JP5753521B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。

従来より、配線基板の微細化が進んでいる。近年では、配線基板内の配線の幅が２０μｍ以下となる配線基板も求められている。このため、配線基板の配線の幅が非常に細くなっている。ところで、配線基板の製造では、配線の形成に、薬液によるウェットエッチングを行う方式が主流である。しかしながら、ウェットエッチングを行う場合、薬液が配線の下側に回り込み、配線の下側がエッチングされる、いわゆるアンダーカットが生じる。

上述したように、近年では、配線の幅が非常に細くなっているため、配線と下地（樹脂絶縁層）との接触面積が非常に小さくなっている。この状態で、アンダーカットにより配線の下側がエッチングされると、配線と下地（樹脂絶縁層）との接触面積がさらに小さくなり、配線が十分な接着強度を得ることができなくなる。この結果、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまう虞がある。

また、ウェットエッチングの場合、配線デザインの粗密やエッチング装置由来の液当たりのムラに応じて、配線のエッチングレートに差が生じる。このため、エッチングレートのばらつきによってエッチング後の配線の幅にばらつきが生じ、配線基板のインピーダンスにばらつきが発生する虞がある。

このため、配線基板の配線を、薬液によるウェットエッチングではなく、レーザを用いて形成する配線基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１８８４９６号公報

特許文献１に提案される手法では、セミアディティブ法により配線基板を製造している。セミアディティブ法では、樹脂絶縁層上に第１の金属層を形成した後、この第１の金属層上に所望のパターンにレジスト層を形成する。次に、第１の金属層を電極として電解めっきにより第２の金属層を形成する。このとき、第２の金属層は、レジストが形成されていない領域に形成される。

次に、所望のパターンに形成されたレジスト層を除去した後、レジスト層の除去により露出した第１の金属層をレーザにより除去している。該手法では、薬液によるウェットエッチングを行わないため、配線のアンダーカットを防止することができる。

しかしながら、上述したように、近年では、配線の幅が非常に狭くなっている。特に、配線の幅が２０μｍ以下の配線では、配線と下地（樹脂絶縁層）との接触面積が非常に小さくなっている。このため、アンダーカットが生じなくとも、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを防止することは難しい。

本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、配線の接着強度を確保して、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層上の金属層にレーザを照射して前記金属層の一部を除去し、前記配線層の配線を形成する工程を有し、前記レーザは、前記配線の幅方向の両端に裾を引くように照射されることを特徴とする。

本発明によれば、前記樹脂絶縁層上の金属層にレーザを照射して前記金属層の一部を除去し、前記配線層の配線を形成する工程を有するので、ウェットエッチングにより配線にアンダーカットが生じるのを防止することができる。また、前記レーザは、前記配線の幅方向の両端に裾を引くように照射される。このため、配線と下地（樹脂絶縁層）との接触面積を大きくとることができる。この結果、配線が十分な接着強度を得ることができ、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを抑制することができる。

また、レーザを照射して配線を形成しているので、配線デザインの粗密や、エッチング液による液当たりムラの影響を受けて、配線の幅にばらつきが発生するというウェットエッチングによる配線形成特有の問題が生じることがない。このため、配線基板にインピーダンスのばらつきが発生することを抑制することができる。

なお、本発明の一態様においては、前記樹脂絶縁層上に前記金属層の一部となる第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、前記開口から露出する前記第１の金属層上に前記金属層の一部となる第２の金属層を形成する工程と、前記レジスト層を剥離する工程と、をさらに有し、前記レーザを照射する工程において、前記レジスト層の剥離により露出した前記第１の金属層を除去することにより幅方向の両端に裾を引く前記配線を形成することを特徴とする。

上記本発明の一態様によれば、セミアディティブ法により形成される配線基板において、配線が十分な接着強度を得ることができ、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを抑制することができる。また、配線基板にインピーダンスのばらつきが発生することを抑制することができる。

また、本発明の他の態様においては、前記レーザの照射により前記樹脂絶縁層表面を粗化することを特徴とする。該本発明の一態様によれば、前記配線を形成する際のレーザの照射により、樹脂絶縁層表面が粗化されるので、前記樹脂絶縁層上に積層される層との接着強度を確保するために別工程で粗化処理を行う必要がなく、製造工程を簡略化することができる。

また、本発明のその他の態様においては、前記配線の上端の幅は、２０μｍ以下であることを特徴とする。該本発明の一態様によれば、倒れたり、剥がれたりしやすい幅が２０μｍ以下の配線について、途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを抑制することができる。

さらに、本発明のその他の態様においては、前記配線の下端の幅は、前記配線の上端の幅の１．２〜１．４倍であることを特徴とする。配線の下端の幅を、配線の上端の幅の１．２〜１．４倍とすることで、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことをより効果的に抑制することができる。

以上説明したように、本発明によれば、配線の接着強度を確保して、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することができる。

実施形態に係る配線基板の断面図。 実施形態に係る配線の断面形状図。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（コア基板工程）。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。 実施形態に係る配線基板の製造工程図（ソルダーレジスト層工程）。 実施形態の変形例に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。 実施形態の変形例に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明するが、コア基板を有しない配線基板であってもよい。

（実施形態）
図１は、実施形態に係る配線基板１の断面図である。配線基板１は、コア基板２と、コア基板２の両面に形成されたビルドアップ層３（表面側），１３（裏面側）と、ビルドアップ層３上に形成されたソルダーレジスト層４（表面側）と、ビルドアップ層１３上に形成されたソルダーレジスト層１４（裏面側）と、ビルドアップ層３の接続端子Ｔ１上に形成された半田バンプ５（表面側）と、ビルドアップ層３の接続端子Ｔ１１上に形成された半田ボール１５（裏面側）とを備える。

コア基板２は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２の表面及び裏面には、金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２がそれぞれ形成されている。また、コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール２３が形成され、その内壁面にはコア導体層２１，２２を互いに導通させるスルーホール導体２４が形成されている。さらに、スルーホール２３は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材２５により充填されている。

（表面側の構成）
ビルドアップ層３は、コア基板２の表面側に積層された樹脂絶縁層３１，３３及び樹脂絶縁層３１，３３上にそれぞれ形成された配線層３２，３４からなる。樹脂絶縁層３１は、熱硬化性樹脂組成物からなる。樹脂絶縁層３１には、所望の位置にビアホール３１ａが形成され、ビアホール３１ａ内を含む樹脂絶縁層３１表面には、金属配線Ｌ２をなす配線層３２及びコア導体層２１と配線層３２とを電気的に接続するビア導体３５がめっき法により形成されている。

樹脂絶縁層３３は、熱硬化性樹脂組成物からなる。樹脂絶縁層３３には、所望の位置にビアホール３３ａが形成され、該ビアホール３３ａ内を含む樹脂絶縁層３３表面には、接続端子Ｔ１を有する配線層３４及び配線層３２と配線層３４とを電気的に接続するビア導体３６がめっき法により形成されている。接続端子Ｔ１は、例えば、半導体チップとの接続端子である。なお、接続端子Ｔ１の表面には、無電解めっきによりニッケル（Ｎｉ）がめっきされ、さらにニッケル（Ｎｉ）上に、無電解めっきにより金（Ａｕ）がめっきされている。

ソルダーレジスト層４は、フィルム状または液状のソルダーレジストをビルドアップ層３の表面上に積層して形成されている。ソルダーレジスト層４には、各接続端子Ｔ１の表面の一部を露出させる開口４ａが形成されている。このため、各接続端子Ｔ１は、表面の一部が開口４ａによりソルダーレジスト層４から露出した状態となっている。つまり、ソルダーレジスト層４の開口４ａは、各接続端子Ｔ１の表面の一部を露出したＳＭＤ（ソルダー・マスク・ディファインド）形状となっている。

開口４ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田からなる半田バンプ５が接続端子Ｔ１と電気的に接続するようにして形成されている。なお、配線基板１の表面に半導体チップ等を実装する際は、配線基板１の半田バンプ５をリフローすることで配線基板１の接続端子Ｔ１と半導体チップ等の接続端子とを電気的に接続する。

（裏面側の構成）
ビルドアップ層１３は、コア基板２の裏面側に積層された樹脂絶縁層１３１，１３３及び樹脂絶縁層１３１，１３３上にそれぞれ形成された配線層１３２，１３４からなる。樹脂絶縁層１３１は、熱硬化性樹脂組成物からなる。樹脂絶縁層１３１には、所望の位置にビアホール１３１ａが形成され、ビアホール１３１ａ内を含む樹脂絶縁層１３１表面には、金属配線Ｌ１２をなす配線層１３２及びコア導体層２２と配線層１３２とを電気的に接続するビア導体１３５がめっき法により形成されている。

樹脂絶縁層１３３は、熱硬化性樹脂組成物からなる。樹脂絶縁層１３３には、所望の位置にビアホール１３３ａが形成され、該ビアホール１３３ａ内を含む樹脂絶縁層１３３表面には、接続端子Ｔ１１を有する配線層１３４及び配線層１３２と配線層１３４とを電気的に接続するビア導体１３６がめっき法により形成されている。接続端子Ｔ１１は、例えば、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）との接続端子である。なお、接続端子Ｔ１１の表面には、無電解めっきによりニッケル（Ｎｉ）がめっきされ、さらにニッケル（Ｎｉ）上に、無電解めっきにより金（Ａｕ）がめっきされている。

ソルダーレジスト層１４は、フィルム状または液状のソルダーレジストをビルドアップ層１３の表面上に積層して形成されている。ソルダーレジスト層１４には、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出させる開口１４ａが形成されている。このため、各接続端子Ｔ１１は、表面の一部が開口１４ａによりソルダーレジスト層１４から露出した状態となっている。つまり、ソルダーレジスト層１４の開口１４ａは、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出したＳＭＤ形状となっている。

開口１４ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田からなる半田ボール１５が接続端子Ｔ１１と電気的に接続するようにして形成されている。なお、配線基板１の裏面にマザーボード等を実装する際は、配線基板１の半田ボール１５をリフローすることで配線基板１の接続端子Ｔ１１とマザーボード等の接続端子とを電気的に接続する。

図２は、配線基板１の金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１の断面形状を示す図である。図２に示すように、金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１の断面形状は、幅方向の両端に裾を引いた形状となっている。また、金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１の下端Ｆ１の幅Ｗ１は、金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１の上端Ｆ２の幅Ｗ２の１．２〜１．４倍となっている。

金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１の断面形状を、上述の形状とすることで、金属配線Ｌ２，Ｌ１２及び接続端子Ｔ１，Ｔ１１、特に上端の幅が２０μｍ以下の細い配線が、途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを抑制することができる。

（配線基板１の製造方法）
図３〜図５は、図１を参照して説明した配線基板１の製造工程を説明するための図である。以下図３〜図５を参照して配線基板１の製造方法について説明する。

（コア基板工程：図３）
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール２３となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール２３内壁にスルーホール導体２４を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する（図３（ａ）参照）。

その後、スルーホール導体２４内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材２５で充填する。さらに、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された銅めっきを所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面に金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２をそれぞれ形成し、コア基板２を得る（図３（ｂ）参照）。なお、スルーホール２３形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。

（ビルドアップ工程：図４〜図６）
コア基板２の表面及び裏面に、樹脂絶縁層３１，１３１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザ加工装置を用いてレーザ照射を行い、樹脂絶縁層３１，１３１にビアホール３１ａ，１３１ａをそれぞれ形成する（図４（ａ）参照）。

ビアホール３１ａ，１３１ａを形成した後は、ビアホール３１ａ，１３１ａ表面を粗化する処理を行う。なお、ビアホール３１ａ，１３１ａを露光・現像により形成してもよい。

続いて、樹脂絶縁層３１，１３１の表面に、無電解めっきを行い、ビアホール３１ａ，１３１ａ内を含む樹脂絶縁層３１，１３１の表面に、無電解銅めっき層（第１の導体層）Ｍ１，Ｍ１１をそれぞれ形成する（図４（ｂ）参照）。なお、図では、無電解銅めっき層Ｍ１，Ｍ１１の厚みを誇張している。

次に、無電解銅めっき層（第１の導体層）Ｍ１，Ｍ１１上に、絶縁性のレジスト層Ｒ１，Ｒ１１をそれぞれ形成した後、該レジスト層Ｒ１，Ｒ１１に所定のパターンの開口Ｃ１，Ｃ１１を形成する（図５（ａ）参照）。

次に、開口Ｃ１，Ｃ１１から露出する無電解銅めっき層Ｍ１，Ｍ１１を電極として、電解めっきを行い、開口Ｃ１，Ｃ１１内に電解銅めっき層（第２の導体層）Ｍ２，Ｍ１２をそれぞれ形成する（図５（ｂ）参照）。

次に、剥離液等の薬液を用いて、レジスト層Ｒ１，Ｒ１１を剥離する（図６（ａ）参照）。

次に、レジスト層Ｒ１，Ｒ１１の剥離により露出した無電解銅めっき層Ｍ１，Ｍ１１にレーザを照射して、無電解銅めっき層Ｍ１，Ｍ１１を除去し、無電解銅めっき層Ｍ１，Ｍ１１及び電解銅めっき層Ｍ２，Ｍ１２で構成される金属配線Ｌ２，Ｌ１２を備えた配線層３２，１３２及びビア導体３５，１３５を得る（図６（ｂ）参照）。

レーザを照射する際には、レジスト層Ｒ１，Ｒ１１を剥離した後の電解銅めっき層Ｍ２，Ｍ１２の側面から少し離れた位置にレーザを照射する。電解銅めっき層Ｍ２，Ｍ１２の側面から少し離れた位置にレーザを照射することで、図２で説明したような配線層３２，１３２の金属配線Ｌ２，Ｌ１２が、幅方向の両端に裾を引いた形状とすることができる。また、レーザを照射することで、下地である樹脂絶縁層３１，１３１表面が粗化される。このため、配線層３２，１３２上に積層される樹脂絶縁層３３，１３３との密着性が向上する。

なお、レーザを照射する位置の決定は、配線基板の撮像写真とＣＡＤデータとの比較、すなわちパターンマッチングにより行う。パターンマッチングによれば、不要な無電解銅めっき層Ｍ１を選択的に除去することができるので、加工時間を短縮することができる。また、レーザが電解銅めっき層Ｍ２へ照射されないので、電解銅めっき層Ｍ２へのダメージを抑制することができる。このようなパターンマッチングによるレーザの照射には、例えば、光学式自動リペアシステム（Ｐｅｒ Ｆｉｘ（商標）／Ｕｌｔｒａ Ｐｅｒ Ｆｉｘ（商標）：日本オルボテック株式会社）を使用することができる。

次に、樹脂絶縁層３１，１３１及び配線層３２，１３２上に、樹脂絶縁層３３，１３３となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザ加工装置を用いてレーザ照射を行い、樹脂絶縁層３３，１３３にビアホール３３ａ，１３３ａをそれぞれ形成する（図７（ａ）参照）。ビアホール３３ａ，１３３ａを形成した後は、ビアホール３３ａ，１３３ａ表面を粗化する処理を行う。なお、ビアホール３３ａ，１３３ａを露光・現像により形成してもよい。また、図７（ａ）からは、無電解銅めっき層Ｍ１及び電解銅めっき層Ｍ２を一つの層として記載している。

続いて、ビア導体３５，１３５を得た時と同様にして、ビアホール３３ａ，１３３ａ内を含む樹脂絶縁層３３，１３３の表面に、無電解銅めっきを行い、無電解銅めっき層を形成した後、所望の形状にレジスト層を形成し、該レジスト層をマスクにして電解銅めっきを行う。その後、レジスト層を剥離して、該剥離により露出した無電解銅めっき層にレーザを照射して、無電解銅めっき層を除去し、無電解銅めっき層及び電解銅めっき層で構成される接続端子Ｔ１，Ｔ１１を備えた配線層３４，１３４及びビア導体３６，１３６を得る（図７（ｂ）参照）。

なお、この場合も、レーザを照射する際には、レジスト層Ｒ１，Ｒ１１を剥離した後の電解銅めっき層Ｍ２，Ｍ１２の側面から少し離れた位置にレーザを照射することが好ましい。電解銅めっき層Ｍ２，Ｍ１２の側面から少し離れた位置にレーザを照射することで、図２で説明したような配線層３４，１３４の接続端子Ｔ１，Ｔ１１が、幅方向の両端に裾を引いた形状とすることができる。

（ソルダーレジスト層工程：図８）
表層に接続端子Ｔ１，Ｔ１１をそれぞれ有するビルドアップ層３，１３上に、それぞれフィルム状のソルダーレジストをプレスして積層する。ビルドアップ層３，１３上に、それぞれ積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、各接続端子Ｔ１，Ｔ１１の一部を露出させるＳＭＤ形状の開口４ａ，１４ａが形成されたソルダーレジスト層４，１４を得る。次に、接続端子Ｔ１，Ｔ１１の表面に、無電解めっきにより、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）をめっきする。

（バックエンド工程）
半田印刷により、ソルダーレジスト層４，１４に形成された開口４ａ，１４ａから露出した接続端子Ｔ１，Ｔ１１の表面に半田ペーストを塗布した後、所定の温度と時間でリフローを行い、接続端子Ｔ１，Ｔ１１と電気的に接続された半田バンプ５及び半田ボール１５を形成する。

以上のように、実施形態に係る配線基板１は、レーザの照射により、不要な無電解銅めっき層Ｍ１を除去しているので、ウェットエッチングにより配線にアンダーカットが生じるのを防止することができる。また、レーザは、配線の幅方向の両端に裾を引くように照射される。このため、配線と下地（樹脂絶縁層）との接触面積を大きくとることができる。この結果、配線が十分な接着強度を得ることができ、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを抑制することができる。

また、配線の下端Ｆ１の幅Ｗ１は、配線の上端Ｆ２の幅Ｗ２の１．２〜１．４倍となっているので、配線が途中の製造工程で倒れたり、剥がれてしまうことを効果的に抑制することができる。

さらに、レーザを照射して配線を形成しているので、配線デザインの粗密に応じて、配線の幅がばらつくことがない。このため、配線基板にインピーダンスのばらつきが発生することを抑制することができる。また、レーザの照射により、樹脂絶縁層表面が粗化されるので、樹脂絶縁層上に積層される層の接着強度が向上する。

また、パターンマッチングによれば、不要な無電解銅めっき層を選択的に除去しているので、加工時間を短縮することができる。また、レーザが電解銅めっき層へ照射されないので、電解銅めっき層へのダメージを抑制することができる。

（実施形態の変形例）
上記実施形態では、セミアディティブ法により配線基板を製造しているが、サブトラクティブ法により配線基板を製造するようにしてもよい。この実施形態の変形例では、サブトラクティブ法により配線基板を製造する方法について説明する。なお、図１〜図８を参照して説明した実施形態に係る配線基板１と同じ構成には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。

図９，図１０は、実施形態の変形例に係る配線基板１Ａの製造工程図である。なお、以下では、図９，図１０を参照して配線基板１Ａのビルドアップ工程のみを説明する。配線基板のコア基板工程、ソルダーレジスト層工程及びバックエンド工程については、実施形態に係る配線基板１の工程と同じであるため、重複する説明を省略する。

（ビルドアップ工程：図９，図１０）
コア基板２の表面及び裏面に、配線層３２，１３２となる銅箔Ｄが貼り付けられた樹脂絶縁層３１，１３１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する（図９（ａ）参照）。なお、フィルム状絶縁樹脂材料には予め所望の位置にビアホール３１ａ，１３１ａが形成されており、内部にはビア導体３５，１３５が充填されている。

次に、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、銅箔Ｄにレーザを照射して、余分な領域の銅を除去し、幅方向の両端に裾を引いた形状の金属配線Ｌ２，Ｌ１２を形成する（図９（ｂ）参照）。なお、レーザを照射する位置の決定は、実施形態と同様に、配線基板の撮像写真とＣＡＤデータとの比較、すなわちパターンマッチングにより行う。

次に、樹脂絶縁層３１，１３１及び配線層３２，１３２上に、配線層３４，１３４となる銅箔Ｄが貼り付けられた樹脂絶縁層３３，１３３となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する（図１０（ａ）参照）。なお、フィルム状絶縁樹脂材料には予め所望の位置にビアホール３３ａ，１３３ａが形成されており、内部にはビア導体３６，１３６が充填されている。

次に、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、銅箔Ｄにレーザを照射して、余分な領域の銅を除去し、幅方向の両端に裾を引いた形状の接続端子Ｔ１，Ｔ１１を形成する（図１０（ｂ）参照）。なお、レーザを照射する位置の決定は、実施形態と同様に、配線基板の撮像写真とＣＡＤデータとの比較、すなわちパターンマッチングにより行う。

以上のように、サブトラクティブ法でも、本発明の配線基板を製造することができる。なお、効果については、実施形態に係る配線基板１と同じである。

（その他の実施形態）
以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、配線基板１が半田ボール１５を介してマザーボード等と接続するＢＧＡ基板である形態について説明しているが、半田ボール１５の代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）基板もしくはＬＧＡ（Land Grid Array）基板として配線基板１をマザーボード等と接続するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、ソルダーレジストの開口の形状が、接続端子の表面の一部が露出したいわゆるＳＭＤ（ソルダー・マスク・ディファインド）形状となっているが、接続端子の表面がすべて露出したいわゆるＮＳＭＤ（ノン・ソルダー・マスク・ディファインド）形状としてもよい。

１…配線基板、２…コア基板、３，１３…ビルドアップ層、４，１４…ソルダーレジスト層、４ａ，１４ａ…開口、５…半田バンプ、１５…半田ボール、２１，２２…コア導体層、２３…スルーホール、２４…スルーホール導体、２５…樹脂製穴埋め材、３１，３３，１３１，１３３…樹脂絶縁層、３１ａ，１３１ａ…ビアホール、３２，３４，１３２，１３４…配線層、３６，３５，１３５，１３６…ビア導体、Ｃ１，Ｃ１１…開口、Ｆ１…下端、Ｆ２…上端、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１，Ｌ１２…金属配線、Ｍ１，Ｍ１１…無電解銅めっき層、Ｍ２，Ｍ１２…電解銅めっき層、Ｒ１，Ｒ１１…レジスト層、Ｔ１，Ｔ１１…接続端子、Ｗ１，Ｗ２…幅。

Claims (5)

1. 樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された配線層とを備える配線基板の製造方法であって、
   前記樹脂絶縁層上に第１の金属層を形成する工程と、
   前記第１の金属層上にレジスト層を形成する工程と、
   前記レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、
   前記開口から露出する前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、
   前記レジスト層を剥離する工程と、
   前記レジスト層の剥離により露出した前記第１の金属層にレーザを照射して前記第１の金属層を除去することによって、幅方向の両端に裾を引いた形状の、前記配線層の配線を形成する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記レーザの照射により前記樹脂絶縁層表面を粗化することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. 前記配線の上端の幅は、２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記配線の下端の幅は、前記配線の上端の幅の１．２〜１．４倍であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記配線層上に接続端子形成用樹脂絶縁層を形成する工程と、
   前記接続端子形成用樹脂絶縁層上に接続端子形成用第１の金属層を形成する工程と、
   前記接続端子形成用第１の金属層に接続端子形成用レジスト層を形成する工程と、
   前記接続端子形成用レジスト層に所定のパターンの開口を形成する工程と、
   前記開口から露出する前記接続端子形成用第１の金属層上に接続端子形成用第２の金属層を形成する工程と、
   前記接続端子形成用レジスト層を剥離する工程と、
   前記接続端子形成用レジスト層の剥離により露出した前記接続端子形成用第１の金属層にレーザを照射して前記接続端子形成用第１の金属層を除去することによって、幅方向の両端に裾を引いた形状の接続端子を形成する工程と、
   をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。

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