TWI239024B - Composition for thin film capacitor, insulation film with high dielectric rate, thin film capacitor, thin film laminated capacitor, and manufacturing method of thin film capacitor - Google Patents
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Description
1239024 五、發明說明⑴ --------- 【發明所屬之技術領域】 本發=係關於一種薄膜電容元件用組合 ^ 絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜層積電容哭 、鬲介電率 元件之製造方法。 乂及涛膜電容 【先前技術】 近年來，在電子零件之領域，隨著電子 化•高積體化而在各種電子電路，來希望 y路之高密度 件之電容元件等之更進一少之小型化及古2為必要電路元 例如使用單層介電質薄膜之薄膜電;哭，化。 等之主動元件間之積體電路，小型化變得^ =在和電晶體 超高積體電路實現之要因。薄膜電容哭之、’成為妨礙 於使用於這個之介電質材料之介電率二之1 =化遲緩係由 了使得薄膜電容器成為小塑化並且實現高容:，此，為 用具有高介電率之介電質材料係變得重要。 口此，使 此外，在近年來，@電容密度之觀點來看的話，則次 世代DRAM (十億位元世代）用之電容器材料係無法應付於 習知Si 〇2和Sis〇4之層積膜，具有更高介電率之材料系統係 受到注目。在此種材料系統中，丁aOx ( e =〜3〇 )之適用 係主要受到檢討，但是，其他材料之開發係也活潑地進 行。
另 道 作為具有比較高介電率之介電質材料係 ___ -一…_ '
(Ba、Sr ) Ti03 (BST )或Pb (Mg
i/3Nb2/3 ) 03 (PMN 因此，也認為如果使用此種介電 容元件的#，則是否盔法读 才十而構成溥膜 …、次建到其小型化。
1239024__' 五、發明說明（2) 但是，在使用此種介電質材料之狀態下，隨著介電質 膜之薄層化而導致介電率之降低。此外，也由於隨著薄層 化而產生於介電質膜之孔，以致於洩漏特性或耐壓呈惡 化。此外，所形成之介電質膜係也具有表面平滑性變差並 且介電率對於溫度之變化率呈惡化之傾向產生。此外，在 近年來，由於PMN等之鉛化合物對於環境所造成之影響大 小，因此，要求不含有鉛之高容量電容器。 _ 相對於此，為了實現層積陶曼電容器之小型化及大電 容化，因此，要求儘可能地使得每1層介電質層之厚度變 薄（薄層化），儘可能地增加既定尺寸之介電質層之層積 數（多層化）。 層積陶瓷電容器係藉由薄片法或印刷法而進行製造。 所謂薄片法係使用介電質層用糊膏，在載體薄膜上，藉由 刮刀法等，來形成介電質綠色薄片層，在該上面以既定圖 案來印刷内部電極層用糊膏後，每一層地剝離及層積這些 之方法。所謂印刷法係例如使用網版印刷法，在載體薄膜 上交互地印刷複數次之介電質層用糊膏和内部電極層用糊 膏後，來剝離載體薄膜之方法。但是，例如在藉由薄片法 而製造層積陶瓷電容器之狀態下，不可能比起陶瓷原料粉 末還形成更薄之介電質層。並且，由於因為介電質層之缺 陷所造成之短路或内部電極中斷等之問題，因此，不容易 使得介電質層，薄層化至例如2 // in以下。此外，在使得每 1層介電質層來進行薄層化之狀態下，也在層積數，有限 度產生。此外，也在藉由印刷法而製造層積陶瓷電容器之
2030-6093-PF(N2).ptd 第6頁 1239024 五、發明說明（3) 狀態下，具有同樣問題產生。 由於此種理由，因此，在層積陶瓷電容器之小型化 南電容化，會有限度存在。因此，為了解決該問題，所 以’進行各種提議（例如專利文獻1 :日本特開2 〇 〇 〇 — 1 24 05 6號公報、專利文獻2 :日本特開平丨丨—2 1 424 5號公 報、專利文獻3 ··日本特開昭56〜1 44523號公報、專二 獻4 :日本特開平5 — 3 3 5 1 73號公報、專利文獻5 :日本 開平5 — 3 3 5 1 7 4號公報等）。 在這些公報’揭示：使用CVD法、蒸鍍法、濺鍍法 之各種薄膜形成方法而交互地層積介電質薄膜和電極 的層積陶瓷電容器之製造方法。 '寻犧 但是，藉由記載於這些公報之方法 膜係表面平滑性變$，在層積太多時，電極 於迫樣而僅能夠製造至多12〜13層左右之層積數。 由 ^ =外，正如非專利文獻1 [「鉍層狀構造強介電質險这 定位及對於其壓電·焦電材料之應用…Γ 都大：工學博士論文（顧）之第3章之第23〜 所豕 不’仵知：成為藉由組成式：（Bi2〇2)2+ Rn、所 或^^人“所表示、前述組成式 01 1 "> 2>„+1 2 ^ ^ ^Na > K ^ Pb. Ba ^ Sr； Ca ；Bl , , ^ " 一種7C素、記號B為由Fe、c〇 T之至少 “、V、—w所選出之至少―種元久二、'、ja、 厅传到之體積之叙層狀化合物介電質战错 —疋’在該文獻，並無揭示任何有關於：在^任何
2030-6093-PF(N2).ptd 第7頁 1239024 五、發明說明（4) 一種條件（例如基板面和化合物之c軸定位度間之關係） 而對於藉由前述組成式所表示之組合物來進行薄膜化（例 如1 β m以下）之狀態下，即使是變薄，也能夠得到可以賦 予比較高之介電率及低損失、洩漏特性良好、提高耐壓、 介電率之溫度特性良好及表面平滑性也良好的薄膜。
因此，本發明人們係開發專利文獻6 ( PCT / JP02 / 〇8574)所示之薄膜電容元件用組合物，已經先進行申 清。本發明人們係還進行實驗，結果，發現：可以藉由比 起Μ層狀化合物之化學量論組成而還過剩地含有B丨，以便 於更加提高化合物之c軸定位度；以致於完成本發明。 此外，由專利文獻6所示之薄膜電容元件用組合物所 構成之薄膜係可以藉由CVD法、蒸鍍法、濺鍍法等之各種 薄膜形成方法而形成，特別是藉由溶液法（溶膠凝膠法、 MOD 法（Metal-Organic Decomposition (金屬有機分解） 之縮寫））而形成之狀態下，不容易提高c軸定位度。原 因是在溶液法，在基板上形成某種程度膜厚之塗敷膜後， 進行結晶化用之燒結，因此，容易受到基板之影響，不依 賴基板定位之方向，不容易進行c軸定位。
此外’在非專利文獻2 [2〇〇1年應用物理學會誌ν〇1· 4〇 (2001 ) ρρ· 2977_2982 、 part (部分）1，Ν〇· 4Β，
Apr i 1 (四月）2〇〇1 ]，會有以下意思之報告：能夠藉由 在（Bi，La)4Ti3012之介電質薄膜，過剩地添加Bi，而 提咼c軸定位度。但是，在該文獻，僅揭示：藉由組成 式· （Bi2〇2 ) 2+ ( Am—) 2 -或 Bi2Am—A〇3m+3 所表示之
2030-6093-PF(N2).ptd 第8頁 1239024 五、發明說明（5) 级層狀化合物内 該文獻，B i過剩 化學ϊ論組成而 等之實驗的話， 變得不充分。 【發明内容】 本發明係有 c軸定位度變高， 件用組合物、高 電容器、以及薄 其他目的係特別 位度變高、耐漏 本發明人等 及其結晶構造而 使用特定組成之 垂直地定位該鉍 膜電容元件用組 面來形成鉍層狀 )，即使是變薄 (t a η (5 變低） 壓、介電率之溫 容元件用組合物 發現：可以藉由 介電質薄膜，而 之m成為奇數之级層狀化合物。此外，在 添加量係降低至2. 5〜7. 5莫爾％ (相對於 成為0.4莫爾以下），如果藉由本發明人 則得知：為了提高耐漏電流特性，因此， 鑒於此種實情而完成；其目的係提供一種 特別是耐漏電流特性良好之薄膜電容元 介電率絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜層積 膜電容元件之製造方法。此外，本發明之 是藉由利用溶液法所形成，來製造c轴定 電流特性良好之薄膜電容元件。 係關於電容器所使用之介電質薄膜之材質 全心地進行檢討，結果，發現：可以藉由 级層狀化合物，並且，構成對於基板面呈 層狀化合物之c軸（[0 0 1 ]方位）而成為薄 合物的介電質薄膜，也就是藉由對於基板 化合物之C軸定位膜（薄膜法線平行於C軸 ，也能夠賦予比較高之介電率及低損失 可以提供一種洩漏特性良好、提高耐 度特性良好且表面平滑性也良好之薄膜電 以及使用這個之薄膜電容元件。此外，也 使用此種薄膜電容元件用組合物，來作為 增大層積數，能夠提供小型且賦予比較高
2030-6093-PF(N2).ptd 第9頁 五、潑明說明（6) --- 現·处^ 層積電容器，以致於完成本發明。此外，發 以便也適用在纟且合物，來作為高介電率絕緣膜， 發明。 肩膜電谷兀件以外之用途上，以致於完成本 此外’本於明乂癸· 學量論組成，二 係可以藉由對於鉍層狀化合物之化 之Bi，來過剩地八之過剩含有量，來使得鉍層狀化合物 同時，也能夠担二 在纽合物，以便於提高c軸定位度， 也就是，:漏電流特性，以致於完成本發明。 物，其特徵Λ仏· Α <弟1形恶之薄膜電容元件用組合 7风在於· c輛對 層狀化合物係拉Λ 4丄於基板面呈垂直地進行定位之鉍 且”+ …屢 Α係由Na、Κ、Pb、^ 建、、且成式中之記號m係偶數，記號 素，記號B係由Fe、^、、1、以和。所選出之至少一種元 和W所選出之至少一種:厂、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、v、Mo 對於前述組成式·· （ B丨7^素^則述紅層狀化合物之B i係相 1 Bm 03m +2 而過剩地含有，今 、m、i Bm 03m +1 )或 B i 2 Am 一 為〇 <Bi <〇· 5 X m莫爾^範1圍之過剩含有量係以Bi換算而成 在本發明之第1形態，田 ^ 以Bi換算而成為〇· ! 疋前述Bi之過剩含有量係
Bi <〇· 5 X m莫爾、特別芒·曰5 X m莫爾、更加理想是〇· 4 ‘ 圍。 疋·4$Β1‘〇·4χιη莫爾之範 之組成式中之m係2、4、r 。 再成剷述站層狀化合物 8之其中某-個、更加理想是
2030-6093-PF(N2).ptd 第10頁 在本發明之第1形態，最好 >、 1239024
五、發明說明（7) 2、4之其中某一個。由於容易製造而提高c轴定位度之緣 故0 本發明之第2形態之薄膜電容元件用組合物，其特徵 在於：c軸對於基板面呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物 係藉由組成式·· SrBi4Ti4〇15 (在叫八^4〇3“3、成為m ) 所表示，前述鉍層狀化合物之B i係相對於前述組成式： s r B h T I4 Ο”而過剩地含有’該B i之過剩含有量係以B丨換算 而成為0<Bi<2.0莫爾、最好是〇·ι$βι<2·〇莫爾、更 理想是0 · 4 ‘ B i < 2 · 0莫爾、特別最好是〇 4 ‘ β i j 6莫、 之範圍。 、爾
本發明之第3形態之薄膜電容元件用組合物，其特徵 在於：c軸對於基板面呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物 係藉由組成式·· SrBi4Ti4〇ls所表示，前述鉍層狀化合物之 Bi係相對於前述組成式IrBuTi^5而過剩地含有，在以 和Ti間之莫爾數比（Bi /Ti )來表示該。之過剩含有量 狀態下，Bi /Ti係成為在1 <Bi /Ti < 1· 5、最好是j i < 61/^1<1.5、更加理想是1.2$。/^’<1.5、特^最1 是 1.2$Bi/Ti<1.4 之範圍。
本發明之第4形態之薄膜電容元件用組合物，其特 在於：c軸對於基板面呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物 係藉由組成式· SrxCay BazB i4T i4016所表示，成為χ + y + z〜 1、〇$x^l、〇$y^l、〇SzSl ’前述鉍層狀化合物之 係相對於前述組成式· Sr^CayBazBidTi^5而過剩地含有 在以和Tl間之莫爾數比（Bi/Ti)來表示該“之過剩含有
2030-6093-PF(N2).ptd 第11頁 五、發明說明（8) ' I之狀悲下，B 1 /T i係成為在}〈 β i /t i < 1 · 5、最好是j 1 /Ή <1· 5、更加理想是j· 2 ^Bi /Ti q· 5、特別田· 奸是1.2$Bi/Ti<1.4之範圍。
I 在本發明提到之所謂「薄膜」係指由藉著各種薄膜形 成法所形成之厚度數A開始之數"m左右之材料膜，成為除 了藉由燒結法所形成之厚度數百# m程度以上之厚膜體積 (塊）以外之意思。在薄膜，除了連續地覆蓋既定區域之 連續膜以外，也包含以任意間隔而斷續地進行覆蓋之斷續 膜。薄膜係可以形成在基板面之一部分，或者是也可以形 成於全部。 在本發明，最好是還具有稀土類元素（由Sc、Y、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、
Tm、Yb和Lu所選出之至少一種元素）。 可以藉由含有稀土類元素而使得洩漏特性，變得更加 良好。 在本發明，特別最好是祕層狀化合物之c軸對於基板 面呈垂直地進行1 0 0 %之定位、也就是鉍層狀化合物之c軸 疋位度成為1 〇 0 %，但是，c轴定位度係可以不一定成為 100 % 。
最好是前述鉍層狀化合物c軸定位度係8 〇 %以上、更 加理想是90 %以上、特別最好是95 %以上。藉由提高c軸 定位度而提高本發明之作用效果。 r ^明之薄膜電容元件用組合物係成為比較高之介電 率（列0超過100 )並且低損失（tan δ成為〇 〇2以下）， 1239024 五、發明說明（9) 耐汽漏特性良好（例如藉由電場強 電流係IX 10—u/cm2以下），提高 以上）。 此外本發明之薄膜電容元件 也可以造成比較高之介電率’並且 此，也能夠增大作為該薄膜電容元 膜之層積數。因此，如果使用此種 的話，則也可以提供小型且造成比 容器。 此外’本發明之薄膜電容元件 件係頻率特性良好（例如在特定溫 介電率值和在更加低於此之低頻區 值係以絕對值而成為〇 · 9〜1 · 1 )， (例如在特定頻率下之測定電壓〇 . 電壓5 V之介電率值之比值係以絕對 此外’本發明之薄膜電容元件 靜電電容之溫度特性（靜電電容對 度範圍之溫度之平均變化率係在基 5 0 0ppm/t：以内、最好是 ± 3 0 0ppm 作為薄膜電容元件係並無特別 導電體一絕緣體一導電體構造之電 電容器或層積型薄膜層積電容器等 用等）等。 作為薄膜電容元件用組合物係 度5 0 k V / c m所測定之漏 而十壓（Ϊ歹1J 士σ 1 0 0 0 k V / c m 用組合物係即使變薄， ，表面平滑性良好，因 件用組合物之介電質薄 薄膜電容元件用組合物 較高電容之薄膜層積電 用組合物及 度下之南頻 域1kHz之介 也具有良好 1V之介電率 值而成為0. 用組合物係 於一 5 5 〇C〜 準溫度2 5 t / °C以内） 限定，但是 谷為（例如 )或電容器 薄膜電容元 區域1 Μ Η z之 電率值之比 之電壓特性 值和在測定 9 〜1 · 1 ) 〇 具有良好之 + 1 5 0 〇C 溫 、成為土 〇 ，列舉具有 單層型薄膜 (例如D R A Μ 並無特別限定，但是，
1239024 五、發明說明（10) ，舉電容器（condenser )用介電質薄 (capacitor )用介電質薄膜組合物 、、' 3物或電 容器 '一 口切I 〇 、兄各老 本發明之高介電率絕緣膜係藉由相 m :=兀件用組合物之同樣組成之組合 j本發明之 南介電率絕緣膜係除了薄膜電 而構成。本=膜 @ nu p;., , 电令凡件或電定突 务明之 = 外，也可以使用作為例如半導體努t 薄犋介電 膜、閘極電極和浮閉間之中；：衣置之閑極絕緣 本=之薄膜電容元件係在=而 Π膜：！薄膜和上部電極的薄膜電容元件；前1:: 貝溥膜係藉由前述任何一 一义）丨電 物而構成。 、记載之薄膜電谷元件用級合 相是I=f述介電質薄膜之厚度係1〜1 00 0nm、更加理 i係變大。在此種厚度之狀態下，本發明之作用致 複數：= 係在基板上而交互地層積 特徵在於；前述介的薄膜層積；容器’其 薄膜，容元件用組合物而構：糟由前述任何-項所記栽之 相是ίο二：别述介電質薄膜之厚度係1〜1 00 0nm、更加理 二5。°-。在此種厚度之狀態下，本發明之作用： 垂直：i;月ί Γ介電率絕緣膜’係、具有c軸對於基板面呈 …㈣高介電率絕緣膜；4 係精由别述任何—項所記載之薄膜電容元件用
12JW24 ί、發明說明（11) 組合物而構成 本發明之薄膜電容元件生 下部電極上而形成前述介電4 Τ法’係包 膜電容元件用組合物貝寻膜日t，將用以 面，而使得前述鉍層狀化合 土1在耵述下部 成塗敷膜之塗敷製程；以及A之8 i成為過剩含 而成為介電質薄膜之燒結製^結前述下部電極 取好是在將前述塗敷犋 後，乾燥前述塗敷膜，缺後=成於前述下部 溫度，來假燒前述塗敷膜，垃t泫塗敷膜不進 及肴疋重禝地進行以下制 ^ ^ 於該乾燥後之塗敷膜上，還：：豆：乾燥前述 膜之萝鋥.俨5丨丨私β +、 ^开乂成其他塗敷膜， 胰之I私，付到所要未膜厚之塗 膜。此外’可以在該狀態下，在 '妯':後二 敷及乾燥後’進行假燒，然後，進行燒結：- 或者是重複地進行以下釗鞋· 於該假燒後之塗敷膜：，還形 及假k该塗敷膜之製程；得到所要求膜厚之塗 後，燒結該塗敷膜。此外’可以在該狀能下， 重複地進行塗敷及假燒，然後，進行燒結。 或者是重複地進行以下製程：乾g ^假燒 膜，然後，進行燒結之製程；得到所要求膜厚 膜。此外，可以在該狀態下，省略乾燥，重複 敷、假燒及燒結，但是，也可以省略假燒，重 括：在前述 構成前述薄 電極之表 有量，來形 上之塗敷膜 電極之表面 行結晶化之 敷膜。 塗敷膜後， 乾燥該塗敷 燒結該塗敷 次以上之塗 燒前述塗敷 敷膜’乾燥 敷膜，然 省略乾燥， 前述塗敷 之介電質薄 地進行塗 複地進行塗
1239024 五、發明說明（12) 敷、乾燥及燒結。 最好是燒結前述塗敷膜之溫度係成為前述塗敷膜結晶 化溫度之70 0〜9 0 0 °C。 最好是乾燥前述塗敷膜之溫度係室溫（2 5 °C )〜4 0 0 °C、更加理想是5 0 °C〜3 0 0 °C。 最好是假燒前述塗敷膜之溫度係3 0 0〜5 0 0 °C。 最好是對於在燒結前之未燒結之前述塗敷膜之膜厚， 重複地進行塗敷、乾燥及/或假燒，而使得在燒結後之膜 厚成為200nm以下、最好是10〜200nm。在燒結前之塗敷膜 之膜厚變得過厚時，會有在燒結後而不容易得到良好地進 結晶化之c軸定位之级層狀化合物膜之傾向產生。此外， 在變薄之狀態下，為了得到所要求膜厚之介電質薄膜，因 此，必須重複地進行許多次之正式燒結，不符合經濟效 益。 最好是在形成前述介電質薄膜後，於前述介電質薄膜 上，形成上部電極，然後，在p02 = 20〜100% (氧分壓 )，來進行熱處理。該熱處理時之溫度係最好是6 5 0〜9 0 0 °C 。 法向 方方 造之製二 之定 件板 元基 容據 電依 之不 明以 發可 本也 在， Γν 法有 液具 漏 耐 且 高 度 位 定 轴 溶造 學製 化地 用易 採容 是為 使極 即來 薄 的 膜 薄 質 ^^ 介 之 好 良 性 成 形 易 容 夠 能 法 方 造 製 之 明 發 本 在。 ，膜 外薄 此質 。 電1 件介式 元之方 容厚施 電較實 膜比ί
2030-6093-PF(N2).ptd 第16頁 1239024 五、發明說明（13) 以下，根據圖式所示命
JlXy施形熊 貫施形態而說明本發明。 隹奉貫施形怨，例舉以σσ / 電容器，來作為薄膜電容 _而形成介電質薄膜之薄膜 /正如圖1所示，本發明Λ，Λ行說明/ 係具有基板4，在該基板4上，^貝，形態之薄膜電容器2 極薄膜6。在下部電極薄膜6 、，過絕緣層5而形成下部電 電質薄膜8上，形成上部雷’形成介電質薄膜8。在介 作為基板4係並無特別限' ，#
良好之單結晶（例如S r 了 i 〇时处曰疋藉由格子整合性 結晶等）、非結晶材料（:日日Mg〇單結晶、LaA1〇8單 等）、其他材料（例如Zr(/ °玻璃、熔融石英、Si02/Si 成。基板4之厚度係並盔特2 \ Ce〇2 /Sl等）等而構 m左右。 ‘、、'特別限定’例如成為100〜1 0 0 0 a 在本貫施形態，作為其γ
Jt db ^ ^ rh M ^ ”、、土板4係使用矽單結晶基板，在 r ”、、 、（乳化矽膜）所構成之絕緣層 5，在其表面，形成下部電極薄膜6。在使用本發明時，〕 位=[100]方位之下部電極係當然即使是在使用非結晶、 無疋位及疋位於[1 〇 0 ]方位以外之電極之狀態下，也可以
極為谷易地製造進行C軸定位度之介電質膜。 作為在基板4使用格子整合性良好之單結晶之狀態下 之下部電極薄膜6係最好是藉由例如CaRu03或SrRu03等之導 電性氧化物或者是藉由Pt或Ru等之貴金屬而構成，更加理 想是藉由定位於[1 〇 〇 ]方位之導電性氧化物或貴金屬而構
2030-6093-PF(N2).ptd 第17頁 1239024 五、發明說明（14) ^在”定位於[100]方位者來作為基板4時 在 ^面，形成定位於[100]方位之導電性氧化物了入以在邊 定位於[100]方位之導電性氧化物或貴構 成下部笔極薄膜6，以便於提高形成於扠，屬來構 介電質薄膜δ對於[00〗]方位之定位性、°極缚膜6上之 性。此種下部電極薄膜6係藉由通常 ：疋：軸定位
作，但是，最好是在例如減鑛法或脈y?射成法/進行製 …物理蒸鑛法，使得形成下法⑽ 度，：ίί理想是3°°°C以上、更加理想是5。『二板上I ^, .3；, /Λ4 ΐ "7 \ 其/1 /志田7 Μ /ν ¥電F生玻璃而構成。在 ίϊ Λ 良好之單結晶之狀態下，容易在其 定位於[100]方位之下部電極薄膜6，容易藉此 於該下部電極薄膜6上之介電質薄膜uc轴定 Γ 2疋：：使是在基板4 ’使用破璃等之非結晶質材 2 ’也可以形成提向C軸定位性之介電質薄膜卜在該狀態 下’必須使得介電質薄膜8之成膜條 為化。 作為其他下部電極薄膜6係除了例如金’;Au)、纪 上i : N銀“ i T之貴金屬或這些之合金以外，也可以 使用鎳⑼）、銅（Cu )等之卑金屬或這些之合金。 下=極薄Γ广厚度係並無特別限定―，但是，最好 疋10〜lOOOnm、更加理想是5〇〜2〇〇nm/右 作為上部電極肖膜10係以藉由相工前 電極 薄膜6之同樣材質而構成。此外，其厚度係也可以相同。
第18頁 2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 五 、發明說明（15) _ 介電質薄膜8係藉由本發明之薄膜電容元件用纟且人 (Bl2〇2)2+ 2 Am -1心+3所表不之鉍層狀化合物。一般而言，從 ^ 係顯示藉由1對Bl及0層而夾住利用（二1 )個2 冓成且鈣鈦礦格子連接之層狀鈣鈦礦二 2 狀構造。 卜义二明治層 定。ίΐΐ組/式中，記號m係可以是偶數而並無特別限 在圮唬m成為偶數時，具有平行於c面之 ，使侍該鏡映面成為境地，自發分極軸、 因
互相抵銷，在c軸方向，不具有分極方；^ 、门；丨電性，提高介電率之溫度特性，同時，每 保 ^tan (5變低）。此外，介 二現低損失 =之傾向“，但是，得到更加優於數時而更加 ;;:ί:值。特別是可以藉由使得記號心以 〜記號“系藉著由Na、K、Pb、Ba、 2個以上之元所，出之至少-種元素而構成。此外，：： 立 上之兀素而構成記號A之狀態下， 卜在糟由 思。 二比例係成為任 n式中，記號“系藉著由Fe、C〇、Cr Γ ^ la 、Sb 、V、Μο和W所選出之色少 、Ga 、 ΐ:此外，在藉由2個以上之元素而構成元素而構 攻些比例係成為任意。 而構成°己逮Β之狀態下， 邗對於前述組成
2030.6093-PF(N2).ptd 第19頁 在本μ知形態，鉍層狀化合物之Β丨 1239024 五、發明說明（16) 式：（Bi2 02 ) 2 + (A R π 、 含有，之過剩;fλ„+3而過剩地 m莫爾之範圍。最好是前= Λβΐ換异而成為(XBKO.Sx 成為0 . 1 < B i < 0卩 L 1之過剩含有量係以B i換算而 m 莫爾、特—別最：二:匕更加理想是0]-<〇… 例如在作為^_: 1 =0·4x m莫爾之範圍。
SrBUl 〇\SrC\ R為4之级層狀化合物之組成式： 係、以B":算-而成為丄之=下’^之過剩含有量 圍。 · （〇.5x4(m))莫爾之範 之莫2 ί : 相對於這些化學量論之組成式而在以和Ti間 下二二广）來表示削1之過剩含有量之狀態 τ / 1 ^成為在1 <Bi/Ti <1.5 ' 最好是u $Bi/ <Rl· /τ. η ,心疋<1·5、特別最好是L2 $βι /Τι $ 1· 4 之範圍。 、在本實施形態，藉由像這樣相對於化學量論之組成而 過剩地含有鉍，以便於提高鉍層狀化合物對於[00 i ]方位 之定位性^也就是c軸定位性。也就是說，形成介電質薄 膜8，而使得鉍層狀化合物之〇軸對於基板4呈垂直地進行 定位。 在本發明’特別最好是絲層狀化合物之C軸定位度成 為100 % ’但是，也可以不-定使心轴定位度成為1〇〇 % ，可以使得鉍層狀化合物，進行最好是80 %以上、更加 理想是90%以上、甚至最好是95 %以上之C軸定位。
2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 五、考务明說明（17) 在使用藉由玻璃等之非結晶質材料所構成之基板4而對於 级層狀化合物來進行C軸定位之狀態下，該鉍層狀化合物 之C軸定位度係最好可以是8 〇 %以上。此外，在使用後面 钦述之各種薄膜形成法而使得鉍層狀化合物來進行c轴定 位之狀態下，該鉍層狀化合物之c軸定位度係最好可以是 9 〇 %以上、更加理想是9 5 %以上。 在此提到所謂鉍層狀化合物之c軸定位度（F )係在以 完全地進行隨機定位之多結晶體之c軸繞射強度比作為p〇 而以實際之c軸繞射強度比作為P之狀態下，藉由F ( % ) =CP-PO) / (1-P0) X 100 ···(公式1 )而求出。在公 式1之所謂P係來自（〇 〇 1 )面之反射強度I ( 〇 〇 1 )之合計 Σ I ( 001 )和來自各個結晶面（hkl )之反射強度I (hkl )之合計 Σ I (hkl )間之比值（{ Σ I (001 ) / Σ I (hkl )}) ’即使是就p 〇而言，也是相同的。但是，在公式1， 使得1 0 0 %定位於C軸方向上之狀態下之X射線照射強度P， 來成為1。此外，由公式1而在完全地進行隨機定位之狀態 (P P〇)下’成為F=0% ’在c轴方向完全地進行定位之 狀態（P = 1 )下，F = 1 0 0 %。 此外，所謂鉍層狀化合物之c軸係表示連結1對之 (B h 〇2 )2 +層間之方向、也就是[〇 〇 1 ]定位。藉由像這 樣’使得紐層狀化合物，進行c軸定位，而發揮介電質薄 膜8之介電特性至最大限度。也就是說，介電質薄膜8係比 較高之介電率且低損失（tan 5變低），耐洩漏特性良 好，耐壓提高，介電率之溫度特性良好，表面平滑性<也良
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1239024 五、夸务明說明（18) an 6 )值係上 好。如果減少t a η (5的話，則損失q ( i /七 升 ° 此外，即使是介電質薄膜8係不具有稀土類元素Re， 但，，也正如後面敘述，具有良好之茂漏特性，但是，可 以藉由Re取代而使得洩漏特性，變得更加良好。 例如在不具有稀土類元素Re之介電質薄膜8， 得在電場強度5〇kv/cm所測定時之漏電流，成為最好是i X 1 0 7A /cm2以下、更加理想是5 χ i 〇_8A /cm2以下。 相對於此，在具有稀土類元素Re之介電質薄膜8，可 以使得在相同條件所測定時之漏電流，成為最好是5 χ 1〇-^/』2以下、更加理想是1)<10_8八/^1112以下。 介電質薄膜8係最好是膜厚】〜“〇〇，由高電容化之 方面來看的話，則更加理想是1〜5〇〇nm。 在介電質薄膜8，25 °C (室溫）及測定頻率1〇〇kHz (AC20mV )之介電率係最好是超過1〇〇、更加理想是i5〇以 上〇
此種介電質薄膜8係可以使用真空蒸鍍法、高頻濺鍍 法、脈衝雷射蒸鍍法（PLD) 、M0CVD (Metal 0rganic Chemical Vapor Deposition (金屬有機化學氣相沉積） )法、溶膠凝膠法等之各種薄膜形成法而形成。 在本實施形態，該介電質薄膜8係可以特別藉由以下 所示方法而製造。 正如圖2所示，首先，將成為形成圖丨所示之介電質薄 膜8之原料溶液予以調整。介電質薄膜8係藉由例如化學量
2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 五、發明說明（19) 論之組成式.SrBiJio % 一 ♦力欠態下，準備15.戶…層狀化合物；㈣剩地 一乙基己烧酸。之2一 /发2 —乙基己烷酸Sr之甲苯溶液、2 之甲苯溶液。也就是％ %己炫酸溶液、2 一乙基己烧酸Ti 成為i莫爾、2 -乙基己境==使得2 —乙基己炫酸^ 基己烧酸Ti成為4莫爾广因y成為“ + α m2 -乙 混合之狀態，還使得Bi ，旦比起以化學量論比而進行 2種溶液，藉由甲苯而進：加1更多α莫爾’來混合這些 接著，將該原二仃： 上。作為塗敷法係並I特在圖1請示之下部電極6 法、浸潰塗敷法、喷射=別限疋’可以使用藉由旋轉塗敷 以藉由U塗敷而形成二、/=0而進之方法/可 敷膜係正如圖2所示，為T ~ n m工之全敷膜。5亥塗 在空氣中、來進行乾谭^發塗敷膜中之溶媒’因此’ 丁乾心。该乾燥溫度係室溫〜4〇〇 °C左 右0 接者，在氧氣氛下，假燒（ 敷膜。假燒溫度係2〇〇〜7〇()它左右。 」後之塗 地逢，1著a以正广圖2所不’在該假燒後之塗敷膜上，重複
^、結之塗敷膜之膜厚變得過厚時，會有在妗 而不容易得到良好地進行結晶化在： 化合物膜之傾向產生。 1 <私層狀 ::後二進行該塗敷膜之正式燒結（也僅稱為「燒結」 正/燒結時之溫度係在塗敷膜進行結晶化之溫度條
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五、明說明（20) 件而進行，忒溫度係最好是7 〇 〇〜9 〇 〇艽。 氣氛係並無特別限定，但是，成為氧氣體氣氛〜、、"之 敷開：ί假ί =之示正？二重複，進行1次以上之由塗 禝後之正式L…，侍到最後厚度i〜 〇〇nm左右之介電質薄膜8。在正式燒結時，最 -人之正式燒結時之未燒結之塗敷膜膜厚， ^ ，，膜厗疋20〇nm以下、最好是1〇〜2〇〇nm。 敷膜膜厚變得過厚時，會有在燒έ ，心、、Ό則之塗 j仃、:阳化之c軸定位之鉍層狀化合物膜之傾向產生。 卜’在變得過薄之狀態下’為了得到所 薄膜，因此，必須重複地進行許多次之正式；；之；乙 經濟效益。 70〜不具有 像這樣所得到之介電質薄膜8係藉由過剩地 鉍層狀化合物所構成，其C軸係對於基板4呈垂直地 — 位。該鉍層狀化合物之c軸定位度係最好是80 進、仃疋 加理想是90 %以上、甚至最好是95 %以上。 正如圖1B所示，#由賤鑛法等而形成上部電極 進-=Γ2α〇〜1〇〇%，來進行熱處理。熱處理係最好是 進仃在500〜9〇〇。〇之溫度。 一此種介電質薄膜8以及使用這個之薄膜電容器2 同之介電率且低損失、洩漏特性良好、耐壓提高介 之溫度特性良好、表面平滑性也良好。 … 此外，此種介電質薄膜8及薄膜電容器2係也且 之頻率特性或電壓特性。 、义
2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 五、明說明（21) 第2貫施形能 在本實施形態，例舉以多層而形成介電質薄膜之薄膜 層積電容器，來作為薄膜電容元件，進行說明。 六 ^口圖3所示’本發明之某一實施形態之薄膜層積電 合為糸具有電容器素體22。電容器素體22係包括：在基 板4a上交互地配置複數個介電質薄膜心和内部電極薄膜 2丄二6 ϊ i ί ΐ保護層30而覆蓋配置於最外部之介電質薄 1電極5 造。在電容器素體22之兩端部，形成1對外 =出；：=互地配置複數個之内部電= t (0·οι-ι〇-) >< 杈見CO. 01〜l〇mm ) x高度（〇 〇1〜1〇 基板4a係藉由相同於前述第】 工。 材質而構成。介電質薄膜8a係 相7之基板4之同樣 態之介電質薄膜8之同樣材質而構由成相。冋於河述第1實施形 内部電極薄膜24、26係藉由相同 之下部電極薄膜6、上部電極薄门於則述第1實施形態 外部電極28、29之材質係並無特別〇之才質而構成。 SrRu03等之導電性氧化物；c 人^，藉由CaRu0^ 等之卑金屬；Pt、Ag、Pd4Ag〜pd〇人^或者是Ni或Ni合金 成。該厚度係並無特別限定，但θ ^ ^等之貴金屬等而構 1 0 0 0 n m左右。保護層3 〇 可以成為例如1 〇〜 ^〜以貝你並益牲
2030-6093-PF(N2).ptd 第25胃 __ …、将別限定，但是，例 1239024 五、發明說明（22) 如藉^氧化石夕膜、氧化結膜等而構成。 楚々罢f，積電容器20係在基板4a上而施加例如金屬罩幕 代 T形成第1層之内部電極薄膜24後，在該内部電 二j 、，形成介電質薄膜8a，在該介電質薄膜仏上， =Ϊ f :之内部電極薄膜26。在重複地進行複數次之此 種衣权後，藉由以保護膜3〇來被覆配置在相反於基板“相 反側^最外部之介電質薄膜8a，而形成在基板4a上交互地 配置複數個之内部電極薄膜24、26和介電質薄膜8的電容 益素體22。可以藉由以保護膜3〇，來進行被覆而使得大 氣中之水分對於電容器素體22内部之影響變小。接著，在 電容器素體22之兩端部藉由浸潰或濺鍍等而形成外部電極 28、29時，第奇數層之内部電極薄膜24係電連接於某一邊 之外部電極28而進行導通’第偶數層之内部電極薄膜⑼係 電連接於其他邊之外部電極29而進行導通，得到薄膜層積 電容器2 0。 ' 在本實施形態，由降低製造成本之觀點來看的話，更 加理想是使用藉由非結晶質材料所構成之基板“。 在本實施形態所使用之介電質薄膜8a係即使是變薄， 也成為比較高之介"’並且’ 4面平滑性良好，因此， 該層積數係可以成為20層以上、最好是5〇層以上。因此， 可以提供小型且賦予比，高電容之薄膜層積電容器2。。 在以上之本實施形悲之薄膜電容器2和薄膜層積電容 器=’介電率對於至少-〜+15(ρ(：溫度範圍之溫度 之平均變化率（zw )係最好是±5〇〇ppm，c以内（基準 2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 五、發明說明（23) 溫度25 °C )、更加理想是土 3〇〇ppm / 〇c以内。 接著，列舉使得本發明之實施形態更 例，更加詳細地#明太恭昍 伯B 士拉 八股1匕之声、知 於這些實施例。月本么明°但疋’本發明係並非僅限定 實施例 實施例1 正如圖2所示，首先，將成為形 膜8之原料溶液予以調整。在本實斤^之”電貝涛 Ξ βΐ A B 〇 USl*Bl4Tl4Ql5 ( SBTl )所示並且在組成 节R :'+3而成為記號"1 =4、記號A3 =Sr +Bi及記 4 14斤表示之鉍層狀化合物還更加ii &人+ 2 ° 成式々Μ…Ti4〇i5所示 定更二過^ 薄創，因此，準備以下所示之溶液:物，來構成介電質 百先，準備：2 —乙基己、 己請乙基己㈣ 之乙甲笨溶液、2-乙基 浴液，來作為原料溶液。也就e〜、 土己烷酸Tl之甲苯 和2 -乙基己烷酸Ti成為4莫爾為（4 + α )莫爾 之狀態，還使得〜添加量3以Γ量論比 口仏二2種浴液，藉由甲苯而進 /夕α莫爾，來混 作為表示B i過剩含有量 ，得到原料溶液。 爾％ ’‘Bl/Tl=1)、0.4 = 成為0莫 〇.8 (2〇莫爾 ％ ;Bi/Ti= f 爾〆，W/TiH )、
Tl=1.2)、16 ⑷莫爾 ％ ;2」，莫爾 ’丁1〜1·1 )、2.〇 (5〇 莫 ιΐϋΐ 第27頁 2030-6093-PF(N2).Ptd 1239024 明說明（24) ® ^ ’ β i / T i — 1 · 5 )和數種原料溶液。在這些數種原料 &液’於原料溶液中，藉由甲苯，來稀釋化學量論組成之 h τ L 〇ι 5而包含0 · 1莫爾/公升之濃度。這些原料溶液係 分別在無塵室内，藉由孔徑〇. 2 # m之PTFE製注射過濾器而 在無塵室内，於洗淨結束之玻璃製容器内，進行過濾。 此外’除了原料溶液以外，還準備用以製作介電質薄 膜8之基板4。基板4係矽單結晶（1 〇〇 )基板，在該基板4 之表面’藉由熱氧化處理而形成成為氧化矽膜之絕緣層 5。絕緣層5之膜厚係〇 · 5 // m。在該絕緣層5之表面，藉由 錢錢法’以〇 · 1 # m之厚度，來形成由p t薄膜所構成之下部 電極6。基板4之面積係5_ X i〇mm。 以原料溶液種類之數目而準備該基板4，分別安裝在 旋轉式塗敷器上，在基板4之下部電極6之表面，分別添加 各種原料溶液10 #公升程度，在4〇〇〇rpin及20秒鐘之條件 下’進行旋轉塗敷，在下部電極6之表面，形成塗敷膜。 為了蒸發各個塗敷膜之溶媒，因此，在設定於丨5 〇它之恒 溫槽（内部係空氣），放入基板4，進行1 〇分鐘之乾燥。 在1 0分鐘後，取出基板4，正如圖丨A所示，為了露出下部 電極6表面之一部分，因此，將形成介電質薄膜8之塗敷膜 之一部分予以擦拭。 、 接著’為了假燒塗敷膜，因此，將各個基板4放入至 %狀爐内。在該環狀爐，以〇 · 3公升/分鐘來流動氧，以 升溫速度10。Κ /分鐘來升溫至4 〇〇艽為止，在4 〇〇艺保持 1 0分鐘後’以降溫速度1 〇。K /分鐘來降低溫度。在假
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五、夸€明說明（25)
燒，進行於使得塗敷膜不結B 然後，在假燒之涂 日日 ’皿又條件下。 溶液，重複地進行由#、+ 、=，再度使用同樣種類之原料 程。 由^旋轉塗敷開始至假燒為止之製 接者’為了對於彳P^ 、假力兀之膜來進行正式捧处 m ,, 各個基板，來放入至M k結，因此，將
^ .、芏衣狀爐内。在該環狀爐，以5毫升/ 分1里不流動氧，Μ升涊冻危Q ,.nr〇 〇p ^ 〇 速度8 0 K /分鐘來升溫至85〇為 止，在8 50 C保持30公絲你 、丨价 、—乂 U刀知後，以降溫速度80。K /分鐘來降 低溫度’得到介電質後. 所 貝潯膜8之一部分。該正式燒結後之介 電貝薄朕8—部分之膜厚係大約1〇〇nm。 然後，在該正式燒結後之介電質薄膜8之一部分上， 正如圖2所示，。以前述條件，來重複地進行2次（總共3次 )之，敷、乾燥、假燒、塗敷、乾燥、假燒及正式燒結， 最後得到合計厚度3〇〇ηιη之介電質薄膜8。 在對應於各個原料溶液之介電質薄膜8之結晶構造來 進行X射線繞射（X r D )之測定時，可以確認：定位於
[0 0 1 ]方位、也就是對於矽單結晶基板4之表面呈垂直地進 4亍c軸定位。此外，就各個介電質薄膜而言，求出c軸定位 度F ( % ) 。c軸定位度（％ )係藉由所測定之XRD圖案而
以10〜35度之範圍，來適用L〇ttgering (羅德格林）法所 求出。將結果顯示在表1。 接者’在各個介電質薄膜8表面，正如圖1B所示，藉 由滅;鍍法而形成〇 · 1 min 0之p t製上部電極1 〇，製作複數種 之薄膜電容器樣本。
2030-6093-PF(N2).ptd 第29頁 1239024 五、考舍明說明（26) 評價所得到之電容器樣本之電氣特 流）及介電率之溫度特性。 午爲4 介電率（無單位）係對於雷容哭 . J '电合的樣本，使用阻抗分析 器（HP4194A)，由在室溫（25〇c)、、目丨丨—相玄！ 、^ L ^ 測疋頻率1 〇 〇 k Η z (AC20niV )之條件所測定之靜電電容和電容器樣本之電極 尺寸及電極間距離而算出。 漏電流特性（單位A /cm2 )係在電場強度5〇kv /⑽而 測定。
介電率之溫度特性係對於電容器樣本，以前述條件， 來測疋介電率’在基準溫度成為2 5 °C時，測定介電率對於 一 5 5 °C〜+ 1 5 0 °C溫度範圍内之溫度之平均變化率（△ ε )’算出溫度係數（p p m / )。 將這些結果，顯示在表1。 表1
Bi過剩含 有量 (莫爾〇/〇) Bi/Ti Bi過剩" 含有量 (α〕 燒結溫度 (XI) 膜定位 方向 C軸定位度 m 漏電流 (A/cm2) 介電率 (100kHz) 溫度係數 (ppm/C) 寶施例1 0 1 0 850 [〇〇1] 30 5χ1〇-6 225 850 實施例1 10 1.1 0.4 850 [001] 91 1χ ΙΟ·7 210 100 寶施例1 20 1.2 0.8 850 [〇〇1] 95 1χ ΙΟ*8 200 -90 寶施例1 30 1.3 1.2 850 [001] 97 1χ1〇·8 183 -100 音施例1 40 1.4 1.6 850 [001] 98 1χ1〇-8 150 -100 寶施例1 50 1.5 2 850 [001] 70 5χ10'6 150 700 正如表1所示，可以確認：表示B i過剩含有量之α係 在成為0< α <2.0之範圍、最好是0.1$ α <2.0、更加理
2030-6093-PF(N2).ptd 第30頁 1239024 五、發明說明（27) 想是0.4S α <2.0、特別最好是0.4S a S1.6之範圍時， 才是高c軸定位度，同時，漏電流變少，具有良好之耐洩漏 特性。 此外，可以確認：在以和T i間之莫爾數比（B i /T i ) 來表示B i之過剩含有量之狀態下，B i / T i係在成為1 < B i / T i < 1 · 5、最好是 1. 1 - B i /T i < 1 · 5、更加理想是1.2$ B i /Ti <1. 5、特別最好是1· 2 $Bi /Τι $1. 4之範圍時， 提高c轴定位度，同時，漏電流變少，具有良好之耐洩漏 特性。 此外，可以預測：α係由相當於0. 5 X m (在該實施例 1 、成為m=4)而即使是在其他絲層狀化合物，也在Bi之 過剩含有量以Bi換算而成為0<Bi<0.5xm莫爾、最好是 0. 1 SBi <0.5x m莫爾、更加理想是0.4$Bi <0.5x m莫 爾、特別最好是0 . 4 S B i S 0 . 4 x m莫爾範圍之狀態下，提 高c轴定位度，同時，漏電流變少，具有良好之耐洩漏特 性。 實施例2 除了使得表示鉍過剩量之Bi /Ti固定於1. 2而在6 5 0 °C 〜9 5 0 °C之範圍來改變正式燒結時之保持溫度以外，其餘 係相同於實施例1，製作具有介電質薄膜8之電容器樣本， 進行相同於實施例1之同樣試驗。將結果顯示在表2。
2030-6093-PF(N2).ptd 第31頁 1239024 五、明說明（28) Βι過剰含 有量 (莫爾〇/〇) Bi/Ti Βι過剩 含有量 〔〇0 燒结溫度 rc) 膜定位 方向 c軸定位度 m 漏電流 (A/cm2) 介電率 溫度係數 (ppm/C) 寶施例2 20 1.2 0.8 650 [001] 一 5xl〇-4 — — 實施例2 20 1.2 0.8 700 [001] 80 1χ1〇-7 180 350 寶施刿2 20 1.2 0.8 750 _ 86 ΙχΙΟ-8 190 300 寶施例2 20 1.2 0.8 800 [001] 86 1χ1〇-8 190 200 寶施例2 20 1.2 0.8 850 [〇叫 95 1χ1〇-8 200 -90 實施例2 20 1.2 0.8 900 [001] 91 lxlO-8 196 100 實施例2 20 1.2 0.8 950 [_ 90 5x1 O'6 190 120
正如表2所示’可以確認：正式燒結時之溫度係在最 好是70 0〜9 0 0 °C、更加理想是8 00〜9 0 0 °C之狀態下，提高 c軸定位度，同時，提高耐洩漏特性。 實施例3 在本實施例’使用在實施例1所製作之薄膜電容器之 樣本，來評價頻率特性及電壓特性。
頻率特性係正如以下而進行評價。就電容器樣本而 言，在室溫（25 °C )，由1kHz開始至1MHz為止而改變頻 率二測定靜電電容，將計算介電率之結果，顯示在圖4。 在靜電一電容之測定’使用阻抗分析器（HP4194a )。正如 圖4所不，可以確認：即使是改變在溫 1MHz為止，也並鉦拎料人_十 又丨手至 好之頻率特性。‘文.交，丨電率值。也就是㉟’確認具有良 電壓特性係不 ’、如以下而進行評價。就電容器樣本而
1239024 五、發明說明（29) 言，使得在特定頻率（1 〇〇kHz )下之測定電壓（施加電壓 )，由0· IV (電場強度5kV /cm )開始至5V (電場強度 25 OkV /cm )為止而進行變化，測定（測定溫度係25 °C ) 在特定電壓下之靜電電容，將計算介電率之結果，顯示在 圖5。在靜電電容之測定，使用阻抗分析器（Η P 4 1 9 4 A )。 正如圖5所示，可以確認：即使是改變在特定頻率下之測 定電壓至5 V為止，也並無改變介電率值。也就是說，確認 具有良好之頻率特性。 f施例4 除了在圖2所示之製程，使得由1次之正式燒結為止之 塗敷開始之假燒次數、1次之正式燒結為止之膜厚和正式 燒結之次數正如表3所示而進行變化以外，其餘係相同於 實施例1，製作具有介電質薄膜8之電容器樣本，進行相同 於實施例1之同樣試驗。將結果顯示在表3。 r
2030-6093-PF(N2).ptd 第33頁 1239024 五、明說明（30) m 窆 » -P^ -P^ m m -Pw 1—*· »—L ·—* 1~t g 1 § £埘 _ •—A 1~»· ►—A m K cz> CI> CD —岫澄 uo ro f—1· ·—» iff τ: 猄淤h « w ^ ^ ss骑 CD <z> ·—L g S fw ¢1繫 i_L ro OO <T\ ® i oo o <^> g <z> <=> 运"藏 L ¢1 河 oo <wn <〇 CO <z> oo cz> 03 <wh <z> 一？ 3 i 河 £ oo iwh v〇 g ο 一豊 # Μ 河 oo 亏 1~L !_χ t—^ X ·—<> c=> ? m Κ ^ CO ts^ OO ΓΟ 1—* <z> ro 1-* <3 <=> Q g m 1 # 5! <〇 cz> ^ 1¾ S ^ ΙΙΙ·ΗΙΙΙ 2030-6093-PF(N2).ptd 第34頁 1239024 五、4發明說明（31) 正如表3所示，可以確認：藉由對於直到燒結前為止 之未燒結之塗敷膜之膜厚，重複地進行塗敷、乾燥及/或 假嬈，而使得在燒結後之膜厚成為2 0 0 nm以下、最好是1 0 〜200nm，以便於提高c轴定位度。 正如以上所說明的，如果藉由本發明的話，則能夠提 供一種c轴定位度高、特別是耐漏電流特性良好之薄膜電 容元件用組合物、高介電率絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜 層積電容器、以及薄膜電容元件之製造方法。此外，在本 發明，能夠藉由特別是利用溶液法而形成，以便於容易製 造具有c軸定位度高且耐漏電流特性良好之介電值薄膜的 薄膜電容元件。 r
2030-6093-PF(N2).ptd 第35頁 1239024 圖式簡單說明 圖1 A及圖1 B係顯示本發明之某一實施形態之薄膜電容 II之製造過程之概略剖面圖。 圖2係顯示圖1所示之薄膜電容器之製造過程之流程 圖。 圖3係本發明之其他實施形態之薄膜層積電容器之概 略剖面圖。 圖4係顯示本發明之實施例之薄膜電容器之介電質薄 膜之頻率特性之圖形。 圖5係顯示本發明之實施例之薄膜電容器之介電質薄 膜之電壓特性之圖形。 【符號說明】
2、 -薄膜電容器； 4〜 /基板； 4a 〜基板； 5〜 /絕緣層' 6、 -下部電極薄膜； 8〜 /介電質薄膜； ) 8a 〜介電質薄膜； 10 〜上部電 極 薄 膜； 20 〜薄膜層積電容器； 22 〜電容器 素 體 24 〜内部電極薄膜； 26 〜内部電 極 薄 膜； 28 〜外部電極； 29 〜外部電 極 30 〜保護層。 it
2030-6093-PF(N2).ptd 第36頁
Claims (1)
1239024 六、申請專利範圍 1 · 一種薄膜電容元件用組合物，复 於基板面呈垂直地進行定位之 ς 在於：c軸對 i、;./B:2〇2)2+(Am—氣”-4^^ 刚述、，且成式中之記號m係偶數，記號A J , ；； 3m +3所表示， Ba々、。叫所選出之至由Na、K、Pb、 C〇、Ga、Tl、Nb、Ta、Sb、V、:。Vw:，“Fe、 種元素；前述奴層狀化合物之Bl係二和，出之至少- 有’該以過剩含有量係以Bi“v:tg而過剩地， 莫爾之範圍。 战马ϋ<Βι<〇·5χιη 立中2: 專利範圍第1項之薄膜電容元件用組合物， 〇上m莫爾剩含有量係以Bl換算而成為G.4如< 你A 3缸品？薄膜電容元件用組合物，其特徵在☆ : c軸對 呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物係藉由組成 f • SrBiJhOb所表示，前述鉍層狀化合物之Bi係相對於 月〕述’、且成式· S r B、T h Ο”而過剩地含有，該b丨之過剩含有 量係以β 1換算而成為0 < B i < 2 · 0莫爾之範圍。 莫 4 · 一種薄膜電容元件用組合物，其特徵在於：。軸對 於基板面呈垂直地進行定位之絲層狀化合物係藉由組成 式：SrBiJhO〗5所表示，前述鉍層狀化合物之^係相對於 前述組成式：SrBi4Ti4〇15而過剩地含有，在以*Ti間之e 爾數比（B i /T i )來表示該b i之過剩含有量之狀態下， /Ti係成為在1 < Bi /π < 1 · 5之範圍。
2030-6093-PF(N2).ptd 第37頁 1239024 六、呻請專利範圍 5 · —種薄膜電容元件用組合物，jl牲分 ί攻在^^ · 產山斟 於基板面呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物 < 二· ' 式· SrxCay Baz B i4T i4 015 所表示，成為X + y + 2 二成 1、〇$y$l、0$ζ$1，前述银層狀化合物之b ， 、 前述組成式：Sr^CayBazBiJi^5而過剩地含有，1係相對於 間之莫爾數比（Bi /Ή )來表示該Bi之過剩含^//11自 下，Bi/Ti係成為在1 <Bi/Ti <1.5之範圍’里之狀… 6. 如申請專利範圍第i、2、3、4或5項之。薄膜電容元 件用組合物，其中，還具有稀土類元素（由“、Y、^、 Dy 、 Ho 、 Er Tm、Yb Ce 、 Pr 、 Nd 、 Pm 、 Sm 、 Eu 、 Gd 、 Tb 和Lu所選出之至少一種元素）。 7. 如申請專利範圍第1、2、3、4 一 件用組合物，其中，前述鉍層狀化人^ 、 ‘ 、“谷70 c車由定位度係㈣以上。$狀化5物對於前述基板面之 杜用U Π:乾ί第1、2、3、4或5項之薄膜電容元 —1 Π 7 A y 2 強度成為5〇kV/cm時之漏電流 密度係1 X 1 0-7 A /c m2以下。 9 ·如申請專利範圍第1、？、q ^ r 七 从力人仏^ , 米乙3、4或5項之薄膜電容元 斤m 、— ▲月r电尾奋對於—55 〇C〜+150 〇C溫度 範圍之溫度之平均變化率传力|、、隹 手係在基準溫度25 〇C，成為土 50Oppm/C 以内。 10· —種薄膜電容元件L ^ ^ 在基板上而依序地形成下部 電極、介電質薄膜和上部雷托 .人—妨 °丨寬極，其特徵在於：前述介電質 薄膜係藉由申請專利範圍第1 9 ^ ^ 礼囷弟1 、2、3、4或5項所述之薄膜
1239024 六、申請專利範圍 電容^元件用組合物而構成。 前述1丄電匕申:f專利範圍第10項之薄獏電容元件，其中， i _貝膜之厚度係1〜1 0 0 0錢。 數個介電^重薄膜層積電容器，在基板上而交互地層積複 質薄膜俜；由部電極薄膜，其特徵在於：前述介電 獏電容專利範圍第卜2、3、4或5項所述之薄 包奋凡件用組合物而構成。 中，前、f如八申凊專利範圍第12項之薄膜層積電容器，其 /述介電/薄膜之厚度係i-iOOOnm 地進行定#门"電率巴緣膜，具有c軸對於基板面呈垂直 物=2=層狀化合物，其特徵在於··該叙層狀化合 初係错由申請專利範圍第1 容元件用組合物而構成。 4或5項μ之缚膜電 15· 一種薄膜電容元件之掣袢古、土 .. 利範圍第1〇項所述之薄膜電容二牛方法’用以-造申請專 其特徵在於包括： 在前述下部電極上而形成前述介電 構成前述薄膜電容元件用組合物之溶液，、塗敷二將用以 電極之表面，而使得前述鉍層狀化合物之=刖述下部 量，來形成塗敷膜之塗敷製裎；以及 战為過剩含有 燒結前述下部電極上之塗敷膜而成 結製程。 χ為"電質薄膜之燒 16.如申請專利範圍第15項之薄膜電容元 法，其中，在將前述塗敷膜來形成於前之製造方 4下。卩電極之表面
2030-6O93-PF(N2).ptd 1239024 六、申請專利範圍 - 後，乾燥前述塗敷膜，然後，在該塗敷膜不進行結晶化之 溫度’來假燒前述塗敷膜’接者’燒結前述塗敷膜。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方 法，其中，重複地進行以下製程··在乾燥前述塗敷膜後， 於该乾燥後之塗敷膜上’還形成其他塗敷膜，乾燥該塗敷 膜之製程；得到所要求膜厚之塗敷膜，然後，燒結該塗敷 膜。
1 8 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方 法，其中，重複地進行以下製程：在乾燥及假燒前述塗敷 膜後，於該假燒後之塗敷膜上，還形成其他塗敷膜，乾燥 及假燒該塗敷膜之製程；得到所要求膜厚之塗敷膜，然 後，燒結該塗敷膜。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方 法，其中，重複地進行以下製程：乾燥及假燒前述塗敷 膜，然後，進行燒結之製程；得到所要求膜厚之介電質薄 膜。 2 0 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方 法’其中’燒結前述塗敷膜之溫度係成為前述塗敷膜結晶 化溫度之700〜900它。 2 1 ·如申請專利範圍第丨6項之薄膜電容元件之製造方 f 法’其中，乾燥前述塗敷膜之溫度係室溫〜4 〇〇。〇。 22·如申請專利範圍第1 6項之薄膜電容元件之製造方 法’其中’假燒前述塗敷膜之溫度係2 〇 〇〜7 〇 〇 。 2 3 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方
第40頁 2030-6093-PF(N2).ptd 1239024 六、申請專利範圍 法，其中，對於在燒結前之未燒結之前述塗敷膜之膜厚， 重複地進行塗敷、乾燥及/或假燒，而使得在燒結後之膜 厚成為200nm以下。 2 4.如申請專利範圍第1 5項之薄膜電容元件之製造方 法，其中，在形成前述介電質薄膜後，於前述介電質薄膜 上，形成上部電極，然後，在空氣中或氧氣氛中，進行熱 處理。
2030-6093-PF(N2).ptd 第41頁
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| JPH05335174A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JPH08253324A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 強誘電体薄膜構成体 |
| US6303391B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature chemical vapor deposition process for forming bismuth-containing ceramic films useful in ferroelectric memory devices |
| JPH1149600A (ja) * | 1997-05-06 | 1999-02-23 | Sharp Corp | 層状ペロブスカイト膜の形成方法 |
| JPH11214245A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜積層コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4228437B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2009-02-25 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層コンデンサおよびその製造方法 |
| US6323104B1 (en) * | 2000-03-01 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming an integrated circuitry isolation trench, method of forming integrated circuitry, and integrated circuitry |
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