TWI236578B - Chemically amplified positive resist composition - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 ___B7______ 五、發明說明(1 ) 本發明係關於一種經化學放大之正型光阻組合物而彼 係使用於半導體的微加工。 一般而言,使用光阻組合物的光刻技術方法已採用於 半導體的微加工。在光刻技術中,可降低照光之波長而改 進解析度,原則上由羅雷(Rayleigh )繞射公式表現者。波 長在436 nm的g-線、波長在365 nm的j-線、及波長在248 nm 的KrF激發器雷射已採用作爲使用於生產半導體的光刻技術 之照光光源。如此,歷年來波長已變得較短。波長在1 93 nm的ArF激發器雷射已考量有希望成爲下一代的照光光源。 相較於慣常照光的光源之鏡片,使用在ArF激發器雷射 照光機器或使用較短波長光源的照光機器之中的鏡頭’具 有較短的壽期。據此,須要照光於ArF激發器雷射光的較短 時間係令人滿意的。爲此緣故,必須增進光阻之敏感性。 因此,已使用所謂的化學放大型光阻,其係使用由於照光 產生的酸之催化作用,且含有內含由酸可切斷的基團之樹 脂。 合意地,目前已知,使用在ArF激發器雷射照光的光阻 之中的樹脂係不含芳香環以確保光阻透明度,但帶有脂環 族環代替芳香環以給予彼乾燥蝕刻抗性。各種種的樹脂如 那些敘述於 Journal of Photopolymer Science and technology ,Vol. 9,No. 3,第 387-398 頁(1996),發表者爲 D. C.
Hofei*,迄今爲止已知爲該類樹脂。然而,慣常已知的樹脂 其問題在傾向發生圖樣剝離’由於在顯影中不充分的黏著 ,尤其是當極性不充分時。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^ ' ---------------^--訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1236578 A7 广 _B7__ 五、發明說明(2 )
Journal of Photopolymer Scienceand technology,Vol. 9 ^ No. 3,第 475-487頁( 1 996),發表者爲 S.Takechi等人,及 JP-A-9-7 3 1 7 3報導當甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛酯之聚合物 或共聚物用作化學放大型樹脂,2-甲基-2-金剛烷基經由酸 的作用分解而作爲正性類型,且可獲得高乾燥蝕刻抗性及 高解析度與在基材上良好的黏著。. 然而,具有脂環族環的樹脂一般展現高拒水性,且因 此不帶有與顯影劑適合的親和性,而顯影劑爲水溶性鹼。 另一方面,使用在KrF激發器雷射照光之中的光阻之樹 脂通常爲聚乙烯基酚樹脂而其中一部分的羥基基團係經以 由酸作用而可切斷的基團作保護。在此案例中,經由保護 比例的上升可改進解析度。然而,若保護比例上升,樹脂 拒水性上升且彼與顯影劑之親和性將劣化。 當樹脂拒水性高且與顯影劑之親和性係令人不滿意的 ,將不能達成均勻顯影而導致生成的圖樣之尺寸均勻性受 影響或發生顯影缺陷。 本發明目的之一在提供一種經化學放大之正型光阻組 合物而其中內含樹脂成分及酸產生劑,而其係適用於利用 ArF、Ki*F或其類似者的激發器雷射光刻技術,且相較於鹼 顯影劑,彼在各種光阻性能特性係令人滿意的,如敏感性 、解析度及對基材之黏著,而展現卓越的親和性(可濕潤性) 〇 JP-A- 1 0-27485 2已報導將在彼部分的聚合單位上帶有丁 內酯殘基的樹脂,使用於經化學放大之正型光阻組合物, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ei_— n H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ -言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) '^ - 1236578 A7 ___B7__ 五、發明說明(3 ) 可改良光阻組合物對基材之黏著,同時,JP-A- 1 1 -305444已 報導將其分別地具有源自(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金剛酯及 順丁烯二酸酐聚合單位的樹脂,使用於經化學放大之光阻 組合物,可改良光阻組合物對基材之黏著。 此外,JP-A-2000- 1 37327已記述在經化學放大之正型光 阻組合物之中,使用一樹脂而彼係帶有源自(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金剛酯的聚合單位及源自(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金 剛酯的聚合單位。同時,JP-A-2000-22765 8已記述在經化學 放大之正型光阻組合物之中,使用一樹脂而其具源自羥基 苯乙烯有聚合單位及源自(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛酯聚 合單位。基於此類知識,本案發明人已執行進一步的硏究 ,且進一步的發現,事實上,經化學放大之正型光阻組合 物之解析度及與鹼顯影劑之可濕潤性,係可經使用樹脂而 改進,而此樹脂其中內含高極性的聚合單位與特定的金剛 烷結構之聚合單位。基於此發現,已完成本發明。 本發明槪要 本發明提供經化學放大之正型光阻組合物而其中包含 一種樹脂(X) 其本身,係在鹼中不溶的或稍微地可溶的但由於酸的 作用而變得可溶於鹼中,且具有彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥 基-1-金剛酯的聚合單位(a)及彼係源自/3 -(甲基)丙烯醯基氧 基-r -丁內酯而其中內酯環可視需要地經取代以烷基的聚合 單位(b);及一種酸產生劑(Y)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
---.--訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 ____Β7 _五、發明說明(4 ) 本發明較佳的具體實施例之詳細敘述 彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥基-卜金剛酯的聚合單位(a) 及彼係源自/5-(甲基)丙烯醯基氧基-r -丁內酯而其中內酯 環可視需要地經取代以烷基的聚合單位(b),兩者係分別由 下式(I)及(II)代表,:
其中R1及R2係各自獨立代表氫或甲基,且R3、R4及R5 係各自獨立代表氫或烷基。通常,由R3,R4或R5代表的烷基 帶有約1至6個碳原子。當碳原子之數目爲3或更多,此烷基 可爲直鏈的或分枝的。 由R3、R4或R5代表的烷基之實施例包括甲基、乙基、丙 基及丁基。用於衍生自式(II)聚合單位的單體之實施例包括 卢-丙烯醯基氧基-r-丁內酯、甲基丙烯醯氧基-T-丁內 酯、/3-丙烯醯基氧基-α-甲基-r-丁內酯、)S-甲基丙烯醯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I I I ϋ I 1 ϋ J」· an π 言 1236578 A7 B7 五、發明說明(5) 氧基-α-甲基-T-丁內酯、々-丙烯醯基氧基- yg -甲基-r -丁 內酯及/3-甲基丙烯醯氧基- /3-甲基-r -丁內酯。 用於衍生式(I)的聚合單位的(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金 剛酯係可商購者。供選擇地,彼製備可經由將1,3-二溴金岡!1 烷水解爲1,3-二羥基金剛烷且然後與丙烯酸、甲基丙烯酸、 或其鹵化物反應。 、 /5 -(甲基)丙烯醯基氧基-r -丁內酯而其中內酯環可視 需要地經取代以烷基者,彼製備可經由將/3 -溴-y - 丁內酯 而其中內酯環可視需要地經取代以烷基者,與丙烯酸或甲 基丙烯酸反應。供選擇地,彼製備可經由將/3 -羥基-r - 丁 內酯而其中內酯環可視需要地經取代以烷基者,與丙烯醯 鹵反應或與甲基丙烯醯鹵反應。 因爲樹脂(X),本身,係在鹼中不溶的或稍微地可溶的 但由於酸的作用而變得可溶於鹼中,彼通常含有彼具有對 酸不穩定基團的聚合單位,除了彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥 基-1-金剛酯的聚合單位U)及彼係源自/3 -(甲基)丙烯醯基氧 基-T -丁內酯的聚合單位(b)之外。具有對酸不穩定基團的 聚合單位可爲一聚合單位而彼具有酚系羥基基團、羧基基 團或其類似者,而彼經一基團保護,而此基團具有對鹼顯 影劑的溶解抑制能力但由酸的作用而可被切斷。此對酸不 穩定的基團可爲各種已知的保護基之一。 對酸不穩定的基團之實施例,此爲一基團而彼具有對 鹼顯影劑的溶解抑制能力但由酸的作用而可被切斷,包括 其中內含四級碳原子鍵結的基團或爲鍵結至一氧原子的基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 B7 五、發明說明(6 ) 團,如第三-丁基、第三-丁氧基羰基及第三丁氧基羰基甲基 ;乙縮醛類型基團如四氫-2-哌喃基、四氫-2-呋喃基、1-乙 氧基乙基、1-(2 -甲基丙氧基)乙基、1-(2 -甲氧基乙氧基)乙 基、1_(2_乙醯氧基乙氧基)乙基、1-[2-(1_金剛烷基氧基)乙 氧基]乙基及M2-U-金剛烷羰基氧基)乙氧基]乙基;非芳香 環化合物之殘基如3-酮基環己基、4:甲基四氫-2-吡喃酮-4_ 基及2-烷基-2-金剛烷基。在聚合單位中的酚系羥基基團或 羧基基上的氫原子,係經取代以該對酸不穩定的基團。 可將對酸不穩定的基團引入彼具有酚系羥基基團、羧 基基團或其類似者的樹脂,此係經由將此樹脂作已知的保 護基引入反應,或經由將具有該對酸不穩定的基團之不飽 和單體,如彼具有該對酸不穩定的基團的(甲基)丙烯酸酯類 ,與其它單體作共聚合。 尤其是,在一用於ArF激發器雷射照光的光阻之中,宜 使樹脂(X)具有源自(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金剛酯的聚合單 位,其中2-烷基-2-金剛烷基基團爲對酸不穩定的基團,因 爲此基團賦予光阻對ArF激發器雷射的高透明度、高對比及 卓越的解析度。 源自(甲基)丙烯酸2 -烷基-2 -金剛酯的聚合單位可由下 式(III)代表: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ϋ I ft— ϋ ϋ fcrl a I ϋ n -言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 B7 五、發明說明(
(Π) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R6代表氫或甲基、及R7代表烷基。 因爲在式(III)中的聚合單位內衍生自(甲基)丙烯酸2-烷 基-2-金剛酯的2-烷基-2-金剛烷基亦係可由酸的作用而可切 斷的,此單位貢獻了已進行照光的光阻膜在鹼中溶解度的 增進。此外,因爲存在金剛烷環,彼係一種脂環族環而源 自(甲基)丙烯酸2 -烷基-2 -金剛酯,此聚合單位提供生成的 光阻以針對ArF激發器雷射光高透明度、高對比及優越的解 析度、且貢獻了乾燥蝕刻抗性之增進。 在式(III)中,R7爲烷基而其可帶有例如約1至8個碳原子 且一般其係有利地爲直鏈的,但當碳原子之數目爲3或更多 也可能爲分枝的鏈。R3之實施例包括甲基、乙基、正丙基 、異丙基及正丁基。 (甲基)丙烯酸2-烷基-2-金剛酯,彼係式(III)中聚合單位 (b)所源起者,通常其製備可經由將2-烷基-2-金剛醇或其金 屬鹽與丙烯醯鹵或甲基丙烯醯鹵反應。 除彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛酯的聚合單位(a )、彼係源自石-(甲基)丙烯醯基氧基-T -丁內酯的聚合單位( b)、及彼具有對酸不穩定基團的聚合單位之外,樹脂(X)可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^1 ·1_— ϋ ϋ ·1 ϋ^eJ 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1236578 A7 ___B7___ _ 五、發明說明(8 ) 視需要地含有額外的聚合單位。樹脂(X )其製作可經由將上 述單體作共聚合,即,(甲基)丙烯酸3 -羥基-1 -金剛酯、Θ -( 甲基)丙烯醯基氧基-T - 丁內酯、及用於衍生彼具有對酸不 穩定基團的聚合單位之單體、及其它任意的單體。 此共聚合可依據慣常的方法執行。例如,樹脂(X)可得 自將各單體溶解在一有機溶劑之中:然後在聚合起始劑如 偶氮基化合物存在下執行聚合反應。偶氮基化合物之實施 例包括2,2·-偶氮基雙異丁腈及2,2^偶氮基雙(2-丙酸甲酯)。 其係有利的將反應產物純化,於聚合反應完成之後經由再 沈澱或其類似者作純化。 彼通常較佳的,在共聚合中,(甲基)丙烯酸3-羥基-卜 金剛酯與(甲基)丙烯醯基氧基- 丁內酯而其中內酯環 可視需要地經取代以烷基者的總量,對用於衍生彼具有對 酸不穩定基團的聚合單位的單體之用量,兩者之莫耳比例 約2 : 8至8 : 2,雖然較佳的範圍可變化而取決於用於圖樣 化照光的輻射線之種類及若有需求而隨意使用的單體之種 類。彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛酯的聚合單位(a) 對彼係源自/3 -(甲基)丙烯醯基氧基-τ - 丁內酯而其中內酯 環可視需要地經取代以烷基的聚合單位(b),兩者之莫耳比 例約2 : 8至8 : 2。 彼爲另一成分的酸產生劑(Y),係經由使用放射性的射 線如光及電子束照射此成分本身或含此成分的光阻組合物 而分解生產酸者。由此酸產生劑所產生的酸係作用在樹脂 上’而分解存在於樹脂上的其可經由酸作用而分解的基團 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^----*—訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 _______B7__五、發明說明(9 ) 。該酸產生劑之實施例包括鐵鹽化合物、有機鹵素化合物 了碾化合物、及磺酸鹽化合物。特別地’可提及以下化合 物: 聯苯基碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、4 -甲氧基苯基苯基碘鐵 六氟銻酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘鐵三氟甲烷磺酸鹽·、雙(4 -第三-丁基苯基)碘鑰四氟硼酸鹽、雙(4-第三-丁基苯基)碘 鏺六氟磷酸鹽、雙(4-第三-丁基苯基)碘鑰六氟銻酸鹽、雙( 4-第三-丁基苯基)碘鐵三氟甲烷磺酸鹽、苯基銃六氟磷酸鹽 、苯基銃六氟銻酸鹽、苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基 苯基聯苯基銃六氟銻酸鹽、4-甲氧基苯基聯苯基銃三氟甲 烷磺酸鹽、對··甲苯基聯苯基銃三氟甲烷磺酸鹽、對-甲苯基 聯苯基銃全氟丁烷磺酸鹽、對-甲苯基聯苯基銃全氟辛烷磺 酸鹽、2,4,6-三甲基苯基聯苯基銃三氟甲烷磺酸鹽、4-第三-丁基苯基聯苯基銃三氟甲烷磺酸鹽、4-苯基噻吩基聯苯基 銃六氟磷酸鹽、4-苯基噻吩基聯苯基銃六氟銻酸鹽、1-(2-萘甲醯基甲基)銃六氟銻酸鹽、1-(2-萘甲醯基甲基)銃三氟 甲烷磺酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基銃六氟銻酸鹽、4-羥基-1 -萘基二甲基銃三氟甲烷磺酸鹽、2-甲基-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗉、2,4,6-三(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-苯基-4,6-雙( 三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(4-氯苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5 -三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-i,3,5-三嗪、2-( 4-甲氧基-1-萘基)-4,6-雙(三氯甲基)·1,3,5-三嗪、2-(苯并[d][ 1,3]二噁茂烷-5-基)-4,6-雙(三氯甲基)-l,3,5-三嗪、2-(4-甲 氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)·1,3,5-三嗪、2-(3,4,5-三甲 (請先閱讀背面之注意事項再填 再填寫本頁 ί ϋ I I ϋ 心:0, a 1 I ·ϋ ϋ ϋ 參i 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1236578 A7 B7 五、發明說明(10 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(3,4-二甲氧 基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(2,4-二甲氧基 苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(2-甲氧基苯乙 烯基)-4,6-雙(三氯甲基M,3,5-三嗪、2-(4-丁氧基苯乙烯基)-4,6_雙(三氯甲基)4,3,5-三嗪、2-(4-戊氧基苯乙烯基)-4,6-雙 (三氯甲基)-1,3,5-三嗪、1-苯甲基-lr苯基甲基對-甲苯磺酸 鹽(所謂的二苯乙二酮甲苯磺醯鹽)、2-苯甲基-2-羥基-2-苯 基乙基對-甲苯磺酸鹽、(所謂的羥甲基二苯乙二酮甲苯 磺醯鹽)、1,2,3 -次苄基三甲院磺酸鹽、2,二硝基苄基對_ 甲苯磺酸鹽、2-硝基苄基對-甲苯磺酸鹽、4-硝基苄基對-甲 苯擴酸鹽、聯苯基一*硕、—·-對甲本基一^硕、雙(本基礦釀基 )重氮基甲烷、雙(4-氯苯基磺醯基)重氮基甲烷、雙(對-甲苯 基磺醯基)重氮基甲烷、雙(4-第三-丁基苯基磺醯基)重氮基 甲烷、雙(2,4-二甲苯基磺醯基)重氮基甲烷、雙(環己基磺醯 基)重氮基甲烷、(苯甲基)(苯基磺醯基)重氮基甲烷、Ν-(苯 基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、Ν-(三氟甲基磺醯氧基)琥珀醯亞 胺、Ν-(三氟甲基磺醯氧基)酞醯亞胺、Ν-(三氟甲基磺醯氧 基)-5-原冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺、Ν-(三氟甲基磺醯氧基) 萘醯亞胺、Ν-(10-樟腦磺醯氧基)萘醯亞胺、及其類似者。 彼亦已知者,一般在經化學放大之正型光阻組合物之 中,由於照光之後伴隨著離開的酸之去活化的性能劣化, 可經由加入鹼性化合物而降低,尤其是鹼性的內含氮的有 機化合物如胺類作爲抑制劑。本發明中彼亦較佳地加入該 鹼性化合物。此用作爲抑制劑的鹼性化合物之具體實施例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1236578 A7 五、發明說明() 包括由下式代表者··
R16 - N 14 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
h---:1 丨訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R11及R12係相互間無存性代表、氫、環烷基、芳基 或烷基而彼可視需要地經取代以羥基;、&14及,其相 互間係相同或不同,代表氫、環烷基、芳基、烷氧基或烷 基而彼可視需要地經取代以羥基;R16代表環烷基或烷基而 彼可視需要地經取代以羥基;A代表伸烷基、羰基或亞胺基 。由R11至R16代表的烷基及由R13至R15代表的烷氧基可帶有 約1至6個碳原子。環烷基可帶有約5至10個碳原子且芳基可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 ___B7 五、發明說明(12) 帶有約6至10個碳原子。由R11至R15代表的芳基可帶有約6至 10個碳原子。由A代表的伸烷基可帶有約1至6個碳原子且可 爲直鏈的或分枝的。 本發明光阻組合物宜含有樹脂(X)其用量範圍在80至 99.9 %重量比,且酸產生劑(Y)在0.1至20 %重量比之中,基 於樹脂(X)及一種酸產生劑(Y)的總量.。當鹼性化合物用作抑 制劑,較佳者其用量範圍在0.0001至0.1 %重量比,基於光 阻組合物的總固體成分之重量。若須要,此組合物亦可含 有各種添加劑如敏化劑、溶解抑制劑、除了樹脂(X)之外的 樹脂、界面活性劑、安定劑、及染料,只要無害於本發明 目標。 本發明光阻組合物一般可變爲光阻溶液,彼係在一狀 態中而其中將上述的成分溶於溶劑,且施用在基材如矽晶 圓上。在此使用的溶劑可爲彼能溶解各成分者,具有合適 的乾燥速率,並於溶劑揮發之後可提供均勻及光滑塗層, 且可爲一項彼係一般使用於此領域者。其實例包括乙二醇 醚酯類如乙基賽璐蘇乙酸酯、甲基賽璐蘇乙酸酯、及丙二 醇單甲基醚乙酸酯;酯類如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊 酯、及丙酮酸乙酯;酮類如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮 、及環己酮;及環酯類如r -丁內酯。此類溶劑可單獨使用 或合倂彼二或更多項而使用。 將光阻膜施用在基材上,乾燥,且作圖樣化的照光處 理。然後,於加熱處理以促進去保護閉塞反應之後,經由 鹼顯影劑執行顯影。在此使用的鹼顯影劑可爲各種的使用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^----.—訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 ____B7 __ 五、發明說明(13 ) 於此領域的鹼性水溶液。一般而言,經常使用四甲基氫氧 化銨之水溶液或(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨(所謂的扣林( c ο 11 i n e))之水溶液。 本發明將更詳細地敘述於實施例,其不應解釋作爲本 發明範圍的限制。在實施例中所有份爲重量,除非另有說 明。重量平均分子量之値其係由凝膠滲透層析法使用聚苯 乙烯作爲參考標準而測定。 單體合成1(合成甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛酯) 在一容器中注入83.1 g的2-甲基-2-金剛醇及101 g的三 乙胺,且將200 g的甲基異丁基酮加入其中以形成溶液。在 此溶液中逐滴加入78.4 g的甲基丙烯醯氯(1.5倍於2-甲基-2-金剛醇的莫耳量),接著在室溫下攪拌約1 〇小時。於過濾之 後,用5 wt%的碳酸氫鈉之水溶液淸洗所生成的有機層且然 後用水淸洗兩次。將有機層濃縮且然後於減壓之下蒸餾以 得到由下式代表的甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛酯。
單體合成2(合成甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛酯) 在3 1.1 g的2-金剛烷酮中加入50 g的乙醚以形成溶液 。在此溶液中逐滴加入200毫升的乙基鋰(之濃度在1.14 mol /L)在乙醚中之溶液中而保持溶液溫度在不高於l〇°C。於在0 °匚攪拌二小時之後,將含量在26.2 g(1.2倍於2-金剛烷酮的 莫耳量)的甲基丙烯醯氯逐滴加入溶液中而保持溶液溫度在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---.—訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236578 A7 ___B7__ 五、發明說明(14) 不高於1 0 °c。於完成逐滴加入之後,在室溫下將所生成的 混合物攪拌約1 2小時。之後,濾除沈澱的有機鹽。用5 wt% 的碳酸氫鈉之水溶液淸洗所生成的有機層且然後用水淸洗 兩次。將有機層濃縮且然後於減壓之下蒸餾以得到由下式 代表的甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛酯。 ?Η3 〇2Η5
CH2=c^C-〇--j^N 單體合成3 (合成α-甲基丙烯醯氧基-r-丁內酯) 在一容器中注入100 g的α-溴-r-丁內酯及104.4 g的甲 基丙烯酸(2.0倍於α -溴-r -丁內酯的莫耳量)。然後,將三 倍於α -溴-r -丁內酯重量的甲基異丁基酮加入其中以形成 溶液。在此溶液中逐滴加入183.6g的三乙胺(3.0倍於α -溴-r -丁內酯的莫耳量),接著在室溫下攪拌約1 〇小時。於過濾 之後,用5 wt%的碳酸氫鈉之水溶液淸洗所生成的有機層且 然後用水淸洗兩次。將有機層濃縮以得到由下式代表的α -甲基丙烯醯氧基-7 -丁內酯。
樹脂合成1(合成甲基丙烯酸2 -甲基-2-金剛酯/甲基丙烯 酸3-羥基-1-金剛酯/0 -甲基丙烯醯氧基-τ —丁內酯共聚物) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^1 ϋ ·1 I ϋ^Ί· ί ϋ 言 1236578 A7 __B7 五、發明說明(15 ) 在一反應容器之中,注入13.8 g的甲基丙烯酸2-甲基-2 -金剛酯、6.9g的甲基丙烯酸3_羥基-1-金剛酯及5.0g的/3 -甲 基丙烯醯氧基-r -丁內酯(莫耳比在5 ·· 2.5 : 2.5)。在混合 物中加入甲基異丁基酮,其用量爲二倍於單體總量之重量 ,以形成單體溶液。然後,加入2,2’-偶氮基雙異丁腈作爲 聚合起始劑,其用量爲2 %mol,基於軍體的總量,且於85 t 將生成的溶液攪拌約5小時。將所生成的反應溶液加入大量 的庚烷中以沈澱此聚合物產物,且然後過濾。將得自過濾 的聚合物產物溶於甲基異丁基酮中,且將所得到溶液混合 以大量的庚烷以再沈澱聚合物產物,且然後過濾。重覆一 次上述由溶解聚合物產物至再沈澱的步驟以純化產物。得 到彼具有重量平均分子量在約14,000的共聚物。如此得到的 共聚物稱爲樹脂A 1。 樹脂合成2(合成甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛酯/甲基丙烯 酸3-羥基-1-金剛酯//3 -甲基丙烯醯氧基-r -丁內酯共聚物) 重覆如樹脂合成1相同步驟,除了將13.8 g的甲基丙烯 酸2-甲基-2-金剛酯取代以14.6 g的甲基丙烯酸2-乙基-2-金 剛酯。(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛酯及/3 -曱基丙烯醯氧基-r -丁內酯之莫耳比在5 : 2.5 :2.5 )。得到共聚物而彼具有重量平均分子量在約9,3 00。 如此得到的共聚物稱爲樹脂A2。 樹脂合成3(合成甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛酯/ /3 -甲基丙 烯醯氧基-r -丁內酯共聚物,用於比較) 重覆如樹脂合成1相同步驟,除了將6.9 g的甲基丙烯酸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填 再填寫本頁 l·---.—訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 :T8 - 1236578 A7 B7 五、發明說明(16 ) 2-甲基-2-金剛酯及5. Og的点-甲基丙烯醯氧基-r -丁內酯注 入(莫耳比在5 : 5)而代替13.8 g的甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛 酯、6.9g的甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛酯及5. Og /3 -甲基丙烯 醯氧基-T -丁內酯。得到的共聚物具有重量平均分子量在約 10,000。如此得到的共聚物稱爲樹脂AX。 . 使用以上得到的樹脂及以下酸產生劑B 1及B2製備光阻 組合物。 酸產生劑 B 1 :對-甲苯基聯苯基銃三氟甲烷磺酸鹽 B2 :對-甲苯基聯苯基銃全氟辛烷磺酸鹽 實施例1及2及比較例 將如下所列之成分混合且經由一彼具有孔徑在0.2 //m 的氟樹脂濾膜過濾,以生成光阻溶液。 樹脂(列於表1中) 10份 酸產生劑 (其用量及種類列於表1): 抑制劑:2,6-二異丙基苯胺 0.0075份 溶劑:丙二醇單甲基醚乙酸酯 57份 r -丁內酯 3份 將組合物"DUV-30J-14",由Brewer公司製作者,施用在 矽晶圓上,且於2 1 5 °C之條件烘烤60秒而使有機預防反射薄 膜形成在晶圓上,彼厚度在1,600埃。經由旋轉塗覆將以上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再 再填 l·---.--訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1236578 A7 •—— ___B7_____ 五、發明說明(17 ) 得到的光阻溶液施用在該晶圓上,而使乾燥之後的膜厚度 在0.3 9 // m。於施用光阻溶液之後,將晶圓直接置於熱板 上,以展示於表1中縱列’’PB”的溫度作預烘烤60秒。 將超純水施用在預烘烤的光阻膜上,且經由接觸角測 量裝置(Ermagoniometer型,由ERMA公司製作)測量接觸角 ’其結果展示於表1。 . 將有光阻膜形成在其上的晶圓,經由線-及-空間圖樣照 射以ArF激發器步進器[”NSR-Ai*F”,由Nikon製作,NA =0.55 ’ σ = 0.6],逐步變化照光量。將此經照光的晶圓,在一熱 板上以展示於表1中縱列"ΡΕΒ"中溫度作照光後烘烤(ΡΕΒ)60 秒。然後使用2.3 8 %重量比的水溶性四甲基氫氧化銨溶液, 將此晶圓作槳式顯影60秒。經由掃描式電子顯微鏡觀察到 顯影的明亮區域圖樣,且經由以下方法評估有效的敏感性 及解析度: 有效的敏感性:此係表現以其可給予0.1 8 # m的1 : 1 線-及-空間圖樣的最小照光量。 解析度:此係表現以在有效的敏感性的照光量下,其 可給予線-及-空間圖樣分割的最小尺寸。 得自照光及顯影的明亮區域圖樣,此係經由一標線而 其中包含由鉻層形成的外框架(抗光層)及形成在玻璃基材上 表面(光透射部分)的線性的鉻層(抗光層)。據此,於照光及 顯影之後,在線及空間圖樣周圍的部分的光阻層係被移除 ’而對應於外框架的部分的光阻層留在線及空間圖樣的外 面。 -2u - <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----;--訂--- 1236578 A7 B7 五、發明說明(18 表1 樹脂 酸產生 劑(份) PB (°C ) PEB (°C ) 接觸角 有效的敏感 性(m J / c m2) 解析度 (β m) 實施例1 A1 Bl(O.l) 150 130 61° 40 0.16 實施例2 A2 B2(0.2) 130 130 61° 36 • 0.16 比較例 AX Bl(O.l) 120 120 68' 56 0.17 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如見於表1,當將其中內含經由本發明指定的樹脂的光 阻使用在ArF激發器雷射照光之中,介於光阻塗層與水的之 間接觸角將減低,相較於比較例。此意指此光阻具有改進 的與顯影劑之親和性,且因此可有效的改進線寬均勻性且 降低有缺陷的顯影之可能性。在實施例中,其解析度及敏 感性亦有改進,相較於比較例。 本發明經化學放大之正型光阻組合物,彼可製作光阻 膜而此光阻膜對基材有卓越的黏著及卓越的各種光阻性能 特性如乾燥鈾刻抗性、敏感性及解析度。彼亦能形成光阻 塗層而可展現高親水性且因此降低介於光阻塗層及水之間 的接觸角。由於此高親水性及小接觸角,此光阻組合物展 現良好的顯影性能。據此,光阻組合物適於使用在一利用K rF激發器雷射、ArF激發器雷射或其類似者的照光方法之中 ,且可賦予光阻圖樣以高性能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
1236578 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 第90 1 0 1 978號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國93年10月27日修正 1 · 一種經化學放大之正型光阻組合物,其中包含 一種樹脂(X),其本身, 係在鹼中不溶的或稍微地可溶的但由於酸的作用而變 得可溶於鹼中, 且具有彼係源自(甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛酯的聚合 單位(a)及彼係源自沒-(甲基)丙烯醯基氧基-7 -丁內酯而其 中內酯環可視需要地經取代以烷基的聚合單位(b);及一種 酸產生劑(Y)。 2.如申請專利範圍第1項的經化學放大之正型光阻組 合物’其中樹脂(X)中除了彼係源自(甲基)丙烯酸3_羥基 金剛酯的聚合單位(a)及彼係源自万-(甲基)丙烯醯基氧基·-r ·丁內酯的聚合單位(b)之外,進一步的具有對酸不穩定基 團的聚合單位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第2項的經化學放大之正型光阻組 合物’其中對酸不穩定的基團爲由下式(111)代表的(甲基)丙 烯酸2-烷基-2-金剛酯: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210、/29<7公釐) 1236578 ABCD A、申請專利範圍R6 CH2 一 C1— 1 C=〇〇 (in)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R6代表氫或甲基,且r7代表烷基。 4 .如申請專利範圍第1項的經化學放大之正型光阻組 台物’其中彼係源自(甲基)丙烯酸3 -羥基-金剛酯的聚合 單位(a),對彼係源自万-(甲基)丙烯醯基氧基—r —丁內酯而 其中內酯環可視需要地經取代以烷基的聚合單位(b),兩者 之莫耳比例2 : 8至8 : 2。 5 ·如申請專利範圍第2項的經化學放大之正型光阻組 合物,其製作係由將包含如下列的單體作共聚合:(甲基)丙 烯酸3-羥基-1-金剛酯、/3-(甲基)丙烯醯基氧基丁內酯 及用於衍生彼具有對酸不穩定基團的聚合單位的單體,其 中(甲基)丙烯酸3-羥基-卜金剛酯與/3 -(甲基)丙烯醯基氧基_ 7 · 丁內酯的總量,對用於衍生彼具有對酸不穩定基團的聚 合單位的單體之用量的之莫耳比例在2 : 8至8 : 2。 ——I丨—丨41! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公釐)
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US7488565B2 (en) * | 2003-10-01 | 2009-02-10 | Chevron U.S.A. Inc. | Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives |
JP2005164633A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US7232642B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-06-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemically amplified positive resist composition, a haloester derivative and a process for producing the same |
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US7776510B2 (en) * | 2007-06-13 | 2010-08-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator |
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---|---|---|---|---|
KR100206664B1 (ko) | 1995-06-28 | 1999-07-01 | 세키사와 다다시 | 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 |
JP3297272B2 (ja) | 1995-07-14 | 2002-07-02 | 富士通株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
JP3712218B2 (ja) | 1997-01-24 | 2005-11-02 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ホトレジスト組成物 |
TW482946B (en) * | 1997-01-29 | 2002-04-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive photoresist composition |
JP3819531B2 (ja) | 1997-05-20 | 2006-09-13 | 富士通株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JPH11231541A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Daicel Chem Ind Ltd | 放射線感光材料及びそれを使用したパターン形成方法 |
EP1443363B1 (en) * | 1998-05-25 | 2013-07-10 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Photoresist composition |
KR100382960B1 (ko) * | 1998-07-03 | 2003-05-09 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법 |
KR100574574B1 (ko) * | 1998-08-26 | 2006-04-28 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물 |
TWI263866B (en) * | 1999-01-18 | 2006-10-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition |
JP2000275843A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
SG76651A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-11-21 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist |
US6479211B1 (en) * | 1999-05-26 | 2002-11-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure |
JP3890380B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2007-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3989132B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP4277420B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2009-06-10 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP4433527B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2010-03-17 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩 |
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