TWI232068B - Organic electroluminescence panel - Google Patents

Description

1232068 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種有機電場發光面板，尤指一種該有 機電場發光面板之有機層。 【先前技術】 將屬於自發光元件之電場發光⑻灿—⑽“： 以下稱EL)7G件用在各畫素作為發光元件之面板，除了 為1發光型外，並同時具有薄型且低消耗電力等之優點， 目則作為取代液晶顯示裝置（lcd)及crt等顯示裝置的顯 不1置等而受到嗎目，其研究亦正進行中。 卜在”中亦有一種將薄膜電晶體（丁ft)等設置在各 畫素以作為個別控制有機ET -彳生 剌有械EL兀件之開關元件，，依每畫素 匕制EL元件之主動矩隍刑 車1 EL面板，其可作為一種高精密 面板而深受期待。 :機EL几件係為在陽極與陰極之間挾持包含有機發 之有機層的構造，其為利用由陽極注入之電洞與由 陰極>主入之電子在 戍層中再、，Ό合而激起有機發光分子， 使以刀子回到基底狀態之際產生發光之原理。 在上边之主動矩陣型El面板中 EL·元件，Έγ 囬敬甲，為了依母晝素控制 為每全I 將陽極與陰極其中-方連接至TFT以作 為母思素的個別電極，將另一 已知有-猶脾士夕 作為/、通笔極。尤其是， 下層電枉^夕採用透明電極之陽極連接至丁 FT以作為 極…大多採用金屬電極之陰極構成為共通電 極亚依陽極（下部# ★、 4电極）、有機層、陰極（上部電極）之順序 315209 5 1232068 疊層’再使其由陽極側透過基板而將光線射出外部之構 成。 、在此種習知構成中，由於上述陽極係依每晝素個別予 以圖案化，故必然在每晝素均存在陽極之端部。在此陽極 之端部中’易於產生電場的集中，而且通常有機層極薄， 故陽極與陰極有可能會發生短路而造成顯示不良之情妒， ^提案有藉由平坦化絕緣膜來覆蓋陽極之端部之構^ I之Γ述！=獻1中即揭示一種利用由絕緣㈣所構 平:L·層來復盍陽極之端部之構成。 而且；：二在有機此元件之有機層中具有整流性， ，阻較…理由’故使陽極 ::=而直接相對向的領域形成發光領域因Π ’曰在原理上亚無須如電極作成 基板全面。 j 口木，故大多形成於 另一方面，由於欲獲得R、〇、B 別採用不同的有機發光材料，因/光色而必須分 R、G、B用之久g I# 在有機發光層上需依 好由直: 成，俾進行，色顯示。 蒸錄遮罩與成膜同時實行，並守:膜的圖案化係採用 與蒸錄遮罩間的對位，俾#洛錢時進行元件形成基板 成位置正確一致。 〇 4遮罩的開口部與發光層形 [專利文獻1 ] U-24606號公報 曰本專利特開平 [發明内容】 315209 6 1232068 [發明欲解決之問題] ，板與蒸鍵遮罩間之對位，實 觸基板之發光層形成表面之錢条鍍遮罩接 ，。在發光層形成時，已經覆蓋陽極及置：二 至少形成電洞傳輸層，故在發光層形成時所進束膜 遮罩之對位之際，蒸鍍迚罩a〜，成％所進行之蒸鍍 徊曰 ^罩冒摩擦此電洞傳輸層。 仁疋，由於含有電洞傳輸層且 低，故經常會有電洞傳輸層在機械強度較 剝離，或電洞傳妗#之+ * Γ·、、鍍迖罩之對位時發生 成領烤之声 “ r “卒屑成為塵埃附著在發光芦形 成項域之情形。此外，附著在蒸錢遮罩之塵埃^广 對位時附著在發光層形成 、’、曰在 層的剝離，或是塵埃附著在發光=由於此種電晴 t上方的有機發光層會因為塵埃的混入而產生變；= 舍光層之膜無法完全覆蓋因塵埃所引起的段差⑺产差 而導致被切斷而造成發光不良等之問題。（…)， 亡：::係有鑑於上述問題而研創者，為關 问之化賴性形成有機層之有機EL面板。 更 [解決問題之手段] 、—本發明係一種有機電場發光面板，係在基板上方 +幻 件该有機電場發光元件係在依备 =別圖案化之下部個別電極與上部電極之間具= 包“機發光材料之有機層，其具備·用以m _ ^ /、W ·用以覆盍丽述下邱 個齢之周邊端部之端部覆蓋絕緣層；以及 : 該端部覆蓋絕緣層更靠近外 在比 门惻之位置，且比該端部覆蓋 315209 7 1232068 絕緣層更厚，並.且將用於有機形成 之遮罩支持絕緣層；同時，前 遮罩支撑於其上面 覆盖絕緣声盘今、+、 層彳 '了、位於比前述端部 家層與則述下部個別電極 置，而终止於前述遮罩支持 邊"更靠近外側之位 依每畫素予以個別圖案化。 9之形成領域之内側，且 本發明係一種有機電場發 複數個有機電場發光元件，节反，係在基板上方形成 晝素個別圖案化之下部個㈣&幾=場發光元件係在依每 少包含有機笋光材料 共上部電極之間具備至 成毛先材枓之有機層，复且供 部個別電極之周邊端部之^ ^用以覆蓋前述下 ，部覆蓋絕緣層更靠近外周二=’·以及將設置在 絶緣層更厚之上層絕緣層 + — 亥端部覆蓋 述端部覆蓋絕緣層與前‘下二：=機：係位於比前 側之位置，而終止於前述 电極間之邊界更靠近外 且依每書幸予以^iR 層絕緣層之形成領域之内側， 一京于以個別圖案化。 本發明之另一形態，係 前述有機層至少包由=冑電場發光面板中，. 入層及有機發光層，同鑛法所形成之電洞注丨 層之形成領域内側。。層均、，冬止於前述遮罩支持絕緣 於前、f =月之另一形態，係於上述有機電場發光面柘 於則述電洞注入層盥 电豕毛先面板中， 機發光層與前述上部带機發光層乏層間、以及前述有 荷傳輪層，極之層間之其中一方或雙方形成電 層盥箭冲 ’如層係位於比前述端部覆π移 層/、則述下部個別電極 1设应絕緣 1之邊界更罪近外側之位置，而終 315209 1232068 止於前述遮罩支持絕緣 < A成領域之内側，且佑矣查本 予以個別圖案化。 〗且依母畫素 由於下部個別電極 覆芸，因奸/ 。、而#為由端部覆蓋絕緣層所 ^ 口此在该上方夹著有檣岛而γ + 命& 有令钱層而形成之上部電極盥下邱

-極之間即可確實絕緣。在爷 -UP 具有比端部覆# 盍謂層之更外周側 居π士層更厚而可支持遮罩之遮罩支持絕緣 層，同柃，有機層係終止於遮 ' 側，π 4 f Λ、+ I卓支持、纟巴緣層之形成領域内 1而未形成在遮罩支持絕緣層之支掊^ π ^ ^ , 象沒之又持面。因此，在遮罩 疋位日守有機層與遮罩不會產 檣展阳、广罢 1生接觸’而可防止已形成的有 機層因遮罩而被摩刮剝離、或產生塵埃之問題。 Λ此外，本發明並不限定於遮罩支持絕緣層’亦可在端 邙覆蓋絕緣層之更外周側設置 置比立而^覆盍絕緣層更厚之上 層絕緣層，並使有機層終止 ., 发上層、纟巴緣層之形成領域内 例如’在有機層形成後，到上部電極形成前，或是甚 —在兀件完成前之間的基板運送時或是上層形成時等，可 稭由該上層絕緣層而防止有機層與外部接觸。 此外，由於有機層係形成到端部覆蓋絕緣層與下部個 別電極間之邊界之外側，因此即使在有機層之形成位置產 生些許的偏移’亦可防止下部個別電極與有機層間之接觸 面積’亦即發光面積變動之情形。再者，由於遮罩支持部 係形成比上層絕緣層更薄（低）的端部覆蓋絕緣層’故下部 個別電極與端部覆蓋絕緣層間之邊界的段差較小，而可降 低在此邊界位置於有機層產生龜裂的可能十生 本發明之另-形態係-種有機電場發光面板，係在基 315209 9 1232068 板上方形成複數個有機電場發光元 件係在依每畫素個別圖安 。亥有機電場發光元 之間至少具備電洞注入 ⑴兒極、與上部電極 芸义+ 9鉍有機發光層，1呈傜 盍丽述下部個別電極之 /…、備·用以覆 將讯署^ 4兮山 遣而邛之端部覆蓋絕緣屑·以另 將叹置在比该端部覆蓋絕緣 $層，以及 該端部覆蓋絕緣層更厚，、，9 、周側之位置，且比 予 i且將用於有機声形忐口士 支撐在其上面之遮罩支持時之遮罩 又符、、、巴緣層；同時，前十兩 係覆蓋前述下部個別電極、 兒洞 >主入層 ^ , 月丨迷立而部覆蓋絕緣層、前、十、、疮 罩支持絕緣層而形成， '^ ^ 恭、… 則述有機發光層係形成在比前々十、 2 /主入層更罪近上部電極側之位置，且位於比前述端部 緣層與前述下部個別電極間之邊界更靠近外 ^冬止於前述遮罩支持絕緣層之形成領域之㈣卜且依每 晝素予以個別圖案化。 、依據本^明之另一形態，上述電洞注入層之厚度係小 方、1 〇nm，而削述有機發光層之總厚度係1 Onm以上。 屯’同注入層與其他的有機層不同，通常可採用非常 /專，而且與位於下層的絕緣層及下部個別電極具有良好密 接性且機械強度較高的材料來形成。因此就電洞注入層而 ° ’在其上方採用蒸鍍遮罩而以電洞傳輸層或發光層等個 別圖案形成之際，即使與遮罩接觸，亦難以產生剝離或是 破摩刮而產生對上層之有機層造成不良影響之塵埃。因 此’不使電洞注入層終止於遮罩支持絕緣層之内側，而僅 使其上方之發光層及電荷傳輸層形成終端，藉此可以有效 且高信賴性形成有機層。 10 315209 1232068 本發明之另一形態，係於上诚 山&西 ^有機EL面板中 a、十、 立而#復蓋絕緣層與前述遮罩支持絕 則处 或灰調（gray tone)曝光將同一絕緣層3成^藉由多段曝光 預定圖案而形成。 曰作成厂予度分別不同的 利用此種多段曝光，即可在兀 ^ . T ^加作業製程下，將逹 罩支持絕緣層與端部覆蓋絕緣層 时^ 【實施方式】 “屯成在所需之領域。 [發明之實施形態] 以下，根據圖式說明本發明之較者& 施形態）。 男、施形怨（以下稱實 [實施形態1] 第i圖係顯示本發明實施形態之主動 EL面板之平均每一書辛 之有枝 —*之八代表性的電路構成。在主動 陣型之有機EL面板中，係於美缸μ θ 士 έΗ 知、方、基板上具有複數條閘極線 向L伸X有複數條數據線DL及電源線vl朝行 方向延伸。各晝素係在閘極線GL與數據線肌相交又之 附近分別構成，且具備有機EL元件5〇、開關用TF丁（第^ 件驅動用TFT(第2抓）2()及料電容〜 第1 TFT 10係與閉極線GL與數據線DL相連接，且 在閘極電極接收開極信號(選擇信號)而導通。此時，供給 數據、泉DL之數據u虎係保持在連接於第工ip丁 1 〇與第 2 TFT 2G間之保持電容Cs。對於第2爪2q之閘極電極， 係供給與隔著上述第j TFTi〇所供給之數據信號相對應之 電麼，且第2 TFT2G係將與該電塵值相對應之電流，由電

1 I 315209 1232068 源線VL供給至有機EL元件5 0。藉由此動作，而能依各 晝素以與數據信號相對應之輝度使有機EL元件50發光， 顯示所期望的影像。 第2圖係顯示上述所示之主動矩陣型之有機el面板 之主要部分之剖視圖。具體而言，係顯示形成在玻璃基板 1 〇上之苐2 TFT 20 ’以及在該第2 TFT 20連接有陽極52 之有機EL元件50。此外，第3圖係顯示主動矩陣型之有 機EL面板之1畫素中發光領域之概略配置圖。 有機EL元件50係具備在陽極52與陰極54之間形成 包括有機發光材料之有機層60之構造，在第2圖所示之例 中，係依序由下層側疊層有依每畫素個別圖案形成之陽極 (下部個別電極）52、有機層60、各畫素共通形成之陰極（上 部電極）52。 在玻璃基板iO上係全面形成有依SiNx、Si〇2順序所 疊層之2層緩衝層12，用以防止雜質由玻璃基板1〇侵入。 在5亥緩衝層1 2上，# if金 +犯}、士、，〜 一 ’、 /成有以各畫素控制有機EL元 牛之薄膜電晶體，而在第2圖則如一—

上迷所不k絲員示弟2 丁FT 20，而省略第1 TFT及 帝 H 、 保待弘谷Cs。另外，在顯示部之周 化/T'形成有與對各畫素供給數據作_ 1 η β P % 路用同樣的TFT。 ^閘極^之驅動電 在緩衝層12上，係形成有由 M 乃由夕日日石夕寻所構成之半導·

層Μ，且形成有覆蓋該半 V 晶思 ％ 層4而依Si〇2、SiNx順 芏运之2層膜所構成之問極 ” 之上係形成有由…。等所=6:在：極絕緣“ 成之閘極電極1 8，而半 315209 12 l232〇68 i體層1 4之閘極電極1 8之正下方々§祕 通道領域之兩側係當ρ-ch型時摻雜”道領域，而 捧雜”而形成源極·沒極領 形成有依一。2順序疊二成在：^ 舜笔^ 9所成之層間絕緣膜20，俾 =i括該電極18之整面基板。此外，並貫穿層間絕緣膜 及閘極絕緣膜1 6而形成接觸孔， 、 有由Ai等所構成之源極電極仏、汲極電極咖，且 ，露出於接觸孔下部之半導體層14之源極領域連接有刀源 極電極22s，以及纽極領域連接有汲極電極咖。 源極電極22S(視第2TFT20之導電性，亦可是汲極電極 22d)係兼用電源線VL。 然後’覆蓋層間絕緣膜20及源極電極22s、沒極電極 22d’在整面基板形成由丙烯酸樹脂等有機材料所構成之第 i平坦化絕緣層28。此外’在該第i平垣化絕緣層Μ、上 述層間絕緣膜20及源極電極22s、汲極電極22d之間，亦 可形成由SiNX或TE〇S膜所構成之水分阻擋層。3，” 在第1平坦化絕緣層28之上’係形成有依每畫素作成 個別圖案化之有機EL元件之下部電極52，而該下部電極 (以下稱畫素電極）’係如上述所示具有陽極之功能’並採 用ΙΤ〇等之透明導電材料。此外，晝素電極W係在第】 平坦化絕緣層28開口之接觸孔，與露出在接觸孔底面之沒 極電極22d(視第2TFT20之導電性亦可是源極電極叫 相連接。 畫素電極52係依每晝素獨立’例如形成為第3圖所示 315209 13 1232068 之圖案。然仗，為I_ t 使4畫素電極52僅有該端部被覆蓋，而 於整面基板形成第7丞 々呈偌 旦化絕緣層32。該第2平坦化絕緣 層3 2係具備：在蚩本 闲……素電極52之發光領域開口，且遍及全 周覆盍畫素電極52 刘辛宴邱„ 之而邛之知部覆蓋部32a;以及在該端 仏°" &之外側較厚的上層絕緣層32b。在此，該上 層絕緣層3 2 b係旦古m、 ，、/、有用以將藉由真空蒸鍍形成上述有機層 60之際所用的蒸鍍遮罩 t男钺層 # 牙在其上面之較厚的遮罩支持 部（以下狄將該上；π矣 曰、，·巴、象層作為遮罩支持部32b加以說明） 之功月b 另外’當書辛雷； ^ a士 — 電極52例如為長乘以寬係60㈣ 60" m日^，弟2平坦化 承部覆1部32a之寶唐， 係設定為1 0 // m至2 〇 a m铲烊 ^ , 2. p ^ 权度，而該端部覆蓋部32a在第 2圖中雖已強調記載，作σ 仁，、要與畫素電極52重疊數 度，則足以保護端部。而日十印 且数// m枉 e , 遮罩支持部32b之形狀可以 γ入田4 ) 土狀或疋包圍端部覆蓋部32a之外 側全周之框狀之任一種，而庶 ,, 0 . θ “、、罩支持部32b之寬度並無特 別限制’/、要疋能夠盡量支持 于^罩而不會有變形情況者均 "vj" Ο 在此’第2平坦化絕緣層3 2 ^ . M；r、才木用丙烯酸樹脂等之 树月日而形成’但並不限定於平扫 “ n十& 一化材枓，亦可採用能夠覆 盍…極52之端部’且能夠形成較厚之 四乙基 硅酸鹽；tetraethyl orth〇silicateg 土 寺之絕緣材料。 此外，如欲採用相同的絕緣材 柯科而幾乎同時形成端部 復盍郤32a與遮罩支持部32b時 ,,A,, 則u採用多段曝光或灰 調曝光等較佳。 315209 14 1232068 二士光％百先心對整面基板全面旋轉塗布由包括 2先劑之丙烯酸樹脂劑所構成之第2平坦化絕緣材料，俾 =盖形成在第1平坦化絕緣層28之上的晝素電極52。A 次’則是採用例如遮罩支持部形成領域以外開口之第/光 曝光’甚至㈣遮罩支持部形成領域及端部覆 凰㈣成領域以外開口之第2光罩進行第2曝光。曝光後， =刻广第2平坦化絕緣材料感光之領域。依據此 :方法，即可將第2平坦化絕緣材料從2次曝光之部分， 二域對應部分完全去除’並在接受到丨次曝光 ^復盍㈣成領域降低該高纟’而在未曾曝光的遮罩 =爾領域中殘留所希望之厚度的第2平坦化材料。 Q此，在第2平坦化絕緣層32,即形成開口 部32a、遮罩支持部32b。 復| 此外，在灰調曝光時，係與多段曝光時相同，八 轉塗布由包括感光劑之丙烯酸樹脂劑 ^ ^ 仔力乂 <弟2平坦化 、、、巴、、彖材料，且使用具備有完全開口 户危朴 丨刀 與依照目的之 ::而糟由像點(dot)或開缝⑷⑴調整開口數之灰調之開 一灰調遮罩以作為光罩。由於曝光係採用該灰 凋、罩而進行丨次，故完全開口之部分的曝光量最大，而 犬凋部分則形成與開口數相對應之曝光量， 田 :、或之弟2平坦化材料被完全去除，灰調部分之曝光領域 P得以減少對應於該曝光量之厚度，1會殘餘未曝光之領 域而不被去除。因此，以此方式亦可在第 .、 , 乐2 +坦化絕緣層 -形成開口部、端部覆蓋部32a、遮罩支持邹Db 315209 1232068 “另外，如欲以其他作業製程或其他材料來形成端部覆 盍部32a與遮罩支持部32bB夺’則無須採用上述所示之形 成方法。 在藉由以上方式在第2平坦化絕緣層32形成端部覆蓋 部32a及更厚（高）的遮罩支持部32b之後，在本實施形態 中，係如第4圖所示採用比露出晝素電極52之表面之第 平坦化絕緣層32之開口部更大，而且在遮罩支持部⑽ 之内側形成終端之開口圖案之蒸鑛遮罩7〇,將蒸鑛源加孰 亚疊層有機層60俾覆蓋基板之畫素電極52之露出表面。 有機層60在此係從陽極52側依序疊層有電洞注入層a、 電洞傳輸層64、發光層66、電子傳輸層68。 曰 在本實施形態中，係如上】允所 上it所不在例如對電洞注入層 62、屬於電荷傳輸層之電洞僂於爲 电心得輸層64及電子傳輸層68等， 即使在可使用發光色不同但為相同材料之情況下，不僅是 只有發光層66,而且該各層均藉由具備每晝素之開口圖案 之蒸鍍遮罩70’形成每畫素之圖案，且依每畫素在遮罩支 持部32b之内側形成終端之圖案。尤其是，在本實施形態 中’比發光層66更先形成之電洞注入層62與電洞傳輸層 64’係藉由作成在遮罩支持部似之形成領域之内側形成 終端之圖案，俾使該等層與^層66同樣地不會形成在遮 罩支持部32b之上面’以防止當蒸鍍遮罩7〇定位時會使此 等有機層遭受損傷或產生塵埃。再且，在之後的製程，例 如在陰極54之形成蚪’或即使在該陰極形成以後，該 較厚之遮罩支持部32b亦可防止有機層在基板運送中直接 315209 16 1232068 碰撞到某處而造成損傷。 此外，有機層60之終端位置，除了在遮罩支持部奶 之形成領域内側之外’亦包括第2平坦化絕緣層32之開口 部（與發光領域相對應）之外 了您；卜側，亦即比端部覆蓋部32a與 晝素電極5 2之邊界更靠进々卜相| ^ 丨叉罪迎外側之處。藉由形成有機層60 俾设盖開口部之外^則，亦gp： M J万即復盖到端部覆蓋部32a之形成 領域上，即使有機層60之形忐办$ + ^ 义化成位置產生些許之偏移，亦能 確貫覆蓋第2平坦化絕緣層32之 豕尽之開口部領域，並抑制發光 面積之每畫素之參差不齊。再去 ^丹考當有機層60之終端部位 於該開口部領域與端部覆蓋 、 1 Jza間之邊界時，雖可能會 使#又差變得極大，而使各書音妓 合旦素共通形成於有機層60上之陰 極54會於該段差部分斷線， 4便所路出的％極5 2與陰極 54產生短路，但藉由上述方 /、农 乃Α即可確貫防止上述情形。 有機層60之各層之大]、 和）之關係雖並無特別限 制，仁糟由將上層設成稍小於下声 止卜屉舜一 丁既 曰之關仏，即此更確實防 止上層復盍下層之終端部之自而 輩，道,… 之角而使上層在該角部產生龜裂 ’龜衣部分形成發光不良領域之開始點。 士在採用相同的蒸錄遮罩70以形成有機層6〇之久層 日二係在形成第2平坦化絕緣層32(32a、3叫 =7°接觸遮罩支持部-之上面(在第4圖中係位二 =見需要移動蒸鑛遮罩7〇之位置以進行微調整，俾 ==/所對應之各晝素電極52之露㈣ “域)相重豐。在定位後，再 城、fS 2 3 % /同注入材料的蒗 鍍源予以加熱而於晝素電極 一 之表面《層電洞注入層 315209 17 1232068 62，再依電洞傳輸材料、發光層 蒸鍍材料’或變f τ Β 傳輸材料順序變更 66、電子傳輸声 Η辱輪層64、發光層 予輸層68。另夕卜，在有機層6〇之 一層，採用開口部大小箄相田 σ g 、或是任 織苗#变 相兴之瘵鍍遮罩70時，除了於々 又逑 <際，須一面藉由遮罩支持部32b予以支持二母 微調整蒸錢遮罩7G之位置來進行定位 持一面 用同一遮罩日卑士私4 ”餘白以與採 可大致相同之作業製程即可形成各層。 信此外’陰極54係具備從A1等之金屬層、或是從•子 傳輸層68側依序疊層有 私子 L、、 、 /Ai之構造，其係覆蓋包括以 “述方式所形成之有機層最上層之電子傳輸層⑼、端 盖部仏及遮罩支持部⑽之幾乎整面基板而形成。陰極 54之形成方法係在將有機層形成時所使用之蒸鍍遮罩7〇 卸除之後，與有機層同樣地採用真空蒸鍍法。 在此，兹以有機EL元件50之各層之材料及厚度為例 加以說明’從下層起依序為： ⑴由ITO專所構成之陽極52·· 60nm至20〇nm程度 (11)由銅鈦青（CuPc ; copper phthalocyanine)、cFx 等 所構成之電洞注入層62 : 〇.5nm程度、 、 (ill)由 NPB(N，N’-di(naphthalene-l-yl)-N，N'diphenyl -benzidine)等所構成之電洞傳輸層64 : 15〇nm至2〇〇nm、 (iv)由每一 RGB相異之材料或其組合所構成之發光層 66 :分別為1 5nm至3 5nm、 (v)由Alq(紹喹啉醇（quin〇lin〇1)複合體）等所構成之電 子傳輸層68 : 3 5nm程度、 315209 18 1232068 (vi)由UF(電子注入層）與八丨之疊層構造所構成之陰 極54 · UF層〇.5nm至丨〇nm程度、a丨層3〇〇nm至 程度。 希在此，第2平坦化絕緣層32之遮罩支持部32b與端部 覆：部仏間之高低差係以設定成大於有機層60之總厚度 為佳。藉由設定成此種高低差，在形成有機層60之任一層 =際’=於對位及蒸料，在遮罩支持部奶之上面: 貝地支铋洛鍍遮罩，且防止遮罩接觸有機層中之已經結束 t成的下層表φ ’而確實減低因與蒸鑛遮罩間之接觸所導 致的有機層之剝離或混入塵埃等。 么牛例而5，有機層6〇之層厚，大多比採用低分子系 有機材料時的3〇〇nm更薄（在上述例中有機層係200nm至 nm耘度）’此牯，端部覆蓋部與遮罩支持部3以之 上面（遮罩支持面）間之高低差僅為3〇〇nm程度即可。 在採用有機樹脂作為第2平坦化材料時，端部覆蓋部 32a之厚度（高度）係例如為2〇〇nm程度，遮罩支持部3孔 之厚度（高度）係例如4 1//m程度。即使在採用te〇s等之 絕緣材料的情況下，藉由將端部覆蓋部32a之高度設定為 例如200nm程度，而趑、危罢士 j士^7 而將遮罩支持部32b之高度設定為 〇〇nm至7 00nm程度，即可將遮罩支持部3孔與遮罩支持 部32b間之高低差增加成大於有機層60之總厚度，而可一 面保護有機層並一面確實支持遮罩。 此外，藉由將端部覆蓋部32a之高度設定成較低的 -nm私度以作為平坦化絕緣層，而使端部覆蓋部32&與 315209 19 1232068 第2平坦化絕给爲 ^ 彖層32之開口部間之邊界的段差縮小且變成 較為緩和，㈤1 付以確實防止有機層在此邊界產生龜裂 等0 [實施形態2] 第5圖係為顯示實施形態2之有機EL·面板之畫素部 之主要部八 ^ 刀、剖面概略圖。與上述實施形態1相異之點， 係當下部個別+ 屯極為除極時，僅有機層60中形成在最下層 之電洞 >主入居&。+ 、 9⑹，亦形成在整面基板，亦即遮罩支持部32b 迖罩支持面。當然，有機層60之其他層均以與實施形態 同樣的每晝素之個別圖案在遮罩支持部32b之支持面之 内側形成終端。 電、/同/主入層62係如上述所示與發光色無關，而採用 〆 X(X為自然數）等之機械強度較高，且與下層間 之密接性較高之材料，將此材料設定成0.5nm程度之厚 度，相較於其他有機層，其厚度極薄。因此，電洞注入層 62 ^使蒸鍍遮罩70接觸遮罩支持部3213之支持面之狀態 下私動位置而進行微調整之際，亦可承受與遮罩之接觸。 因此，在本實施形態2中，電洞注入層62係不使用每 畫素個別圖案之蒸鍍遮罩而形成於基板整面，對於機械強 X低且比lnm更厚之電洞傳輸層64/發光層66/電子傳 輪層68,均作成每畫素之個別圖案，俾使其不形成在遮罩 支持部32b之遮罩支持面上。 ^由於未將電洞注入層62作成每畫素之個別圖案而設 定成各晝素共通，&可省略專用的遮罩之對位程序，而且 315209 20 1232068 由於在下層之陽極52與上層之陰極54之間必定多出一層 %洞注入層62 ’故可提高陰極54之覆蓋性及兩電極之耐 壓。 [發明之效果] 。，’不上所迷，依據本發明，可防止在有機層形成後之製 程中因有機層與製程中所使用之構件等接觸而使有機層損 傷。而且，在有機層形成時 罩疋位中，可藉由形成在 用以復盍下部個別電極端部之 而邛復盍絶緣層之外側的遮 罩支持絕緣層來支持該遮罩，並 防止有機層與蒸鍍遮罩接 觸’而確實防止因盘辦置夕垃$ 古…，… 所造成的機械強度較低之 有機層剝離’或產生塵埃等。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之主動4 動矩陣型有機EL面板之平 均母一畫素之概略電路構成圖。

第2圖係本發明之實施形態丨 而也夕金主* 之主動矩陣型有機EL 面板之畫素部之主要部分之概略剖面圖。 第3圖係本發明之實施形態1 ^ Xri ^ 9X, λ, ^ 巨陣型有機EL· 面板之發光領域之概略配置說明圖。 第4圖係說明採用本發明之實施形態^ -t- ^ y 之洛鍛遮罩之 有機層之形成步驟說明圖。 + 第5圖係本發明之實施形態2 之主動矩陣型有趟、 面板之晝素部之主要部分之概略剖面圖。 、 緩衝層 10 玻璃基板（第1 TFT) 12 315209 21 半導體層 16 閘極絕緣膜 閘極電極 20 層間絕緣膜（第2 TFT) 沒極電極 2 2s 源極電極 第1平坦化絕緣層 32 第2平坦化絕緣層 端部覆蓋部 有機EL元件 32b 遮罩支持部 畫素電極（陽極、下部個別電極） 共通電極（陰極、上部電極） 有機層 62 電洞注入層 電洞傳輸層 66 發光層 電子傳輸層 保持電容 70 蒸鍍遮罩 22 315209

Claims (1)

1. 獨8 W ft ίΰι ui.·，人i UF 第9213001 8號專利申請案 申請專利範圍修正本 h -種有機電場發光面板 （94年I月3曰: 電場發光元φ ’、基板上方形成複數個有機 圖案化S :別:電場發光 有機發光與上部電極之間具備至少包含 尤材科之有機層，其具備： 用以覆蓋前述下cl $ 蓋絕緣層；以及μ置/ 1電極之周邊端部之端部覆 側之位置，且^ 該端部覆蓋絕緣層更靠近外周 且比5亥jr而部覆芸绍 機層形成時之遮罩支 ：7曰更厚，並且將用於有 同時，前述有機層牙係位”於比1之遮罩支持絕緣層； 前述下部個別電極間之邊境更/^部覆盍絕緣層與 述遮軍支持絕緣層之形成：近外側處’：終止於前 個別圖案化。、s内側，且依每晝素予以 2. 一種有機電場發光面板，係 電場發光元件，該有機電場〜：方形成複數個有機 圖案化之下部個別電極、盘：：件係在依每晝素個別 有機發光材料之有機層，其具？極之間具備至少包含 用以覆蓋前述下部個別 蓋絕緣層；以及1Λ 極之周邊端部之端部覆 側之位置，且比： 部覆蓋絕緣層更靠近外周 同時…部覆蓋絕緣層更厚之上層絕緣層； 前=有機層係位於比前述端部覆蓋絕緣層-…部個別電極間之邊界更靠近外側之處，而终止； 315209修正本 1 1232068 前述上層絕緣層之形成領域之内側’且 別圖案化。 母旦素予以個 3·=專利賴1項之有機電場發光面板，其中，資 =層至少包括分別转由真空蒸鍍法所形成之電洞] :二：及有機發光層’同時各層均終止於前述遮罩支持 、吧緣層之形成領域内側。 又将 4·=申請專利範圍第2項之有機電場發光面板， a t有機層至少包括分別藉由真空蒸錢法所形成之電:: 主入層及有機發光層，同時各層均终止於_ , 層之形成領域内側。 、别处層絕緣 5·電場發光面板’係在基板上方形成複數 件，該有機電場發Μ件係'在依每晝素 下部個別電極、與上部電極之間至少具 主入層與有機發光層，其具備： 蓋絕=覆:及前=固別電極之周邊端…部覆 :，以及，又置在比該端部覆蓋絕緣層更靠近外周 且比該端部覆蓋絕緣層更厚，並且將 “形成時之遮罩支撑在其上面之遮罩支持絕緣層； :時，前述電洞注入層係覆蓋前述下部個別電極 、&:覆蓋絕緣層、前述遮罩支持絕緣層而形成， 土、 &述有機發光層係形成在比前述電洞注入層更 =近上部電極側處，且位在比前述端部覆蓋絕緣層虚前 :下部個別電極間之邊界更靠近外側之位置，而… 則述遮罩支持絕緣層之形成領域之内側，且依每畫素予 3]5209修正本 1232068 以個別圖案化。 6·如申請專利範圍第5項之 述電洞注入層之严…认 先面板’其中，前 、尽之知度係小於} 〇nm， 之總厚度係i〇nm以上。 y处有機發光層 7·如申請專利範圍第3至第6項中任一項 面板，其中，俜 員之有機電場發光 層間、以及前# & ，有機發光層之 及則述有機發光層與前述上部電 中-方：雙方形成電荷傳輸層， 層間之其 而珂述電荷傳輸層係位在比前述端Α $ 與前述下部個W 4 ^ °卩復盍絕緣層 ^ 卩個別電極間之邊界更靠近外側之卢 予以袖 支持絕緣層之形成領域之内側，且依每查冬 亍以個別圖案化。 汉母旦素 8 ·如申請專利 面板，盆中…i至第6項中任—項之有機電場發光 層，係藉由多;^端部覆蓋絕緣層與前述遮罩支持絕緣 分別不同的？先或灰调曝光將同-絕緣層作成厚度 Q丄 ^ ^疋圖案而形成。 申明專利乾圍第7 電 述端邱舜金， 私尤曲板，其中，前 曝光或I :、邑緣層與前述遮罩支持絕緣層，係藉由多段 5火调曝光將同一絕緣層作成 定圖案而形成。 予度刀別不冋的預 315209修正本