TWI231963B - Film carrier tape for mounting electronic devices thereon, production method thereof and plating apparatus - Google Patents

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TWI231963B
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Description

1231963 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種用於將電子裝置安裝於其上之薄膜承載膠帶，其 中錫-麵合金以高均勻度鍍覆引腳部分。本發明亦有關製造該薄膜承載 膠帶之方法及用於該製造方法之鍍覆設備。 【先前技術】 其中在可撓性絕緣薄膜上形成多數配線圖案之薄膜承載膠帶已用 以將電子裝置併入設備中。用以將電子裝置安裝於其上之此種薄膜承 載膠帶實例包含TAB(膠帶自動黏合)膠帶、CSP(晶片尺寸封裝)膠帶、 COF(覆晶薄膜)膠帶、BGA(球格柵陣列)膠帶及ASIC(應用特定積體電路)鲁 膠帶。該等薄膜承載膠帶具有與欲安裝於其上之電子裝置端子連接之 内引腳及依序與個別内引腳接續之外引腳用以建立與外部裝置之連 接0 有些該等薄膜承載膠帶需要以錫及鉛之合金之焊劑鍍覆。由於焊 劑含有重金屬之錯，因此近來在要求自該用途中消除鉛之最近全球要 求下已變成以錫-祕合金替代。添加銘會降低錫-錢合金之溶點，恰如 同鉛金屬在錫-錯(Pb)焊劑中所扮演之角色一般。因此，已被認為可與 錫-錯(Pb)焊劑同樣地可藉由使合金中祕含量達最佳化而處理錫—叙合 金谭劑。 然而，已發現錫-錢合金即使合金中祕含量總是維持怪定，但錫— 絲合金之溶點不具有恒定值。 為了釐清此溶點飄移原因而進行研究，並發現在合金沉積物中叙 含量不均勻。亦即’在錫-祕合金沉積物靠近表面處銘含量越高，其使 得合金熔點在靠近合金沉積物表面及内部深處間有所差異。合金沉積 物中此不均勻之祕含量分布不僅改變錫-祕合金之炼點，亦會影響其上 具有合金沉積物之引腳之黏合性質及降低薄膜承載膠帶之可靠性。 為了釐清錫-絲合金沉積物中祕含量之不均勻原因進行研究而發 現下列事實。
錫-鉍合金沉積物可藉如錫-鉛焊劑沉積物一般電鍍而形成錫一 M IP030061/SF-986f 5 1231963 合金沉積物。鉍有降低錫-銘合金溶點之作用，如同鉛金屬在焊劑之角 色一般。然而，鉍傾向於與鍍覆溶液中之錫接觸而被錫替代，此並不 會發生於錯之情況。 在製造該薄膜承載膠帶之鍍覆設備中，基於結構理由，在電鍵槽 及置於薄膜承載膠帶行經方向下游處之水洗槽之間無法避免地需提供 某些距離。因此，薄膜承載膠帶自電鍍槽離開後進入該水洗槽一般約 需要ίο秒的時間。
該電鍍槽與該水洗槽間之距離在錫與鉛金屬間不發生置換作用之 錫-船焊劑艘覆中不構成問題。然而，在錫合金之鍍覆中則會有問 題。亦即，薄膜承載膠帶離開該電鍍槽後，鍍覆溶液中之鉍留在該膠 帶上而將被存在於靠近錫-銘合金沉積物表面處之錫置換。結果，合金 沉積物表面由於鄰近該表面之組合改變而將被修飾。因此，錫-銘合金 沉積物在靠近錫已被銘置換之表面處將具有最高之叙含量。據此，該 錫-祕合金沉積物在沉積物中沿著其厚度將具有不同熔點。 在該薄膜承載膠帶離開鍍覆槽後立即於水洗槽中進行洗滌，則此 鉍與錫間之置換作用可予以避免且結果該錫-鉍合金沉積物將具有均 勻組成。然而，該電鍍槽及洗滌槽為個別裝置因而不管彼此如何緊密 放置，鍵覆溶液留在其上之該薄膜承載膠帶在兩槽間之輸送將需要約 10秒。此使鑛覆溶液中之銘與合金沉積物中之錫之間有充分時間進行 置換作用。 缺與錫間之置換作用由於會引起錫一叙合金之熔點飄移而必須避 免。又，須避免獲得薄膜承載膠帶之穩定性質包含黏合性質。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種用以在其上安裝電子裝置之薄膜承載膠 帶，其中引腳部分設有含均勻鉍之錫—祕合金沉積物。 本發明另一目的係提供一種用以在其上安裝電子裝置之薄膜承載 膠帶之製造方法，其巾可以沉積物巾之錫極少絲置換之方式在該引 腳部分上形成錫-叙合金沉積物0 本發明又一目的係提供一種用於製造可在其上安裝電子裝置之薄 IP030061/SF-986f 6 1231963 膜承載膠帶之鍍覆設備，其可製造在引卿分上之錫-齡金沉積物， 且沉積物中之錫極少被鉍置換。 依據本發明之用以在其上安裝電子裝置之薄膜承載膠帶包括一絕 緣薄膜及在該薄膜上形成之配_案，其至少部分麟雀合金鍵覆， 其中藉鍍覆所形成之錫-鉍合金沉積物中之秘含量沿著其厚度方向實 質上為均勻者。 該薄膜承載膠帶可藉包括下列步驟之方法製造： 在絕緣薄膜上形成之配線圖案至少部分以錫—叙合金予以鍍覆；及 在該鍍覆完成後6秒内洗滌該以錫—叙合金锻覆之部分。 製造該薄膜承載膠帶中，可使用鍍覆設備，其包括一鍍覆槽、一 使薄膜承載膠帶依序通過進入該鍍覆槽之狹長輸入開孔、一使薄膜承 載膠帶通過並離開該鍍覆槽之狹長輸出開孔、及一用以洗滌通過該狹 長輸出開孔離開該鍍覆槽之薄膜承載膠帶之洗滌喷嘴。 本發明之薄膜承載膠帶之製造方法中，在該薄膜承載膠帶離開該 鍍覆槽後6秒内洗滌該薄膜承載膠帶以移除留在該薄膜承載膠帶表面 上之鍍覆溶液。藉由控制薄膜承載膠帶與鍍覆溶液接觸時間在離開該 鍍覆槽後之6秒内，鍍覆溶液中之叙與在該薄膜承載膠帶引腳部分所 形成之錫-錢合金沉積物中之錫之間發生之置換作用可實質予以避免。 據此，靠近該錫-叙合金沉積物表面之叙含量實質上未改變。因此 該錫-鉍合金沉積物中沿著其厚度方向自表面至該沉積物内部之叙含修 量實質上均勻。 【實施方式】 現在將參考附圖更詳述描述本發明之用以在其上安裝電子裝置之 薄膜承載膠帶(後文稱”薄膜承載膠帶”）、其製造方法、及適用於該製造 方法之鍵覆設備。 第1圖為顯示本發明薄膜承載膠帶之具體例之平面概視圖。第2 圖為一組剖面圖，顯示製造本發明第1圖所示薄膜承載膠帶之步驟。 第3圖為顯示第2圖所說明之引腳部分之放大剖視圖。 第4圖係本發明鍍覆設備之具體例之上視圖。第5圖為顯示第4 7 IP〇30061/SF-986f 1231963 圖中所說明之鍍覆設備之部分切除側視圖。 如第1及第2圖所說明’該薄膜承载膠帶1〇包括絕緣薄膜η、在 該絕緣薄膜上形成之配線圖案13、及在該配線圖案13上形成之焊劑阻 劑層17，因而暴露出連接引腳15。 該絕緣薄膜11對化學品具有化學品抗性例如對將在蝕刻製程中與 、 其接觸之酸具有化學品抗性。其亦具有熱抗性因而不會因黏合製程期 、 間所施加之熱而劣化。絕緣薄膜之材料包含聚酯、液晶聚合物、聚醯 胺及聚醯亞胺。本發明中，特佳使用聚醯亞胺。可用以形成絕緣薄膜 11之例舉聚醯亞胺包含一般自苯均四酸二酐及芳族二胺合成的芳族聚 醯亞胺，及由聯苯四羧酸二酐及芳族二胺所合成具有聯苯骨架的芳族 聚醯亞胺。本發明中，可利用任何該等聚醯亞胺。該等聚醯亞胺主要鲁 比其他樹脂具有更高熱抗性及優異之化學品抗性。 本發明中，該絕緣薄膜11(較好為聚醯亞胺薄膜)具有平均厚度一般 約5至150微米，較好5至125微米，且較好5至100微米。 製造薄膜承载膠帶中，依據本發明薄膜承載膠帶之類型，該絕緣 薄膜11可視情況設有孔洞。此孔洞包含扣鏈齒孔（圖式中以參考號2〇 表示）、用以插入烊劑球之穿孔、裝置孔、定位孔及用以在該引腳與電 子裝置之電極間建立電連接之狹缝。 絕緣薄膜11寬度不特別受限制。由於其不應超過橫過該絕緣薄膜 11寬度之一薄膜載體使得以錫-鉍合金之鑛覆可在引腳15之經選擇部鲁 位上進行，因此視欲形成之薄膜載體寬度而定，該絕緣薄膜（聚醯亞胺 薄膜)11較好為35毫米寬或70毫米寬。 該絕緣薄膜11在其表面上形成有配線圖案13。該配線圖案13可 、 藉選擇性钱刻積層在該絕緣薄膜11上之導電金屬層12而形成’如第 2(a)圖所示。 該導電金屬層12可藉由在黏著劑層在該絕緣薄膜上黏合導電金屬 箔如铜箔或鋁箔而產生。或者，可經由濺射或類似方式在絕緣薄膜11 上以小量沉積金屬如鎳或鉻且所得金屬層可藉無電鐘覆或電鐘以金屬 沉積物如銅沉積物覆蓋。 IP030061/SF-986f 8 1231963 因而形成之導電金屬層12 一般厚度範圍在1至35微米之間，且 較好自8至35微米。 在該絕緣_ n上形成導電金屬層12之後，在該積層物表面上 (在該導電金屬層12上)施加感光性樹脂16。該感光性樹脂16塗層接 著以所需圖案曝光並藉移除未固化樹脂而顯影。結果，該固化之感光 性樹脂16在該導電金屬層表面上形成所需圖案17a，如第2(c)圖所示。 使用該圖案17a作為遮蔽材料選擇性蝕刻該導電金屬層12將形成 所需圖案13,如第2(d)圖所示。 由於部分引腳15將在隨後步驟中電鍍產生錫一叙合金沉積物，因 此在該薄膜承載膠帶10中形成之該配線圖案13與電流供應配線22連 接，其可對該配線圖案13施加電流而進行錫-祕合金之電鍍。該電流 供應配線22在該絕緣薄膜π之縱軸方向且朝内沿著該絕緣薄膜n兩 側上邊緣部位中所設有之扣鏈齒孔2〇形成直線。 該導電金屬層12選擇性蝕刻後，所得配線圖案13將在整個表面 上以焊劑阻劑層17覆蓋，但對應於引腳部位15之區域除外，如第2(e) 圖所示。形成該焊劑阻劑層17以保護與電子裝置電極連接之内引腳15a 與連接該薄膜載體與外部裝置之外引腳15b間之該配線圖案13。該焊 劑阻劑層17將不會在該電流供應配線12上形成。本文所用之焊劑阻 劑之塗佈溶液將為藉由溶解或分散熱固性樹脂於有機溶劑中所得之高 黏度油墨。該塗佈一般藉網印技術進行。代之使用焊劑阻劑之該塗佈籲 溶液，可藉黏合具有熱熔融黏著劑層之熱抗性薄膜而形成該焊劑阻劑 層17。此例中，該熱抗性薄膜將在成型為所需外型之後施加。 因此形成焊劑阻劑層17之後，自該焊劑阻劑層17所暴露出之配 線圖案13予以鍍覆，如第2(f)圖所示。 本發明中，自該焊劑阻劑層17暴露出之該配線圖案13在其經選 擇部分以錫-絲合金锻覆之前，較好整個表面以錫沉積物18覆蓋。為 了形成該錫沉積物18，可利用電鍍或無電鍍覆。本發明中，該錫沉積 物18較好藉無電鍍覆形成。該錫沉積物18 —般厚度在〇· 1至1微米 之範圍。可利用習知鍍覆條件以形成該錫沉積物18。 IP〇30061/SF-986f 9 1231963 該錫沉積物18形成後，在該錫沉積物18表面上形成錫-鉍合金沉 積物19，如第2(g)及2(h)圖所示。 該錫-叙合金沉積物19將僅在外引腳15b上形成而一般不形成在 内引腳15a上。為了以選擇性方式形成該錫-叙合金沉積物19，該絕緣 薄膜11將以直立條件浸入鑛覆槽中，使得距該絕緣薄膜側邊緣某個距 離内之配線圖案將浸入該鍍覆溶液中用以形成錫-鉍合金沉積物。因 此’浸入該鍍覆溶液中之部分可選擇性鍍覆。此鍍覆方法藉由溶液表 面水平控制將稱為部分鍵覆。 藉溶液表面水平控制之部分鐘覆中，該絕緣薄膜11以一邊緣向下 直立（第2(g)圖中之C側，該處欲形成該錫-祕合金沉積物19)，因而 · 該側上之外引腳15b將浸入該鍍覆溶液中。自該電流供應配線22施加攀. 電流並鍍覆浸在該鍍覆溶液中之外引腳15b。隨後，該絕緣薄膜11接 著以上面朝下，因此第2(h)圖之D側浸入該鍍覆溶液中。自電流供應 配線22供應電流且浸入該鍍覆溶液中之外引腳15b予以鍍覆。 第4及5圖說明適用於藉溶液表面水平控制進行部份鍍覆之設備。 第4圖為顯示鍍覆設備具體例之上視圖，及第5圖為顯示該鍍覆 設備之部分切除側視圖。 如第4及5圖所說明，該鍍覆設備40包含其中含有鍍覆溶液41 之錄覆槽42、使薄膜承載膠帶10通過並依序進入該鍍覆槽42之狹長 輸入開孔50、使薄膜承載膠帶10通過並離開該鍍覆槽之狹長輸出開孔籲 51、及用以洗滌通過該狹長輸出開孔離開該鍍覆槽之薄膜承載膠帶之 洗滌喷嘴61。 該鍍覆槽42具有盒子形狀，一般為剖面是長方形者，且沿著欲鍵 覆之薄膜承載膠帶10行經方向為側向長轴者。 在該薄膜承載膠帶10行經方向之侧壁43上游處，該鍍覆槽42具 有該狹長輸入開孔50，該薄膜載體膠帶1〇通過該開孔連續進入該鍍覆 槽42。在該薄膜承載膠帶10行經方向之側壁44下游處，該鍍覆槽42 具有該狹長輸出開孔51，該薄膜載體膠帶1〇通過該開孔離開該鍍覆槽 42 〇 IP030061/SF-986f 10 1231963 該狹長輸入開孔50及該狹長輸出開孔51均可使該鍍覆溶液&維 持成自該鍍覆槽42之最小滲漏。為了使該薄膜承載膠帶1〇可載入該 鑛覆溶液42並以鍍覆溶液最小滲漏之方式自該鍍覆槽載出，該等開孔 具有具足夠化學品抗性之彈性元件（圖未示出），而可捏挾該薄膜承載 膠帶10。自該狹長輸入開孔50上游設有鍵覆電氣供應裝置53，其可 對該電流供應配線22供應鐘覆所需之電流。因此，載入該鍍覆槽42 之薄膜承載膠帶10予以電鍍。較好，該鍍覆電氣供應裝置53總是與 欲將該薄膜承載膠帶載入該鍍覆槽之電流供應配線22接觸。通常，導 電金屬輥使用作為該鍍覆電氣供應裝置53且亦可作為承載該薄膜承載 膠帶之承載手段。 實質上平行於該薄膜承載膠帶10行經方向而延伸之該鐘覆槽42 ®。 之側壁45及46(較長之側壁）内部，排列有陽極47，其與作為陰極之 該薄膜承載朦帶10有某一距離。 該陽極47之作用亦可在鍍覆期間補充該所消耗之錫，因而使該鍍 覆溶液中之錫濃度維持恆定。該錫陽極一般由相當纯的錫金屬所構 成。通常，該錫電極中之錫含量為99. 5至99. 9%。 該鍍覆溶液含有鉍，其在酸性條件下將易於置換錫金屬表面上之 錫原子。因此’若單獨使用錫電極作為陽極，則該錫-缺鐘覆溶液之組 成因為陽極表面上之錫被錢置換而不穩定。由於錫-鉍鍍覆溶液中錫消 耗需自該錫金屬陽極溶洗而涵蓋，因此該陽極較好由錫金屬電極55a參 及不溶於鍵覆溶液41中之電極(不可溶陽極)55b所構成。該不可溶陽 極55b之面積較好為錫金屬電極55a與不可溶陽極55b之總面積之10 至30%。該錫金屬電極55a及不可溶陽極55b較好以鍍覆槽42之縱向 分隔排列。在該陽極55及鏟覆電氣供應裝置53之間可施加電壓。該 鍍覆電氣供應裝置53與在薄膜承載膠帶10内形成之該鍍覆電流供應 配線22電連接。因此，在薄膜承載膠帶10内形成之該配線圖案可使 用作為陰極同時該锡金屬電極55a及不可溶陽極55b使用作為陽極。 因此，可在與該鍍覆溶液接觸之該配線圖案上形成錫-錢合金沉積物。 該鍍覆設備具有一部件，由該部件使鍵覆溶液在某個高度溢流出，俾 IP030061/SF-986f 11 1231963 使該鍍覆溶液表面水平維持一恆定（未示出）。調整該部件之高度可控 制鍍覆槽42中鍍覆溶液之水平。 因而形成錫-祕合金沉積物19之後，該薄膜承载膠帶1〇經由該狹 缝輸出開孔51離開該鍍覆槽42。通常，該薄膜承載膠帶隨後於洗滌槽 60中以水洗藤。然而’該鍵覆槽42及該洗務槽60之排列無可避免地 在其間產生某種距離。結果，該薄膜承載膠帶10離開該鍍覆槽42進 入洗滌槽60予以洗滌之時間一般花費7秒，且經常為十數秒。 錫-絲合金之鐘覆溶液仍留在自該鍍覆槽42離開之該薄膜承載膠 帶表面上。留在該薄膜承載膠帶表面上之鍍覆溶液中之叙可被所形成 之錫-鉍合金沉積物中之錫置換。因此，靠近該合金沉積物表面之祕濃 度太高。在該錫-叙合金沉積物表面上以叙置換錫之作用，在對應部分® 之薄膜承載膠帶進入洗滌槽60之前，會引起該合金沉積物表面顏色改 變。 已發現秘與錫間之置換作用自該薄膜承載膠帶離開該鍍覆槽42後 進行6秒。亦即，若該锻覆溶液可在該薄膜承載膠帶離開該鐘覆槽42 之後6秒内洗除，且較好在5秒内洗滌，則實質上不發生該叙之置換 作用。 本發明之鍵覆設備設有一洗滌喷嘴61，其可在薄膜承載膠帶1〇到 達該洗務槽60之前，對通過該狹缝輸出開孔51載出之薄膜承載膠帶 10進行洗務。該洗滌喷嘴需排列成可洗除留在薄膜承載勝帶之配線鲁 圖案上之至少部分鍵覆溶液。較好設有至少兩個洗滌喷嘴以同時洗滌 該薄膜承載膠帶10之兩表面，因為具有該配線之表面會隨著通過該狹 缝輸出開孔51而载出之薄膜承載膠帶之站立位置翻轉，且可能發 生該鍵覆溶液經由該膝帶中形成之孔洞如扣鏈齒孔或裝置孔洞流至該 薄膜承載膠帶10之背表面。該洗滌喷嘴61之設置係使得該薄膜承載 膠帶10可在該對應之薄膜承載膠帶通過該狹縫輸出開孔51離開後之6 秒内被洗滌，較好在5秒内。較好，該洗滌喷嘴61係集中於對該薄膜 承載膠帶10之行經方向喷射水。為了適當調整噴射點及水相對於該薄 膜承載膠帶10之物肖度，各洗滌喷嘴61缺與風箱可撓性管連接 IP030061/SF-986f 12 1231963 裝設。該洗務喷嘴可排列在該風箱可撓性管頂端。水自該洗膝喷嘴 之喷出速度宜為10至500毫升/秒，且較好為30至300毫升/秒。自 其喷出之水壓宜為0· 05至0· 8 kgf/cm2，且宜為0· 2至〇. 5 kgf/cm2。 藉由調整喷出速度及水壓在上述範圍内，留在該薄膜承載膠帶上之 該鍍覆溶液可有效地洗除，而不使該配線圖案變形，尤其是該連接引 腳0 為了避免自該洗滌喷嘴61喷出之水錢散，該鍍覆設備4〇較好設 有接受器62，其以平行方向延伸至該薄膜承載膠帶1〇之兩表面。由於 該洗滌喷嘴61沿著該薄膜承載膠帶1〇喷射洗滌水，因此該接受器62 可設在該薄膜承載膠帶10通過該洗鲦嗔嘴61行經方向之任何下游 點。該接受器62可排列成使該鍍覆槽42與該洗滌槽61連接。該接受籲 器62間之寬度幾乎相等或大於欲洗滌之薄膜承載膠帶1〇之寬度。藉 由衝撞該接受器62，可避免水錢散，且可促進留在該薄膜承載膠帶1〇 上鍍覆溶液之移除。 自該洗滌喷嘴61喷射出之洗滌水被收集在位於該接收器6ι下方 之水收集裝置(未示出）而予以丟棄。 如上所述，該薄膜承載膠帶1〇自該鍍覆槽42離開後6秒内，較 好5秒内，該薄膜承載膠帶1〇可以自該洗滌喷嘴61喷出之洗滌水洗 滌。由於鍍覆溶液可於短時間内可自該薄膜承載膠帶1〇幾乎完全移 除’因此在該連接引腳上形成之錫一銘合金沉積物19表面上之錫與留肇 在該合金沉積物19上之锻覆溶液中之叙之間之置換作用可有效避免。 結果，在該薄膜承載膠帶之引腳部分上形成之錫一叙合金沉積物中之錄 含量沿者其厚度方向實質上將為均句。亦即，該錫__銘合金沉積物任何 部位之該錫-鉍合金之組成為恆定。因此，該錫_祕合金之熔點將不會 飄移且可一直獲得穩定之黏合性質。 就此’在本發明薄膜承載膠帶上形成之錫_絲合金沉積物19中之 組成為恆定。亦即，該錫-祕合金沉積物19鄰近表面之祕含量與其内 部深度實質上相同。因此，可獲得穩定之黏合性質。 該錫-鉍合金沉積物厚度通常在0· 2至20微米之範圍，且較好為2 IP030061/SF-986f 13 1231963 至15微米。 用以鍍覆該錫-鉍合金之鐘覆溶液中之錫與叙濃度可能與習知技 藝已知者相同。較好，該鉍濃度設定為該鍍覆溶液之〇· 5至50重量％ 範圍内，且特佳為13至2〇重量%之範圍内。
通吊，該錫合金沉積物19選擇性形成在該薄膜承載膠帶之外 引腳上。亦即，如第3圖所示，在大部分情況下，該内引腳與在電子 裝置上形成之金擋塊連接。電子裝置之該金擔塊及在該内引腳上形成 之錫沉積物以所形成之金-錫共熔結晶黏合在一起。因此，在内引腳15a 上形成之錫沉積物可不經加工直接使用。相反地，該外引腳15b必須 設有金屬層，由於該外引腳l5b與各種類之配線電連接，因此該金屬 在某種低溫下融合。 因此，外引腳15b必須設有具恆定熔點之錫-銘合金沉積物以與各 種配線電連接。因此，該錫-鉍合金沉積物19在整個沉積物上須具有 均勻Μ含量。為了達成此需求，留在該錫-叙合金沉積物上之該鍍覆溶 液必須在鍍覆溶液中之缺與該合金沉積物19中之錫之間進行置換反應 之前予以洗除。該薄膜承載膠帶在通過該狹缝輸出開孔而離開該鍍覆 槽後6秒内，較好5秒内，洗滌該薄膜承載膠帶以移除該鍍覆溶液。 留在該薄膜承載膠帶表面上之該鍍覆溶液洗除後，該薄膜承載膠 帶10載入該洗滌槽6〇並進一步洗滌。 藉由溶液表面水平控制，在該絕緣薄膜11 一側邊緣部份上之外引泰 腳15b上形成該錫-銘合金沉積物19後，以類似上述程序，在該絕緣 薄膜11相反邊緣部份上之外引腳15b上形成錫-叙合金沉積物19。為 了完成此相反側鍍覆，已於該洗滌槽60中洗滌之該薄膜承載膠帶朝下 站立，亦即，使得該絕緣薄膜中又需要該錫-叙合金沉積物19之邊緣 部份朝下放置。隨後，在該薄膜承載膠帶該側上之該外引腳15b浸入 該鍍覆溶液41中。又在此例中，以錫-祕合金完成鍍覆後6秒内，且 較好5秒内，留在該薄膜承載膠帶上之該鍍覆溶液將以供應自該洗滌 喷嘴61之水喷射洗除。 在所得薄膜載體膠帶中，在與沿著該絕緣薄膜11寬度方向兩邊緣 IP030061/SF-986f 14 1231963 部份上形成之該扣鏈齒孔相鄰設置之該外引腳15b上形成該錫-錢合金 沉積物19。另一方面，在靠近該薄膜載體中心設置之該内引腳15a上 形成該錫沉積物。 當沿著在該外引腳15b上形成之該錫-祕合金沉積物19厚度方向 測量叙含量時，在該錫-錢合金沉積物19之表面及内部深度之間之錢 含量實質上相同。亦即，在該沉積物内實質上並無鉍之不均勻分布。 據此’該錫-叙合金沉積物19自表面至内部深處之溶點實質上不會有 變化。 在該引腳部分上形成該錫-鉍合金沉積物19,因而在該沉積物中達 到實質上均勻之叙含量。通常，當金屬或合金層積層在另一層金屬或 合金層上時，在該等層之間自然發生金屬擴散。然而，本發明之薄膜鲁 承載膠帶中，此沉積物中由於金屬之此自然擴散引起之錢含量變化將 可被忽略而解釋為該沉積物中之，，均勻，，祕含量。 在上述之鍍覆設備中，該直立之薄膜承載膠帶浸入該經水平控制 之鑛覆溶液中，因而可在該薄膜承載膠帶縱向邊緣附近之連接引腳上 選擇性形成該錫-鉍合金沉積物。然而，本發明之鍍覆設備不限於其中 該直立之薄膜承載膠帶係在經選擇之部位上被鍍覆之此具體例，且當 然本發明之度覆裝置可在整個表面上進行鍍覆而不控制該溶液表面水 平。亦可能將該狹缝輸入開孔與該狹缝輸出開孔排列成平行於該鍍覆 溶液之表面水平。雖然本發明之鍍覆設備已依據其中用以鍍覆該錫一叙鲁 合金之鍵覆溶液係饋入該鍵覆槽之具體例加以說明，但可饋入該錄覆 槽之該鍍覆溶液不限於此，且可使用慣用於例如鎳、金、鈀、錫及錫— 鉛合金之電鍍及無電鍍覆之任何鍍覆溶液。本發明之鍍覆設備宜以該 等鍍覆溶液使用，因為較好該等鍍覆溶液在鍍覆物件自該鍍覆槽載出 後儘速洗除之故。 用於製造薄膜承載膠帶之方法之錫-鉍合金鍍覆溶液可為習知所 用者。例如，可利用Sn-Bi艘覆溶液，其在硫酸水溶液中具有錫濃产 為50至60克/升(以金屬計)且叙濃度為20至40克/升（以金屬計）。 又，錫-鉍合金鐘覆溶液可含有界面活性劑、甲醇等。 IP030061/SF-986f 15 1231963 實例 本發明之薄膜承載膠帶、其製備方法及鍍覆設備將由下列實例更 詳細加以描述。但須了解本發明不以任何方式限制於該等實例。 [實例1] 平均厚度50微米、寬度48毫米及長度丨2〇米之聚醯亞胺薄膜 (UPILEX®_S’購自UBE股份有限公司）予以穿孔，而在寬度方向邊緣部 份鄰近處產生多數個扣鏈齒孔。 隨後，如第2(a)圖所示，具有平均厚度25微米之電沉積銅箔黏合 至該聚醯亞胺薄膜上。該電沉積之銅箱如第2(b)所示般以感光性樹脂 塗佈並曝光。使該曝光之樹脂顯影產生如第2(c)所示之圖案。 · 所形成之圖案使用作為遮蔽材料同時蝕刻該電沉積之銅箔產生如 第2(d)所說明之銅的配線圖案。該遮蔽材料(經曝光之樹脂)藉鹼清洗 移除。 接著，該配線圖案之整個表面上塗佈有焊劑阻劑溶液，但對應於 内引腳及外引腳之區域除外，如第2(e)所示。該溶液隨後乾燥並固化 並產生焊劑阻劑層。 如上述產生之膠帶自捲輪拉出並饋入含錫溶液之鍍覆槽。依據一 般程序，薄膜載體之引腳部分經無電鍍覆並形成具有平均厚度0.43微 米之錫沉積物。接著該薄膜承載膠帶自該錫鍍覆槽中移開，以水洗滌， 乾燥並與作為間隔物之浮雕膠帶一起捲於一捲輪上。 修 該薄膜承載膠帶自該捲輪拉出且通過狹缝入口開口進入第4圖所 說明之鍍覆設備之鍍覆槽中。形成該狹缝輸入開孔係使得該薄膜承載 膠帶以垂直於鍍覆溶液表面之方向進入該鍍覆槽。該鍍覆槽内提供有 溶液水平控制部件，其可藉由使溶液在適當水平處溢流而控制鍍覆溶 液深度。鍍覆溶液表面水平經控制使得以左邊側朝上站立之薄膜承載 膠帶(如第2(g)圖所示）當載入該鍍覆槽時，將使右侧邊浸到如第2(g) 圖所示之虛線C處。 由99· 9%纯錫所構成之錫電極與在該鍍覆溶液不可溶之鈦電極排 列於該鍍覆槽中。該錫電極與鈥電極之面積分別佔浸入該鍍覆溶液中 IP030061/SF-986f 16 1231963 之陽極總面積（100%)之70%及30%。 製備該鍍覆溶液獲得Sn-16% Bi合金沉積物且具有下列基本組成： 錫濃度（以金屬計）：55克/升 鉍濃度（以金屬計）：36克/升 該狹缝輸入開孔向外設置之鍵覆電供應裝置予以操作以供應以該 薄膜承載膠帶中所形成之電流供應配線進行鍍覆所需之電氣。在該陽 極間供應電壓且該薄膜承載膠帶經由該狹缝輸入開孔進入鐘覆槽。結 果，在浸入該鍍覆液中之外引腳上形成平均厚度6微米之錫-錢合金沉 積物。 以上述之溶液表面水平控制形成錫-銘合金沉積物後，該薄膜承載 膠帶通過該狹缝輸出開孔離開。該薄膜承載膠帶在經由該狹缝輸出開_ 孔離開後1秒内使用兩個洗滌喷嘴以水洗滌。為了避免自該兩個洗滌 喷嘴喷出之水濺散，沿著該薄膜承載膠帶鄰近該洗滌喷嘴處排列有由 丙烯酸樹脂板所構成之接收器。 該兩個洗滌喷嘴個別之水進料速率為120毫升/秒，且水壓為0.3 kgf/cm2 〇 使用該洗滌喷嘴以水洗滌該薄膜承載膠帶後，進入洗滌槽供進一 步洗滌，接著乾燥並與作為間隔物之浮雕膠帶一起捲繞在捲起之捲輪 上。 該薄膜承載膠帶經由該狹缝輸出開孔離開該鍍覆槽後進入該洗滌鲁 槽所需之時間為10秒。 隨後，捲繞在該捲起之捲輪上之薄膜承載膠帶設置於第4圖所說 明之鍵覆設備中。接著該薄膜承載膠帶自該捲起之捲輪拉出並經由該 狹缝輸入開孔進入該鍍覆槽。該薄膜承載膠帶設定為以右邊測朝上站 立（參見第2(h)圖）且以左邊側浸入該鍍覆溶液中至第2(h)圖所示之虛 線D處。在類似上述條件下進行鍍覆。結果，在浸於該鍍覆溶液中之 配線圖案上形成平均厚度6微米之錫-銘合金沉積物。 隨後，該薄膜承載膠帶經由該狹缝輸出開孔離開該鍍覆槽。該薄 膜承載膠帶在經由該狹缝輸出開孔離開後1秒内使用兩個洗滌喷嘴以 IP030061/SF-986f 17 1231963 【圖式簡單說明】 第1圖為顯示本發明薄膜承載膠帶之具體例之平面概視圖； 第2圖為取自第1圖A-A線之一組剖面圖，顯示製造本發明薄膜 承載膠帶之步驟； 第3圖為顯示本發明薄膜承載膠帶之引腳部分之放大剖視圖； 第4圖為用於製造本發明薄膜承載膠帶之鍵覆設備之具體例之上 視圖；及 第5圖為顯示第4圖中所說明之鍍覆設備之部分切除側視圖。 【圖式代表符號簡單說明】 10 :用以安裝電子裝置之薄膜承載膠帶 11 :絕緣薄膜 12 :導電金屬層 13 :配線圖案 15 :引腳 15a :内引腳 15b :外引腳 16 :感光性樹脂 17 :焊劑阻劑層 17a :圖案 18 :錫沉積物 19 :錫-鉍合金沉積物 20 :扣鏈齒孔 22 :電流供應配線 40 :鍍覆設備 41 :鍍覆溶液 42 :鍍覆槽 43 :側壁（上游） 44 :側壁（下游） 45,46 ·•較長側壁 IP030061/SF-986f 19 1231963 47 :陽極 53 :電供應裝置 55a:錫金屬電極 55b :不可溶陽極 50 :狹缝輸入開孔 51 :狹缝輸出開孔 53 :鍍覆電氣供應裝置 60 :洗務槽 61 :洗滌喷嘴 62 :接收器 20 n>030061/SF-986f

Claims (1)

123 1963^2135292號蔚胂請案申請專利範圍未畫線修正本S 拾、申請專利範園： 醫 产3隹12曰g日)
•一種用以在其上裝載電子元件之薄膜承載膠帶 在鍍覆槽中以錫一鉍合金鍍覆形成在一絕緣薄膜上的至少一部分 的配線圖案，其中絕緣薄膜係為直立而其一端向下； 在直立的薄膜承載膠帶經由狹缝出口離開鍍覆槽藉由從洗滌喷嘴 喷出水在6秒内洗膝鐘覆以錫一紐合金的部分； 、 將薄膜承載膠帶放入一洗務槽中以洗滌薄膜承載膠帶。 2·如申請專利範圍第1項之製造方法，其中藉由一部分的直立的薄膜 承載膠帶與鍍覆槽中的鍍覆溶液接觸進行鍵覆而形成一錫一叙合金 於一部分配線圖案上。 3·如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中水從洗務噴嘴沿著薄 膜承載膠帶膠帶的行進方向喷出，且該薄膜承載膠帶行進於在平行 方向從該承載膠帶的兩表面的侧邊伸展且被提供在對該薄膜承載膠 帶的行進方向的洗滌喷嘴的下游處的接收器。 4· 一種用以在其上裝載電子元件之薄膜承載膠帶，包含一絕緣薄膜和 形成於其上且其至少一部分鍍覆以錫一鉍合金的配線圖案， 其中該薄膜承載膠帶依照申請專利方法第1至3項的任一項的方 法製成’其中在由鍵覆形成的錫一叙合金沉積物之中的銘含量沿著 其厚度方向實質上是一致的。 5·如申請專利範圍第4項之用以在其上裝載電子元件之薄膜承載膠 帶，其中藉由鍍覆形成錫一鉍合金沉積物於形成在該配線圖案上的 錫沉積物上。 6· —種用於製造可在其上安裝電子裝置之薄膜承載膠帶之鍵覆設備， 該鍍覆設備包括一鍍覆槽、一使薄膜承載膠帶依序通過進入該鍍覆 槽之狹長輸入開孔、一使薄膜承載膠帶通過並離開該鍍覆槽之狹長 輸出開孔、及一用以洗滌通過該狹長輸出開孔離開該锻覆槽之薄膜 承載膠帶之洗滌喷嘴。 7·如申請專利範圍第6項之鐘覆設備，其中該洗滌喷嘴設置在該鍍覆 槽與用以洗滌該薄膜承載膠帶之洗滌槽之間。 EP030061/SF-986f 21 123 1 9^3^2135292號專利申請案申請專利範圍未畫線修正本 （93年12月9曰） 8.如申請專利範圍第6項之鍍覆設備，其包含至少兩個與可撓性管連 接裝設之洗滌喷嘴。
22 IP030061/SF-986f
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