TWI230309B - Thin film transistor array panel for a liquid crystal display having a wide viewing angle and a method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1230309 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 致JL背景 (a)發明領域 本發明之發明領域係有關於具有視角之液晶顯示器所用 《相鄰資料線路陣列面板，其該物之製造方法。 (b )相關技術説明 基本上液晶顯示器（LCD)包含基體及一配置在基體之間 的液晶層。光傳輸由作用在液晶層上的電場強度控制。 在一垂直對齊（VA)模式LCD中，液晶分子爲均向者， 2中分子的縱軸垂直基體。應用此配置，光在“關斷，，狀 悲中幾乎切斷。在一正常的黑暗模式中，因爲在步驟狀態 中的党度極低，與傳統的扭轉向列L c D比較下，可作業 相當高的照度比。但是，液晶分子在一 “導通，，狀態的傾 斜方向，其中在某一値以上的電場作用在電極之間，且不 規則，使得某些液晶分子長軸的方向與上或下極化膜的極 化方向相同。在這些區域中，液晶分子用於轉向光的極化 方向’因此導致光爲極化膜封鎖住。L c d中這些部位顯 得黑暗，而使得圖像品質下降。 同時，爲了防止作用在線之信號的延遲或失眞，有必要 使用如鋁或鋁合金之低電阻材料。但是，當鋁或鋁合金接 觸用於像素電極或墊片之τ 〇 (氧化銦錫）時易於氧化或腐 蚀。 而且，因爲鋁或鋁合金易於爲ϊ T 〇蝕刻劑破壞，由銘或 铭合金製造的線路可能切斷。由蝕刻ITO之乾蝕刻方法蚀 刻I T 0可去除此，但是成本高。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮) ^ ------------·裝--------訂---------^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230309 五 、發明說明（ 2 本發明的目的爲提供一薄層雷曰w 星有會、……體陣列面板，以使用在 〜有寬視角乏液晶顯示器中，且， 你 可細+丄k ^ 且相關於製造該物的方法， 丁經由去除ITO層及鋁或鋁合金線 銘或銘合金線。 王'泉〈間的接觸而防止破壞 經由形成-資料線路前形成IT0像素電極而解決上述問 接觸餘雙層結構形成貨料線路，其中下層爲含1τ〇之具優 接觸特性者，而上層爲低電阻者。 =發明的製造方法中，在像素區中形成閘極線路，及 =導電材料的像素電極。㈣，形成資料線路，且 3保護層圖樣，其覆蓋資料線路，且具有 電極的開口。 $| 在此製造方法中’由使用光罩之微影蝕刻程序，形 導體圖樣及歐姆接觸層圖樣，且形狀與問極線路類似。 線 像素電極的形狀爲多個方形，含互連結的多個圓邊角 或具有由方形，鋸齒形或交叉形形成的開口圖樣。儲存 路的儲存電極可有多種形狀。 圖式之簡單説明^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 明 附圖構成説明書中的一部份，本發明的實施例及其說 在於使讀者了解本發明。 電 圖1爲依據本發明第一實施例之液晶顯示器用之薄層 晶體陣列面板的佈局圖。 圖2及3爲沿圖ϊ線π—η，及nl-m，的截面圖。 圖4A爲依據本發明第一實施例在第—製造方法的製造 -5- Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230309 A7 -------__— 五'發明說明（3 ) 步驟中薄層電晶體陣列面板的佈局圖。 4Β及4<：分別爲沿圖4Α之線IVB-IVB，及IVC-IVC，的截面 視圖。 圖5 Α爲第一製造方法之第二製造步驟的相鄰資料線路 陣列面板的佈局圖。 圖5B及5C分別爲沿線vB-VB，及vC_Vc，的截面視圖。 圖6A爲第一製造方法之第三製造步驟中相鄰資料線路 陣列面板的佈局圖。 圖6 B及6 C分別爲圖6 a中沿線VIB-VIB，及VIC-VIC，的截 面視圖。 圖7A爲第一製造方法之第四製造步驟中相鄰資料線路 陣列面板的佈局圖。 圖7B及7C分別爲圖7A之沿線νιΙΒ_νπΒ，及VIIC-Vnc， 的截面視圖。 圖8爲依據本發明第二實施例之液晶顯示器用於之相鄰 資料線路陣列面板的佈局圖。 圖9及1 0分別爲圖8中沿線Ιχ_ιχ，及χ_χ，的截面視圖。 圖11Α爲在帛：製造方法之帛—製造步·驟中本發明第二 實施例之相鄰資料線路陣列面板的佈局圖。 圖1 1 Β及1 1 c刀別爲圖i 1 Α之沿線xnXIB，及XIC-XIC， 的截面視圖。 圖12A爲在第—製造方法的第二製造步驟中相鄰資料線 路陣列面板的佈局圖。 圖1 2B及1 2C分別爲圖1 2 A之沿線χπΒ_χιΐΒ，及XIIC· 本紙張尺度適財_家標準（CNS)A4^i^7 .-J-----裝i丨丨—丨丨訂·---I--->^^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6- 1230309 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -----------五、發明說明（4 ) XIIC’的截面視圖。 圖1 3 A爲在第二製造方法的第三製造步驟中相鄰資料線 路陣列面板的佈局圖。 圖1 3 B及1 3 C分別爲圖i 3 A之沿線ΧΙΠΒ-ΧΙΙΙΒ，及XIIIC-XIIIC’的截面視圖。 圖1 4 A爲在第二製造方法的第四製造步驟中相鄰資料線 路陣列面板的佈局圖。 圖1 4 B及1 4 C分別爲圖i 4 A之沿線XIVB-XIVB，及XIVC-XIVC’的截面視圖。 故佳實施例之詳細説明 下文將説明本發明，請參考附圖，其中顯示本發明的較 佳實施例。但是，本發明可以多種不同的型式，而且不受 本發明實施例的限制。在各圖中，該層及該區域的厚度以 予放大，各附圖中相同的標示表示相同的組件。須了解當 一元件如一層，一區域或基體被稱爲“在，，另一元件上， 則指在另一或中介元件也出現。比照上，當一元件稱爲 “直接在”另一元件上，則沒有中介元件出現。 圖1爲依據本發明第一實施例之液晶顯示器之薄層電晶 體陣列面板的佈局圖，且圖2及3爲沿圖i之線IMI，及ΙΠ_ ΙΙΓ的截面圖。 具有多個圓角落之連結方塊的像素電極2 〇係位在像素 區中的一絕緣基體10上。爲了增強LCD的廣閘極線，有 必要在多像域配置中對齊液晶分子。爲了得到此結構，像 素電極20可具有多種像素圖樣。在此，雖然像素電極2〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ 0 Βϋ 1 ϋ ----訂------

ϋ I 參· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230309 A7 五、發明說明（5 ) 顯7F具有多個連接方塊，但是該像素電極電極可具有方 形，鋸齒形或交叉形的開口圖樣，使得其可於多像域配置 中配置液晶分子。為了得到最好的閘極線，有必要將單位 像素皆剖成四個像域。為了得到最佳之多像域對齊，有必 避免在多像域區域之邊界外產生傾斜或不平坦紋路。最好 在相鄰像域中的液晶分子的指向器以垂直方式配置。像素 迅極20可由一用於傳送型式的lcd之ITO(銦錫氧化 物）’及銘（A1) ’對於反射型的[CD具有相當高的反射 比。 在此實施例中，像素電極2 〇具有雙層結構，其包含〗τ 〇 製造的下層201及由如鋁之不透明材料製造的上層2〇2。 在此，在製造程序中處理對齊鍵的不透明上層可不用。作 為像素電極20之同一層上者為第一冗餘閘極墊片，及冗 餘紮料墊片23。第一冗餘閘極墊片22及冗餘資料墊片23 中各項具有一分別包含一下層221，231的雙層結構，且 分別包含上層222及232。當第一冗餘閘極墊片22及冗餘 資料墊片2 3加強一外部驅動電路及墊片之間的附著力。 在絕緣基體1 〇上形成覆蓋部份像素電極2 〇的層間絕緣 薄圖樣3 0。層間絕緣膜圖樣3 〇幾乎在形成第一閘極絕緣 層圖樣22及冗餘資料塾片23的塾片部位上完全去除。在 層間絕緣膜圖樣3 0上形成閘極線路及儲存線路。閘極線 路包含閘極線（或掃描信號線）4 〇，閘極墊片4 2及像素電 極4 1閘極線4 〇在水平方向延仲，且傳送一掃描信號。 閘極墊片4 2連接閘極線4 〇的一端，且位在冗餘閘極墊片 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ^-------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230309

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22^τ —位置ΰ像素電極41爲薄層電晶體的-部份且連 接閘極線4 0。儲存绫致&么 他 两伃、、果路包含一儲存線44及一儲存電極 464。儲存線44與閘極線4Q平行，且與閘極線4q分開。 儲存電極46在垂直方向延伸，且從儲存線44中分開。 儲存電極4 6經層間绍給g替同样。Λ W间七緣膜圖樣3 0沿像素電極2 〇提供儲 存電容。儲存電極46可在垂直方向上跨過像素電極20的 中心’且可具有多個凸出部位，其具有均勻間隔的鑽石 型。一般儲存線44侑儲存電極46接收如爲了到共同電極 (圖中沒有顯示）的電壓，該電極位在—液晶顯示器的上面 板上，但是也可以極化一不相關的閘極線。如果在像素電 極20及電極44之間的儲存電容足夠，則可不用電極46: 在此閘極線路40，41，42，及儲存線路44，46具有雙層結 構’此結構具有由鉻製造的下層4〇1，411，421及Mi，及 由铭製造的上層402，412，422及462。閘極線路4〇，41， 42及儲存線路44，46可由多層結構及金屬或如鉬（μ〇)或 銷合金，鉻（C〇，鈦（Ti)，鋰（Ta)的導電材料製造的單 層結構製造。當閘極線路40，41，42及儲存線路4 4，4 6 形成多層結構時，最好一層由具有低電阻的材料製造而 定’而另一層由具有良好接觸性層的材料而定。 覆蓋閘極線路4 0，4 1 (閘極墊片4 2除外）的閘極絕緣層 圖樣5 2，儲存線路4 4，4 6位在層間絕緣膜圖樣3 〇上。依 序其上形成半導體圖樣62及歐姆接觸層圖樣72。閘極絕 緣層圖樣52，半導體圖樣63及歐姆接觸層圖樣72具有類 似的圖樣。如圖2，3所示，除了在閘極墊片4 2下方的部 ί •裝--------訂---------^91 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1230309

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位外，在與閘極絕緣層圖樣5 2不同形狀的區域中形成層 間絕緣膜圖樣3 0。 資料線路包含資料線80，厚度的源極電極8丨，及在閘 極電極之另一側的没極電極8 2，且在歐姆接觸層圖樣7 2 及基體1 0上形成資料墊片8 3。傳送影像信號的資料線在 垂直方向上延伸，且由閘極線4 〇的交叉形成像素區。源 極電極8 1延伸到閘極電極4 1且連接到資料線8 〇。汲極電 極8 2連接像素電極2 0，且資料墊片8 3連接的資料線8 〇的 一端，及冗餘資料墊片83，且將説明外部電路的影像信 號傳送到資料線80。資料線路8〇，81，82，83可具有多層 結構，及如閘極線路40，41及42的多種不同的導體材 料。當資料線路爲多層結構時，最好其中一層由材料爲低 電阻層，而另一層的材料的導電性比其他各層好。在此， 資料線路81，82, 83具有多層結構，其包含由鉻製造而成 的下層8〇1，811，821，831，具有含像素電極20之1丁0的 良好接觸性質。及由低電阻之鋁製造的上層8〇2，S12， 822及832。一第二冗餘閘極墊片8 4，其具有雙層結構， 包含由鉻形成的下層841，及銘之上層，該冗餘資料 墊片位在與泌料線路相同之一層上，而第二冗餘閘極墊片 8 4連接閘極墊片42到第一冗餘閘極墊片2 2上。 因爲在源極電極81及汲極電極82之間的歐姆接觸層圖 樣72已去除，因此將半導體圖樣以在其間。 、圖_ 2及3所示，不爲資料線路8丨，82及閘極絕緣層5 2 所覆盍的像素電極2〇之上層2〇2去除掉。 -10- 本紙張尺賴对目目家標^_驢⑵

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝 • ϋ n 1 訂---------線| 1230309 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在資料線路80，81，82，83及第二冗餘閘極墊片84上形 成保護層90，而且也在半導體圖樣62及基體1〇上形成該 層，其中該保護層不爲資料線路80，81，82，83及第二冗 餘閘極墊片8 4所覆蓋。除了在資料線8 〇上的部位及薄層 電晶體部位外，幾乎將保護層9 〇整個去除掉，且具有曝 露第一冗餘閘極墊片22之下層221及冗餘資料墊片23之 下層2 3 1的接觸洞口 92，93。該第一冗餘閘極蟄片2 2及冗 餘資料墊片2 3直接接收掃瞄信號及外部影像信號。 第一實施例的結構可在整個驅動電路，及第一冗餘閘極 塾片22及冗餘資料墊片23之間由曝露第一冗餘閘極墊片 2 2的I Τ Ο層及几餘資料蟄片2 3經接觸洞口 92，93而達到 相當良好的接觸。但是，如果閘極塾片4 2及資料塾片8 3 直接、纟k接觸洞92，93曝露，則第一冗餘閘極塾片2 2，第 一冗餘閘極塾片84及冗餘資料塾片23可不用。 再者，不爲保護層90覆蓋的歐姆接觸層及半導體層可 去除。 下文將説明依據本發明第一實施例之用於製造薄層電晶 體陣列面板的方法，請參考附圖圖4 a至7 C及圖1至3。 第一，如圖4A至4C，ITO的透明導電層及鉻的不透明 金屬層依序在絕緣基體上，由如濺射或化學蒸沉積（CVD) 及乾或溼電極法，沉積厚度300到1000埃，在該方法中使 用第一光罩以形成一像素電極20，一第一冗餘閘極墊片 22，一具有下層201，221，231及上層202，222，232的冗 餘資料蟄片2 3。其次，形成層間絕緣膜3 〇。在此，不透 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ί- - •裝--------訂---------線^-· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230309 A7

1230309 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（10 ) 區曝露出像素電極20。同時，由佈型各層而形成閘極線 路40，41，及儲存線路44，46。 止其次，如圖7A至7C所示，使用一光罩依序沉積由鉻製 造厚度約500埃之下層而由鋁或鋁合金製造厚度約25〇〇埃 的上層。資料線路包含資料線8 〇，源極電極8 1，汲極電 極8 2及資料墊片8 3，及第二冗餘閘極墊片8 4。在此資^ 線路80，81，82，83及第二冗餘閘極墊片84具有雙層結 構，包含由鉻製造之下層801，811，821，831及841，及 由铭製造之上層802，812，822及832，842。同時，當如果 不爲銘上層802，812，822，832及842覆蓋，佈型資料線路 之下鉻層時，蚀刻由鉻製造之之像素電極2 〇的上層，第 一冗餘閘極墊片22及冗餘資料墊片23。隨後，不使用一 光罩’蚀刻不爲資料線路80，81，82，83覆蓋的歐姆接觸 層7 2及第二冗餘閘極墊片8 4。現在曝露出在源極電極8 j 及没極電極82之間的半導體圖樣62。因此，只有在源極 電極8 1及汲極電極8 2及在交叉資料線8 〇的閘極線上留下 歐姆接觸層7 2。 現在請參考圖1至3，在形成資料線路8〇，81，82，83及 第二冗餘閘極墊片8 4後，由C VD或氮化矽或有機絕緣材 料的旋轉覆蓋，且使用光罩以形成接觸洞口 92，93，而分 別曝露出第一冗餘閘極墊片2 2及冗餘資料墊片2 3的下 ITO層221及231 ’以曝露像素電極2〇的下ιτΟ層201，而 形成厚度約3000埃的保護層9 〇。此時，爲了防止作用在 其次資料線8 0之影像信號的干擾，去除在閘極線4 〇上的 VJ --------^ Μ--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 13 1230309 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體圖樣62及其次資料線8〇之間的儲存線44，以分 其次薄層電晶體的半導體圖樣Μ。爲到達此目的，有^ 要圖樣保護層90以覆蓋資料線路8〇，及包含閘極電極 41，源極電極8 1及汲極電極82之薄層電晶體的一部:。 如果在依據上述第一實施例的製造方法中，由形成包含 雙層結構的資料線路，包含含IT〇之具有良好接觸性能之 如鉻材料製造的下層，及具有如鋁或鋁合金之低電阻材料 製造的上層，ΙΤΟ層不會與鋁或鋁合金接觸。因此，不會 破壞鋁或鋁合金。而且，經由在形成包含鋁或鋁合金之資 料線路前，形成包含ΙΤΟ的像素電極，可防止在ΙΤ〇蝕刻 期間資料線路的斷裂。在此，具有含ΙΤ0之良好接觸性能 的材料包含多種不同的材料，如鉻，鉬，鉬合金，妲或 鈥’但是不包含铭或銘合金。而且，由經由接觸洞口 92， 93曝露ΙΤΟ，該墊片部位變得更可靠。 依據第一實施例，包含ΙΤΟ的像素電極在形成閘極線路 之前形成。但是，可在形成閘極線路後形成閘極電極。此 將於下文中加以説明。 圖8爲依據本發明整個實施例用於液晶顯示之薄層電晶 體陣列面板之佈局圖，圖9，1 0爲沿圖1線ΐχ_ΙΧ，及χ_χ， 之截面圖。 如圖8所示，閘極線路40，41，42，儲存線路44，46， 資料線路80，81，82，83及半導體圖樣62，歐姆接觸層圖 樣7 2，歐姆接觸層圖樣5 2，及保護層圖樣8 〇的佈局結構 與第一實施例類似。 -14-

I I 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂--- s'. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1230309 經濟部智慧財產局員工消費合作社印1 A7 五、發明說明（12 ) 但是，與第一實施例不同的是，第二實施例中該閘極線 路40,41，42延遲位在絕緣基體1〇上，且在歐姆接觸層圖 樣7 2及没極電極8 2之間形成像素電極2 〇，其具有由如 ITO之透明材料製造的單層結構，且形成該汲極電極 82。而且，只由下層421製造閘極墊片42，且由一冗餘 閘極墊片2 2覆蓋該閘極墊片。 此將於下文中加以説明依據本發明第二實施例製造薄層 電晶體陣列面板的方法，請參考附圖〗〗A到1 4 c及圖8至 1 0 〇 第一，不似第一實施例，如圖！ J A到i i C所示，由一光 罩’依序沉積且佈型厚度約500埃的鉻，及厚度約25〇〇埃 的鋁或鋁合金，而形成包含閘極線4 〇，閘極電極4 i，閘 極墊片4 2的閘極線路，及包含儲存線4 4及儲存電極4 6的 儲存線路。在此，閘極線路4〇，41，42及儲存線路44，46 爲一雙層結構，包含由鉻製造之下層4〇1，411，421及 461，及由鋁製造之上層4〇2，412，422 , 462。 其次，如圖12A到12C所示，由化學蒸汽沉積法，依序 沉積厚度約4500埃的氮化秒或氧化秒製造的閘極絕緣層， 厚度約2000埃之如非晶矽的半導體製造的半導體層6 2， 厚度約5 0 0埃掺雜N型雜質之非晶矽製造的歐姆接觸層 7 2。然後’將各層佈型以形成層間絕緣膜圖樣3 〇，半導 m圖樣6 2 ’覆蓋閘極線路4〇，41及儲存線路44，46的歐姆 接觸層圖樣72。這些層不覆蓋閘極墊片42。其次，去除 銘或銘合金以曝露出閘極塾片4 2的下層4 2 1。 T · 裝--------訂-----1--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -15- 1230309

其次，如圖1 3 A到1 3 C所示，埃絕緣基體J 〇上經由如濺 射之類的方法，沉積厚度約3 〇 〇到1000埃的j τ 〇之透明導 電層。然後，使用一光罩，由乾或溼蝕刻方法佈型，以形 成像素電極2 0，覆蓋閘極墊片4 2的冗餘閘極墊片2 2，及 冗餘資料墊片23。 其次，如圖14Α到14C，使用一光罩依序沉積且佈型厚 度約5 0 0埃由鉻製造之之下層及厚度約25〇〇埃由鋁或鋁合 金製造之上層，以形成包含資料線8〇，源極電極81，汲 極電極82及資料墊片83的資料線路。在此資料線路肋， 81 82，83具有雙層結構，包含由鉻製造之之下層， 811，821，831，由鋁製造之上層8〇2，812，822及832。隨 後，不使用光罩而蝕刻不爲資料線8〇，81，82，83覆蓋的 歐姆接觸層7 2，以曝露出源極電極8丨及汲極電極8 2之間 的半導體圖樣6 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現在請參考圖8至1〇，在形成資料線路8〇，81，82，83 後，由C V D或氮化矽或有機絕緣材料的旋轉覆蓋，且使 用光罩佈型而形成分別曝露出冗餘閘極塾片22及冗餘資 料墊片2 3的接觸洞口，因此形成厚度約3〇〇〇埃的保護層 90，且曝露出像素電極2〇。而且，爲了防止作用在其次 資料線80的影像信號之干擾，去除在閘極線4〇上的半導 體層6 2及在其次資料線8 0之間的儲存線4 0而分開相鄰薄 層電晶體的半導體圖樣62。 而且’在第二實施例中，在形成資料線路之前形成具有 雙層結構的資料線路，即含IT〇之具良好接觸特性的鉻下 -16 -

1230309 A7 B7 14 五、發明說明（ 層及低電阻的鋁或鋁合金之上層，及像素電極，該I τ 0層 不接觸鋁或鋁合金。而且，防止資料線裂開或被破壞。 上述説明的薄層電晶體基體可具有多種不同結構，且使 用不同方法製造。 在本發明中，薄層電晶體陣列面板之製造可經使用鋁群 的線製造大型且高品質的LCD。另外，可防止破壞線 路。最後，閘極蟄片及資料墊片變得更可靠。 需佳實施例説明本發明，但爛熟本技術者 ::可對上述實施例加以更改及變更，而不 的精神及觀點。上述説明僅作爲舉例之用， 、贫月 在下文申請專利範圍所定義之本發明。 用於限制 J一 Μ--------1---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐

Claims (1)

1. 修正替換本 之色7月>1日| Α8 Β8 C8 Ό8 1230309 第089105〇53號專利申請案 中文申請專利本(93年7月） ~~7請專矛^ 1. 一種用於製造液晶顯示器用 法，該方法包含下列步驟： 在一絕緣基體上的像素區 素電極； 之薄膜電晶體陣列面板的方 中形成具有多像域圖樣的像 形成覆蓋基體上之像素電極的層間絕緣膜； 二1、巴、彖膜形成包含閘極線及閘極電極的閘極線 路，该閣極電極連接該閘極線丨 形成覆蓋該問極線路的閘極絕緣層圖樣； 在閘極絕緣層圖樣上形成一半導體圖樣； 在半導體圖樣上形成一歐姆接觸層； 形成一包含資料線的資料線路/此資料線路經由交叉 =極、泉連接#料線的源極電極及連接像素電極的沒極 私極H義像素區，其中在歐姆接觸層圖樣上形成源 極電極及汲極電極，且彼此分開；以及 *成覆蓋資料線路的保護層，保護層具有曝露該像素 電極的開口。 2. ::請專利範圍第！項之方法，其中使用一光罩，而在 單的光微影程序上形成該閘極絕緣層圖樣，該半導體 圖樣及該歐姆接觸層圖樣。 3. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中尚包含步騾為：在 形成資料線路後，蝕刻不為資料線路覆蓋的歐姆接觸層 圖樣。 4. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中尚包含在形成保護 層後蝕刻經該開口曝露之半導體圖樣，以分開相鄰像素 63325-^30722

   1230309 申請專利範 圍 A8 B8 C8 D8 區的半導體圖樣。 5’ 利範圍第1項之方法’其中尚包含步驟為形成 素電W儲存線路，以形成—儲存電容，該2 各位在與閘極線路之同一層上。 6·專利範圍第1項之方法’其中該儲存線路包含平 丁__的儲存線’且儲存電極連接至儲存線。 儲：：專利範圍第1項之方法，其中該開口向閘極線及 儲存線延伸。 申―明專利範圍第7項之方法，其中該閘極絕緣層圖 粟，該歐姆接觸層圖樣及該半導體圖樣覆蓋該閘極線路 及儲存線路。 々申峒專利範圍第8項之方法，其中在形成閘極絕緣層 " 半導組圖樣及歐姆接觸層圖樣的步驟中蝕刻層間 絕緣膜。 1〇·如申凊專利範圍第1項之方法，其中像素電極包含 ϊ Τ 〇 (銦錫氧化物）。 U·如申凊專利範圍第丨〇項之方法，其中該資料線路有一雙 層結構，包含如鉻，鉬，鉬合金，鈕，鈦之良導電性材 料製造的下層，及如鋁群之低電阻材料製造的上層。 12·如申請專利範圍第11項之方法，其中該閘極線路更進一 步包含一閘極墊片，此閘極墊片連接外部電路且接收來 自同一電路的信號，該資料線路更進一步包含一資料墊 片’此塾片連接外部電路，且接收來自相同電路的信 唬’以及該保護層具有接觸洞口，其曝露出閘極墊片及 63325-^30722 Λ -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇χ 297公釐) 1230309六、申請專利範圍 A B c D 資料塾片，以及 尚包含步驟為：在於像素電極的同一層上形成一冗餘 閘極墊片及冗餘資料墊片，且分別經接觸洞口連接閘極 墊片及資料墊片。 13.如申請專利範圍第丨項之方法，其中像素電極具有多個 含圓邊角的方塊，或方形，鋸齒形或交又形的 樣。 14· 一種用於製造液晶顯示器用之薄膜電晶體陣列面板的 法，該方法包含下列步驟： 在一絕緣基體上形成包含閘極線及閘極電極的閘極 路，該閘極電極連接該閘極線； 形成覆盍該閘極線路的閘極絕緣層圖樣； 在違閘極絕緣層圖樣上形成一半導體圖樣； 在該半導體圖樣上形成一歐姆接觸層圖樣； 在一像素區中形成具有多個像域圖樣的像素電極， 由透明材料製造此像素電極； 形成一包含資料線的資料線路，此資料線路經由交又 2極線，連#資料線的源極電極及連接像素電極的沒極 電極’而足義像素區’其中在歐姆接觸層圖樣上形成 極電極及汲極電極，且彼此分開；以及 形成覆盍資料線路的保護層，保護層具有曝露該像 電極的開口。 !5·如^請專利範圍第14項之方法，其中尚包含步驟為形风 重登像素電極的儲存線路，以形成一儲存電容，該儲存 圖 方 且 源 素 成 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 χ四7公釐) 1230309 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 線路位在與閘極線路之同一層上。 16.如申請專利範圍第15項之方法，其中該儲存線路包本平 行孩問極線的儲存線，且儲存電極連接至錯存線。 Π.如申請專利範圍第14項之方法，其中該開σ向閘極線及 儲存線延伸。 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中使用—光罩，經一 微影程序，形成該閘極絕緣層圖樣，該半導體圖樣，及 該歐姆接觸層圖樣。 19. 如申請專利範圍第！ 8項之方法，其中該問極絕緣層圖 樣，該歐姆接觸層圖樣及該半導體圖樣覆蓋該閘極線路 及儲存線路。 2〇.如申請專利範圍第14項之方法，其中尚包含步驟為在形 成閘極線路後，蝕刻不由資料線路覆蓋的歐姆接觸層圖 樣。 21. 如申請專利範圍第丨4項之方法，其中尚包含在形成保護 層後蝕刻經該開口曝露之半導體圖樣，以分開相鄰像素 區的半導體圖樣。 22. 如中請專利範圍第i 4項之方法，其中像素電極包含 I T 0 (銦錫氧化物）。 23. 如申請專利範圍第2 2項之方法’其中該資料線路有一雙 層結構，包含如路，銷，麵合金，金，鈇之含丨丁 〇良導 電性材料製造的下層，及如鋁或鋁合金之低電阻材料製 造的上層。 24·如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該閘極線路更進一 -4 1230309 A B c D 申請專利範圍 步包含一閘極墊片，此閘極墊片連接外部電路且接收來 自同一電路的信號，該資料線路更進一步包含一資料墊 片，此墊片連接外部電路，且接收來自相同電路的信 號’以及該保護層具有接觸洞口，其曝露出閘極墊片及 資料墊片，以及 尚包含步驟為：在於像素電極的同一層上形成一冗餘問 極墊片及冗餘資料墊片，且分別經接觸洞口連接閘極墊 片及資料墊片。 & 25.如申請專利範圍第丨4項之方法，其中像素電極具有多個 含圓邊角的方塊，或方形，鋸齒形或交又形的開口圖 樣。