JP5846407B2 - 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 65
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 204
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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Description
1.絶縁層上に上面が露出した埋め込み回路によって断面が矩形のフリップチップ接続端子を形成する工程(A)と、このフリップチップ接続端子上にシート上に保持した複層のはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)と、前記はんだ粒子を前記フリップチップ接続端子上に移行させてシートを除去する工程(C)と、前記フリップチップ接続端子上に移行したはんだ粒子にフラックスを塗布しリフローする工程(D)と、を有し、前記フリップチップ接続端子上にシート上に保持したはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)では、はんだの融点より低い温度に保持した熱プレスによる加圧が、低圧での加圧と高圧での加圧の順に2段階に行われるパッケージ基板の製造方法。
2.項1において、フリップチップ接続端子上にシート上に保持したはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)では、前記はんだ粒子がSn−Ag−Cu系の鉛フリーはんだであり、加熱温度を200〜220℃に保持した熱プレスによる加圧が、前記はんだ粒子が変形してはんだ粒子間の隙間を埋めるための低圧での加圧と、はんだ粒子を前記フリップチップ端子上に固定するための高圧での加圧の順に2段階に行われるパッケージ基板の製造方法。
3.項1または2において、絶縁層上に上面が露出した埋め込み回路によってフリップチップ接続端子を形成する工程(A)では、埋め込み回路上にソルダーレジストの開口を形成し、このソルダーレジストの開口に露出した埋め込み回路が、フリップチップ接続端子を形成するパッケージ基板の製造方法。
公称厚み0.06mmのプリプレグGEA−679F(日立化成工業株式会社製、商品名)を2枚重ね、その両側に、極薄銅箔厚3μmにキャリア銅箔厚35μmが貼り合わされたピーラブル銅箔FD−P3/35(古河サーキットフォイル株式会社製、商品名)を35μmの銅箔面が上記プリプレグと接着するように構成し、温度175±2℃、圧力2.5±0.2MPa、保持時間60分の条件にて真空プレスを実施し、表面が3μm銅箔の銅張積層板(MCL)を作製し、第1の回路基板とした。
第8の回路基板に対して、フリップチップ接続端子となる埋込回路上に、はんだペーストを印刷しリフローすることによって予備はんだを形成し、第9の回路基板を得た。予備はんだ用のはんだペーストには、Sn−Ag−Cu系のエコソルダーM705(千住金属工業株式会社製、商品名。エコソルダーは、登録商標。)を用い、リフローには赤外線リフロー装置を用いて、ピーク温度260℃の条件で行なった。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、5〜15μmであった。
第8の回路基板に対して、フリップチップ接続端子となる埋込回路上に、ポリエチンレンテレフタレートの基材上に、粘着層を形成し、はんだ粒子を保持したPPSシート(千住金属工業株式会社製、商品名)を用いて、予備はんだを形成し、第9の回路基板を得た。PPSシートとフリップチップ接続端子との加熱・加圧は、200〜220℃の温度で保持し、加圧は、15〜20kN程度で90秒程度保持した。予備はんだ用のはんだには、Sn−Ag−Cu系を用いた。フリップチップ接続端子上のはんだ粒子にフラックスを塗布した後、赤外線リフロー装置を用いて、ピーク温度260℃の条件でリフローを行なった。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、5〜8μmであった。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図3に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26を含む埋込回路2の底面にビア18が接続されている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、7〜10μmであった。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を形成した。この第7の回路基板において、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔をソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去する前に、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔面上にめっきレジストを形成して、埋込回路のフリップチップ接続端子となる箇所の一部にパターン電気銅めっきすることによって、凸形状を形成した。その後、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔をソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去した後、ソルダーレジスト形成、保護めっきとしてのニッケル−金めっき仕上げを行い、第8の回路基板を形成した。ここで、図4に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップ接続端子26の長手方向の一部には、凸形状27が形成されており、この凸形状27の高さは5μm程度である。凸形状27の範囲はフリップチップ接続端子26の短手方向の寸法の100%で、フリップチップ接続端子26の長手方向の寸法の30%程度である。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、9〜12μmであった。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を形成した。第7の回路基板において、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔を、ソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去して絶縁層の表面から上面が露出した埋込回路を形成した後、エッチングレジストを形成し、上面が露出した埋込回路の上面の一部が絶縁層の表面よりも凹み、他の部分はそのまま残るようにエッチングすることによって形成した。その後、ソルダーレジスト形成、保護めっきとしてのニッケル−金めっき仕上げを行い、第8の回路基板を得た。ここで、図5に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップ接続端子26の長手方向の一部には、凹み形状28が形成されており、この凹み形状28の深さは5μm程度である。凹み形状28の範囲はフリップチップ接続端子26の短手方向の寸法の100%で、フリップチップ接続端子26の長手方向の寸法の30%程度である。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、9〜12μmであった。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図6に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の先端は、ソルダーレジスト4の開口31内に形成されている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、7〜10μmであった。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図7に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の長手方向の両側または片側に延長された埋込回路2が設けられている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、7〜10μmであった。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図8に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の長手方向の一部が、短手方向(幅方向)に拡張された部分33を形成している。つまり、フリップチップ接続端子26が部分的に短手方向(幅方向)に拡張された部分33を形成している。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、7〜10μmであった。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を得た。ここで、第7の回路基板は、一方の面には35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔が配置されており、他方の面には第6の回路基板の凸状回路による回路パターンが配置されている。
2:埋込回路
3:絶縁層
4:ソルダーレジスト
5:基材
6:粘着層
7:はんだ粒子
8:保護めっき
15:半導体素子
18:ビア
19:予備はんだ
23:アンダーフィル材
24:半導体パッケージ
25:バンプ
26:フリップチップ接続端子
27:凸形状
28:凹み形状
31:(ソルダーレジストの)開口
32:凸状回路
33:短手方向に拡張された部分
Claims (3)
- 絶縁層上に上面が露出した埋め込み回路によって断面が矩形のフリップチップ接続端子を形成する工程(A)と、
このフリップチップ接続端子上にシート上に保持した複層のはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)と、
前記はんだ粒子を前記フリップチップ接続端子上に移行させてシートを除去する工程(C)と、
前記フリップチップ接続端子上に移行したはんだ粒子にフラックスを塗布しリフローする工程(D)と、
を有し、
前記フリップチップ接続端子上にシート上に保持したはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)では、はんだの融点より低い温度に保持した熱プレスによる加圧が、低圧での加圧と高圧での加圧の順に2段階に行われるパッケージ基板の製造方法。 - 請求項1において、
フリップチップ接続端子上にシート上に保持したはんだ粒子を押し付けて加熱・加圧する工程(B)では、前記はんだ粒子がSn−Ag−Cu系の鉛フリーはんだであり、加熱温度を200〜220℃に保持した熱プレスによる加圧が、前記はんだ粒子が変形してはんだ粒子間の隙間を埋めるための低圧での加圧と、はんだ粒子を前記フリップチップ端子上に固定するための高圧での加圧の順に2段階に行われるパッケージ基板の製造方法。 - 請求項1または2において、
絶縁層上に上面が露出した埋め込み回路によってフリップチップ接続端子を形成する工程(A)では、埋め込み回路上にソルダーレジストの開口を形成し、このソルダーレジストの開口に露出した埋め込み回路が、フリップチップ接続端子を形成するパッケージ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011078584A JP5846407B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011078584A JP5846407B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012212827A JP2012212827A (ja) | 2012-11-01 |
JP5846407B2 true JP5846407B2 (ja) | 2016-01-20 |
Family
ID=47266549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011078584A Active JP5846407B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5846407B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005243899A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
KR100764668B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 접속용 기판 및 그 제조방법 |
TWI462676B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-11-21 | Senju Metal Industry Co | The solder bumps for the circuit substrate are formed using the transfer sheet |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011078584A patent/JP5846407B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012212827A (ja) | 2012-11-01 |
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