TWI224900B - Light-sending apparatus - Google Patents

Description

1224900 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 紅外線方式之通信系統被廣泛的利用在筆記型電腦、行 動電話、PDA(Personal Digital Assistant;個人、數位、輔 助器）等之資訊通信機器。 紅外線通信系統由受光/發光模組和電資料處理之系統 LSI構成。受光/發光模組是將光發射資料之光發射裝置和 光接受資料之光收訊裝置封裝在1個組件。 紫外線通信系統提案有各種規格，但是近年來以採用 IrDA規格之紅外線通信系統之構造爲主流。 本發明有關於使用在上述紅外線通信系統之構造之光發 射裝置。 【先前技術】 上述習知之光發射裝置具有圖7所示之電路構造。亦 即，如圖7所示，輸入端子5 1連接到電阻5 2之一端，電 阻52之另外一端連接到發光元件驅動用之NPN雙載子電 晶體53之基極。NPN雙載子電晶體53之集極連接到光發 射用之發光二極體54之陰極，NPN雙載子電晶體53之射 極連接到電阻55之一端。發光二極體54之陽極連接到電 源端子56，電阻55之另外一端連接到地線端子57。 上述方式之光發射裝置是當施加在輸入端子51之光發 射用輸入信號變成爲高位準時，NPN雙載子電晶體53進行 導通，電流從電源端子5 6流入到發光二極體5 4 ’用來使 發光二極體54進行發光。另外，當施加在輸入端子51之 6 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 53極 體二 晶光 電發 子以 1C所 ητπΐΓ 雙 4 Ν 5 ΝΡ體 ， 極 時二 準光 位發 低到 爲入 成流 變流 號電 信有 入沒 輸 ， 用開 斷 發行54 光進體 光 發 止 停 在此種電路構造之情況時，如圖8之波形U)所示之振幅 V ί N之光發射用輸入信號，亦即，來自系統L SI之輸出信 號，在被輸入到光發射裝置之輸入端子5 1之情況時，來自 光發射裝置之發光二極體54之光輸出，如圖8之波形（b) 所示，成爲與來自系統LSI之輸出信號相同之形狀。 但是，由於系統LSI之軟體等之原因，輸入端子51之電 位，亦即光發射用輸入信號，如圖9之波形（a)所示，在被 固定爲高位準狀態之情況時，NPN雙載子電晶體53持續爲 導通狀態。其結果是發光二極體54如圖9之波形（b)所示， 繼續發光。 因此，在PDA或行動電話，會發生電池沒電和發光二極 體54被破壞之各種問題。 爲著防止此種問題之發生，大部份之情況其對策是在光 發射裝置之輸入端子51之前級插入保護電路。 該保護電路構建成使用計時器等計測光發射用輸入信號 之脈衝幅度，當超過某一個時間幅度時就強制停止光發射 用輸入信號。 在圖7所示之習知之電路構造中’如上述說明’在由於 軟體等之原因使輸入端子5 1之電位’亦即光發射用輸入信 號被固定在高位準狀態之情況時’發光二極體54變成爲持 續發光。其結果是在PDA或行動電話會發生電池沒電和發 7 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 光二極體5 4被破壞之各種問題。 另外，在光發射裝置之輸入端子51之前級設置保護電路 之構造中，構造變爲複雜，會有價格變高之問題。 【發明內容】 本發明之目的在於，提供光發射裝置，當由於光發射用 輸入信號被固定在高位準等之錯誤動作，使光發射用輸入 信號之脈衝幅度超過指定値時，可以自動的停止發光元件 之發光動作，可以防止由於錯誤動作造成電池沒電，和防 止發光元件之破壞，而且可以使構造簡化和廉價的實現。 本發明之光發射裝置具備有：高通濾波器，用來使由脈衝 波形構成之光發射用輸入信號之高頻成分通過；二進制化 電路，用來對高通濾波器之輸出信號進行二進制化使其回 到脈衝波形；光發射用之發光元件；和發光元件驅動電路， 依照二進制化電路之輸出信號驅動發光元件。 依照此種構造時，由脈衝波形構成之光發射用輸入信號 不是直接輸入到發光元件驅動電路，而是通過高通濾波器 對脈衝波形進行微分，利用二進制化電路對微分後之信號 進行二進制化，在回到脈衝波形後輸入到發光元件驅動電 路。因此，對於由高通濾波器之時間常數和二進制化電路 之二進制化之臨限値所決定之指定時間幅度，使具有脈衝 幅度比該指定時間幅度短之光發射用輸入信號，直接以該 脈衝幅度從二進制化電路輸出。 但是，對於具有脈衝幅度比上述指定時間幅度長之光發 射用輸入信號，由於通過高通濾波器使其位準逐漸下降， 8 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 當經過指定之時間後，高通濾波器之輸出信號之位準變成 低於二進制化電路之二進制化之臨限値。其結果是即使輸 入具有脈衝幅度比上述指定時間幅度長之光發射用輸入信 號時，亦不會從二進制化電路輸出具有脈衝幅度比該指定 時間幅度長之信號。 因此，在由於軟體等之原因使光發射用輸入信號被固定 在高位準狀態之情況時，或是光發射用輸入信號之脈衝幅 度比可適用之通信系統之脈衝幅度長之情況時，發光二極 體只在指定之脈衝幅度之時間發光，在其以外之時間不發 光。 因此，可以防止對光發射裝置供電之電池之沒電，和可 以防止發光二極體之破壞。 另外，在該構造設置高通濾波器和二進制化電路，依照 所欲遮斷之光發射用信號之時間幅度，適當的設定高通濾 波器之電路常數，就可以使構造簡化和廉價的實現。 在上述本發明之光發射裝置中，高通濾波器例如由電容 器和電阻之L型電路構成。 依照此種構造時，因爲高通濾波器由電容器和電阻構 成，所以可以使構造簡化和廉價的實現。 在上述本發明之光發射裝裝置中，二進制化電路例如由 縱向連接之2級之反相器構成。 依照此種構造時，因爲二進制化電路由縱向連接之2級 之反相器構成，所以可以構造簡化和廉價的實現。 在上述本發明之光發射裝置中，反相器例如由CMOS反 9 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 相器構成。 依照此種構造時，因爲反相器由CMOS反相器構成，所 以待用時不需要電流，當與使用雙極型電晶體構成反相器 之情況比較時，可以使消耗電力減低。 另外’在上述本發明之光發射裝置中，發光元件驅動電 路例如由雙載子電晶體構成。雙載子電晶體在其基極被輸 入有二進制化電路之輸出信號，因此依照二進制化電路之 輸出信號斷續對發光元件之電流供給。 在上述本發明之光發射裝置中，發光元件驅動電路例如 由具有縱向連接的 2級之雙載子電晶體之達林頓 (Darlington)電路構成。另外，在達林頓電路之初級之雙載 子電晶體之基極，被輸入有二進制化電路之輸出信號，因 此依照二進制化電路之輸出信號，斷續達林頓電路之下一 級之雙載子電晶體對發光元件之電流供給。 依照此種構造時，因爲二進制化電路之輸出信號不是施 加到用以直接驅動發光元件之下一級之雙載子電晶體之基 極，而是施加到初級之雙載子電晶體之基極，所以二進制 化電路可以使用電流驅動能力較小者。 另外，將二進制化電路之輸出信號施加在構成達林頓電 路之初級和下一級之雙載子電晶體之串聯連接之2個之基 極·射極間。亦即，施加在初級之雙載子電晶體之基極和 下一級之雙載子電晶體之射極之間。其結果是當與發光元 件驅動電路由1級之雙載子電晶體構成之情況比較時，在 二進制化電路之輸出產生有雜訊時，可以使雜訊之位準不 10 3 U/發明說明書(補件)/92-〇3/9l U5274 1224900 會變高，和使發光元件不會發光。因此，可以提高耐雜訊 性。 在上述本發明之光發射裝置中，發光元件驅動電路例如 由MOS電晶體構造。MOS電晶體在其閘極被輸入有二進制 化電路之輸出信號，因此依照二進制化電路之輸出信號斷 續對發光元件之電流供給。 依照此種構造時，因爲用以決定動作電壓之下限之MOS 電晶體之汲極·源極間電壓，低於雙載子電晶體之汲極· 射極間電壓，所以可以進行低電壓動作。 在上述本發明之光發射裝置中，發光元件例如由發光二 極體構成。 【實施方式】 (第1實施形態：對應到申請專利範圍第1、2、3、5項） 圖1是電路圖，用來表示本發明之第1實施形態之光發 射裝置之構造。該光發射裝置如圖1所示，具備有：高通 濾波器2 1，用來使矩形波之脈衝波形所構成之光發射用輸 入信號之高頻成分通過；二進制化電路22，用來使高通濾 波器2 1之輸出信號二進制化藉以回到脈衝波形；發光二極 體8，作爲光發射用之發光元件；和發光元件驅動電路23， 依照二進制化電路22之輸出信號用來驅動發光二極體8。 高通濾波器2 1由例如電容器2和電阻3之L型電路構 成。 二進制化電路22例如由縱向連接的2級之反相器4、5 構成。反相器4、5例如由雙載子電晶體構成。 11 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 發光元件驅動電路2 3由N P N雙載子電晶體7和電阻6、 9構成。NPN雙載子電晶體7依照被輸入到基極之二進制 化電路2 2之輸出信號，用來斷續供給到發光二極體8之電 流。電阻6插入在NPN雙載子電晶體7之基極和二進制化 電路22之間。電阻9插入在NPN雙載子電晶體7之射極 和地線端子1 1之間。 下面將具體的說明光發射裝置之各個元件之連接關 係。在輸入端子1連接有電容器2之一端，在電容器2之 另外一端連接有電阻3之一端和反相器4之輸入端子，在 反相器4之輸出端子連接有反相器5之輸入端子。在反相 器5之輸出端子連接有電阻6之一端，電阻6之另外一端 連接到NPN雙載子電晶體7之基極。在NPN雙載子電晶體 7之汲極連接有發光二極體8之陰極，發光二極體8之陽 極連接到電源端子10。在NPN雙載子電晶體7之射極連接 有電阻9之一端，電阻3之另外一端和電阻9之另外一端 連接到地線端子1 1。 在此處之實施形態之說明中，連接有電容器2，電阻3， 和反相器4之輸入端子之節點以元件符號3 1表示，連接有 反相器4之輸出端子和反相器5之輸入端子之節點以元件 符號3 2表示。 圖2之波形（a)表示將例如脈衝幅度爲7 5 # s e c之脈衝波 形輸入到輸入端子1作爲光發射用信號時之輸入端子1之 波形。圖2之波形（b)表示節點31之波形。圖2之波形（〇 表示節點32之波形。圖2之波形（d)表示發光二極體8之 12 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 光功率。 圖3之波形（a)表示將例如脈衝幅度爲75 # sec之脈衝波 形輸入到輸入端子丨作爲光發射用信號時之輸入端子1之 波形。圖3之波形（b)表示節點31之波形。圖3之波形（c) 表示節點32之波形。圖3之波形（d)表示發光二極體8之 光功率。 在圖2和圖3中，VlN是光發射用信號之振幅，Vt是用 來判別二進制化電路22之初級之反相器4是高位準或低位 準之臨限値。 在輸入端子1當被輸入有圖2之波形（a)所示之光發射用 輸入信號時’在節點31輸出圖2之波形（b)所示之電壓 Vm。該圖2之波形（a)所示之光發射用輸入信號是振幅 VIN，週期T，duty 3/16之矩形波。另外，圖2之波形（b) 所示之電壓Vm以下式（1)表示。 V3i = ViN*exp{-t/(C2*R3)}.........式（1) 其中，C2表示電容器2之電容量，1^3表示電阻3之電阻 値。 依照式（1)，節點31之電壓V31以時間常數C2*R3之衰減 率逐漸變小。 這時，在具有指定之脈衝幅度之輸入信號回到低位準之 前，節點3 1之電壓V 3!，不論臨限値Vt如何，均依照電容 器2之電容量C2和電阻3之電阻値R3之値決定。 例如，IrDA之規格爲最長之脈衝因爲是75 μ sec(2.4kbps duty 3/16之情況時），所以以能夠滿足下式（2)之方式，決 13 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 定電容器2之電容量C2和電阻3之電阻値Rs。 t = C2*R3*ln(ViN/Vi) ^ 75// sec..................式（2) 在上式中，當電源電壓VIN爲3.0V，臨限値Vt爲1.4V 之情況時，例如 C2=100pF ， R3=1M Ω 時，可以滿足式（2)。 依照此種方式時，在節點3 2輸出使光發射用輸入信號反 相之圖2之波形（c)。因此，發光二極體8，如圖2之波形 (d)所示，在與被輸入之光發射用輸入信號相同之脈衝幅度 之期間進行發光。當光發射用輸入信號之脈衝幅度比75 // sec短時，只在與該脈衝幅度相同之時間，使發光二極體8 進行發光。 其次，由於前級電路（系統LSI)之錯誤動作，如圖3之波 形（a)所示，當輸入75 // sec以上之長脈衝幅度之光發射用 輸入信號時，如圖3之波形（b)所示，從節點31之電壓V31 之上升起於經過75 // sec之時刻，使臨限値Vt下降。因此， 節點32，與光發射用輸入信號之脈衝幅度無關的，從光發 射用輸入信號之上升起，於經過75 // sec之時刻回復到高 位準。因此，發光二極體8所發之光即使比光發射用輸入 信號之脈衝幅度稍長，最長亦只爲75// sec。 如以上所說明之方式，成爲不會將75 // sec以上之脈衝 幅度之光發射用輸入信號傳達到發光二極體8。 依照此種構造時，由脈衝波形構成之光發射用輸入信號 不是直接輸入到發光元件驅動電路23,而是通過高通濾波 14 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 器2 1進脈衝波形之微分，被微分之信號在二進制化電路 22進行二進制化，回到脈衝波形後輸入到發光元件驅動電 路23。因此，具有脈衝幅度比高通濾波器2 1之時間常數 和二進制化電路22之二進制化之臨限値所決定之指定時 間幅度短之光發射用輸入信號，以其原來之脈衝幅度從二 進制化電路2 2輸出。 但是，對於具有脈衝幅度比上述指定時間幅度長之光發 射用輸入信號，通過高通濾波器2 1使其位準逐漸下降，在 經過指定之時間後，使高通濾波器2 1之輸出信號位準變成 低於二進制化電路22之二進制化之臨限値。其結果是即使 輸入具有脈衝幅度比上述指定時間幅度長之光發射用輸入 信號時，亦不會從二進制化電路22輸出具有脈衝幅度比指 定時間幅度長之信號。 因此，在由於軟體等之原因使光發射用輸入信號被固定 在高位準狀態之情況時，發光二極體8只在指定之脈衝幅 度之時間發光，在其以外之時間不發光。 因此，可以防止對光發射裝置供電之電池之電池沒電， 和防止發光二極體8之破壞等，在由於軟體等之原因使輸 入端子被固定在高位準狀態之情況時，或變成比假想之脈 衝幅度長之情況時，可以解決所產生之各種問題。 另外，此種構造設有高通濾波器2 1和二進制化電路22， 依照所欲遮斷之光發射用信號之時間幅度，適當的設定高 通濾波器2 1之電路常數，就可以使構造簡化和廉價的實 現。 15 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 另外，高通濾波器2 1因爲由電容器2和電阻3構成’所 以可以使構造簡化和廉價的實現。 另外，二進制化電路2 2因爲由縱向連接之2級之反相器 4、5構成，所以可以使構造簡化和廉價的實現。 (第2實施形態：對應到申請專利範圍第7項） 圖4是電路圖，用來表示本發明之第2實施形態之光發 射裝置之構造。該光發射裝置如圖4所示’發光元件驅動 電路24之構造與圖1之發光元件驅動電路23不同。亦即’ 在該發光元件驅動電路24中使用N通道MOS電晶體12 用來代替NPN雙載子電晶體7。其他之構造與圖1之光發 射裝置相同。 在圖1之電路圖中，光發射裝置之動作電壓之決定依照 發光二極體8之順向電壓，電阻9之端子電壓’和NPN雙 載子電晶體7之集極-射極間電壓。 發光二極體8之動作電流依照發光功率決定，在此處視 爲一定。因此，發光二極體8之順向電壓和電阻9之端子 電壓成爲一定，所以動作電壓之下限之決定時’使其成爲 NPN雙載子電晶體7之集極-射極間電壓。一般之飽和時 之NPN雙載子電晶體7之集極一射極間電壓爲200mV程 度。 與此相對的，在圖4之電路圖之情況，在動作電壓之下 限之決定時，使其成爲N通道MOS電晶體12之動作時之 汲極—源極間電壓。該値爲l〇mV比NPN雙載子電晶體7 之集極-射極間電壓小。因此，當與圖1之電路比較時’ 16 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 圖4之電路亦可以進行低電壓動作。除此之外之效果與第 1實施形態相同。 如以上所說明之方式，依照本實施形態之構造時，在動 作電壓之下限之決定，因爲N通道MOS電晶體12之汲極· 源極間電壓低於雙載子電晶體之集極·射極間電壓，所以 可以進行低電壓動作。 (第3實施形態：對應到申請專利範圍第6項） 圖5是電路圖，用來表示本發明之第3實施形態之光發 射裝置之構造。該光發射裝置如圖5所示，其發光元件驅 動電路25之構造與圖1之發光元件驅動電路23不同。亦 即，該發光元件驅動電路25使用縱向連接有NPN雙載子 電晶體17、7之2級構造之達林頓電路，用來代替1級之 NPN雙載子電晶體7。該發光元件驅動電路25依照被輸入 到初級之NPN雙載子電晶體17之基極之二進制電路22之 輸出信號，用來斷續下一級之NPN雙載子電晶體7對發光 二極體8之電流供給。 具體的說明時，在電阻6之另外一端連有初級之NPN雙 載子電晶體17之基極，NPN雙載子電晶體17之集極連接 到電源端子10，NPN雙載子電晶體17之射極連接到NPN 雙載子電晶體7之基極。其他之構造與圖1之光發射裝置 相同。 在圖1之電路構造中，當在構成前級之二進制化電路22 之反相器5之輸出有雜訊產生之情況，假如其雜訊位準成 爲0.3V以上時，因爲電晶體7開始逐漸進行動作，所以發 17 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 光二極體8開始逐漸發光。 但是，依照圖5所示之電路構造時，即使在反相器5之 輸出產生有雜訊之情況，因爲在NPN雙載子電晶體7之前 級以達林頓連接之形式插入有NPN雙載子電晶體17,所以 雜訊位準不會成爲1.0V以上，NPN雙載子電晶體17、7不 會開始逐漸進行動作。 依照本實施形態之構造時，二進制化電路22之輸出信號 不是施加到直接驅動發光二極體8之下一級之NPN雙載子 電晶體7之基板，而是施加到初級之NPN雙載子電晶體1 7 之基極。其結果是構成二進制化電路22之反相器4、5可 以使用電流驅動力較小者。 另外，二進制化電路22之輸出信號施加在構成達林頓電 路之初級和下一級之NPN雙載子電晶體1 7、7之串聯連接 之2個之基極·射極間。亦即，在初級之NPN雙載子電晶 體17之基極和下一級之NPN雙載子電晶體7之射極之間， 施加二進制化電路22之輸出信號。其結果是當與發光元件 驅動電路25只由1級之NPN雙載子電晶體7構成之情況 比較時，即使在二進制化電路22之輸出產生有雜訊時，本 實施形態可以使雜訊之位準不會變高和使發光二極體8不 會發光。因此，可以提高耐雜訊性。 其他之效果與第1實施形態之相同。 (第4實施形態：對應到申請專利範圍第4項） 圖6是電路圖，用來表示本發明之第4實施形態之光發 射裝置之構造。該光發射裝置之二進制化電路26之構造與 18 312/發明說明書(補件)/92_03/91135274 1224900 圖1之不同。亦即，該二進制化電路26使用CMOS構造之 反相器40、50用來代替由雙載子電晶體等構成之反相器 4、5。另外，在圖4和圖5之電路亦可以使用CMOS構造 之反相器。 反相器40、50成爲下面所述方式之電路構造。亦即，p 通道M0S電晶體13之閘極和N通道MOS電晶體15之閘 極連接在電阻3和電容器2。另外，P通道MOS電晶體13 之汲極和N通道M0S電晶體15之汲極連接到P通道MOS 電晶體14之閘極和N通道MOS電晶體16之閘極。另外， P通道M0S電晶體14之汲極和N通道MOS電晶體16之 汲極連接到電阻6。另外，P通道Μ 0 S電晶體1 3、1 4之源 極連接到電源端子10。另外，Ν通道MOS電晶體15、16 之源極連接到地線端子1 1。 在本實施形態中，反相器40、50爲CMOS構造，待用時 不需要電流。因此，當與使用雙載子電晶體構成之反相器 4、5之第1實施形態比較時，可以使消耗電力減低。其他 之效果與第1實施形態相同。 另外，在上述各個實施形態中是發光元件驅動電路使用 NPN雙載子電晶體或N通道M0S電晶體，但是其代替者， 亦可以使用PNP雙載子電晶體或P通道MOS電晶體，用 來構成發光元件驅動電路。 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示本發明之第1實施形態之光發射裝置之構造 之電路圖。 19 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 圖2(a)〜（d)爲顯示本發明之第1實施形態之光發射裝置 之動作之波形圖。 圖3(a)〜（d)爲顯示本發明之第1實施形態之光發射裝置 之動作之波形圖。 圖4爲顯示本發明之第2實施形態之光發射裝置之構造 之電路圖。 圖5爲顯示本發明之第3實施形態之光發射裝置之構造 之電路圖。 圖6爲顯示本發明之第4實施形態之光發射裝置之構造 電路圖。 圖7爲顯示習知之光發射裝置之構造之電路圖。 圖8(a)、（b)爲顯示習知之光發射裝置之動作之波形圖。 圖9(a)、（b)爲顯示習知之光發射裝置之動作之波形圖。 (元件符號說明） 1 輸入端子 2 電容器 3、 6、9 電阻 4、 5、40、50 反相器 7、17 NPN雙載子電晶體 8 發光二極體 10 電源端子 11 地線端子 12、 15、16 N通道MOS電晶體 13、 14 P通道M〇S電晶體 20 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 2 1 高通濾波器 11、26 23、25 發光元件驅動電路 31 > 32 節點 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274

Claims (1)

1224900 拾、申請專利範圍 1. 一種光發射裝置，其包含有：具備高通濾波器，用來使 由脈衝波形構成之光發射用輸入信號之高頻成分通過；二 進制化電路，用來對上述高通濾波器之輸出信號進行二進 制化使其回到脈衝波形；光發射用之發光元件；及發光元 件驅動電路，依照上述二進制化電路之輸出信號驅動上述 發光元件。 2. 如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述高 通濾波器爲電容器和電阻組成之L型電路構成。 3. 如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述二 進制化電路由縱向連接之2級之反相器構成。 4. 如申請專利範圍第3項之光發射裝置，其中，上述反 相器由CMOS反相器構成。 5. 如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述發 光元件驅動電路由雙載子電晶體構成，上述雙載子電晶體 在其基極被輸入有上述二進制化電路之輸出信號，藉此， 依照上述二進制化電路之輸出信號斷續對上述發光元件之 電流供給。 6·如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述發 光元件驅動電路由具有縱向連接之2級之雙載子電晶體組 成之達林頓（Darling ton)電路構成，在上述達林頓電路之初 級之雙載子電晶體之基極，被輸入有上述二進制化電路之 輸出信號，藉此依照上述二進制化電路之輸出信號，斷續 述達林頓電路之下一級之雙載子電晶體對上述發光元件 22 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274 1224900 之電流供給。 7 ·如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述發 光元件驅動電路由MOS電晶體構成，上述MOS電晶體在 其閘極被輸入有上述二進制化電路之輸出信號，藉此，依 照上述二進制化電路之輸出信號斷續對上述發光元件之電 流供給。 ， 8.如申請專利範圍第1項之光發射裝置，其中，上述發 光元件由發光二極體構成。 23 312/發明說明書(補件)/92-03/91135274