TWI246688B - Optical recording substrate, optical recording medium, and manufacturing method thereof - Google Patents

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1246688 Μ Β7 五、發明説明（1 ) [發明的技術領域] 本發明是關於、光記錄基板、使用其之光記錄媒體、 以及其製造方法。具體而言，是和可對應光讀寫頭之高數 値孔徑化及短波長化之光記錄基板及使用其而可實施高密 度記錄之光記錄媒體、以及光記錄基板之製造方法相關。 [習知技術] 以往，光碟及光學記憶卡等光記錄用之基板材料，因 爲聚碳酸脂樹脂及聚甲基丙烯酸甲酯等爲良好光學材料而 被廣泛應用，其中，因爲聚碳酸脂樹脂甲具有良好之透明 性、耐熱安定性、及韌性等，而被廣泛地應用於光碟用基 板材料。 近年來，以光（光磁）記錄碟片之大容量化、或DVD之 開發及（？P2L 16)藍色雷射（BLUE LASER)之開發爲代表的技 術進步，使記錄密度更進一步推向高密度化。碟片基板之 厚度從CD之1.2mm變成更薄之DVD之0.6mm，且爲了光 碟之記錄容量的高密度化，亦需要厚度更薄之物。然而， 0.35mm以下之薄光碟基板的射出成型法之製造上^因爲樹 脂之冷卻極爲快速，實在很難獲得可滿足涵蓋基板之外緣 部的樹脂充塡、內外緣有良好厚度均一性、凹洞或群之轉 錄性等性質的基板。在模具、成形條件上下功夫，雖然可 以獲得滿足這些特性之〇.3mm厚度基板，然而’因成形時 之樹脂流動會導致分子配向不易獲得緩和，故雙折射値會 變成極大。即使利用製造條件之最佳化，在該値之降低上 it·—------φ-裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1246688 A7 B7 五、發明説明@ ) 亦有其限度。以縮小雙折射爲目的，從以前就有人提出 ZEONEX 、 ZE〇N〇R(曰本 ΖΕΟΝ CORPORATION)、 ARTON(JAPAN SYNTHETIC RUBBER C〇·， LTD·)等非晶聚烯 烴樹脂。這些聚烯烴樹脂因光彈性模數較小，1.2mm厚度 之基板時，和採用聚碳酸脂時相比，可以獲得相對極小之 雙折射基板。然而，0.6mm厚度時，則雙折射最多只能勉 強縮小至聚碳酸脂時之1/2。0.3mm厚度時，雙折射會較大 ’而和使用聚碳酸脂時大致相同。又，0.1mm之厚度時， 想要以射出成型獲得特定之外徑尺寸都很難，而且，因爲 基板之剛性亦會降低，使基板脫離壓模並從加工機器內取 出亦十分困難。 針對此點，以前亦有人提出利用熱及壓力將壓模圖案 轉錄至薄膜的方法。日本特開平1 - 1 1 3 224號公報中就提出 ’在熱可塑性樹脂材料之玻璃轉移溫度以上施加直流電場 ，同時實施熱可塑性樹脂薄膜或薄板之加壓成型方法，聲 稱具有縮小雙折射團塊之效果。而日本特開平4-270633號 公報中，則提出在加熱板及模板（壓模）之間夾入薄膜狀加熱 器，然後從上下雙方進行加熱的方法，以及使模板及熱可 塑性樹脂疊合並讓其通過加熱加壓滾筒之間的方法，都聲 稱具有可改善雙折射團塊之效果。利用這些方法，雖然可 縮短加溫、冷卻時間而使生產性獲得改善，卻會發生部份 壓模圖案無法轉錄的情形。即使無法以肉眼觀察到此缺陷 ，然而，以顯微鏡、AFM(原子力顯微鏡）等則可觀察到數 nm至數// m之微小缺陷，這就是媒體的缺陷。亦有人提出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - I--------0^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1246688 A7 B7 五、發明説明p ) 和這些使用枚葉式冲床之方法不同的方法，就是採用滾筒 之連續式轉錄法。日本特開平5 - 2 6 9 8 4 5號公報則提出，在 表面具有預先格式化圖案之滾筒壓模、及鏡面滾筒間，夾 入熔融樹脂板實施轉錄之方法。此方法中，因連續供應樹 脂板，故生產性較佳，前述之部份轉錄缺陷亦相對較少。 然而，施加於樹脂板之力量，在長度方向及寬度方向會不 相同，故很難保持尺寸上之均一性。日本特開平11-345436 號公報則針對此點，提出預測變形來修正壓模之配置形狀 的方法，然而，板之尺寸及形狀會因爲捲取條件、冲壓條 件等而產生微妙變化，故很難獲得完美的控制。 預測今後之光記錄高密度化亦會更進步，故期望出現 可對應雷射光源之短波長化、光讀寫頭之高數値口徑化的 光記錄基板。其中，利用存取速度更快、可執行高密度記 錄之光碟分野的短波長化來實現高密度化更是當前之務。 而其最佳候補就是厚度0.3 5 m m以下之轉錄著群、凹洞之基 板。然而，以傳統之射出成型及冲壓成型技術，並無法獲 得可滿足要求特性之前述厚度的基板。 [發明之槪述] 所以，本發明之目的就是提供可解決前述課題之光記 錄基板、亦即光碟基板之製造方法。 又，本發明之其他目的就是提供利用加熱冲壓法實施 更容易將壓模圖案完整轉錄至薄有機高分子板上的光記錄 基板製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填· :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1246688 A7 _________Β7 五、發明説明（4 ) 又’本發明之另一其他目的，就是提供利用前述方法 製成之光記錄基板來製造可實施高密度記錄之光記錄媒體 的製造方法。 本發明之另一其他目的，就是提供以本發明方法所得 之光記錄基板及光記錄媒體。 本發明之其他目的及優點可由下述說明獲得了解。 本發明可利用具有下述特徵之光記錄基板的製造方法 來實現本發明之前述目的及優點，亦即，在玻璃轉移溫度 爲120〜190°C之範圍、單程之雙折射延遲爲+10nrn〜-i〇nm 之範圍、厚度〇.3 5mm以下之有機高分子板上，在減壓環境 下實施具有凹凸及/或溝之表面的接觸及加熱冲壓，而前述 表面之凹凸及/或溝爲壓模之凹凸及/或溝。 本發明亦可利用具有下述特徵之光記錄媒體的製造方 法來實現本發明之前述目的及優點，亦即，在已轉錄壓模 之凹凸及/或溝的面上，形成反射膜及/或記錄膜。 本發明亦可利用分別以本發明前述方法所得之光記錄 基板及光記錄媒體來實現本發明之前述目的及優點。 [發明之良好實施形態] 首先，針對有機高分子板進行說明。 本發明之有機高分子板的厚度爲0.35mm以下，最好爲 0.35〜0.001mm。因爲反翹等原因，光記錄媒體之記錄面（反 射面）傾斜時的光行差，會隨光學讀寫頭之物鏡、及光記錄 媒體之記錄面（反射面）的距離而變化，故相當於至反射面之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-

Jm 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 1246688 A7 B7 五、發明説明（5 ) 路徑的基板的厚度最好較薄。目前，市場上之DVD爲 〇.6mm，然而，然而0.3 mm、0.1 mm程度之基板（光透過層） 。本發明就是針對此種較薄之基板。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之光記錄基板的材料，必須具有丨2〇。(：〜190°C 之玻璃轉移溫度。光碟因經常使用於高溫之車內，故對光 碟要求1 1 0°C之耐熱測試。玻璃轉移溫度較低時，不但會有 外觀上之熱變形，記錄時及再生時之雷射的熱、或/及相變 化型光記錄媒體之起始化（初期晶化）時的高能量雷射照射， 亦會產生凹洞（pit)、平面（Land)及溝槽（Groove)等 格式圖案之變形。從此觀點而言，玻璃轉移溫度應爲較高 之12(TC以上，最好爲13(TC以上。然而，太高的話，成型 時不易將壓模凹凸及群轉錄至板上，而有轉錄不良或雙折 射變大等問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本發明之一個較大特徵，就是當成材料使用之成型前 有機高分子板的雙折射延遲，單程時爲+10〜-l〇nm。此處 之雙折射延遲，爲波長63 3nm之光垂直入射至板面時的（亦 即所謂垂直入射的）延遲。延遲的値爲+l〇nm〜-10nm之範圍 即可獲得良好電性特性。延遲會因爲使用於光記錄媒體之 記錄再生用的雷射光波長而不同，然而，相對於633nm時 之値，波長40Onm之光的延遲値亦只會變化2%程度而已， 故使用420nm之雷射光實施記錄再生之光記錄媒體’只要 在此範圍內即可獲得良好電性特性。滿足此類條件之板材 料，例如，聚碳酸脂樹脂、ZEONEX及ZEONOR(皆爲曰本 ΖΕΟΝ CORPORATION 製）、ART〇N(JAPAN SYNTHETIC 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（21〇Χ297公釐） -8 - ，乂 p 1246688 A7 B7 五、發明説明（6 ) RUBBER C〇.，LTD·製）等非晶聚烯烴樹脂等。又，例如，聚 碳酸脂、及具有相反雙折射性之聚苯乙烯等及聚碳酸脂之 共聚合物等。以擠壓法製成之板，因雙折射之絕對値較大 、長度方向及寬度方向之雙折射不射，退火處理具有相當 好的效果。其中，膨脹流法聚碳酸脂膜之PUREACE(商品名 稱，帝人（株）製）不但雙折射較小，膜厚分布亦十分平均， 故爲十分優良的材料。 本發明中所使用之有機高分子板，至少在接觸圖案之 側面實施粗面化加工。如前面所述，傳統之枚葉式冲壓法 中，不但會存在顯微鏡或AFM可檢測之微小未轉錄部份， 亦存在肉眼可以觀察到之1mm〜數cm之未轉錄部份，很難 只依賴冲壓條件之檢討即完全解決此問題。針對此問.題進 行審慎檢討之結果，發現殘存於壓模及有機高分子板間之 空氣是其主要原因。若有機高分子板及壓模重疊設置，則 兩者會有部份密合，有時，殘存於兩者間之空氣無法完全 去除。亦即，將冲壓溫度設定於有機高分子板之玻璃轉移 溫度以上時，兩著之接觸部會產生部份融著，被此類部位 所環繞之區域，即使在後面實施較長時間之真空拉制亦無 法除去空氣。爲了解決此問題，必須在使有機高分子板、 及具有壓模之凹凸及/或溝之壓模表面（以下亦會稱爲資訊面 )之兩者完全接觸之前先完全去除存在於其間之空氣，然後 才能實施積層，或者，在冲壓溫度爲室溫或至少爲玻璃轉 移溫度以下之情形下實施積層，並在實施充份真空拉制後 才再昇高冲壓溫度。然而，前者之設備十分複雜，後者之 ---------t衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · 9 - 1246688 A7 B7 五、發明説明f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 生產速度則太慢，這都是無法否認的事實。在改善此點上 ，預先對有機高分子板和壓板資訊面之接觸面實施粗面化 或壓紋化，冲壓前之減壓時，有可效排出殘存其間之空氣 。在此面或相對面上有空氣殘留時，會使對壓模之實質接 觸壓力產生變化，並對轉錄產生影響，故相對側面最好也 實施粗面化或壓紋化。粗面化之凹凸形狀可以爲任何形狀 ，然而，最好在和壓模接觸時之空氣層爲連續之形狀。以 此角度而言，其形狀上，在板面形成凹陷不如在其板面形 成突出。例如，突出之剖面的大致形狀爲正方形、長方形 、圓形、三角形之形狀、或是其前端部爲平坦狀之平台形 狀。突出之高度必須進行適當選擇，太低時排除空氣的效 果會較差。另一方面，太高時，則在加熱冲壓後會有部份 凹凸形狀殘留下來，也不太理想。最好爲冲壓前不會完全 接觸壓模而冲壓後則該凹凸會完全消失的形狀。由此觀點 而言，突出之高度應爲l//m〜100//m，最好爲l//m〜20// m。粗面化之方法並無特別限制，採用使具有如織物、編物 之凹凸表面的基板接觸板，再以加熱冲壓轉錄表面凹凸形 狀的方法。爲了使板之突出的尖端形狀較爲單純，板之樹 脂最好不要過度侵入織物、編物之纖維間。所以，較佳之 方式，就是預先適當地使樹脂少許侵入織物、編物內，可 預先在纖維間充塡樹脂，且其表面會保持凹凸形狀。因爲 最好能採用加熱冲壓之充塡，故充塡用樹脂以具耐熱性者 爲佳。氟樹脂應採用如和板之脫模良好的TELFON(註冊商 標）。例如，以含浸TELFON(註冊商標）之玻璃纖維板爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 1246688 A7 B7 五、發明説明（8 ) 有機高分子板爲了必須讓記錄再生資訊之雷射光透過 ，應具高透過率，例如，最好爲8 5 %以上。 光記錄媒體上，以記錄再生資訊爲目的之光束的溝槽 (Groove)、位置資訊、驅動器之碟片旋轉資訊、信號之記錄 再生條件等會以凹凸之形狀（凹洞）存在。本發明方法之光記 錄基板的製造上，是在減壓環境下實施壓模資訊面之加熱 冲壓，將其形狀轉錄至有機高分子板上。此處之減壓，其 目的在於去除系統內之空氣來協助轉錄，應爲0.3氣壓 (3X104Pa)以下。一般，因裝置具密閉性，通常爲0.1氣壓左 右的壓力環境。又，加熱冲壓爲在加熱之狀態下施加壓力 。加熱冲壓時使用之溫度，應爲有機高分子板之玻璃轉移 溫度高出約5°C〜50°C的溫度，若能爲高出約15°C〜35°C 更佳。若低於此溫度，則不易獲得充份之轉錄，若高於此 溫度，則有有機高分子板容易變形等問題。例如，玻璃轉 移溫度爲145°C之樹脂時，應爲160°C〜180°C之範圍。又， 施加之壓力方面，會因使用樹脂、溫度、及其他條件而變 化，例如爲6〜1 6 Μ P a。低於此壓力時，無法獲得充份轉錄 ，而高於此壓力時，則加熱冲壓後之有機高分子板的取出 時有脫模的問題。 加熱冲壓時，以均一方式將壓力施加於有機高分子板 資訊面上，在防止未轉錄部份之產生上很重要。冲壓裝置（ 上下冲壓台間）之平行度、接觸面之平滑性若有少許問題， 則無法施加均一之壓力。又，通常會以金屬板夾住有機高 分子板/壓模來實施加熱冲壓，即使此金屬板之平滑性十分 -----------^裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11- 1246688 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 良好，亦可能會有壓力無法均一傳播的情形，而產生轉錄 不良的區域。爲了減少對加熱冲壓操作時的影響，故最好 採用襯墊材料。從彈性、耐熱性之觀點而言，襯墊材料以 如矽氧橡膠、氟樹脂系橡膠爲佳。襯墊材料之厚度太厚則 熱傳導會較小，而厚度太薄則會降低壓力均一化效果，故 襯墊材料之厚度應爲0.5mm〜2mm。此襯墊材料使用於冲壓 台及壓模間、或冲壓台及有機高分子板間都具有效果，最 好在兩邊都採用此襯墊材料。 以本發明方法製造之光記錄基板的尺寸並無特別限制 ，該光記錄基板爲光碟基板時，一般，直徑爲30mm〜 300mm，最好爲具有15mm直徑之中心孔的甜甜圈形狀物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之光記錄基板的製造上，可以利用經過改良之 傳統公知加熱冲壓成形設備。減壓方法上，以真空泵實施 如矽氧橡膠之具彈性耐熱材料圍繞之範圍的排氣即可。又 ’如傳統枚葉式加熱冲壓裝置之冷卻、加熱時間較長的問 題，如實施例之圖1所示，使用具自動連續實施4個步驟 之作業台，可實施以各基板取出及有機高分子板裝設+預熱 >加熱冲壓4緩慢冷卻之4步驟爲1周期之設備，即可獲得 良好生產性。 以本發明方法製造之光記錄基板，爲光學記憶卡或光 碟用基板，尤其是，使用於被當成可重複讀寫碟片之光磁 記錄媒體、利用相變化之記錄媒體、使用可單次讀寫媒體（ 被稱爲媒體-R)、以及從最初就以凹洞形庇記錄著信號之媒 體（被稱爲媒體-ROM)等。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1246688 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 這些光記錄基板，可配合目的形成各種記錄層及/或反 射層，同時，亦可依情況而形成保護層、保護樹脂層等， 必要時可貼合2片，而被當做如光碟之光記錄媒體使用。 記錄層及/或反射層會形成於光記錄基板之轉錄著壓模凹凸 及/或溝的面上。使用被稱爲可對應藍光記錄媒體之波長 420nm以下雷射執行資訊再生、或記錄再生之光碟中，強烈 要求較薄之基板，而且，雙折射之影響愈更爲重要，故本 發明具有很大的效果。 本發明之光記錄基板，是在薄基板上形成凹洞、群等 ’故相對於今後之高密度記錄化上必要之記錄及讀取波長 的短波長化、光學讀寫頭之高數値孔徑化，是十分有利之 高密度光記錄用基板。尤其是，使用於高密度記錄之光碟 基板。 [實施例] 以下以貫施例進彳了本發明之詳細說明。然而，本發明 並未受限於以下之實施例。 (實施例1) 使用日精樹脂工業(株）製NIC200成型機實施光記錄基 板之成型。本設備如圖1所示，由（1)試料（板）裝設、基板 取出（冲壓0)、（2)預熱冲壓（冲壓2)、（3)加熱冲壓（冲壓3)之 4個工作台所構成，在各特定時間內，壓模及有機高分子板 之積層體會使其接觸面保持於減壓狀態，同時，固定於旋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ 297公釐） 「13:—-- (請先閲讀背面之注意事項再填. :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1246688 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 轉板R上實施旋轉移動。冲壓0中，會實施壓模及有機高 分子板等被冲壓材料之積層。積層後蓋上蓋子並開始真空 拉制，並旋轉移動進入下一步驟。被冲壓材料在冲壓1被 預熱後，在冲壓2被加熱至特定溫度並轉錄壓模表面形狀 。然後，在冲壓3實施冷卻固定，然後在冲壓0從開口部A 取出基板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機高分子板採用膨脹流法聚碳酸脂膜之PUREACE(商 品名稱，帝人（株）製、以下簡稱爲PC膜）的100// m厚度膜 。以DSC(微差掃描熱量測定法）測得此膜之玻璃轉移溫度爲 160°C，單程之雙折射延遲爲7nm。壓模則使用藍色雷射記 錄用之溝槽深度45nm、磁軌間距0.3/zm(平面、溝槽記錄） 、及外徑138mm(記錄區域之外徑：118mm)者。使PC膜接觸 壓模，以1.0mm厚度之不銹鋼板（PC膜接觸面爲鏡面）夾住 其兩側，裝設於板成型機之冲壓0位置。裝設後，開始真 空拉制，移動至1 0分鐘後之預熱步驟。在預熱溫度1 5 0 °C 、加熱溫度170°C、冲壓壓力20公噸、冲壓時間1分鐘之 條件下實施冲壓。冷卻步驟之條件爲溫度2(TC、時間1分 鐘。 針對所得之光碟基板實施（1)肉眼檢查、（2)使用照射強 力光源之_素燈光的觀察、（3)使用AFM(原子力顯微鏡、 SEIKO電子工業製SFA-300)之溝槽轉錄狀況觀察及微細缺 陷觀察。對5片同一條件下製作成之板實施觀察。以AFM 觀察所得之面、溝槽的形狀及溝槽深度來判斷，各片之轉 錄性都無問題，又，以肉眼觀察亦爲表面無異常（轉錄異常 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^14 - ' 1246688 A7 B7 五、發明説明（12 ) _致部份模糊等）之良好基板。 又，鹵素燈觀察時，亦爲無問題之基板。 又，轉錄後之有機高分子板的雙折射延遲爲6nm，較 板成型前降低若干。 (比較例1) 實施無真空拉制之實施例1的板成型。此時，以肉眼 檢查可發現40%程度之區域爲轉錄不良區域。和實施例1 相比，可知要獲得良好轉錄必須實施真空拉制。 (實施例2) 將實施例1中之冲壓〇的真空拉制時間設定爲1分鐘 ，另外，利用前述板成型機預先使PC膜接觸TELFON(註冊 商標）含浸玻璃纖維織物，實施其一側面之粗面化。使此經 過粗面化之面接觸壓模之資訊面，然後’實施和實施例1 相同之成形及評估。此時，冲壓〇之真空拉制時間雖然較 實施例1少，然而，5片樣本的評估結果全部爲良好。利用 此方式，確認實施PC膜之粗面化加工可縮短成型周期、提 高生產性、及高產率。 又，以蹤橫1 cm間隔測量膜厚度分布’成型前之平均 値爲100.2/zm、標準偏差爲成型後在同一部位實 施測量，平均値爲1 〇〇. 5 // m、標準偏差爲1 · 2 // m。利用此 方式，可知粗面化再成型時，對厚度分布沒有任何影響， 且保持厚度分布較小之良好狀態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - I--------I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1246688 A7 B7 五、發明説明（13 ) (實施例3) 採用之不銹鋼板爲實施例1中之不銹鋼板的部份變形 ’而且，冲壓台、及變形之不銹鋼板間有厚度1 · 2mm之矽 氧橡膠，實施和實施例1相同的板成型（構成：砂氧橡膠/不 銹鋼板/單面粗面PC膜/壓模/不銹鋼板）。其次，實施實施 例1相同之5片基板的成型及評估。結果，全部基板在（1) 〜（3)之全部評估都獲得良好結果。雖然有若干變形，但矽 氧橡膠具有襯墊材料之機能，使PC膜及壓模間整面獲得均 一之壓力。 (實施例4) 以利用熔融擠壓法成型之300 // m厚度聚碳酸脂板取代 實施例1之PC膜。然而，因爲此板之雙折射延遲爲31nm ’故實施165°C、20分鐘退火處理再使用。利用此種處理 ’雙折射延遲成爲1.2nm。板成形條件和實施例1相同。此 時’亦對5片基板實施相同的評估。結果，在全部（1)〜（3) 之評估中都獲得良好結果。板成型後之雙折射延遲爲1.1 nm ’幾乎沒有變化。 (比較例2) 未實施實施例4之退火處理，實施板成形。板成後之 雙折射延遲爲23nm。 將實施例1、3、4、及比較例2所得之基板冲切成內徑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1246688 A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15mm、外徑120mm之甜甜圏狀，以濺鍍法在其溝槽面形成 無機薄膜之積層體--相變化記錄膜構造，且在該無機薄膜之 積層體上貼合1.2mm厚度、內徑15mm、外徑120mm之聚 碳酸脂圓板，製成光碟。媒體構成如表1所示。 表1 相變化型光記錄媒體之膜構成 本發明之光碟基板 0.1mm M 0.3mm ZnS-Si〇2介電質膜 50nm Si〇2介電質膜 50nm ZnS-SiCh介電質膜 25nm GeSbTe相變化記錄膜 17nm ZnS_SiCh介電質膜 1 7nm AlCr金屬反射膜 lOOnm 紫外線硬化型樹脂黏著膜 約 2 // m 聚碳酸脂基板 1.2mm 利用濺鍍法之無機薄膜積層體的製作方法如下所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 介電質膜使用ZnS-Si〇2膜（以ZnS:SiCh=80:20mol%爲目 標實施濺鍍所得之膜）及SiCh膜。記錄層爲GeSbTe合金膜 (Ge:Sb:Te = 2:2:5 原子 ％)。反射膜爲 AlCr 合金膜（Al:Ci* = 97:3 原子％)。在透明基板上利用磁控管濺鍍形成這些無機薄膜 。使用之濺鍍裝置爲ANELVA Corp.製之線上濺鍍裝置 (ILC3 102型），以基板之自公轉來形成目標爲8英吋直徑之 薄膜。以濺鍍時間來調整膜厚。調節介電質之膜厚，使從 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17- 1246688 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜面照射410nm之光時的反射率約爲25%。又，ZnS-SiCh 膜之折射率（波長633nm之値）爲2·18，SiCh膜之折射率（波 長63 3 nm之値）爲1.53，記錄膜之結晶化（起始化）後的反射 率（波長41 Onm之値）爲7.2%。 以下述方式評估這些光碟之記錄再生特性。使用之評 估機器爲 Pulstec Industrial Co.，Ltd.製之型式：DDU- 1000 評 估機，因爲基板（板）之厚度不同，故在實施例1、3(100 // m 厚度）採用雷射波長400nm、NA = 0.85之光學讀寫頭，實施 例4(300 // m厚度）則採用雷射波長402nm、ΝΑ = 0·65之光學 讀寫頭。爲了調查絕對性能及濺鍍形狀之轉錄的一致性， 將再生信號之大小及再生信號之碟片全圓周內的變動（再生 信號包封變動）納入評估項目。 [評估條件] 在測定半徑=28mm(內緣）及58mm(外緣）分別測量面及溝 槽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記錄再生之線速度=4.0m/sec 線記錄密度=0.115//111/1^(1-71^1^調變記錄） 記錄雷射能量=3.2mW(實施例1、3) ' 4.5mW(實施例4) 消除雷射能量=1.5mW(實施例1、3)、3.2mW(實施例4) 再生雷射能量=〇.4mW(實施例1、3)、0.5mW(實施例4) [評估結果] 1-7調變之3T再生信號的CNR(dB)及再生信號振幅之 -18- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x 297公釐） 1246688 A7 _____ B7 五、發明説明？6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一周內變動（％)如表1所示。實施例之光碟媒體的CNR値， 皆爲可滿足數位記錄上必要之4 6 d B。再生信號包封之變動 率亦爲5 %以下，具有良好結果。比較例2之光碟媒體的 CNR會降低。尤其是面磁軌及溝槽磁軌之CNR値差較大， 對雙折射會有較大影響。又，輸出包封變動亦較大。 表2 記錄再生特性評估結果 CNR(dB) 包封變動（％) 內緣 外緣 內緣 外緣 實施例1 面 49.8 49.0 4.1 4.8 溝槽 50.1 49.4 3.8 4.1 實施例3 面 51.2 50.2 2.5 3.1 溝槽 52.3 52.1 2.8 3.8 實施例4 面 49.8 48.7 3.0 4.2 溝槽 47.5 47.2 3.5 4.6 比較例2 面 46.8 45.9 5.1 5.3 溝槽 43.6 43.0 6.2 6.2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [圖式之簡單說明] 圖1爲以實施本發明方法爲目的之光記錄基板製造步 驟的說明圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

12正rfc

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ 曰ί___§_六、申請專利範圍 第9 1 1 2 1 6 5 6號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年9月JL4日修正 1. 一種光記錄基板之製造方法’其特徵爲： 在玻璃轉移溫度爲120〜190°C之範圍、單程之雙折射 延遲爲+10nm〜-10nm之範圍、厚度0.35mm以下之有機高 分子板上，在減壓環境下實施具有凹凸及/或溝之表面的接 觸及加熱冲壓，而前述表面之凹凸及/或溝爲壓模之凹凸及/ 或溝。 2·如申請專利範圍第1項之製造方法，其中 對有機高分子板之至少和壓模接觸的一面實施粗面化 〇 3.如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中 在冲壓台對有機高分子板及壓模實施加熱冲壓，此時 ，有機高分子板及冲壓台之間、及/或壓模及冲壓台之間會 插入襯墊材料。 4· 一種光記錄媒體之製造方法， 利用如申請專利範圍第]至3項之其中任一方法製成 之光記錄基板，在轉錄著壓模之凹凸及/或溝的一面上，形 成反射膜及/或記錄膜。 5 · —種光記錄基板，其特徵爲： 以如申請專利範圍第]至3項之其中任一方法製成。 6·如申請專利範圍第5項之光記錄基板，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 太 :·訂 οέ— 1參1

ABICD 六、申請專利範圍 前述光記錄基板爲碟片。 7. —種光記錄媒體，其特徵爲： 以如申請專利範圍第4項之方法製成。 8 .如申請專利範圍第7項之光記錄媒體，其中 前述光記錄基板爲碟片。 (請先閲讀背面之注意事項再

>本頁) 裝· i線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) A4規格（2】0X297公釐）