CN106935398B - 一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于功能材料技术领域，涉及一种铋掺杂钛酸锶电容器及其制备方法，用醋酸锶、硝酸铋、四异丙醇钛、醋酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)和乙二醇作原料，按Sr1‑1.5xBixTiO3配制成溶胶，经陈化、甩膜和热处理制备出均匀的电介质膜，再在介质膜上镀上一层电极，制备出铋掺杂钛酸锶薄膜电容器。与现有技术相比，采用本配方的电容材料，具有较低的漏电流密度和介电损耗以及较大的耐压性能，从而满足铋掺杂钛酸锶薄膜的电容器应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种电容器材料，尤其是一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器材料及其制备方法。
背景技术
储能电容器及其设备主要朝着轻量化、小型化、高绝缘性以及储能密度高的方向发展，因此储能电介质应具有较高介电常数、较低介电损耗和较强的耐压性能。
Sol-gel法制备薄膜具有成本低廉、薄膜均匀度高、化学计量比精确、操作简便、易于掺杂等优点，成为制备钛酸锶基薄膜的一种重要手段，而制备稳定的溶胶是sol-gel法制备薄膜的前提和关键。
为了进一步提高钛酸锶的介电性能，现有技术中通常采用掺杂的方法。三价铋离子取代SrTiO3薄膜中的二价锶离子，由于电荷不平衡需要进行电荷补偿。Bi3+离子半径为0.103nm，略小于Sr2+(0.118nm)离子半径，和大于Ti4+(0.068nm)的离子半径，根据容差因子法则，两离子半径越接近取代的机率越大，故Bi3+作为施主掺杂优先取代A位的Sr2+离子。由于不等价掺杂造成电荷不平衡，所以需要进行电荷补偿。也就是说每两个Bi离子取代Sr时，会在A位产出一个Sr离子空位。而阳离子空位缺陷在室温下不具有传导特性，薄膜仍然是绝缘体。
钛酸锶薄膜电容器的介电性能除了与薄膜内部优化的结构以及高质量的稳定溶胶密切有关外，还与电极材料有关。溶胶凝胶制备出的薄膜接触到潮湿的空气会吸附水分子，影响了电容器的使用寿命，所以通常会选用铝电极作为上电极。当电容器在干燥的环境下使用，尤其是作为航空材料，选用金电极即可。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种漏导电流低，耐压值高，介电损耗小的铋掺杂钛酸锶薄膜电容器及其制备方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器，其特征在于，该电容器的化学通式如式I所示：
Sr1-1.5xBixTiO3式I
其中，x＝0,2,5,10,15mol％。
一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)制备铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体：
(1-1)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在乙二醇甲醚中，40～60℃下搅拌20min，加入乙酰丙酮，保持温度在40～60℃下继续搅拌30min，得到钛源；
(1-2)制备铋源：将硝酸铋溶解在冰醋酸中，于40～50℃搅拌20～30min；
(1-3)将步骤(1-1)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-2)制得的铋源，并在40～60℃下搅拌5～20min，加入乙二醇，保持温度在40～60℃下搅拌2～4h，冷却至室温，得到钛酸铋溶胶前驱体，并陈化20～24h；
(1-4)制备锶源：将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于70～90℃搅拌0.5～2h，温度缓慢降至40～60℃后加入PVP的冰醋酸溶液，在40～60℃下继续搅拌20～60min，得到锶源；
(1-5)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在乙二醇甲醚中，40～60℃下搅拌20～60min，加入乙酰丙酮，保持温度在40～60℃下继续搅拌0.5～2h，得到钛源；
(1-6)将步骤(1-5)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-4)制得的锶源，并在40～60℃下搅拌5～30min，加入乙二醇搅拌5～30min，加入步骤(1-3)得到的钛酸铋溶胶，保持温度在40～60℃下继续搅拌2～4h，冷却至室温，将澄清液过滤后，得到铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体；
(2)将铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体涂覆在带有电极的基体表面，进行此过程7-9次，每次涂覆后进行热处理，得到所需的薄膜；
(3)将步骤(2)所配置的薄膜在500～550℃的温度下通氧气退火处理2～4h，制得活性钛酸锶铋薄膜；
(4)在步骤(3)所制得的活性钛酸锶铋薄膜，使用离子溅射法或蒸发镀膜法制备上电极，得到铋掺杂钛酸锶薄膜电容器。
优选地，步骤(1-3)所述钛源缓慢滴加至铋源中加入的钛源的Ti4+与铋源中的Bi3+的摩尔比为1:1.5；步骤(1-6)所述钛源缓慢滴加至锶源中加入的钛源的Ti4+与锶源中的Sr2 +的摩尔比为1:1。最终混合后符合化学反应配比和化学计量比，节省原料。
步骤(1-1)中每0.3mmol四异丙醇钛，加入乙二醇甲醚8ml，加入乙酰丙酮0.3ml；步骤(1-3)中乙二醇加入0.6ml；步骤(1-5)中乙二醇甲醚加入16ml；酰丙酮加入0.7ml；
步骤(1-6)中乙二醇加入1.4ml。步骤(1-3)和(1-6)中加入的乙二醇用于调节生成的铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体的粘度，而胶体的粘度与每一层介质薄膜的厚度以及薄膜的平滑度有关，在所述的乙二醇用量下，涂覆方便且膜的平滑度好，较为合适。
步骤(2)所述的铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体以3000～4000转/分钟的转速甩胶20～30秒涂覆在带有电极的基体表面。
步骤(2)所述的热处理的条件为190～240℃处理3～7min，升温至330～380℃处理3～7min，继续升温至450～500℃处理3～7min，然后降温至240～380℃处理3～7min，继续降温至190～240℃处理3～7min。
步骤(3)所述的活性钛酸锶铋薄膜的厚度为200～350nm。
热处理过程中使薄膜中的有机物充分燃烧分解，使得该薄膜更加致密光滑。
本发明的提供了铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法。常温下SrTiO3是顺电体，具有良好的偏压特性和频率稳定性特征；同时，SrTiO3还是一种先兆性的铁电体材料，由于量子起伏的缘故其铁电相被抑制住，因而在低温环境下SrTiO3仍然保持顺电态，在较宽的温度范围内都不存在结构上的相变产生，从而介电性能不会像铁电体那样存在突变，具有良好的温度稳定性。近年来，SrTiO3基薄膜被认为是极具潜力的中高压固态高密度储能介质材料体系之一。钛酸锶的储能密度的计算公式为U＝1/2·ε·E2，其中U表示储能密度，ε表示介电常数，E表示击穿场强。因此储能密度与介电常数成正比，与击穿场强的平方成正比。根据电介质的基础理论，进一步提高SrTiO3薄膜电容器耐电压强度是提高其储能密度的有效途径之一，以及保持较低的介质损耗来提高今后使用的效率。我们通过在钛酸锶结构中掺入铋离子，并选择合适的电极，提高了钛酸锶薄膜的耐压强度，降低了漏导电流和介质损耗。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、结构、制备工艺简单，易于批量生产。
2、原料成本低廉，极大地降低了生产成本。
3、内部不含液态电介质，提高了安全性和可靠性。
4、漏导电流低，储能密度较高，可微型化，小型化并应用于集成电路。
附图说明
图1是本发明流程示意图；
图2是电容器在潮湿空气下电性能测试装备图；
图3是电容器在真空下电性能测试装备图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行说明：
本发明提供了一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器材料，铋掺杂钛酸锶的化学通式如式I所示：
Sr1-1.5xBixTiO3式I
其中，x＝0,2,5,10,15mol％。
本发明电容器选用Pt为下电极，Au或Al为上电极。
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
以铋的掺杂量为2％制备Sr0.97Bi0.02TiO3，其制备流程如图1所示：
a、按Bi和Ti的摩尔比为1:1.5分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol；将称取四异丙醇钛溶解在8ml乙二醇甲醚中，50℃下搅拌15min，加入0.3ml乙酰丙酮，50℃下继续搅拌0.5h；将硝酸铋溶解在冰醋酸中，于40℃搅拌20min；将上述钛源缓慢滴加至铋源，并在50℃下搅拌10min，加入0.6ml乙二醇，50℃下搅拌3h，冷却至室温，陈化24h；
b、按Sr和Ti的摩尔比为1:1分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol；将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于80℃搅拌1h，温度缓慢降至50℃后加入PVP(0.5g)的冰醋酸溶液，在50℃下继续搅拌30min，其中，两次加入的冰醋酸共为15ml。再将四异丙醇钛溶解在16ml乙二醇甲醚中，50℃下搅拌0.5h，加入0.7ml乙酰丙酮，50℃下继续搅拌1h。将上述钛源缓慢滴加至锶源，再加入1.4ml乙二醇，并在50℃下搅拌20min；最后加入步骤a制备的胶体，50℃下搅拌3h，冷却至室温，将澄清液进行过滤，制得均匀、透明、稳定的铋掺杂浓度为2％、摩尔浓度为0.01摩尔/升的铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体；
c、将制备的溶胶涂覆在Si/SiO2/Ti/Pt基片上，并进行热处理，所述的热处理的条件为200℃处理5min，350℃处理5min，500℃处理5min，350℃处理5min，200℃处理5min，最后500℃通氧气下退火处理3小时，制得铋掺杂钛酸锶薄膜；
d、采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极。
实施例2
以铋的掺杂量为2％制备Sr0.97Bi0.02TiO3。
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤d“采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极”替换为“采用蒸发镀膜法在步骤c制得的薄膜上制备Al电极”。
实施例1和2表明，因为环境影响因素，薄膜内会含有吸附水，这些吸附水会影响薄膜的寿命，采用铝电极可以消耗薄膜内的吸附水。
实施例3
以铋的掺杂量为5％制备Sr0.925Bi0.05TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0005、0.00075mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.00925mol”。
实施例4
以铋的掺杂量为5％制备Sr0.925Bi0.05TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0005、0.00075mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.00925mol”，以及步骤d“采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极”替换为“采用蒸发镀膜法在步骤c制得的薄膜上制备Al电极”。
实施例5
以铋的掺杂量为10％制备Sr0.85Bi0.1TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.001、0.0015mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0085mol”。
实施例6
以铋的掺杂量为10％制备Sr0.85Bi0.1TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.001、0.0015mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0085mol”，以及步骤d“采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极”替换为“采用蒸发镀膜法在步骤c制得的薄膜上制备Al电极”。
实施例7
以铋的掺杂量为15％制备Sr0.775Bi0.15TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0015、0.00225mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.00775mol”。
实施例8
以铋的掺杂量为15％制备Sr0.775Bi0.15TiO3
与“实施例1的步骤”基本相同，只是将步骤a中“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0002、0.0003mol”替换为“分别称取硝酸铋和四异丙醇钛0.0015、0.00225mol”和步骤b中“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.0097mol”替换为“分别称取醋酸锶和四异丙醇钛0.00775mol”，以及步骤d“采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极”替换为“采用蒸发镀膜法在步骤c制得的薄膜上制备Al电极”。
实施例9
制备纯钛酸锶SrTiO3
a、将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于80℃搅拌1h，温度缓慢降至50℃后加入PVP(0.5g)的冰醋酸溶液，在50℃下继续搅拌30min，其中，两次加入的冰醋酸共为20ml。再称取0.01mol的四异丙醇钛溶解在24ml乙二醇甲醚中，50℃下搅拌0.5h，加入1ml乙酰丙酮，50℃下继续搅拌1h。将上述钛源缓慢滴加至锶源，并在50℃下搅拌20min，加入2ml乙二醇，50℃下搅拌3h，冷却至室温，将澄清液进行过滤，得到溶胶前驱体；
b、：将制备的溶胶涂覆在Si/SiO2/Ti/Pt基片上，并进行热处理，所述的热处理的条件为200℃处理5min，350℃处理5min，500℃处理5min，350℃处理5min，200℃处理5min，最后500℃通氧气下退火处理3小时，制得铋掺杂钛酸锶薄膜；
c、采用离子溅射法在步骤b制得的薄膜上制备Au电极。
实施例10
制备纯钛酸锶SrTiO3
与“实施例9的步骤”基本相同，只是将步骤c“采用离子溅射法在步骤c制得的薄膜上制备Au电极”替换为“采用蒸发镀膜法在步骤c制得的薄膜上制备Al电极”。
对上述实施例的结构和介电性能进行了表征和测试，概括如下：
1.电极的选择
如图2-3所示在不同的使用环境下测试电极的性能，根据下表的结果表明：在不同的使用环境下，电容器的电极选择不同。在潮湿的空气中，电容器内部含有吸附水，造成电容器的寿命较短，这时候选择铝电极可以与吸附水在电场的作用下发生反应，形成致密氧化修补层，大大增强了电容器的耐压强度。而在真空中，薄膜含有极少的吸附水，这种氧化作用会减弱，铝电极下的电容器不再拥有很强的耐压强度，反而金电极下的电容器，因为功函数较铝电极大，与介质层形成的接触势垒高，高势垒有助于更高的耐压特性。因此，在真空下，金电极作为电容器的阳极时，具有更高的耐压强度。
2.结构特征与介电性能
从上表可以明显看出，不管在任何环境下，随着铋含量的提高，漏导电流随之降低；当铋离子掺入到碳酸锶中时，铋离子取代锶的位置并产生锶空位，随着铋离子含量增大，缺陷浓度提高，取代锶的铋离子与锶空位产生复合缺陷束缚钛的移动，降低了漏导；当铋离子浓度大于5％时，由于结构被严重扭曲，造成介质在低电压下发生击穿；另外我们发现引入铋离子的薄膜的介电损耗要比纯钛酸锶薄膜的损耗要小0.01。
实施例11
一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，该方法包括以下步骤：
(1)制备铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体：
(1-1)制备钛源：将0.3mmol四异丙醇钛溶解在8ml乙二醇甲醚中，40℃下搅拌20min，加入0.3ml乙酰丙酮，保持温度在40℃下继续搅拌30min，得到钛源；
(1-2)制备铋源：将硝酸铋溶解在冰醋酸中，于40℃搅拌20min；
(1-3)将步骤(1-1)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-2)制得的铋源，使钛源的Ti4+与铋源中的Bi3+的摩尔比为1:1.5，并在40℃下搅拌5min，加入0.6ml乙二醇，保持温度在40℃下搅拌2h，冷却至室温，得到钛酸铋溶胶前驱体，并陈化20h；
(1-4)制备锶源：将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于70℃搅拌0.5h，温度缓慢降至40℃后加入PVP的冰醋酸溶液，在40℃下继续搅拌20min，得到锶源；
(1-5)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在16ml乙二醇甲醚中，40℃下搅拌20min，加入0.7ml乙酰丙酮，保持温度在40℃下继续搅拌0.5h，得到钛源；
(1-6)将步骤(1-5)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-4)制得的锶源，Ti4+与锶源中的Sr2+的摩尔比为1:1，并在40℃下搅拌5min，加入1.4ml乙二醇搅拌5min，加入步骤(1-3)得到的钛酸铋溶胶，保持温度在40℃下继续搅拌2h，冷却至室温，将澄清液过滤后，得到铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体；
(2)将铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体以3000转/分钟的转速甩胶20秒涂覆在带有电极的基体表面，进行此过程7次，每次涂覆后进行热处理，得到所需的薄膜；热处理的条件为190℃处理7min，升温至330℃处理7min，继续升温至450℃处理7min，然后降温至240℃处理7min，继续降温至190℃处理7min。
(3)将步骤(2)所配置的薄膜在500℃的温度下通氧气退火处理4h，制得厚度为200nm活性钛酸锶铋薄膜；
(4)在步骤(3)所制得的活性钛酸锶铋薄膜，使用离子溅射法或蒸发镀膜法制备上电极，得到铋掺杂钛酸锶薄膜电容器。
实施例12
一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，该方法包括以下步骤：
(1)制备铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体：
(1-1)制备钛源：将0.3mmol四异丙醇钛溶解在8ml乙二醇甲醚中，60℃下搅拌20min，加入0.3ml乙酰丙酮，保持温度在60℃下继续搅拌30min，得到钛源；
(1-2)制备铋源：将硝酸铋溶解在冰醋酸中，于50℃搅拌20min；
(1-3)将步骤(1-1)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-2)制得的铋源，使钛源的Ti4+与铋源中的Bi3+的摩尔比为1:1.5，并在60℃下搅拌20min，加入0.6ml乙二醇，保持温度在60℃下搅拌4h，冷却至室温，得到钛酸铋溶胶前驱体，并陈化24h；
(1-4)制备锶源：将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于90℃搅拌2h，温度缓慢降至60℃后加入PVP的冰醋酸溶液，在60℃下继续搅拌60min，得到锶源；
(1-5)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在16ml乙二醇甲醚中，60℃下搅拌60min，加入0.7ml乙酰丙酮，保持温度在60℃下继续搅拌2h，得到钛源；
(1-6)将步骤(1-5)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-4)制得的锶源，Ti4+与锶源中的Sr2+的摩尔比为1:1，并在60℃下搅拌30min，加入1.4ml乙二醇搅拌30min，加入步骤(1-3)得到的钛酸铋溶胶，保持温度在60℃下继续搅拌4h，冷却至室温，将澄清液过滤后，得到铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体；
(2)将铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体以4000转/分钟的转速甩胶30秒涂覆在带有电极的基体表面，进行此过程9次，每次涂覆后进行热处理，得到所需的薄膜；热处理的条件为240℃处理3min，升温至380℃处理3min，继续升温至500℃处理3min，然后降温至380℃处理3min，继续降温至240℃处理3min。
(3)将步骤(2)所配置的薄膜在550℃的温度下通氧气退火处理2h，制得厚度为350nm活性钛酸锶铋薄膜；
(4)在步骤(3)所制得的活性钛酸锶铋薄膜，使用离子溅射法或蒸发镀膜法制备上电极，得到铋掺杂钛酸锶薄膜电容器。
Claims (4)
1.一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)制备铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体：
(1-1)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在乙二醇甲醚中，40～60℃下搅拌15～20min，加入乙酰丙酮，保持温度在40～60℃下继续搅拌30min，得到钛源；
(1-2)制备铋源：将硝酸铋溶解在冰醋酸中，于40～50℃搅拌20～30min；
(1-3)将步骤(1-1)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-2)制得的铋源，并在40～60℃下搅拌5～20min，加入乙二醇，保持温度在40～60℃下搅拌2～4h，冷却至室温，得到钛酸铋溶胶前驱体，并陈化20～24h；
(1-4)制备锶源：将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于70～90℃搅拌0.5～2h，温度缓慢降至40～60℃后加入PVP的冰醋酸溶液，在40～60℃下继续搅拌20～60min，得到锶源；
(1-5)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在乙二醇甲醚中，40～60℃下搅拌20～60min，加入乙酰丙酮，保持温度在40～60℃下继续搅拌0.5～2h，得到钛源；
(1-6)将步骤(1-5)制得的钛源缓慢滴加至步骤(1-4)制得的锶源，并在40～60℃下搅拌5～30min，加入乙二醇搅拌5～30min，加入步骤(1-3)得到的钛酸铋溶胶，保持温度在40～60℃下继续搅拌2～4h，冷却至室温，将澄清液过滤后，得到铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体；
(2)将铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体涂覆在带有电极的基体表面，进行此过程7-9次，每次涂覆后进行热处理，得到所需的薄膜；
(3)将步骤(2)所配置的薄膜在500～550℃的温度下通氧气退火处理2～4h，制得活性钛酸锶铋薄膜；
(4)在步骤(3)所制得的活性钛酸锶铋薄膜，使用离子溅射法或蒸发镀膜法制备上电极，得到铋掺杂钛酸锶薄膜电容器；
步骤(1-3)所述钛源缓慢滴加至铋源中加入的钛源的Ti4+与铋源中的Bi3+的摩尔比为1:1.5；
步骤(1-6)所述钛源缓慢滴加至锶源中加入的钛源的Ti4+与锶源中的Sr2+的摩尔比为1:1；
步骤(2)所述的热处理的条件为190～240℃处理3～7min，升温至330～380℃处理3～7min，继续升温至450～500℃处理3～7min，然后降温至240～380℃处理3～7min，继续降温至190～240℃处理3～7min。
2.根据权利要求1所述的一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤(1-1)中每0.3mmol四异丙醇钛，加入乙二醇甲醚8ml，加入乙酰丙酮0.3ml；
步骤(1-3)中乙二醇加入0.6ml；
步骤(1-5)中乙二醇甲醚加入16ml；乙酰丙酮加入0.7ml；
步骤(1-6)中乙二醇加入1.4ml。
3.根据权利要求1所述的一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的铋掺杂钛酸锶溶胶前驱体以3000～4000转/分钟的转速甩胶20～30秒涂覆在带有电极的基体表面。
4.根据权利要求1所述的一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的活性钛酸锶铋薄膜的厚度为200～350nm。
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