1226124 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關適用Silic011 〇11 Insu】ai〇r (以下略記爲 [SOI])技術之光電裝置及半導體裝置之製造方法，光電 A置及半導體裝置以及投射型顯示裝置，電子機器，特別 是關於製造產率優越信賴性高之光電裝置及半導體裝置之 方法，以及信賴性優越之光電裝置及半導體裝置。 【先前技術】 以住’於絕緣機體上形成由單晶砂層而成之半導體層 ’並於其半導體層形成電晶體等之半導體設計之S01技術 系具有元件之高速化及低效耗電力化，高積體化等優點， 並針對光電裝置（例如：液晶裝置）亦爲適用在形成薄膜 電晶體 (Thin Film Transistor， 以下略言己爲 「TFT」 ） 排列之支撐基板等之技術’而對於製造適用如此s 〇 ]技術 β光電裝置係貼合具有由單晶砂層而成之單晶半導體層之 半導體基板，並根據硏磨之方法形成薄膜單晶半導體層， 再將其薄膜單晶半導體層形成於例如液晶驅動用之電晶體 元件。 另外，針對半導體積體電路裝置，使不同層厚之半導 體範圍混入於S 0 I基板上之技術係被適用著，例如，在以 下曰本專利文獻1之中係記載有從形成在埋入氧化膜上之 不同層厚矽層之中，由形成部份空乏型之C Μ 0 S設計於厚 矽層，而對於薄側之矽層係形成完全空乏型之CM 〇 S設計 (2) 1226124 之情況，將可同時進行低泄放電流與高速動作之內容。 特別是’在最近之液晶裝置之中係與液晶驅動用之電 晶®兀件同時製造將構成週邊電路之電晶體元件等之電路 形成在同一基板上之液晶裝置，而如此之液晶裝置之中係 將爲了形成液晶驅動用之電晶體元件之半導體層作爲比爲 了形成構成週邊電路之電晶體元件半導體層還薄之形成（ 例如·參照曰本專利文獻])，而如根據如此之液晶裝置 ’在液晶驅動用之電晶體元件之中係可降低光泄放電流， 並在週邊電路之中係可實現電晶體元件之高速驅動，另外 可降低無泄放電流。 圖1 2係表示具備如此不同層厚之半導體層的半導體 裝®或光電裝置之製造工程之剖面工程圖，而表示在此圖 之製造方法係準備具備有藉由氧化矽層5 1 2形成在圖1 2 A 所示之支撐基板5 1 0上之單晶矽層5 0 6的S Ο I基板，而在 製造半導體裝置時係作爲前述支撐基板5 1 0採用矽基板， 而在製造光電裝置時係作爲前述支撐基板5 1 0採用石英基 板，接著，如圖1 2 B所示，於此S Ο I基板之單晶矽層5 〇 6 上之規定範圍形成氮化矽膜5 0 3。 接著，如圖1 2 C所示，根據熱氧化從表面側使單晶矽 層5 Q 6進行氧化，而此時，形成有上述氮化矽膜5 0 3之範 圍的單晶矽層5 0 6係不被氧化，而於沒形成氮化矽膜5 〇 3 之範圍的單晶矽層5 06之表面部行成氧化層5 0 7。 接著，根據鈾刻法去除上述氮化砂膜5 03及氧化層 5 〇 7，然後得到如圖1 2 D所示之被部分降低層厚之s 0 Ϊ基 (3) 1226124
接著’由將12D所示之SOI基板之單晶矽層5 0 6進 g ft之情況來得到具備有如圖]2E所示之不同層厚之 早晶ί夕jS (半導體層）之光電裝置，而如圖]2 e所示，對 於此光電裝置係形成有層厚薄之第1半導體層5 0 1與，比 此第1半導體層層厚還厚之第2半導體層5 0 8，而這些半 導體層之中，根據於第]半導體層5 0 1形成畫素驅動用電 晶體％件’第2半導體層形成週邊電路用之電晶體元件的 情況’對於畫素範圍係光泄放被減低，另外對於週邊範圍 係形成高速之驅動電路，可作爲構成信賴性優越，且高速 之液晶裝置之光電裝置。 [曰本專利文獻1；! 曰本特開平1 1- 7 4 5 3 1號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但，根據上述以往之製造方法所製造之光電裝置之中 係針對圖12D〜圖UE之工程，根據部位，爲了進行不同 層厚之單晶砂層5 〇 6之蝕刻，如圖1 2 E所不形成過度腐倉虫 第1半導體層501之氧化矽層5]2之凹部505 ’另外，爲 了防止此凹部5 〇5之形成，當提升氧化矽與單晶矽之蝕刻 選擇比時，第1半導體層5 0 1之側面部5 0 1 a則被過度腐 蝕，側面部501 a則成爲凹狀，而第]半導體層50]之周 端部則成爲銳角’而當此第]半導體層5 0 1之周端部成馬 -7- (4) 1226124 銳角時，對於爲了形成電晶體元件於第]半導體層而進行 閘道氧化之情況，爲了將針對在第1半導體層5 0 1之周端 部的閘道氧化膜變薄，根據寄生Μ 0 S之無泄放電流則將 增加，另外根據上述以往之製造方法所製造之光電裝置之 中係針對圖]2 Β之工程，從表面氧化單晶矽層5 0 6時，從 單晶矽層5 0 6與氧化矽層5 1 2之熱膨脹率的差，了解到對 於單晶矽層5 0 6產生滑動等之缺陷情況。 如此，在以往之製造方法之中係正確形狀形成混在有 不同層厚之半導體層之光電裝置或半導體裝置之各自半導 ‘Μ層的情況則爲困難，而產生根據伴隨此之電晶體元件之 動作不良等產率低下的問題。 本發明係爲爲了進行解決上述課題之構成，其目的爲 提供改善針對在具備有厚度不同之半導體層之光電裝置之 半導體層的形狀，並製造產率優越高信賴性之光電裝置之 方法。 另外本發明的目的係提供具備厚度不同之半導體層， 如於前述半導體層形成信賴性優越之電晶體元件等半導體 $件而得到之光電裝置。 另外，本發明的目的係提供改善針對在具備有厚度不 _之半導體層之光電裝置之半導體層的形狀，並製造產率 優越高信賴性之半導體裝置之方法。 另外本發明的目的係提供具備厚度不同之半導'體層， 逝於前述半導體層形成信賴性優越之電晶體元件等半導體 元件而得到之半導體裝置。 (5) 1226124 另外，本發明的目的係提供具備上述光電裝 導裝置，信賴性優越之半導體，投射型顯示裝 機器。 [爲解決課題之手段] 爲了解決上述課題，有關本發明之光電裝置 法係具備基板與’藉由絕緣膜形成在該基板上之 ’並於則述半導體層形成其半導體層厚相異之二 導體範圍之光電裝置之製造方法，其特徵爲包含 導體層圖案化成規定平面形狀來分割前述半導體 半導體範圍之圖案化工程與，從根據前述圖案化 成之前述半導體範圍之中，將一以上之範圍的半 層化成規定之半導體層厚之薄層化工程之情況。 即，有關本發明之光電裝置之製造方法的特 行爲了分割半導體範圍之圖案化工程之後，進行 圍的半導體層形成爲規定層後之薄層化工程，而 關之製造方法，因半導體層厚在基板上由一定的 圖案化，故餓刻深度在基板上爲一定深度，而針 製造方法成爲問題之絕緣膜的過度腐蝕係不會產 ，針對薄層化工程所薄層化之半導體範圍則因預 半導體範圍作分割，故容易控制針對在各自範圍 層之形狀，另外控制根據熱膨脹率的差之單晶膜 脹而防止滑動等缺陷之產生’而更可正確形狀地 體層，由此將可防止根據形成在半導體層之半導 置乃至半 置及電子 之製造方 半導體層 以上之半 將前述半 層於複數 工程所形 導體層薄 徵係在進 將各自範 如根據有 狀態進行 對以往之 生，另外 先與其他 之半導體 體積之膨 形成半導 體元件之 -9- (6) 1226124 動作不良的產率之下降，進而可進行有效率之製造 接著’針對有關本發明之製造方法係針對前述 工程，根據使被薄層化之半導體範圍之半導p ] 氧化之情況，於前述半導體層表面形成氧化声，之 據去除前述氧化層之情況可將前述半導體層進行薄 如根據此方法，由形成前述氧化層時之氧化條 控制前述半導體層之層厚，進而可容易且均_地進 體層之薄層化。 接者’針封有關本發明之製造方法之特徵係針 薄層化工程，於被薄層化之半導體範圍之半導體層 形成含有耐氧化性材料之側面保護膜之後，根據使 導體層上面進行氧化之情況，於前述半導體層上面 化層，之後並根據去除前述氧化層之情況將前述半 進行薄層化。 而有關之製造方祛係於半導體層側面部形成側 膜之後’使其半導體層表面進行氧化來形成氧化層 去除之情況來將半導體層進行薄層化之方法，而如 製造方法，於半導體層側面部形成耐氧化性材料之 護膜之情況下，因半導體層側面部不會被氧化，故 薄層化工程，半導體層之平面尺寸不會變小，而將 且正確地進行半導體層形狀之控制。 法 接著，針對有關本發明之製造方法係針對前述 工程，將可於被薄層化之半導體範圍以外之半導體 成與含有前述耐氧化性材料之側面保護膜同一層之 薄層化 面進行 後並根 層化。 件將可 行半導 對ilu述 側面部 前述半 形成氧 導體層 面保護 ，在由 根據此 側面保 根據此 可容易 薄層化 範圍形 氧化保 -10 - (7) 1226124 護膜。 而如根據此製造方法，因可由同一之成膜工程來形成 沒被薄層化之半導體範圍之氧化保護膜與，被薄層化之半 導體範圍之側璧保護膜，故可將製造處理合理化來使製造 之容易性提升之同時亦可謀求製造成本之降低。 接著’針ΐ彳有關本發明之製造方法係亦可將前述側面 保護膜與前述氧化層同時進行去除。 而如根據此製造方法，可將有關氧化層及側面保護膜 之去除之工程作爲共通化，進而實現製造工程之合理化。 接著，針對有關本發明之製造方法係將前述側面保護 膜作爲包含由構成前述半導體層之材料之氧化物而成之氧 化膜與，由形成在該氧化膜之耐氧化性材料而成之耐氧化 性膜之堆積構造。 而如根據有關的方法亦由針對薄層化工程及電晶體行 程工程之氧化工程將可防止半導體層側面部被氧化，進而 可容易控制半導體層及電晶體元件之形狀，尺寸。 另外針對薄層化工程，當使具備有上述氧化膜之半導 體層進行氧化來形成氧化層時，因根據設置在側面部之氧 化膜之作用，針對在半導體層之周端部之氧化層厚度變大 ，故可稍微將氧化層去除厚之半導體層周端部形狀作爲鈍 角，如作爲如此形狀之半導體層，對於形成閘道氧化膜於 此半導體層之情況，因針對在半導體層周端部之閘道氧化 膜膜厚不會變薄，故可抑制針對在半導體層周端部之寄生 Μ 0 S之產生。 -11 > (8) 1226124 上述側面保護膜係亦可針對薄層化工程進行去除’但 也可作爲留存側面保護膜之構成，而由留存側面保護膜之 情況，針對電晶體行程工程之閘道氧化時’因半導體層側 面不會被氧化進而可容易控制電晶體元件之尺寸。 接著，針對有關本發明之製造方法係亦可將前述側面 保護膜之半導體層厚度方向之高度作爲與前述被薄層化之 半導體薄層化後之層厚大略相同高度。 而如根據有關的方法將可容易形成具備側面保護膜之 半導體層的情況，而對於形成電晶體元件於如此之半導體 層之情況，因只對前述半導體層上面側進行氧化來形成閘 道氧化膜，故半導體層側端部之閘道氧化膜將不會變薄’ 將可控制在閘道電極下部之半導體層端部之寄生Μ 0 S之 形成，進而抑制無泄放電流。 接著，針對有關本發明之製造方法係構成前述半導體 層之材料則理想爲聚矽或單晶矽之情況，根據將前述半導 體層作爲結晶性優越之矽膜之情況，將可製造具備有高速 動作可能之電晶體元件的光電裝置。 接著，針對有關本發明之製造方法係由構成前述半導 體層之材料的氧化物而成之氧化膜則理想的構成爲氧化矽 膜或氧氮化矽膜之情況，不管採用這些任何一種氧化膜’ 因均會形成厚厚的針對在半導體層周端部之氧化層’故可 稍微將氧化層去除厚之半導體層周端部形狀作爲鈍角’如 作爲如此形狀之半導體層，對於形成閘道氧化膜於此半導 體層之情況，因針對在半導體層周端部之閘道氧化膜膜厚 ‘ 12> (9) 1226124 不會變薄，故可抑制針對在半導體層周端部之寄生Μ 〇 S 之產生。 接著，針對有關本發明之光電裝置係爲具有藉由絕緣 膜來形成半導體層之基板的光電裝置，其特徵爲，前述半 導體層被分割於具有相異之半導體層厚之複數半導體範_ ，並於前述半導體層範圍之至少一方之半導體層側面形成 含有耐氧化性材料之側面保護膜之構成。 而有關構成之光電裝置係根據由形成側面保護膜於半 導體層側面之情況，在採用前述半導體層來形成電晶體元 件之半導體元件時，可作爲半導體層側面部不被氧化之情 況，由此，例如對於形成閘道氧化膜於半導體層上面之情 況’只有對於半導體層上面以均一的膜厚形成閘道氧化膜 ’並根據前述側面保護膜來保護半導體層側面，隨之，將 可抑制根據閘道氧化膜膜厚部份變薄情況之寄生M〇 S之 產生，進而可作爲形成信賴性優越之半導體元件之光電裝 置。 Λ外’上述側面保護g吴之半導體層厚度方向之高度係 理想爲形成與前述半導體層之層厚相同或比其層厚還高之 情況，而此係，當前述側面保護膜比半導體層厚還低時， 因形成在半導體層之閘道氧化膜有在半導體層周端部部份 來看變薄；^虞。 著，針對有關本發明之光電裝置等、前述側面保護膜 2可作爲具備有由構成前述半導體層材料之氧化物而成之 氧化膜與，形成在該氧化膜之前述耐氧化性膜之構成。 -13 - (10) 1226124 而根據有關之構成亦可得到與上述光電裝置相同之構 成。 接著，針對有關本發明之光電裝置之特徵係前述複數 半導體範圍之中，一個或複數之半導體範圍則包含在形成 複數掃描線與，與前述複數掃描線交叉之複數資料線與’ 形成在前述半導體層’並因應前述掃描線及資料線所設置 之電晶體與，因應該電晶體所設置之畫素電極之化素範圍 ，而其他的半導體範圍則包含於形成具有形成在前述半導 體層之複數電晶體之週邊電路之週邊範圍之情況。 即’構成有關之光電裝置係爲由形成畫素驅動用之電 晶體元件之畫素範圍與，形成週邊電路之週邊範圍造成十 同半導體層之層厚，且於半導體層側面部具備側面保護膜 之光電裝置，由作爲如此之構成下可在各自之畫素範圍與 週邊範圍形成具有適合性能之電晶體元件的同時，亦可根 據形成在半導體層側面之側面保護膜抑制寄生MO S之產 生，進而可作爲信賴性優越之光電裝置。 接著，針對有關本發明之光電裝置之特徵係具備與形 成前述畫素範圍及週邊範圍之基板對向所配置之對向基板 與’夾合於前述兩基板間，並由前述電晶體所驅動之液晶 之情況，而如根據有關之構成將可得到信賴性優越之光電 裝置。 另外’有關本發明之光電裝置之特徵係前述週邊範圍 之前述半導體層層厚比畫素範圍之前述半導體層層厚還厚 -14 - (11 ) 1226124 接著，針對有關本發明之半導體裝置之製 備基板與，藉由絕緣膜形成在該基板上之半導 述半導體層被分割於層厚相異之二以上之半導 導體裝置之製造方法，其特徵爲包含將前述半 化成規定平面形狀來分割前述半導體層於複數 之圖案化工程與，從根據前述圖案化工程所形 導體範圍之中，將一以上之範圍的半導體層薄 之半導體層厚之薄層化工程，並於針對前述薄 薄層化之半導體範圍之半導體層側面部形成含 材料之側面保護膜之後，根據使前述半導體層 化之情況，於前述半導體層上面形成氧化層， 去除前述氧化層之情況將前述半導體層進行薄 而有關之製造方法之中係因半導體層厚在 定的狀態進行圖案化，故鈾刻深度在基板上爲 而針對以往之製造方法成爲問題之絕緣膜的過 會產生，另外，針對薄層化工程所薄層化之半 因預先與其他半導體範圍作分割，故容易控制 範圍之半導體層之形狀，另外控制根據熱膨脹 晶膜體積之膨脹而防止滑動等缺陷之產生，而 狀地形成半導體層，又，於半導體層側面部形 材料之側面保護膜之情況下，半導體層側面部 化.，並根據此薄層化工程半導體層之平面尸寸 ，而將可更容易且正確地進行半導體層形狀之 如根據有關本發明之半導體裝置之製造方法， 造方法係具 體層，並前 體範圍之半 導體層圖案 半導體範圍 成之前述半 層化成規定 層化工程所 有耐氧化性 上面進行氧 之後並根據 層化。 基板上由~ --定深度， 度腐蝕係不 導體範圍則 針對在各自 率的差之單 更可正確形 成耐氧化性 將不會被氧 將不會變小 控制，如此 將可防止根 - 15 - (12) 1226124 據形成在半導體層之半導體元件之動作不良的產率 ，進而可進行有效率之製造。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係針對前 化工程，將可於被薄層化之半導體範圍以外之半導 形成與含有前述耐氧化性材料之側璧保護膜同一層 保護膜。 而如根據此製造方法，因可由同一之成膜工程 沒被薄層化之半導體範圍之氧化保護膜與，被薄層 導體範圍之側璧保護膜，故可將製造處理合理化來 之容易性提升之同時亦可謀求製造成本之降低。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係亦可將 面保護膜與前述氧化層同時進行去除，而如根據此 法，可將有關氧化層及側面保護膜之去除之工程作 化，進而實現製造工程之合理化。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係將前述 護膜作爲包含由構成前述半導體層之材料之氧化物 氧化膜與，由形成在該氧化膜之耐氧化性材料而成 化性膜之堆積構造。 而如根據有關的方法亦由針對薄層化工程及電 程工程之氧化工程將可防止半導體層側面部被氧化 可容易控制半導體層及電晶體元件之形狀，尺寸。 另外針對薄層化工程，當使具備有上述氧化膜 體層進行氧化來形成氧化層時，因根據設置在側面 化膜之作用，針對在半導體層之周端部之氧化層厚 之下降 述薄層 體範圍 之氧化 來形成 化之半 使製造 前述側 製造方 爲共通 側面保 而成之 之耐氧 晶體行 ’進而 之半導 部之氧 度變大 -16 - (13) 1226124 ，故可稍微將氧化層去除厚之半導體層周端部形狀作爲鈍 角，如作爲如此形狀之半導體層’對於形成閘道氧化膜於 此半導體層之情況，因針對在半導體層周端部之閘道氧化 膜膜厚不會變薄，故可抑制針對在半導體層周端部之寄生 Μ 0 S之產生。 上述側面保護膜係亦可針對薄層化工程進行去除，但 也可作爲留存側面保護膜之構成，而由留存側面保護膜之 情況，針對電晶體行程工程之閘道氧化時，因半導體層側 面不會被氧化進而可容易控制電晶體元件之尺寸。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係亦可將前述側 面保護膜之半導體層厚度方向之高度作爲與前述被薄層化 之半導體薄層化後之層厚大略相同高度。 而如根據有關的方法將可容易形成具備側面保護膜之 半導體層的情況，而對於形成電晶體元件於如此之半導體 層之情況，因只對前述半導體層上面側進行氧化來形成閘 道氧化膜，故半導體層側端部之閘道氧化膜將不會變薄， 將可控制在閘道電極下部之半導體層端部之寄生Μ 0 S之 形成，進而抑制無泄放電流。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係前述半導體層 則理想的構成爲單晶矽層，而由構成前述半導體層之材料 的氧化物而成之氧化膜則理想的構成爲氧化矽膜或氧氮化 矽膜之情況。 不管採用這些任何一種氧化膜，因均會形成厚厚的針 對在半導體層周端部之氧化層，故可稍微將氧化層去除厚 -17 - (14) 1226124 之半導體層周端部形狀作爲鈍角’如作爲如此形狀之半導 體層，對於形成閘道氧化膜於此半導體層之情況’因針對 在半導體層周端部之閘道氧化膜膜厚不會變薄，故可抑制 針對在半導體層周端部之寄生M 0 s之產生。
有關本發明之半導體裝置係爲具有藉由絕緣膜來形成 半導體層之基板的半導體裝置，其特徵爲，前述半導體層 被分割於具有相異之半導體層厚之複數半導體範圍，並於 至少一方之目LI述半導體軔圍之半導體層側面形成含有耐氧 化性材料之側面保護膜之構成。
而有關構成之半導體裝置係根據由形成側面保護膜於 半導體層側面之情況，在採用前述半導體層來形成電晶體 元件之半導體元件時’可作爲半導體層側面部不被氧化之 情況，由此，例如對於形成閘道氧化膜於半導體層上面之 情況，只有對於半導體層上面以均一的膜厚形成閘道氧化 膜’並根據前述側面保護膜來保護半導體層側面，隨之， 將可抑制根據閘道氧化膜膜厚部份變薄情況之寄生M〇s 之產生，進而可作爲實裝信賴性優越之設計之半導體裝置 另外，上述側面保護膜之半導體層厚度方向之高度係 理想爲形成與前述半導體層之層厚相同或比其層厚還高之 情況，而此係，當前述側面保護膜比半導體層厚還低時， 因形成在半導體層之閘道氧化膜有在半導體層周端部部份 來看變薄之虞。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係前述側面保護 -18- (15) 1226124 膜亦可作爲具備有由構成前述半導體層材料之氧化物而成 之氧化膜與，由形成在該氧化膜上之前述耐氧化性材料而 成之耐氧化膜之構成，而根據有關之構成亦可與先前之構 成相同地提供可實裝信賴性優越之設計之半導體裝置。 有關本發明之半導體裝置之製造方法係前述半導體層 則理想的構成爲單晶矽層，而由構成前述半導體層之材料 的氧化物而成之氧化膜則理想的構成爲氧化矽膜或氧氮化 石夕膜之情況，而根據有關之構成亦可與先前之構成相同地 提供可實裝信賴性優越之設計之半導體裝置。 有關本發明之投射型顯示裝置係爲具備先前所有記載 之光電裝置的投射型顯示裝置’其特徵爲具有光源與，由 調製從該光源所射出的光之前述光電裝置而成之光調製手 段與，投射由該光調製手段所調製之光的投射手段。 如根據有關之構成，由具備上述之光電裝置之情況下 ，將可作爲具有優越信賴性之投射型顯示裝置。 有關本發明之電子機器之特徵係具備先前所有記載之 光電裝置的情況，另外將具備先前所有記載之半導體裝置 作爲其特徵。 如根據有關之構成，將可提供具備具有優越信賴性之 顯示部之電子機器，以及具備信賴性優越之半導體積體電 路之電子機器。 [實施方式】 [發明之實施型態]: _ 19 - (16) 1226124 以下，依據圖面來說明本發明之實施型態。 (液晶裝置） 以下，關於有關本發明之光電裝置之一例的液晶裝魔 來參照圖面進行說明 圖1係作爲有關本發明實施型態之光電裝置之液晶裝 置之中，表示畫像顯示範圍之等效電路圖，另外，圖2係 與形成在T F T陣列基板之各構成要訴同時從對向基板側 看針對在有關本發明實施型態之液晶裝置之TFT陣列基 板的平面圖，而圖3係含有對向基板來表示之圖2之η ~ Η'剖面圖。 針對圖1，構成有關本實施型態之液晶裝置之畫像顯 示範圍之複數畫素係由形成複數矩陣狀之畫素電極9與， 作爲爲了控制各個畫素電極9之電晶體之畫素切換用 T F Ί 3 0而成’而供給畫像彳g號之資料線6 a則電接續於前 池畫素切換用丁 F T 3 〇之號源，另寫入於上述資料線6 a 之畫像信號s I，s 2，…，S η係依此順序來供給也沒關係 ，並對於同爲相鄰接之複數資料線6 a，然後對每個組群 進行供給也可以。 另外，對於畫素切換用TF T 3 〇之閘道係電接續有掃 描線3 a，並在規定的時機以脈衝方式將掃描信號g 1，G 2 ，…，Gm順序線順地施加於掃雉線3 a".，而畫素電極9係 電接續於畫素切換用TFT 30的漏[極]，並根據將爲切換元 件之畫素切換用TFT30只有在〜定期間關閉其開關之情 (17) 1226124 況，由規定的時機來寫入從資料線6 a所供給之畫像信號 s 3，S2 , ...，S„，另藉由畫素電極9來寫入於液晶之規定 標準之畫像信號S] ’ S2 ’…，Sn係在與形成在對向基板 (後述）之對向電極（後述）之間被一定期間所維持，在 此，爲了防止所維持之畫像信號泄放之情況’與形成在衋 素電極9與對向電極之間的液晶容蓖並列地附加儲存容量 70 ° 接著，說明具備圖1所示之畫像顯示範圍之液晶裝置 全體構成。 如圖2及圖3所示’本實施型备'之 仪晶裝置係夾合液 晶5 0於對向所配置之TFT陣列基板1 〇與對向基板2 0之 間所槪略構成著’而前述對向基板2 0係例如由玻璃基板 或石英基板所構成，並於其內側面係設：置並行於封合材 52之內側作爲額緣之遮光膜53，另一方面，TFT陣列基 板1 〇係例如由石英基板所構成，而對於封合材5 2之外側 範圍係沿著T F T陣列基板1 0之一邊來設置資料線驅動電 路1 〇 1及外部電路接續端子1 0 2 ’而掃描線驅動電路1 0 4 則沿著鄰接於此一邊之2邊所設置’又’掃描線驅動電路 1 0 4係如不會造成供給至掃描線3 a之掃描信號延遲問題 ，當然只設單側也可以。 對於T F T陣列基板1 0之內面側係如圖3所示設置有 複數畫素電極9，並於其上側係設有施以平磨處理等規定 之配向處理之配向膜（（無圖示），而上述畫素電極9係 例如由]:T 0膜等之透明導電性膜而成’另外，配向膜係例 -21 - (18) 1226124 如由聚 亞胺薄膜等之有機薄膜而成，而對於鄰接於TFT 陣列基板1 〇之畫素電極9之位置係形成有切換控制各畫 素電極9之衋素切換用TFT。 另一方，對於對向基板2 0之內面側係省略圖示，但 包括其全面設有對向電極（無圖示），並於前述對向電極 2之下側係設有施以平磨處理等規定之配向處理之配向膜 ((無圖示），而前述對向電極係例如由IT 0膜等之透明 導電性膜而成，另外，配向膜係例如由聚 亞胺薄膜等之 有機薄膜而成。 另外，對於對向基板2 0係設有第2遮光膜2 3於各畫 素部之開口範圍以外之範圍，因此，從對向基板2 0惻射 入的光將不會射入至鄰接設置在前述畫素電極9之畫素切 換用TFT，又，第2遮光膜23係具有對比提升，色材之 混色防止等之機能。 另外，資料線驅動電路1 〇 1係亦可配列在沿著畫面顯 示範圍邊之兩側，例如奇數列之資料線6 a係作爲從沿著 畫像顯不範圍之一方的邊所配社之資料線驅動電路1 0 1供 給畫像信，而偶數列之資料線係從沿著前述畫像顯示範圍 之相反側的邊所配社之資料線驅動電路1 0 1供給畫像信也 可以，如此，如欲將資料線6 a驅動爲梳狀，因可擴張資 料線驅動電路〗〇 ]之佔有面積，故可構成複雜之電路。 更加地，對於TFT陣列基板1 0剩餘的另一邊係設有 爲了連接設置在畫像顯示範圍兩側之掃描線驅動電路1 0 4 間之複數配線]〇5 ’另外，針對在對向基板20之角部之 - 22- (19) 1226124 至少]個部份係設置有在TFT陣列基板]0與對向基 之間爲了採取電導通知導通材]0 6，並且，如圖2所 擁有與封合材5 2相同輪廓之對向基板2 0則由該封 5 2固定於T F Τ陣列基板]0。 對於上述TFT陣列基板1 0與對向基板20之間 入液晶於根據封合材5 2所包圍之空間，並形成液晶, ’而液晶層5 0係在無施加從畫素電極9之電場之狀 ’根據TFT陣列基板1 〇側之配向膜與對向基板20 配向膜採取規定之配向狀態，另液晶層5 0係例如由 一種或數種類之絲狀液晶的液晶而成，而封合材52 爲了將TFT陣列基板1 〇及對向基板20在這些週邊 貼合之例如光硬化樹酯或熱硬化樹酯而成之接著劑， 入爲了將兩基板間距離作爲規定値之玻璃纖維或玻璃 間隔。 另外，對於射入對向基板2 0之投射光側及射出 陣列基板1 0之射出光側係因應各個例如TN模式， 模式，D - S TN模式等動作模式或，正常白模式/正常 式之其他，在規定的方向來配置偏光膜，相位差膜， 手段等。 針對在有關構成以上構成之本發明的液晶裝置係 成針對TFT陣列基板上之畫素切換用TFT之畫素範 ’形成週邊電路用TFT之週邊範圍，形成構成各自 之不同半導體層之膜厚。 圖4係分割上述畫素範圍與週邊範圍來表示各自
板20 示， 合材 係封 層50 態下 側之 混合 係由 進行 並混 珠等 TFT STN 黑模 偏光 在形 圍與 TFT TFT - 23- (20) 1226124 之部份剖面圖’於圖示左側，表示色 切換用T F T，而於圖示右側，表示隹 電路用TFT。 首先，圖4左側所示之畫素切 LDD ( Lightly Doped Drain )構造， 根據從該掃描線3 a之電場形成通道 道範圍1 a 將掃描線3 &與半導體乃 絕緣膜（鬧道氧化膜）2，資料線6 ； 濃度源區（源[極]側L D D範圍）]b (漏[極]側L D D範圍）I c，半導體層 以及半導體層la之高濃度漏[極]範 層1 a之側面部係形成有側面保護膜 與上述通道範圍對向所形成，並作爲 〇 針對上述半導體層1 a，於高濃读 線6 a，而對於高濃度漏[極]範圍J e 極9之中的因應其中之一，另外，源 漏[極]範圍1 c及1 e係對於半導體層 度之不純物離子之情況所形成著。 並且，對於上述半導體層]a之 化矽等之耐氧化性材料而成之側面伯 實施型態之畫素切換用TFT30係根S 側之閘道絕緣膜2及側面保護膜2 5 3 a絕緣，由作爲如此構成之情況下， :含在畫素範圍之畫素 L含在週邊範圍之週邊 ]換用 TFT30係具有 並具備有掃描線3 a， 之半導體層]a，之通 f 1 a進行絕緣之閘道 i ’半導體層1 a之低 及低ite度漏[極]範圍 ^ 1 a之高濃度源區i d 圍1 e，而對於半導體 2 5，另掃描線3 a係 閘道電極來發揮機能 源區〗d接續有資料 係接續有複數畫素電 區]b及源區1 d以及 1 a，根據參雜規定濃 側面部係形成有由氮 :護膜2 5，而有關本 〖.半導體層la之上面 與聞道電極之掃描線 對於半導體層1 a之 -24 - (21) 1226124 上面部係根據形成爲均一層厚之閘道絕緣膜2與掃描線 3 a絕緣，並半導體層]a之週端部及側面部係根據側面保 護膜2 5與掃描線3 a絕緣，隨之，如根據本實施型態之構 成，將可有效地控制由掃描線3 a與半導體層]a之距離（ 即、閘道絕緣膜2之膜厚）部分變薄之寄生Μ 0 S之產生 ’進而構成具備優越電流特性且信賴性優越之TFT。 另外，對於形成半導體層1 a之範圍的下部戲設有第 1遮光膜1 1 a，更具體來說，第1遮光膜1 1 a係個自針對 畫素部，將含有半導體層]a之通道範圍之TFT設置在從 TFT陣列基板側來看覆蓋之位置，第]遮光膜1 1 a係理想 係由含有爲不透明之高熔點金屬之 Ti，Cr，W，Ta，Mo 及P b之中至少一種之金屬單體，合金，金屬矽化物等所 構成，另外，由形成第1遮光膜1 1 a之情況，將可防範從 T F‘ T陣列基板1 〇側之返回光等射入至畫素切換用τ F τ 3 〇 之通道範圍1 a f或L D D範圍1 b，] c之事態並不會根據因 返回光造成光泄放電流之產生造成作爲電晶體元件之畫素 切換用TFT3 0之特性劣化。 貸料線6 a係由A 1等之金屬膜或金屬砂化物等之合金 膜等之遮光性金屬薄膜所構成，另外，對於掃描線3 a、 閘道絕緣膜2及第1絕緣膜丨2之上方係形成各自形成通 過高濃度源區]d之聯繫孔5及高濃度漏[極]範圍]e之聯 繫孔8之第2絕緣膜4，另藉由對此源區]d之聯繫孔5， 資料線6 a係被電接續於高濃度源區1 d，另，又對於資料 線6 a及第2絕緣膜4之上方係形成形成對高濃度漏[極] -25 - (22) 1226124 範圍1 e之聯繫孔8之第3絕緣膜7，另藉由對此高濃度 漏[極]範圍1 e之聯繫孔8，畫素電極9 a係被電接續於高 濃度漏[極]範圍]e，前述之畫素電極9 a係如此被設置在 第3層間絕緣膜7之上面。 另一方面，圖4右側所示之週邊電路用TFT 8 0係與 圖示左側之畫素切換用TFT30相同地，具有LDD構造， 並具備閘道電極8 3 '由從閘道電極8 3之電場形成通道之 半導體層8 0 a之通道範圍8 0 a '、將閘道電極8 3與半導體 層8 0 a進行絕緣之閘道絕緣膜2、輸入信號線8 6 a、輸出 信號線8 6 b、半導體層8 0 a之低濃度源區（源[極]側l D D 範圍）8 0 b及低濃度漏[極]範圍（漏[極]側l D D範圍） 8 0 c，半導體層8 0 a之高濃度源區8 0 d以及高濃度漏[極] 範圍8 0 e所構成。 另外，針對此週邊電路用 T F T 8 0亦與畫素切換用 T F 丁 j 0相问地’源區§ 0 b及8 0 d以及漏[極]範圍8 0 c及 8 〇 e係對於半導體層8 〇 a，根據參雜規定濃度之不純物離 子之情況所形成著。 並且’對於上述週邊電路用TFT 80之半導體層80a 之側面部係亦形成有由氮化矽等之耐氧化性材料而成之側 面保護膜8 5，即、有關本實施型態之週邊電路用TFT 8 〇 係根據半導體層8 0 a之上面側之閘道絕緣膜2及側面保護 月吳8 5與閘道電極8 3絕緣，由作爲如此構成之情況下，對 於半導體層8 0 a之上面部係根據形成爲均一層厚之閘道絕 緣膜2與閘道電極8 3絕緣，並半導體層8 〇 a之週端部及 -26- (23) 1226124 側面部係根據上述側面保護膜8 5與閘道電極8 3 之，如根據本實施型態之構成，將可有效地控制 極83與半導體層80a之距離（閘道絕緣膜2之 分變薄之寄生MOS之產生，進而構成具備優越 且信賴性優越之TFT。 如圖4所示，畫素切換用TFT30之半導體只 成比週邊電路用TFT 80之半導體層80a還薄， 此構成之情況下針對畫素切換用 TFT3 0係可減 電流’另外，週邊電路用TFT 8 0係爲了驅動掃 料線需要大電流驅動能力之構成，但由厚厚的形 層8 0a之情況下，針對掃描線驅動電路〗〇4及資 電路]0 1將容易得到大電流之構成。 構成上述畫素切換用TFT30之半導體層la 並無特別限定，但作爲從3 0 n m至1 〇 〇 n m之範圍 係作爲從3 0 n m至8 0 n m之範圍，更爲理想係作】 至6 Onm之範圍的一定膜厚。 如半導體層1 a的膜厚爲]〇 〇 η ηι以下，無關 不純物’閘道電極控制之空乏層則因比半導體層 大’故畫素切換用TFT30係成爲完全空乏型， +導體層1 a的膜厚作爲1 〇 〇 n m以下、理輝係 以下、更爲理想係作爲6 Q nm以下，在第丨遮光 法防止之迷光則即使照射至半導體層1 a，光激 正孔之生產量亦爲少量，隨之，將可抑制少光泄 作爲爲畫素切換元件之畫素切換用TFT3〇爲有效 絕緣，隨 由閘道電 膜厚）部 電流特性 i 1 a係形 由作爲如 低光泄放 描線及資 成半導體 料線驅動 的膜厚係 ，而理想 I 從 4 0 n m 通道部之 1 a速擴 又，如將 三爲 8 0n m 膜1 1 a無 起之電子 放電流， -27- (24) I226124 另外、如將半導體層]a的膜厚作爲3 Onm以上、裡 想係作爲4 Ο n m以上，將可縮小根據通道範圍1 a '膜摩之 臨限値電壓等之電晶體特性之不均，另外也不會增加接觸 電阻。 另外 '構成週邊電路用TFT 8〇之半導體層8〇a的嗅 厚係並無特別限定，但理想係作爲從]OOnm至6 00nm $ 範圍，更爲理想係作爲從1 50nm至4 0 0nm之範圍的〜定 腠厚。
如半導體層80a的膜厚係1 〇〇nm以上、理想係_ 1 5 nm以上，將可確保充分之耐壓之同時，亦可充分輪小 抑制封合電阻，故針對週邊電路將可得到電流驅動能力$ 情況，進而可形成以高速進行驅動之驅動電流。 另外’當半導體層8 0 a的膜厚係如爲6 0 0 n m以上時 ’針對形成構成畫素切換用TFT 30之半導體層la時之倉虫 刻工程’因膜厚之不均等而造成製造上困難之虞之不壤煩 之狀況發生。
(光電裝置之製造方法） 以下’參照圖面說明適用在圖2乃至圖*所示之液晶 裝置之光電裝置之製造方法，氮，本發明之特徵係因包含 在爲了形成上述TFT30，8〇之半導體層la，8〇a之構成， 及形成在這些半導體層la，8〇a之電晶體元件，故在以下 係將半導體層]a，8Ga之形成方法參照圖5乃至圖8來說 明，而對於半導體層 8〇a之電晶體元件的形成方法參 -28 - (25) 1226124 照圖9乃至圖]]來說明’又’對於電晶體元件形成後之 丁FT30，80製造工程係可適用以往所採用之製造方法。 [第]實施型態] 圖5係表示根據有關本發明之製造方法之光電裝置之 製造工程之剖面工程圖。
首先，如圖5 A所示，對於由玻璃或石英等而成之支 撐基板，準備具備有藉由由氧化矽而成之絕緣膜]2所形 成之單晶矽層2 0 6之S ΟI基板，而圖5所示之基板係可由 眾知的方法製造，另外，於絕緣膜】2內或絕緣膜1 2與支 撐基板1 〇之間亦可具備有遮光膜。 具備有上述遮光膜之S 01基板係例如於支撐基板]〇 上形成具有規定圖案之遮光膜’接著，於形成前述遮光膜 之支撐基板1 0上形成絕緣膜1 2，並硏磨表面進行平坦化 並且於貼合側之表面形成氧化膜層之同時，可將注入 氫離子（Η +)之單晶矽基板貼合於上述絕緣膜1 2上，再 由進行熱處理之情況，在注入氫離子之範圍，將單晶矽基 板進行分斷來形成單晶矽層2 06，製造具備遮光膜之SOI 基板。 接著，如圖5 B所示，將單晶矽層2 0 6圖案化成規定 形狀’而在本實施型態之中係將單晶矽層2 0 6分割成第1 半導體範圍（圖示左側）2 ] 0與第2半導體範圆（圖示右 側）2 2 0，並於]半導體範圍2 ] 0係形成規定形狀之第] -29- (26) 1226124 半導體層2 Ο ]’另於2半導體範圍2 2 〇係形成規定形狀之 第2半導體層8 0 a ’而本圖案化工程係可組合眾知的微縮 術工程，蝕刻工程等來進行。 針對本貫施型悲之製造方法係對於均一層厚之單晶石夕 層2 0 6，因進行圖案化，故不會過度腐蝕單晶矽層2 〇 6下 側之絕緣膜】2，另外，因蝕刻深度爲規定深度即可，故 蝕刻處理本身則變爲容易，進而可容易地進行由更高精確 度之触刻。 接著，如圖5 C所示，如覆蓋第2半導體範圍2 2 〇側 之第2半導體層8〇3地形成由氮化矽等之耐氧化性材料而 成之光罩材2 8 7，而光罩材2 8 7係可根據在將第1半導體 範圍作爲光罩之狀態下，由等離子CVD法或減壓CVD法 ，濺射法等形成氮化矽膜於第2半導體範圍2 2 0之方法或 ，於覆蓋第1，第2半導體範圍210，220之全面形成氮 化矽膜後，由微縮術工程，蝕刻工程去除第]半導體範圍 2 ] 〇之氮化矽膜之方法形成。 接著，如圖5 C所示，由熱氧化工程使第1半導體範 圍2 0]的表面氧化，然後形成氧化層207於第1半導體範 圍2 0 1表面，針對此氧化工程，由適宜作變更氧化條件下 ，將可調整形成在第1半導體範圍201之氧化層20 7膜厚 ’並調整氧化層207去除後之第1半導體層之層厚，又， 針對本X程，第2半導體層8 Oa係因根據由耐氧化性材料 而成之光罩材2 8 7所保護，故不會被氧化。 並且，根據蝕刻工程去除第]半導體範圍2 0 ]上之氧 - 30- (27) 1226124 化層2 0 7及第2半導體層80a上之光罩材2 8 7的情況 可得到如圖5 E所示，具備被薄層化之第1半導體層] ，比第1半導體層la層厚還厚之第2半導體層80a 電裝置。 如根據以上構成之本實施型態之製造方法，將可 地形成不同層厚之半導體層於S Ο I基板，另外，因圖 工程（圖5 B )比半導體層薄層化工程（圖5 D )還先 ，故可將半導體層2 0 6之層厚均勻於基板1 0上之狀 進行，所以可極爲容易地進行圖案化之同時亦可進行 產生對於絕緣膜1 2之過度腐蝕，另如根據本實施型 製造方法，針對圖5 D之工程，於從表面氧化單晶 2 0 6以前，將單晶矽層2 0 6事前分離成第1半導體層 與第2半導體層8 0 a，並因可減少單晶矽層之面積， 從單晶矽層與熱氧化膜層之熱膨脹率的差容易防止對 矽層滑動之缺陷產生，由此，如根據本實施型態之製 法，將可精確度優良地控制半導體層之形狀，其結果 可製造產率優良之光電裝置。 [第2實施型態] 圖6係表示根據有關本發明之製造方法之第2實 態光電裝置之製造工程之剖面工程圖，而圖6係表示 實施型態之製造方法的特徵點係於第]半導體範圍2 ] 第]半導體層2 0 1側面部形成側面保護膜2 0 5後，進 1半導體層2 0 1之薄層化的點，而針對本實施型態， 下， ‘ a與 之光 容易 案化 配置 態來 不會 態之 5夕層 20 1 故可 單晶 造方 ，將 施型 之本 〇之 行第 至圖 - 31 - (28) 1226124 6 B所示之圖案化工程係因與圖5所示之第]實施型態相 同，故在此詳細之說明係省略，另外，圖6所示之符號中 ，與圖5共同之符號係表示與圖1相同之構件。 如圖6B所示，如根據半導體層2 0 6之圖案化形成半 導體層20]，80a於第1半導體範圍210及第2半導體範 圍220，則覆蓋半導體層20]，80a地形成耐氧化性之氮 化矽膜於基板1 〇之半導體層側全面，之後，根據微縮術 工程，蝕刻工程等，如圖6 C所示，作爲光罩材2 8 7殘留 覆蓋第2半導體範圍8 0 a之氮化矽膜，再形成覆蓋第1半 導體層20]之側面保護膜2 0 5，而此側面保護膜2 0 5係調 整氮化矽膜之蝕刻條件，並去雛形成在第]半導體層2 0 1 上面部之氮化矽膜之同時，可將第1半導體層2 0 1側面部 之氮化矽膜進行殘留地選擇性地進行蝕刻之情況來形成。 接著，如圖6D所示’根據熱氧化等工程使第丨半導 體層2 01上面部進行氧化來形成氧化層2 0 8，而針對此氧 化工程，第1半導體層2 0 1側面部係因由上述側面保護膜 2 0 5所保護而不被氧化，故只有第1半導體層2 0 1上面部 被氧化。 並且，由根據蝕刻工程去除上述氧化層2 0 8及側面保 護膜2 0 5，以及光罩材2 8 7之情況，將可得到具有圖6 E 所示之被薄層化之第1半導體層la與第2半導體層80a 之光電裝置。 如根據上述實施型態之製造方法，因在設置側面保護 膜2 0 5於第1半導體層2 0 1側面部之狀態下使第I半導體 -32 ‘ (29) 1226124 層2 Ο ].表面進行氧化，所以第]半導體層2 〇丨側面 被氧化，而對於氧化層2 0 8去除後亦可維持圖2 β 圖条化後之第1半導體層2 0 ]面內尺寸地只將第] 層2 (Π之層厚變薄，另外，如根據本實施型態之製 ’第1半導體層2 Ο〗側面部則不會被蝕刻，隨之， 精確度地控制被薄層化之第1半導體層1 a之形狀 如根據由本實施型態之製造方法，與第一實施型態 針對圖6 D之工程，於從表面氧化單晶砂層2 〇 6以 單晶矽層206事前分離成第1半導體層2〇1與第2 層8 0 a，並因可減少單晶矽層之面積，故可從單晶 熱氧化膜層之熱膨脹率的差防止對單晶矽層滑動之 生。 另外，上述側面保護膜2 0 5係未必需要進行去 可製造殘留側面保護膜2 0 5於第1半導體層1 a側 光電裝置，如此，於殘留側面保護膜2 0 5之第1半 】a ’例如形成電晶體元件之情況，則根據閘道氧化 第1半導體層1 a表面進行氧化，但根據側面保護 ’第1半導體層1 a側面部係不會被氧化，而只在 導體層1 a上面側部形成閘道氧化膜，而由此所形 氧化膜係針對在第1半導體層】a之周端部，其薄 會變薄，故可防止對於電晶體元件產生寄生MOS。 又，本實施型態之中係作爲只對於第1半導體 設置側面保護膜2 0 5之構成，但對於第2半導體層 可行成同樣構成之側面保護膜，並對於此情況亦可 丨部不會 所示之 半導體 造方法 更可高 ，另外 相同， 前，將 半導體 矽層與 缺陷產 除而亦 面咅β之 導體層 工程使 膜2 0 5 第1半 成閘道 膜也不 層20 1 8 0a亦 得到與 -33 - (30) 1226124 上述相同之效果。 [第3實施型態] 圖7係表示根據有關本發明之製造方法之第3實施型 P々'光電裝置之製造工程之剖面工程圖，而圖6係表示之本 貝施型態之製造方法的特徵點係於第]半導體範圍2 1 0之 第1半導體層2 0 1側面部形成側面保護膜2 〇 5後，進行第 1半導體層2 0 1之薄層化的點，以及前述側面保護膜則被 作爲氧化膜與耐氧化性膜之堆積構造的點，針對本實施型 態’至圖7 A所示之圖案化工程係因與圖5 A〜B所示之前 述第1貫施型態相同，故在此詳細之說明係省略，另外， 圖7所示之符號中，與圖5共同之符號係表示與圖]相同 之構件。 如圖7 A所示，如根據半導體層之圖案化形成半導體 層201，80a於第1半導體範圍210及第2半導體範圍 2 2 0 ’則如圖7 A所示覆蓋半導體層201，8〇3地形成氧化 石夕膜2 1 6 ’並形成覆蓋此氧化矽膜2〗6之耐氧化性膜之氮 化矽膜2 7 7，也就是對於第1半導體層2 〇 !，8 0 a上係堆 積氧化矽膜2 1 6及氮化矽膜2 7 7 ◦ 之後，根據微縮術工程，蝕刻工程等，如圖7 C所示 ’作爲光罩材2 8 7殘留覆蓋第2半導體範圍80a之氮化矽 膜2 7 7，並去除形成在第1半導體層2 01上面部之氧化，矽 膜216及氮化矽膜277之同時再形成覆蓋第丨半導體層 2 〇 1之側面保護膜2 8，而此側面保護膜2 8係作爲堆積氮 -34 - (31) 1226124 化矽層（耐氧化性膜）27於氧化矽層26 (氧化膜 造，又，此側面保護膜2 8係可利用與設置在有關 2實施型態之半導體層的側面保護膜2 0 5相同的方 成。 接著，如圖7 D所示，根據熱氧化等工程使第 體層2 0 ]上面部進行氧化來形成氧化層2 0 8，而針 化工程，第1半導體層2 0 1側面部係因由上述側面 2 0 5所保護而不被氧化，故只有第1半導體層201 被氧化，但在本實施型態之中係側面保護膜2 8之 層2 0 1側因由氧化矽層2 6所構成，故針對半導體 之側端部，氧化種則容易侵入，而針對第1半導體 之周端部之氧化層20 8膜厚則若千變大。 並且，由根據蝕刻工程去除上述氧化層2 0 8及 護膜2 8，以及光罩材2 8 7之情況，將可得到具有圖 示之被薄層化之第]半導體層I a與第2半導體層 光電裝置。 如根據上述實施型態之製造方法，因在設置側 膜2 8於第1半導體層2 0 1側面部之狀態下使第1 層2 0 1表面進行氧化，所以第1半導體層2 〇 1側面 被氧化，而對於氧化層2 0 8去除後亦可維持圖2B 圖案化後之第1半導體層2 0 1面內尺寸地只將第1 層2 0 1之層厚變薄，另外，如根據本實施型態之製 ，第1半導體層2 0 1側面部則不會被蝕刻，隨之， 精確度地控制被薄層化之第1半導體層1 a之形狀 )之構 上述第 法來形 ]半導 對此氧 保護膜 上面部 半導體 層2 0 1 層2 0 1 側面保 I 7E所 8 0 a之 面保護 半導體 部不會 所示之 半導體 造方法 更可高 ’另外 -35 - (32) 1226124 如根據由本實施型態之製造方法，與第一實施型態相同， 針對圖7D之工程，於從表面氧化單晶矽層206以前，將 單晶矽層2 0 6事前分離成第]半導體層2 0 1與第2半導體 層8 0 a ’並因可減少單晶矽層之面積，故可從單晶矽層與 熱氧化膜層之熱膨脹率的差防止對單晶矽層滑動之缺陷產 生。 另外’在有關本實施型態之製造方法之中係如上述， 因針對第1半導體層201之周端部之氧化層208膜稍微變 大厚，故對於被薄層化之第1半導體層1 a之周端部係形 成曲面部，而當形成如此之曲面部2 Π時，對於使第1半 導體層1 a進行閘道氧化之情況，因針對在半導體層！ a之 周端部之閘道氧化膜膜厚將不會變薄，故可更有效地抑制 劑生Μ 0 S之產生。 又，即使針對本實施型態之製造方法，亦可不去除上 述側面保護膜2 8而殘留，如將側面保護膜2 8殘留於第1 半導體層1 a側面，進行第1半導體層1 a之閘道氧化時， 因於第1半導體層1 a側面部即已形成氧化矽層2 6，故閘 道氧化膜不會在半導體層1a之周端部變薄，進而形成更 信賴性優越之電晶體元件。 另外，在本實施型態之中係作爲只對於第1半導體層 2 〇 ]設置側面保護膜2 8之構成，但對於第2半導體層8 0 a 亦可行成同樣構戌之側面保護膜，並對於此情況亦可得到| 與上述相同之效果° -36 - (33) 1226124 [第4實施型態] 圖8係表示根據有關本發明之製造方法之第4實施型 態光電裝置之製造工程之剖面工程圖，而圖8係表示之本 實施型態之製造方法的特徵點係在於於第1半導體範圍 2 1 0之第1半導體層2 0 1側面部形成側面保護膜2 0 5後， 進行第]半導體層2 0 1之薄層化，但將此側面保護膜之高 度與薄層化後之第1半導體層2 0 1層厚作爲形成大致相同 的點，而針對本實施型態，至圖8 A所示之圖案化工程係 因與圖5 A〜B所示之前述第1實施型態相同，故在此詳細 之說明係省略，另外，圖8所示之符號中，與圖5共同之 符號係表示與圖5相同之構件。 如圖8 A所示，如根據半導體層之圖案化形成第1半 導體範圍2 1 0及第2半導體範圍2 2 0，則如圖8 B所示覆 蓋半導體層2 0 1，8 0 a地形成耐氧化性之氮化矽膜2 7 7於 基板]〇之半導體層側全面。 之後，根據微縮術工程，蝕刻工程等，如圖7 C所示 ，作爲光罩材2 8 7殘留覆蓋第2半導體範圍80a之氮化矽 膜277，並去除形成在第1半導體層201上面部之氮化矽 膜2 7 7之同時再形成覆蓋第1半導體層2 0 1之側面保護膜 2 5，而在有關本實施型態之製造方法之中係將此側面保護 膜2 5欲作爲與薄層化後之第]半導體層1 a (參照圖8 E ) 層厚形成大致相同高度，而此側面保護膜2 5之高度係由 調整氮化矽膜之蝕刻條件，再調整殘留半導體層2 0 1側面 部之氮化矽膜的比例情況下，將可容易地構成具有規定高 - 37- (34) 1226124 度之側面保護膜。 接著，如圖8 D所示，根據熱氧化等工程使第]半導 體層2 0 1上面部進行氧化來形成氧化層2 0 8，而針對此氧 化工程，第1半導體層2 0 1側面部係因.由上述側面保護膜 2 0 5所保護而不被氧化，故只有第1半導體層2 0 1上面部 被氧化，另外，第〗半導體層2 0 1上之氧化膜2 0 8係只有 側面保護膜2 5高度之部份殘留半導體層地形成。 並且，由根據触刻工程去除上述氧化層2 0 8及側面保 護膜2 0 5，以及光罩材2 8 7之情況，將可得到具有圖8E 所示之被薄層化之第1半導體層la與第2半導體層80a 之光電裝置，另外，如如圖8 E所示，對於第1半導體層 1 a與第2半導體層80a之側面部係形成有側面保護膜25 與側面保護膜8 5，而這些側面保護膜2 5，8 5之高度係與 各自形成之半導體層1 a、80a之層厚大致相同，另側面保 護膜25，85之高度係形成與半導體層la、80a之層厚大 致相同或比半導體層之層厚稍微厚，此係，當側面保護膜 25，85之高度太低時，在使半導體層la、80a進行氧化 時，針對在第1半導體層1 a之周端部之氧化膜厚度則將 變薄，而容易產生寄生MOS。 又，第2半導體層8 0 a之側面保護膜8 5係可由去除 光罩材2 8 7時之蝕刻條件的調整來形成。 如根據上述實施型態之製造方法，因在設置側面保護 膜2 5於第1半導體層2 0 ]側面部之狀態下使第1半導體 層2 0]表面進行氧化，所以第]半導體層2 0 1側面部不會 -38 - (35) 1226124 被氧化’而對於氧化層2 Ο 8去除後亦可維持圖2 b所示之 圖案化後之第]半導體層2 0 ]面內尺寸地只將第]半導體 層2 0 ]之層厚變薄，另外，如根據本實施型態之製造方法 ，第1半導體層2 Ο 1•側面部則不會被触刻，隨之，更可高 精確度地控制被薄層化之第1半導體層]a之形狀，另外 如根據由本實施型態之製造方法，與第一實施型態相同， 針對圖8 D之工程，於從表面氧化單晶矽層2 〇 6以前，將 單晶矽層206事前分離成第1半導體層2〇1與第2半導體 層8 0 a ’並因可減少單晶矽層之面積，故可從單晶矽層與 熱氧化膜層之熱膨脹率的差防止對單晶矽層滑動之缺陷產 生。 另外’因控制側面保護膜2 5之高度與第1半導體層 201上之氧化層2 0 8之層厚，故薄層化後之半導體層la 之層厚與側面保護膜2 5之高度大致成爲一致，而對於使 其閘道氧化之情況將容易均一形成閘道氧化膜之膜厚，而 閘道氧化膜則不會在半導體層1 a周端部變薄之情況。 [電晶體元件之形成方法] 接著，採用由圖5〜圖8所示之任何一個製造工程所 製造之光電裝置，然後如圖4所示之液晶裝置之TFT30、 8 0，就有關於各自厚度不同之半導體範圍製造TFT情況 之製造工程來參照面並在以下進行詳細說明.。 圖9〜圖1]係表示對於有關本發明之光電裝置之半導 體層的電晶體元件之形成工程之剖面工程圖，而針對這些 -39_ (36) 1226124 圖，表示著在與圖5相同構成要素之構造，但在與圖6〜S 相同構成要素之構造係沒備表示，而就有關與圖5相同構 成要素係附上相同參照符號，另外，針對圖9〜圖]1係具 備在圖4所示之電晶體元件之第1遮光膜1】3係省略表示 ，又，即使採用由圖5〜圖8所不之任何一個製：is工Ϊ壬所 製造之光電裝置大略相同之工程，亦可形成電晶體兀件， 隨之，圖示有關於採用在圖9〜圖]1之中係無設置側面保 護膜25、85之圖5所示之SOI基板之情況’但在以下之 說明之中係關於採用因應需要來設置圖8所示之側面保護 膜2 5、8 5之S Ο I基板之情況亦適宜加上說明。 另外，針對以下所說明之電晶體元件之形成工程’如 代替圖9 A所示之S ΟI基板，而採用圖8所示之S ΟI基板 ，如圖4所示，將可形成具備側面保護膜在TFT之側面 的電晶體元件。 首先，如圖9 A所示，根據微縮術工程、蝕刻工程等 ，準備形成規定圖案之半導體層la、80a之SOI基板’而 此S Ο I基板係可由圖5所示之製造工程進行製造，另外’ 對於作爲此S Ο I基板來採用圖8所示之構成之情況係於半 導體層1 a及8 0 a之側面部各自形成側面保護膜2 5、8 5。 接著，根據將半導體層la、80a，由約8 5 0〜l3〇〇°C之 溫度、理想係約]0 0 0 °C之溫度進行7 2分程度熱氧化之情 況，形成約6 0 n m之比較來說薄厚度之熱氧化膜，並如圖 9B所示作爲畫素切換用丁FT30及週邊電路用TFT 8〇之閘 道絕緣膜（閘道氧化膜）2，根據本實施例之電晶體元件 -40- (37) 1226124 係因由如圖5所示之製造工程來形成，故可將圖案化處理 在基板1 〇上由均一之狀態進行半導體層2 0 6之層厚’並 可極容易進行圖案化之同時亦可作爲不會產生對絕緣膜 1 2之過度腐蝕。 針對此閘道氧化工程’對於採用設置側面保護膜2 5 、8 5於半導體層1 a及8 0 a之側面部之基板的情況係閘道 絕緣膜2係只對於半導體層1 a、8 0 a之上面側形成，隨之 ，第I半導體層〗a係根據閘道絕緣膜2電絕緣其上面側 ，再由側面保護膜25電絕緣其側面側，另外、第2 .半導 體層8 0 a係亦爲相同。 另外，對於採用設置側面保護膜2 5、8 5之S ΟI基板 之情況係側面保護膜2 5、8 5之高度係因形成爲與閘道氧 化前之半導體層1 a、8 0 a之層厚大略相同，故從根據閘道 氧化半導體層1 a、8 0相對變薄之情況，閘道氧化後之側 面保護膜2 5、8 0之高度係變得比半導體層1 a、8 0 a之層 厚還厚，隨之，如採用具備側面保護膜2 5、8 5之S ΟI基 板，針對半導體層la、80a之周端部，半導體層la、80a 係因由閘道絕緣膜2與側面保護膜2 5、8 5所保護，故後 述之閘道電極與半導體層之距離，不會局部性地變薄（特 別是在半導體層周端部），不易產生寄生MOS，進而可 行成信賴性優越之電晶體元件。 接著，如圖9C所示，於因應畫素切換用，TFT30之半 導體層1 a的位置形成光阻膜3 0]來對於第2半導體範圍 之第2半導體層8 0 a摻雜B (硼素）等之1Π族元素之摻雜 -41 - (38) 1226124 劑3 Ο 2，之後去除光阻膜3 Ο ]。 接著，如圖9 D所示，於因應第2半導骨兽 置形成光阻膜3 0 3，然後於第1半導體層！ a慘 )等之01族元素之摻雜劑3 0 4，之後去除光阻丨] 接著，根據減壓CVD法等堆積聚砂層之c )進行熱擴散之情況進行導電化，並由採用光 縮術工程，蝕刻工程等，如圖]〇 a所示，形 之掃描線3 a，閘道電極8 3，而此掃描線3 a與 層1 a係由閘道絕緣膜2相互絕緣，但對於設 膜2 5之情況係針對在第】半導體層1 a之上面 緣膜2相互絕緣，另針對在第1半導體層} a 由側面保護膜2 5所絕緣，另外，閘道電極8 3 體層8 0 a亦根據閘道絕緣膜2相互絕緣，但對 保護膜8 5於第2半導體層8 0 a之側面之情況 導體層8 0 a之上面側係由閘道絕緣膜2相互絕 2半導體層8 0 a之側面側之中係對於有側面保 情況係更被相互絕緣。 接著，如圖10B所示，爲了形成LDD範 導體層8 0 a，於因應第1半導體層1 a之位置 305，接著，將閘道電極83作爲擴散光罩來將 族元素之摻雜劑3 0 6，以低濃度來摻雜，並形； 低濃度源區80b及低濃度漏，[極]範圍80c，之 月旲3 0 5。 接著，如圖]〇 c所示，爲了形成L D D範 層8 0 a之位 雜B (硼素 莫 3 0 3 〇 戸，將燐（P 阻光罩之微 成規定圖案 第1半導體 置側面保護 係由閘道絕 之側面側係 與第2半導 於設置側面 係在第2半 緣，而在第 :護膜8 5之 圍於第2半 形成光阻膜 例如P等口 成N通道之 後去除光阻 圍於第1半 -42 - (39) 1226124 導體層1 a，於因應第2半導體層8 〇 a之位置形成光阻膜 3 〇 7，接著，將掃描線3 a作爲擴散光罩來將例如p等□族 元素之摻雜劑3 0 6，以低濃度來摻雜，並形成N通道之低 濃度源區1 b及低濃度漏[極]範圍1 c，之後如圖]]所示， 去除光阻膜3 0 7。 接著’如圖1 1 B所示，將比掃描線3 a幅度還寬之光 阻膜4 Ο 1形成在掃描線3 a上之同時，將比閘道電極8 3幅 度速寬之光阻膜3 G 9形成在閘道電極8 3上。 接著，將光阻膜3 0 9，4 01作爲擴散光罩來將例如P 等V族元素之摻雜劑3 〇 6，以低濃度來摻雜，並形成高濃 度源區1 d及高濃度漏[極]範圍1 e於第1半導體層1 a之 同時’於第2半導體層80a形成高濃度源區80d及高濃度 漏[極]範圍80e。 之後’如圖1 1 C所示，根據去除光阻膜3 〇9，40 1之 情況，形成不同半導體層層厚之電晶體元件3 1，8 1。 並且’於形成電晶體元件3 1，8 1之支撐基板1 0，如 根據與以往相同的方法來形成第2層間絕緣膜4，資料線 6 a ’理想係根據與資料線6 &相同之材料與資料線6 a同時 設置之輸入信號線8 6 a及輸出信號線8 6 b，第3層間絕緣 膜7 ’畫素電極9，配向膜，將可得到圖4所示之液晶裝 置之TFT陣列基板。 (電子機器） 接著，有關具備上述實施型態之液晶裝置之電子機器 -43- (40) 1226124 的例子來進行說明。 圖1 3係表示本發明投射型顯示裝置之一例槪略構成 圖’而針對圖1 3，投射型顯示裝置係表示準備3個上述 之液晶裝置，並作爲各自RGB用之液晶裝置9 6 2 R，9 62 G 及9 6 2 B來採用之投射型顯示裝置之光學系的槪略構成圖 ’而對於本例之投射型顯示裝置之光學系係採用光源裝置 92 0與均一照明光學系9 2 3，並且，投射型顯示裝置係具 備有作爲分離由此照明光學系923所射出之光束W成紅 (R )，綠（G )，藍（B )之色分離手段之色分離光學系 924與，作爲調製各色光束R，G，B之調製手段之光閥 92 5 R，92 5 G，925 B與，作爲再合成被調製後之色光數之 色合成手段之錶鏡9 1 0與，作爲擴大投射被合成之光束於 投射面1 0 0表面之投射手段之投射鏡部件9 0 6，另外，亦 具備有引導至因應綠色光束B之光閥9 2 5 B之導光系927 〇 均一照明光學系923具備有2個透鏡板921，922與 反射鏡93 1，並夾合反射鏡931，2個透鏡板921，92 2呈 垂直交錯狀態所配置著，而均一照明光學系923之2個透 鏡板92 1，922係具備各自配置呈矩陣狀之複數矩形透鏡 ，另從光源裝置920所射出之光束係由第1透鏡板921之 矩形透鏡來分割爲複數之部份光束，並且，這些部份光束 係由第2透鏡板92 2之矩形透鏡，在光閥92 5 R，9 2 5 G， 92 5 B附近所重疊。 各色分離光學系924係由藍綠反射分色鏡94 1與，綠 -44 - (41) 1226124 反射分色鏡W2與，綠反射鏡94 3所構成，首先，針對藍 綠反射分色鏡9 4 ]，包含在光束W之藍色光束B及綠色 光束G則呈直角所反射，並朝綠反射分色鏡9 4 2側，而 紅色光束R係通過此透鏡94 ]，然後由後方之反射鏡943 呈直角所反射，然後從紅色光束R之射出部9 4 4射出至色 合成錶鏡9 ] 0側。 接著，，針對綠反射分色鏡94 2，，針對在藍綠反射 分色鏡94 1所反射之藍色，綠色光束B，G之中，只有綠 色光束G呈直角所反射，然後從綠色光束G之射出部9 4 5 射出至色合光學系側，而通過綠反射分色鏡94 2之藍色光 束B係從藍色光束B之射出部94 6射出至導光系9 2 7側 ，在本例之中系從均一照明光學元件之光束 W之射出部 至針對色分離光學系924之各色光束之射出部944，945 ，946之距離被設定成大略相等。 對於色分離光學系9 2 4之紅色，綠色光束R，G之射 出部944，945之射出側係各自設置集光鏡951，952。隨 之，從各射出部射出之紅色，綠色光束R，G係射入至這 些集光鏡9 5 1，9 5 2，然後被平行化。 如此被平行化之紅色，綠色光束R，G係射入至光閥 9 2 5 B · 9 2 5 G，然後被調製，並附加因應各色光之畫像資訊 ，即，這些液晶裝置係由無圖示之驅動手段，然後因應畫 像資訊來控制切換，由此，進行通過此之各色光之調製， 另一方面，藍色光束B係藉由導光系927引導至對應之光 閥92 5 B，針對在此，相同地因應畫像資訊進行調製，又 -45- (42) 1226124 本例之光閥92 5 R，9 2 5 G，92 5 B係爲又各自配置 偏光手段9 6 0 R，960G，9 6 0B與，射出側偏光寻 ，9 6 1 G，9 6 1 B與，這些之間之液晶裝置9 6 2 r 962B而成之液晶光閥。 導光系9 2 7係由配置在藍色光束B之射出部 出側之集光鏡9 5 4與，射出側反射鏡9 7 1與，設 925 B之前側之集光鏡9 5 3所構成，而從集光鏡 出之藍色光束B係藉由導光系9 2 7引導至液晶g 來進行調製，而各色光束之光路長度，即，從光 射出部至各液晶裝置9 6 2 R，9 6 2 G，9 6 2 B之距離 束B最長，隨之，藍色光束之光量損失也最多， 導光系9 2 7之情況將可控制光量損失。 經由各光閥925R，925G，925B調製之各色 G，B係被射入至各合成錶鏡9 1 0，並在此進行 且’由此合成錶鏡9 1 0所合成之光則藉由投射鏡 擴大投射至爲規定位置之投射面表面1 0 0。 如此之投射型顯示裝置係因具備有本發明之 之液晶裝置9 6 2 R，9 6 2 G，9 6 2 B之構成，故可作 越顯不品質之投射型顯示裝置。 圖1 4 A係表示行動電話之一例斜視圖，而針 ’符號1 000係表示行動電話主體，並符號1001 用上述液晶顯不裝置之液晶顯示部、： 圖]4 B係表示手錶型電子機器之一例斜視圖 圖]4B，符號]]〇〇係表示手錶主體，並符號]1〔 於射入側 L 段 96 ] R ，9 6 2 G， 9 4 6之射 置在光閥 9 4 6所射 I 置 962B 束 W之 係藍色光 但由藉由 光束R， 合成，並 部件9 0 6 實施型態 爲具有優 對圖1 4 A 係表示採 ’而針對 > 1係表示 -46- (43) 1226124 採用上述液晶顯示裝置之液晶顯示部。 圖]4C係表示文字處理機，電腦等之攜帶型資訊處理 裝置之一例斜視圖，而針對圖]4 C，符號1 2 0 0係表示行 資訊處理裝置，並符號1 2 0 2係表示鍵盤等之輸入部，符 號]2 Q 4係表示資訊處理裝置主體，符號1 2 0 6係採用上述 液晶顯示裝置之液晶顯示部。 圖14A〜C所示之電子機器係因具備採用上述實施型 態液晶顯示裝置之液晶顯示部，故可實現具備得到優越信 賴性之顯示部的電子機器。 本發明之技術範圍係並不限定於上述實施型態，而針 對不脫離本發明之趣旨可將上各種變更，例如在上述實施 型態之中係已說明採用液晶顯示裝置，但不限於此而如電 致發光裝置，無機電致發光裝置，等離子區顯示裝置 ， 電游動顯示裝置，電場放出顯示裝置，LED顯示裝置等， 亦可採用可對每個複數畫素控制顯示狀態之各種光電裝置 (半導體裝置） 關於有關本發明之半導體裝置之實施型態參照圖面進 行以下之說明，圖1 5係表示有關本發明之半導體裝置之 一實施型態的部份剖面構成圖，而此圖所示之半導體裝置 係完全空乏型T、FT與，部份空乏型TFT形成於具有由藉 由絕緣膜3 1 2形成在矽基板3 1 0上之單晶矽膜而成之半導 體層3 0] a，3 8 0 a之S 0 1基板上之構成，並於圖]5左側表 -47 - (44) 1226124 不完全空乏型T F Ί，而於圖]5右側表不部份空乏型丁]^丁 〇 右，在本實施型態之中係舉例說明TFT3 3 0 , 3 8 0，但 有關本發明之可實裝在半導體裝置之設計係不限於電晶體 〇 首先，圖]5左側所示完全空乏型TFT3 3 0係具備閘 道端子303a，由從該閘道端子303a之電場形成通道之半 導ϋ層^Ola之通道範圍301a’’將鬧道端子303a與半導 體層1 a進行絕緣之閘道絕緣膜（閘道氧化膜）3 〇 2，半導 體層1 a之源區3 0 1 b及漏[極]範圍3 0 1 c，而閘道端子 3 0 3 a係與上述通道範圍對向來形成。 又，針對實際之半導體裝置係於上述之半導體層 3 〇 1 a之源區3 01 b，將閘道絕緣膜3 0 2進行開口形成源[極] 端子’並對於漏[極]範圍30] c，將閘道絕緣膜3〇2進行開 口形成漏[極]端子，另外，源區3 0 1 b及漏[極]範圍3 0 ] c 係對於半導體層3 0 1 a，根據摻雜規定濃度之不純物離子 之情況所形成。。 並且’對於上述半導體層3 0 1 a之側面部係亦可形成 有由氮化矽等之耐氧化性材料而成之側面保護膜3 2 5，而 完全空乏型T F T 3 3 0係根據採取半導體層3 〇〗a之上面側 之闊道絕緣膜3 0 2及半導體層3 〇 ] a周圍之側面保護膜 3 2 5與閘道端子3〇3a絕緣，由作爲如此構成之情況下， 對於半導體層3 〇 ] a之上面部係根據形成爲均一層厚之閘 道絕緣膜3 0 2與閘道端子3 0 3 a絕緣，並半導體層3 0 1 a之 -48 - (45) 1226124 週璧部係根據上述側面保護膜325與閘道端子3 03 a ，隨之，如根據本實施型態之構成，針對半導體層 之緣端’將可有效地控制由閘道端子3 〇 3 a與半_ 3 0 1 a之距離（即、閘道絕緣膜2之膜厚）部分變薄 生MOS之產生，進而構成具備優越電流特性且信賴 越之TFT。 另一方面，圖15右側所示部份空乏型TFT3 8 〇 圖示左側之完全空乏型 T F T 3 3 0相同地，具備_道 3 8 3 a ’由從該閘道端子3 8 3 a之電場形成通道之半導 3 8 0a之通道範圍38〇a/ ，將閘道端子3 8 3 a與半導 3 8 0 a進行絕緣之閘道絕緣膜3 〇 2，半導體層3 8 〇 &之 38 0b及3 8 0 c，與半導體層3 8 0周璧相接之側璧保 3 85所構成’又，針對此部份空乏型TFT3 8 0係亦與 之完全空乏型TFT33〇相同地，源區38〇b及漏[極： 3 8 0c係對於半導體層38〇a，根據摻雜規定濃度之不 離子之情況所形成。 並且’對於上述部份空乏型TFT3 8 0之半導體靥 之側面邰係亦可形成有由氮化矽等之耐氧化性材料而 側面保護膜3 8 5，即，有關本實施型態之部份空 TF T 3 8 0係根據半導體層3 8 〇 a之上面側之閘道絕緣腹 及側面保護膜3 8 5與閘道端子3 8 3絕緣，由作爲如此 之情況下，對於半導體層8 〇 a之上面部係根據形成爲 層厚之閘道絕緣膜3 0 2與閘道端子3 8 3絕緣，並半導 3 8 0 a之週璧部及側面部係根據上述側面保護膜385 絕緣 3 0 1a 體層 之寄 性優 係與 端子 體層 體層 源區 護膜 先前 範圍 純物 3 8 0a 成之 乏型 302 構成 均一 體層 與閘 -49- (46) 1226124 道端子3 8 3 a絕緣，隨之，如根據本實施型態之構成，將 可有效地控制由閘道端子3 8 3 a與半導體層3 8 0a之距離（ 閘道絕緣膜2之膜厚）部分變薄之寄生Μ 0 S之產生，進 而構成具備優越電流特性且信賴性優越之TFT。 如圖1 5所示，構成完全空乏型TFT 3 3 0之半導體層 3〇la係形成比構成部份空乏型TFT3 8 0之半導體層3 8 0 a 還薄，由作爲如此之構成情況下，針對完全空乏型TFT3 0 係可減低無泄放電流之情況，另外，部份空乏型T F T 3 8 0 係由厚厚形成半導體層3 8 0 a膜厚之情況下，將可進行快 速動作。 構成完全空乏型TFT3 3 0之半導體層301a之層厚係 並無特別限定，但作爲從3 Onm至1 OOnm之範圍，而理想 係作爲從3 0 n m至8 0 n m之範圍，更爲理想係作爲從4 〇 n m 至6 Onm之範圍的—定膜厚。 如半導體層3 0 1 a的膜厚爲1 0 0 n m以下，無關通道部 之不純物’閘道端子控制之空乏層則可作爲比半導體層 3〇]a還擴大，並可容易地將TFT30作爲完全空乏型，又 ’如將半導體層3 0 1 a的層厚作爲1 〇〇nm以下、理想係作 爲8 0 n m以下、更爲理想係作爲6 〇 n m以下，將可抑制極 少光泄放電流，並爲有效。 另外、如將半導體層3 0 1 a的層厚作爲3 〇 n m以上、 理想係作爲4〇nm以上，將可縮小根據通筠範圍3〇1 ia，膜 厚之臨限値電壓等之電晶體特性之不均，另外接觸電阻也 不會增加。 -50 - (47) Ϊ226124 另外、構成部份空乏型T F T 3 8 0之 層厚係並無特別限定，但理想係作爲松 $範_，更爲理想係作爲從丨5 〇nm至 定腠厚。 如半導體層3 8 0 a的層厚係]00n 一 11111以上’將可確保充分之耐壓之同 細百小封合電阻，故針對半導體積體電路 &驅動能力之情況，進而可形成以高速 路。 另外，當半導體層3 8 0 a的層厚係 針對形成構成完全空乏型TFT30之^ f虫则：r程，因膜厚之不均等而造成製造 想。 又’在本實施型態之中係已例示 FT 3 30與部份空乏型TFT 3 8 0被形成 $體裝置，但本發明之技術範圍係並不 如上述半導體元件可作爲只有完全空乏 ’只有部份空乏型TFT之構成，當然^ 以外之半導體兀件於上述半導體層。 (半導體裝置之製造方法） 作爲有關本發明之半導體裝置之製 由絕緣膜來形成單晶矽層於矽基板上而 用先釗之第1〜第4實施型態之光電裝 :半導體層3 8 0 a的 ；1 0 0 n m 至 6 0 0 n m 4 0 0n m之範圍的一 m以上、理想係爲 時，亦可充分抑制 「將可得到充分之電 丨進行驅勤之積體電 如爲6 0 0 n m以上時 #導體層3 0 1 a時之 :上困難之虞不甚理 說明過完全空乏型 在同一基板上之半 限定於此構成，例 L型TFT之構成或 尔可形成T F T元件 造方法係如對於藉 成之S Ο Ϊ基板，適 置之製造方法即可 -51 - (48) 1226124 ’具體來說係作爲B 5乃至圖8所示之s〇i基板，採用支 撑基板做爲砂基板之構成來進行各工程之製造方法，而如 根據有關的製造方g ’將可容易地形成不同層厚之半導體 層於SOI基板’另外關於㈣體層之薄層化工程先行將 半導體層進行圖案化’故可防止對於絕緣膜之過度腐鈾， 另又可高精確度控制半導體層之平面形狀，而得到與先前 各實施型態之光電裝置之製造方法相同的作用效果。 (採用半導體裝置之電子機器） 接著，作爲適用上述實施型態之半導體裝置的電子機 器之一例’舉出具備有內部電路與，爲了驅動此之週邊驅 動電路之半導體積體電路，並參照圖1 6來進行說明，而 圖]ό係爲有關本實施型態之半導體積體電路1 3 〇 〇之模式 構成圖’半導體積體電路1 3 00係由具備形成記憶體等之 內部電路1 3 0 1與，採用此內部電路所設置之輸出入緩衝 器等之週邊驅動電路1 3 0 2所構成，並且，在本實施型態 之半導體積體電路之中係於內部電路〗3 〇丨形成部份空乏 型之設計，而對於週邊驅動電路1 3 0 2係形成完全空乏型 之設計，由此，針對內部電路]3 0 ]係無泄放電流將被減 低，而針對週邊驅動電路1 3 02係將可進行根據耐壓及臨 限値低下之低電壓的動作。 [發明之效果] 以上，如詳細之說明，如根據有關本發明之光電裝置 >52- (49) 1226124 之製造方法，由包含將前述半導體層圖案化成規定平面形 狀來分割前述半導體層於複數半導體範圍之圖案化X程與 ，從根據前述圖案化工程所形成之前述半導體範圍之中， 將一以上之範圍的半導體層薄層化成規定之半導體層厚之 薄層化工程所構成之情況下，因半導體層厚在基板上由一 定的狀態進行圖案化，故蝕刻深度在基板上爲一定深度， 而針封以住之製造方法成爲問題之絕緣膜的過度腐餓係不 會產生，另外，針對薄層化工程所薄層化之半導體範圍則 因預先與其他半導體範圍作分割，故容易控制針對在各自 範圍之半導體層之形狀，而更可正確形狀地形成半導體層 ’另外’如根據有關本發明之光電裝置之製造方法，於從 表面氧化單晶砂層以前，將單晶矽層事前進行分離，並因 nJ減少單晶砂層之面積，故可從單晶砂層與熱氧化膜層之 熱膨脹率的差容易防止對單晶矽層滑動之缺陷產生。 隨之，如根據有關本發明之製造方法，將可產率優良 製造形成信賴性優越之半導體元件得到之光電裝置。 另外根據本發明，將可解決針對在採用S 0 I基板之半 #體裝置之以往技術的問題點，另外可容易地控制半導體 形狀’進而可提供可容易製造信賴性優越之半導體裝置的 製造方法。 另外根據本發明，將可提供信賴性優越之光電裝置及 具備此之投射型顯示裝置，電子機器，以及信賴性優越之 半導體裝置及具備此之電子機器。 (50) 1226124 【圖式簡單說明】 [圖]]圖]係爲本發明之一實施型態之液晶裝置之等 效電路圖。 [圖2 ]圖2係表示具備圖1所示之顯示範圍之液晶裝 置之全體構成平面圖。 [圖3]圖3係沿著圖2所示之Η-It線之剖面圖。 [圖4]圖4係分割圖2所示之液晶裝置之畫素範圍與 周邊範圍來表示各個TFT之部份剖面圖。 [圖5 ]圖5係表示有關本發明之光電裝置製造方法之 第1實施型態之剖面工程圖。 [圖6]圖6係表示有關本發明之光電裝置製造方法之 第2實施型態之剖面工程圖。 [圖7]圖7係表示有關本發明之光電裝置製造方法之 第3實施型態之剖面工程圖。 [圖8 ]圖8係表示有關本發明之光電裝置製造方法之 第4實施型態之剖面工程圖。 [圖9]圖9係表示採用有關本發明之光電裝置之電晶 體元件之形成方法之剖面工程圖。 [圖]0]圖1 0係表示採用有關本發明之光電裝置之電 晶體元件之形成方法之剖面工程圖。 [圖1 1 ]圖1 1係表示採用有關本發明之光電裝置之電 晶體元件之形成方法之剖面工程圖。 [圖1 2]圖1 2係表示以往光電裝置之製造方法之剖面 工程圖。 -54 - (51) 1226124 [圖1 3 ]圖1 3係爲有關本發明之投射型顯示裝置之構 成圖 構成 施型 面構 【主 1 a 5 80a 10 ]1 a ]2 25， 3 0 3 1， 80 2 10 220 2 16 〇 [圖14]圖14A〜C係爲有關本發明之電子機器之斜視 圖。 [圖1 5 ]圖1 5係表示有關本發明之半導體裝置之一實 態的部份剖面構成圖。 [圖1 6]圖1 6係表示有關本發明之電子機器之一例平 成圖。 要元件對照表】 201 第1半導體層 第2半導体層 支撐基板（基板，TFT陣列基板） 第1遮光膜 1層間絕緣膜（絕緣膜，氧化層） 85 側面保護膜 畫素切換用元件 81 電晶體元件 週邊電路用TFT 第1半導體範圍 第2半導體範圍 氧化層（氧化保護膜） -55-