TWI252493B - AC sensing for a resistive memory - Google Patents

Description

1252493 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電阻性記憶體裝置，且更特定言之 於用於可程式化接觸隨機存取記憶體（p c r A M )裝 /感測電路。 #取 【先前技術】 積體電路設計者-直在尋求理想的半導體記憶n 可隨機存取、可被極迅速地讀取及寫人、非揮發師可益 限次地改變且消耗很少功率之裝置。可程式化接觸隨機； 取3己k體(PCRAM)技術已曰益被認為提供了所有 點。 ^ 數位記憶體廣泛用於電腦、電腦“組件及電腦處理系 統中1阻性記憶體基於記憶體元件或單元之電阻以如％” 與”1”之二進位數位或位元之形式儲存數位資訊。電阻性記 憶體裝置被組態成陣列’其中—電阻性元件或單元位於一 列線（字線）與—行線（數位線或位元線）之交又點。為了讀取 或感測記憶體單元之狀態，有必要首先藉由選擇交叉於所 要記憶體元件處之行線與列線來選擇所要記憶體單元。一 旦^記憶體元件被隔離，則接著藉由將—讀取電壓施加 /單元來„貝取所選擇之e憶體單S，則貞測該記憶體單 元之電阻並藉此判定該記憶體單元之邏輯狀態。 對於二進位邏輯狀態之感測，無需知道記憶體單元之電 G對里值，僅需知道記憶體單元之電阻是高於還是低 於邏輯-與邏輯零電阻值之間的臨限值。雖然如此，但是 96677.doc 1252493 f CRAM記憶體㈣之邏輯狀態係困難的，因為·αμ t置之技術強加了多重約束。 【發明内容】 本發明提供了使用交流（AC)來讀取電阻性記憶體元件之 狀態的實施例。以AC讀取電阻性記憶體元件之狀態避免了 過程式化或擦除記憶體元件。 【實施方式】 基於回應一程式化（寫入或擦除）電壓或電流之材料之電 阻變化的記憶體位元對非揮發性記憶體具有大量的期望。 某些該等電阻性記憶體位S(mbits)展示了在若@重複施加 小電流以感測/讀取裝置而被重複讀取時之生存能力 (很bimy)的變化。由於其失去生存能力，因而記憶體位元 未如此容易地被程式化或擦除並甚至可保持在一邏輯狀 態。 電阻性記憶體位元可作電阻器之模型。在一習知的直流 (DC)項取/感測電路中，將電流施加至記憶體位元且量測電 壓’或將電壓施加至記憶體位元且量測電流。 圖1顯不PCRAM裝置之一部分，該裝置包括一排列在行 線（位兀線/數位線）2〇a-2〇d與列線（字線）15a_15d之交叉點 處之電阻性記憶體單元（記憶體位元）陣列9。此外，陣列9 包括分別與位元線20a、20b、20c及20d成對之單元板線 22a 、 22b 、 22c及22d 。 圖中顯示了兩例示性記憶體單元1〇a與1〇b。記憶體單元 l〇a藉由列線15b與數位線20b及單元板線22b而定址。記憶 96677.doc 1252493 體單元l〇b藉由列線15c與線20b而定址。記憶體單元丨如與 1 Ob各包括在數位線20b與單元板線22b之間串聯連接之一 存取電晶體25與一可程式化電阻元件3〇。數位線2此與單元 板線22b同樣地連接至陣列9中同一行中之所有單元。在下 文論述中，參考例示性記憶體單元1〇a描述本發明之例示性 貫施例。 根據本發明之一例示性實施例，位元線2〇a、2扑、及 20d各連接至一個別AC感測電路35，且可如圖2八及2^或藉 由其他適當的組件被實施。若須要，則可將陣列9與周邊電 路整合於單一積體電路中。 圖2A以簡化方塊圖形式顯示了 AC感測電路35連同記憶 體裝置8之其他組件之例示性實施例。AC感測電路35包括 切換電路110及比較電路115。記憶體裝置8亦包括一藉由字 線15b耦合至記憶體元件1〇a並進一步耦合至切換電路丨⑺ 之時脈/控制電路105。記憶體單元1〇a亦藉由位元線2〇b與 單元板線22b耦合至切換電路11〇。 日τ脈/控制電路1〇5接收一源時脈訊號12〇並將一單元板 计數Λ號13 5及一位元計數訊號130提供至切換電路丨丨〇。時 脈/控制電路1〇5亦將一訊號提供至字線i5b上。 記憶體單元l〇a及同一列中之其他單元接收字線15b上之 訊號。各列之字線上的訊號作為控制訊號運行以控制何時 執行對列中之所有單元的感測操作。一列之字線上之高脈 衝開啓各單元之電晶體25，提供了一通過電阻元件3〇之傳 導路彳雙。 96677.doc 1252493 回應訊號130與135，切換電路110藉由兩訊號線122將兩 訊號提供至比較電路115。在任何時間點，其中在線路125 上對訊號間進行比較，一訊號線122處於供應電壓Vce，且 另一訊號線處於一取決於電阻元件3 0之電壓。通過電阻元 件30之訊號在讀取操作期間交替極性。 圖2B顯示了圖2 A中所示之組件之更詳細的例示性實施 例。所說明之切換電路110包括分別由訊號135、130所控制 之PMOS電晶體45、50。單元板線22b與位元線20b各藉由個 別電晶體45、50而耦合至供應電壓Vcc。 時脈/控制電路105包括單元板計數器60、位元計數器 65、互斥或（XOR)閘極80及兩個反相器70、75。一源時脈訊 號被供應至單元板計數器60與位元線計數器65。單元板計 數器60將其輸出提供至反相器70與XOR閘極80。位元線計 數器65同樣地將其輸出提供至反相器75與XOR閘極80。 XOR閘極80接著調變字線15b上之訊號，以在電晶體25被開 啓時進行控制。反相器70與75分別提供訊號135與130。 比較電路115包括反相器85、CMOS多工器90、95與切換 電容器感測放大器100。來自反相器70之訊號135被施加至 電晶體45之閘極及反相器85。來自反相器70之訊號135亦作 為控制訊號被施加至各CMOS多工器90、95，如同反相器85 之輸出。來自反相器75之輸出被施加至電晶體50之閘極。 當由訊號135變低而開啓時，電晶體45將單元板線22b拉至 Vcc ;當由訊號130變低而開啓時，電晶體50將位元線20b拉 至 Vcc。 96677.doc 1252493 線122將位元線20b與單元板線22b連接至CMOS多工器 90、95兩者。CMOS多工器90、95可為習知的四個電晶體多 工器’各多工器具有五個端子（兩輸入端子、兩控制端子及 一輸出端子）。CMOS多工器90、95基於訊號135之輸出與反 相器75，自線122各選擇一輸入作為其輸出。當訊號135低 時，CMOS多工器（MUX)95提供來自位元線20b之訊號，而 MUX 90提供來自電晶體45之Vcc ;當訊號135高時，MUX 90 提供來自電晶體50之Vcc，且MUX 95提供來自單元板22b之 訊號。結果，MUX 95總是提供來自記憶體單元10a之感測 訊號，而MUX90總是提供作為參考電壓之Vcc。 CMOS多工器90、95之輸出被施加至切換電容器感測放大 器100。切換電容器感測放大器100係一電流輸入放大器， 其應測其端子處之小量正或負電流且將該電流與一臨限值 進行比較。設定該臨限值，使得切換電容器感測放大器100 之輸出對應於一連接至位元線20b與單元板線22b之特定記 憶體單元（如記憶體單元10a)之邏輯狀態。每行或位元線存 在一切換電容器感測放大器100，但在字線之控制下每次僅 讀取一單元列。 圖2A與2B僅描繪單一單元。記憶體裝置具有以列與行排 列之複數個記憶體元件。本發明之電路意欲被調整以適用 於一記憶體裝置。當被調整以配合一記憶體裝置使用時， 單一控制電路用於具有額外選擇邏輯與存取裝置（未圖示）之 各行。即，XOR閘極係一由字線解碼電路所啓用之”啓用π XOR閘極。多個計數器有利地在列方向堆疊，其中每行一 96677.doc 1252493 組計數器或每晶片一組計數器。同樣地，每行一比較電路 將會是有利的。切換電路將有利地具有供記憶體裝置使用 之額外多工器。 圖3係來自圖2B中電路1〇5之訊號的時序圖。電晶體乃在 字線15b上之訊號變高時開啓。在字線15b變高之第一情況 下’單元板計數訊號135高且位元計數訊號130低。在字線 15b變高之下一情況下，單元板計數訊號135低且位元計數 訊號130高。讀取循環因此在電流通過電阻3〇之方向交替。 然而’比較電路115在切換電容器感測放大器ι〇〇提供輸出 位元之前有效地調整交流。應瞭解，位元計數訊號與單元 板汁數訊號之間的關係為6:2或3:1，且單元板計數訊號135 之每對轉變（上升與下降邊緣）存在位元計數訊號13〇之四個 時脈轉變（上升與下降邊緣）。即，單元板計數訊號135係除 以6之（輸入）時脈訊號，且位元計數訊號13〇係除以2之時脈 訊號。 XOR閘極80(圖2B)保證了字線訊號15b上之訊號在單元 板計數訊號135高且位元計數訊號13〇低時或在單元板計數 訊號135低且位元計數訊號13〇高時為高。當訊號ι35低且字 線15b南時’電流自電晶體45通過電阻性元件3〇與cmos多 工裔95而流動至切換電容器感測放大器丨〇〇。當訊號丨3〇低 且字線15b高時，電流自電晶體5〇通過電阻性元件3〇與 CMOS多工器90而流動至切換電容器感測放大器1〇〇。 採用對電阻性記憶體單元之Ac感測的優點之一係延長 了記憶體裝置之記憶體單元之生存能力。以AC讀取記憶體 96677.doc -10- 1252493 元件/單元之狀態避免了 件。 過程式化或部分地擦 除記憶體元 本發明已使用PMOS電晶體而得以描 ΧΤΛ 〜 亦可传用 NMOS電晶體而得以實施。_制 义巾 唬被桮述為時脈訊號 兀板線和位元線與該等時脈訊號相互 ，、3 疋關係。該等 控制訊號可具有任何其他形式或關係 计认、客 > 要其如此處所描 ) 行以控制§己憶體單元且閘控切換電路中之電曰體 只要實施了需要之功能性，則可藉由移動至另一之個 別組件來實施本發明之控制電路、切換電路與比較電路。 例如，可將控制電路之反相器視作切換電路之一部分。亦 可將比較電路之反相器及多工器視作切換電路之一部分。 圖4說明一例示性數位處理系統5〇〇，其組件5〇8利用一採 用上文結合圖1-3所揭示之本發明之感測電路乃的記憶體 裝置8。處理系統500包括耦合至局域匯流排5〇4之一或多個 處理器5(Η。記憶體控制器5〇2及主要匯流排橋接器5〇3亦耦 合至局域匯流排504。處理系統500可包括多個記憶體控制 态502及/或多個主要匯流排橋接器5〇3。記憶體控制器 及主要匯流排橋接器5 0 3可被整合為單一裝置5 〇 6。 土憶體控制器502亦耦合至一或多個記憶體匯流排5〇7。 各記憶體匯流排均接受記憶體組件5 〇 8，該記憶體組件包括 至少一記憶體裝置8，該記憶體裝置包括感測電路3 5。各記 憶體組件508均可係一記憶體卡或一記憶體模組。記憶體模 組之實例包括單排内嵌記憶體模組（SIMM)與雙排内嵌記 憶體模組（DIMM)。記憶體組件508可包括一或多個額外裝 96677.doc -11 - 1252493 置。α己f思體控制^§ 5 Ο 2亦可_合至—快取記憶體$ 〇 5。快取 3己fe體5 0 5可能係處理糸統中之唯一快取記恨體。或者，其 他裝置（例如處理器5Ο 1)亦可包括快取記憶體，其可與快取 記憶體505形成一快取層級（hierarchy)。若處理系統5〇〇包括 係匯流排主控器或支援直接記憶體存取（DMA)之周邊裝置 或控制器，則記憶體控制器502可實施快取一致協定。若記 fe體控制為502耦合至複數個記憶體匯流排5〇7，則可並行 地操作各記憶體匯流排507,或可將不同的位址範圍映射至 不同的記憶體匯流排507。 主要匯流排橋接器503耦合至至少一周邊匯流排5丨〇。諸 如周邊I置或額外匯流排橋接器之各種裝置可耦合至周邊 匯流排510。該等裝置可包括一儲存控制器511、一混雜ι/〇 裝置514、一次級匯流排橋接器515、一多媒體處理器518及 售版衣置介面（legacy device interface)520。主要匯流排 橋接為503亦可耦合至一或多個特定用途之高速埠522。例 如，在個人電腦中，特定用途之埠可能為加速圖形璋 (AGP)，其用於將一高效能視訊卡耦合至處理系統。 儲存控制裔5 11藉由一儲存匯流排5 12將一或多個儲存裝 置3 B至周邊匯流排5 10。例如，儲存控制器5 11可係一 3081控制器，且儲存裝置513可係3(；^1碟。1/〇裝置514可係 =何類別之周邊裝置。例如，I/O裝置514可係一區域網絡 "面例如乙太網路卡。次級匯流排橋接器可用於藉由另 一匯流排而將額外裝置介面連接至處理系統。例如，次級 ；匕排榀接為可係一通用串列璋（USB)控制器，其用於將 96677.doc 1252493 USB裝置51 7耦合至處理系統500。多媒體處理器518可係一 聲卡、一視訊俘獲卡或任何其他類型之媒體介面，其亦可 耦合至一諸如揚聲器519之額外裝置。傳統裝置介面52〇用 於將傳統裝置52 1 (例如，老式鍵盤與滑鼠）耦合至處理系統 500 〇 圖4所說明之處理系統5〇〇僅係可供本發明使用之一例示 性處理系統。儘管圖4說明一尤其適用於通用電腦（例如個 人電腦或工作臺）之處理架構，但是應認識到，可作出熟知 之修改以將處理系統500組態成變得更適用於各種應用。例 如，可使用一依賴耦合至記憶體組件5〇8之cpu 5〇1的更簡 單架構來貫施許多需要處理之電子裝置。該等電子裝置可 包括（但不限於）音訊/視訊處理器及記錄器、遊戲控制臺、 數位元電視機、有線或無線電話、導航裝置（包括基於全球 定位系統(GPS)及/或慣性導航之系統)、及數位相機及/或記 錄器。修改可包括（例^)消除不必要之組件、添加專門裝置 或電路、及/或整合複數個裝置。 (MRAM)PCRAM及其它於苴士 、於其中以不同位準感測訊號之電 路。可不脫離本發明之精神鱼 丨月外興乾田哥之情況下作出添加、刪 管本發明已根據PCRAM而得以描述，但是其 而適用於（例如）磁性電阻性隨機存取記憶體 儘管已在以上說明中描述了 解，該等實施例係本發明之例 限制性的。儘 並不限於此， 除、取代及其它修改。因此， 所限制而僅由隨附申請專利範 本發明之實施例，但是應瞭 示性實施例，且並不被視作 本發明不被視為由前述描述 圍之範疇所限制。 96677.doc 1252493 【圖式簡單說明】 圖1頌不可程式化接觸隨機存取記憶體（PCRAM)裝置之 一部分； 圖2A以簡化方塊圖形式顯示圖1之pcram裝置之AC感 測電路及其它組件； 圖2B係更詳細地顯示圖2A之組件的示意性電路圖； 圖3係圖2B之時脈/控制電路所提供之訊號的時序圖；及 圖4顯示根據本發明之例示性實施例倂入記憶體裝置之 數位處理系統。 【主要元件符號說明】 8 記憶體裝置 9 陣列 10a，10b 記憶體單元 15a-15d 列線（字線） 20a-20d 行線（位元線/數位線） 22a-22d 單元板線 25 存取電晶體 30 可程式化電阻元件/電阻性元件 35 AC感測電路 45,50 PMOS電晶體 60 單元板計數器 65 位元計數器/位元線計數器 70,75,85 反相器 80 互斥或（XOR)閘極 -14- 96677.doc 1252493 90,95 CMOS多工器 100 切換電容器感測放大器 105 時脈/控制電路 110 切換電路 115 比較電路 120 源時脈訊號 122 訊號線 130 位元計數訊號 135 單元板計數訊號 500 數位處理系統 501 處理器 502 記憶體控制器 503 主要匯流排橋接器 504 局域匯流排 506 單一裝置 507 記憶體匯流排 508 記憶體組件 510 周邊匯流排 511 儲存控制器 512 儲存匯流排 513 儲存裝置 514 混雜I/O裝置 515 次級匯流排橋接器 517 USB裝置 96677.doc -15- 1252493 518 多媒體處理器 519 揚聲器 520 傳統裝置介面 521 傳統裝置 96677.doc -16-

Claims (1)

1252493 十、申請專利範圍··

一種用於感測一記憶體單元之一 含·· 邏輯狀態之設備，其包 古一控制電路’其將-控制訊號提供至該記憶體單元， /控制λ唬控制何時感測該記憶體單元； 者母感測标作而交替極性；及 -比較電路，其接收該第一與該第二輸出訊號並輸出 一對應於該記憶體單元之該邏輯狀態之訊號。 如明求項1之設備，其中該控制電路包含： 切換電路’其接收由該控制電路所提供之一單元板 計數訊號及一位元計數訊號，該切換電路進一步接收來 自s亥記憶體單元之—單元板線訊號及-位元線訊號，該 …奐包路產生帛一輸出訊號與一第二輸出訊號，其中 :弟-輸出訊號與該第二輸出訊號中之一處於一供應電 壓’且該第一輸出訊號與該第二輸出訊號中之另一個隨 2. 一單元板計數器，其產生該單元板計數訊號； 一數位計數器，其產生該位元計數訊號；及 一互斥或（XOR)閘極，其產生該控制訊號。 3. 如睛求項2之設備，其中該控制電路包含·· 一第一反相器，其用於接收該單元板計數並產生一反 相單元板計數訊號，且將該反相單元板計數訊號施加至 該切換電路；及 第二反相器’其用於接收該位元計數訊號並產生一 反相位元計數訊號’且將該反相位元計數訊號施加至該 96677.doc 1252493 切換電路。 4.如請求項3之設備，其中該比較電路進一步包含： 一第三反相器，其用於接收該反相單元板計數訊號並 產生一反相訊號； 一第一多工器，其用於接收該反相訊號、該反相單元 板計數訊號、該第一輪出訊號及該第二輸出訊號，該第 一多工器產生一第三輪出訊號； 一第二多工器’其用於接收該反相訊號、該反相單元 板計數訊號、該第一輪出訊號及該第二輸出訊號，該第 二多工器產生一第四輸出訊號；及 一切換電容器感測放大器，其用於選擇該第一輸出訊 旎與该第二輸出訊號中之一，該第一輸出訊號與該第二 輸出訊號中之該所選擇之輸出訊號對應於該記憶體單元 之該邏輯狀態。 5·如請求項1之設備，其中該比較電路包含··一切換電容器 感測放大器，其用於選擇該第一輸出訊號與該第二輸出 訊號中之一，該第一輸出訊號與該第二輸出訊號中之該 所選擇之輸出訊號對應於該記憶體單元之該邏輯狀態。 6·如請求項1之設備，其中該切換電路包含： 一第一反相器，其用於接收該單元板計數並產生一反 相單元板計數訊號，且將該反相單元板計數訊號施加至 該切換電路； 一第一反相裔’其用於接收該位元計數訊號並產生一 反相位兀計數訊號，且將該反相位元計數訊號施加至該 96677.doc -2- 1252493 切換電路； 一第三反相器，其用於接收該反相單元板計數訊號並 產生~反相訊號； 一第一多工器，其用於接收該反相訊號、該反相單元 板计數訊號、該第一輸出訊號及該第二輸出訊號，該第 多工器產生一第三輸出訊號；及 一第二多工器，其用於接收該反相訊號、該反相單元 板汁數訊號、該第一輸出訊號及該第二輸出訊號，該第 一多工器產生一第四輸出訊號。 7· 一種電阻性記憶體單元，其包含： 一記憶體元件，其具有至少兩電阻性狀態；及 一第一連接與一第二連接，其分別連接至第一與第二 感測線，該記憶體元件串聯連接於該第一連接與該第二 連接之間’且能夠交替地自該第一感測線至該第二感測 線與自該第二感測線至該第一感測線傳導感測電流。 8.如请求項7之電阻性記憶體單元，其中該記憶體元件係一 可程式化接觸隨機存取記憶體（PcRAM)元件。 士明求項7之電阻性記憶體單元，其進一步包含一與該記 憶體元件串聯連接之控制對該記憶體元件之感測的切換 元件。 1 〇 ’種用於電阻性記憶體單元之感測電路，其包含： 第一與第二感測線，其間連接一具有至少兩電阻性記 憶體狀態之記憶體元件； 切換電路，其提供交替地自該第一感測線至該第二感 96677.doc 1252493 貝j、、泉與自該第二感測線至該第_感測線通過該記憶體元 件之感測電流；及 輪出電路，其接收該感測電流，且回應地提供一指示 該記憶體元件之一電阻狀態之輪出訊號。 11 · 一種記憶體裝置，其包含： 一記憶體單元陣列； ，、同牙過該記憶體單元陣列之單元板線；及 。用於感測該等記憶體單元中之一記憶體單元之一邏 輯狀態之設備，該設備包含： 第一與第二感測線，其間連接一且右 吃丧具有至少兩電阻性記 十思體狀態之記憶體元件； 切換電路，其提供交替地自哕 , 亥弟一感測線至該第二感 測線與自該第二感測線至該第一碭 乐玖測線通過該記憶體元 件之感測電流；及 一指示 輸出電路，其接收該感測電流，且回應地提供 該記憶體元件之一電阻狀態之輸出訊號。” 12· —種處理系統，其包含： 一處理器；及 一藉由一匯流排搞合至該處理 憶體裝置包含·· 裔之記憶體裝置 該記 一記憶體單元陣列； 陣列之單元板線；及 70中之一記憶體單元之一

一共同穿過該記憶體單元 一用於感測該等記憶體單 輯狀態之設備，該設備包含 96677.doc -4- 1252493 弟一與弟二感測線，其間連接— 具有至少兩電阻性記 fe體狀態之記憶體元件； 、切換電路，其提供交替地自該第—感測線至該第二感 測線與自該第二感測線至該第一 心 4，別線通過该記憶體元 件之感測電流；及 〜 輸出電路，其接收該咸測雷、、六 > ^ ^弘流，且回應地提供一指示 該記憶體元件之一電阻狀態之輪出訊號。 13, 一種積體電路，其包含： 一記憶體裝置，該記憶體裝置包含： 一記憶體單元陣列； 一共同穿過該記憶體單元陣列之單元板線；及 。一用於感測料記憶體單元中之—記憶體單元之一邏 輯狀態之設備，該設備包含： 第一與第二感測線，其間連接—具有至少兩電阻性記 憶體狀態之記憶體元件； 切換電路，其提供交替地自該第一感測線至該第二感 測線與自该第二感測線至該第—感測線通過該記憶體元 件之感測電流；及 輸出電路，其接收該感測電流，且回應地提供一指示 該記憶體元件之一電阻狀態之輪出訊號。 14· 一種用於感測一電阻性記憶體元件之一電阻性狀態之方 法’該方法包含： 提供交替地於一第一方向與—第二相反方向通過該記 憶體元件之感測電流；及 96677.doc 1252493 回應於該感測電流，提供一指示該記憶體元件之一電 阻狀怨之輸出訊號。 15. 16. 17. 一種用於感測一記憶體單元之一邏輯狀態之方法，該方 法包含： 自一時脈源接收一時脈訊號； 產生一單元板計數訊號； 產生一反相單元板計數訊號； 將該單元板計數訊號、該反相單元板計數訊號、一基 於该記憶體單元之一單元板線之第_訊號、一基於該記 憶體單元之一位元線之第二訊號施加至一比較電路，以 產生對應於该記憶體單元之該邏輯狀態之訊號。 如請求項1 5之方法，其進一步包含： 產生一位元計數訊號；及 產生一基於該單元板計數及該數位元計數之控制訊 號"亥控制訊號被施加至該記憶體單元以控制何時發生 感測。 如請求項16之方法，其進一步包含： 產生一反相位元計數訊號； 將该反相單元板計數訊號施加至一第一電晶體之一間 極’該第一電晶體耦合至該記憶體單元之該單元板線； 將该反相位元計數訊號施加至一第二電晶體之一閘 極 。亥第一電晶體輕合至該記憶體單元之該位元線； 產生該第一訊號；及 產生該第二訊號。 96677.doc 1252493 18. 一種處理系統，其包含： 一處理器；及 該記 其包 1由匯飢排耦合至該處理器之記丨音體|置 憶體裝置包含： 心圯u體衣置 一圮憶體單元陣列； :共同穿過該記憶體單元陣列之單元板線；及 含.：感測3己憶體單元之一邏輯狀態之設備 控制電路’其提供一控制訊號，該控制訊號控制作 吟感測該記憶體單元； ▲ -切換電路，其接收由該控制電路所提供之—單元相 計數訊號及-位元計數㈣，㈣換電路進—步接收來 自該記憶體單元之-單元板線訊號及_位元線訊號，努 切換電路產生一第一輸出訊號與一第二輸出訊號，盆中 該第-輸出訊號與該第二輸出訊號中之一處於—供應f 壓’且該第-輸出訊號與該第二輸出訊號中之另一個隨 著每一感測操作而交替極性；及 一比較電路’其接收該第一與該第二輸出訊號並輪出 一對應於該記憶體單元之該邏輯狀態之訊號。 96677.doc