TWI251296B - Method for fabricating semiconductor device capable of preventing damage by wet cleaning process - Google Patents

Description

1251296 九、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種半導體元件之製造方法；尤其是使 用自行對準接觸製程之半導體元件製造方法。 (二） 先前技術 大型積體化的趨勢導致需要在一個限制細胞區域之內 密集形成半導體元件。因此，半導體元件之單位元件的尺 寸’例如，電晶體和電容器，已逐漸減小。尤其，在動態 隨機存取記憶體（D R A Μ)元件中，當設計規則朝向最小化偏 移時，形成在細胞區域內之單位元件的尺寸已被減小。例 如，目前形成之DRAM元件的最小線寬小於〇·1μηι，而且 經常具有小於80nm之線寬。因此，應用傳統的製造方法有 許多困難。 在將使用具有193nm波長之ArF光源的微影製程應用 到具有小於80nm線寬之半導體元件的案例中，需要發展一 種額外的方法，以防止光阻在用以精確形成圖案和垂直蝕 刻縱深之蝕刻製程期間發生變形。 另一方面，半導體元件之積體程度的進步致使元件要 以堆疊方式形成。接觸栓（contact plug)或墊係堆疊結構的 一個範例。 對於接觸栓而言，因爲平台栓接觸（LPC)具有在最小面 積中製作很寬的接觸之底部部分，和比底部部分寬，以增 加接觸邊限之頂部部分，所以其常被使用。

形成LPC需要使用自行對準接觸（SAC)蝕刻製程。SAC 1251296 蝕刻製程係一種藉由沿著具有特定蝕刻選 執行蝕刻製程，形成接觸之方法。一般而 程使用介於氮化物和氧化物之間的蝕刻選 最近大型積體化和設計規則最小化之 案，如閘極電極之間的距離減少，但是， 反而增加。結果，表示導電圖案的高度對 比之外觀比就逐漸增加。 因此，需要發展一種方法，用以塡滿 之導電圖案間所產生的空白空間。例如， 璃（BPSG)，因爲BPSG具有良好的空隙塡 因爲BPSG需要在高於800 °C之溫度下作S 以含有BPSG擴散進入橫向側之問題。 爲了解決上述問題，發展一*種方法， 緣層之流動塡滿製程。可流動絕緣層之範 層（APL)和又稱爲旋佈介電質（SOD)層之旋 對於SOG層而言，基本上係要透過在 7 〇 〇 °C之溫度的固化製程密化S 0 G層。但| 部分並未完全密化，因此很容易受到接觸 執行之濕式淸洗製程的影響。 此問題將參考附圖詳細說明。 第1A圖和第1B圖爲比較各在SAC^ 得到之傳統B P S G層和傳統s 0 G層的剖面 鏡（SEM)照片。 尤其，第1 A圖爲形成當作第一層間 擇比之底部結構 言，S A C蝕刻製 擇比。 趨勢係使導電圖 導電圖案的厚度 導電圖案的寬度 在具有高外觀比 採用硼磷矽酸玻 滿特性。但是， ί熱流動製程，所 係採用可流動絕 例有先進平坦化 佈玻璃（SOG)。 範圍從6 0 0 °C到 I S 0 G層的底部 形成製程之後所 [刻製程之後，所 掃瞄式電子顯微 絕緣層I L D 1之 1251296 B P S G層的剖面圖，而第1 B圖爲形成當作第二層間絕 ILD2之SOG層的剖面圖。此外，第1 A僵和第1B圖 別圖示在S A C蝕刻製程之後所形成的接觸孔洞c 1和 第2A圖和第2B圖爲比較在SAC触刻製程之後又 濕式淸洗製程之後，傳統B P S G層和傳統S 0 G層的橫 SEM照片。 尤其，第2 A圖爲第1 A圖之傳統B P S G層沿著線 所取之橫截面圖。如圖所示，在經歷過使用氧化緩衝 液（Β Ο E)之濕式淸洗製程之後，並沒有觀察到當作第一 絕緣層I L D 1之B P S G層有受到損傷。在此，在S A C 製程之後跟隨著濕式淸洗製程，以確保接觸底面積的 尺寸（CD)和移除蝕刻殘留物。 第2B圖爲第1B圖之傳統SOG層沿著線B-B’所 橫截面圖。如圖所示，在經歷過濕式淸洗製程之後， 底部部分並未完全密化，所以只有部分固化之第二層 緣層ILD2，即SOG層，的底部部分很容易受到損傷。 符號A表示在經歷濕式淸洗製程之後所產生的損傷。 ，S 0 G層的頂部部分幾乎原封不動。可以完全固化之 層的厚度T爲4 0 0 〇 A。 第3 A圖和第3 B圖爲比較在栓形成製程之後所得 傳統B P S G層和傳統s 0 G層的剖面S E Μ照片。 尤其，第3Α圖爲用以當作第一層間絕緣層ILD1 統B P S G層的剖面圖。導電層，如多晶矽層，被沉積 含藉由蝕刻層間絕緣層I L D 1形成之接觸孔洞的基板 緣層 也分 C2 〇 執行 截面 A-Α， 蝕刻 層間 蝕刻 臨界 取之 因爲 間絕 參考 但是 SOG 到之 之傳 在包 結構 1251296 上，然後施以化學機械硏磨（CMP)製程。根據此CMP製程 ，會形成許多栓P 1。在採用B p s G層當作第一層間絕緣層 I L D 1之案例中，因爲第一層間絕緣層I L D 1不會受到濕式 淸洗製程的影響，所以沒有栓P 1之間短路和絕緣性質退化 的問題。 第3B圖爲用以當作第二層間絕緣層ILD2之傳統SOG 層的剖面圖。如圖所示，第二層間絕緣層IL D 2，即S 0 G 層，的底部部分會因濕式淸洗製程而受到損傷，而此第二 層間絕緣層IL D 2之底部部分的損傷部，會使位在栓P 2之 間之第二層間絕緣層ILD2的絕緣性質退化。若此損傷變得 更嚴重，則栓P 2之間會有短路的問題。 因此，因爲受限於增加到某厚度之S 0 G層的固化會產 生密化差異，所以需要發展一種方法，用以防止層間絕緣 層，如S 0 G層，因濕式淸洗製程而受到損傷。 (三）發明內容 因此，本發明之目的係提供一種半導體元件之製造方 法，其能夠防止層間絕緣層在經歷濕式淸洗製程時受到損 傷，此損傷係由於施以固化製程之S 0G層會因厚度而產生 密化差異。 根據本發明之一方向，本發明提供一種半導體元件之 製造方法，其中包含下列步驟：在基板上形成許多導電結 構；然後在許多導電結構形成鈾刻停止層和可流動絕緣層 ;在可流動絕緣層上形成光阻圖案；藉由使用光阻圖案當 作蝕刻遮罩，蝕刻可流動絕緣層，而形成許多接觸孔洞， 1251296 因此會曝露出部分的蝕刻停止層；在接觸孔洞上形成至少 一個障壁層；移除該至少一個障壁層和位在接觸孔洞的各 底部之飽刻停止層，因此曝露出基板；及淸洗接觸孔洞。 (四）實施方式 下面，將參考附圖詳細說明根據本發明優選實施例之 丰導體兀件製造方法，其能夠防止因濕式淸洗製程所造成 的損傷。 第 4圖爲在自行對準接觸（SAC)鈾刻製程之後所得到 之半導體兀件的佈局圖。 如圖所示，有許多閘極電極G 1到G 5以很均勻的距離 排列。在交越閘極結構G 1到G 5的方向上，藉由以T之形 式排列一組接觸孔洞C 1到C 1 7，形成許多T型平台栓LP 1 到L P 7。在此，從L P 1到L P 7之參考數字分別表示第一到 第七平台栓。第一到第七平台栓LP1到LP7的每一個都包 含了 3個接觸孔洞。例如，在第一平台栓LP1中，用於儲 存節點接觸之接觸孔洞以C 1和C 4表示’而用於位元線接 觸之接觸孔洞以C 1 3表示。換言之，參考數字C 1到C 1 2 表示用於儲存節點接觸之接觸孔洞，而參考符號c 1 3到C 1 7 表示用於位元線接觸之接觸孔洞。 另一方面，雖然沒有圖示，但是層間絕緣層係形成在 於第一到第七平台栓L P 1到L P 7的每一個兩兩之間之閘極 結構G1到G 5上。 下面，將參考圖示沿著第4圖之線A-A’和線B-B’的方 向所取之橫截面圖的第5 A圖到第5 E圖，提供用以形成半 1251296 導體元件之方法的詳細說明。 第5 A圖到第5 E圖爲根據本發明優選實施例之半導體 元件製造方法的橫截面圖。雖然本發明之優選實施例舉的 是用以形成平台栓接觸之接觸孔洞的範例，但是此接觸孔 洞可以採用用以形成金屬導線接觸，位元線接觸或接觸雜 質接面區，如源極/汲極接面之電容器的儲存節點接觸，及 用以形成接觸墊之其他方法。此外，閘極結構G 1到G 5採 用相同的參考符號。 參考第5 A圖，藉由在提供各種不同的元件構件之基板 5 〇上堆疊閘極硬式遮罩5 3、閘極導電層5 2和閘極絕緣層 5 1 ’形成許多聞極結構G 2到G 5。 閘極絕緣層5 1係由氧化物系材料製成的，如二氧化矽 。聞極導電層52係由選擇自由多晶矽、鎢（w)、氮化鎢（WNX) 、矽化鎢（WSix)所組成之組群的材料製成的。此外，也可 能藉由使用這些列出的材料之組合材料形成閘極導電層5 2 〇 閘極硬式遮罩5 3係要在藉由蝕刻後續將要形成的層 間絕緣層形成接觸孔洞之製程期間，防止閘極導電層5 2受 到傷害。因此，閘極硬式遮罩5 3係由對層間絕緣層具有特 定蝕刻選擇比之材料製成的。例如，若層間絕緣層係由氧 化物系材料製成的，則閘極硬式遮罩5 3係由氮化物系材料 製成的’如氮化矽（S i N )或氮氧化矽（s i 〇 N )。若層間絕緣層 係由聚合物系低介電質材料製成的，則閘極硬式遮罩5 3係 由氧化物系材料製成的。 -10- 1251296 雖然並未圖示，但是位在閘極結構G2到G5的每一個 兩兩之間之基板5 0，有形成雜質擴散區，如源極/汲極接面 〇 在此特別說明雜質擴散區的形成，首先，透過對準閘 極結構G2到G5執行離子佈植製程，先將雜質植入基板5 0 。在閘極結構G2到G5的側壁上形成許多間隔層。然後， 執行另一離子佈植製程，形成輕摻雜汲極（LDD)結構。在此 ，更詳細說明用於形成LDD結構和雜質擴散區之各個離子 佈植製程，而省略說明間隔層形成製程。 其次，在上述結果的結構之整個表面上，形成蝕刻停 止層5 4。在此，蝕刻停止層5 4扮演防止基板5 0在後續的 S A C蝕刻製程期間受到損傷之角色。此時，最好沿著包含 閘極結構G2到G5之縱深形成蝕刻停止層54。此外，蝕刻 停止層5 4係由氮化物系材料製成的，如氮化矽或氮氧化矽 〇 但是，每一個閘極結構G2到G5都具有很大的外觀比 ，所以要形成在閘極結構G2到G5之間之材料的空隙塡滿 特性就會變差。因此，採用可流動絕緣層5 5，以改善要形 成在閘極結構G 2到G 5之間之蝕刻停止層5 4上之材料的 空隙塡滿特性。可流動絕緣層55可以是旋佈玻璃（SO G)層 或先進平坦化層（APL)。 在採用S 0 G層當作可流動絕緣層5 5之案例中，S 0 D 層典型使用具有分子重量範圍約爲1000am u到1〇, 〇〇〇amil 之矽烷系材料。矽烷具有-(S i R 1 R 2 R 3 ) η -之結構式，而且分 1251296 成功能群R1、R2和R3都有氫的過氫聚矽烷’及 R 1 .、R 2和R 3係個別有機原子群，如具有約1到8 烷基、芳基和羥基，之有機聚矽烷。 此外，將一定重量百分比的聚矽烷含在有機溶 如二丁醚、甲苯或二甲苯，也可以用以當作塗佈材 般而言，通常被稱爲聚矽烷之S 0 G，較之矽氧烷系 如矽酸鹽和矽倍半氧烷，可應用於高熱處理。因此 S 0 G可能可以安全地應用固化製程，以改善對濕5 淸洗製程的容許度。此外，S 0 G層的製程，比氫矽 烷（HSQ)層更容易應用。 S 0 G層的厚度可以藉由改變溶解在聚矽烷溶液 體重量比和塗佈製程所使用之旋佈機的速度控制。 將旋佈機的旋轉數控制在每分鐘數百到數千轉之下 約含2 0 %重量之固體聚矽烷的二丁醚溶液，直到得 層的厚度約爲5 0 0 0 A。 在塗佈聚矽烷之後，透過烘烤製程除去溶劑。 程係在溫度範圍約從8 0 °C到3 5 0 °C下執行之預烤製 溫度約爲400 °C下執行之硬烤，或其組合的其中之 外，烘烤製程使二甲苯和其他組成，如氮和氫，以 S Ο G層排出。 在約7 0 0 C之溫度下執行熱處理約1 〇到6 〇分 排出其他成份，然後’在約6 0 0 °C到7 0 〇 之溫度範 ί了用以形成氧化政層之固化製程約1 〇分鐘到1小時 ’固化製程係在供應氣體之氧化環境下進行，因此 功能群 個碳之 劑中， 料。—^ 材料， ，上述 式製程/ 倍半氧 中之固 例如， ，塗佈 到SOG 烘烤製 程，在 一。此 氣態自 鐘，以 圍下執 ε。在此 ，使得 -12- 1251296 塗佈的聚矽烷除了矽以外之有機成份和其他成份排出’然 後藉由供應的氧形成氧化矽層。重覆此固化製程至少再多 1到2次。此時，氣體環境之範例爲可以單獨使用或組合 使用之水（H20)、氧氣（02)、氮氣（N2)、氫氣（H2)和笑氣（N2〇) 〇 在使用APL層當作可流動絕緣層55之案例中，APL 層係以三個不同的步驟形成。此時，使用矽烷（SiH4)和過 氧化氫（H2 02 )當作來源氣體。 在形成APL層的第一步驟中，用電漿處理基板結構的 底部部分，以增進APL層的黏著性和流動特性。此時，此 電漿處理係在供應N20氣體或N2氣體之電漿輔助式化學氣 相沉積（P E C V D )腔體中進行。此外，p e c V D腔體壓力保持 在約4 0 0 m T 〇 r r，而功率約爲5 0 0 W。 在第二步驟中，根據AP L層的空隙塡滿和自行平坦化 特性’在基板結構上沉積A P L層。此沉積製程係在使用s i η 4 和Η2〇2的來源氣體之低壓（LP)-Cvd腔體中進行。這些來 源氣體彼此相互反應形成APL層，其中氫氣群被附著在氧 化矽中。此反應式如下：

SiH4 + H202 —Si(〇H)4 — SiOxHy (式 1) 在第二步驟中，在SiH4、％〇和/或％的氣氛中執行 爐管退火製程，以自氧化矽中除去空氣群，因此完成ApL 層的形成。

參考第5B圖，藉由執行旋轉塗佈法，在上述結果的結 構上塗佈一光阻。藉由採用微影製程裝置，如KrF、ArF 1251296 或F2裝置，和用以界定接觸孔洞的寬度之預定 示），選擇性曝光光阻的預定部分。之後，進行！ 使曝光部分或未曝光部分保留下來，然後執行养 以移除蝕刻殘留物。在曝光和顯影製程之後，形 成平台栓接觸（LPC)之光阻圖案56。 在形成光阻圖案5 6之前，可以在可流動絕緣 抗反射塗層（ARC)。ARC層可以防止由於可流動 高反射率所造成之散射，導致形成不想要的圖案 光阻圖案5 6與可流動絕緣層之黏著性。ARC層係 光阻圖案5 6類似蝕刻特性之有機系材料製成的^ 在可流動絕緣層和光阻圖案5 6之間，或在可 層和ARC層之間，也可以形成硬式遮罩。此時， 可以由如氮化物系絕緣材料之材料，或如鎢和多 電材料製成。 其次，藉由使用光阻圖案5 6當作蝕刻遮罩， 蝕刻製程，蝕刻可流動絕緣層，因而得到製成圖 動絕緣層55A。根據此SAC蝕刻製程，形成曝露 結構G2到G5的每一個兩兩之間之預定位置的許 洞57。此時，藉由採用SAC蝕刻製程之典型配方 圖案的可流動絕緣層5 5 A。換言之，主要是與額 氣體，如He、Ne或Ar，一起使用如CF4、C4F c Η2 F 2或C 5 F 8這樣的氣體。在S A C蝕刻製程之核 阻圖案5 6。 參考第5C圖，藉由採用具有較差步級覆蓋特 網線（未圖 質影製程， 洗製程， 成用以形 :層上形成 絕緣層的 ，以改善 由具有和 ) 流動絕緣 硬式遮罩 晶矽之導 執行S A C 案的可流 位在閘極 多接觸孔 得到製成 外的承載 6、C 4 F 8、 :，移除光 性之電漿 -14- 1251296 輔助式化學氣相沉積（p E C V D )，在上述結果的結構上，形 成由氮化物系材料製成之第一障壁層5 8和由氧化物系材 料製成製成之第二障壁層59。此時，沉積之第一障壁層58 和第二障壁層5 9，在接觸孔洞5 7底部部分的厚度薄於在 閘極結構G2到G5頂部部分的厚度。在此，形成之第一障 壁層5 8具有範圍約從2 Ο A到1 5 Ο A之厚度。 參考第5 D圖，將示於第5 C圖之蝕刻停止層5 4、第一 障壁層5 8和第二障壁層5 9施以連續的整體鈾刻製程，直 到位在閘極結構G2到G5的每一個兩兩之間之基板5 0的 雜質擴散區曝露出來。在整體蝕刻製程期間，位在接觸孔 洞5 7的每一個底部部分之部分的蝕刻停止層5 4的第一障 壁層5 8被移除，因此得到剩餘的蝕刻停止層5 4 A和剩餘的 第一障壁層5 8 A。 尤其，位在閘極結構G2到G5的每一側側壁上之剩餘 蝕刻停止層5 4 A和剩餘第一障壁層5 8 A的部分，都會變成 閘極結構G2到G5的間隔層。此外，在整體蝕刻製程之後 剩餘的第二障壁層以參考數字5 9 A表示。 在整體蝕刻製程之後，使用淸洗溶液，如氧化物緩衝 蝕刻液（BOE)和氫氟酸（HF)，執行濕式淸洗製程，以移除 SAC飩刻製程和整體蝕刻製程之後剩餘的蝕刻殘留物，及 確保接觸孔洞5 7的每一個底部部分之臨界尺寸（CD)。此時 ，最好使用約以1比50到5 0 0比例之水稀釋的HF溶液。 但是，因爲剩餘第一障壁層58A和剩餘第二障壁層59A 覆蓋製成圖案的可流動絕緣層5 5 A之側壁和頂部部分，所 -15- 1251296 以在上述之濕式淸洗製程期間，不會損傷製成圖案的可流 動絕緣層5 5 A。 參考第5E圖，將用以形成多栓之導電材料完全塡入接 觸孔涧57，然後執行化學機械硏磨（CMP)製程，直到曝露 出每一個鬧極硬式遮罩53。在CMP製程之後，形成許多栓 60 ’其可以電性連接各個雜質擴散區。 在執行CMP製程之前，要對用以形成栓60之導電材 料施以回餘刻，以減緩元件構件在細胞區和週邊電路區之 間的高度差，使C Μ P製程可以很容易應用。 導電材料典型爲多晶矽，而且可以在其上堆疊障壁金 屬層，如鈦（Ti)和氮化鈦（TiN)。其也有可能會採用鎢（W) 當作導電材料。最近，選擇性磊晶成長（S E G)法也常被用以 形成栓6 0。 根據本發明之優選實施例，先對由S 〇 G層製成之可流 動層間絕緣層執行SAC蝕刻製程，或形成APL層，然後在 藉由採用提供較差步級覆蓋特性的沉積法，如PECVD，形 成第一和第二障壁層之後，移除蝕刻停止層。之後，進行 濕式淸洗製程，以完成接觸開口製程。 根據本發明之優選實施例，因爲可流動層間絕緣層的 側壁和頂邰邰分有用第一和第二障壁層覆蓋，所以可以防 止可流動層間絕緣層在經歷濕式淸洗製程時受到損傷。結 果’可以減少不良品的產生，還可改善半導體元件的良率 〇 雖然本發明之優選實施例舉的是使用T型光阻圖案之 -16- 1251296 s a C蝕刻製程的範例，但是s A C蝕刻製程仍有可能使用線 型或洞型光阻圖案。此外，除了在閘極結構之間之接觸開 口製程之外，也可以將S A C蝕刻製程應用到位元線開口製 程’即儲存節點接觸孔洞形成製程，及通路接觸形成製程 〇 本申請書包含在2003年10月2日向韓國專利局申請 之韓國專利申請書第KR 2 0 0 3 - 00 6 8 702號相關之內容，在 此全部都納入參考。 本發明已參考特定優選實施例詳細說明，那些熟悉此 項技術之人士所做之各種不同的變化例和修正例，明顯將 不脫離本發明在後面申請專利範圍中所界定之精神和範圍 〇 (五）圖式簡單說明 根據下面參考相關附圖之優選實施例的說明，本發明 上述的和其他的目的與特徵將會變得更淸楚，其中： 第1A圖爲在自行對準接觸（SAC)蝕刻製程之後，所得 到之傳統硼磷矽酸玻璃（BPSG)層的剖面掃瞄式電子顯微鏡 (SEM)照片。 第1 B圖爲在S A C蝕刻製程之後所得到之傳統旋佈玻 璃（SOG)層的剖面SEM照片。 第2A圖爲在SAC蝕刻製程和濕式淸洗製程之後所得 到之傳統B P S G層的橫截面S EM照片。 第2B圖爲在SAC蝕刻製程和濕式淸洗製程之後所得 到之傳統S Ο G層的橫截面S E Μ照片。 1251296 第3 A圖爲在栓形成製程之後所得到之傳統b p s G層的 剖面SEM照片。 第3 B圖爲在栓形成製程之後所得到之傳統S 0 G層的 剖面S E Μ照片。 第4圖爲根據本發明優選實施例，在用以形成平台栓 接觸之S A C蝕刻製程之後所得到之半導體元件的佈局圖。 第5 A圖到第5 E圖爲根據本發明優選實施例’用以形 成半導體元件之方法的橫截面圖。 主要元件符號說明 50 基 板 5 1 閘 極 絕 緣 層 52 閘 極 導 電 層 53 閘 極 硬 式 遮 罩 54 蝕 刻 停 止 層 5 5 可 流 動 絕 緣 層 55 A 製 成 圖 案 的 可 流動絕緣層 56 光 阻 圖 案 57 接 觸 孔 洞 58 第 — 障 壁 層 58A 剩 餘 第 — 障 壁 層 59 第 二 障 壁 層 59A 剩 餘 第 二 障 壁 層 60 栓 G 1 〜G 5 閘 極 電 極 -18-

Claims (1)

1251296 十、申請專利範圍： 1 . 一種半導體兀件之製造方法，包含下列步驟： 在基板上形成許多導電結構； 然後在許多導電結構上形成蝕刻停止層和可流動絕 緣層； 在可流動絕緣層上形成光阻圖案； 藉由使用光阻圖案當作蝕刻遮罩，蝕刻可流動絕緣 層，而形成許多接觸孔洞，因此會曝露出部分的蝕刻停 止層； 在接觸孔洞上形成至少一*個障壁層； 移除該至少一個障壁層和位在接觸孔洞的各底部之 蝕刻停止層，藉以曝露出基板；及 淸洗接觸孔洞。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中形成至少一個障壁 層之步驟包含下列步驟： 在接觸孔洞上形成由氮化物系材料製$ 2 ^ 層；及 在第一障壁層上形成由氧化物系材料製成之第二障 壁層。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中第一障壁層和第二 障壁層係採用電漿輔助式化學氣相沉積（PECVD)i£ _ $ 〇 4 .如申請專利範圍第2項之方法，其中第一障壁層具有範 圍約從2 0 A到1 5 0 A之厚度。 -19- 1251296 5 .如申請專利範圍第1項之方法，在淸洗接觸孔洞的步驟 之後’還包含形成各自電性連接曝露基板之許多栓的步 驟。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中形成許多栓的步驟 包含下列步驟： 形成電性連接曝露基板之導電材料； 藉由執行回蝕刻製程，移除部分的導電材料；及 形成許多栓。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中形成導電材料的步 驟係採用將導電材料沉積進入許多接觸孔洞之沉積法進 行。 8 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中形成導電材料的步 驟係採用自曝露基板成長栓材料之選擇性磊晶成長法進 行。 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中光阻圖案具有自T 型、線型和孔洞型當中選擇之型式。 1 〇 .如申請專利範圍第1項之方法，其中導電結構係用以形 成閘極結構之圖案。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中導電結構係用以形 成位元線結構之圖案。 1 2 _如申請專利範圍第1項之方法，其中導電結構係用以形 成金屬線之圖案。 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中形成許多接觸孔洞 的步驟係採用自行對準蝕刻製程進行1 ° -20- 1251296 1 4 .如申請專利範圍第！項之方法’其中移除蝕刻停止層的 步驟係藉由執行整體蝕刻製程進行。 1 5 .如申請專利範圍第丨項之方法，其中可流動絕緣層係旋 佈玻璃（S 0 G )層。 1 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中可流動絕緣層係先 進平坦化層（APL)。 1 7 .如申請專利範圍第i 5項之方法，其中若可流動絕緣層係 SOG層，則形成可流動絕緣層的步驟包含下列步驟： 形成S 0 G層；及 固化S 0 G層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之方法，其中固化係在約從60 (TC 到7 00°C的溫度範圍下，在選擇自由水（H20)、氧氣（02) 、氮氣（N2)、氫氣（H2)和笑氣（N20)組成之組群的氣體環 境下進行約1 〇至6 0分鐘。 -21-