包括電容值與其他元件屬性。另 廓資料且查詢所給的資料係由用於電路之套=§旬問係通孔之輪 電流所組成，則所顯示的資料得包括 ^間函數之電壓與 解熟悉此項技藝之人士可規劃眾多不同Z $門y輪廓之CD。請瞭 資料之各種叙合，以獲得從基於輪模與查詢所給的 . 資訊。 ⑽心枓庫所顯示的正確 - _顯示在本發明之—實施例中基於Μ _α 擬貧料庫格式。資料庫格式_包括信雜η*，貧料庫之模 擬資料區段804，其包含模擬類型805程料803、與模 8〇7、以及製造、元件、及戦路細輪入參數 與對應的輪廓資料803而言，得有若個、、&疋的信號801 參數或輸入參數807、與製造、元件及/4電m〇5、製程控制 區獅4。模擬類型8〇5包括製程模擬、性=之模擬資料 合的製造舆元件模擬、組合的元件、電路拉擬、組 元件、與電路顯。製程二=、^合的製造、 化、CMP、擴散”冗積與爛、、佈植、氧 製程模擬、外加前述製程之各種组合製程、3維 模擬。電路模擬之例子包括，其他元件 他電路模擬。 〜彳〇就仏唬正王度、雜訊、與其 擬資&庫格式之^連^^擬^組合的製程與元件模擬之模 成使_®絲狀絲度量7號係表示 一模擬資料區段，发♦關城私貝枓之代表數值。此例子具有 容值、職值、與電_輪^气料且元件屬性係電 兩個相鏈結的模擬而來的次[子2代表一核擬貧料庫案例’儲存徙 影與韻刻製至互猶元件模擬之微 士瞭解依循前二子戶 牛模擬之輸入。熟悉此項技藝之人 J千所闡述的相同概念與原則，製程、元件、與 19 1273457 電路模擬之曰各種組合將導致模擬資料區段之對應的組合。 ，11A頭示光學度量CD與從遮罩CD來的電間之差里 係由—光學度量裝置例如橢圓偏光計或反射計所 頂都^之^界尺寸。CD遮罩係設計於遮罩中的臨界尺寸例如構 CDt係基於電性性質之構造之臨界尺寸，且係由基 =阻S : R所導出’其* V係電廢、1係電流、且^f系電阻值。 包!1值尺荨於黾阻係數ρ乘以長度[再除以面積A: p*L/A= P*L/H*CD 電 資料闡釋了前述各種實施例中之基於輪廓^#庫2 且右輪廓監視製程比僅CD監視或無輪廊監視的製程 二少的底部〇)與物件侧壁角。使用指數加權移動平均^ 二ΪΓί?動平均擾動產生器所獲得的經驗的資料指示: ，在政純㈣底部CD之全輪脸制821她於僅 j制823提供了底部CD之最小變動於上方圖表。類“; Z中基於經驗的資料指示出在微影模擬 之 ==Γ=833或無控制831提供了側壁角之 犬員似於圖11A，此等基於經驗的資料之圖裘 之基於輪廓的模擬資料庫之實祕。〜、⑨& «貫施例中 $原則可應〇：製程步驟、元件 之本I = 本發明之前述實施例僅作為舉例與轉綱之用，無意限制 20 1273457 =明至賴日㈣特定赋。尤其，本文所·之本發明之功能 也由Ϊ?、軟體，體、及/或其他可得的功能性構 件或建構區塊加以實現。 在前述教室之光照下可進行其他變化例與實 【圖示之簡單說明】 圖1顯示資料從1C敦程控制流動至各種製造領域且從造 項域回饋至1C製程控制之先前技藝架構圖。 口、 触著f際微影製程倾層狀物件輪廓與典型上產生於 被衫杈擬器中之物件輪廓之先前技藝架構圖。、 互連與侧製程步驟之互連線剖面與產生於 之典型的互連線顯之先顧藝架構圖。

Lir使Γίϊ度量系統以-定週期構造之輪廓之架構圖。 料庫之架ϋ。本务明之—實施例中使用元件模擬器產生模擬資 構圖 圖5Β顯示在本發明之—實_巾產生互連、賴擬資料庫之架 輪 廓的實施射制製賴擬器產生基於 基於例中使用製造與元件模擬器產生 路楔之—實施例中使甩製程製造、元件、盘電 吴|^生_基於輪廓的模擬資料庫之架構圖。 ^ 庫之i構ί Γ在本發明之—實施例中詢問與即時地使用模擬資料 製造ϊίίιίυ明之—實施例巾原錢職擬麵庫於各種 21 1273457 輪廉_縣觸產生基於 mxM^mrn 庫之之—糊巾細峨糊_擬資料 庫之實施例中線上詢問基於輪廓的模擬資料 料庫不在本發明之—實施例巾基於輪廓賴擬資料庫之資 圖11A，示電CD與遮罩CD之光學度量CD與差異㈣之關聯。 、圖11B威示全輪扉監視製程之底部CD與物件侧壁角比CDK： 視或無輪廓監視更少變動。 | 元件符號說明·· 21 1C製造目標 23 1C製程控制 24製造計畫 25薄膜製程、沉積、或化學機械拋光 26 1C製程 27微影 29蝕刻 31佈植 32設計與總體製造回饋 33, 35 光阻剝除 34製_回饋 37熱製程 39 1C測試和封裝 40光學度量系統 22 1273457 41度量信號源 43度量信號 47晶圓 49反射信號 50寬度 51度量信號接收器 53作為標靶的週期構造 55度量平台 57反射信號資料 59度量輪廓系統 61自旋塗佈 63軟式烘烤 65曝光 67曝光後烘烤 69顯影 71實際的構造輪廓 73微影模擬器 75設計的構造輪廓 81 互連線設計 83製造 85 測試 87所製成的互連線剖面 91 設計的互連線剖面 100基於輪廓的模擬資料庫之產生 101製程設計器 103 測試光棚遮罩設計器 105 1C製造器 107度量裝置 109輪廓應用伺服器 1273457 110輪廓數據庫 111模擬資料庫產生器 113元件模擬器 115模擬資料器 120基於輪廓的互連線模擬資料庫 121 製程設計器 123 測試光拇遮罩設計 125 1C製造器 127度量裝置 129輪廓應用伺服器 130基於輪廓的模擬資料庫之產生 鲁 131模擬資料庫產生器 132製程控制參數 133互連線模擬器 134製造屬性 135模擬資料庫 136 元件屬性 137度量模擬器 138 電路屬性 139模擬資料庫產生器 140基於輪廓的模擬資料庫之產生 * 141電路模擬器 142計算的繞射信號 149模擬資料庫 150基於輪廓的模擬資料庫之產生 201詢問元件 203詢問 205回應 207模擬資料庫伺服器 24 1273457 209 詢問 211 即時查詢元件 213 回應 215 取模擬資料庫 225 薄膜、沉積、或CMP 227 微影 229 蝕刻 231 佈植 233 蝕刻後PR剝除 235 佈植後PR剝除 237 熱製程 250 資料庫伺服器 255 模擬資料庫 800 模擬貧料貨料庫格式 801 信號 803 輪廓資料 804 模擬資料區段 805 模擬類型 807 製程控制參數或輸入參數 809 製造、元件、及/或電路屬性 821 全輪廓控制 823 無控制 825 CD控制 831 無控制 833 CD控制 . 835 全輪廓控制

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Claims (1)

1273457 申請專利範圍： 1. -種基於輪廣的模擬資料庫之產生方法 興 用一個或多個模擬，該方法包含： 、知體电路，利 模擬組製程控制參數模擬-個或多個製程，該製程 ，著一度量模擬器產生計算的信號，該度量模 衣&屬性而來的輪廓資料，該輪廓資料包含從該一用2邊 模擬所導致的構造之輪_狀與臨界尺寸.4夕個‘程 產生模擬資料庫案例，該案例包括輪肺料 W、模擬類型、及關聯的製程控制參 ^應W开的 其中該模擬類型係所進行的該一個或多特徵。 中ίΐ擬 輪生方法，其 使用選出的-第二組製程控制參數來模擬微影製程。 3中^申請專利範圍幻項之基於輪廊的 中議模擬一個或多個製程包含： 與群〈產生方法，其 ί程控制參數來模擬-微影製程;以及 使用遥出的# 一組製程控制參數來模擬一_製程。 中之申凊專利$爾第1項之基於輪廓的模擬資庫之產 中讀模擬一個或多個製程包含： 、w早〈座生方法，其 ^ f 使用選出的-第二組製程控制參數來模擬一佈植製程。 5·如申請專利範圍第i項之基於輪廓的_資料庫之產生方法，其 26 1273457 中該模擬一個或多個製程 使用選出的一第一細制^ · 使_的-第二組製;====:4及 数不杈极一光阻剝除製程。 7· -種基讀廓的模擬資料 用一個或多個模擬，該方法包人· 法，用於一積體電路，利 擬產 元件之輪廓資料； 子應於该一個或多個模擬的 藉著一度量模擬器產生計管 ^ 信號 的 其中該模擬類型係所進行的該· 8中；庫之產生方法，其 廊^料包括該一個或多個模擬 =5:輪廓數據庫，輪 於該-個或多個模擬的元件之；=4度量模_使用野應 產生模擬資料庫案例，兮崇 '二乂及 、模擬類型、製程控制ί數、料與對應的計算 ‘個或多個模擬之特徵 _基於輪廓的模擬資料零之產生方法 9· 用一個或多個模擬，該方法包含:—一广’用於一積猶電寒，利 使用選出的一組輸入參數來模擬一個個帝政一币 具有-個或多個元件，該電路模擬產生電路私’电路係 包括對應於該模擬的—個或多個電路，，，該讀入參數 冤路之該_個或多個元件的輪 27 1273457 資料； 藉著一度量模擬器產峰蚪瞀 於該模擬的-個或多個電路3二吕f丄該度_擬器使用對應 及 ^固或夕個元件的輪摩資料；以 產生模擬資料庫案例，誃宏 々 模擬類型、製程控制參數、G路=计异的信號、輪廓資料、 其中該模擬類型係所進^該一個或多個模擬之特徵。 其中該生方法， B曰 放大器、開關、二極體、或電Ώ…，、j、、i包阻、电各、電感、 11· 一種基於輪廓的模擬資料廑 用-個或多麵擬，該方法包^ 法H絲電路，利 產生以以ϊ;該度量模擬器使用從該 個製致的構造:二^ 個或;:ί;ί; 多個模擬的製程所產生的輪廓資料來模擬一 參數與元件屬性；儿就_擬類型、與關聯的製程控制 其中输擬麵係輯行賴—。 28 12 1273457 用於一積體電路，該 13. —種基於輪廓的模擬資料庫之產生方法， 方法包含： / 使用選出的-組輸入參數來模擬—個個 件屬性，該組輸人參數包括該—個或多個模擬的 個或ΪΞ模的信號1度量模擬器使用該-使用從該-個或多個元件模擬 擬貝料庫案例，該案例包括輪廓資料盥對庫的士十瞀的 W、_類型與關聯的輸入參數 “ j j^的 其中該模擬類型係所進行的該一個二= κ如申請專利範圍第13項之基於 ；；擬其中該一個或多個元件模擬包括1源元生互 1 線 二·如，專利範圍第13項之基於輪廓的模擬資料 J，中該一個或多個電路模擬包括—傳輪線模擬與一放大方器模 姆L補電路，利 讓製 程模製程控制參數來模擬-個樣 藉著一度量模擬器產生計算的信號，嗜旦 產生的製造屬性而來的輪_料，該輪姑使用從該 個製程模麵導_構造之輪細彡狀與^尺=辦一個或多 29 1273457 個或多個元件：倾夕個她_轉產生的輪廓:#料來模擬-產生模擬資料庫案例，二：ft电路屬性’以及 其令該模擬類型係所進行的該一個或多個模擬之特徵。 、L7.，f第16項之基於制峨歸卿之產生方 輸線模擬。泉她’且該一個或多個電路模擬包括-傳 ，用於一積體電路，該 —種基於輪廓的模擬資料庫之產生方法 方法包含·· 藉著-度量裝置測量—個或多個測試光 係用巧型化-積體電路設計及/或製程之:，中為“式光栅 藉著該度量裝置產生所測得的信號； 轉換該測得的錢賴應於制得_試光栅之 使用該轉換輪廓資料作為—組輸人參數來模擬_多個元 件’該元件模擬產生元件屬性；以及 一 對應的所測得 之特徵。 產生模擬資料庫案例，該案例包括輪廓資料、 的信號、模擬類型、與關聯的元件屬性; 其中該模擬類型·緣進行的該一個或多個模擬 19.如申請專利範圍第18項之基於輪廓的模擬資料庫之產生方 法，其中轉換該測得的信號成製程控制參數更包含·· 比較離開該測試光栅之該測得的信號與計算的信號之一數 30 1273457 庫之案例，計算的信號之該數據庫之該案例具有包含計算的传 與輪廓資料之資料元素； # 選擇該計异的^號之數據庫中對應的最佳匹配案例；以及 從該計算的信號之數據庫之該選出的最佳匹配案例存取輪产 資料。 20·如申請專利範圍第18項之基於輪廓的模擬資料庫之產生方 法，其中該一個或多個元件模擬係互連線模擬。 21 ·如申請專利範圍第18項之基於輪廓的模擬資料庫之產生 法，其中測量該測試光柵更包含： 設計該測試光栅以獲得該積體電路之互連線幾何· 製造該設計的測試光柵；以及 / ^ ’ 藉著该度置裝置測量該製造的測試光栅。 22. 如申請專利範圍第18項之基於輪廓的模擬資之 Ϊ位其該互連線之電阻值、電感值、電‘、 电位、溫度、與電流密度分布。 ％令限 23. —種即時使用模擬資料庫之方法，該方法包含. 度量裝置測量—光栅，該 -，幾何，該測量產生一測得的信號义化積體電路之 或熱^=胁_該光栅之朗得的錢之互親m性質及/ «晴紅綠，編 質更包含：栅松触奴互連線電性性質及/或熱性 案例具有包含信號 存取-模擬資料庫，該模擬的麟庫儲存 1273457 質及/或熱 g件屬性之資料騎，該元件雜包括互連線電性性 比較该測得的信號與該模擬資 ^^ 性性顯的㈣权該最触轉_該互連線電 25·如申請專利範圍第a項之即時使用模 互連線電性性質包括電容值、電感值、與電阻 1 庫之方法’其中讀 2用6一^^!=^庫之魅方法，用於―_路1 的信^用以^里換擬以异對應於該組構造輪廓資料之一組模錢 含私模擬隸庫之案例，賴擬資料庫之每-糊且有3 的製程控制參數與製造屬^貝枓讀、拉擬類型、及_ 其中该模擬類型係所進行的該模擬之特徵。 % =^申請專利範圍第26項之基於輪廓賴擬資料庫之產 / ’，、中該製程模擬係一微影模擬。 ^ ^申請專利範圍第26項之基於輪廓的壤擬資料庫之產應 去’其中該製程模擬係一組合的微影與刻模擬。 犮 ^如申凊專利範圍第26項之基於輪廓的模擬資料庫之 /其中該製程模擬係-佈植模擬、擴散模擬、氧化模擬、沉積 32 1273457 與蝕刻模擬、化學機械拋域擬、沉 模擬、或3維製程模擬。 一、更落机佈板擬、2維製程 30.如申請專利範圍第26項之基於輪廓的 法，其中該度量模擬器係-光學度量模擬=貝料庫之產生方 3夺1統一包t產生姆胸_懈编，⑽1體電路’該 一輪廓應用伺服器，建構成用以· 比較離開一晶圓中之_測讀、 算的信號數據庫之案例中的計瞀的^ ^測得的信號與一計 計算的信號與輪廓資料之Ϊ料且该數據庫案例儲存包含 選擇计异的信號之該數彳盡座；曰 -製程模擬n，建構成=據庫之—取佳匹配案例； 模擬一個或多個製程，並且 庫之該最性S輪廊資料關聯於計算的信號之該_ 一模擬資料庫產生器，建構成用以： 產生一模擬資料座夕& 包含該輪廓資料、關聯的測得。:料庫案例儲存有 造屬性之資料元素； “虎_類型、與該 關聯的製 其中該模擬類鶴輯行__個或多個製程模擬之特微。、 產生基於輪軸极資料庫之系統，用於—積體觀，該 -輪廓應用伺服器’建構成用以： ，’ 算的信號栅的信號與一計 含輪廓資料與關聯的計算的信號之資“^，=案例儲存有包 33 1273457 一元=算:^據庫之-最佳匹配案例； 拉擬一個或多個元件，並且 輪廓資料信號之數據庫之該最佳匹配案例的 一模擬資料庫產生器，建構成用以： 包各该45模:ϋ庫之—案例，該模擬資料庫案例儲存有 其中該模擬類型係所進行的該一個或多個元件模擬之特徵。 ί統產生基於輪軸擬資料庫之系統’胁―積體電路，該 一輪廓應用伺服器，建構成用以： 一比較離開-晶圓中之—測試光栅之—測得 數據庫之案例中之計算的信號，該數據庫案;^云有ί 3輪廓貧料與關聯的計算的信號之資料元素，並且〃 有匕 一選擇該計算的信號之數據庫之-最佳匹配案例； 一元件模擬器，建構成用以： ”， 模擬一個或多個電路，並且 料產生電聯:;計算的信號數據庫之該最佳案例的輪廊資 一模擬資料庫產生器，建構成用以： —人產生一模擬資料庫之一案例，該模擬資料庫幸你1啟六士 其中該模擬類型係所進行的該一個或多個電路模擬之特徵。 34. -種產生基於輪廓的模擬資料庫之系統，用於—積體電路，該 34 1273457 系統包含： —製程模擬器，建構成用以： 製程模擬^==個=使用一選出的組製程控制參數，該 屬 製造屬性包括構造輪廓資料； 度=模擬器，建構成用以： 丨貝丁才 從该製程模擬器接收該構造輪廓資料，並且 具有-重柵產生計_度量信號，該模擬的光柵 -槿s二ίΐ，？目同於所接收的該構造輪靡資料； 、缺貝料庫產生為，建構成用以： 其中該模擬類型係所進行的該一個或多個製程模擬之特徵。 ΐ統產生基於輪廓的模擬#料庫之系統，用於—碰電路，該 —製程模擬器，建構成用以： 製程模擬吏用—選出的組製程控制參數’該 狂衩Μ產生衣造屬性，該產生的製造屬性包 —度量模擬器，建構朗以：自k括構&輪廊貧料； 從該製程模擬器接收該構造輪廓資料，並且 使用-模擬的光柵產生計算的度量信號，該模 ，、有-重複構造’其輪廓資料_於所無 ϋ柵 —元件模擬器，建構成用以： 队糾貝抖’ 個元择:;使用從該產生的製造屬性來的該輪廓資料模擬_或多 一模擬資料庫產生器，建構成用以： 勺八外產生—模擬f料庫之案例，每-模擬資料庫案例儲在古 W該輪廓貧料、關聯的測得的信號、模擬類型、及關聯的2 35 1273457 才工制參數、製造屬性、與元件屬性之資料元素. 之 特徵其中該模擬類型係所進行的該—個或多個製造或元件模擬 36. 糸統包含 種產生基於輪廓的模擬資料庫之系統， 用於一積體電路，該 一製$模擬器，建構成用以·· 模擬一個或多個製程使用一選出 衣程模J產生製造屬性，«生的製造屬性包^=，，該 一度量模擬器，建構成用以： 匕括構&輪廓資料； 從該製^模擬器接收該構造輪廓資料 產生汁异的離開模擬的光栅之度” 具有—重複構造，其輪廓資料相同於所接雜擬的光栅 資料； 所触的_•應的構造輪廓 一元件模擬器，建構成用以： 個元件，資料模擬-個或多 一電路模擬器，建構成用以： 輸入參數==個屬性作為 路屬性； 或夕個甩路模擬產生電 一模擬資料庫產生器，建構成用以·· 麵麵崎_—轉或電 37· -種產生基於輪廓的模姆料庫之系統，用於一積體電路，該 36 1273457 系統包含： 一度量模擬器，建構成用以·· 一一 f生計算的度量信號使用輸人輪廊資料； 一兀件模擬器，建構成用以： 模擬一個或多個元件使用該輪 個元件模擬產生元件屬性； 輪廓貝枓，该一個或多 一電路模擬器，建構成用以： 輸入參數而模擬-個Ξίΐΐί件牛屬性作為 路屬性； 錄^個或多個電路模擬產生電 -模擬資料庫產生器、，建構成用以： 資料亓去—模擬資料庫之案例，每—模擬資料庫荦例儲广古 f兀素包含該輪廓資料、_ 存有 聯的元件屬性與電路屬性； 行扪L就杈Μ類型、及關 特徵其中該模擬類型係所進行的該—個或多航件或電路模擬之 3該8系基於輪廓械«訊之祕，驗-積體電路， 一查詢元件，建構成用以： 與查詢所S資聽^旬且包含用於基於輪廓的模擬資料之詢問類型 接收對於該查詢之一回應； —模擬資«庫伺旱器，建構i甩以: 以及 」處理養_旖輿規劃該查詢之_回應 一模擬資料庫，建構成用以: 造·轉、佩、嫩娜數、及製 料庫伺服器係存取 其中從该查詢元件接收一查詢之該模擬資 37 1273457 該模擬資料庫之選擇的宏办丨 由該詢問類型與查詢所：的資^ 擬資料庫之案例的選擇係 且傳送該E7應至該查詢^件。、”、確定、規劃該查詢之該回應、 量系統所產生之-測得的且該查詢所給的資料係由該度 :二====廓的模擬資訊之系 41 統’其中該查詢所給的資料卿^^基^輪廓的模擬資訊之系 出的案例來的側壁角與頂部臨$尺寸^從該模擬資料庫之該選 42·如申請專利範圍第38項之即 統，其中該查詢元件、該模擬資料σ1 土?輪廓的J莫擬資訊之系 包含於一邏輯元件中。 、λ庫、舁该模擬資料庫伺服器係 43·如申請專利範圍第42項之即 統，其中該邏輯元件係柄合至，於輪廓的模擬資訊之系 I個或多個積體電蜂製程元件。 44·如申讀專利範圍第43項之即 人 統，其中該積體電路製程元件係輪廓的模擬資訊之系 45·如申請專利範圍第43項之g: P時詢問基於麵的模擬資訊之系 1273457 統’其中該積體電路餘元件係—光阻剝除單 46· 一種電腦可讀取儲存媒髀， 一積體電路之基於輪廓的模擬:/上電腦二執行碼’為了提供有關 腦操作如下： 軸^#的-_之—回應，指示該電 從一查詢元件接收一查詢， 給的資料； ~ ^查珣包§一詢問類型與查詢所 存取一模擬資料庫之撰φ 詢問類型與該查詢所給的;多個案例，該選擇係由該 =22;^^条該查詢元件； 信號、與製程控制參數之資料元^^^輪_料、製造屬性、 47. -種電腦可讀取儲存媒體，含有 〜 -積體電路之-基於輪庸的模擬 為了產生用於 使用製程控制參數來進行一製丄^，曰2電月，操作如下： 屬性與構造輪廓資料； 、 ^‘程模擬產生製造 使用-度量模擬器來計算用於該 號；以及 k輪廍貝料之一模擬的信 產生-模擬資料庫之一案例，該模 含該構造輪廓資料、該關聯的製造屬性、庫之該案例具有包 程控制參數之資料元素。 邊接擬的信號、與該製 電月囟可碩取儲存嫖體，含有電腦可執行 邊路之一基於輪廓的模擬資料庫，私“2 ’為了產生用於 使用一選出的組輸入參數來模擬一不該電腦操作如下： 48. 一積體電路之一基於輪廓的模擬資料庫，扣一J 使用一選出的組輸入參數來模擬一個』.，一 · 擬產生元件屬性，該組輸入參數包括對^二*元件，該元彳牛模 元件之輪廓資料； …一個或多個模擬的 ’該度量模擬器使用對應 藉著一度量模擬器產生計算的信號 39 1273457 於該一個或多個模擬的元件之輪靡資料.、 產生模擬資料庫案例’該案例包括3及 枓、，擬類型、製程控制參數 屬1的度量信號 其中該模擬類型係所進行的該#貝 個或多個模擬之特徵。 49. 一種電腦可讀取儲存媒體，含 一積於輪廓的模M資料7指^^了產生用於 使用-選出的組輪入參數來模擬才曰腦操作如下: 或多個元件’該電路 —電路係 =應於該模擬的-個或多個電路之==¾ 藉著-度量模擬ϋ產生計算的 Γ模擬的一個或多個電路之該多個 料、參;案 其中該模擬類型係所進行的該:個;多個模擬之特徵。 庫，:於，積方且應用-基於輪廓的模擬資料 以及 旱之錢製程、與㈣之使用給付該賣方； 資料ίί^ίί顧ί關，以產生且鋼—基於輪廓的模擬 素之案例。又衣私控制參數、與製造屬性之資_元 51. -種基於輪廓的模擬資料庫，用於一積體電路，該資料庫包含: 1273457 一模擬資料庫之一個或多個案例，該模擬資料庫之每一案例 包括輪廉資料、關聯的度量信號、與一個或多個模擬資料區段； 其中該度量信號係對應於具有以該輪廓資料作為特徵的一輪 廓之一積體電路構造； 其中每一資料區段包括模擬類型、關聯的製程控制參數或關 如的模擬輸入參數、與關聯的模擬屬性；且 其中該關聯的模擬屬性包含由使用該製程控制參數或該關聯 的模擬輪入參數之該模擬所確定的資料。 剌/数a 52.如申請專利範圍第51項之基於輪 欠^ 屬性係製程屬性、元件屬性、的減貝抖庫，其中雜械 定。 兔路屬性，取決於該模擬類槊而 十一、圖式：