TWI252066B - Method for connecting electrodes, surface-treated wiring board and adhesive film used in the method, and electrodes-connected structure - Google Patents

Method for connecting electrodes, surface-treated wiring board and adhesive film used in the method, and electrodes-connected structure Download PDF

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TWI252066B
TWI252066B TW092100466A TW92100466A TWI252066B TW I252066 B TWI252066 B TW I252066B TW 092100466 A TW092100466 A TW 092100466A TW 92100466 A TW92100466 A TW 92100466A TW I252066 B TWI252066 B TW I252066B
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Isao Tsukagoshi
Yasushi Gotou
Masami Yusa
Yasuo Miyadera
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

1252066 _ 九、發明說明: ^ 【發明所屬技術領域】 本發明係關於在搭載電子零件的線路基板上,連接其 他線路板或半導體晶片等電子零件的電極連接方法、可用 於該方法之線路板、以及適於將電極與電極進行電性、機 械式連接的黏接膜。特別係關於適於當作IC晶片與晶片搭 载基板間之黏接用、或電路相互間的連接、黏接用^黏接 膜用的連接膜、及使用該等之電極連接構造。 ' 【先前技術】 隨電子零件的小型薄型化,使用於該等之中的電路或 電極(以下稱「電極」)將高密度化、高精細化。 在該等電極之連接方面,已知右尨 中分散碳、鎮、金屬被覆塑膠等導電性 並藉由加熱加壓,而在黏接劑厚度: 公報)。 刊将開日。55-104007號 但是使用非等向導電性黏接劑時,因為含有導 ,因此必須採用相鄰電極間距離’ 粒徑的導電粒子,此外因為在—個電以下 電粒子,因此對於高密度 騎中至少需要一個導 句咭說,/ a妲曰 又门,月、之目的會有所限制。換 。活。兒,在為提昇微小電極上導 別供 徑變小,將引笋+ 广 子在之機率而將粒 若將粒徑加大,則將產生細微電極上粒二::,反之, 問題。 于存在機率降低的 3Μ264(修正版) 6 1252066 用4二亦’未含導電粒子而藉由連接時的加壓,並利 用电極面的細微凹凸而寐 έ 於電極外之連接方〒:于 將剩餘黏接劑排出 公報)。^接方4言如:日本專利特開昭60-262430號 門題=二*含導電粒子時,將無法對應電極高度不均之 問相存在多數電極連接可靠性不足之缺點。 再者,因為具有絕緣部與電極 剝落時將產生腐㈣nBi “, 孜之i極表面 削虫的問崤,因此利用螯合劑或苯并三唑等 鈀仃毛極表面的防銹處理。 < 但是,因為電極表面的防銹處理劑屬於絕緣性,因此 在電極連接之前’必須先去除洗淨後再使用,所以將導致 剛要連接前的電極需施行氧化處理或處理步驟的繁雜程 度c 有鑑於斯,本發明遂提供一種非採用習知使用的導電 粒子而可適應咼密度高精細化並可電連接的電極連接方 可應用此方法中並可執行電極表面防銹的表面處理線 路板,以及可適應兩密度高精細化、可導電連接、並可適 應電極高度不均現象的黏接膜、以及採用該等之電極連接 構造。 【發明内容】 本發明[1]乃有關電極之連接方法,係在相對向電極間 的至少其中一部份上介設感壓導電聚合物,並將二電極在 加壓下加以固定為其特徵著。 本發明[2]乃有關電極之連接方法,係在相對向電極間 3 ]4264(修正版) 7 1252066 的至少其中部伤上介設聚駄(polyphthalide),並將二電極 在加壓下加以固定為其特徵者。 本發明[3]係有關[2]所述之電極連接方法,其中,聚酞 係如式⑴所示: Λ
(I) 式(I)中係表二價芳香族烴基或二價含雜環之芳香族 基;R!絲絲、氟化絲、院氧基或ώ素;之數 至4 ; X係表〇或义尺3; '、 其中,R3係下示基:
ch3
>och3
Y係表so“ co; n係表聚合物純單位數。 本發明[4]乃關於聚 電極所構成的線路板中 上形成聚酞而成者。 酞表面處理線路板,係在由基板與 ,至少在電極部表面的其中一部份 本發明[5]乃有關[4]所述表 係如式(I)所示: 面處理線路板,其中 聚酞
(I) 式⑴中,R係表二價芳香族烴基或 基;I其s減%之芳香族 a編、氟化烷基、燒氧基或南素;r】之數係 3] 4264(修正版) 1252066 至4 ; X係表〇或; 其中’ R3係下示基:
CH,
^OCH.
Y係表S02或CO ; n係表聚合物重複單位數。 本發明[6]乃關於電極之連接方法,係使已形成如⑷ 或[5]所述聚酞的表面處理線路板的電極與其他電子組件 2電極相對,而上述對向電極至少其中—者突出於基板表 面,亚將二電極在加壓下加以固定者。 本發明m乃有關⑹所述電極之連接方法, 二雨 。係利用機械式方法或黏接劑加以固定者。 包 本發明[8]乃關於黏著膜者,孫士 合物所構成者。 者艇者^由黏接劑與感遷導電聚 本發明[9]乃關於黏著膜’係由黏接 也&物的聚酞所構成者。 、為感壓V包 本發明Π0]乃有關[9]所述之黏接膜 式(I)所示: /、甲,聚酞係如
\ / η (I) ^(.)中’R係表二價芳香族烴基或二價含 :广係表絲、氣化烧基、垸氧,二芳香族 4,X係表〇或n-r3 ; f,R]之數係0 其中,R3係下示基: 3M264(修正版) I252066
^ch3
)bcH,
fcCi Y係表S〇2或C0 ; „係表聚合物重複單位數。 本發明[U]乃有關[9]或⑽所述之黏接膜,其中,取 、係以粉體狀分散於黏接劑中者。 κ ,展t發明[12]乃有_或[1G]所述之黏接膜,係由點接 J層與其上所形成的聚酞薄層所構成者。 本乃有筆]所述之黏㈣,係在㈣ 其中一部份上形成貫穿孔者。 的 轉即4]乃有關電極之連財法,餘相對向電極 或_所述之黏接膜,並將:電極在加厂堅下加 =發明[15]乃有關電極之連接構造,係在相對向電極 > 一部份上存在著聚駄,並使二電極岐而成者。 •本發明[16]乃有關[15]所述之電極連接構造,其 笔極在利用黏接劑加以固定者。 ^本1月[17]乃有關[16]所述之電極連接構造,其中,二 免極係利用[9]所述黏接膜中的黏接劑加以岐者Γ 一 泰本七明Π8]乃有關所述之電極連接構造,並中,二 免極係利用機械式方法加以固$者。 八 一 【實施方式】 士發明中所採用的感壓導電聚合物係通常為絕緣體, :稭由轭加壓力便轉變為導電體的樹脂壓 合物具體而言以如式⑴之聚酞為體。 … 3]4264(修正版) 10 1252066 式⑴所示之聚酞(以下統稱「聚酞」)係具有若朝厚产 方向施加壓力則厚度方向的電阻將發生大變化而發揮導^ 性之例政(感料電性)者。可在相對較低壓力加壓前後, 使力,方向的书阻顯現出6位數以上的變化(通常在大氣 壓下顯示絕緣性,加壓則顯示導電性)。 在此所謂電阻的6位數以上變化,係指當依既定電壓 牛進仃測量時’加壓前後的電阻(或電流)變化將 :六* ^以上之意。更具體而言,乃意指在既定電壓下的 電流值從l〇]2A夕爲姐L, 包^卜的 的導電性物質。物)變化至ι〇·6α之層級以上 明。針對本發明中所採用的式⑴之聚酞進行更具體的說 式⑴中之尺(二價芳香族庐 , 矢匕基或二價含雜環之芳香族 巷)j舉例如下示的基:
〇 Η •Ar2—C—Μ
其中
Or
I係如同上述l 為氫基、烷基、氟化烷基 3]4264(修正版) 1252066 烷氧基或鹵素(氟或氯等),該等亦可為複數個(2至4個)。 此外,Ar!係可舉例如下示的基:
Ar]係
此外,Ar2係可舉例如下示的基: Ar2係
式(I)中,表示聚合物重複單位之數的η最好在50至300 範圍内,尤以70至200範圍内為佳。若η小於50,薄膜 12 3Μ264(修正版) 1252066 強度將變小;反之,若超過300,溶解性將惡化。 ♦酞可為單獨聚合物,亦可為共聚物,或者亦可為該 寺的推*合物。 再者,可添加具有酞環的苯酚樹脂、或具有酞環的環 氧樹脂。 ”有歌環的笨驗樹脂係由如··紛酞、酿紅、鄰甲紛駄、 二里香賴、甲_工等與f料行反應可獲得的樹脂。通 常在反應進行之際,可採用添加苯酚或曱酚等而形成共寡 聚物(生成物)。 #具有駄環的環氧樹脂,可採用如式(1)所示具有駄環(或 續基駄環)的苯祕合物與環氧氯㈣進行反應而得 脂。 具有酞環的苯酚樹脂或具有酞環的環氧樹脂,可在不 超過50重里〇/0的範圍下加以調酉己。若使用量超㉟重量 %,成形後的皮膜將容易脫落。此處所謂的重量%係指除 溶劑^外,將非揮發性成分之量當作100時的百分率。 最近發現當式(1)所示聚酞(以下統稱「聚酞」)厚度為 至5〇_nm左右之厚度時,若朝厚度方向施加壓又力, 厚度方向的電阻將產生大變化而表現出導電性的特徵。此 時的壓力將受到電極形狀等的影響而不可一古概之,但β 若施加4.9KPa(0.05kg/cm2)以上之較低壓力,。便且有相= 的從層級至咖層級之急遽電阻變化的特徵。 m再者,式⑴所示聚酞中可添加含酞環之苯酚樹脂、含 献環之環氧樹脂、;5夕院偶合劑等。 3】4264(修正版;) ]3 !252066 以下,針對本發明參照圖示進行說明。 在本發明之由基板與電極所構成的線路板中,於具有 絕緣部與電極部的線路板表面,在電極表面的至少其中一 部份上形成聚酞的表面處理線路板、及使用彼等之電極連 接構造,參照第1圖至第7圖進行說明。 ^弟1圖所不係在由基板1與電極2所構成線路板3之 電極形成面的表面上形成聚駄4而構成本發明之表面處理 '泉路板的剖面示意圖。此時聚駄4厚度最好為⑺⑽(〇 〇1 (心_右。若低於1〇nm,防錢效果將 足,反之,若超過50000nm,導電性將嫌不足。由此 =1好為3G_至4G_nm,尤以5Gnm至3咖 為乜,更以l〇〇nm至2〇〇〇nm為特佳。 表面處理線路板的聚駄4之形成,亦可在雙 二多t路板的表背雙面(第2圖)上均形成。此外 有絕緣部與電極部之線路板整面上(第㈣ 第2圖)’則形成作業可採用整 為較佳的方法。但是 貝法寺,因為較間便故 分。第3(am所_ ’、σ 。 圖所不,僅形成於電極部 弟3⑷圖所不係形成於電極表面 所示係形成於電極表面與雙側 第:)圖 係形成於表面與1側面的例子。在此,:f⑷圖所示 防錄性觀點而言,最好如W所示,以覆-I敫〜,疋,就 佳。若覆蓋整體電極面, i正脰笔極面為 cm以上),而日# # —來酞4的絕緣性高(I 〇】4 ρ · 而且耐熱性亦高斷以上),因此可· >】4264(修正版) 14 1252066 間的離子遷移。 聚酞4之形成方法,可適用如··浸潰拉提法、旋塗法 印刷法、喷塗法等各種手段。 基板I係如聚醯亞胺或聚酯等塑膠薄 特合體、石夕等半導體、玻璃槪等無機物玻:需= )丨由黏接劑(在圖中省略圖示)使具有電極2。電極2可為如 Au A】、銲錫、Cr、Nl、Ag、M〇、丁a、如、ίτ〇(氧 油錫)、導電性油墨類等,亦可為以該等為主體的化合物 U合物:或複數層以上的構造。電極2亦可如第】圖與 所不般的突出於基板卜亦可如第4圖所示形成凹 狀或平面狀電極。 有上^明的電極連接方法’係如第5圖所示,使已形成 駄4的表面處理線路板之電極2,與其他電子組 ::電!2,㈣,將二電極在壓力P之加壓下加以固定。 此日才,若相對電極的至少直φ 加壓部Mm 者突出於基板表面,則僅 的平面二 —通㈣。此時’即便存在著電極未突出{ ^面狀電極或未具導電性虛設電極,亦 ^性電極部的加壓部之上下電連接狀態。 便可^電^°卩形成電連接,然後在加壓狀態下進行固定, 失子、極:^。固定方法若採用如第6圖所示利用 系鎖、填縫决驾;同& + ΈΓ Jr ώ “5之機械式固定方法,便 = 連接。上述固定法亦可如"圖所 劑時,因長期的連接狀態。採用黏接 、 丁 I與黏接劑固定,因此連接步驟 314264(修正版) 15 1252066 較為簡單。 藉由採用本發明之表面處理線路板 其間^獲得如第5圖至第7圖所示在對向電極間存在聚 二::極固定而成的電極連接構造。在第5圖至第7 圖中’雖僅例示相斜的雔 5又方黾極均突出的情況,但是只要 二凹等至少其中-者呈凸狀,便可任意組合 者=者二存在於電極間即可,可形成於線路板之任一 厚产之將聚酞形成於電極面上的線路板,若朝 因此便可僅使為可獲得厚度方向的導電性, 古件μ 的域處形成電連接。所以對高密度 问‘細的細微電路之連接極 山度 簡單的獲得將多數電子么且件隹=/^此方法’便可極 複晶構裝等。 子、,且件木中配置於單一片線路板上的 再者,因為將聚駄形成電極面上 的防腐蝕與防銹作用。 — 有基板电極 離子遷移頦象。£ l 卜,猎由聚酞的存在,尚可防止 路板,便可直接連^因ί採用電極面上已形成聚酞的線 不需如習知方法般去除組件或線路板的電極,因此 、 *表面處理劑,可提升效率。 高卢上的不的:f I極面上已形成聚酞,因此可吸收電極 阿度上的不均現象心騎連接。 “ 膜、^者用^對本發明之由連接劑與聚酞所構成之黏接 行說::崎之電極連接構造,參照㈣至第】5圖進 】6 314264(修正版) 1252066 第8圖所示係由點接劑7與聚酞8所構成黏接膜 面示意圖。 黏接』7可適用於具有熱可塑性之一般電子組件 於連接後的耐熱性與耐濕性均優越,而以隨熱或光而顯示 =硬化性之反應性黏接劑較佳。其中’環氧系 時間内便可硬化,所以連接作業性較佳,且因為且有分; 構造上黏接性較優越等特徵’因此屬於較佳適用者。此外, 因為使丙稀酸系等反應性黏接劑進行自由基硬化的系统, ^獲得相同的純,因此㈣較佳狀況。硬 保存性與快速硬化性等兩方面特性之潛力者較佳。兼八 ❹ίΐ^所7F情況’係將粉體聚献視需要採用溶劑使分 況下的使用二=便:單 上之凸狀,… 在將具有已形成於基板1 的奸已::二組件間進行連接之時,因為難 已刀放於點接膜中,因此便可配合電極2的 二十粉體數,而且在連接時亦可不選擇電 ;: 路'等需要電連接的電子組件本身。料導肢4或線 的糊用以粉體或溶液狀混合分散於黏接劑中 於一—广— 弟1圖所不溥艇狀的話,因為屬 、二c’具有可達成自動化的優點而較佳。 接劑層層積而成—體化的複合==之:❿再與黏 野联田弟9圖、第】〇圖之 3】4264(修正版) ]7 1252066 2況恰,只要在黏著劑層表面上塗布聚酞溶液,再使溶劑 乾燥即可’此外’可分別形成黏著劑層與聚酞薄層後再層 積亦可將聚酞的粉體或溶液,與氣體一齊在高壓下噴射 成形^另外’亦可視需要在所採用的隔板等基材膜上形成 聚酞薄層,再於其上形成黏接劑層。 κ歌8的各度與粒彳至’最好為1 至$⑽〇〇ηηι左右。 於l〇Ilm,導電效杲將嫌不足,反之,若超過50000nm, 導電性將嫌不足。由此觀之,更好為30nm至40〇0〇nm, 尤以5〇nm至3〇〇〇〇nm為佳更以1〇加茁至2㈧如顶為特 佳。 々 囷之構&,因為只要在黏接劑層7之單面上構成 ♦酞薄層8即可,製造上比較容易,當如第13圖所示進行 連接的電極2形成凸狀時,便可在凸狀電極側配置黏接劑 層7後再進打連接。雖未圖示,但是亦可在聚駄薄層8表 面上利用其他方式構成電極。此情況下,電極只要利用如 夹具寺機械式手段,便可重複使用,對 f方面頗有助益。此外,此例在如多晶片模組rMC= 〜υ φ上配置著大小或高度不同的多數電子组件 亚%進行連接時,特別有效。 一+!丄0圖所示係在第9圖的聚酞薄層8之重要部位上, -计貝牙孔9 ’並在此部份中填充黏接劑7的情 =48圖二Γ連接時的加熱加壓,使__聚 接::句利用此面的黏接劑即可進行連 、兄相對向的電子組件間可同時進行可靠性停 3Μ2Μ(修正版) 18 1252066 越的電氣性或機械性連接。此情況下,貫穿孔9亦可如第 】4⑷圖所示,配合電極的間距而形成,或者如苐】 ^,不管間距而任意設計。若任意設計則因與電極的位 置無關而可順利進行連接操作,因而較佳。 第^圖所示係將聚酞薄層8利用黏接劑層7,7,形成三 明治構造’係雙面被勒接劑層7,7,覆蓋之構造。黏接劑7 與7’的厚度,乃以連接後電極可被黏接劑所覆蓋著二可 為基本,可配合採用的電極高度進行適. 和此情況下,因為聚駄薄層8將被黏接劑所覆蓋^ 較難產生脫落等不良現象’進行連接之電極 -者均形成凸狀的情況較佳。此情況下,如第 當將具有形成於基板U,上之 *不, 迨分洁&士 &凸狀私極2,2f的電子組件間 接打,便可在電極2-2,間隔著聚酞薄層 板的連接。在第n圖盥第 連仃一基 如第]〇固所- 雖未圖示,但是最好
份二Γ充二’重要部位處設置貫穿孔,並在此部 響,所以猎此便可吸收電極高度不均的影I 成之2述說明’藉由採用本發明之由黏接劑與聚酿所構 ===可簡單的獲得如第12圖至第㈣所示的 連接構i。θ子在聚酞、並將二電極加以固定而成的電極 出的G 12圖至第15圖中,雖例示相對向的二電極均突 出的U况,但是僅要如 大 於凸狀的任意組合均:.凹等至少其中-者屬 此日寸,聚酞只要存在於電極間即 314264(修正版) 19 丄252066 .接之長期連便可獲得維持電極連接與基板間黏 朝聚献之厚戶接劑與聚κ所構成之黏接膜’因為若 以、子虔方向施加壓力 性,因此只有二電極的加壓部可4:厚=向的導電 電極的連接頗為有用。此時 連接,對高密度 加壓下便可將站接膜中的黏接劑,因為在 -次操作便可同 電路之連接極為;; /、機械連接,所以對細微 可期待填二:::凹:=劑r加壓下可流動,因此 用。換句話說,依昭^日^ 污染等封裝材料的作 膜,因為可在一 由黏接劑與聚駄所構成之黏接 固定,因此連二進行加壓電氣連接與純 自由=:=广=:可採用熱硬化_劑、 (熱熔)。 先更化糸黏接劑、熱可塑性黏接劑 為薄膜狀黏接劑r:::環氧樹脂及潛在性硬化劑而作 S 本酝A、聯苯酚F、聯苯酚AD、 =:="咖型環氧樹脂;由環氧氣丙烧與 脂或者具青漆所衍生的環氧紛越清漆樹 甘油胺、縮水甘的蔡峨齡或如 月外苯、脂環式等一個分子内且右一 個以上縮水甘油基的各種環氧化合物等可單獨使㈣衫 314264(修正版) 20 1252066 +種乂上使用。该等環氧樹脂最好採用將雜質離子 等)因Γ水分解性氯等降… '.、屯度物…因可防止電致遷移現象的發生而較佳。 二J在t硬ί劑可舉例如^坐系、關系、胺基酿亞胺、 解:::s&r寺。可單獨使用或者混合使用,亦可混合分 基甲酸龜系、聚…:;:,等硬化劑利用聚氨 之產物,因為可延=;Bt=行覆蓋而呈微㈣化 配量在為择m ^間而較佳。潛在性硬化劑的調 在為纹侍充分反應率的前 =_心。。”份,最好設定; 於ο 12G重請為佳。若潛在性硬化劑的調配量低 良好黏接無法獲得足夠的反應率,並有較難獲得 較小連接電阻的傾向。反之,若潛在性硬 低m超過6G重量份的話,則黏接劑的流動性將降 短的傾向Γ阻將上升’且黏接劑的適用期(p〇tHfe)將有縮 物形係當將液狀物進行固形化並將構成組成 產味2 缚膜之取置較為容易,並賦予不容易 生斷裂、龜裂、黏腻之機械特性等 態下製備薄膜者。 ㈣7在曰通狀 脂、料可舉例如苯氧樹脂、聚乙烯醇縮甲醛樹 酿胺m 聚乙稀醇縮丁酸樹脂、聚醋樹脂、聚 料中,二:|甲本樹脂、聚氨基甲酸酯等。在薄膜形成材 “接性'相熔性、耐熱性、機械強度較優越等觀 3142()4(修正版) 23 1252066 點而言’最好為苯氧樹脂。苯氧樹脂係使二官能基苯㈣ 與環氫函丙烷進行反應直到生成高分子量為止,或者藉= ,二官能基環氧樹脂與二官能基苯g分類進行加成聚合;獲 得的樹脂。具體而言,將二官能基苯酚類丨莫耳、與環气 鹵丙烧0.985至L015莫耳,在驗金屬氯氧化物存在下衣: =非反應性溶劑中,在4〇至12〇。〇溫度下進行反應便可獲 得。 又 、再者,就從樹脂的機械特性與熱特性觀點而言,特別 =將二官能基環氧樹脂與二官能基苯酚類的調配當量比, 設定為環氧基/苯齡氫氧基=1/〇.9至1Λ」,並在驗金屬化 合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等觸媒存在下, f弗’』120。以上的醯胺系、鱗系、酮系、内酯系、醇系 等有機溶劑中,於反應固形分在5〇重量份以下,加熱至 至2G(TC進行加成聚合所獲得者為佳。二官能基環氧樹 月^舉例如聯笨酸A型環氧樹脂、聯苯紛f型環氧樹脂、 如笨恥AD型環氧樹脂、聯苯酚s型環氧樹脂等等。二官 能基笨賴係擁有二個苯㈣氫氧基者,可舉例如氯醒 ,=苯紛A、聯㈣F、聯料AD、聯笨齡s等聯苯齡 類寺等。笨氧樹脂可為利用自由基聚合性的官能基、或環 ^基、羧基等改質而成者,此情況下將提昇耐熱性。此外, 本氧樹脂亦可在其分子内具有由多環芳香族化合物所引發 一刀子構ie。言如.蔡、聯苯、危、芴、二笨并咲喃、蒽、 非寺等二羥基化合物,特別以9,9,_雙(4_羥基苯)芴為佳。 溽膜形成材料之調配量係2至80重量% ,最好為5至 3] 4264(修正版) 22 1252066 70重1%,尤以ι〇至6〇重量%為佳。若低於2重量%的 話,應力緩和或黏接力將嫌不足;反之,若超過80重量%, 流動性將降低。薄膜形成材料雖在將黏接劑進行薄膜化之 iv屬m。。但疋當依清漆、糊劑狀使用的情況時不用 亦可。 自由基硬化系黏接劑含有自由基聚合性化合物、聚合 赵始喇田進行薄膜化時,最好含有薄模形成性。 自由基聚合性化合物係具有利用自由I進行聚合之官 此基的化σ物,例如(甲基)丙烯酸酯、馬來醯亞胺、檸康 驢亞胺、彀紛酸亞胺⑽dlmide)等,#可混合二㈣上丁使 用。自由基聚合性化合物可於單體、寡聚物等任何狀態下 使用,亦可將單體與寡聚物予以混合使用。 ^ (甲基)丙烯酸酯可舉例如(曱基)丙烯酸曱酯、(甲基)丙 烯酸乙酯、(曱基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(曱 基)丙烯酸乙二醇酯、(甲基)丙烯酸二乙二醇酯、(甲基)丙 稀酸三經甲基丙g旨、四(甲基)丙烯酸四甲撐二醇酯、2_經 f-l,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[心(丙烯醯氧基曱氧基) 苯基]丙烷、2,2-雙[4-丙烯醯氧基乙氧基]苯基]丙烷、(曱基) 丙稀酸二環戊稀醋、(甲基)丙烯酸三環癸酯、三(丙烯醯氧 基乙基)異氰酸酯、(甲基)丙烯酸氨基曱酸酯、三聚異氰酸 %氧乙烷改質二丙烯酸酯等。該等可單獨使用,亦可混合 種以上使用。此外,在不損及硬化性的範圍下,亦可使 用氫醌、甲醚氫醌等自由基聚合終止劑。 再者,自由基聚合性化合物係使用磷酸酯化合物時, 3】4264(修正版) 1252066 便可提升對金屬等無機物的黏接力。此磷酸酯化合物的使 用里係0.1至10重量份,最好為〇·5至5重量份。磷酸酯 化合物係由無水磷酸與(曱基)丙烯酸羥基乙酯的反應生 成物後知。具體而言,有如單(2_曱基丙烯醯羥乙基)酸性 磷酸酯、二(2-曱基丙烯醯羥乙基)酸性磷酸酯等,可單獨 使用,亦可混合使用。 馬來醯亞胺係分子中至少具有一個馬來醯亞胺基者, 例如苯基馬來醯亞胺、甲基_2,4_雙馬來醯亞胺苯、 N,N -m-苯撐雙馬來醯亞胺、Ν,Ν,_ρ_苯撐雙馬來醯亞胺、 Ν,ΝΜ,4·聯苯撐雙馬來醯亞胺、Ν5Ν,-454-(3,3-二曱基聯苯 撐)雙馬來醯亞胺、N,NM,4-(3,3-二乙基聯苯撐曱烷)雙馬 來fe亞胺、Ν,Ν’-4,4-二笨基丙烷雙馬來醯亞胺、ν,ν,_4,4· 二苯醚雙馬來醯亞胺、Ν,Ν,-4,扣二笨磺基雙馬來醯亞胺、 2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2,2_雙(3_§_丁基 -3,4-(4-馬來亞胺苯氧基)苯基)丙烷、丨,丨-雙(心(‘馬來醯 亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4,_環亞己基_雙(1_(4_馬來醯亞胺 苯氧基)苯氧基)-2-環己基苯、2,2_雙(‘(4_馬來醯亞胺苯氧 基)苯基)六氟丙烷等。該等可單獨使用,亦可混合二種以 上使用。 棒康醯亞胺係分子中至少具有一個棒康隨亞胺基的捧 康醯亞胺化合物,可舉例如苯基檸康醯亞胺、〗_曱基_2,4_ 雙檸康醯亞胺苯、N,N,-m-苯撐雙檸康醯亞胺、N,N,_p_苯撐 雙檸康醯亞胺、N,N,-4,4-雙苯撐雙檸康醯亞胺、 N,N’-4,4-(3,3-二曱基雙苯撐)雙檸康醯亞胺、n,n,-4,4·(3,3_ 314264(修正版) 1252066 二甲基二苯基曱烷)雙檸康醯亞胺、队>^4,4-(3,3-二乙基二 苯基曱烷)雙檸康醯亞胺、N,N’-4,心二苯基曱烷雙檸康醯亞 胺、N,N’-4,4-二苯基丙烷雙檸康醯亞胺、Ν,Ν’-4,4-二苯醚 雙檸康醯亞胺、Ν,Ν^4,4-二苯磺基雙檸康醯亞胺、2,2-雙 (4-(4-檸康醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(3-s-丁基 -3,4-(4-檸康醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、1,1-雙(4-(4-檸康醯 亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4’-環亞己基-雙(1-(4-檸康醯亞胺 苯氧基)苯氧基)-2-環己基苯、2,2-雙(4-(4-檸康醯亞胺苯氧 基)苯基)六氟丙烷等。該等可單獨使用,亦可混合二種以 上使用。 靛酚醯亞胺係分子中至少具有一個靛酚醯亞胺基的靛 酚醯亞胺化合物,可舉例如苯基靛酚醯亞胺、1-曱基-2,4-雙靛酚醯亞胺笨、N,N’-m-苯撐雙靛酚醯亞胺、N,N’-p-苯撐 雙靛酚醯亞胺、雙苯撐雙靛酚醯亞胺、 凡1^-454-(353-二曱基雙苯撐)雙靛酚醯亞胺、队:^-4,4-(3,3-二甲基二苯基曱烷)雙靛酚醯亞胺、Ν,Ν’-4,4-(3,3-二乙基二 苯基曱烷)雙靛酚醯亞胺、Ν,Ν’-4,4-二苯基曱烷雙靛酚醯亞 胺、Ν,ΝΜ,4-二苯基丙烷雙靛酚醯亞胺、Ν,ΝΜ,4-二苯醚 雙靛酚醯亞胺、队!^’-4,4-二苯磺基雙靛酚醯亞胺、2,2-雙 (4-(4-靛酚醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(3-s-丁基 -3,4-(4-靛酚醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、1,1-雙(4-(4-靛酚醯 亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4、環亞己基-雙(1-(4-靛酚醯亞胺 苯氧基)苯氧基)-2-¾己基苯、2,2 -雙(4-(4-款酿酿亞胺本乳 基)苯基)六氟丙烷等。該等可單獨使用,亦可混合二種以 25 314264(修正版) a^2〇66 上使用。 劑。γ人自由基聚合性化合物時,便使用聚合起始 劑係只要利用光或加熱而能產 物等m南的制’例如過氧化物、偶氮化合 等因素前接下:目的之連接溫度、連接時間、保存安定性 安定性的觀點而…二:疋,就高反應性與保存 。(:以卜 而5取好是半衰期為10小時的溫度為40 氣化物’ ΐ期為1分鐘的溫度為赋以下的有機過 =。=半衰期為10小時的溫度機以上,且半 當將連二為1,以下的有機過氧化物為佳。 始劑之,配二Γΐ1Q秒時’供獲得足夠反應率的聚合起 :〗之调配置取好為…。重量%,尤以2至15重量% 化^所採用有機過氧化物的具體化合物,可選擇自下述 心二醯過氧化物、過氧化物碳酸醋、過氧化物醋、 過氧化Π中二㈣過氧化物、氫過氧化物、甲㈣ 4°#中,尤以過氧化物酿、二烧基過氧化物、 物、甲㈣過氧化物,因為起始劑中的氯離子或 ^夂在5 _ppm以下,且分解後所產生的有機酸較少, 亚可抑制電極的腐蝕,因此特佳。 二醯過氧化物類可舉例如異丁基過氧化物、2扣二 苯醒過氧化物、3,5,5-三甲基己酿過氧化物、辛酸過^化 物:月桂醯過氧化物、應脂醯過氧化物、琥珀醯過氧化物 過氧化苯醯甲苯、苯醯過氧化物等。 過氧化物碳酸酯類可舉例如:二_正丙基過氧化二碳酸 3] 4264(修正版) 26 1252066 醋、二異丙基過氧化二碳酸醋、雙(4_第三丁基環己基)過 氧化二碳酸醋、二-2-乙氧基過氧化二碳酸醋、二(2_乙基己 基過乳化)二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧化二碳酸酯、二(^ 甲基-3-甲氧基丁基過氧化物)二碳酸酯等。 過氧化物酯類可舉例如:枯基過氧化物新癸酸酯、 1,1,3,>四甲基丁基過氧化物新癸酸酯、卜環己基甲基乙 基過氧化物新癸酸酯、第三己基過氧化物新癸酸酯、第二 丁基過氧化物三甲基乙1U,3,3_四甲基丁基過氧化物: 乙基己西旨、2,5-二甲基-2,5-二(2_乙基己醯過氧化物)己燒、 1-環己基-甲基乙基過氧化物_2_乙基己醋、第三己基過氧 化物-2-乙基己酉旨、第三丁基過氧化物_2_乙基己醋、第三丁 基過氧化物異丁醋、U-雙(第三丁基過氧化物)環己烷、第 二己基過氧化物異丙基單碳酸酯、第三丁基過氧化物 -3,5,5-三甲基己醋、第三丁基過氧化物月桂醋、2,5·二甲基 -2,5-二(m-甲苯酿基過氧化物)己烧、第三丁基過氧化物显土 =基單碳㈣、第三丁基過氧化物·2_乙基己基單碳酸醋、( 弟二己基過氧化物苯酯、第三丁基過氧化物醋酸酯等。 過氧化物酮縮醇類可舉例如:1;1_雙(第三己基過氧化 物三甲基環己燒、雙(第三己基過氧化物)環己 烧、1^1·雙(第三丁基過氧化物)_3,3,5•三甲基環己烧、 1,1-(第三丁基過氧化物)環癸垸、2,2_雙(第三丁基過氧 癸烷等。 二烷基過氧化物類可舉例如:α,α、雙(第三丁基過氧 化物)-二異丙基苯、二括基過氧化物、2,5_二甲基(第 3M264(修正版) 1252066 二丁基過氧化物)己烷、第三丁基枯基過氧化物等。 氫過氧化物類可舉例如:二異丙基氫過氧化苯、氣過 氧化枯烯等。 $ 〃甲石夕烧過氧化物可舉例如··第三丁基三甲基甲石夕烧過 氧化物、雙(第二丁基)二甲基甲石夕烷過氧化物、第三丁基 三乙烯基甲石夕烧過氧化物、雙(第三丁基)二乙稀基甲石夕烧 過氧化物、三(H)乙稀基甲料過氧化物、第三丁 基二甲碎烧過氧化物、雙(第三丁基)二稀丙基甲梦烧過氧 化物二(第二丁基)烯丙基曱矽烷過氧化物等。 再者,為了抑制電極腐蝕,最好將硬化劑(聚合起始劑) 中所含氣離子或有機酸設定在_ppm以下,而且以加孰 分解後所產生的有機酸較少料更佳。此外,就提昇所製 乍黏接d之安疋性的觀點而言,最好具有常壓下於開放放 置24小時後’擁有2G重量%以上的重量保持率。該等可 適當混合使用。 该等游離自由基產生劑可單獨使用,亦可混合使用, '、σ在♦5起始劑中混合分解促進劑、抑制劑等使用。 ^將該等游離自由基產生劑,利用聚氨基甲酸醋系、聚 酿系高分子物質等進行覆蓋而實施微膠囊化者,因為可延 長使用時間而較佳。 薄膜形成材料,係如同上述。 '除自由基聚合性化合物之外,亦可調配上述環氧樹脂 作為熱硬化性樹脂。該等樹脂亦可合併使用二種以上。 此%氧樹脂的硬化劑,可使用如氨類、苯酚類、酸酐、 3]4264(修正版) 1252066 〜痛、二氰基二醯胺等普通環氧樹脂所使用的硬化劑。 硬化促進劑亦可適當的使用通常使用的第三級氨類、有機 鱗系化合物。 再者,使環氧樹脂產生反應的方法,除使用上述硬化 训之外,尚可採用鎏鹽、碘鹽等,亦可進行陽離子聚合。 光硬化系黏接劑係含有光陽離子聚合性化合物者,最 好疋合有主要為180至750nm波長成分的光照射或加熱而 產生%離子種源的聚合起始劑)。 光陽離子聚合性化合物係從環氧化合物、乙烯醚化合 物氧雜環丁烷化合物、以及環狀醚化合物中選擇一種以 上者。 經合有主要為180至750nm波長成分的光照射、或加 熱而產生陽離子種的聚合起始劑,係從芳香族鎏鹽、碘鹽、 鐵-芳fe錯體、芳香族鎏鹽、脂肪族鎏鹽等之中,至少選擇 其中一種者。 ' 經含有主要為1 80至75〇nm波長成分的光照射而產生 陽離子種源的聚合起始劑,係利用含有主要為18〇至 750nm波長成分之光進行光照射而產生陽離子種源的聚合 I始J雖扣利用光照射而產生陽離子種源,但是亦涵苗 利用加熱而所產生的陽離子種源,乃意味著利用光照射: 產生的陽料種源比較多的涵義。光離子聚合性化合物係 具有利用經含有主要為]8〇至75Gnm波長成分的光照射、 或主要進行加熱而產生的陽離子種源,進行聚合之官能美 的化合物,可舉例如環氧化合物、乙_化合物、_ 314264(修正版) 29 1252066 丁燒化合物及環狀醚化合物等。 環氧化合物只要是一個分子中呈一 即可,並無特別限制,可採用習知者。链们以上%氧基者 :聯笨…聯苯…所衍生的聯笨二 者聚縮水甘油醚、聚縮水甘油酯、/虱樹知,或 環式環氧化合物、曱_酸清漆型環氧心合物:脂 漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧化::本:酚恥清 _、三縮水甘油異氮酸醋、聚縮水二==水甘油 水甘油甲基丙烯酸、及可該等 醋、縮 的共聚物等等。該等可單獨使;雜 乙稀μ化合物可舉例如燒基乙㈣化务 醚化合物、烯基乙稀驗化合物 :、凡酮乙烯 氧雜環丁烧化合物可舉例如==合物等。 雜璟丁俨彳卜人& 孔濰%丁烷醇、脂肪族氧 ^物、芳香族氧雜環丁燒化合物等。 %狀醚化合物可舉例如: 化合物等。 辽夫南化合物、四氫吡喃 該等之中,就相較於其他化合物而言,以分1 較廣且可取得,並可任言^ ’’ 等觀⑽言,最好為環氧化合i接1^應性、硬化特性 ㈣重量。/。,僅二=至75重量°/°為佳。若她^ 若超過90重量/:::更化物物性較低的黏接劑,·反之, 予入彳入& °,言如當使用硬化收縮率較大的光陽離子 生化4時,便難洲其他調配成分而使其緩和。 3】4264(修正版) 30 1252066 環氧化合物的環氧當量,最好 至1 至800為佳,f以π石, 尤以50 至600為更佳。若環氧當量低於43 1000,在電極連接時將產生黏接強度 =環氧化合物係'採用將雜㈣子(Na+,C1·等)或加水分向 性氣等降低$ ^ -至30〇ppm以下的高純度物品,因 致遷移現象而較佳。 Θ JI方止免 有要為180至750nm波長成分的光照射而產生 =料種源的聚合起始·及主要經加熱而產生陽離子種 起始劑’可採用如芳香族重氮鏺鹽、芳香族婆鹽、 曰矢备鹽、方香族碘鹽、鎏鹽、吡啶鐃鹽、硒鹽等鐃鹽、 〔金屬芳烴錯體H紹錯體等錯體化合物、苯偶姻甲苯 -息@硝基卞基甲笨石黃酸鹽等。此外,形成鹽的配對 陰離子,就從反應性的觀點而言,最好為六氟録鹽、六敦 磷酸鹽、四氟硼酸鹽、第四(五氟苯基)硼酸鹽等。 *主要經加熱而產线離子種源的聚合起始齊j ’就提高 ^接劑之保存安定性的觀點而言,最好為在lGGt以下的 胤度中熱觸媒活性較低的化合物。經含有主要為】至 b〇nm波長成分的光照射而產生陽離子種源的聚合起始 劑,係具有與主要經加熱而產生陽離子種源的聚合起始劑 相等的熱活性,相反的,當主要經加熱而產生陽離子種源 的聚合起始劑,具有與經含有主要為18〇至75〇nm波長成 ^刀的光照射而產生陽離子種源的聚合起始劑相同光活性之 化合物時,就從提昇黏接劑的反應性而較佳。 經含有主要為180至75〇nm波長成分的光照射而產生 3】4264(修正版) 1252066 陽離子種源的聚合起始劑,最好是分子内含有一個以上芳 香族環的化合物,可採用如雙[4-(二苯基鎏鹽)_苯基]硫醚_ 雙-六氟磷酸鹽、雙[4-二(4-(2-羥基乙基)苯基)磺胺二曱噁 唑-苯基]硫醚雙-六氟磷酸鹽、雙[4-二(4-(2-經基乙美)苯某) 磺胺二曱噁唑-苯基]硫醚雙-六氟銻酸鹽等芳香族婆鹽、或 ^?-5,2,4-(%戊一細)[(1,2,3,4,5,6-;7)-(甲基乙基)_己稀]_鐵 (Π )六氟鱗酸鹽、(曱笨基枯基)蛾鐃第四(五氟青霉基)蝴酸 鹽、二烯丙基蛾鐺六氟銻酸鹽、及該等混合物。此外,尚 可採用阿迪佳歐布德馬-SP-150(商品名,音譯)、阿迪佳歐 布德馬-SP-170(商品名,音譯)(旭電化學工業股份公司產 製)、賽拉秋亞UVI-6990(商品名’音譯)(由尼翁佳巴伊德 公司(公司名,音譯)產製)、桑研德SI-6〇L(商品名,音譯)、 桑研德SUOLC商品名,音譯)、桑研德SI_100L(商品名, 音澤)(二新化學工業股份公司產製)、伊爾佳秋亞261(商品 名’音澤)(Ά巴超級化學(Ciba Specialty Chemicals)公司產 製)、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074(羅德亞日本公 司(公司名,音譯)產製)等等市售品,可使用該等的化合物 及其溶液。 主要經加熱而產生陽離子種源的聚合起始劑,可適當 的採用如芳香族鎏鹽、脂肪族鎏鹽、二烷基酚胂鎏鹽等化 合物,尚可採用如桑研德SI-60L(商品名,音譯)、桑研德 SI-80L(商品名,音譯)(三新化學工業股份公司產製)、阿迪 佳歐布通CP-66(商品名,音譯)、阿迪佳歐布通cP-77(商 品名’音譯)(旭電化學工業股份公司產製)、Ci_2624(曰本 3]4264(修正版) 1252066 曹達股份公司產製)箄耸卡 溶液。 ^寺寺市售品,可使用該等的化合物及其 當使用經含有主要為18(^75Qnm 而產生陽離子種源的聚合起始劑 成刀的先-射 陽離子種源的聚合起始劑 ^熱而產生 口物100重置%而言最好為0.05至30重量%,尤以〇1 至15重量%為佳,特別以〇.5至10重量。/A— 1 於0 05番蚤。/ 故士 里❹為佐。右此量低 、· 。,將有硬化促進效果不足的傾向;反之,若 超過30重量%的話,將有降低相溶性的傾向。反之右 而產離;;ft主要為180至Μ。,波長成分的光照射 而產生子種源的聚合起始劑含量、以及主要 產生陽離子種源的聚合起始劑含量之重量=為' 起始劑含量將極少,因此恐將無法獲得充二 =聚合 當使用經含有主要為180至75〇_波長成分的光昭 而產生陽離子種源的聚合起始劑、以及主要經加產、 陽離子種源的聚合起始劑時,可分別單獨使用^者入併 複數種使用。此外’為促進陽離子聚合而提高黏接劑的硬 化性’亦可適當組合光增感劑使用。光增感劑只要是能夠 有效利用所採用激發光之吸收波長者即可,並無特別的限 制,可採用周知化合物。具體而言’可採用如蒽、轉嗦、 花、料、二苯㈣、噻伽、9^、麵等化合物及 該等的衍生物等。 ^劑中亦可更添㈣膜形成材料。其使用量相對 314264(修正版) 33 1252066 於光陽離子聚合性化合物100重量份最好設定為2〇至32〇 里量份。當其使用量低於20重量份或超過320重量份時, 將有薄膜形成性惡化的傾向。 熱可塑性黏接劑(熱溶),最好含有基本上顯示絕緣性 並賦予晋通凝聚力的聚合物,以及其他視需要採用的黏接 賦予劑、黏接性調整劑、交聯劑、抗老化劑、分散劑等等。 該等聚合物的種類,可適用如乙烯醋酸乙烯共聚物、 乙烯-醋酸乙烯共聚物改質物、聚乙烯、乙烯_丙烯共聚物、 乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、乙烯_丙烯酸 鹽共聚物、丙烯酸酯系橡膠、聚異丁烯、無規(立構)聚丙 烯i聚乙烯醇縮丁醛、丙烯腈_丁二烯共聚物、苯乙烯_丁 二烯塊狀共聚物、苯乙烯-異丙烯塊狀共聚物、聚丁二烯、 乙烯纖維素、聚醋、聚醯胺 '聚胺基曱酸_、天然橡膠、 =系橡勝、聚氯丙料合成橡勝、聚乙烯料等。該等可 單獨使用或合併二種以上使用。 一站接賦予劏有例如二環戊二烯樹脂、松香、改質松香、 萜烯樹,甲苯樹脂、萜烯-苯酚樹脂、烷基苯酚樹脂、 香豆㈣樹脂等。該等視需要可單獨使用,亦可合併二種 :上使用。黏接劑調整劑有例如以鄰苯二曱酸二辛酯為代 表的各種可塑劑類。 係在必須提高聚合物凝聚力時使用,乃屬方” ^物的s能基進行反應的多官能性㈣,譬如異氛酸 •曰、二聚虱胺樹脂、尿素樹脂、苯酚樹脂等。
抗老化劑係當必須提高聚合物黏合劑對熱、氧、光I 3]4264(修正版) 34 1252066 =定:之情況下使用,可舉例如以金屬 :气或燒基苯_等抗氧化劑、二苯甲嗣系、 使用。 +視而要了早獨使用或合併二種以上 子有Π劍係當為提昇粒子分散性之情況下使用的,此例 %面活性劑’可從非離子系、陽離子 兩性令選擇使用其中—種,或合併使用二種以上糸、 化黏,劑亦可適當添加填充劑、軟化劑、促進劑、抗老 ^ 著色劑、難燃劑、偶合劑等。 不』=施例中’將更詳細說明本發明,惟本發明並 (1) 表面處理線路板 在厚度0.4rnm的玻璃、環氧基板上,利用厚度015 隸刻法形成對應後述半導體晶片之電極腳位 -路氧極。將式⑴中’ R=聯苯基、Ri=h、x=〇、
的聚(4,4,-二苯料紐)溶解於環己g同中,製成 L 液。將上述線路板浸潰於此溶液後 0冷 形屮后Λ ^ 现取出經加熱乾燥,獲得 形成厗度0.5# m之處理層的表面處理線路板。 (2) 半導體晶片 半導體晶片係採用大小2x 10mm、厚度则…連 接:由厚度一氛化石夕覆蓋,且4邊周緣部處, 方塊形成糊個高度〗軟銲(突起 314264(修正版) 1252066 片。 (3)黏接劑 ^ ’專胺形成材料係採用苯氧樹脂(PKHC、由尼翁佳巴伊 =公司(公司名,音譯)產製,商品名,平均分子量45,000” 曰在丨生硬化材料係採用含有微膠囊型硬化劑(HX3941Hp、 =化成%氧公司產製,商品名,熱活性溫度12〇它、dsc 1值μ度)的液狀環氧樹脂。應力緩和材料係採用丙烯酸橡 膠及聯本酚Α型環氧。準備將丙烯酸橡膠、苯氧樹脂 i〇g、聯苯酚A型環氧10g、微膠囊型硬化劑5〇g、矽烷偶 合劑(東雷·道石夕膠公司(公司名,音譯)產製,商品名: SH6〇4〇)lg,溶解並分散於曱笨/醋酸乙S旨=50/50重量比溶 劑中而成的調配液,仿@…^ . 、反依具有㈣性之方式塗布於經表面處 理過的聚對苯二甲酸乙二^旨(隔板)上,經乾摩。C、5分 形成厚度心_薄膜狀黏接劑(隔板未圖示)。 在上述表面處理線路板與半導體晶片 著上述薄膜狀黏接劑,並在-雨 置 τ ,ΜΡ ;,、 在一电極進行對位之後,依180 C、5MPa(5〇kg/叫、1G秒的條件進行力 的黏接劑將被排擠於無軟銲的空間部,並透過; 行充分硬化。 料的越劑將破壞膠囊,並進 (5)評估 經測量相對向電極間的連 電阻,結果顯示連接電阻為 則目鄰電極間的絕緣 •。以下,絕緣電阻在】〇8〇 3】4264(修正版) !252066 以上之良好特性。經85。(:、85%Ι〇ί、1000小時處理後亦 ^乎热變化,顯示良好的連接可靠性。對此連接構造體的 戴面進行研磨,並施行顯微鏡觀察,結果顯現如第7圖所 示之連接構造。 極間加以連 。此情況下, 3] 4264(修正版) 37 1252066 0.05MPa(實施例8)、〇.5MPa(實施例9)、l〇MPa(實施例 1〇)。此情況下,該等均呈現出連接電阻小、相鄰電極間的 絕緣電阻高之良好連接可靠性。 實^例11至實施例Η 如同貫加例1 ’但是改變聚駄的種類。 換句話說,貫施例11中式⑴之R、R]、χ、γ係採用 如表1之Νο·2所示。 同樣的,實施例12則採用表丨2Ν〇3所示者,實施 例13則採用表1之ν〇·4所示者。 、 表1 實施例 No. —......——-— 1 $ 1Π Z7=vy^\ " —Ri zzz 一 溶劑 1 1 U 1 - H ° so2 環己酮 11 2 -—----- - H N-〇 CO 硝基苯 12 3 \ /J 〇---------- \\ 〇 -H o CO 環己酮 13 4 一 H o CO 苯甲腈 〇7 \\ -—-2——_ 貝施例11至1 3均顯示出良好的連接1 1阻與 絕緣電 阻,且呈現出高溫高濕後的優越連接可靠性。 實施例14 (1)黏接膜 ,專肤形成材料係採用苯氧樹脂(PKHC、由尼翁佳巴 乙a司(Α司名,音譯)產製商品名、平均分子量45,00( /曰在[生硬化材料係採用含有微膠囊型硬化劑(ΗΒ料1⑴ 314264(修正版) 38 1252066 旭化成環氧公司產製商品名、熱活性溫度not、Dsc峰 的液狀%喊脂。應力緩和材料係採用丙稀酸橡朦 及如本酚A型環氧。準備將丙烯 =二苯…環氧㈣ β劑(東雷.這石夕膠公司(公司名,音譯 ⑽卿g,溶解並分散於曱苯/醋酸乙㈣/5;;=比 溶劑中,並將下述聚駄相對於上述固形分100 7積%之比例分散於其中,錢依具有剝離性之方式。涂為 表面處理過的聚對苯m(隔板)上,乾博 的第8圖所示薄膜狀黏接劑(隔板未圖朴 -苯”:,R==聯苯基、r]=h、x=0、y=s〇2”(m,--牙〜紐)粉體,係將聚K4,^苯 己酮中製成3重量%溶液,將其滴 拌的甲醇(_倍容積)中,並㈣料機激烈授 環境中施行=體^啊下於氮 徑〇」至^ m、平均妨/Γ 再订分級,而獲得粒 =;、仅1 · 5 // m的聚酞粉體。 (2) 線路板 在厚度〇.4_的玻璃、環氧基板上,利用 = 對應後述半導體晶片之電極腳位的 (3) 半導體晶片 半導體晶片係採用大小2χ 1〇咖、厚产 接面由厚度2 _氮切覆蓋、且4邊周^部處依 方塊形成200個高度15"m軟鲜(突起電極)的測試用晶片。
3】4264(修 JE 39 1252066 (4)連接 在上述線路板與半導 膜狀黏接膜,並在-〜tt 著上述薄 在—电極進行對位之後,依180。(:、 :kg/Cm2)、10秒的條件進行加熱加壓。電極間的舞 接劑將被排擠於盔齡#曰w 1 ^^ 半導體晶月々帝Γ、吁〇二間部,使線路板之電路電極與 觸。海接 '亟,介由聚(4,本二苯撐磺基酞)粉體而接 (5)評估心破棱微膠囊型硬化劑的膠*而進行充分硬化。 經測量相對向電極間的連接電阻 ==示連接電阻為。.1Ω以下、絕緣電阻= 令 ',「^生”亥寺經85°c、850細、1000小時處理 4以下%而溫高濕測試後」),亦幾乎無變化,藥現产 Γ的連接可純。對此連接構造體㈣面進行研磨並崎 嘁微鏡觀察’結果如第12圖所示構造。 實施例15 同““"4 ’但疋改變黏接膜構造。亦即依第9圖 所不構造’在黏接劑層單面上構成聚酞薄層。黏接劑係如 同實施例Η ’薄膜形成材料係採用笨氧樹脂陶c、由尼 翁佳巴伊德公司(公司名,音譯)產製,商品名,平均分子 量45,_)。潛在性硬化材料係採用含有微膠囊型硬化劑 (ΗΧ3941ΗΡ、旭化成環氧公司產製,商品名熱活性溫度 120C ’ DSC峰值溫度)的液狀環氧樹脂。應力緩和材料係 採用丙稀酸橡膠及聯絲A型環氧。準備將丙稀酸橡膜 3 〇 g、苯氧樹月旨10 g、聯笨驗A型環氧】〇 g、微膠囊型硬化 314264(修正版) 40 1252066 f 50g、矽烷偶合劑(東雷.道矽膠公司(公司名,音譯)產 製I商品名:SH6040) 1 g溶解並分散於甲苯/醋酸乙酯=5〇/5〇 重量比之溶劑令的調配液,依具有剝離性之方式塗布於經 表面處理過的承對苯二甲酸乙二酷(隔板)上,乾燥形成厚 "#】Ή的薄膜狀黏接劑(隔板未圖示)。然後,再於依具 相性之方式施行表面處理過的聚對苯二甲酸乙二酷(隔 ^上’塗布著將屬於聚默的聚(4,4_二苯擇石黃基駄)經溶解 开^^中的6重量%溶液’㈣在1GG<t下施行乾燥而 /盘;二:二的聚駄薄層。採用層合機,依上述黏接劑 二==對面之方式進行層合_),而獲得在 未圖成♦駄缚層的黏接膜(第9圖之構造,但是隔板 以4丨t用如同貫施例14的線路板,將黏接劑層側的隔板予 將黏接劑面,依靴、遍⑼响吟 的、二 加熱加壓,如第13圖所示在線路板相鄰 的兒路電極空間中埴 ^ ^ 構成。從議… 使表面形成聚酞薄層之1 小酞溥層側,採用如同實施 經對位後,在室溫 ]干绎版日日片, 態中,測量 23C中’於施加0.3MPa/軟銲的壓力狀 為〇 1Ω以下%且吳絕緣電阻。結果顯示獲得連接電阻 述,此Λ絕緣電阻在1〇4以上之良好特性。如上所 ^ 此方法譬如對半導俨曰 上所 KGD晶片曰片的電特性之預先評估(所謂 、 8月)方面頗有助益。 圖 如同實施例M,但是改變黏接膜構造,形成第^ 314264(修正版) 41 1252066 的構造。換句話說,依具有到離性之方式,將屬於聚歌的 聚(4,4_二苯樓石黃錄)經溶解於環己酮中的6重量%溶液, 塗布於經表面處理過的聚對笨二甲酸乙二酷(隔板)上,經 100°C乾燥後,形成厚度2“的聚駄薄層。在其上層合厚 度25㈣的負型感光性薄膜,層積具有依10個/mm2比: 且直徑1〇〇心透孔部的罩幕,經曝光、顯影後,施行後 =='然後,利用環己,溶解露出部分,並剥離 請。在此面上,採用如同實施例14中所使用的點 除㈣之外),經塗布乾燥(啊、5分鐘),而形成厚 度20 // m的黏接膜。 …:用此黏接膜,並使用如同實施例14的線路板與半導 二片,在該等電極之間,於配線板侧,依面朝黏接· 之方式載置著黏接膜,將二電極對位後,依⑽。c、a 5MPa(5Gkg/em2)、1()秒的條件施行加熱加壓。 施行如同實施例】4的評估,結果顯示良好連接電阻 (0.32 Ω )與絕緣電阻〇〇8ω以上),而且經高溫高渴測蜮 後,亦顯示著優越的連接可靠性。此情況 第 =連接截面,利用連接時的力侧,使黏二;: 二二側’而可利用此面上利用黏接劑進行連接,而使 二二電極利用黏接劑的固定。換句話說,相對向的電 = 件間,可進行電性及機械式的連接。 ,如同實施例14,但是將黏接膜的構造, 圖所不將厚度2的聚酞之雙面,利用具電極高度之厚 3】4264(修正版) 42 1252066 度的厚度為1 5 // ηι之勒垃胳 _ 備將如同實施例14中所、:月治狀態。黏接劑係準 經表面處理過的聚對笨?; °C > ^ TS文乙—酿(隔板)上,經乾燥(70 夕子又15 V m的黏接劑(隔板未圖示)。除 此之外,另外準備依具剝離性之 )除 的聚對苯二甲酸乙K 在、讀行表面處理 聚(44 — 反)上,塗布著將屬於聚酞類的 :(4二本撐石頁基酞)溶解於環己_中的6重量%溶液,缺 = :〇c下施行乾燥而形成厚度2心的聚駄薄層。採: 曰σ機,依上述黏接劑層與聚耿薄層呈相對面之方式 層合(8代),而獲得在黏接層上形成聚耿薄層的黏接膜,丁 然後再於純與錄薄層的層積體上, 劑 (抓C),而獲得圖所示構造 U層 在如同實施例14的相同線路板與半導體晶片之電極 間’載置著上祕㈣,ϋ在將二電極進行對位之後,依 ⑽C、5MPa(5〇kg/cm2)、1()秒的條件進行加熱加壓。連 接體係如第15圖所示構造,顯示良好連接電阻(〇 7〇)盘 絕緣電阻㈣Ω以上),而且高溫高濕賴後,亦顯示優越 的連接可靠性。依照本實_,藉由聚_層可進行二基 板的連接。 土 i^feL2 8至實施例20 如同實施例14,但是改變聚酞的種類。 換句話說,實施例18中式⑴之R、Ri、χ、γ係採用 如表2之]sj〇.2所示。 同樣的,實施例1 9則採用表2之ν〇·3所示者,實施 3] 4264(修正版) 43 1252066 例2 0則採用表2之Ν ο · 4所示者。 表2 實施例 No. R Rt X Υ 溶劑 14 至 17 1 一 Η 〇 so2 環己酮 18 2 一 Η CO 硝基苯 19 3 一 Η 〇 CO 環己酮 20 4 〇// & -Η 〇 CO 苯甲腈 實施例1 8至實施例20均顯示出良好的連接電阻(1 Ω 以下)與絕緣電阻(108 Ω以上),且呈現出高溫高濕後的優越 連接可靠性。 實施例21 將薄膜形成材料的苯氧樹脂(PKHC、由尼翁佳巴伊名 公司(公司名,音譯)產製、商品名、平均分子量 45’0〇〇)5〇g,自由基聚合性化合物的曱基丙烯酸二環己酷 :磷酸酯化合物的丙烯酸磷酸酯2g,有機過氧化物# 兔5>一曱基_2,5—雙(2_乙基過氧化己醯)己烷3g,以曱乙酮 酞::力二二解調配’然後再調配分散如同實施例14的〗 膜之單侧對經表面處理的聚對苯二曱酸乙二酯_ 分鐘’採用塗布機塗布50㈣度,經抓、1〇 施例hIV後得厚度30/im的黏接膜。然後,在如同, 5 〇、泉路板與半導體晶片之電極間,載置上述| 3] 4264(修正版) 44 1252066 接月美’並將二電福科〆六夕# 电棧對位之佼,依150〇C、4MPa、20秒的條 件施行加熱加壓。社罢顯千φ 、、口果_不出連接電阻0·1Ω以下、絕緣
電阻10 Ω以上的優热拉柯。兮μ R 1良越知性该寺即使在85°C、85%RH、 1000小時處理後仍缛丰盔辯 芝仍咸子無笑化,顯示出優越的連接可靠 性。 實施例22 光陽嫌子聚合性化合物係採用聯苯驗a型環氧樹脂 (愛畢克828(商品名),油化貝殼環氧公司產製,環氧當量: 184)柳,經含有主要為⑽至75Qnm波長成分的光照射 而產生陽離子種源的聚合起始劑係採用三芳基I鹽的六氣 磷鹽混合物50重量%碳酸丙稀溶液(赛拉秋亞υνι_69⑽商 品名,音譯)(由尼翁佳巴伊德公司(公司名,音譯)產 製)>】.〇g ’主要經加熱而產生陽離子種源的聚合起始劑係 用苄基鎏鹽的六氟銻鹽混合物50重量%醋酸乙酷溶液(桑 研德SI-60L(商品名,音譯),三新化學工業股份公司產 製)3.0g。採用聯苯酚A、聚型苯氧樹脂(平均分子量 20,000)5Gg作為薄膜形成材料,然後再調配分散如同實施 例14的聚酞粉體3體積%。對經表面處理的聚對苯二曱酸 乙二酯薄膜之單側面,採用塗布機塗布5〇#m厚度,經川 °c、ίο分鐘乾燥後,獲得厚度25//m的黏接膜。 將具有線寬50#m、間距100//m、厚度18_的銅 電路500條之可撓電路板(FPC、絕緣板:聚醯亞胺薄膜、 厚度.125 # m) ’與形成有〇.2 # m氧化銦(IT〇)薄層的玻璃 (厚度1.1mm、表面電阻20Ω),採用紫外照射併用型熱壓 3]4264(修正版) 45 1252066 接裝置(加熱方式:持續熱型、東雷工程公司(公司名,立 澤)產製),依12〇。〇、2MPa條件,}^^ 曰 ..,, 仵同犄施仃20秒鐘的加 :力二、及從加玻璃側照射紫外線,進行寬度達2職 ,連接,在經過預定時間後即釋放壓力而製成連接體。照 才於電路連接材料上的紫外線照射量設定為咖一。此 時。,重新在ΠΧ)玻璃上貼附上㈣膜的黏接面之後,再依 7〇C 0.5MPa條件,施行5秒鐘的加熱加壓而暫時連接, 然後再剝離PET膜,並對由黏接膜所構成的薄膜面,採用 具南壓水銀燈的紫外線照射裝置(屋西歐電機公司(公司 名’音課)產製)’照射2.0JW的紫外線。然後,執行與 /另一 FPC間的對位,並經連接後獲得連接體。此外,當進 行20 t知連接之際,僅開始加熱加壓,經3秒鐘之後,才 開始17秒鐘的紫外線照射,經加熱加壓20秒鐘之後,便 同時結束二項步驟。結杲顯示出連接電阻〇1〇以下絕緣 電阻108Ω以上的優越特性。該等即使在85它、85%RH、 1000小時處理後仍幾乎無變化,顯*出優越的連接可靠 性0 實施例23 在大福布連((商品名,音譯),笨乙烯_丁二烯塊狀聚合 物(旭化成工業公司產製))6〇重量份、Ys包利施達 T-11 5((商品名,音譯)、萜烯苯酚樹脂、安原油脂公司產 ‘)40重畺伤、曱笨200重量份的黏接劑溶液中,更調配 分散著3體積%之如同實施利]4的聚酞粉體。對經表面處 理的?κ對笨一曱酸乙二酯薄膜之單侧面,採用塗布機塗布 46 3]4264(修正版) 1252066 50^厚度’經航、20分鐘乾職,獲得厚度Μ ^ 的黏接膜。然後’在如同實施例14相同的線路板與半導體 晶片之電極間,載置著上述黏接膜,並在二電極對位之後, 依150°C、3MPa、20秒的條件施行加熱加壓。結杲顯示出 連接電阻0·1Ω以下、絕緣電阻108Ω以上的優越特性。該 等即使在85t、85%RH、l000小時處理後仍幾乎無變化, 顯示出優越的連接可靠性。 參考例1 黏接劑係如同實施例14,薄膜形成材料係採用苯氧樹 脂(PKHC、由尼翁佳巴伊德公司(公司名,音譯)產製商品 名、平均分子量45,GGG),潛在性硬化材料係採用含有微膠 囊型硬化劑(HX3941HP、旭化成環氧公司產製、商品名、 熱活性溫度UCTC、DSC峰值溫度)的液狀環氧樹脂加應力 緩和材料係採用丙烯酸橡膠及聯苯酚A型 稀酸橡膠,、苯氧樹脂1Gg、聯苯U型環氧= 囊型硬化劑50g、矽烷偶合劑(東雷·道矽膠公司(公司名, 音譯)產製,商品名·· SH6040)lg,溶解或分散於甲苯/醋酸 乙酉曰50/50重里比中的調配液,分散著3體積%之導電粒 子(使用在以聚苯乙烯為核的粒子表面上,設置厚度2々仍 的鎳層,並在此鎳層外側,設置著厚度〇〇4#m金層的平 均粒役5 // m之導電粒子),然後依具有剝離性之方式塗布 於,表面處理的聚對苯二曱酸乙二酯(隔板)上,經乾燥形 成厚度20 // m的薄膜狀黏接劑(隔板未圖示)。 才木用如同實施例14的線路板與半導體晶X,在該等電 47 3] 4264(修正版) 1252066 $之間載置著上述黏接膜,並將二電極對位之後,依i8〇 、5MPa(5GkgW)、1G秒的條件進行純加廢。 ^如同實施例14相同的評估,結果顯示著良好的連 = 性⑽Ω^),而且高溫高濕測試 後 亦頒示者優越的連接可靠性。 /如上述’就電極間的導電連接而言,藉由採用㈣可 不如用習知的導電粒子而能獲 - 過一 紹又双低運接電阻’同時即使經 ^咖问濕之後,仍可維持低連接電阻,而且,在面方向 ,顯不著絕緣性。因為聚酞隨施 性變化為導電性,因此對待連接的雷朽千僅夂士而伙絕緣 ^ 行逐接的電極-電極間施加厣力,
便可將其狀態利用黏接劑而進 U U 外,在而Μ “, 俾確保電連接。此 。上相郴的電極與電極之間,因為 力,因此仍維持著絕緣性。當聚 I、 也加【 -中Η月況蚪’在面方向的相鄰電極與電極 被施域力而顯示著絕緣性,譬如 觸未 但因為並未被施加Μ力而未變形,因此顯示=觸: 將產生如同習知將導電粒子使用絕緣物進行包覆= 得相同的效果,而在本申請案 月4 電處理,亦不需要包覆絕緣物,更不:需要;:需施行導 厚均勻性等等優點。 /思絕緣物膜 [產業上可利用性] 依照本發明之由黏接劑與屬於感 所構成之黏接膜,因為可= :酞 』用心妾劑的固定,因此連接步驟極為簡 3】·426·4(修正版) 48 1252066 :力聚合物的聚駄,將隨厚度方向的 細電極ίΓΓ 此可對應電極間距進行高密度高精 聚合物的π便;錯由在電極面上存在著屬於感壓導電 „。Α “ 酞,便可吸收電極高度的不均現象,而可搞狀 早的獲得優越的電極連接構i。 °間 導本發明之表面處理線路板,因為屬於感壓 汽广物的聚酞將具有電極表面; 劑時I: ;! 因此不再需要進行#採用防錢處理 向感壓導雷㈣、/ 外因為聚酞乃屬於厚度方 要採用導電^ 此機能,㈣錢接上並不再需 極的連接子,因此便可極簡單的實施高密度高精細電 【圖式簡單說明】 恶樣的剖面示意 第1圖係本發明之表面處理線路板一 圖。
第2圖係本發明之表面處理線路板_ 第3圖係本發明之表面處理線路板一 第4圖係本發明之表面處理線路板一 態樣的剖面示意 態樣的剖面示意 態樣的剖面示意 —固1…明之連接方法'…剖面示咅圖 肖係本發明之連接構造一態樣的 ; 弟7圖係本發明之連接構造—純的 = 314264(修正版) 49 1252066 第8圖係本發明之黏接膜一態樣的剖面示意圖。 第9圖係本發明之黏接膜一態樣的剖面示意圖。 第10圖係本發明之黏接膜一態樣的剖面示意圖。 第11圖係本發明之黏接膜一態樣的剖面示意圖。 第12圖係本發明之連接構造一態樣的剖面示意圖。 第13圖係本發明之連接構造一態樣的剖面示意圖。 第14圖係本發明之連接構造一態樣的剖面示意圖。 第15圖係本發明之連接構造一態樣的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1及Γ 基板 2及2’ 電極 3 線路板 4 聚酞 5 固定夾具 6 黏接劑 7及7’黏接劑(黏接劑層)8 聚酞(聚酞薄層) 9 貫穿孔 50 314264(修正版)

Claims (1)

1252066 十申巧專利範圍: 1 · 一種電極之連接方法,盆 的至少-部份上介設以切);為.以在相對向電極間 (W川一作為❹(夂;之r 在加麼下加以固定;其令該式:…並將二電極
(I) =(ι):/表二價芳香族烴基或二 基,R]表烷基、氟化烷基1 衣之方香族 係。至4;X表0或N-R3;乳基或画素;R]之數 其中,r3表下述基: β-α.,氧一 2. y表s〇2或⑶、表聚合物之重複單位數。 種聚酞表面處理線路板,其特徵為:在 極所構成的線路板中,至少電極部表面的— ;:;電 成以式⑴表示之㈣而成者;其中該式⑴如。下形
(!) 式(I)中,R表二價芳香族烴基或 之數 彳貝含雜環之芳香族 基;R]表烷基、氟化烷基、烷氧基或㈣;r 、 係〇至4 ; X表〇或N-R3 ; 其中,R3表下述基: 3]4264(修正版) 51 工252〇66 ~~Vj^och3 ___^ v Y 表 S〇,或 . ± 3· 1電極之連接方V:合物之重複單位數。 利範圍第2項之〒酞的;特徵為:使形成有如申請專 他電子組件的電㈣的電極’與其 者突出於基板表面,再電二電極之至少- 電極係利用固之連接方法,其中,二 定者。 疋夹具之機械式方法或黏接劑加以固 5·—種黏接膜,係由黏接 式⑴表示之聚献所構成么= 聚合物之以 ,接劑、自由基硬化系熱硬 及熱可塑性黏接劑所成組群中者、先,黏接劑 -a,
'Cl
(I) f⑴中’R表二價芳香族烴基或二價 基,I表烷基、氟化烷基、烷氧美才衣方曰私 係〇至4 ; X表〇或N_r3 ; 土 3 *,、,Ri之數 其中,r3表下述基 ~〇,
CH-,
kCI 如申 Y表S02或CO ; n表聚八 士 σ物之重複單位數。 I專利範圍第5項之黏接膜, ^ 安胰,其中,聚i太係粉 3] 4264(修正版) 52 1252066 狀並分散於黏接劑中而成者。 ‘由黏接劑層與其 7. 如申請專利範圍第5項之黏接膜 上所形成的聚酞薄層所構成者。 其中,在 酞薄層 8. 如申請專利範圍第7項之黏接膜 的一部份上形成貫穿孔者。 9·種电極之連接方法,其特徵為:以在相對Λ + …項之黏接膜,並將二電極在 至之連接構造,其特徵為:使相對向電極間之 固ΐ:::ΠΓ式⑴表示之聚駄,並使二電極 疋而構成者,其中該式⑴如下:
(I) 弋(1)中,R表二價芳香族烴基- 基u㈣m基、=3^%之芳香族 係。至4;Χ表…-R3;氧基或鹵素;Rl之數 其中’ r3表下述基:
$ ,uCH3% uXI 二IG項之電極之連接構造,其中 I極稭由黏接劑固定。 12·如申請專利範圍第n項 二番k γ < I極之連接構造,苴中 I極係利用如申請專利範Jg Μ ,、 巳㈤弟5項之黏接膜中的 314264(修正版) 53 1252066 接劑加以固定者。 13.如申請專利範圍第10項之電極之連接構造,其中, 二電極係利用固定夹具之機械式方法加以固定而成 者0 54 314264(修正版) 1252066 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(5 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 1及Γ 基板 2及2’ 電極 4 聚酞 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 3] 4264(修正版)
TW092100466A 2002-02-28 2003-01-10 Method for connecting electrodes, surface-treated wiring board and adhesive film used in the method, and electrodes-connected structure TWI252066B (en)

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4499329B2 (ja) 1999-08-25 2010-07-07 日立化成工業株式会社 接着剤、配線端子の接続方法及び配線構造体
US7875688B2 (en) 2004-06-04 2011-01-25 Designer Molecules, Inc. Free-radical curable polyesters and methods for use thereof
FI20041525A (fi) * 2004-11-26 2006-03-17 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
US8043534B2 (en) * 2005-10-21 2011-10-25 Designer Molecules, Inc. Maleimide compositions and methods for use thereof
US7353591B2 (en) * 2006-04-18 2008-04-08 Kinsus Interconnect Technology Corp. Method of manufacturing coreless substrate
CN103360976B (zh) * 2006-04-26 2016-08-03 日立化成株式会社 粘接带及使用其的太阳能电池模块
US7825188B2 (en) * 2006-12-19 2010-11-02 Designer Molecules, Inc. Thermoplastic elastomer with acyloxyphenyl hard block segment
US20100113643A1 (en) * 2007-04-09 2010-05-06 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy adhesive compositions
US8431655B2 (en) 2007-04-09 2013-04-30 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
US7868113B2 (en) 2007-04-11 2011-01-11 Designer Molecules, Inc. Low shrinkage polyester thermosetting resins
WO2008130894A1 (en) 2007-04-16 2008-10-30 Designer Molecules, Inc. Low temperature curing acrylate and maleimide based formulations and methods for use thereof
CN101675484B (zh) 2007-05-09 2012-07-04 日立化成工业株式会社 导电体连接用部件、连接结构和太阳能电池组件
KR101248636B1 (ko) * 2007-05-09 2013-04-01 히타치가세이가부시끼가이샤 도전체의 접속 방법, 도전체 접속용 부재, 접속 구조 및 태양 전지 모듈
KR100902928B1 (ko) * 2007-12-06 2009-06-15 엘지전자 주식회사 연성 필름, 그를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법
WO2010035615A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 日本写真印刷株式会社 感圧センサ
JP5509738B2 (ja) * 2008-09-30 2014-06-04 デクセリアルズ株式会社 アクリル系絶縁性接着剤
US8288591B2 (en) * 2008-11-20 2012-10-16 Designer Molecules, Inc. Curing agents for epoxy resins
CN102550135B (zh) * 2009-07-24 2015-06-17 汉高知识产权控股有限责任公司 连接电极的方法及其所用的粘合组合物
WO2011025307A2 (ko) * 2009-08-28 2011-03-03 주식회사 엘지화학 저온 경화성 감광성 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 드라이 필름
TWI613285B (zh) 2010-09-03 2018-02-01 聖高拜磨料有限公司 粘結的磨料物品及形成方法
EP2700683B1 (en) 2012-08-23 2016-06-08 3M Innovative Properties Company Structural adhesive film
US8940627B2 (en) * 2012-11-19 2015-01-27 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Conductive ink for filling vias
US9102039B2 (en) 2012-12-31 2015-08-11 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Bonded abrasive article and method of grinding
CN104994996B (zh) * 2012-12-31 2017-12-05 圣戈班磨料磨具有限公司 粘结研磨制品和碾磨方法
JP6064058B2 (ja) * 2012-12-31 2017-01-18 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド 結合研磨物品および研削方法
DE112014001102T5 (de) 2013-03-31 2015-11-19 Saint-Gobain Abrasifs Gebundener Schleifartikel und Schleifverfahren
US10334726B1 (en) * 2017-12-14 2019-06-25 Wen Yao Chang Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same
DE102018206632A1 (de) * 2018-04-27 2019-10-31 Tesa Se Latent reaktiver Klebefilm
KR102424347B1 (ko) * 2018-11-06 2022-07-22 삼성전자주식회사 반도체 칩의 접착 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3371128A (en) * 1964-10-06 1968-02-27 Mc Donnell Douglas Corp Lactone polymers derived from 3-ferrocenyl phthalides
JPS51105827A (ja) * 1974-07-23 1976-09-20 Canon Kk Denshishashinkankotai
US4652608A (en) * 1984-12-28 1987-03-24 Chevron Research Company Alkyl substituted phenolphthalein polyarylate polymer and alloy
US4786569A (en) * 1985-09-04 1988-11-22 Ciba-Geigy Corporation Adhesively bonded photostructurable polyimide film
US5494764A (en) * 1992-03-26 1996-02-27 Mitsubishi Paper Mills Limited Method for making printed circuit boards
BE1006640A3 (nl) 1993-01-29 1994-11-03 Dsm Nv Werkwijze voor de bereiding van een polymeer.
BE1008804A3 (nl) 1994-10-14 1996-08-06 Dsm Nv Werkwijze voor de bereiding van een heterocyclisch polymeer.
JPH10298278A (ja) * 1997-04-28 1998-11-10 Fuji Xerox Co Ltd 新規ポリカーボネート樹脂、これを用いた電子写真感光体および電子写真装置
JP3677191B2 (ja) * 1999-03-15 2005-07-27 株式会社東芝 感光性ポリイミド用現像液、ポリイミド膜パターン形成方法、及び電子部品
JP2002241591A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 外部刺激応答材組成物及びフィルム状外部刺激応答材

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