TWI244881B - Methods for forming wiring and electrode - Google Patents

Description

1244881 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於形成導電性薄膜之組合物及一種 利用此組合物於基材上形成配線或電極之方法。更明確言 之，其係關於一種可適當地使用於形成電子裝置之配線或 電極的導電性薄膜形成方法。 【先前技術】 鋁被使用作為使用於許多電子裝置諸如太陽電池、半導 體裝置及電子顯示裝置中之配線材料。迄今為止，一般的 實務係利用真空方法諸如濺鍍、真空沈積或CVD形成此一 鋁薄膜，然後再使用光阻劑經由光蝕刻將製得之鋁薄膜加 工成鋁圖案。然而，此方法由於需要大型的真空沈積裝置， 因而其由能量消耗的觀點來看不w。此外，由於很難利用 此方法在大面積基材上均勻地形成鋁配線，因而良率差， 而會導致成本增加。 同時，近年來發展出―種具有分散於黏合射之微細紹

含不純物，因而报難得到具低電阻之鋁圖案， 點來看，利用此方法形成微細圖案困難。 而，製得之鋁易包 圖案，且由技術觀 塗布特定 此外，已發展出一種包括經由，例如，旋塗 92217.doc 1244881 有機銘化合物之溶液，以形成塗層薄膜，及棋烤_卿 成；毛性薄膜之方法。在此方法中，所使用之有機鋁之有 機成分及所使用之溶劑分散，因而使製得薄膜無可避免地 易具有較利用真空方法諸如濺鍍所形成之薄膜低的密度。 因此，當如同將製得薄膜使用作為導電性薄膜之情況需要 尚密度薄膜時，利用以上方法製得之薄膜的低密度可成 問題。 *、 【發明内容】 本發明係在以上的情勢之下構想。因此，本發明之一目 的為提供一種導電性薄膜形成用之組合物，其可形成可容 易且廉價地適用於許多電子裝置中之配線或電極，及一= 使用此組合物之薄膜形成方法。 本發明之另一目的為提供利用本發明之方法形成之配線 及電極。 ' 本I明之其他目的及優點將可由以下說明而明白。 百先，根據本發明，本發明之以上目的及優點係由一種 包含胺化合物及氫化純合物之錯合物、及鈦化合物之導 電性薄膜形成用之組合物所達成。 其次，根據本發明，本發明之以上目的及優點係由_種 形成導電性薄膜之方法（以下可稱為本發明之第—方法）所 達成〃包括將基材塗布包括下列成分之組合物：(A)胺化 口物及氫化铭化合物之錯合物、及⑻鈦化合物，然後再使 衣知之k層薄膜進行加熱及/或光處理，而形成導電性薄 92217.doc 1244881 第三，根據本發明，本發明之以上目的及優點係由_種 形成導電性薄膜之方法（以下可稱為本發明之第二方法）所 達成’其包括將基材塗布包括下列成分之組合物：㈧胺化 合物及氫魅化合物之錯合物、及⑹金屬顆粒，然後再使 製得之塗層薄膜進行加熱及/或光處理，而形成導電性薄 膜。 第四，根據本發明，本發明之以上目的及優點係由利用 本發明之以上方法形成之導電性薄膜的配線及電極所達 成。 以下將進一步說明本發明。 【實施方式】 首先，將說明使用於本發明之第一方法中之薄膜形成組 合物。 使用於本發明中之氫化鋁（通常簡稱為「鋁氫（alan)」）係 一種包含鋁及氫原子之化合物，且咸信此化合物一般具有 以A1H3所表示之化學式。 使用於本發明之薄膜形成組合物中之胺化合物及鋁氫之 錯合物可根據說明於下列文件中之方法合成得：J. K. Ruff 等人，J· Amer. Chem· Soc.，82 卷，2141 頁，1960;G· W. Fraser 等人，J· Chem. Soc_，3742 頁，1963 ;及 J· L. Atwood等人， J· Amer· Chem· Soc·，113卷，8133 頁，1991。 舉例來說，使用於本發明之薄膜形成組合物中之胺化合 物及銘氫之錯合物可經由將胺化合物之氫氯酸鹽加至氫化 鋰鋁之乙醚溶液中，及使其，例如，於n2氣體中於室溫下 92217.doc 1244881 在授拌下反應而合成得。於反應完成後，利用過濾器或類 似裝置將副產物氯化鋰及未反應之氫化鋰鋁自反應溶液移 除，將期望的塗布溶液加至所得溶液，然後於減壓下將使 用於反應中之溶劑，例如，乙醚移除，而得標的產物。反 應ι度、反應溶劑等等係根據胺化合物及鋁氫之期望錯合 物的類型而選擇。 使用於本發明中之胺化合物可為聚胺化合物諸如單胺化 合物、一胺化合物、三胺化合物或四胺化合物。 單胺化合物係例如，由以下的化學式（丨）所表示·· rWn ··· (1) 其中R1、R2及R3各分別係氫原子、烷基、烯基、炔基、環 烧基或芳基。 化學式（1)中之Ri、R2及R3之適當的明確例子包括氫、具i 至12個碳原子之烷基諸如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、 己基、庚I、辛基、壬基、癸基、十一基及十二基、具有 不飽和基團之烯基諸如間烯丙基、快基諸如苯乙块基、脂 烷族烷基諸如環丙基、及芳基諸如苯基及苄基。此等烷基、 浠基及炔基可為直鏈、環狀或分支鏈。 以化學式（1)表示之化合物的明確例子包括氨、三曱胺、 三乙胺、三正丙胺、三異丙胺、三環丙胺、三正丁胺、三 異丁胺、三-第三丁胺、三-2-甲基丁基胺、三_正己胺 環己胺、三（2-乙基己基）胺、三辛胺、三苯胺、三苄胺 甲基苯基胺、二乙基苯基胺、二異丁基苯基胺、甲基二笨 基胺、乙基二苯基胺、異丁基二苯基胺、二甲胺、二乙胺、 92217.doc -10- 1244881 二-正丙胺、二異丙胺、二環丙胺、二-正丁胺、二異丁胺、 二-第三丁胺、甲基乙基胺、甲基丁基胺、二_正己胺、二環 己胺、二（2-乙基己基）胺、二辛胺、二苯胺、二苄胺、曱基 苯基胺、乙基苯基胺、異丁基苯基胺、甲基甲基丙烯胺、 甲基（苯乙炔基）胺、苯基（苯乙炔基）胺、甲胺、乙胺、正丙 胺、異丙胺、環丙胺、正丁胺、異丁胺、第三丁胺、2_甲 基丁基胺、正己胺、環己胺、2_乙基己基胺、辛胺、苯胺 及苯甲胺。 聚胺化合物之說明例包括乙二胺、N，N，-二甲基乙二胺、 n，n’-二乙基乙二胺、N，N，二異丙基乙二胺、N，N，二第三 丁基乙二胺、N，N，_二苯基乙二胺、N，N，N，，N，·四甲基乙二 胺、N，N，N’，N、四乙基乙二胺、二伸乙三胺、二甲基 -1，4,7-三吖庚烷、丨，孓二乙基_丨，4,7_三吖庚烷、三伸乙四 胺、苯二胺、N，N，N’，N’_四甲基二胺基苯、1_吖雙環[2.2.1] 庚烧、1_吖雙環[2·2·2]辛烷（嗝啶）、丨_吖環己烷、丨_吖環己 烷-3-烯、N-曱基_1_吖環己烷_3_烯、嗎啉、N-甲基嗎啉、 N-乙基嗎琳、六氫σ比畊、及n，n，，n，，-三甲基-i，3,5-三吖環己 燒。此等胺化合物可單獨或以兩者以上之混合物使用。 使用於本發明之含鈦化合物之說明例包括由以下化學式 (2)所表示之化合物：

Ti(OR4)x(CH3COCHCOOR5)4-x ... (2) 其中R4及R5係相同或不同，且係烷基或苯基，及义係〇或1至 4之整數， 由以下化學式（3)所表示之化合物： 92217.doc 1244881

Ti(OR6)y(X)4.y ... ⑶ 其中R6係烧基或苯基’ χ係鹵原子，及y係1至3之整數， 由以下化學式（4)所表示之化合物：

Ti(OR7)z(NHR8)4-z ··· ⑷ 其中R7及R8係相同或不同，且係烷基或苯基，及2係〇或1至 3之整數，及由以下化學式（5)所表示之化合物：

Ti(Cp)n(Y)“ ··· (5) 其中Cp係環戊二烯基，γ係鹵原子或烷基，及11係1至4之整 數。 Φ 含鈦化合物之明確例子包括烷氧化鈦諸如甲氧化鈦、乙 氧化鈦、正丙氧化鈦、正壬氧化鈦、硬脂基氧化鈦、異丙 氧化鈦、正丁氧化鈦、異丁氧化鈦、第三丁氧化鈦、肆（雙 _2,2-(烯丙氧甲基））丁氧化鈦、三異硬脂醯基異丙氧化鈦、 三甲基矽氧化鈦、2-乙基己氧化鈦、曱基丙烯酸三異丙氧 化鈦、（2-甲基丙烯氧乙氧基）三異丙氧鈦酸酯、甲氧丙氧化 鈦、笨氧化鈦、甲基苯氧化鈦、聚（二丁基鈦酸酯）、聚（辛 二醇鈦酸酯）、雙（三乙醇胺）二異丙氧化鈦、參（十二基笨磺 酸）異丙氧化鈦、三甲基丙烯酸甲氧乙氧乙氧化鈦、參（二辛 基焦磷酸）異丙氧化鈦及乳酸鈦；含胺基之鈦化合物諸如肆 (二甲胺基）鈦及肆（二乙胺基）鈦；具有二酮鹽之鈦錯合 物諸如雙（乙基乙醯乙酸）二異丙氧化鈦、參（2,2,6,6_四甲基 _3,5-庚二酮）酞、氧化雙（戊二酮）鈦、氧化（四甲基庚二_) 鈦、甲基丙烯氧乙醯乙酸三異丙氧化鈦、二-正丁氧化（雙 _2,4-戊二酮）鈦：二異丙氧化（雙_2,4-戊二g同）鈦、二異丙氧 922l7.d〇( 12 1244881 化雙（四甲基庚二酮）鈦、二異丙氧化雙（乙基乙醯乙酸）鈦、 四乙基乙醯乙酸鈦、四甲基乙醯乙酸鈦、二（異丙氧化）雙 (2，2,6,6-四甲基_3,5-庚二酮）鈦及烯丙基乙醯乙酸三異丙氧 化鈦；含環戊二烯基之鈦化合物諸如二氣化二環戊二稀基 欽、二漠化二環戊二烯基鈦、三氯化環戊二烯基鈦、三溴 化環戊一烯基鈦、二環戊二浠基二甲基鈦、二環戊二稀基 二乙基鈦、二環戊二烯基二-第三丁基鈦、氯化二環戊二烯 基本基欽、氣化一 j展戊二稀基甲基欽、（三甲基）五甲基環戊 二稀基鈦及二甲基雙（第三丁基環戊二烯基）鈦；及具有鹵原 子之鈦化合物諸如三氯化茚基鈦、三氯化五甲基環戊二烯 基鈦、三甲氧化五甲基環戊二烯基鈦、三氯參（四氫吱喃） 鈦酸酯、四氣雙（四氫呋喃）鈦、氯化三異丙氧化鈦、碘化三 異丙氧化鈦、二氯化二乙氧化鈦、二氯雙（2,2,6,6_四甲基 -3，5-庚二酮）鈦、四氯雙（環己巯基）鈦及氣化鈦。 包含（1)胺化合物及氫化鋁化合物之錯合物，（2)含鈦化合 物，及在一些情況中包含（3)溶劑之本發明的薄膜形成組合 物並不受限於特定的製造方法。組合物係經由在攪拌下將 疋里之含鈦化合物加至胺化合物及氫化化合物之錯合 物之溶液而製備得。加入含鈦化合物之溫度係〇至15〇。〇較 佳’ 5至l〇〇°C更佳。攪拌時間係〇_1至12〇分鐘較佳，〇·2至 6〇分鐘更佳。當加入溫度高於15〇t：或攪拌時間長於12〇分 1里k 會製備传不均勻的溶液或會產生沈殿物。同時，當 加入溫度低於0°c或攪拌時間短於〇·丨分鐘時，無法製得具 高薄膜密度之烘烤薄膜（例如，導電性薄膜）。 92217.doc -13- 1244881 使用於此反應中之溶劑可為任何可溶解胺化合物及氯化 Μ合物之錯合物及含鈦化合物之溶劑。關於溶劑，可使 用與稍後說明之可使用於薄膜形成組合物之相同溶劑。 ^使用於本發明之薄膜形成組合物可包含除胺化合物及铭 氫之錯合物外之鋁化合物。可加入之除以上錯合物外之鋁 ^物的說明例包括三甲基銘、=乙基銘、三正丙基銘、 一 ％丙基鋁、三正丁基鋁、三異丁基鋁、三·第三丁基鋁、 三甲基丁基鋁、三-正己基鋁、三環己基鋁、三(2_乙基 己基）鋁、二辛基鋁、二苯基鋁、三苄基鋁、二甲苯基鋁、 二乙苯基鋁、二異丁苯基鋁、甲基二苯基鋁、乙基二苯基 鋁、異丁基二苯基鋁、氫化二乙基鋁、氫化二異丁基鋁、 虱化二笨基鋁、二曱基甲基丙烯基鋁、二甲基（苯乙炔基） 鋁、二苯基（苯乙炔基）鋁、二曱胺•二甲基鋁錯合物、二乙 胺•二乙基鋁錯合物、二甲胺•二乙基鋁錯合物、二乙胺 •二甲基鋁錯合物、二苯胺·二甲基鋁錯合物及二苯胺· 二乙基鋁錯合物。此等鋁化合物可單獨或以兩者以上之組 合使用。 關於胺化合物及氫化鋁化合物之錯合物及含鈦化合 物（2)之比例，以錯合物（1)及化合物（2)之總和計，含鈦化合 物（2)之量係0.001至30莫耳％較佳，〇.〇〇5至2〇莫耳％更佳。 當含鈦化合物（1)之量小於0.001莫耳％時，無法製得具高密 度之薄膜，而當其大於30莫耳％時，可能很難得到溶液的 穩定性。 本發明之薄膜形成组合物之溶液可適當地以金屬諸如 92217.doc -14- 1244881

金、銀、銅、鋁、鎳、鐵、鈮、鈦、矽、銦或錫及/或半導 體之微細顆粒之混合物使用，以具有導電性。此外，溶液 亦可視需要以金屬氧化物諸如氧化鋁、氧化锆、氧化鈦或 氧化矽之微細顆粒之混合物使用。此外，為改良溶液對待 塗布物體之潤濕性及塗層薄膜之勻塗性質，及防止於塗層 薄膜中產生斑點及桔皮紋，可將表面張力調節劑諸如氟基 表面活性劑、矽基表面活性劑或非離子表面活性劑視需要 以不會減損期望效應之小量加入。可加入之非離子表面活 性劑的說明例包括具有氟化烷基或全氟烷基之氟基表面活 性劑及具有氧烷基之以聚醚烷基為主之表面活性劑。以上 氟基表面活性劑之說明例包括c9f19conhc12h25、 C8F17S02NH-(C2H40)6H、C9F170(PLUR0NIC L-35)C9F17及 C9F170(PLUR0NIC P-84)C9F17(其中 PLURONIC L-35 : Asahi Denka Co·，Ltd.之產品，聚氧伸丙基-聚氧伸乙基欲段共聚 物，平均分子量=1，900; PLURONICP-84: AsahiDenkaCo·， Ltd.之產品，聚氧伸丙基-聚氧伸乙基嵌段共聚物，平均分 子量=4,200 ; TETRONIC-704 : Asahi Denka Co·，Ltd.之產 品，N，N，N’，N’-肆（聚氧伸丙基-聚氧伸乙基嵌段共聚物），平 均分子量=5,000)。此等氟基表面活性劑之明確例子包括 EFTOP EF301、EF303及 EF352(SHIN AKITA KASEI CO·， LTD·之產品）、MEGAFACE F171 及 F173(DAINIPPON INK AND CHEMICALS，INCORPORATED 之產品）、ASAHI GUARD AG710(ASAHI GLASS CO·，LTD.之產品）、FLORAD FC-170C、FC430 及 FC431 (Sumitomo 3M之產品）、SURFLON 92217.doc •15- 1244881 S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105 及 SC106 (ASAHI GLASS CO·，LTD.之產品）、BM-IOOO 及 BM-llOO (B.M-Chemie Co·， Ltd.之產品）及 Schsego-Fluor (Schwegmann CO.，Ltd·之產品）。此外，以聚醚烧基為主之 表面活性劑的說明例包括聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸乙基 稀丙基醚、聚氧伸乙基烧基紛謎、聚氧伸乙基脂肪酸S旨、 脫水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧伸乙基脫水山梨糖醇脂肪酸 酯及氧伸乙基氧伸丙基嵌段聚合物。此等以聚醚烷基為主 之表面活性劑的明確例子包括EMULGEN105、430、810及 920、REODOLE SP-40S 及 TW-L120、EMANOLE 3199 及 4110、EXEL P-40S、BRIDGE 30、52、72及 92、ARACEL 20、 EMASOLE 320、TWIN 20 及 60 及 MERGE 45(KAO CORPORATION之產品）、及NONIBOL 55(Sanyo Chemical Industries，Ltd.之產品）。除以上列舉者外之非離子表面活 性劑的說明例包括聚氧伸乙基脂肪酸酯、聚氧伸乙基脫水 山梨糖醇脂肪酸酯、及聚氧化烯嵌段共聚物。其之明確例 子包括 CHEMISTAT 2500(Sanyo Chemical Industries，Ltd· 之產品）、SN-EX 9228(SAN NOPCO LTD·之產品）及NONAL 530(TOHO CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD·之產品）。 可使用於本發明之薄膜形成組合物中之溶劑係任何可溶 解胺化合物及氫化鋁化合物之錯合物（1)及含鈦化合物 (2)，且不會與錯合物（1)及化合物（2)反應之溶劑。此種溶劑 之說明例包括烴基溶劑諸如正戊烷、環戊烷、正己烷、環 己烷、正庚烷v環庚烷、正辛烷、環辛烷、癸烷、環癸烷、 92217.doc -16- 1244881 氫化二環戊二烯、苯、甲苯、二甲笨、莊、茚、四氫萘、 十氫奈及角鯊烷；醚基溶劑諸如乙醚、二丙醚、二丁醚、 乙一醇一甲基驗、乙一醇二乙基鱗、乙二醇甲基乙基醚、 一甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、四氫 2喃、四氫哌喃、雙（2-甲氧乙基）醚及對二氧陸圜；及極性 心劑諸如二氯甲烷及氯仿。其中，由溶解度及溶液安定性 之觀點來看，使用烴基溶劑或烴基溶劑及醚基溶劑之混合 物為較佳。&等溶劑可單獨或以兩者以上之混合物使用。 本發明中之薄膜形成組合物之固體濃度為〇1至1〇〇重量 %較佳，10至80重量％更佳。其可根據期望導電性薄膜之厚 度而調整至適當濃度。 接下來’將說明使用於本發明之第二方法中之薄膜形成 組合物。 關於胺化合物及氫化鋁之錯合物，使用與關於第一方法 所說明之相同錯合物。應明瞭關於第__方法中之錯合物所 說明的内容可直接適用於第二方法中之錯合物。 可較佳使用於本發明之金屬顆粒的說明例包括入卜Cu、 g Au Ni Ru、Pd、Pt及Sn。此等金屬顆粒係單獨或以 兩者以上之組合使用。關於此等金屬顆粒，可直接使用市 售的金屬顆粒’或於利用酸或驗將表面上之氧化物移除之 後再使用。用於移除表面上之氧化物的酸或驗係視待表面 處理之金屬的類型而定。雖然酸或驗並無特殊之限制，但 可使用，例如’氫氣酸、硫酸、确，酸、氫氟酸等等、此； 酸之水溶液、錢諸如氫氧仙及氫氧化鉀之水溶液。 92217.doc -17- 1244881 不大於5微米更 金屬顆粒之顆粒直徑不大於丨0微米較佳 佳’不大於1微米特佳。 包含⑴胺化合物及氫化紹化合物之錯合物，⑺金屬顆 粒’及視需要包含（3)溶劑之使用於本發明的薄膜形成組合物 亚不受限於特定的製造方法。其係經由在攪拌下將一定量之 金屬顆粒加至胺化合物及氫化銘化合物之錯合物之溶液而 製備得。加人金屬顆粒之溫度剌至丨耽較佳，5至跡c更 佳，及攪拌時間係〇1至12〇分鐘較佳，〇2至的分鐘更佳。 使用於此反應中之溶劑可為任何可溶解胺化合物及氨化 鋁化合物之錯合物之溶劑。關於溶劑，可使用與稍後說明 之了使用於薄膜形成組合物之相同溶劑。 使用於本發明之薄膜形成組合物可包含除胺化合物及鋁 氫之錯合物外之鋁化合物。可加入之除以上錯合物外之鋁 化合物的例子係如關於第一方法所舉例之相同的鋁化合 物0 關於胺化合物及氫化鋁化合物之錯合物（1)及金屬顆粒 (2)之比例，以1〇〇份重量之錯合物計，金屬顆粒之量係 〇·〇1至100份重量較佳，0.05至8〇份重量更佳。當金屬顆粒 之量低於0.01份重量時，無法製得具高密度之薄膜，而當 其高於100份重量時，可能很難得到溶液的穩定性。 本發明之薄膜形成組合物之溶液可適當地以金屬諸如 鐵、銳、鈦、矽或銦及/或半導體之微細顆粒之混合物使用， 以具有導電性。此外，溶液亦可視需要以金屬氧化物諸如 氧化結、氧化鈦或氧化矽之微細顆粒之混合物使用。 92217.doc -18- 1244881 此外，為改良溶液對待塗布物體之潤濕性及塗層薄膜之 勻:k !·生貝及防止於塗層薄膜中產生斑點及桔皮紋，可將 表面張力調節劑諸如氟基表面活性劑、秒基表面活性劑或 非離子表面活性劑視需要以不會減損期望效應之小量加 入。表面活性劑的明確例子係與關於第—方法所列舉者相 同0 可使用於㈣形成組合物中之溶劑係任何可溶解胺化合 物及氫化純合物之錯合物⑴，且不會與錯合物⑴反廣之 溶劑。舉例來說，可使用與關於第—方法所列舉者相同#籲 溶劑。 薄膜形成組合物之固體濃度為0.1至100重量％較佳，1〇 至80重量。/。更佳。其可根據期望導電性薄膜之厚度而調整 至適當濃度。 接下來’將說明第一及第二方法。

將於第-或第二方法中製得之薄膜形成溶液組合物塗 於基材上。所使用之基材的材料及形狀並無特殊之限制 其之材料可承受後續步驟中之熱處理較佳。此外，其上 成塗層薄膜之基材可具有平坦表面或不平坦表面^其· 形狀並無特殊之限制。此-基㈣材料之明確例子包括: 璃、金屬、塑膠及陶瓷。關於玻璃，可使用，例如，石 玻璃、硼矽酸鹽破璃、鈉鹼玻璃及鉛玻璃。關於金屬，: 使用’例如，金、銀、銅、錄、石夕、銘、鐵及 q 於塑膠’可使用’例如，聚醯亞胺及聚_。此外 材料亚不限於特殊的形狀，而可為塊、板或薄膜之形狀。 92217.doc -19- 1244881 此外，塗布溶液之方法並無特殊之限制，其可為旋塗、蘸 塗、簾流塗布、輥塗、噴塗、喷墨印刷或平版印刷。溶液 可塗布一次或多次。塗層薄膜之適當厚度係視塗布方法及 固體濃度而異。薄膜厚度為〇_〇〇1至1〇〇微米較佳，〇〇〇5至 50微米更佳。 此外，在本發明，可將以上基材製備成為具有經由將基 材塗布包括含選自由Ti、Pd及A1所組成之群之金屬原子之 有機金屬化合物之溶液而形成之塗層薄膜（基礎層）的基 材。由於存在此一基礎層，因而基材與鋁薄膜之間的黏著 保持於穩定狀態。 含Τι原子之有機金屬化合物的說明例包括烷氧化鈦、含 胺基之鈦化合物、具有万_二酮之鈦化合物、含環戊二烯基 之鈦化合物、及含函基之鈦化合物。 含Pd原子之有機金屬化合物的說明例包括含鹵基之鈀錯 合物、乙酸鹽、具有/3_二酮之把錯合物、具有含共耗羰基 之化合物的鈀錯合物、及膦基鈀錯合物。 此外’含A1原子之有機金屬化合物的說明例包括烧氧化 铭、烧化銘、及具有/3 -二酮之銘錯合物，不包括銘氫-胺錯 合物。 有機金屬化合物之說明例包括如使用於第一方法中之導 電性薄膜形成組合物之含鈦化合物的相同含鈦化合物、具 有鹵原子之鈀錯合物諸如氯化鈀、氯化烯丙鈀、二氯雙（乙 腈）Is及二氣雙（苯甲腈）把、乙酸鹽諸如乙酸把；具有石-二酮之鈀錯合物諸如2,4-戊烷二酮鈀及六氟戊烷二酮鈀；具 92217.doc -20· 1244881 有含共軛羰基之化合物的鈀錯合物諸如雙（二亞节基丙酉同） 把；膦基鈀錯合物諸如雙[U2-雙（二苯膦基）乙烷]鈀、氯化 雙（二本麟）纪、乙酸雙（二本麟）把、二乙酸雙（三笨膦）$巴、 二氯[1，2-雙（二苯膦）乙烷]鈀、反-二氯雙（三環己膦）鈀、反-一氯雙（二本麟）把、反-一氣雙（二·鄰甲苯麟）纪及肆（三苯 膦）絶；烷氧化鋁諸如乙氧化鋁、異丙氧化鋁、正丁氧化銘、 第二丁氧化鋁、第三丁氧化鋁、乙氧基乙氧基乙氧化鋁、 笨氧化紹及乳酸|呂；烧化銘諸如乙酸銘、丙烯酸銘、甲基 丙烯酸鋁及環己烷丁酸鋁；及具有二酮之鋁錯合物諸如 2,4-戊烷二酮鋁、六氟戊烷二酮鋁、2,2,6,6_四甲基_3,5_庚 烧二呂、第二丁氧化雙（乙基乙醯乙酸）鋁、二-第二丁氧 化乙基乙醯乙酸鋁及二異丙氧化乙基乙醯乙酸鋁。 其中，使用異丙氧化鈦、異丙氧化鋁、雙（乙基乙醯乙酸） 二異丙氧化鈦、四（乙醯乙酸）鈦、2,4-戊烷二酮鈀、六氟戊 烷二酮鈀、2,4-戊烷二酮鋁及六氟戊烷二酮鋁為較佳。 關於使用於含Ti、Pd或Α1原子之有機金屬化合物之溶液 中之溶劑，可使用任何其本身或其與水之混合溶劑可溶解 有機金屬化合物之溶劑。此種溶劑之說明例包括水；醚諸 如四氫呋喃、二氧陸圜、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、 二甘醇二甲醚及二甘醇二乙醚；具有醚基之酯諸如乙二醇 單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸 酉曰及丙二醇單乙醚乙酸酯；烴諸如甲苯、二甲苯、己烧、 %己烷、辛烷、十氫萘、四氫萘及莊；醇諸如甲醇、乙醇 及丙醇；及非質子性極性溶劑諸如N-甲基吡咯啶酮、N，N_ 92217.doc 1244881 一甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺及γ· 丁 内酯。此等溶劑可單獨或以與水之混合溶劑使用。

有機金屬化σ物之浴液可利用與用於塗布導電性薄膜形 成組合物之溶液相同之方法塗布至基材。於移除溶劑後之塗 層薄膜(基礎層)之厚度為〇.〇〇1至1〇微米較佳，〇〇〇5至⑽米 更佳。當基礎層太厚時’报難得到薄膜之平坦度，而當基礎 層太薄時，基礎層會對其所接觸之基材或薄膜具有不良的黏 著。基礎層係經由塗布以上溶液，及將塗布溶液加熱以移除 溶劑而形成。加熱溫度為3〇至35〇t，以4〇至3〇(rc較佳。 使用於本發明之基材可為在相同基材上具有疏水性部分 及親水性部分之基材。因而可僅於基材上之特^卩分中形 成導電性薄膜。 於相同基材上具有疏水性部分及親水性部分之使用於本 發月之基材上之對應於疏水性部分的部分係經由僅將包

^例如，，、甲基二矽胺烷或以上之氟基表面活性劑之溶 液塗布至標的部分，及將塗布部分在1〇〇 而 形成。為僅將包含六甲基二㈣烧或以上之氟基表面^ 劑之溶液塗布至標的部 >，如稍後說明先使基材之整個表 面成為親水性，將需要的親水性部分覆蓋，然後使標的的 &水|± 分成為疏水性。覆蓋親水性部分之方法並無特殊 之限制。舉例來說，使用包括利用已知之微影方法，利用 已知之光阻劑覆蓋不對應於疏水性部分之部分進行圖案化 之方法，或使用包括使用蒙版黏帶於覆蓋不對應於疏水性 邛分之部分的方法。然後於在對應於疏水性部分之部分中 92217.doc -22- 1244881 形成‘包性薄膜後，將所使用的光阻劑或蒙版黏帶移除。 此外，亦可先使基材之整個表面成為疏水性，然後再以類 似的方式使特定部分成為親水性。 此外，於相同基材上具有疏水性部分及親水性部分之使 用於本發明之基材上之對應於親水性部分的部分可經由將 包含T!、Pd*A1原子之化合物之溶液塗布至基材上之對應 於親水性部分之部分，及將塗布溶液乾燥而製得。

關於有機金屬化合物，可使用與關於基礎薄膜而說明於 上之有機化合物相同的化合物較佳。 在本發明之方法中，使導電性薄膜形成組合物之溶液3 塗層薄臈進行熱處理及/或域理，以轉變為作為導電㈣ 臈之配線或電極。熱處理溫度為6〇<t以上較佳，至_。( 更佳。加熱時間係自，例如，3〇秒至約12〇分鐘。此外，旁 處理之大氣係具有最少氧的惰性氣體較佳，由於如此可詞 到良好品質的導電性薄膜。關於以上的惰性氣體，可使用

例如，氮、氦及氬。此外，亦可將含氫之混合氣體使用作 為惰性氣體。此外，可利用本未 』矛彳用先處理使用導電性薄膜形成紐 合物之溶液的塗層薄膜，以形成導電性薄膜。關於使用於 光處理之光源，可使用㈣或高壓汞燈、氣燈、惰性氣體 造如氬、氪或氤之放電光、YAG雷射、氬雷射、二氧化碳 雷射、及 XeF、XeC1、XeBr、KrF、KrC1、ArF、ArC^ 分子雷射等等。關於此等光源，使用具1Q至5，_瓦之輸出 的光源為較佳’但具⑽至⑽瓦之輪出的光源更佳。此 寻先源之波長並無特殊之_，但為17岐米至副奈米較 92217.doc -23- 1244881 佳。由修改導電性薄膜之作用的觀點來看，使用雷射光束 為特佳。光處理時之溫度係自室溫至20(rc較佳。此外，為 僅使特定部分暴露至光，可使塗層薄膜經由光罩曝光。 導電性薄膜之適當厚度係視塗布方法及固體濃度而異。 薄膜厚度為G.oi至1〇〇微米較佳，0()5至1()微米更佳。當薄 膜，厚時，报難得到薄膜之平坦度，而當薄膜太薄時:其 可月b會對其所接觸之基材或薄臈具有不良的黏著。 可將如前所述而製得之導電性薄膜適當地使用作為太陽 電池、半導體冑置及電子裝置諸如電子顯示裝置之電極。 此外，當以圖案形態形成以上之導電性薄膜時，可將其 使用作為以上電子裝置之配線。 、 形成圖案形態之導電性薄臈的方法並無特殊之限制。此 一方法之說明例包括（1)包括形成如前所述之導電性薄膜， 然後經由蝕刻將導電性薄膜之不需要部分移除，以形成配 線圖案之方法，⑺包括僅將有機金屬化合物之溶液塗布至 基材上之對應於配線圖案之部分，然後使塗布部分進行加 熱及/或光處理，以形成配線圖案之方法，及包括將有機 金屬化合物之溶液塗布於基材上1後僅使對應於配線圖 案之部分暴露至光，以形成配線圖案之方法。 在以上的方法⑴中，可使用包括將光阻劑塗布在形成於 基材上之導電性薄膜上，使光阻劑透過具有期望圖案之光 罩照射光’以使其顯影’然後再利用驗性水溶液進行蝕刻 之方法。 關於以上方法(2)中之塗布方法’可使用，例士。，噴墨方 92217.doc -24- 1244881 法。可使以圖案形態塗布之有機金屬化 形成以上導電性薄膜之相 液以如同 形成配線圖案。 加熱及/或光處理，以 在以上的方法（3)中，可例如透過具有期望 光罩照射光。光照射可在與用於形成 性薄=之 同條件下進行。 ♦罨性潯肤之相 當使如此製得之導雷鴒 于〈導電性溥臈留置於空氣中時 會在表面上形成氧㈣層。當將導電性薄媒使用作 及1 或電極時，此可成為問題。為防止氧化，於在惰 :大乳中形成導電性薄臈之後，在惰性氣體大氣中形 成保邊臈溶液較佳。關於保護膜’使用，例如，⑴選自由 Γ佳^A1所組成之群之金屬薄膜，或⑼有機聚合物薄模 以上的金屬缚膜可經由，例如，塗布與用於形成基礎層 之以上有機金屬化合物相同之有機金屬化合物之溶液，然 後使塗布溶液進行加熱及/或曝光，以使有機金屬化合物轉 變為相關金屬而形成。加熱及/或曝光可在如前所述之相同 條件下進行。 同時’有機聚合物薄膜可經由塗布有機聚合物之溶液， 吏洛別在例如’ 50至200 C之溫度下消散移除，及將所得薄 臈乾燥而形成。使用於溶液中之聚合物並無特殊之限制。 舉例來。兄，可使用均聚物諸如聚（甲基）丙婦酸醋，例如，聚 甲基丙稀酸甲醋、聚甲基丙婦酸丁醋及聚丙稀酸乙酉旨、聚 苯乙稀、聚丁稀、聚乙稀醇、聚乙酸乙稀醋及聚丁二稀或 92217.doc -25- 1244881 此等聚合物之共聚物。關於使用於此等聚合物溶液中之、容 劑’可使用任何可溶解聚合物之溶劑。 於移除溶劑後之保護膜之厚度為0.001微米至1〇微米較 佳，0.01微米至1微米更佳。當保護膜太厚時，彳艮難得到^ 膜之平坦度，而當其太薄時，其會對其所接觸之基材或薄 膜具有不良的黏著。 實施例 以下將參照實施例進一步說明本發明。然而，本發明不 應以任何方式受限於此等實施例。 實施例1 將由三乙胺氫氯酸鹽及氫化鋰鋁及鋁氫合成得之100克 之三乙胺之錯合物之35%二甲苯溶液於氮大氣中在室溫下 稱重至200毫升燒瓶中。在室溫下將〇 23克之雙（乙基乙醯乙 酸）二異丙氧化鈦逐滴加至此溶液。然後將所得溶液在8(rc 下加熱3分鐘，接著使其冷卻至室溫，因而製備得包含 胺化合物及氫化鋁之錯合物、（2)含鈦化合物及（3)有機溶劑 之組合物。接著將10平方公分之玻璃基材於雙（乙基乙醯乙 酸）二異丙氧化鈦之10%甲苯溶液中浸泡1小時，然後於10() C下乾燥30分鐘及於300°C下乾燥30分鐘，而製備得親水性 基材。將玻璃基材於氮大氣中在每分鐘丨…㈧轉”…⑻rpm) 下方疋塗包含（1)胺化合物及氫化鋁之錯合物、（2)含鈦化合物 及（3)有機溶劑之組合物2〇分鐘，然後於8〇它下預烘烤以移 除溶劑’因而形成包含（1)三乙胺及鋁氫之錯合物及含鈦 化合物之薄膜。當將塗層薄膜於氮大氣中在2〇〇t：下進一步 92217.doc -26 - 1244881 加熱财鐘以使其熱分解時，在玻璃基材上形成具有金屬 光澤之薄膜。當利用表面輪靡儀（α _卿）伽如&，⑽ 之產品）測量基材上之薄膜厚度時，測得其為175奈米。當 測量薄膜之ESCA時，在73.5電子伏特下觀察到屬於AW 皮峰此外利用拉塞福反散射光譜術

BackScattering Spectr〇sc〇py)測量薄膜密度時，測得μ克/ 立方公分之密度。此外，當檢測薄膜之導電性時，得到Η 微歐姆•公分之比電阻。以’發現可將薄膜適當地使用 作為電子裝置之電極。 實施例2 以與實施例丨相同之方式製備包含⑴胺化合物及氫化銘 之錯合物、（2)含鈦化合物及（3)有機溶劑之組合物，除了使 用0.24克之四（乙醯乙酸）鈦替代G23克之雙（乙基乙酿乙酸） 二異丙氧化鈦。以與實施例i相同之方式旋塗2毫升如此製 得之塗布溶液然後烘烤，而形成於1〇平方公分之經雙（乙基 乙醯乙酸）二異丙氧化欽之1()%甲苯溶液表面處理之玻璃基 材上具有紹光澤的220奈米厚薄膜。當利用RBs測量薄膜密 度時’測得2.3克/立方公分之密度。此外，當測量薄膜之電 阻時，得到23微歐姆•公分之比電阻。因此，發現可將薄 膜適當地使用作為電子裝置之電極。 實施例3 以與實施例丨相同之方式製備包含⑴胺化合物及氮化铭 之錯合物、(2)含鈦化合物及(3)有機溶劑之組合物，除了使 用0.13克之-亂化二環戊二稀基鈇替代〇·23克之雙（乙基乙 92217.doc -27- 1244881 酿乙酸）二異丙氧化鈦。以與實施例⑷同之方式旋塗2毫升 士 布&液然後供烤’而形成於⑺平方公分之經 又（乙基乙醯乙酸）二異两氧化鈦之跡甲苯溶液表面處理 之玻璃基材上具有紹光澤的27G奈米厚薄膜。當利用娜測 量薄膜密度時，測得2.4克/立方公分之密度。此外，當測量 薄膜之电阻挎’得到8微歐姆•公分之比電阻。因此，發現 可將薄膜適當地使用作為電子裝置之電極 實施例4 乂 ”實化例1相同之方式製備包含⑴胺化合物及氮化銘 之錯合物、(2)含鈦化合物及(3)有機溶劑之組合物，除了使 用〇·〇66克之二氯化二環戊二烯基鈦替代〇·23克之雙（乙基 乙醯乙酸）二異丙氧化鈦。以與實施例i相同之方式旋塗2毫 升如此製得之塗布溶液然後烘烤，而形成於1〇平方公分之 經雙（乙基乙醯乙酸）二異丙氧化鈦之1〇%曱苯溶液表面處 理之玻璃基材上具有鋁光澤的23〇奈米厚薄膜。當利用rbs 測量薄膜密度時，測得2·4克/立方公分之密度。此外，當測 里薄膜之電阻時，得到9微歐姆•公分之比電阻。因此，發 現可將薄膜適當地使用作為電子裝置之電極。 實施例5 以與實施例1相同之方式製備包含胺化合物及氫化鋁 之錯合物、（2)含鈦化合物及（3)有機溶劑之組合物，除了使 用0.12克之二氣化j辰戊一坤基鈦替代ο·]]克之雙（乙基乙酸 乙酸）二異丙氧化鈦。以與實施例丨相同之方式旋塗2毫升如 此製得之塗布溶液然後烘烤，而形成於丨〇平方公分之經雙 92217.doc -28 - 1244881 (乙基乙醯乙酸）二異丙氧化鈦之10%甲苯溶液表面處理之 玻璃基材上具有鋁光澤的210奈米厚薄膜。當利用RBS測量 薄膜密度時，測得2·4克/立方公分之密度。此外，當測量薄 膜之電阻時，得到11微歐姆•公分之比電阻。因此，發現 可將薄膜適當地使用作為電子裝置之電極。 實施例6 以與實施例1相同之方式製備包含（1)胺化合物及氫化鋁 之錯合物、（2)含鈦化合物及（3)有機溶劑之組合物，除了使 用0.058克之二氯化環戊二烯基鈦替代〇 23克之雙（乙基乙 醯乙酸）二異丙氧化鈦。以與實施例丨相同之方式旋塗2毫升 如此製得之塗布溶液然後烘烤，而形成於1〇平方公分之經 雙（乙基乙醯乙酸）二異丙氧化鈦之1〇%甲苯溶液表面處理 之玻璃基材上具有鋁光澤的22〇奈米厚薄膜。當利用rbs測 1薄膜密度時，測得2·3克/立方公分之密度。此外，當測量 薄膜之私阻日守，得到1 〇微歐姆•公分之比電阻。因此，發 現可將薄膜適當地使用作為電子裝置之電極。 比較實施例1 "不使用於實施例丨中所使用之雙（乙基乙醯乙酸）二異丙 氧化鈦，以與實施例丨相同之方式旋塗2毫升由三乙胺氫氯 酸鹽及氣化链紹及銘氫合成得之三乙胺之錯合物之训溶 液然後烘烤，而形成於10平方公分之經雙(乙基乙醯乙酸) 二異丙氧化鈦之10%甲苯溶液表面處理之玻璃基材上具有 銘光澤的21G奈米厚薄膜。當測量薄膜之電阻時，得到 微歐姆•公分之比電阻。因此，發現製得導電性薄膜，但 92217.doc -29- 1244881 其之比電阻相當低。此外，當利用RBS測量薄膜密度時， 測得1.6克/立方公分之密度，顯示薄膜錢亦相當低。 實施例7 將由三乙胺氫氯酸鹽及氫化鋰鋁及鋁氫合成得之克 之三乙胺之錯合物之35〇/〇二甲苯溶液於氮大氣中在室溫下 稱重至200毫升燒瓶中。在室溫下將3 5克之ulvac inc之 7〇奈米直徑Ag顆粒加至此溶液並攪拌3〇分鐘，因而製備得 包含⑴胺化合物及氫化紹之錯合物、⑺Ag顆粒及⑺有機 溶劑之組合物。接著將10平方公分之玻璃基材於雙（乙基乙 醯乙酸）二異丙氧化鈦之1〇%甲苯溶液中浸泡丨小時，然^於 100°C下乾燥30分鐘及於wc下乾燥3G分鐘，而製備得親 水性基材。將玻璃基材於氮大氣中在每分鐘丨’000轉下旋塗 包含⑴胺化合物及氫化結之錯合物、⑺Ag顆粒及⑺有機 溶劑之組合物20分鐘，然後於8(rCT預烘烤以移除溶劑， 因而形成包含⑴三乙胺及鋁氫之錯合物及⑺⑽粒之薄 膜。當將塗層薄膜於氮大氣中在]^^下進一步加熱3〇分鐘 以使其熱分解時，在玻璃基材上形成具有金屬光澤之薄 臈。當利用表®輪靡儀（Tenchor Co.，Ltd,之產品）測量基材 上之薄膜厚度時，測得其為800奈米。當測量薄膜之esca 時，在73.5電子伏特下觀察到屬於八、鋁之波峰。此外，當 測量薄膜之透光度時，測得在300奈米波長下之〇%的透光 度，顯示製得密實的鋁薄膜。此外，當檢測薄膜之導電性 時，得到75微歐姆•公分之比電阻。因此，發現可將薄膜 適當地使用作為電子裝置之電極。 92217.doc -30- 1244881 實施例8 、、實施例7相同之方式製備包含⑴胺化合物及氯化銘 "曰口物（2)Cu顆粒及（3)有機溶劑之組合物，除了使用3·5 克之Aldrich Co.，Ltd·之具450奈米顆粒直徑之以顆粒替代 =5克之Ag顆粒。以與實施例7相同之方式旋塗〕毫升如此製 侍之塗布溶液然後烘烤，而形成於1〇 甲苯，合液處理之玻璃基材上具有鋁光澤的奈米厚 薄膜。當測量薄膜之透光度時，測得在3〇〇奈米波長下之〇% 的透光度，顯示製得密實的鋁薄膜。此外，當測量薄膜之 電阻日守，得到65微歐姆•公分之比電阻。因此，發現此薄 膜適合作為電子裝置之電極。 實施例9 以與實施例7相同之方式製備包含（1)胺化合物及氫化鋁 之錯合物、（2)Ag顆粒及（3)有機溶劑之組合物，除了使用 3 5 %甲苯溶液替代由三乙胺氫氣酸鹽及氫化鋰鋁及鋁氫合 成得之三乙胺之錯合物之35%二甲苯溶液。於氮大氣中將2 毫升如此製得之塗布溶液在每分鐘1，〇〇〇轉下在如於實施 例7中所使用之相同的玻璃基材上旋塗2〇秒，然後於8〇。〇下 烘烤10分鐘及於200°C下烘烤30分鐘，而製得具有鋁光澤的 700奈米厚薄膜。此外，當測量薄膜之透光度時，測得在3〇〇 奈米波長下之0°/。的透光度，顯示製得密實的鋁薄膜。當測 量薄膜之電阻時，得到80微歐姆•公分之比電阻。因此， 發現此薄膜適合作為電子裝置之電極。 92217.doc -31 - 1244881 實施例1 ο 以與實施例7相同之方式製備包含（1)胺化合物及氫化鋁 之錯合物、（2)Cu顆粒及（3)有機溶劑之組合物，除了使用錯 合物之35%甲苯溶液替代由三乙胺氫氯酸鹽及氫化鋰鋁及 雀呂氫合成得之三乙胺之錯合物之35%二甲苯溶液。於氮大 氣中將2毫升如此製得之塗布溶液在每分鐘} ,〇〇〇轉下在如 於實軛例7中所使用之相同的玻璃基材上旋塗2〇秒，然後於 80C下烘烤1〇分鐘及於2〇(rc下烘烤3〇分鐘，而製得具有鋁 光澤的800奈米厚薄膜。當測量薄膜之透光度時，測得在300 奈米波長下之0%的透光度，顯示製得密實的鋁薄膜。此 外，當測量薄膜之電阻時，得到75微歐姆•公分之比電阻。 因此’發現此薄膜適合作為電子裝置之電極。 實施例11 以與實施例7相同之方式製備包含⑴胺化合物及氮化銘 之錯合物、（2)Ag顆粒及（3)有機溶劑之組合物，除了使用2.5 INC·之70奈米Ag顆粒。於

發現此薄膜適合作為電子裝置之電極 克之Ag顆粒替代3.5*iULVAC INc•之7〇奈东 鼠大氣中將2毫升如此製得之塗布溶液在每分 在如於實施例7中所使用之相同的玻璃基材上2 後於80 C下烘烤1〇分鐘及k2〇(^c下烘烤3〇分j 膜。此外，當沒 比電阻。因此， 實施例12 92217.doc 1244881 以與實施例8相同之方式製備包含（1)胺化合物及氳化鋁 之錯合物、（2)Cu顆粒及（3)有機溶劑之組合物，除了使用2 $ 克之Cu顆粒替代3·5克之Aldrich c〇，Ud之具45〇奈米顆粒 直徑之Cu顆粒。於氮大氣中將2毫升如此製得之塗布溶液在 每分鐘1，000轉下在如於實施例8中所使用之相同的玻璃基 材上旋塗20秒，然後於8(rc下烘烤1〇分鐘及於2〇〇它下烘烤 3〇分鐘，而製得具有鋁光澤的8〇〇奈米厚薄膜。此外，當測 量薄膜之透光度時，測得在3〇〇奈米波長下之〇%的透光 度’顯不製得密實的銘薄膜。此外，當測量薄膜之電阻時， 得到80微歐姆•公分之比電阻。因此，發現此薄膜可適當 地使用作為電子裝置之電極。 比較實施例2 不使用於實施例7中所使用之Ag顆粒，以與實施例7相同 之方式旋塗2毫升由三乙胺氫氯酸鹽及氫化鐘無及結氫合 成得之三乙胺之錯合物之35%溶液然後烘烤，而形成於5平 方公分之經由缝於其上形成2〇奈米氧化鈦薄膜之玻璃基 材上具有！S光澤的240奈米厚薄膜。當測量薄膜之電阻時， 得到80微歐姆·公分之比電阻，顯示製得導電性薄膜。然 而，當測量薄膜之透光度日夺，測得在3〇〇奈米波長下之8: 的透光度，顯示薄膜之密度相當低。 實施例13 將以與實施例1之相同方式製備得之包含⑴胺化合物及 氫化鋁之錯合物、(2)含鈦化合物及(3)有機溶劑之組合物旋 塗在經由將10平方公分之石朋石夕酸鹽玻璃於10%雙（乙基乙醯 92217.doc -33 - 1244881 乙酸）二異丙氧化鈦/甲苯溶液中浸⑴小時而製得之親水性 基材上，然後將玻璃於loot下乾燥30分鐘及於綱^下乾 燥30分鐘。接著將經旋塗基材於8〇t下預烘烤以移除溶 4，由此形成包含（1)二乙胺及銘氫之錯合物及⑺含欽化合 物之薄膜。由於將塗層薄膜於氮大氣中在20(rc下進一步加 熱30分鐘的結果，形成具有金屬光澤之薄膜。基材上之薄 膜厚度為220奈米。 利用旋塗機將此薄膜塗布G線之光阻劑（TFR9〇〇5d丨〇g : JSR Corporation之產品），然後再在9〇χ：下預烘烤丨2〇秒，而 形成光阻劑薄膜。然後利用Nik〇n c〇rp〇rati〇n之縮小投影 曝光設備NSR1505G4D使薄膜透過具有包括1〇微米寬度及5 公分長度之圖案的光罩暴露（至436奈米之光4〇〇毫秒），利用 2.38重量％氳氧化四銨水溶液顯影，以超純水滌洗，然後於 120°C下後烘烤2分鐘，而於導電性薄膜上形成光阻劑圖案。 接著將所得之導電性薄膜於0el N氫氧化鉀溶液中浸泡 10分鐘，並以超純水滌洗進行蝕刻，及利用氧電漿移除光 阻劑，而形成具有金屬光澤，及具200奈米厚度、1〇微米線 寬及5公分長度之配線。 形成配線之兩端間的電阻為1 〇毫歐姆。 實施例14 利用噴墨方法將以與實施例1之相同方式製備得之包含 (1)胺化合物及氫化鋁之錯合物、（2)含鈦化合物及（3)有機溶 劑之組合物以具5 0微米線寬之直線形態圖案塗布在經由將 10平方公分之硼矽酸鹽玻璃於10%雙（乙基乙醯乙酸）二異 92217.doc -34- 1244881 丙氧化欽/甲苯溶液中浸泡！小時而製得之親水性基材上， J後將玻璃於100 c下乾燥30分鐘及於3〇〇它下乾燥3〇分 鐘。接著將基材於80t下預烘烤以移除溶劑，由此形成包 含⑴三乙胺及！呂氫之錯合物及⑺含鈦化合物之薄膜。由於 將塗層薄膜於氮大氣中在戰下進一步加熱如分鐘的結 果’形成具有金屬光澤’及具22()奈米厚度、5G微米線寬及 5公分長度之配線。配線之兩端間的電阻為2毫歐姆。 如詳細說明於上’根據本發明，提供—種經由利用溶液 塗布方法諸如旋塗方法或噴墨方法形成塗層薄膜，然後再 使塗層薄膜受到熱及/或光’而容易地形成具有導電性之薄 膜的工業方法，其不同於利用真空方法諸如濺鍍、真空沈 積或CVD形成導電性㈣膜之習知方法。此方法有可以低 成本形成均勻且密實薄膜之配線及電極的優點。

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Claims (1)

1. l§ii〇8339號專利申請案 丨食气 中文申請專利範圍替換本(94年5月） 曰) + · _ · . 一，一，！丨"…-MU-/ 、申請專利範圍： 1· 一種導電性薄膜形成用之組合物，其係包含胺化合物及 氫化鋁化合物之錯合物、及鈦化合物。 2·如申請專利範圍第1項之組合物，其包含以錯合物及鈦化 合物之總量計0.001至30莫耳％量之鈦化合物。 3 · 一種形成導電性薄膜之方法，其係包括將基材塗布包含 下列成为之組合物：（A)胺化合物及氫化銘化合物之錯合 物、及（B)鈦化合物，然後再使製得之塗層薄膜進行加熱 及/或光處理，而形成導電性薄膜。 4·如申請專利範圍第3項之方法，其中該組合物包含以錯合 物（A)及鈦化合物之總量計〇·〇〇丨至3〇莫耳％量之鈦化 合物（B)。 5·如申請專利範圍第3項之方法，其中該導電性薄膜係為配 線0 6·如申請專利範圍第3項之方法，其中該導電性薄膜係為電 極0 7. 一種形成導電性薄膜之方法，其係包括將基材塗布包含 下列成分之組合物：（A)胺化合物及氫化鋁化合物之錯合 物、及（C)金屬顆粒，然後再使製得之塗層薄臈進 <、、v 及/或光處理，而形成導電性薄膜。 8·如申請專利範圍第7項之方法，其中該金屬顆粒（c)之顆粒 直徑不大於10微米。 9_如申請專利範圍第7項之方法，其中該組合物包含以1〇〇 份重量之錯合物（A)計〇·〇1至1〇〇份重量之量的金屬顆粒 92217-94051i.doc 男請委員明示y 出原說明 1244881 之方法

   (C) 〇 1〇.如申請專利範圍第7項之 線。 11·如申請專利範圍第7項之 其中該導電性薄膜係為配 其中該導電性薄膜係為電 方法， 其中於該基材上具有 如申請專利範圍第5或1 〇項之 包含選自由鈦、鈀及鋁所組成之群之至少一金屬原子之 有機金屬化合物的塗層薄膜。 13.如申請專利範圍第6或11項之方法，其中於該基材上具有 包含選自由鈦、鈀及鋁所組成之群之至少一金屬原子欠 有機金屬化合物的塗層薄膜。 92217-940511.doc