JP4347373B2 - 基板の傾斜および高さの少なくとも一方を決定するセンサを備えるアセンブリ、その方法およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
− ともに縁の輪郭を辿る複数の直線に沿って、
− 縁の輪郭に沿って段階的な路に沿って、および
− 形状が縁の輪郭とほぼ等しい輪郭に沿って測定する。
− 放射線源から放射された放射線から、放射線の投影ビームを形成する放射線システムと、
− 投影ビームにパターンを形成するため、投影ビームによって照射されるパターニング手段を保持するよう構築された支持構造と、
− 基板を保持するよう構築された基板テーブルと、
− パターニング手段の照射部分を基板の目標部分に描像するよう構築され、構成された投影システムとを備え、
リソグラフィ投影装置が上述したようなアセンブリを備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置に関する。
− 基板を保持するよう構築された基板テーブルを設けることと、
− センサを設けることと、
− メモリを設けることとを含み、
基板テーブルおよびセンサが、相互に対して基板の表面にほぼ平行な少なくとも1つの路に沿って移動可能であり、リソグラフィ投影装置が露光走査方向を有し、該方法がさらに、
− 上記少なくとも1つの路に沿った傾斜および高さのうち上記少なくとも一方に関する測定データを提供しながら、上記少なくとも一方の路に沿って上記センサに対して基板を連続的に移動させることと、
− その後に上記リソグラフィ投影装置で上記基板を露光する間に使用するため、上記メモリに上記測定データを保存することとを含み、基板の上記少なくとも1つの路が少なくとも部分的に、露光走査方向に対して角度を有することを特徴とする方法に関する。
− 放射線源から放射された放射線から、放射線の投影ビームを形成する放射線システムを設けることと、
− 投影ビームにパターンを形成するため、投影ビームによって照射されるパターニング手段を保持するよう構築された支持構造を設けることと
− 基板を露光走査方向で走査することと、
− 上記基板の露光中に上記測定データを使用することとを含む。
− 上記源によって上記放射線ビームを生成し、上記放射線ビームを上記基板上の焦点面に投影することと、
− メモリから傾斜および高さのデータのうちの少なくとも一方を読み出すこと
− 基板の位置を調節して、放射線ビームによって照射されたら、基板上に配置された目標部分を上記放射線ビームの焦点面に最適に入れるため、傾斜および高さのデータのうち上記少なくとも一方を使用することとを特徴とする。
基板のバッチにある少なくとも1つの基板の傾斜および高さのうち上記少なくとも一方を決定し、上記少なくとも1つの基板の傾斜および高さのうち上記少なくとも一方を、上記バッチの全基板に使用することとを特徴とする。1つのバッチからの基板は、通常、縁に向かって同様の形状を有する。これで、1つの基板で決定された傾斜および高さを、さらなる基板に使用することができる。このような方法は、消費する時間がはるかに少なくなる。
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過(透過性マスクの場合)や選択的反射(反射性マスクの場合)を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第US5,296,891号および同第US5,523,193号、並びに、PCT特許種出願第WO98/38597および同WO98/33096に開示されている。詳細は、これら文献を参照されたい。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例が米国特許第US5,229,872号に開示されており、詳細は、これら文献を参照されたい。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− この特別なケースでは放射線源LAも備えた、放射線の投影ビームPB(例えばEUV放射線)を供給する放射線システムEx、ILと、
− マスクMA(例えばレクチル)を保持するマスクホルダを備え、かつ、品目PLに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段PMに接続された第一オブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
− 基板W(例えば、レジスト塗布シリコンウェハ)を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段PWに接続された第二オブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
− マスクMAの照射部分を、基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に描像する投影システム(「レンズ」)PLとにより構成されている。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。
2.走査モードにおいては、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Cは1回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に運動可能であり、それによってビームPBがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4あるいは1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Cを露光することが可能となる。
Claims (17)
- リソグラフィ投影装置(1)の基板(W;11)の表面の傾斜および高さのうち少なくとも一方を決定するセンサを備えたアセンブリで、基板(W;11)が、センサに対して前記基板の表面にほぼ平行な少なくとも1つの路に沿って移動可能であり、センサが複数の感知スポットを有し、リソグラフィ投影装置が露光走査方向(y)を有し、アセンブリが、前記センサで前記少なくとも1つの路に沿って測定し、前記少なくとも1つの路に沿って前記傾斜および高さのうち少なくとも一方に関する測定データを提供するように構成され、アセンブリは、その後に前記リソグラフィ投影装置で前記基板を露光する間に使用するため、前記測定データを記憶するメモリ(10)を備え、基板が縁の輪郭(17)を有するアセンブリであって、アセンブリは、1つまたは複数の感知スポットが、基板(W;11)の前記縁輪郭(17)上またはその外側に向いているために、この1つまたは複数の感知スポットが無効データを提供した場合、所定のサブセットの感知スポットで測定するように構成され、
センサが基板(W;11)の縁の輪郭(17)の少なくとも一部にほぼ沿って測定することを特徴とするアセンブリ。 - アセンブリが、前記少なくとも1つの路に沿って前記センサに対して基板を連続的に移動させるように構成され、基板の前記少なくとも1つの路が、少なくとも部分的に露光走査方向に対して角度を有する、請求項1に記載のアセンブリ。
- センサが基板(W;11)の縁の輪郭(17)に沿って1回で測定することを特徴とする、請求項1または2に記載のアセンブリ。
- センサが測定中に、以下の方法のうち少なくとも1つで測定する、つまり
− ともに縁の輪郭(17)を辿る複数の直線(31)に沿って、
− 縁の輪郭(17)に沿って段階的な路(37)に沿って、および
− 形状が前記縁の輪郭(17)とほぼ等しい輪郭に沿って
測定することにより、縁輪郭(17)の形状の近似値を求めるように構成されることを特徴とする、請求項1〜3いずれか1項に記載のアセンブリ。 - 自身間に測定が実行されないギャップを有する後続の複数の路に沿って前記センサで測定するようにアセンブリが構成されることを特徴とする、請求項1〜4いずれか1項に記載のアセンブリ。
- 前記センサが、高さを測定できる少なくとも1つの感知スポットを有し、オン状態とオフ状態で切り換え可能なセンサを備え、切り換えが、前記センサの位置の関数として実行されることを特徴とする、請求項1〜5いずれか1項に記載のアセンブリ。
- アセンブリが、前記少なくとも1つの路の少なくとも一部に沿って感知スポットのサブセットのみで測定するように構成されることを特徴とする、請求項1〜6いずれか1項に記載のアセンブリ。
- 基板が縁の輪郭(17)付近に目標部分を備えており、前記目標部分のその後の露光中に、複数の路から得た前記記憶済み測定データを使用することを特徴とする、請求項1〜7いずれか1項に記載のアセンブリ。
- リソグラフィ投影装置(1)で、
− 放射線源(LA)から放射された放射線から、放射線の投影ビーム(PB)を形成する放射線システム(Ex、IL)と、
− 前記投影ビームにパターンを形成するため、投影ビームによって照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造(MT)と、
− 基板(W)を保持するように構成された基板テーブル(WT)と、
− パターニング手段の照射部分を基板の目標部分に描像するように構成された投影システム(PL)とを備え、
前記リソグラフィ投影装置が請求項1〜8いずれか1項に記載のアセンブリを備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - リソグラフィ投影装置(1)が、前記放射線ビーム(PB)を焦点面に投影し、メモリ(10)から測定データを読み取り、測定データを使用して、基板の位置を調節し、放射線ビームで照射されたら、基板上に位置する目標部分を前記放射線ビーム(PB)の焦点面に入れるように構成されることを特徴とする、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置(1)。
- 前記センサが、測定中に前記基板を複数のスポットのうちの少なくとも1つのスポットで照射し、複数のスポットのうちの少なくとも1つのスポットと前記縁の輪郭との間の最大距離が、0.5mmと4mmの間の範囲、より好ましくは1.5mmと2.5mmの間の範囲であることを特徴とする、請求項9または10に記載のリソグラフィ投影装置(1)。
- リソグラフィ投影装置(1)で基板(W;11)の表面の傾斜および高さのうち少なくとも一方を決定する方法で、
− 基板(W;11)を保持するように構成された基板テーブル(WT)を設けることと、
− 複数の感知スポットを有するセンサを設けることと、
− メモリ(10)を設けることとを含み、
基板テーブル(WT)およびセンサが、相互に対して基板(W;11)の表面にほぼ平行な少なくとも1つの路に沿って移動可能であり、リソグラフィ投影装置(1)が露光走査方向(y)を有し、方法がさらに、
− 前記少なくとも1つの路に沿って前記センサで測定して、前記少なくとも1つの路に沿った前記傾斜および高さのうち少なくとも一方に関する測定データを提供するようにアセンブリが構成されることと、
− その後に前記リソグラフィ投影装置(1)で前記基板を露光する間に使用するため、前記メモリ(10)に前記測定データを保存することとを含み、前記アセンブリは、1つまたは複数の感知スポットが、基板(W;11)の前記縁輪郭(17)上またはその外側に向いているために、この1つまたは複数の感知スポットが無効データを提供した場合、所定のサブセットの感知スポットで測定するように構成され、
基板(W;11)の縁輪郭(17)の少なくとも一部にほぼ沿って測定することを特徴とする方法。 - − 放射線源(6)から放射された放射線から、放射線の投影ビーム(6)を形成する放射線システム(3、4)を設けることと、
− 前記投影ビームにパターンを形成するため、投影ビームによって照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造(MT)を設けることと、
− 基板(W)を露光走査方向で走査することと、
− 前記基板の露光中に前記測定データを使用することと、をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 以下の方法のうち少なくとも1つで測定する、つまり
− ともに前記縁の輪郭(17)を辿る複数の直線(31)に沿って、
− 前記縁の輪郭(17)に沿って段階的な路(37)に沿って、および
− 形状が前記縁の輪郭(17)とほぼ等しい輪郭に沿って
測定することを特徴とする、請求項12または13に記載の方法。 - − 前記源によって前記放射線ビーム(PB)を生成し、前記放射線ビーム(PB)を前記基板(W)上の焦点面に投影することと、
− メモリ(10)から前記傾斜および高さのデータのうち少なくとも一方を読み取ることと、
− 前記傾斜および高さのうち少なくとも一方のデータを使用して、基板の位置を調節し、放射線ビームによって照射されたら、基板上に位置する目標部分を前記放射線ビーム(PB)の焦点面に最適に入れることと、を特徴とする、請求項13または14に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの路に沿って前記センサに対して基板を連続的に移動させ、基板の前記少なくとも1つの路が、少なくとも部分的に露光走査方向(y)に対して角度を有することを特徴とする、請求項12〜14いずれか1項に記載の方法。
- 基板のバッチにある少なくとも1つの基板(W)の前記傾斜および高さのうち少なくとも一方を決定し、前記少なくとも1つの基板の前記傾斜および高さのうち少なくとも一方を、前記バッチの全基板に使用することを特徴とする、請求項12〜16いずれか1項に記載の方法。
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TWI536429B (zh) * | 2004-11-18 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
US20070262268A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Method for imaging a pattern onto a target portion of a substrate |
US8896808B2 (en) * | 2006-06-21 | 2014-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20080151204A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Method for positioning a target portion of a substrate with respect to a focal plane of a projection system |
JP4930077B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-05-09 | 株式会社ニコン | 検出装置、露光装置、デバイス製造方法、位置制御装置、位置制御方法、プログラム、及び記録媒体 |
US8236579B2 (en) * | 2007-03-14 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and systems for lithography alignment |
JP2008242218A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujifilm Corp | 描画装置及び描画方法 |
EP2128701A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Method of determining defects in a substrate and apparatus for exposing a substrate in a lithographic process |
DE102009037281B4 (de) * | 2009-08-12 | 2013-05-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe |
JP2011044554A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Toshiba Corp | 露光制御装置および半導体デバイスの製造方法 |
US8018229B1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-09-13 | Honeywell International Inc. | Structure and method for flex circuit on a chip |
JP5890139B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置およびその焦点調整方法 |
CN103365096B (zh) * | 2012-03-27 | 2015-05-13 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的调焦调平系统及测量方法 |
CN103365125B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工艺基底边缘场的调平方法 |
CN102679885B (zh) * | 2012-05-22 | 2014-06-04 | 江门市蒙德电气股份有限公司 | 基于机器视觉的管状对象位移识别装置 |
US9205527B2 (en) * | 2012-11-08 | 2015-12-08 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring system with monitoring of elongated region |
US10274838B2 (en) * | 2013-03-14 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for performing lithography process in semiconductor device fabrication |
JP6253269B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-12-27 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、それを用いた物品の製造方法 |
NL2015776A (en) | 2014-12-12 | 2016-09-20 | Asml Netherlands Bv | Methods and apparatus for calculating substrate model parameters and controlling lithographic processing. |
NL2017296A (en) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | Asml Netherlands Bv | Methods for controlling lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102015216438A1 (de) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Sensoranordnung für eine Lithographieanlage, Lithographieanlage und Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage |
WO2017045871A1 (en) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Methods for controlling lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6952590B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
CN111936934B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-04-28 | Asml荷兰有限公司 | 用于扫描曝光装置的控制方法 |
JP7167750B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2022-11-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
CN114111538B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-11-28 | 徐州徐工履带底盘有限公司 | 链轨节平面度和落差检测工装及其检测方法 |
CN114734136A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-12 | 上海柏楚电子科技股份有限公司 | 激光加工机床和激光加工方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JPH0228312A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO1991017483A1 (de) * | 1990-05-02 | 1991-11-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Belichtungsvorrichtung |
NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP3275368B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2002-04-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
EP0824722B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-07-25 | Asm Lithography B.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
JPH10116877A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Canon Inc | 面位置検出装置および方法、それを用いた露光方式、ならびにデバイス製造方法 |
EP0890136B9 (en) * | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
ATE216091T1 (de) | 1997-01-29 | 2002-04-15 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US6262796B1 (en) | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH11186129A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JP2000082651A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | 走査露光装置及び走査露光方法 |
EP1037117A3 (en) * | 1999-03-08 | 2003-11-12 | ASML Netherlands B.V. | Off-axis levelling in lithographic projection apparatus |
US7023521B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and process for producing device |
AU2001279126A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-13 | Silicon Valley Group Inc | In-situ method and apparatus for end point detection in chemical mechanical polishing |
US6818365B2 (en) * | 2002-11-15 | 2004-11-16 | Lsi Logic Corporation | Feed forward leveling |
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