TWI234693B - Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus - Google Patents

Description

1234693 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種包含一感測器的總成，用以決定一在 ： u衫投射裝置中基板表面的傾斜及高度之至少一者；該基 · 板係可相對該感測器沿至少一實質平行於該基板表面的途 僅移動；該微影投射裝置具有一曝光掃描方向；該總成係 經安排可沿該至少一途徑相對該感測器連續推動該基板， 並可沿該至少一途徑提供關於該傾斜及高度之至少一者的 貧訊；該總成包括一記憶體，用以儲存該量測數據，供該 微影投射裝置在後來對該基板曝光過程中使用。本發明還 有關於種微影投射裝置和一種製造一整合結構的方法。 【先前技術】 基板的邊緣輪廓，形成介於基板上可執行高度及傾斜量 測的區面、和不能執行此項量測的區面之間的邊界，尤其 在基板的外側邊界的附近。在一微影投射裝置中，是使用 圓盤形目的物（基板）來在它的上面投射微影圖案。為要避免 _ 像差，必須在基板的法線和投影光束方向毫無交角（無傾斜） 的情況下，把圖案投射到基板上。為要獲得關於該基板傾 斜的資訊，使用一感測器來執行量測掃描，將基板的傾斜 量測製成位置函數的圖像（map)。然而，在一微影投射裝置 · 中基板的邊緣附近，該具有定限的感測區面（此後稱作光點 (spot))的感測器，不能正確地用來量測一靶標部分的傾 斜，因為該感測器有一些量測光點延伸進入該邊緣排除區 (亦私焦點邊緣餘隙（FEC)，也就是在邊緣輪廓外側的區域） 91810-940303.doc 1234693 中在足樣的情形下，會使用到基板的一鄰接的、先前量 /則區面的傾斜。基板的這種先前量測的鄰接區面，可以是 /郴接的把;^部分，但也可以是在同一乾標部分内仍可獲 2靠傾斜量測的一鄰接區面。可是，這樣會導致產生相 當多的準備曝光㈣標部分、或部份㈣標部分的傾斜誤 差，因為介於該傾斜量測區面和應用該傾斜的區面之間有 相對大的距離，尤其是靠近邊緣成上下坡度（邊緣下降（edge roll-off))的基板。在這個時刻，該基板和其支持結構的位 置，可遷移到一感測器量測光點不復在於該FEc内的位 置。這就是說，該感測器的感測區面，不再對正準備曝光 的貫際乾標部分。這樣的把量測傾斜應用到非遷移乾標部 刀的遷移刼作，記述在關於一微影步進機的美國專利第 5,412,214號中。根據該一文件，如果水平感測器具有其部 分感測光點在FEC内，而該傾斜因此不再能予決定、或不 再能予精確決定時，該基板和感測器，彼此相對遷動。如 此操作的結果是，有更多的感測器的感測光點，投射在該 基板可獲得（可靠）量測的區面上。由於在該文件中的傾斜量 測掃描的量測執跡有定限的面積，該量測掃描的起點（或終 點），雖是最初（或最後）接觸到FEC，可能在最後（或在最初） 是距離該FEC好幾個毫米處。這樣並不會產生所需的關於 該基板邊緣附近傾斜的精確資訊，並由實際經驗顯示，可 能會有相當大的扭曲。 在本申請人名下的歐洲專利申請案第Ep丨〇37 117 A2號 中，記述一種預先篁測掃描的傾斜決定。該文記述一種用 91810-940303.doc 1234693 以量測廣域水平傾斜（global level tilt)。該廣域傾斜並不直 接使用在曝光過程中，而只作為一調平動作的「開始點」 使用。為要獲得該廣域水平傾斜，首先在垂直方向上移動 基板，俾將該基板引到該水平感測器量測光點的線性或線 性化的範圍之内。然後移動基板以使該中心量測光點，越 過 J衣繞5亥總曝光區面周邊内側的途徑。只對來自該單一 光點的貧訊加以攫取。這個廣域輪廓途徑，是一充分緊密 依循該曝光區面邊緣的迂迴途徑，但也可以是一依循邊緣 輪廓内側的圓形途徑。該感測器只在該廣域水平輪廓途徑 的某些點上，得到高度量測，結果產生一所謂的廣域水^ 輪廓。 在這些特定點上所獲得的廣域水平輪廓，是用來對整個 基板的高度及傾斜獲致-粗略印象。在後來的傾斜量測掃 抦中，此項資訊是用來把在一基板台上的基板表面，全面 π進範圍，其中的感測器具有一線性（化）的操作模式。然 而此項程序只提供關於基板的廣域資訊，而此—資訊的精 確度是不足於使用到曝光過程中。為要精確曝光，精準的 高度及傾斜的局部資訊，勢所必需。 【發明内容】 本發明之一目的，是要提供一種裝置和一種方法，其能 更接近一基板的邊緣量測一基板的傾斜，以便減少需要使 用該容易發生誤差的外插法。 為要達到此-㈣’本發明提供一種如在本文開頭所定 義的〜成’具有特徵為該基板的至少一途徑，i少部分和 91810-940303.doc 1234693 曝光掃描方向有一交角。 更精確的基板南度及/或傾斜之決定，變成可 此。。本發明容許一量測掃描沿一曝光方向成-（不是〇。或 ⑽）过夾角的途徑，測纷基板的高度及傾斜的圖像。 …σ曰此藝者可以瞭解，該項量測數據，或是感測器讀數、 或是該基板支持結構的位置資訊，或是兩者的組合。 在另一具體實施例φ , 4c a 士 甲基板具有一邊緣輪廓，本發明具 有特徵為··該咸泪，丨哭 ^ 〇 ^ "、态，貫貝上疋沿至少部分該基板的邊緣 輪廓作里W &處特別是，該基板能是相當程度的彎曲， 這表示關於曲率的充分評估，此處是很重要的。 在另一具體實施例中，女i 曰+ 、、 T 本^明具有特徵為：該感測器在 ^人中〜該基板的邊緣輪廓量測。這樣可導致在一基板 各邊緣附近有較快速的傾斜和/或高度的決定。 在另一具體實施例中，女恭ns曰+ 、 T本發明具有特徵為：該感測器係 配置成在量測時，葬以Τ 4 精以下方式之至少一者量測，可接近該 邊緣輪廓的幾何形狀： -沿多根-齊依循該邊緣輪廊的直線，及 -沿一循該邊緣輪廓的逐步途徑，及 _沿3一形狀大致等於該邊緣輪廓的輪廓。 ;疋可以獲彳纟％^接近於基板邊緣輪廓的傾斜及/或 高度的良好近似、和快速量測之間的最佳情況。 在另-具體實施例中，本發明具有特徵為：該總成經安 排可使用該❹ΠΙ沿多根後續途徑量測，而在後續途程之 間有間隙存在’其中益須勃并旦 …貝執仃里測。改變基板台的運動方 91810-940303.doc 1234693 向叾引起非所需的震動，擾IL精確量測。為要避免此項 影響，量料在完成一賴時暫時停頓，並調整基板台的 運動方向。惟有在—合理的穩定運動設定之後，才能繼續 1測。這是會導致相鄰兩途徑之間有間隙存在。 在另一具體實施例中，本發明具有特徵為··該感測器包 括一具有至少一感測光點的感測器，能夠量測高度和可在 啟用和停用兩狀態間變換’該變換是作為該感測器的位置

函數來實施。視該感㈣器的光點在該基板區面上的位置而 疋該感測器可遥擇要用的光點，用來從一受測的靶標區 域推導出一傾斜。

在另-具體實施例中，本發明具有特徵為：該感測器多 有多個感測光點，而總成係設置成只使用一子集的感須" 點、沿至少部分的該至少一途徑來量測。舉例來說，在e 知某一子集光點可提供更準確的量料，可使用該特定3 集’俾以獲得更加精確的數據，料有更精準的傾斜決定 在另一具體實施例中，本發明具有特徵為：基板包括一 乾標部分在邊緣輪廓附近，而在該_部分的後來曝光这 程中：？使用該所儲存來自多個途徑的量測數據。這樣纪 地是掃彳田長度可隨意加以調整，並可作最佳選擇，俾僅 在儘可能低的掃描次數（即最小程度的時間消耗）和儘可献 接近基板邊緣的掃描之間，有—平衡點，這對於要在這崔 曝光位置上作傾斜的準確量測來說’是必要的。這就是說 要獲得每一選定曝光位置的傾斜資訊，並不一定需要一布 別的、分開的掃描(一對一關係)。舉例來說，如果各曝光竭 91810-940303.doc -10- 1234693 定位置延伸超過一相對有限的區面時“ 一個掃描數據，使用在3個曝光 W很有可能要以 光選定位置是相對大的話，在―:另―方面’如果曝 訊，可用以決定-特定曝光場所的傾斜上掃描所獲得的資 本务明尚有關於一種微影投射裝置，包括· _ 一輻射系統，用由一輻射源所放射 投影光束； 的軺射，形成一輻射 -一支持結構，建以支持圖 照射，使該投影光束具有圖形，·置’党該投影光束的 -一基板台，建以支持一基板；及 二射系統’經建造並安排用以使圖形形成裝置之一受 a射邛力，成像到一靶標部分上； 成具有特徵為：該微影投射裝置包括一個如以上所述之總 =^體實_中’本發明具有特徵為該微影投射裝 置經女排成··可將該輻射光束投射到一焦點面上，可自該 記憶體讀取量測數據，及可使用量測數據以調整該基板的 ^置M j吏私部分’在由該輕射光束作最佳的照射到 韓射光束的焦點面上的時候，在基板上找定位置。 因為在於基板傾斜和/或高度和一在該基板上的小晶片 之間的位置關係，是儲存在—微影投射裝置的記憶體中， 其可以在該小晶片的掃描和投影過程中加以擷取。這是 說：在掃描器曝光作業中，無須藉助，舉例來說，額外的 量測掃描來收集額外的傾斜和/或高度的資訊，這樣可以加 91810-940303.doc 1234693 速微影處理過程。 在另一具體實施例中，根據前面的微影投射裝置，具有 特徵為·该感測器’在量測的時候，卩至少一光點照射該 基板，在於該至少一光點和該邊緣輪廓之間的最大距離，是 在⑸㈤瓜⑨米糾贿的範圍内’最妤是在“匪到^咖 的範圍内。 根據另一方面，本發明有關於一種用以決定在一微影投 射裝置中-基板表面的傾斜和高度中之至少一者的方法， 包括： -備置一基板台，建成用以支持一基板； -備置一感測器； -備置一記憶體； 该基板台及感測器，係可沿至少_大致平行該基板表面 的途徑彼此相對移動；該微影投射裝置具有一曝光掃描方 向；該方法尚包括： -沿該至少-途徑’相對該感測器連續移動該基板，同時 沿該至少一途徑，提供關於該傾斜和高度之至少一者的量 測數據； -將該量測數據儲存到該記憶體中，供該基板由微影投射 裝置所作的一後來曝光過程中使用，具有特徵為：基板的 該至少一途徑，是至少部分與該曝光掃描方向成一夾角。 根據一具體實施例，該方法尚包括： -備置一輻射系統，用由一輻射源所放射的輻射，形成一 輻射投影光束； 91810-940303.doc -12- 1234693 -備置一支持結構，建以固持圖形形成裝置，受該投影光 束的照射，使該投影光束具有圖形； -在一曝光掃描方向上掃描該基板； -在該基板曝光過程中使用該量測數據。 根據一具體實施例，該方法具有特徵為·· -由該輻射源產生該輻射光束，並投射該輻射光束到該基 板上的一焦點面上； -從記憶體讀取該傾斜和高度之至少一者之數據；及 -使用該傾斜和高度之至少一者的數據以調整該基板的 位置，以使一靶標部分在由該輻射光束作最佳的照射到該 輕射光束的焦點面中的時候，定位於該基板上。 根據一具體實施例，該方法具有特徵為： 在一批次基板之至少一基板上，決定該傾斜和高度之至 少一者，並就該批次所有基板，使用該至少一基板的傾斜 和同度之至少一者。從單一批次來的基板，通常具有相似 的形狀接近邊緣。在一單一基板上所決定的傾斜和高度， 因此可以使用到其它的基板。這樣的一種方法，時間的消 耗上可大為減少。 根據另一方面，本發明有關於一種總成，包含一感測器 用以决疋在一彳政影投射裝置中一基板表面的傾斜和高度之 至少一者；該基板可沿大致平行於該基板表面的一途徑， 相對該感’則器移冑；該感測器具有多個感測光·點；該微影 投射裝置具有一曝光掃描方向；該總成係經安排可使用該 感測器沿該至少一途徑作量測，並可提供關於沿該至少一 9l8l0-940303.doc -13 - 1234693 途徑的傾斜和高度之至少一者的量測數據；該總成包含一 記憶體’用以儲存該量測數據，供該微影投射裝置用於對 該基板的後來曝光過程中；該基板具有一邊緣輪廓，具有 ： 特徵為該總成係經安排可用一感測光點的預定子集、大致 ； 沿該基板的邊緣輪廓的至少部分的内側作量測。 該感測光點的預定子集，可以是已知的可提供最精確量 測值的一撮感測光點。當使用到有八個感測光點（每排含四 個感測光點的兩排）的水平感測器時，該内側的四個（每排靠 · 内側的兩個）可以是該感測光點的預定子集。藉使用該四個 感測光點接近該邊緣輪廓量測，而因此有兩個感測光點投 射在該邊緣輪廓的外側，該最精確量測數據是在接近該邊 緣輪廓時獲得。這使得在接近邊緣輪廓的區面中能進行精 確的傾斜測定。 如m所用「圖形形成裝置（paUerning means)」一詞，應 作廣義解釋為用來指稱一種裝置，其能賦與入射的輻射光 束成一具有圖形的橫截面，對應於準備產生在一靶標部分 · 上的圖形；就此而言，也可使用「光閥（light 」一詞。 一般來講，該圖形將相當於產生在靶標部分上的元件之一 特疋功犯層，諸如積體電路或其它元件（見下文）。此種圖形 形成袈置之實例包括： -光罩。在微影術中光罩的概念是眾所周知的，而其包 括諸如二元式、交替相移式、及衰減相移式，並包括各4 - 各樣的混合型式。此類光罩在輻射光束中的擺放位置，會 引起輕射根據光罩上的圖形，作選擇性的透射（如果是透射 91810-940303 .doc -14- 1234693 光罩)或反射(如果是反射性光罩)衝擊在該光罩上。就光 而論’支持結構通常為一光罩台，其可確使該光罩能固 、在入射的輪射光束中-所需的位置，並確保在需要時可 相對該輻射光束移動； -可程式像鏡陣列。此類元件之_實例，為―矩陣可定 址的表面，具有-黏彈性控制層及一反射性表面。此類裝 置所根據的基本原理，舉例來說，為該反射性表面的定址 :或將入射光反射成一繞射光’而非定址區域，將入射 =射成非凡射光。使用一特定的遽波器，可將該非繞射 光過渡出該反射射光束外，只遺留下繞射光；以此方式， 該射光束變成具有根據該矩陣可定址表面的定址圖形之圖 形。另一可程式像鏡陣列之具體實施例，係採用眾多細小 像鏡的矩陣排列，每-小像鏡，藉施加-適當的局部電場 或糟用壓電式致動裝置’可各自繞一軸線偏斜。再申明一 次，該等像鏡係矩陣可定址者，以致各定址像鏡會將一入 射的輻射光線’反射在一不同於非定址像鏡的方向上；以 此種方式，該受反射的輕射光束具有根據該矩陣可定址像 鏡的定址圖幵》。所需的㈣定址，可使用適當的電子裝置 來執行。在以上所述的兩種情況中，該圖形形成裝置可包 括-或多個可程式像鏡陣列。關於本文所論述像鏡陣列Z 外之更多資訊’可菜集自’例如’美國專利第us 5,296，州 及US 5,523，193號，以及PCT(專利合作條約）申請案第 WO 98/38597及W0 98/33096號；以上各專利因引用列入 本案中。就一可程式像鏡陣列而言，該支持結構可具體化 91810-940303.doc -15- 工234693 為一可按需要固定或移動的框架或平台，作為舉例來說；及 可程式液晶顯示（LCD)陣列。此類構造之實例，由美國 專利第US 5,229,872號所提供，其因引用列入本案。如前 : 述，該支持結構，在此案例中，可具體化為一可按需要固 ； 定或移動的框架或平台，舉例來說。 為簡單起見，本說明書本文之其餘部分，在某些場所， 特別針對包含光罩及光罩台之實例而論；然而，在該等實 例中所討論之一般原理，應按照前面所宣告的圖形形成裝 _ 置之較廣義的方面來詮釋。 在微影投射裝置可用在積體電路（IC)的製造。如果是如 此的話，該圖形形成裝置可產生一相當於該1〇的一個別層 次的電路圖形，而這個圖形可映射到基板（矽晶圓）上的一 靶標部分（包括一個或多個小晶片）成像，該基板事先已塗 敷有一層輻射敏感材料（抗蝕劑）。一般來說，一單獨的基 板將包含幾個相鄰靶標部分的一完整網路，而諸靶標部分 是透過該投影系統一次一個依序照射而成。就現行的裝i · 而a，其使用光罩台上的光罩來產生圖形者，有兩種不同 型式的機器’各有不同的做法。在一型式的微影投射装置 中，各乾標部分是藉將整個《罩圖％，以在一道次的操作 中曝光到各革巴標部分上的方式，接受輻射照射；這種裝置 曰通稱之為基板步進機（wafer stepper)或步進重覆 (step and-repeat)l置。在另一装置中一普通稱之為步進掃 描（Step-and-Sean)裳置-各乾標部分是藉在投影光束下- 91810-940303.doc -16- 1234693 定多考方向（掃描」方向）上，逐步掃描該光罩圖形而接 受輻射照射’同時在平行或反平行於該一方向上，同步掃 描°亥基板台’因為’-般來講’該投射系統將有一放大因 數通㊉疋該基板台接受掃描的速度V，將會是該光 罩台接受掃描時的速度的Μ倍隨。有關於此處所敘述的 ^元件的更多資訊’可在美國專利us Μ46,792號中獲 得’其因引用列入本文中。 在“使用彳政衫投射裝置的製造過程中，將一圖形（例如， 在一光罩上的）映射到一至少部分有覆蓋輻射敏感材料（抗 颠d)的基板上成像。在這映像步驟之前，該基板可進行各 種的私序’像疋塗底漆、抗餘劑塗敷、及軟培。在曝光之 後，該基板可接受其它的程序，像是曝光後烤培（ρ剛、顯 像、硬培、以及量測/檢驗該已具有影像的容貌。此一系列 的程序’是作為使一元件，如IC，具有個別層次圖形的基 礎。该已具圖形的層次，於是，可進行各種的處理，像是 姓刻、離子植入（摻雜覆金屬、氧化、化學_機械研磨 等等，一切全為完成此一個別層次為目的而進行。如果有 好幾個層次時，則整個程序，或其變式，將必須就每一新 層次重覆-遍。最後，一陣列的元件將會呈現在該基板(晶 圓）上。然i，使用切片或鑛割技術該等元件彼此分割開， 其後，各個別it件即可|設在—載體、$接龍腳等等。 關於這種程序進-步的資訊’例如’可自彼特范占特心加 van Zant)^ "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semi_ductor Pr〇cessing，，第三版，⑴出版公司 91810-940303.doc -17- 1234693 1997年出版，iSBN 0_07_〇6725〇·4，一書中獲得，其因引用 列入本文中。 為簡便計，該投射系統在此後可稱之為「透鏡（lens)」； 可是，這一用詞應予廣義解釋為··涵蓋各種型式的投射系 統，包括折射性光學透鏡、反射性光學透鏡、和反射折射 (catadioptric)系統，作為舉例。該輻射系統也可包括根據任 一设計型式操作的組件，用於照射、成形、或控制該投射 輻射光束，而這種組件在此後也可，集體地或個別地，稱 之為「透鏡」。另外，該微影裝置可以是一種具有兩個以 上的基板台（和/或兩個以上光罩台）的型式。在這種「多台 式」的I置中，該額外的平台可以並行使用；或趁一個或 多個台已用在曝光時，其餘的一個或多個平台可進行預備 步驟。二台式的微影裝置，例如，在美國專利us 5,969, 441 號和國際專利W0 98/40791號中有所記述。兩專利因引述列 入本文。 雖然在本文中關於根據本發明裝置的使用，引述到積體 電路（1C)的製造，其可清楚瞭解的，這一種裝置有許多其它 可能的應用。舉例來說，它可用來製造：整合的光學系統、 磁區記憶體的引導和偵測圖形、液晶顯示嵌板、薄膜磁頭、 等等。熟習此項技藝人士將會認同，在討論到可替代應用 的關聯文字中，任何使用到「光網（reticle)」、「晶圓（waf^)」 或「小晶片（che)」等名詞的場合，可被認為分別由更為通 用的名詞「光罩（mask)」、「基板（substrate)」及「靶標部 分」所取代。晶圓只是基板的一種型式的例子。 91810-940303.doc -18- 1234693 在本文件中，「輻射（radiation)」和「（光）束（beam)」兩 名詞，是用來涵蓋所有的電磁輻射的型式，包括紫外（uv) 輻射（例如有365、248、193、157、或126奈米的波長）及 超紫外輻射（EUV)(例如具有在5-20奈米範圍内的波長），以 及粒子束（例如離子束及電子束）。 【實施方式】 圖1簡要表示一根據本發明一特定具體實施例之微影投 射裝置1。 該装置包括： •一輻射系統Ex、IL，用於供應一輻射（例如，有u_14 波長的EUV輻射）的投影光束PB。在此特定的實施例中，該 幸昌射系統尚包括一輻射源頭LA ; -一第一載物平台（光罩台）MT，設有一光罩固定器，用以 固疋一光罩MA(如一標線片），並連接到第一定位裝置， 用以相對物件PL將該光罩精確定位； -一第二載物平台（基板台）WT，設有一基板固定器，用以 口疋基板W(例如，一塗佈抗蝕劑的矽晶圓），並連接到第 二定位裝置PW’用以相對物件PL將該基板精確定位·，及 -一投射系統（「透鏡」）PL，用於將該光罩Ma的一受照 射部分映像到該基板W之一靶標部分c(例如，包括一個或 多個小晶片）上。 ^ 如在本文所述，該裝置是一透射型（即使用一透射性光 罩）。可是，-般來說，它也可以是一反射型，作為舉例（使 用-反射性光罩)。替代的作法，該裝置可以採用另外一類 91810-940303.doc -19- 1234693 的圖形形成裝置，諸如在以上所提到的可程式鏡面陣列型 該源頭LA(例如，一雷射產生電漿源或一放電電漿源）產 生一輻射光束。將該輻射光束，或直接或在通過一調節裝 置（像是一射光束擴張器Ex)之後，饋入一照明系統（照明 器）化，舉例來說。該照明器IL可包括調整裝置AM ,用於 设疋在该輻射光束内強度分佈的外側及（或）内側輻射範圍 (一般分別稱作σ -外側及〇·_内側）。此外，該照明器通常包 括各種其它的組件，像是一積分器以和一電容器C〇。以此 方式，該投影光束ΡΒ撞擊到該光罩ΜΑ上時，有一所需的均 勻性和強度，分佈在其橫截面中。 關於圖1須加強調的一點是，該源頭[八可在該微影投射 裝置的殼體之内中（例如，當源頭是汞燈時常是如此），它也 可遠離該微影投射裝置，它所產生的輻射光束，受引導進 入該裝置中（例如，藉助適當的指向反射器）；後一情況，當 源頭LA是一準分子雷射時，常是如此。本發明和申請專利 範圍將該兩種情況，都包含在内。 投影光束ΡΒ隨後與夾持在光罩台ΜΤ上光罩ΜΑ相交。通 過光罩ΜΑ之後，該投影光束ΡΒ經由透鏡孔通過，透鏡pL 將該投影光束ΡΒ聚焦到晶圓w的一靶標部分c上。藉第二定 位裝置pw(及干涉儀測量裝置IF)之助，該基板台可精確地 移動，舉例來就，以致將不同的靶標部分c定位在投影光束 PB的途徑中。同樣地，該第一定位裝置卩…可用來，舉例來 說，以機械方式將該光罩MA從一光罩資料庫擷取出來之 91810-940303.doc -20- 1234693 後一或在掃杬過耘中，相對該投影光束的途徑，精確將 口亥光罩MA定位。一般來說，載物平台町、资的移動，可 藉助長動耘杈組（粗定位）和短動程模組（細定位）來實 現，廷在圖1中未作明顯的表示。然而，就一晶圓步進機(其 相反於步進/掃描裝置）來說，該光罩台MT可只連接到一短 動程致動器’或者，可以是固定的。光罩MA和基板W，可 使用光罩；k準;^ 4 Ml、M2和基板校準標誌、p工、p2來對準。 所陳述的裝置，可使用在兩種不同模式中： 1.在步進模式中，該光罩台Μτ，基本上，是保持靜止不動， 而整個光罩影像，是在—道次操作（即單―次的「閃光

(flash)」）中’投射到—乾標部分c上。該基板台wT於是在X 及（或）y方向上轉移，以使一不同的靶標部分c可為該投影 光束PB照射到；及 2·在掃描模式巾，基本上可適用上述相同的情節，例外的 ，-設定的靶標部分C不是在單一次的「閃光」中曝光。而 是，該光罩台MT是可在一給定的方向（所謂的「掃描方 向」，譬如說，y方向）上，以一速度v移動，因而使該投影 光束PB在一光罩影像上掃描；該基板台冒丁則同地同時，以 一速度V==Mv(式中的Μ為該透鏡1^的放大率，就典型的來 說，]^=1/4或1/5)在相同或相反的方向上移動。就這樣，可 對一比較大的靶標部分C曝光，而不必損傷到解析度。 在圖2中，顯示一在微影投射裝置中的光罩“八和基板台 WT之間的區段14。在該區段14中，有圖1中所謂的投射系 統PL存在。該投射系統pL包含數個用以”導及調節輻射投 91810-940303.doc -21 - 1234693 影光束PB的兀件，這是熟諳此藝者所周知的。在通過該投 射系統之後，輻射投影光束PB撞擊到在基板台1丁上的基板 w的表面。5亥基板台是連接到兩致動器丨2。兩致動器12是 ： 連接到一控制裝置6，後者内含一中央處理單元（cpu)8及一： 記憶體1G。該中央處理單元8還接收來自感測器25的資訊； 該感測器25是藉電性的（電容性、電感性）或光學的（例如干 擾計（如圖1中所示））裝置、量測該基板台WT或基板台固定 座的實際位置。該CPU 8還接收來自一感測器15的輸入；感籲 測器15是從該基板上投影光束叩所撞擊的㈣區域，量測 到高度和/或傾斜的資訊。該感測器15是一水平感測器的部 分，後者包括一感測器15和一光源2，將在以下加以解釋。 這個組合此後要稱為水平感測器2、1 5。 該水平感測器，舉例來說，可包括一光學感測器；替代 的作法 氣壓或電谷感測器（作為舉例）是可想到的。一目 月ij車又仏形式的感測器，是一利用莫阿網紋圖形的光 學感測器，該莫阿網紋（M〇ir0)圖形是形成在一由基板表面鲁 所反射的投影柵格的影像，和一固定的偵測栅格之間，如 在美國專利第5，191，號中所記載。該水平感測器2、15， 最好須^日夺量測多個位置的冑度，並可量測各位置一小 區面的平均高度，以便平均化高空間頻率的不平坦度。這 _ 樣的安排’包括一光源2、投影光儀（未圖示）及债測光儀（未 」 圖示）及债測感測器’此處稱之為感測器15。該感測器15產 生一高度有關的信號，饋給到CPU 8。 該水平感測方法，使用至少一個感測區面，並量測一個 91810-940303.doc -22- 1234693 稱作光：的小區面的平均高度。視該光點在基板區面上的 =置而疋，—選擇機構可選擇一個或一組光點，可應用於 攸已測里的靶標區域，推導出高度及/或傾斜資訊。 在圖3中’ 5亥乾標區域是用參考數碼⑶票*。在這個特定 、/中該水平感測器2、1 5具有8個光點必須在基板11上 加以里測’俾能決定該靶標區域13受照明部分的局部性高 度及T斜’及遍及該無標區域13受照明部分完成充分平 均。當然’水平感測器連同其它多數的光點，可加以應用 圖3中尚顯不一狹縫狀區面，簡稱為細條外。細條外是在 連續㈣標區域13内成像掃描過程中-被照明區面。在掃 描的過程中，該細條39心方向上，一次緊接一次，成連續 ^在該基板表面上移動好幾次，直到整個基板表面都被涵 盍為止’這是熟諳此藝者所周知的。該細條39係製作呈矩 =狀。、根據圖3 ’該細條39在χ方向上的大小，是等於一乾 私區域13在X方向上的長度。然而可為此項技藝嫻熟人士所 暸解的，該細條在χ方向上的長度尺寸，等於一乾標區域Η 向上的長度，但也可為較小或較大。該細條39的寬度 (沿y方向的）是甚小於其長度。 該水平感測器2、1 5所使用 圖3中還顯示諸多的水平掃描區面21，在早先技藝中是由 俾以推導出在基板11邊緣處的 高度和傾斜數據。 考數碼27標示出。 光方向y(如箭頭所 水平感測器光點區面，以簡要圖用參 該水平感測器光點區面27，是沿一在曝 示）上的預定途徑’掃描越過該基板表面。 91810-940303.doc -23 - 1234693 在掃描運動同時又曝光的過程中，相對該焦點面推動基 板11，該基板台WT是由CPU 8所驅使的致動器12來控制。 由控制裝置6所控制的致動器12，是用來調整該基板台 WT(並因此該基板丨丨在高度和傾斜方面的位置，以確使該 基板是在焦點面上，以避免散焦（def〇cus)的發生。一種用 以決定所需位置調整量的方法，記載在美國專利第 5，191，200號中。 以散焦」-詞來表示該基板u是以何種方式偏離輕射 ,影光束PB的焦點面。在正常操作下’該水平感測器2、15 是在眾多點上’藉助多數的感測區面(光點)，來量測基板表 面的垂直位置-高度。各光點的讀數是饋給到cpu 8，⑽8 使用攻些南度值，來推導出該等待定位的被照明無標區域 的平均高度。如果可行的話’舉例來說，一須加定位的基

板11所需高度和傾斜，從在該被照明㈣區域多數不同的X 及y位置的高度讀數’就可以推導㈣。於是，該基仙 的所需高度和傾斜，藉啟動致動器12及控制該基板台资的 和：斜’由CPU8來提供。就這樣，-用以使編域 只際知明部分，定位在該焦點面上的閉路控制機制，於 曝光過程中’妹標區域的照明部分，藉助由 :，連：Λ區面的水平感測器光點所供應的高度讀 致連績地疋位在該焦點面上。 關於局部性的偏離該焦點面的量測數 器叫量測的水平感測器讀數，及/或載物平 XI、及ζ上’以及繞^軸的傾斜），是在曝光或量測乾 9l8l0-940303.doc -24- !234693 標區域的過程中，儲存在記憶體1〇内，供作可能的對另一 乾標區域曝光或量測過程中的安排以後使用。位置接近基 板邊緣輪廓的靶標區域，倘使在水平感測器2、丨5的光點（感 測區面）是在邊緣輪廓的外側，亦即，是在該基板不可能實 施水平感測器量測的區面中時，是不再可能精確量測。這 些光點可能落在FEC的範圍内，或也可能完全落在基板表 面的外邊。如是那樣的話，該水平感測器2、15不再能夠提 供可容許精確蚊高度和/或傾斜的量測輯，而且，對於 由該水平感測器2、15所量測的數據，其供用於光網映像到 基板11上的過程中將該基板n定位在高度及/或傾斜上 者，會變成不可能保持閉路式的控制。將該基板u定位在 焦：面上以儘量減小散焦m要在基板"上其它處所 的量測數據。因此。在記憶體1G中所儲存的數據，是在該 基板區面上先前量測期間儲存的，可予以操取並用於，例 如，藉外插法計算高度及傾斜值，用以控制該基板高度。 由於該細條39的幾何形狀，基板u在乾標區域13心方向 的局部性傾斜（即一圍繞χ軸的局部旋轉）是比一在乾標區域 13的：方向的局部傾斜(即一圍繞y軸的局部旋轉)較不重 要。就该後-情況來說’一傾斜的調整必須儘可能精確地 予乂達成所以，在x方向的傾斜，必須是已知的。 為要決定—可靠的傾斜，對於有效光點的組合，是有其 最低程度的要求條件。如果這些最低程度的要求條件在某 -定位置上不能滿足的話’就不可能在該位置上量測傾 斜。若是這樣的話’就要使用附近參考區面上所測得的傾 91810-940303.doc -25- 1234693 斜。遠參考區面可以是相同的曝光場地的一部分，要不就 是一次不同的曝光。 現參照圖3a來解說使用參考場地。在圖3a中，較詳細顯 示該邊緣輪廓17。圖3a中顯示一多個邊緣場地41，位於基 板11的邊緣處。而參考場地42的位置則緊鄰邊緣場地4工。 基板可能朝邊緣17有一下降傾向（roU-off)。因為這種基板 的彎曲，在一邊緣場地41上的傾斜，可以非常不同於參考 場地42的傾斜。在早先技藝中，為參考場地42所量測的傾 斜，可能也用作邊緣場地41的傾斜。可是，由於實際傾斜 上的此種潛在差異，這樣的作法，會導致邊緣場地41上的 散焦。 現參照圖3b來解說使用一在相同曝光場地上的參考區 面。圖3b顯示一鄰接該邊緣輪廓17的邊緣場地〇。該場地 以斜線陰影顯示的下部分，用43a標示，可用水平感測器2、 15成功而完整地量測。對於該下部分43a，所有的水平感測 器2 1 5的感測光點都投射在該邊緣輪廓17的範圍内。可

是，該場地的上部分，用43b標示的，水平感測器2、Μ 感測光點，將不會是全在該邊緣輪廓之内。在這種情況下 是使用來自下部分43a的傾斜資訊，來求取在於上部分* 傾斜的估算值，而不是使用來自—鄰接的參考場地_ 斜資訊。 如果基板是彎曲的，該上部分43b的傾斜，可能报不同於 下部分4 3 a。 兩種作法可扼要地說明如下：對於傾斜不能充分精確決 91810-940303.doc • 26 - 1234693 疋的區面’可使用來自一鄰近的參考區面的傾斜資訊；兮 ^考區面是由該基板上同_的和/或其它的場地之至少: =構成。兩作法所具有問題是··在參考區面上的傾斜， 可旎非常不同於不能量測傾斜的區面的傾斜，而導致散焦。 這個問題主要出現在該基板的左右兩側位 可叫做基板u的「三點鐘」和「九點鐘」位置)，(以= 解說。如在以前提過，該所應用的傾斜，在X方向要和局部 基板傾斜精確相配，是最為重要。因為基板的下降傾向， 就大多數的來說，是成旋轉對稱的，在基板丨丨的上和下區 面(也叫做「6點鐘」和「12點鐘」）中，主要會是在y方向的 (環繞X軸）傾斜偏倚。另外，因為掃描是在乂方向上執行，而 该水平感測器（LS)光點在y方向上的尺寸是比較小的，到一 傾斜仍能量測的參考區面的距離，此時，也是比較小的。 所以，因為外插法距離和（就大多數來說）傾斜在义方向上的 變動率，兩者都是微小的，該外插法是相對精確的。然而 在基板的左右兩邊，在χ方向的傾斜顯示有較大的偏倚朝向 邊緣，而對於一特定的邊緣場地來說，該傾斜仍可量測的 最接近區面，可能是鄰接的場地。所以，因為基板彎曲所 導致的散焦，在基板左右兩邊的邊緣場地較為盛行。 現在回到圖3a來說，要降低傾斜誤差，該外插法距離（在 邊緣場地41和傾斜量測區面之間的距離）須予減小。目前， 如在圖3所示，這可以藉執行一可以作為參考區面使用的額 外掃描21(t)來達成，如在圖3所示。因為在這樣的量測描過 程中，不必執行曝光，這個掃描可相對原來的參考場地42 91810-940303.doc -27- 1234693 遷移。要減小外插法距離，這個掃描是遷移到 近該邊輪廓的選定位置上，同時確保所 地可此接 光點是正確有效的，以使其仍 $㈣斜的 測傾斜。純行這樣的，㈣线象可予^置 上面所陳述的量測掃描，|尤 * 上。付署垃疋在一法線掃描方向（y方向） 位置接近基板中_㈣）的量轉描，像是 的水平掃描區面21(+〉，或多或少 ^ 結果，在整個掃描過程中，到…：板邊緣執行。 ^ Τ到該邊緣的距離是十分正當又 ?的。躲該基板中心線以上或以下的水平量測掃描，像 區面21(”和21(”，該水平感測器2、_光點， /、在崎描的一端點，接觸到邊緣排除區19。因為是那樣， 該水平掃描區面21(”和21⑷到基板"的邊緣的距離，在這 些區面掃描開始之時’比起掃描結束之時，是極度不同的。 從圖3中可以明瞭，基板u的陰影部分，在作傾斜決定時是 不予列人考慮的。該平均外插法距離，因此不是最佳的， 而這個區面沒有經過最理想的調平。 現在參照圖4對本發明之一具體實施例加以說明。在基板 η邊緣附近的傾斜，是由一傾斜量測所決定；該傾斜量測 係沿-連貫的、各涵蓋一區面35的直線途徑31的輪廓掃 描4輪廓如在圖4中所示，是由眾多個可與該曝光方向丫 成夾角的連接途徑3 1所形成。然而，事實也可能是：一 第:途徑3丨的結束點並不和一第二途徑的開始點一致；而 在該結束點和其後的開始點之間，有間隙存在。其原因是 改l基板σ的運動方向，引起非所需的振動，干擾精確的 91810-940303.doc -28- 1234693 量測。為要消除此項影響，量測可在第一途徑31完成時暫 時中止，然後調整基板台的運動方向。只能在一合理的穩 定的運動設定之後，才可繼續量測。這樣的做法，導致在 相鄰兩途徑3丨之間有間隙存在。該水平感測器光點區面， 再次用參考數碼27標示。該水平感測器光點區面是沿途徑 31連績接受掃描。圖4中概略顯示出五個這種水平感測器光 點區面。然而，這不是想作為五個不同的量測，而是作為 一水平感測器光點區面在掃描過程中五個在時間上不連續 時刻所作成的圖像。在界線17和區面35之間，可發現到一 陰影區面3 3。 因為直線31的方向是大致平行於邊緣輪廓17的局部切線 方:’而因此可以和該曝光方向y成一夾角，該量測區面％ 更是較為接近該邊緣排除區19。$爽角可沿基板的周邊變 動。在3點鐘和9點鐘的兩位置，此夾角可以是〇。（或18〇。）。 結果，掃描的令心，現在的位置是落在較接近於該邊緣， 而且較接近於要使用傾斜量測的邊緣排除區19。因此，該 外插法距離是較小，而應用在該邊緣場地41的傾斜，是要 比圖3的早先技藝的安排，更為精確（須請注意：圖“中所 示的該邊緣場地41和參考場地42，在圖4中未予重覆，但也 存在）。 倘若使用水平感測器2、1 5，帶有8個感測光點，安排 成3有四個的兩排’已知從其中内側的四個可提供最精確 的里測這也有可能將該水平感測器遷移，使得内侧的四 们感;貝J光點位置儘可能落在接近該邊緣輪廓。只有内側的 91810-940303.doc -29- 1234693 四個光點用於傾斜量測。以這樣的方式，所用於量測傾斜 的光點的平均位置，是選定在較接近於該基板的邊緣及該 傾斜不能決定的場地。這個作法，能在某的環境下，. 導致一更精確的傾斜決定。 . 、這些遷移量測掃描，可就根據圖域儿的（部分的）_部 ^加以使用，但由此種遷移水平感測器光點所量測獲得的 ” 也可用於基板上其傾斜早已藉使用非遷移的水平感 、J器力以决疋的區面。倘若在有許多感測器光點落在該 咖乾圍内的情況中，使用從—遷移量測所獲得的數據， 可以決定更為精確的傾斜，視特定情況而定。這是因為使 用遷移的里測’所用以決定傾斜的光點被遷移到儘可能接 ，該FEC ’然而在非遷移的量測中，該fec和該所能使用的 最外側光點之間，能有一相當大的距離存在。 取好，一途徑3 1終點的位置，是在於後繼途徑起點的附 、成方式谷許该基板台系統「在一道次中」執行兩種 掃榀^而，像在前面已有提及，也可能有間隙存在於兩 修 郇接途拴3 1之間。根據另一具體實施例，該途徑3 1也可部 分相互重疊。 °玄水平里測，可只在一圓形的方向上（例如：在該基板11 上順時針方向或逆時針方向）實施。如果是該種方式，就沒 - '、、停止或反轉該基板台的運動，這樣可導致一較快速 的量測。 π 要谷寺在一不同於預設掃描方向的方向上掃描，基板台 、執行必要的運動。正常的曝光掃描只能在y方向上執 91810-940303.doc -30- 1234693 仃 U為基板台WT的運動，必須 後者只能在y方向上掃描。在水平量;:的=MT的運動， 需要執行，而光罩台不必參鱼 u中’沒有曝光 該掃描方, ” μ 置測掃描。因為如此， 外的掃描：；：必，方向的。而且，要能夠作於y方向以 任意的方向上活動。有"力執—控制的掃描，在 作法，如由圖4中的邊線”所表示的，在一水平量 廊=’沿一跟隨邊緣排除區19的邊緣輪扉17的逐步幹 二Γ緊貼斜厂是可行的。另—替代的作法，是-沿-儘 緊貼跟隨該邊緣輪靡17㈣料㈣的水平量測掃 本說明書以上是針對傾斜的決定，但對於高度的決定， 以上所述的都可以適用。 决又 =:，用流程圖說明自動執行及使用該量測掃 =㈣中’是在衫基板的那—個區面上傾斜不能直 測。廷些區面可以是全部的靶 分的若干部分。這些區面需有一參考區面也 r在基板上可直接獲得傾斜量測的區面；在該處無需遷移 夏測掃描。在步驟102中，根據傾斜不能直接量測的區面的 所在位置，決定必須由遷移水平量測掃描所涵蓋的範圍。 對於在步驟⑼中所選定的各個區面，該所需量測掃描範 圍’及於該區面起點、直到該區面終端的y位置之間。在★亥 基板各邊上的總掃心範圍，是全部的這些所掃描範圍㈣ 集。在步驟103中’是決定該量測掃描必須放置在可以涵蓋 91810-940303.doc 31 1234693 二部所^範圍的地點。為儘量減低生產衝擊，掃描次數 儘量減小，然而各量測掃描的長度，是不容許超過某 :的最大值。這樣做是用來限制介於該水平感測器光點 :量測掃描中途的邊緣排除區之間的距離。該等掃描的起 孝、、、點的y位置，是設置成使其等能配合該總所需範圍的 7和終點。然而’量測掃描的次數，不必等於在步驟ι〇ι j敎場地的數目。作為舉例來說，使用-量測途徑來 γ y寻可用在一個不能直接量測傾斜的區面上的資訊，這是 =丁的。作為舉例純，關於傾斜不能直接決定的區面的 貝矾，可使用（部分的）數個量測途徑，這也是可行的。這全 要硯該感測器和該區面的特定大小而定。 圖中,，、、貝*、（果收集自1測掃描62的數據，使用在數 個：斜不能直接決定的區面61上，是可行的。此類區面61 所需的樣本數據’是在兩個不同的量測掃描62中收集，也 是可行的。當在步驟m中計算量測掃描起點和終點的y位 置時，該X位置也予以*定，如關聯圖5所解釋的。該兩點 位置是經挑選，以使掃描中在該兩點處所需的水平感測 益光點是恰好接觸到該邊緣排除區。在步驟104之後，各量 測掃描的起點和終點的XAy位置是已知的。掃描將在該兩 點之間的-直線上執行。執行掃描的的順序和掃描方向是 在步驟H)5中取決。執行此—步驟時，該基板台系統就各個 可能順序需要在兩掃描之間遊走的時間加以計算。選出所 需時間最少的構形。 於是，一批次基板的製程可以開始。在步驟ι〇6中，將一 91810-940303. doc -32- 1234693 土板破上基板台。然後，在步驟丨07中，量測掃描是按步驟 ^中所決定的順序執行。在這些掃描過程中，該基板=傾 斜疋用一密集採樣袼網（dense sample grid)法量測，並將這 些樣本儲存入記憶體10中。如果全部量測均已執行完畢， 供作需要區面所使用的傾斜值，是在步驟1〇8中決定。對於 各個不能直接量測傾斜的區面，該樣本是從在於該邊緣= 地起點和終點之間的7範圍内的量測掃描選出。 野 ^ ι月&的 貫施中，該等傾斜值於是加以平均。另_可能以對該等 傾斜值執订一直線配合法，然後將該傾斜應用在根據一線 性輪廓的邊緣場地。也可使用另外的輪廓，例如使用曲線 配合法、平均技術、高次多項式配適，過濾所量測的信號（刪 除最高冪次）。也可能按所測得的信號使用，不作任何形式 的處理。在此處所陳述的順序中’該供某一定區面所使用 的樣本範圍’是確實與該場地的y邊界相西己。也有可能，該 樣=範圍只涵蓋一部分的該不能直接決定傾斜的區面，或 涵盍一比該不能直接決定傾斜區面的範圍還要大的範圍。 在步驟109中’該基板接受曝光。對於傾斜不能量測的區 面’使用在步驟1G8中所決定的輪廓。如果該基板不是該批 :的取後-個的話，該流程將在步驟⑽中以下—個基板繼 績進行。 中所記述的順序中，所有量測掃描是在第-次曝光 〕執行而且’其它的順序是可能的，只要該需要 :個或更多遷移量測掃描的傾斜資訊的區面，是在收集傾 斜數據用以推導出該區面的傾斜輪廓的量測掃描（即在參 91810-940303.doc -33- 1234693 考區面中的量測掃描）之後曝光。 在某些情況中，-製程的基板的彎曲率，就相同批次 或相同製程（道次）令的基板來說，是相同的。在—第二且 $施^，懸-不㈣㈣制於料,“。錢順序 夂里：知描只是在-批基板的第一基板上執行，為了要 降低產量上的困擾。這個順序將參照圖7加以說明。 到206是依次和圖5中的步^ - r—核待曝光的基板是否為第—個:r如果 ==2G9。在步驟鹰中，該量測掃描是以步_相 二=執行。在步驟2〇9中’對於每一個不能量測傾斜的區 =’八傾斜係根據與步驟⑽相同方式的量測掃描，加 该傾斜計算後要加以使用，如果沒有執行過遷移 里"Τ田（SMS)，就根據一鄰接區面計算。該兩值的 入記憶體附作為—傾斜補償。在步21时，這些補償應用 =等傾斜不能直接決定的區面。這是對該批次中每一個 基板U來執行。就這樣，基板Uf曲的效應只須量測…欠， 然而在該基板廣域楔形的差異，仍然對該批次的每一個基 板加以修正’而且對傾斜不能直接決定的區面加以修正^ 姑t在以上陳述過’遷移量測掃插也可應用到其傾斜能根 據由水平感測器2、15根據非遷移量測所獲得之量測而決定 的區面。在某些情況中，視該正確條件而定，根據遷移量 測計算的傾斜，可獲得一更精確傾斜的結果。這在以下的 情勢中，舉例來說，就可以是這樣的：在該水平感測器卜 15的八個感測光點中，三個光點是在咖中，而一第四個 91810-940303.doc -34- 1234693 光點疋很接近該邊緣輪廓’以致不構成一非常可靠的量 光點。在這樣的情況中，非常完好的可能，就是要根 個感測光點來計算-傾斜值；但—更為可靠的傾斜:可# 據-有六個感測光點、或人個光點中至少有四個中間^ 點，完全在該邊緣輪廓範圍内的遷移量測來加以決定。 根據另-具體實施例，該遷移量測可這樣執行二使用 到-個子集的水平感測器的感測光點。該水平感測器、2、^ 的内側光點（人個感測光點的内側四個），可以儘可能接近該 邊緣輪廓定位。這暗示人個感測光點中有兩個不能夠= 用。可是，因為内側光點通常提供較可靠的數據，在某些 情況中，這可能會導致更精確的傾斜決定。 在以上說明的具體實施例中，量測掃描是用來量測傾 二，發明並不侷限於此。而且，就控制高度來說， =測計劃可用來降低到該高度不能從本身測得的場地 的外插法距離。 【圖式簡單說明】 ，發明已關連附隨圖式加以解說，附隨圖式僅用以顯示 靶例，不用於限制保護範圍；圖式中·· 圖1為-微影投射裝置之一簡要總體概觀； 圖2為圖i微影投射裝置之一較明細視圖； =示在一基板上的各選定位置，其係根 則水準所決定者； 般細節；圖3b顯示一鄰 圖3a顯示一基板的邊緣輪廓之 接該邊緣輪廓的邊緣場地； 圖4顯示傾斜是如何根據本發明之-具體實施例來決定 91810^940303.doc -35- 1234693 圖5說明一自動執行並使用本發明具體實施例的量測掃 描的程序； 圖6係用以澄清圖5，及 圖7顯示一圖5量測掃描之替代作法。 【主要元件符號說明】 1 微影投射裝置 2 光源 2、15 水平感測器 6 控制裝置 8 中央處理單元（CPU) 10 記憶體 11、W 基板 12 致動器 13 靶標區域 14 區段 15、25 感測器（總成） 17 邊緣輪廓 19 邊緣排除區 21(中）、21(頂）、 水平掃描區面 21 (底） 27 水平感測器光點區面 31 直線途徑 33 陰影區面33 35、61 區面 91810-940303.doc -36- 1234693 37 逐步途徑 38 圓形途徑 39 細條 41、 43 邊緣場地 42 參考場地 43a 下部分 43b 上部分 62 量測掃描 AM 調整裝置 C 靶標部分 CO 電容器 Ex 射束擴張器 Ex、 IL 輻射系統 IF 干涉儀測量裝置 IL 照明系統（照明器） IN 積分器 LA 輻射源頭 Ml、 M2、PI、 校準標誌 P2 M 放大率 MA 光罩 MT 第一載物平台（光罩 PB 投影光束 PL 物件 91810-940303.doc -37- 1234693 PL 投射系統（透鏡） PM、PW 定位裝置 V、v 速度 w 基板 WT 第二載物平台（基板台） y 曝光掃描方向 91810-940303.doc -38-

Claims (1)

1234693 十、申請專利範圍： 1 · 一種包含一感測器之總成，用以決定一在微影投射裝置（1) 中之基板（W ; 11)表面之傾斜及高度之至少一者；該基板 (W，11)係可相對該感測器沿至少一大致平行於該基板表 面的途徑移動；該微影投射裝置有一曝光掃描方向（y)， 該總成係經安排可沿該至少一途徑相對該感測器連續推 動該基板，並可沿該至少一途徑提供關於該傾斜及高度 之至少一者的資訊；該總成包括一記憶體（1 〇)，用以儲存 該量測數據’供該微影投射裝置對該基板的後來曝光過 程中使用，具有特徵為該基板之該至少一途徑，與該曝 光掃描方向至少部分有一炎角。 2·根據申請專利範圍第1項之總成，其中該基板具有一邊緣 輪廓（17)，其特徵為該感測器實質上沿著該基板（w ; u) 之邊緣輪廓（17)之至少部分量測。 3.根據申請專利範圍第2項之總成，具有特徵為：該感測器 在一道次中沿该基板（W ; 11)之邊緣輪廓（丨7)量測。 4·根據申請專利範圍第2或3項之總成，具有特徵為：該感 測器係配置成在量測時，藉以下方式之至，一曰 、土〆一 #置剥， 以接近該邊緣輪廓（17)的幾何形狀： -沿多條一齊依循該邊緣輪廓（17)的直線（31)，及 -沿一循該邊緣輪廓（17)的逐步途徑（37)，及 -沿一形狀大致等於該邊緣輪廓（17)的輪廓。 5. 根據申請專利範圍第1、2或3項之總成，具有特徵為1 總成經安排以使用該感測器沿著複數條後續途徑量測了 91810-940303. doc 1234693 而在後續途徑之間有間隙存在，其中無須執行量測。 6 ·根據申明專利範圍弟1、2或3項之總成，具有特徵為·今 感測器包括一具有至少一感測光點的感測器，能夠旦:則 高度和可在啟用和停用兩狀態間變換，該變換是作為續 感測器的位置函數來實施。 7·根據申請專利範圍第丨、2或3項之總成，具有特徵為·嗜 感測器具有多個感測光點，而該總成係設置成只使用一 子集的感測光點沿著至少一途徑之至少部分來量、則 8·根據申請專利範圍第丨、2或3項之總成，具有特徵為：嗜 基板包括一靶標部分在邊緣輪廓（17)附近，而在該靶標部 分的後來曝光過程中，是使用該所儲存來自多個途徑的 量測數據。 9· 一種微影投射裝置（1)，包括： -一輻射系統（Ex，IL)’由一輻射源頭（LA)所放射的輻 射以形成一輻射投影光束（PB); -一支持結構（MT)，用以支持圖形形成裝置，受該投影 光束的照射而使該投影光束具有圖形； -一基板台（WT)，用以支持一基板（W);及 -一投射系統（PL)，係經建造並安排用以使圖形形成裝 置之一受照射部分成像至一靶標部分上； 〃、有特徵為·該微影投射裝置包括一根據申請專利範 圍第1-8項中任一項之總成。 1〇·根據申請專利範圍第9項之微影投射裝置（1)，具有特徵為 該微影投射裝置（1)係經安排以投射該輻射光束（PB)到一 91810-940303.doc 1234693 焦點面上，以自該記憶體（10)讀取量測數據，並用以量測 數據以調整該基板的位置，以使一靶標部分在由該輻射 光束照射進入該輻射光束（PB)之焦點面上時，落位在基板 上。 11·根據申請專利範圍第9或10項之微影投射裝置（1)，具有特 徵為在量測時該感測器，以至少一光點照射該基板，於 該至少一光點和該邊緣輪廓之間的一最大距離為05 mm (毫米）到4 mm的範圍内，較佳則為丨5 mn^,j2 5 mm的範 圍内。 12· —種用於決定一微影投射裝置中一基板（w; 表面之 傾斜及高度之至少一者之方法，包括： -提供一基板台（WT)，建成用以支持一基板（w ; u); •提供一感測器； -提供一記憶體（1 0); 該基板台（WT)及感測器，係可沿至少一大致平行該基 板（W，11)表面的途控彼此相對移動，該微影投射裝置（1) 具有一曝光掃描方向（y)，該方法尚包括： _沿該至少一途徑，相對該感測器連續移動該基板，同 時沿該至少一途徑，提供關於該傾斜和高度之至少一者 的量測數據； -將該量測數據儲存到該記憶體（10)中，供該基板由微 影投射裝置（1)所作的一後來曝光過程中使用，具有特徵 為：基板的該至少一途徑，是至少部分與該曝光掃描方 向成一夾角。 91810-940303.doc 1234693 13. 14 15 16. 17. 根據申請專利範圍第12項之方法，尚包括：-提供-輕射系統(M)，用以由一輻射源⑷所放射的輕 射形成一輻射投影光束（6); -提供一支持結構（MT)，以固持圖形形成裝置，受該投 影光束照射，使該投影光束具有圖形； -在一曝光掃描方向上掃描該基板（w); _在該基板曝光過程中使用該量測數據。 根據申請專利範圍第12或13項之方法，特徵為大致沿部 分該基板（W; 11)之邊緣輪廓（17)量測。 根據申請專利範圍第14項之方法，特徵為係以下列方式 之侄少一者量測： -沿多根一齊依循該邊緣輪廓（17)的直線（31)，及 -沿一循該邊緣輪廓（17)的逐步途徑（37)，及 -沿一形狀大致等於該邊緣輪廓的輪廓（17)。 根據申請專利範圍第13項之方法，具有特徵為： -由該輻射源產生該輻射光束（PB)，並投射該輻射光束 (PB)至該基板（w)上一焦點面上； 圮憶體（1 〇)讀取該傾斜和高度之至少一者之數據；及 -使用邊傾斜和高度之至少一者之數據以調整該基板之 位置，以使一乾標部分在由該輻射光束作最佳照射至該 輻射光束（PB)之焦點面上之時，定位於該基板上。 根據申請專利範圍第12、13或16項中任一項之方法，具 有特徵為：在一批次基板之至少一基板上，決定該傾斜 和高度之至少一者，並就該批次所有基板，使用該至少 91810-940303.doc 1234693 一基板之傾斜和高度之至少一者。 1 8 · —種包含一感測器之總成，用以決定一在微影投射裝置 (1)中之基板（W ; 11)表面之傾斜及高度之至少一者；該基 板（W ; 11)係可相對該感測器沿至少一大致平行於該基板 表面的途徑移動；該感測器具有多個多個感測光點；該 微影投射裝置有一曝光掃描方向（y)，該總成係經安排可 沿該至少一途徑相對該感測器連續推動該基板，並可沿 該至少一途徑提供關於該傾斜及高度之至少一者的資 訊；該總成包括一記憶體（10)，用以儲存該量測數據，供 該微影投射裝置對該基板的後來曝光過程中使用；該基 板具有一邊緣輪廓（17)，具有特徵為該總成經安排，當一 或多個感測光點在其等指向該基板（w; u)之邊緣輪廊 (17)之上或之外’係提供非有效之數據時，係用—感測光 點之一預定子集作量測。 91810-940303.doc