JPH0685171A - パターン形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】有機物を形成した後、多結晶Ｓｉを全面に堆積
し、さらにレジストを塗布してパターニングした後、一
旦多結晶Ｓｉにパターンを転写し、さらに有機物にパタ
ーンを転写し、有機物表面に多結晶Ｓｉを残した状態で
下地絶縁膜をエッチングする。 【効果】有機物表面を多結晶Ｓｉで被覆してあるので下
地絶縁物のエッチング時に有機物自身がエッチングされ
形状不良となることを防止できるので、垂直な多結晶Ｓ
ｉの衝立形成が可能となり、例えばＤＲＡＭ用キャパシ
ター電極などを簡便な工程で且つ制御性よく形成でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係わり、特に製造工程の簡略化とプロセスマージンの
向上に有益な、有機物を用いた半導体装置の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ダイナミック型ランダムアクセスメモリ
ー（ＤＲＡＭ）に代表される半導体装置は、大容量化の
要求を満たすためにそれを構成する個々の要素デバイス
をより微細に形成するための微細加工技術の開発が不可
欠となっている。具体的にはリソグラフィーとドライエ
ッチング技術の高精度化が重要な課題となっているが、
特に後者については複雑な構造の中でエッチングを行な
う必要があり、異種材料間のエッチング速度の選択性確
保が極めて困難になってきている。この点に鑑み、無機
物に対してほぼ無限大の選択性を持って加工や除去が可
能な有機物を利用する方法が特開平3−150870 号公報に
述べられている。具体的には、有機物のパターンを形成
した後、それを除去することなくその上に直接無機物で
ある多結晶Ｓｉを形成して半導体製造工程に利用する方
法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、以
下の点について問題があった。

【０００４】パターニングした有機物は、多結晶Ｓｉ
形成時の熱処理によって収縮しパターンの歪みが生じ
る。その様子を模式的に示した図１を用いてこの問題に
ついて説明する。

【０００５】Ｓｉ基板１０１上に感光性を有する有機物
を形成し、通常のホトリソグラフィーにより複数のホー
ルを有する有機物のパターン１０２を形成した状態を図
１（ａ）に示した。

【０００６】この状態で多結晶Ｓｉを形成する条件で熱
処理した結果を図１（ｂ）に示した。パターンが収縮
し、端部に近いほど側壁が傾斜してしまいホールの形状
が歪むことが明らかとなった。この歪は、パターンの大
きさに依存しており幅が１μｍ以下の小さいパターンで
は問題にならないが、それより大きなパターンでは大き
くなるほど側壁傾斜も顕著となる。このパターン傾斜は
その後の微細加工を著しく困難にする原因となる。

【０００７】有機物をエッチングのマスクとして下地
材料をドライエッチングした場合、そのドライエッチン
グによってマスクの一部もエッチングされ形状が変化す
る。そのため、最終的に微細加工が困難になる問題が発
生する。図２および図３を用い、この問題について具体
的に説明する。図２および図３は、Ｓｉ基板表面に形成
したＳｉＯ₂ 膜に開孔を設け、その開孔を介してＳｉ基
板上にＳｉの衝立を形成する場合の一連の概略工程を示
している。

【０００８】まず、Ｓｉ基板２０１表面の所定の領域に
不純物拡散層２０２を形成した後、ＳｉＯ₂ ２０３を全
面に堆積し、さらに有機物２０４のパターンを形成した
（図２ａ）。この状態で有機物２０４をマスクとしてＳ
ｉＯ₂ ２０３をドライエッチングし、開孔を設けた（図
２ｂ）。この時マスクとして用いた有機物２０４の肩の
部分もエッチングされ、側壁に傾斜が生じる。この傾斜
が後で問題となる。次に多結晶Ｓｉ２０５を全面に堆積
し、さらに有機物２０６を全面に塗布形成する。その有
機物２０６を全面エッチバックし、溝内にのみ有機物２
０６を残存させる（図２ｃ）。この状態で表面に露出し
た多結晶Ｓｉ２０５をエッチングする（図３ａ）。酸素
プラズマにより、有機物２０４および２０６を除去する
（図３ｂ）。その後、例えば多結晶Ｓｉ２０７を全面に
堆積すると、衝立の多結晶Ｓｉ２０５が傾斜しているた
め段差被覆性に優れた多結晶Ｓｉ２０７でさえ衝立の間
の空間を充填することが出来ず、空洞２０８が生じる。
また、端部の衝立においてはオーバーハング２０９が生
じる（図３ｃ）。これらの空洞やオーバーハングは、製
造歩留まりを著しく低下させる原因となる。

【０００９】本発明の目的は、多結晶Ｓｉを形成しても
有機物のパターンが歪まない方法を提供するとともに、
有機物をマスクとして下地材料をエッチングしても有機
物自身に変形が生じないようにすることによって、信頼
性の高い、有機物を用いた半導体装置の製造方法を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、有機物を形成した後パターニングする前に所望の無
機薄膜を形成するのに必要な温度で予め熱処理するよう
にした。また、熱処理した後全面にＳｉ薄膜を形成する
ようにした。

【００１１】

【作用】有機物を形成した後、その表面に無機薄膜を形
成するのに必要な温度で予め行なう熱処理は、有機物中
に含まれる、その温度での脱ガス成分を有機物中から脱
気させる働きをする。すなわち、パターン形成前に熱処
理を加え、耐熱性を向上させた上でパターニングを行な
うことにより、そのパターニングされた有機物は無機薄
膜形成時の温度にたいして充分な耐熱性を有しており、
パターンが変形することがない。また、熱処理した後全
面に形成するＳｉ薄膜は、３層レジスト法に用いる上層
感光性レジスト，中間層，有機物（下層レジスト）のう
ち中間層として用いることが可能で有機物へのパターン
転写に寄与する。さらに、有機物へのパターン転写後も
Ｓｉ薄膜を除去せずに残したまま有機物の下地材料とな
るＳｉＯ₂ やＳｉ窒化膜などのドライエッチングを行な
うことによりＳｉ薄膜をドライエッチングのマスクとし
て用いることができるので有機物に変形をもたらすこと
がない。

【００１２】

【実施例】〈実施例１〉最初に、ＤＲＡＭ用のキャパシ
ターを構成する電極を想定したＳｉの衝立をＳｉ基板上
に形成する方法について図４，図５，図６を用いて説明
する。ｐ型，１０ΩcmのＳｉ基板３０１表面の所定の領
域にイオン打込み法を用いてｎ型不純物拡散層３０２を
形成した。Ｓｉ基板３０１表面に予め形成してあったＳ
ｉＯ₂膜を一旦除去した後、低圧化学気相堆積法（ＬＰ
ＣＶＤ）により厚さ３００ｎｍのＳｉＯ₂ ３０３を形成
した。その後、厚さ８００ｎｍの有機物３０４を回転塗
布法により形成した。本実施例では有機物として日立化
成社製のＰＩＱ（ポリイミド樹脂：タイプＰｉｘ−Ｌ１
１０）を用いた（図４ａ）。

【００１３】次に本発明の趣旨である有機物の熱処理お
よびＳｉ薄膜の形成を行なった。室温状態のＳｉ薄膜形
成装置にＳｉ基板を挿入した後、装置内を一旦０.８Ｐ
ａ まで真空排気した。その後Ｎ₂ を導入して１３０Ｐ
ａに圧力を維持した状態で600℃まで昇温し、その状態
で２０分間熱処理した。本実施例では、室温状態でＳｉ
基板の挿入を行なったが、本質は、有機物から空気中の
酸素を遮蔽した状態で所定の温度まで昇温することであ
り、このような機構を備えた装置を用いた場合には６０
０℃の装置内に直接挿入しても何ら問題は生じなかっ
た。また、熱処理時間は有機物の材質や膜厚によって変
化させうるが、本実施例の場合では、少なくとも１０分
間は必要であった。上記熱処理を終了した後、引き続き
Ｎ₂ からＳｉＨ₄(モノシラン）にガスを変換して、熱処
理した有機物上に厚さ１００ｎｍの多結晶Ｓｉ３０５を
堆積した（図４ｂ）。

【００１４】次に感光性を有するレジスト３０６を厚さ
が６００ｎｍになるように回転塗布法により形成し、周
知のリソグラフィ技術により所定のパターンを形成した
（図４ｃ）。

【００１５】次にレジスト３０６をマスクとして多結晶
Ｓｉ３０５を異方性ドライエッチングしパターンの転写
を行なった（図５ａ）。

【００１６】さらにその状態で有機物３０４を異方性ド
ライエッチングしパターン転写を行なった。この有機物
へのパターン転写は、周知のように酸素含有雰囲気で行
なうためレジスト３０６はエッチングされて消滅する
が、多結晶Ｓｉ３０５は酸素ではエッチングされないた
め残存する（図５ｂ）。

【００１７】次に多結晶Ｓｉ３０５を残したまま下地材
料となるＳｉＯ₂ ３０３を異方性ドライエッチングし
た。従来の所謂多層レジスト法によるパターン転写では
多結晶Ｓｉ３０５の代わりにＳＯＧ（回転塗布ガラス）
等のＳｉＯ₂ 系材料が用いられる。そのため下地材料と
なるＳｉＯ₂ をエッチングしている間にＳＯＧが消滅し
てしまい、有機物３０４の表面が露出し、結果的には有
機物３０４の側壁に傾斜のついた形状しか得られなくな
る。本発明ではこの問題を回避するために多結晶Ｓｉを
用いることをひとつの主旨としており、その結果ＳｉＯ
₂ とのエッチング速度の選択性を確保することが可能と
なり、有機物表面に多結晶Ｓｉを残存させることができ
るため、有機物３０４に形状不良が生じることはなかっ
た(図５ｃ)。

【００１８】次に、露出した不純物拡散層３０２表面の
清浄化を図るため通常の湿式洗浄を施した後、多結晶Ｓ
ｉ３０５の形成時と同様に空気を遮蔽した状態で薄膜形
成装置内に挿入し、厚さ１００ｎｍの多結晶Ｓｉ３０７
を堆積した。堆積した後走査型電子顕微鏡により詳細に
パターンを観察したが、従来技術の項で述べたような有
機物の収縮に起因した形状不良は全く生じていなかっ
た。なお、多結晶Si307の形成においてはＳｉＨ₄に加え
てＰＨ₃（ホスフィン）を同時に流し、膜中にリンを含
有する多結晶Ｓｉとなるようにした。本実施例では上記
ガスの組合せを用いたが、Ｓｉ₂Ｈ₆（ジシラン）とＰＨ
₃ の組合せなどであっても良い。また、通常の多結晶Ｓ
ｉを形成した後に周知のイオン打込み法を用いて不純物
を含有させても良い（図６ａ）。

【００１９】次に、回転塗布法により第二の有機物３０
８を全面に形成した後ドライエッチングにより全面エッ
チバックし溝内にのみ有機物３０８を残存させた。本実
施例では有機物３０８として通常のリソグラフィーに用
いられるポジ型ホトレジストを用いたが、基本的には回
転塗布法によって形成できる有機物であれば問題なく使
用することができる（図６ｂ）。

【００２０】次に、異方性ドライエッチングにより露出
した多結晶Ｓｉ３０７をエッチング除去した。このエッ
チングにより、有機物３０４の加工のマスクとして用い
た多結晶Ｓｉ３０５も同時にエッチング除去する（図６
ｃ）。

【００２１】次に、Ｏ₂ プラズマにより有機物３０４お
よび３０８をエッチング除去し、Ｓｉの衝立を形成した
（図６ｄ）。

【００２２】本実施例によれば、有機物をパターニング
する前に予め充分熱処理し、かつその有機物の加工のマ
スクとしてＳｉ膜を用いることにより有機物自身の変形
を防止することができるので垂直なＳｉの衝立を形成で
きる効果がある。また有機物の加工のマスクとして用い
るＳｉ薄膜に不純物を含有させることにより導電性を持
たせることが可能となり、電子線描画リソグラフィーで
問題となるチャージアップ現象を回避することができ、
微細加工を実現できる効果がある。

【００２３】〈実施例２〉実施例１では有機物を用いて
Ｓｉの衝立を形成する方法について述べた。本実施例で
は同様の方法によりＳｉのプラグを形成する例について
図７および図８を用いて説明する。

【００２４】所定の領域にｎ型の不純物拡散層４０２が
形成されたｐ型Ｓｉ基板４０１上に厚さ３００ｎｍのＳ
ｉＯ₂ ４０３を形成した後、ＰＩＱからなる厚さ８００
ｎｍの有機物４０４を形成し、実施例１と同じ熱処理を
施した後、厚さ１００ｎｍのＳｉ膜を形成し、さらに感
光性レジスト４０６を形成した。続いてレジスト406に
所定のパターンを形成し、それをマスクとしてＳｉ膜４
０５にパターン転写を行なった（図７ａ）。

【００２５】さらに有機物４０４にパターン転写を行な
った（図７ｂ）。

【００２６】引き続き異方性ドライエッチングによりＳ
ｉＯ₂ ４０３を加工した(図７ｃ)。

【００２７】次に不純物拡散層表面の清浄化洗浄を施し
た後、溝が全て埋まるように溝の幅の少なくとも半分以
上の膜厚の多結晶Ｓｉ４０７を形成した。多結晶Ｓｉ
は、ＳｉＨ₄とＰＨ₃の組合せを用い不純物を含有させな
がら形成した。Ｓｉプラグを形成する場合には、イオン
打ち込み法等の手段によって後から不純物を含有させる
ことが極めて困難であり、膜形成時に不純物を含有させ
ることが必要となる。本実施例では溝幅を５００ｎｍと
したので多結晶Ｓｉの膜厚は３００ｎｍにした。形成
後、走査型電子顕微鏡により断面を観察した結果、溝は
多結晶Ｓｉにより充分に充填されていた（図７ｄ）。

【００２８】次にドライエッチング法により多結晶Ｓｉ
４０７を全面エッチバックし、有機物４０４表面に形成
されていた多結晶Ｓｉを除去し、溝内にのみ多結晶Ｓｉ
を残存させた（図８ａ）。

【００２９】次にＯ₂ プラズマ処理により有機物４０４
を除去してＳｉプラグを形成した（図８ｂ）。

【００３０】本実施例によれば、有機物４０４に形状不
良をもたらすことがないので側壁が垂直な形状制御性の
良いＳｉプラグを形成できる効果がある。

【００３１】〈実施例３〉ＬＳＩの実際の構造は極めて
複雑であり、ひとつの断面で全ての構造を表わすのは困
難であるが、本実施例ではより実際に近い構造を例に取
って溝を埋める方法について図９から図１２を用いて説
明する。

【００３２】図９はＤＲＡＭ等のメモリーＬＳＩで良く
用いられている、ワード配線１，２，３，４とビット配
線５，６，７，８が直交した状態のレイアウトを示して
いる。通常、ワード配線とビット配線で囲まれた領域
に、Ｓｉ基板とより上層に位置する導体との導通を確保
するためのコンタクトホール９が設けられる。このよう
なレイアウトにおいてＡ−Ａ′で示した線上の断面模式
図を図１０以降に示した。

【００３３】所定の領域にｎ型不純物拡散層５０２が形
成されたｐ型Ｓｉ基板５０１上にゲート絶縁膜５０３お
よびワード配線となる多結晶Ｓｉ５０４が形成され、さ
らにサイドウォール絶縁膜５０５およびＳｉＯ₂ 膜５０
６でＳｉ基板が被覆されている状態を示している（図１
０ａ）。

【００３４】この状態で不純物拡散層５０２上の溝はＳ
ｉで充填し、一方不純物拡散層のない図の中央の溝は絶
縁膜で充填する場合がしばしば生じる。その方法につい
て以下説明する。実施例１と同様にＰＩＱ５０７を回転
塗布法により表面が平坦になるように形成したあと、熱
処理を施して不純物含有多結晶Ｓｉ５０８を形成した
（図１０ｂ）。

【００３５】電子線レジスト５０９を回転塗布法により
形成した後、周知の電子線リソグラフィー技術により不
純物拡散層５０２との位置の整合性が取れるようにパタ
ーンを形成した（図１１ａ）。

【００３６】異方性ドライエッチングにより多結晶Ｓｉ
５０８にパターン転写を行なった後さらにＰＩＱ５０７
を異方性ドライエッチングした（図１１ｂ）。

【００３７】その後、異方性ドライエッチングによりＳ
ｉＯ₂ ５０６を不純物拡散層５０２表面が露出するまで
エッチングした（図１１ｃ）。

【００３８】実施例２と同じ方法により不純物含有多結
晶Ｓｉ５１０を溝が完全に埋まるように堆積した（図１
２ａ）。

【００３９】その後、ドライエッチングにより多結晶Ｓ
ｉ５１０をエッチバックした（図１２ｂ）。

【００４０】Ｏ₂ プラズマによりＰＩＱ５０７を除去
し、不純物拡散層５０２上の溝にのみ多結晶Ｓｉ５１０
を充填した（図１２ｃ）。

【００４１】本実施例によれば、ＰＩＱ表面を多結晶Ｓ
ｉで被覆した状態で下層のＳｉＯ₂をエッチング加工で
きるのでＰＩＱの形状を損なうことがない。また、その
PIQを残したまま多結晶Ｓｉを堆積できるので加工した
領域に自己整合でＳｉプラグを形成できる効果がある。
さらに、ＰＩＱで被覆されている他の領域にはダメージ
を与えることなくＳｉをエッチバックできる効果があ
る。

【００４２】〈実施例４〉次に図１２（ｃ）に示した図
の中央の溝をＳｉＯ₂ で充填する方法について図１３に
より説明する。

【００４３】前記実施例と同様に、ＰＩＱ６１２を表面
が平坦になるように回転塗布法により形成した後、熱処
理を施し厚さ１００ｎｍの不純物含有多結晶Ｓｉ６１３
をＣＶＤ法により形成した。さらに電子線レジストを回
転塗布法により形成し電子線リソグラフィーにより所定
の領域にパターンを形成し、さらに異方性ドライエッチ
ング法を用いて多結晶Ｓｉ６１３およびＰＩＱ６１２へ
パターンを転写し、開孔６１４を形成した（図１３
ａ）。

【００４４】この段階で多結晶Ｓｉ６１３を除去しても
良いが、本実施例では除去せずに厚さ４００ｎｍの絶縁
膜６１５の形成をおこなった。本実施例では絶縁膜とし
てＳｉＯ₂ を形成するために３００℃から４００℃程度
の低温でオゾン(Ｏ₃）とＴＥＯＳ（テトラエチルオルソ
シリケート；Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅)₄）を原料として用いた。
本方法で形成する膜は段差被覆性が良いので開口６１４
は完全に埋まっていた。なお、Ｏ₃ を用いるので開口６
１４の側壁に露出しているＰＩＱ６１２がＯ₃ と反応し
エッチングされる懸念があったが、電子顕微鏡により観
察した結果全く問題はなかった（図１３ｂ）。

【００４５】その後異方性ドライエッチング法により絶
縁膜６１５を全面エッチバックした。この時絶縁膜６１
５と多結晶Ｓｉ６１３のエッチング速度が等しくなるよ
うな条件を用いることにより多結晶Ｓｉ６１３も同時に
除去することが可能である。エッチング速度が等しくな
るような条件は、使用する装置によって異なるが、一般
的にはガス圧力や高周波パワーを調整することによって
設定することが可能である。本実施例では、平行平板型
のプラズマエッチング装置を用い、圧力１４Ｐａ，高周
波パワー０.５Ｗ／cm²，周波数１３.５６ＭＨｚ 、エッ
チングガスとしてＣＦ₄を用いた。この条件ではＳｉと
ＳｉＯ₂ のエッチング速度比を１.１とすることができ
る（図１３ｃ）。

【００４６】次にＯ₂ プラズマ処理にＰＩＱ６１２を除
去し、溝内にのみ絶縁膜６１５を残存させた（図１３
ｄ）。

【００４７】本実施例によれば、ＰＩＱを用いることに
より絶縁膜で形成される溝を絶縁膜で充填し、表面を平
坦化できる効果がある。また、本実施例では溝を充填す
る絶縁膜としてＯ₃ とＴＥＯＳを原料ガスとするＳｉＯ
₂ を用いたが、多結晶Ｓｉを形成する温度より低い温度
で形成できる絶縁膜であれば他の絶縁膜であっても良い
よい。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、有機物の表面を多結晶
Ｓｉで被覆した状態で、有機物の下地絶縁膜をエッチン
グ加工できるので有機物自身にエッチングの損傷を与え
ることがなく、従って有機物の変形を防止でき、その側
壁を垂直に維持したまま多結晶Ｓｉの形成が可能となる
ので最後に有機物を除去した段階で、垂直なＳｉの衝立
が得られる効果がある。これによりＤＲＡＭのキャパシ
タ用電極を簡便な工程で且つ制御性よく形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術の問題点を説明するための図。

【図２】従来技術の問題点を説明するため一連の工程断
面図。

【図３】従来技術の問題点を説明するため図２から続く
一連の工程断面図。

【図４】本発明の第一の実施例を説明するための一連の
工程断面図。

【図５】本発明の第一の実施例を説明するための図４か
ら続く一連の工程断面図。

【図６】本発明の第一の実施例を説明するための図５か
ら続く一連の工程断面図。

【図７】本発明の第二の実施例を説明するための一連の
工程断面図。

【図８】本発明の第二の実施例を説明するための図７か
ら続く一連の工程断面図。

【図９】本発明の第三の実施例を説明するための平面レ
イアウト図。

【図１０】本発明の第三の実施例を説明するための図９
に対応する一連の工程断面図。

【図１１】本発明の第三の実施例を説明するための図１
０に続く一連の工程断面図。

【図１２】本発明の第三の実施例を説明するための図１
１に続く一連の工程断面図。

【図１３】本発明の第四の実施例を説明するための一連
の工程断面図。

【符号の説明】

１，２，３，４…ワード配線、５，６，７，８…ビット
配線、９…コンタクトホール、１０１，２０１，３０
１，４０１，５０１…Ｓｉ基板、１０２，２０４，２０
６，３０４，３０８，４０４…有機物、２０２，３０
２，４０２，５０２…不純物拡散層、２０３，３０３，
４０３，５０６…ＳｉＯ₂ 、２０５，２０７，３０５，
３０７，４０５，４０７，５０４，５０８，５１０，６
１３…多結晶Ｓｉ、２０８…空洞、２０９…オーバーハ
ング、３０６，４０６，５０９…レジスト、５０３…ゲ
ート絶縁膜、５０５…サイドウォール絶縁膜、５０７，
６１２…ＰＩＱ、６１４…開孔、６１５…絶縁膜。

フロントページの続き (72)発明者 高橋 俊和 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第一の有機物上に、無機物を形成し、さら
   にホトレジストあるいは電子線レジストから成る第二の
   有機物を形成した後、写真食刻法により第二の有機物に
   パターンを形成し、以下、順次、無機物、第一の有機物
   へとパターンを転写するパターン形成方法において、無
   機物にＳｉを用いることを特徴とするパターン形成方
   法。
2. 【請求項２】請求項１記載のＳｉは、シランガスを原料
   とする化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成した多
   結晶Ｓｉもしくは非晶質Ｓｉからなることを特徴とする
   パターン形成方法。
3. 【請求項３】請求項１記載のＳｉは、シランガスおよび
   ドーパントガスを原料とするＣＶＤ法によって形成し
   た、導電性を有する多結晶Ｓｉからなることを特徴とす
   るパターン形成方法。
4. 【請求項４】第一の有機物上にＳｉを形成する前に、第
   一の有機物が、Ｓｉを形成するための圧力および温度条
   件と、少なくとも同じ条件で熱処理されていることを特
   徴とする請求項１乃至３記載のパターン形成方法。
5. 【請求項５】半導体基板，半導体薄膜もしくは導体上に
   絶縁膜が形成され、その上に第一の有機物を形成し、請
   求項４の条件で熱処理を施した後、請求項２ないし３の
   方法によって第一のＳｉ膜を堆積し、さらにレジスト材
   料を回転塗布法により形成し、写真食刻法によりレジス
   ト材料にパターンを形成し、パターニングされたレジス
   ト材料をマスクとして前記第一のＳｉ膜をエッチングし
   てパターンを転写し、さらにその状態で前記第一の有機
   物をエッチングしてパターンを転写し、表面が露出した
   前記絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成す
   る工程を含み、エッチングのマスクに用いた第一のＳｉ
   膜及び第一の有機物を残したまま、第一のＳｉ膜と同様
   に第二のＳｉ膜を堆積し、この段階で生じているコンタ
   クトホールを形成した凹部を第二の有機物で充填し、第
   一の有機物上に形成されている第二のＳｉ膜表面を露出
   させ、第二および第一の積層Ｓｉ膜をエッチング除去
   し、第一の有機物表面を露出させると同時に前記凹部内
   にのみ第二のＳｉ膜を残存させ、Ｏ₂ プラズマ処理を施
   して第一および第二の有機物を除去して、前記半導体基
   板，半導体薄膜もしくは導体と前記第二のＳｉ膜とのコ
   ンタクトを形成することを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】請求項５の方法を用いて形成する円筒状の
   Ｓｉの衝立をメモリー容量部の一方の電極として用いる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】半導体基板あるいは、半導体基板上に形成
   された半導体もしくは導体上に、請求項５の方法を用い
   てＳｉプラグを形成し、該半導体基板，半導体、あるい
   は導体と上層配線とを接続することを特徴とする半導体
   装置の製造方法。