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A7 B7 <50862 五、發明説明（） 發明領域 本發明你鼷於裂造一種液晶顯示器（LCD)元件之方法 ，待指一種能在信號線和像素電極間避免短路之製迪液 晶顯示元件之方法。 相鼷技術說明 使用薄膜電晶艤（TFT)之有源矩陣LCD元件己按析像 度和功能之角度發展出來，此係因為TFT能自非晶矽造 成。 在一先前技術術之製迪有源矩陣LCD元件之方法，一 閘極線圖型層形成在一絶緣基材之TFT形成面稹上。然 後一閘極绝綠層形成在閘極線画型層和絶緣基材上。其 次一非晶矽圖型層形成在閘極絶絲層之TFT形成匾上，而 且一像素電極圈型層形成在闞極绝緣層之侏素電棰圖型 形成區上。此將詳述於後。 上述先前技術之方法中，由於信號線鼷型層和像素電 棰圖型層在閘極絶緣層上，即是在同一平面上，在信號 線圖型層與像素霣極圖型層間可能發生短路。待別是當 執行於非晶矽上之蝕刻過程沒有達成信號線形成匾與像 ......—.....-..........裝................-可................線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 矽 晶 〇 非路 之短 下之 留間 間層 其型 在圓 ，棰 去電 蝕素 份像 部與 一 層 之型 間圖 之線 區號 成信 形起 極引 E fcb 素可 述 簡 明 發 線 號 信 在 一 能 中 造 其 製 ， 於 法 用 方 ,〇 之 法件件 方元元 種 D D c C I L L 供之造 提路製 是短於 的免用 目避 ， 一 間明 之極發 明電本 發素據 本像根 與 棰 闞 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) ^59862 A7 B7五、發明説明（） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 電上之 極了短 更 面 件 先 平 元 素區層電除.·之將 平元 二之 D 像成緣 素移間式 之 D 第件LC 一形绝 像全層 _ 件LC❶之 元 陣 和線棰 與完型 Μ 元 陣 圖件 D 矩 層號閘 Ε是躓 伴 D 矩 。面元LC源 型倍之 成矽棰 考LC源 _剖0 陣 有 c Η一間 形晶電 參 陣 有 面橫LC矩 之。圖 線之匾 線非素 及 矩 之。剖之陣 源 匾圖面 號層成 號些德 術 源 圖圖橫良矩 有 6 面剖 倍緣形 信那舆 技 有 1面之改源 一 第剖横 一絶檯 在，層 前 之 第剖線種有 之 造横之 及極電 存上型 先 術 造横號一造。明 製各線 材閘素 留層園 與 技 製各信之製圖發 於之號 基該像 會绨線 ， 前 於之之圖於面本 用例信 结在與 矽絶號 明 先 用法中2Ε用剖據 示施之 绝成匾。晶極倍 說 一 示方圖第示検根 顯實圈 一形成除非閘在 面 解 顯術1示顯各解 是16 在別形蝕使之了 下 C明圖 圖技第顯面之圖 圖第第 成分線被即間免 之解說是2Ε前是是5D法是7F之是 形»號即，之避 明瞭單圖 至先圖圈至方圖 至法圖 層型信份此匾此 發顳簡1 以134以術6。以方8 緒圈在部因成因。本明示第。第第第第第技第圖第之第 绝極。一 形，路 為圖 圖 之 前 面 件 .......................裝................訂................線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ 297公釐) 259862 A7 B7 五、發明説明（+ ) 第9圖是圈解根據本發明之一有源矩陣LCD元件之平 面圖。 第10A至10P_顯示用於製造第9 _之有源矩陣LCD元 件之方法之第二寊施例之各横剖面圖。 第11圖是第9圖之信號線之横剖面圖。 第12圔是圈解根據本發明之一有源矩陣LCD元件之平 面圖。 第13A至13F圓顯示用於製造第12圖之有源矩陣LCD元 件之方法之第三資施例之各横剖面圖。 第14圖是第12圖之信號線之横剖面圖。 第15A至15P圃顯示用於製造第6圖之有源矩陣LCD元 件之方法之第四實施例之各横剖面圖。 第16圔是第6圖之信號線之另一種横剖面圖。 最佳實施例詳细說明 在說明最佳實施例之前，用於製造一有源矩陣LCD元 件之先前技術方法將參考圖1 、2八至2£、3 、4和5六至 5D加以說明。 圖1是用於圖解一先前技術之有源矩陣LCD元件之平 面圖。圖2A至2E是顯示製造第1圖之元件之第一先前技 術方法之各横剖面圖。圖3是圖1之信號線之横剖面圖。 首先參考圖1 ，提供有多個信號線，如SLi 和S Li+1 及多個閘極線如GLj，及提供一透明之像素電極如 Eij或Ei+Uj 經過TFT如Qy或Qi+Uj接在信號線Sl^, SL i+1, 一-與閘極線GL i，----間之每一交叉點。例如在 -5- _本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） I I I I 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 經濟部中央輮準局員工消费合作社印袋 259862 五、發明説明（▲) TFTQi：j，一閘極連接至閘極線GLj,—源極連接至像素 電極E..,及一吸極連接至信號線SL.。於是當TPTQ.. ID 1 X3 被閘極線之電壓開動和關閉時，信號線S L±是埋接至及 不連接至像素電極Eij。 圖1之LCD元件之製造將參考圖2A至2E中之圖1 TFT Qi;j之周邊之横剖面圖而說明之。在圖2/\至2£中，A1指示 一 TFT形成區，A2指示一信號線形成區，及A3指示一像 素電極形成區。 參考圖2A, —閘極線層2形成在玻璃基材1上之TFT 形成區A1上。由氧化鉅，氧化矽（TaO, SiO)或相類物製 成之第一閘極絕緣層31澱積在全部表面上，然後由氮化 矽（SiN)或相類物之第二閘極絕緣層澱積至其上Μ形成 一閘極絕緣層3 。 其次參考圖2Β,用作TFT之通道區域之一 I形非晶矽 層4澱積至全部表面上及用作低電姐接觸结構之N形非 晶矽澱積其上。 再次參考圖2 C ,該非晶矽層4和5被圖型化。 再次該閘極絕緣層3被圖型化以使接觸孔（未顯示）形 成在其中供接觸结構之用。 再次參考圖2D,由鉻、鉬/鉅，鋁，或鋁/|@(Cr, Mo/ ΤΑ, 或Al/Ta)製成之單層或多層之導電圖型層7被形 成。同樣由I TO造成之透明像素電極層8形成在全部表 面上。 最後參考圖2E該透明像素電極被圖型化。然後一鈍化 一 6 - 本紙張尺度適用f國國家_揉?^Γ CNS )—A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -β 259862 A7 B7 五、發明説明（：） 層9被形成並加i圖型化。此案例中信號線S Li之周邊 是顯示於圖3中。 圖2E和圖3中，該導電圖型層7(S)和7(D)分別是TFT ij 之源極和吸極。同樣導電圖型層7(SLi)是信號線SLi。 此外像素電極圖型層8 (E j )和8 ( Ei j )分別是像素電 極 Ei-l,j 和 Eij 。 圖4是圖2E之改良型，其中一閘極線層2’埋藏於玻璃 基材1中（見JP-A-HEI4-32 4938日本專利公告）。於是該 玻璃基材1在離子束磨磨器中與一光阻抗蝕層圖型（未 顯示）之光罩被氤（Ar)氧蝕刻。在此案例中蝕刻深度是 與圖2E中之閘極線層2之高度大約相同。其结果，TFT Qij之高度被降低Μ減少定位之缺點及液晶之缺點。同 樣蝕刻深度是造成足夠的大以減小閘極線層2之電阻。 用於製造有源矩陣CCD元件之第二先前技術方法將以 參考圖5Α至5D而說明（見JP-A-HE 12 -234126日本專利公 告）。 · 首先參考圖5Α,由鉻造成之導電層gl藉在玻璃基材1 上之噴濺過程而形成並加Μ圖型化Μ形成一閘極接頭 GTM , —閘極線GL及一閘極電極GT。其次由鋁造成之導 電層g2藉在閘極接頭GTM和閘極線GL上之噴濺過程形成 。在此案例，閘極接頭GTM上之導電層g2是在鈍化層 PSV之外側（未顯示於圖5A中，但顯示在圖5C和5D中）。 其次參考圖5B,由氮化矽造成之閘極絕緣層是形成在全 部表面。然後一 I型非晶矽層A S和一 H +型矽層d 0被形 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） ---------------tT------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 經濟部中央標準局貝工消費合作社印衷 259862 g 五、發明説明（知） 成。再次一導電層dl形成並被圖型化。而後該導霉層do 被團型化。同樣一導電曆d2被形成及團型化。再後一由 I TO造成之透明電極層d3被形成及圖型化。因此，一源 極S , —吸極D ，一信號線SL和一吸極接頭DTM被形成 。在此案例中，在吸極接頭DTM上之導電層d2是在鈍化 層PSV之外側（見圖5C和5D)。其時該鈍化層PSV是由電 漿化學氣相之毅稹（CVD)過程形成在全部表面上。 再次參考圖5C,該鈍化層PSV被圖型化及閘極絕緣層 3亦被圖型化。 最後參考圖5D,在閘極接頭GTM上之導電層g2和在吸 極接頭DTM上之導電層d2皆被移除。其時由IT0造成之 透明像素電極層被形成及圖型化，Μ在閘極接頭GTM和 吸極接頭DTM上形成一上部層ΤΜΤ 。

因此，在如圖5Α至5D中所示之第二先前技術中，由於 同時實施閘極絕緣層3和鈍化層P S V之圖型化，光阻抗 蝕層中之針孔很難轉移至閘極絕緣層3 ,因之閘極線6L (閘極電極GT)與吸極線DL (源極和吸極）間難有短路，如 此加強了製造產出。 但在上述，各先前技術方法中，由於信號線（或吸極 線）和像素電極圖型層是在閘極絕緣層3上形成，即是 在同一平面上，短路即可能發生在信號線（或吸極線）與 像素電極圖型罾之間。特別是在非晶矽上執行之蝕刻過 程未能蝕刻信號線形成和像素電極形成區之間之一部份 時，其間留下之非晶矽可能在信號線（或吸極線）與像素 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ..... I I 裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 259862 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袋 五、發明説明 ( 7 ) 1 1 I 電 極 圖 型 層 間 引 起 短 路 〇 1 1 1 本 發 明 之 第 一 實 施 例 將 參 考 圖 6 % 7 A 至 7F和 8 說 明 如 1 1 下 〇 請 先 1 1 閱 I 圖 6 是 翻 例 說 明 根 據 本 發 明 之 有 源 矩 陣 LCD 元 件 之 讀 背 1 平 面 few 圖 ； 1ΗΙ 酬 7 A 至 7F是 顯 示 圈 6 中 製 造 元 件 之 方 法 之 各 横 面 之 1 1 剖 面 圈 ; 而 ΓΒΠ 國 8 是 圖 6 中 之 信 號 媒 SLi之横剖面圖 t 事 1 如 圖 6 所 示 t 一 凹 低 部 份 如 R1 i- 1, j 形 成 在 信 號 線 形 項 再 填 1 1 裝 I .成 區 與 像 素 電 極 形 成 1¾ 間 之 閘 極 絕 緣 層 3 中 ( 未 顯 示 於 寫 本 圖 6 中 但 顯 示 在 圖 7D 7E和 7F 中 ) 〇 賁 、〆 1 1 參 考 圖 7 A 如 圖 2 A 之 相 同 方 式 一 閘 極 線 層 2 形 成 在 玻 1 | 璃 基 材 1 之 TFT 形 成 區 A1 上 同 樣 由 Ta 0 , S i 0或 相 類 物 1 i 造 成 之 第 一 閘 極 絕 緣 層 31 澱 積 在 全 部 表 面 上 ♦ 然 後 由 S i N 1 訂 或 相 類 物 造 成 之 第 二 閘 極 絕 緣 層 32 澱 積 在 其 上 Μ 形 成 一 1 I 閘 極 絕 緣 層 3 0 1 1 其 次 參 考 圖 7B > 如 nai 圓 2B 之 相 同 方 式 9 用 作 TFT 之 通 道 1 1 區 域 之 I 型 非 晶 矽 層 4 m 積 在 全 部 表 面 上 » 及 一 用 作 低 1 線 電 姐 接 觸 结 構 之 N 型 非 晶 矽 層 5 又 m 積 在 其 上 〇 1 再 次 參 考 画 7C如 圖 2C 之 相 同 方 式 9 非 晶 矽 層 4 和 5 皆 1 I 加 Μ 圖 型 化 〇 1 1 再 次 參 考 圖 7D ♦ 該 閘 極 絕 緣 層 3 與 一 光 m 抗 蝕 層 藉 使 1 1 用 乾 蝕 刻 過 程 為 形 成 接 觸 結 構 (未顯示） 而 被 蝕 刻 » Μ 形 1 I 成 凹 低 部 份 R 1 i— ] 於 閘 極 絕 緣 層 3 之 内 〇 於 是 在 信 號 1 1 線 形 成 A2與 像 素 電 極 形 成 A3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 之 部 1 | 份 被 蝕 刻 〇 1 -9 - 1 1 1 本紙張尺度—逋用中國國家標準（CNS -广A_4#t格(_·210 X 25»7公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 再 次 參 考 圖 7E ， 如 ΓΒΠ MBI 2D之 相 同 方 式 » 由 C r Mo /T a , 1 1 A1 或 Al/ Ta 造 成 之 單 層 或 多 層 之 導 電 圓 型 層 7 被 形 成 〇 同 1 I 樣 由 IT0 造 成 之 透 明 像 素 電 極 層 8 形 成 在 全 部 表 面 〇 請 先 1 1 閱 I 最 後 參 考 圖 7F » 如 ΠΤ 圖 2E 之 相 同 方 式 9 透 明 像 素 電 極 層 讀 背 1 8 被 鼸 型 化 〇 然 後 一 鈍 化 層 9 被 形 成 及 tsss 國 型 化 〇 在 本 案 之 1 注 1 例 中 信 號 線 SL i之周邊如匾8 所示 意 事 1 在 圖 8 中 一 凹 低 部 份 Rlij 加 上 凹 低 部 份 Rli_ 1,: 1 形 項 再 1 1 成 於 閘 極 絕 緣 層 3 中 〇 於 是 信 號 媒 SL i被凹低部份R li -1，j 寫 本 頁 1 和 Rlij 圍 繞 〇 V， 1 如 此 在 第 一 實 拖 例 中 » 信 號 線 形 成 區 A2與 像 素 電 極 形 1 | 成 區 A3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 之 部 份 是 與 用 於 接 觸 结 構 之 接 1 觸 孔 形 成 之 同 時 被 移 除 0 因 此 即 使 如 圖 7C所 示 由 非 晶 矽 1 訂 層 4 和 5 之 蝕 刻 過 程 在 信 號 線 形 成 區 A2與 像 素 電 極 形 成 1 I 區 A3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 留 有 非 晶 矽 該 非 晶 矽 是 由 閘 極 1 i 絕 緣 層 3 之 蝕 刻 過 程 而 移 除 如 圖 7D所 示 〇 同 樣 該 閘 極 絕 1 1 緣 層 3 之 蝕 刻 過 程 使 用 一 形 成 接 觸 孔 之 步 驟 並 未 增 多 m 1 線 造 步 驟 〇 因 此 製 造 成 本 幾 乎 沒 有 增 加 0 1 本 發 明 之 第 二 實 施 例 將 參 考 圖 9 1 0 A至 1 0P和 11 說 明 1 | 如 下 〇 1 1 圖 9 是 圖 例 說 明 根 據 本 發 明 之 一 有 源 矩 陣 LCD 元 件 之 1 1 平 面 圖 圖 10A 至 1 OF 是 顯 示 tsi 酬 9 中 製 造 元 件 之 方 法 之 各 1 I 横 剖 面 圖 而 [5T 画 11 是 面 圖 9 中 之 信 號 線 SLi之横剖面圖 > 1 1 如 Π5Π _ 9 所 示 * — 凹 低 部 份 如 R2i_ 1/ j 形 成 在 信 號 線 形 1 I 成 1¾ A2與 像 素 電 極 形 成 區 A3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 中 ( 未 顯 1 1 -1 0- 1 1 1 本家ii^TCNS卞MB ( 210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 < 59862 a7 B7 五、發明説明（9 ) 示於圖9但顯示在圖10D、10E和10F中）。同樣如Eij 之像素電極伸延於凹低部份R2ij上。其结果，即使當使 信號線SLi非常接近於像素電極j和Ei：j ,其間之 非晶矽之部份能完全移除。 參考圖10A ,如圖7A之相同方式，一閘極線層2形成 在玻璃基材1之TFT形成區A1上，同樣由TaO, SiO或相 類物造成之第一閘極絕緣層31澱積在全部表面上，然後 由SiN或相類物造成之第二閘極絕緣層32澱積在其上Μ 形成一閘極絕緣層3 。 其次參照圖10Β ,如圖7Β之相同方式，用作TFT之通 道區域之I型非晶矽層4澱積在全部表面上，及一用作 低電阻接觸结構之N型非晶矽層5又澱積其上。 再次參考圖1 0 C ,如圖7 C之相同方式，該非晶矽層4 和5皆加Μ圖型化。 再次參考圖10D ,如圖7D之相同方式，該閘極絕緣層 3與一光姐抗蝕層藉使用乾蝕刻過程為形成接觸结構-(未顯示）而被蝕刻，Μ形成凹低部份R 2i_lf j 於閘極絕 緣層3之內。於是在信號線形成區A2與像素電極形成區 A 3間之閘極絕緣層3之部份被蝕刻。 再次參考圖10E ,如圖7D之相同方式，由Cr, Mo/Ta, A1或Al/Ta造成之單層或多層之導電圖型層7被形成。 同樣由I TO造成之透明像素電極層8形成在全部表面。 最後參考圖10F ,如圖7F之相同方式，該透明像素電 極層8被圖型化。在本案例中，該像素電極曆8 (Ej ) -1 1 - ---------d------tT------it (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公會·-) 259862 a? B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 五、發明説明（ c ) 1 1 1 是 部 份 位 於 該 閘 極 絕 緣 層 3 之 凹 低 部 份 R2 i- 1, j 上 〇 妖 1 1 後 一 鈍 化 暦 9 被 形 成 及 圖 型 化 〇 在 本 案 例 中 信號 線 SL i '、 1 I 之 周 邊 如 圖 1 1所示 〇 請 1 1 閱 I 在 圖 1 1中 * -* 凹 低 部 份 R2 ij加 上 凹 低 部 份 R2 i. -1, j 形 讀 背 1 1 成 於 閘 極 絕 緣 曆 3 中 9 於 是 信 號 線 SL •1被凹低部份R2 i«l# j 1¾ 之 1 注 1 和 R2ij 園 繞 * 凹 低 部 份 上 伸 延 有 像 素 電 極 層 (E i-i. j) 和 意 事 1 8 (Eij ) 〇 項 再 1 I 1 1 如 此 即 使 在 第 二 實 施 例 中 » 信 號 線 形 成 區A2與 像 素 本 電 極 形 成區A 3間之 閘 極 絕 緣 層 3 之 部 份 是 與 用於 接 觸 结 頁 1 1 構 之 接 觸 孔 形 成 之 同 時 被 移 除 〇 同 樣 像 素 電 極層 8 是 部 1 I 份 位 在 凹 低 部 份 R2 i-1, j和R 2i j上 >因此即使如圖10C所 1 | 示 9 由 非 晶 矽 層 4 和 5 之 蝕 刻 過 程 在 信 號 線 形成 區 A2與 1 訂 像 素 電 極 形 成區A3間 之 距 離 是 非 常 之 小 及 其 間之 閘 極 絕 1 I 緣 層 3 上 留 有 非 晶 矽 0 那 些 非 晶 矽 已 被 閘 極 絕緣 層 3 之 1 I 蝕 刻 過 程 所 移 除 如 ΙΞΙ 國 10 D 所 示 〇 同 樣 該 閘 極 絕緣 層 3 之 1 I 蝕 刻 過 程 使 用 一 形 成 接 觸 孔 之 步 驟 並 未 增 多 製造 步 驟 .0 1 線 因 此 製 造 成 本 幾 乎 沒 有 增 加 0 1 本 發 明 之 第 三 實 施 例 將 參 考 圖 12 、 13八至13卩和 14說明 1 I 如 下 〇 1 1 EST _ 1 2是 ΠΒΠ 國 例 說 明 根 據 本 發 明 之 一 有 源矩陣LCD 元 件 之 1 1 平 面 回 _ t 圖 13A至13F是顯示 回 圖 1 2中 製 造 元 件 之方 法 之 各 1 I 横 剖 面 圆 圖 » 而 圖 14是 圖 1 2中 之 信 號 線 SL i之横剖面圖c 1 1 如 _ 1 2所 示 * 一 凹 低 部 份 釦 R3i_: 形 成 在閘 極 絕 緣 1 ! 層 3 (未顯示贫 Ϊ圖12中但顯示於圖13D 、 13E和 13F 中） 中 1 -1 2- 1 1 1 本紙^尺度適用中固國家標準（-CNSfA-4^3格t2t〇X-297-公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 259862 a? B7 五、發明説明（i，） 信號線層SLi, SLi+1之下，W及信號線形成區與像素電 極形成區之間。 參考圖13A ，如圖7A之相同方式，一閘極線層2形成 在玻璃基材1之TFT形成區A1上，同樣由TaO, SiO或相 類物造成之第一閘極絕緣層31澱横在全部表面上，然後 由SiN或相類物造成之第二閘極絕緣層32澱積在其上Μ 形成一閘極絕緣喔3 。 其次參考圖13Β ,如圖7Α之相同方式，用作TFT通道 區域之I型非晶矽層4澱積在全部表面上，及一用作低 電胆接觸结構之N型非晶矽層5又澱積其上。 再次參考圖13C ,如圖7C之相同方式，該非晶矽層4 和5皆加Μ圖型化。 再次參考圖13D ,如圖7D之相同方式，該閘極絕緣層 3與一光姐抗蝕層藉使用乾蝕刻過程為形成接觸结構 (未顯示）而被蝕刻，Κ形成凹低部份R 3 ij於閘極絕緣層 3之内。於是在信號線形成區A2中及在信號線形成區A2 與像素電極形成區A3間之閘掻絕緣層3之部份被蝕刻。 再次參考圖13E ,如圖7D之相同方式，由C「， Mo/Ta, A1或Al/Ta造成之單層或多層之導電圖型層7被形成。 同樣由IT0形成之透明像素電極層8形成在全部表面。 最後參考圖13F ,該透明像素電極層8被圖型化，因 此信號線SLiB成在凹低部份R3i;j之內。然後一純化層9 被形成及圖型化。在本案例中信號線SLi之周邊如圖14 所示。 -13- — -本—紙張尺度適用中爵國家標準-(CNS_) Α4*#·-( 210X297公釐〉 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^59862 A7 B7 五、發明説明（a ) 在圖14中，該凹低部份R3ij形成在閘極絕緣層3中。 於是信號線S Li是位於凹低部份R3±j之内。 如此，即使在第三實施例中，信號線形成區A2中及在 信號線形成區A2與像素電極形成區A3間之閘極絕緣層3 之部份是與用於接觸結構之接觸孔V之形成同時被移除 。因此即使當信號線形成區A2與像素電極形成區A3間之 距離是非常之小及由非晶矽層4和5之蝕刻過程在其間 之閘極絕緣層3上留有非晶矽，那些非晶矽已被閘極絕 緣層3之蝕刻過程所移除如函13D所示。同樣該閘極絕 緣層3之蝕刻過程使用一形成接觸孔之步驟並未增多製 造步驟。因此製造成本幾乎沒有增加。 本發明之第四實施例將參考圖15A至15F和16說明。圖 15A至15F是顯示圖6中製造元件之方法之各横剖面圖， 而圖16是圖6之中之一信號線SL之横剖面圖。 在第四實胞例中，凹低部份如Rli_1/；j 形成在鈍化層 9中及在信號線形成區A2與像素電極形成區A3間之閘極 絕緣層3中（未顯示在匾12中但顯示在圖15F中）。 參考圖15A ,如圖7A之相同方式，閘極線層2形成在 玻璃基材1之TFT形成區A1上。同樣由TaO, SiO或相類 物造成之第一閘極絕緣層31澱積在全部表面上。然後由 SiN或相類物造成之第二閘極絕緣層32澱積在其上Μ形 成一閘極絕緣層3 。 其次參考圖15Β ,如圖7Β之相同方式，用作通道區域 之I型非晶矽層4澱積在全部表面上，及一用作低電阻 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

In I n n 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 50862 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 五、發明説明 (丨》 ) 接 觸 结 構 之 N 型 非 晶 矽 層 5 m 積 其 上 〇 再 次 參 考 t—l 画 1 5C t 如 圖 7C 之 相 同 方 式 > 該 非 晶 矽 層 4 和 5 皆 加 Μ 圖 型 化 〇 再 次 t 該 閘 極 絕 緣 層 3 與 一 光 阻 抗 蝕 層 藉 使 用 乾 蝕 刻 過 程 為 形 成 接 觸 结 構 (未顯示） 而 被 牲 刻 〇 但 是 在 此 案 例 中 > 在 信 號 線 形 成 區 /\2與 像 素 電 極 形 成 區 A3 間 之 閘 極 絕 緣 層 3 之 部 份 未 被 蝕 刻 〇 再 次 參 考 圖 1 5D y 如 圖 7E 之 相 同 方 式 > 由 Cr t Mo /T a , A 1 或 A 1 /T a造成之單層或多層之導電圖型層7 被形成< ) 再 次 參 考 圖 1 5Ε » 一 由 ΙΤ0 造 成 之 透 明 像 素 電 極 層 8 形 成 在 全 部 表 面 上 〇 最 後 參 考 圖 1 5F » 一 鈍 化 層 9 被 形 成 〇 m 後 該 鈍 化 層 9 和 閘 極 絕 緣 層 3 同 時 被 圖 型 化 〇 在 此 菜 例 中 * 信 號 線 SL i之周邊如圖1 6所示 1 在 圖 16 中 » 一 凹 低 部 份 R 1 i j 加 上 凹 低 部 份 Rli_] L, j 皆 形 成 在 閘 極 絕 緣 層 3 中 » 於 是 信 號 線 SLi被凹低部份R-l-; < 和 Riij 所 圍 繞 〇 如 此 » 即 使 在 第 四 實 施 例 中 ， 信 號 線 形 成 A2與 像 素 電 極 形 成 區 A3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 之 部 份 是 與 用 於 接 觸 结 構 之 接 觸 孔 形 成 之 同 時 被 移 除 〇 因 此 即 使 如 圖 1 5C 所 示 » 由 非 晶 矽 層 4 和 5 之 蝕 刻 過 程 在 信 號 線 形 成 區 A2與 像 素 電 極 形 成 A 3間 之 閘 極 絕 緣 層 3 上 留 有 非 晶 矽 » 那 些 非 晶 矽 已 由 閘 極 絕 緣 層 3 之 蝕 刻 過 程 所 移 除 如 圖 1 3F 所 示 〇 同 樣 該 閘 極 絕 緣 層 3 之 蝕 刻 過 程 使 用 一 形 成 接 觸 孔 -1 5- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） 請 先 鬩 讀 背 之 注 意 事 項 再 f裝 頁 訂 259862五、發明説明（，4 ) 加行間能 增執區亦 有上成路 沒矽形短 乎晶極之 幾非電間 本在素極 成當像電 造使與素 製即區像 此，成與 因明形線 。 發線號 驟本號信 步據信 ， 造根在除 製，將蝕 多明能份 增說不部 未之程之 並上遇矽 驟以刻晶。 步如蝕非免 之 之之避 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印袋 本依張尺度適用_中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2t&X_297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Z 59862 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種用於製造液晶顯示元件之方法，其特徴包括下列 步驟： 形成一 W極絕緣層（3)於一絕緣基材（1)上； 蝕刻該閛極絕緣層在信號線形成區（A2)與像素電極 形成區（A3)間之一部份； 形成一信號線匾型層（S 4)於該閘極絕緣層之像素 電極區上；及 形成一像素電極圖型層（Eij)於該閘極絕緣層之像 素電極區上。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該像素電極圖型 層形成步驟又形成該像素電極画型層於該基材之一部 份上其處是該閘極絕緣層被蝕刻之一部份。 3. 如申謫専利範_第1項之方法，其中該閘棰绝線層蝕 刻步鼸又蝕刻在倍號線形成區之該關極絶緣層。 4 . 一種用於製造液晶顯示元件之方法，其特徵包括下列 步驟： 形成一閘極絕緣層（3 )於一絕緣基材（1 )上； 形成一信號線圖型層（SLi)於該閘極絕緣層之一信 號線區上； 形成一像素電極圖型層（Eq)於該閘極絕緣層之一 像素電極區（A3)上； 形成一鈍化層（9)於該信號線圖型和該像素電極圖 型上；及 蝕刻該鈍化層之一部份及在信號線形成區與像素電 17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 ---------^------1T------,ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ59862 as Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 極形成區間之閘極絕緣層之一部份。 5. —種用於製造液晶顯示元件之方法，其特激包括下列 步驟： 形成一 Μ極線圆型層（GL )於一絶鐮基材（1)之一薄 膜電晶體（TFT)形成區（A1)上； 形成一閘極絕緣靨（3)於該絕緣基材（1)和該閘極 線圖型層上； 形成一非晶矽圖型層（4 , 5 )於該閘極絕緣層之薄膜 電晶體形成區上； 蝕刻在一信號線形成區（A2)與一像素電極形成區 (A 3 )間該閘極絕緣層之一部份； 形成一源極/吸極圖型層及一信號線圖型層（S Li) 分刖於該閘極絕緣層之薄膜電晶體形成區和信號線區 上；及 形成一像素電極圖型層（Eij)於該閘極絕緣層之像 素電極層上。 - 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該像素電極圖型 層形成步驟又形成該像素電極圖型層於該閘極絕緣層 被蝕刻部份處該絕緣基材之一部份。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該像絕緣層蝕刻 步驟又蝕刻在信號線形成區之該閘極絕緣層。 8. —種用於製造液晶顯示元件之方法，其特激包括下列 步驟： 形成一閘極絕緣層（G、）於一絕緣基材（1)之一薄 -18- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "59862 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (:層 .，層 型 上緣 圖 ♦, 區絕 矽上 成極.，晶區 形閘上非成 體一層一形 晶成型成體 電形圖形晶 膜線電 材 基 緣 絕 該 於 極 閘 該 和 膜 薄 之 層 緣 絕 極 閘 該 於 \1/ 5 別上 - bKr 分區 之 }線 S i 層 L ^ ^ (S信緣 I , 絕 層 一 S 極 型及Η Η罾亥線成：： 號形W 信體ij 一晶(E 和電層 層瞑型 極薄圖 吸之極 \ 層電 極緣素 源絕像 1 極 一 成閘成 形該形 於 層 ;化 上鈍 區一 極成 電形 素 圖 極 電 素 像 該 和 型 圖 線 號 信 該 於 電 素 像 與 區 成 形 線 號 信 在 及 份 部 1 之 層 化 純 及該 ; 刻 上蝕 型 份 ： 部括 一 包 之徵 層特 緣其 絕 ， 極件 閛元 之示 間顯 區晶 成液 形種 極一 9 層 緣 ;絕 }極 1 mg： 材二 基第 緣和 絕 一 一 第 互 並 上 層 緣 絕 1 在 成 形 及 。 ; 上 上層 層緣 緣絕 絕極 極閘 閘二 一 第 第該 該在 在成 成形 形dr \J/ i i E L ( (s極 線電 ; 號素 離信像 分 一 一 相 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ,ιτ 線 經濟部中央梯準局負工消費合作社印製 伸 。 極上 電材 素基 像緣 該絕 上 中該 材 其之： 基 ，間括 緣 件層包 絕 元緣徵 該 之絕特 在 項極其 成 9 閘， 形 第二件 .，} 圍第元 >(3 範和示(1層 利一顯材緣 專第晶基絕 請該液緣極 申在種絕閘 如至 一一一 . 延 . 本紙張尺度適用中鬮國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） *-59862 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一信號線（SLi)形成在該絕緣基材上；及 一像素電極（Eij)形成在閛極絕緣層上。 12. —種液晶顯示元件，其特激包括： 一絕緣基材（1 ); 一閘極線（G Li)形成在該絕緣基材上； 第一和第二閘極絕緣暦（3)形成在該絕緣基材上 並互相分離；該第一絕緣層覆蓋該閘極線； 一源極/吸極圖型形成在該第一閘極絕緣層上與 該閘極線相對立； 一信號線（SLi)形成在該第一閘極絕緣層；及 一像素電極（Ei;j)形成在該第二閘極絕緣層上。 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局®：；工消費合作社印製 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐）