WO2003049328A1 - Appareil emetteur optique - Google Patents

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Katsuichi Ohsawa
Toyoyuki Shimazaki
Tetsuo Chato
Yuzo Shimizu
Kenji Imaizumi
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/11Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
    • H04B10/114Indoor or close-range type systems

Definitions

  • Infrared communication systems are widely used in information communication devices such as notebook computers, mobile phones, and PDAs (Personal Digital Assistants).
  • the infrared communication system includes a light receiving / emitting module and a system LSI for electrically processing data.
  • the light receiving / emitting module is an optical transmission device for optically transmitting data and an optical receiving device for optically receiving data in one package.
  • the present invention relates to an optical transmission device used in the configuration of the infrared communication system described above. Background art
  • the conventional optical transmission device described above has a circuit configuration shown in FIG. That is, as shown in FIG. 7, the input terminal 51 is connected to one end of the resistor 52, and the other end of the resistor 52 is connected to the base of the NPN bipolar transistor 53 for driving the light emitting element. I have.
  • the collector of the NPN bipolar transistor 53 is connected to the power source of the light emitting diode 54 for transmitting light, and the emitter of the NPN bipolar transistor 53 is connected to one end of the resistor 55.
  • the anode of the light emitting diode 54 is connected to the power supply terminal 56, and the other end of the resistor 55 is connected to the ground terminal 57.
  • the NPN bipolar transistor 53 conducts, and current flows from the power supply terminal 56 to the light emitting diode 54.
  • the light emitting diode 54 emits light.
  • the NPN bipolar transistor 53 is cut off, no current flows into the light emitting diode 54, and the light emitting diode 54 stops emitting light.
  • the optical transmission input signal amplitude V t N as shown by the waveform of FIG. 8 (a), i.e., the output signal from the system LSI is input to the input terminal 5 1 of the optical transmission equipment
  • the optical output from the light emitting diode 54 of the optical transmitter has the same form as the output signal from the system LSI, as shown by the waveform (b) in FIG.
  • the potential of the input terminal 51 that is, the input signal for optical transmission
  • the potential of the input terminal 51 is fixed to a high level state as shown by the waveform (a) in FIG. 9 due to the software of the system LSI, etc.
  • NPN Bipolar Transistor Evening 5 3 remains conductive.
  • the light emitting diode 54 continues to emit light as shown by the waveform (b) in FIG.
  • a protection circuit is often provided before the input terminal 51 of the optical transmitter to take measures.
  • This protection circuit measures the pulse width of the optical transmission input signal using a timer or the like, and forcibly stops the optical transmission input signal when a certain time width is exceeded.
  • the software If the potential of the input terminal 51, that is, the input signal for optical transmission, is fixed to a high level state due to an error or the like, the light emitting diode 54 continues to emit light. As a result, various problems occur such as the battery being exhausted in the PDA and the mobile phone, and the light emitting diode 54 being destroyed.
  • An object of the present invention is to automatically stop the light emitting operation of the light emitting element when the pulse width of the optical transmission input signal exceeds a predetermined value due to a malfunction such as the optical transmission input signal being fixed at a high level. It is an object of the present invention to provide an optical transmitter which can prevent the battery from running out due to a malfunction, prevent the light emitting element from breaking down, and can realize a simple and inexpensive configuration for that purpose.
  • An optical transmission device includes a high-pass filter that passes a high-frequency component of an optical transmission input signal having a pulse waveform, a binarization circuit that binarizes an output signal of the high-pass filter and returns the output signal to a pulse waveform.
  • the pulse waveform is differentiated by once passing through a high-pass filter, and the differentiated signal is converted into a binary signal. After being binarized by the conversion circuit and returned to the pulse waveform, it is input to the light emitting element drive circuit.
  • the input signal for optical transmission having a pulse width shorter than a predetermined time width determined by the time constant of the high-pass filter and the threshold value of the binarization circuit is binarized with the same pulse width. Output from the circuit.
  • the input signal for optical transmission having a pulse width longer than the predetermined time width described above.
  • the level gradually decreases by passing through the high-pass filter, and after a predetermined period of time, the output signal level of the high-pass filter changes to the threshold value of the binarization circuit. It will be lower.
  • a signal having a pulse width longer than the predetermined time width is not output from the binarization circuit.
  • the light emitting diode emits light only for a predetermined pulse width, but does not emit light for a longer time.
  • the high-pass filter is formed of, for example, an L-type circuit including a capacitor and a resistor.
  • the high-pass filter is composed of a capacitor and a resistor, the configuration is simple and can be realized at low cost.
  • the binarization circuit is composed of, for example, two stages of cascade-connected inverters.
  • the binarization circuit is composed of two stages of cascade-connected inverters, the configuration can be realized simply and at low cost.
  • the invertor is constituted by, for example, a CMOS invertor.
  • the inversion is composed of CM ⁇ S inversion. Therefore, a standby current is not required, and power consumption can be reduced as compared with the case where an inverter is formed using bipolar transistors.
  • the light-emitting element drive circuit is formed of, for example, a bipolar transistor.
  • the bipolar transistor receives the output signal of the binarization circuit at its base, thereby interrupting the current supplied to the light emitting element according to the output signal of the binarization circuit.
  • the light-emitting element drive circuit is formed of, for example, a darlington circuit including two cascaded bipolar transistors. Then, the output signal of the binarization circuit is input to the base of the first stage bipolar transistor of the Darlington circuit, whereby the current supplied to the light emitting element by the bipolar transistor of the next stage of the Darlington circuit is supplied to the light emitting element. Intermittent depending on the output signal of the value conversion circuit.
  • the output signal of the binarization circuit is not supplied to the base of the next-stage bipolar transistor that directly drives the light emitting element, but is supplied to the base of the first-stage bipolar transistor.
  • the conversion circuit one having a small current driving capability can be used.
  • the output signal of the binarization circuit is applied between two series-connected base-emitters of the first and second bipolar transistors constituting the Darlington circuit. That is, the voltage is applied between the base of the first-stage bipolar transistor and the emitter of the second-stage bipolar transistor.
  • the light emitting element drive circuit is constituted by, for example, a MOS transistor.
  • MOS transistor is connected to the gate
  • the output signal of the binarization circuit is input, whereby the current supplied to the light emitting element is interrupted according to the output signal of the binarization circuit.
  • the light emitting element is, for example, a light emitting diode.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of the optical transmission device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a waveform diagram illustrating an operation of the optical transmission device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a waveform diagram illustrating an operation of the optical transmission device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of the optical transmission device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the optical transmission device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of an optical transmission device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 ' is a circuit diagram showing a configuration of a conventional optical transmission device.
  • FIG. 8 is a waveform chart showing the operation of the conventional optical transmission device.
  • FIG. 9 is a waveform chart showing the operation of the conventional optical transmission device.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment: Corresponding to Claims 1, 2, 3, and 5)
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an optical transmission device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the optical transmission device includes a high-pass filter 21 for passing a high-frequency component of an optical transmission input signal having a rectangular pulse waveform, and an output of the high-pass filter 21.
  • An element drive circuit 23 is provided.
  • the high-pass filter 21 is formed of, for example, an L-shaped circuit including a capacitor 2 and a resistor 3.
  • the binarization circuit 22 is composed of, for example, two stages of inverters 4 and 5 connected in cascade.
  • the inverters 4 and 5 are composed of, for example, bipolar transistors.
  • the light-emitting element driving circuit 23 includes an NPN bipolar transistor 7 and a resistor 69.
  • the NPN bipolar transistor 7 interrupts the current supplied to the light emitting diode 8 according to the output signal of the binarization circuit 22 input to the base.
  • the resistor 6 is inserted between the base of the NPN bipolar transistor 7 and the binarization circuit 22.
  • the resistor 9 is inserted between the emitter of the NPN bipolar transistor 7 and the ground terminal 11.
  • One terminal of capacitor 2 is connected to input terminal 1, the other terminal of capacitor 2 is connected to one terminal of resistor 3 and the input terminal of inverter 4, and the output terminal of inverter 4 is the input terminal of inverter 5. Is connected.
  • One end of resistor 6 is connected to the output terminal of inverter 5 and the other end of resistor 6 is connected to the base of NPN bipolar transistor 7.
  • NPN Baibora 1, Rungis evening 7 The LED of the light emitting diode 8 is connected to the LED, and the anode of the light emitting diode 8 is connected to the power supply terminal 10.
  • One end of the resistor 9 is connected to the emitter of the NPN bipolar transistor 7, and the other end of the resistor 3 and the other end of the resistor 9 are connected to the ground terminal 11.
  • a node to which the capacitor 2, the resistor 3, and the input terminal of the inverter 4 are connected is denoted by reference numeral 31, and the output terminal of the inverter 4 and the input terminal of the inverter 5 are connected to each other.
  • the node to which is connected is indicated by reference numeral 32.
  • the waveform (a) in FIG. 2 shows the waveform at the input terminal 1 when a pulse waveform having a pulse width of, for example, 75 nsec is input to the input terminal 1 as an optical transmission signal.
  • the waveform (b) in FIG. 2 shows the waveform at node 31 as well.
  • the waveform (c) in FIG. 2 also shows the waveform at node 32.
  • the waveform (d) in FIG. 2 shows the optical power of the light emitting diode 8 similarly.
  • the waveform (a) in Fig. 3 shows the waveform of the input terminal 1 when a pulse waveform having a pulse width exceeding, for example, 75 sec is input to the input terminal 1 as a signal for optical transmission.
  • the waveform (b) in FIG. 3 shows the waveform of the node 31 as well.
  • Waveform (c) in FIG. 3 shows the waveform of node 32 as well.
  • the waveform (d) in FIG. 3 also shows the optical power of the light emitting diode 8.
  • V tau N is the amplitude of the optical transmission signal
  • the V tau is a threshold stage of Invar evening 4 binarization circuit 2 2 to distinguish between high and low levels.
  • the voltage V 31 of the node 31 gradually decreases with the decay rate of the time constant C 2 * R 3 .
  • the input signal having a predetermined pulse width is to return to the low level, the node 3 first voltage V 3 E the capacitance value C 2 of the capacitor 2 so as not to Kira the threshold V tau, resistor 3 the value of the resistance R 3 is determined.
  • the longest pulse in the IrD ⁇ standard is 75 sec (in the case of 2.4 kbps duty 3 Z16), so the capacitance value of the capacitor 2 must satisfy the following formula (2). 2, the value of the resistance R 3 of the resistor 3 is determined.
  • V IN 3.0 V
  • V T the threshold value
  • the waveform (c) of FIG. 2 in which the optical transmission input signal is inverted is output to the node 32. Therefore, as shown by the waveform (d) in FIG. 2, the light emitting diode 8 emits light during the same pulse width as the input optical transmission input signal. If the pulse width of the input signal for optical transmission is shorter than 75 zsec, the light-emitting diode 8 emits light for the same time as the pulse width.
  • the waveform (b) in FIG. 3 when an optical transmission input signal with a long pulse width of ⁇ 5 nsec or more is input, as shown by the waveform (b) in FIG. 3, the voltage V 3 i at the node 31 rises.
  • Threshold value V T falls below 75 asec after spin. Therefore, regardless of the pulse width of the optical transmission input signal, the node 32 returns to the high level when 75 asec has elapsed from the rise of the optical transmission input signal. Therefore, the light emitting diode 8 emits only a maximum of 75 asec, no matter how long the pulse width of the optical transmission input signal is.
  • the pulse waveform is once differentiated by passing through the high-pass filter 21 to be differentiated.
  • the signal is binarized by the binarization circuit 22 and returned to a pulse waveform, and then input to the light emitting element drive circuit 23.
  • the input signal for light transmission having a pulse width shorter than a predetermined time width determined by the time constant of the high-pass filter 21 and the threshold value of the binarization in the binarization circuit 22 has the same pulse width.
  • the output signal from the binarization circuit 22 is, however, the level of the optical transmission input signal having a pulse width longer than the predetermined time width is gradually lowered by passing through the high-pass filter 21.
  • the level of the output signal of the high-pass filter 21 becomes lower than the threshold for binarization of the binarization circuit 22.
  • a signal having a pulse width longer than the predetermined time width is not output from the binarization circuit 22.
  • the light emitting diode 8 emits light only for a predetermined pulse width, but does not emit light for a longer time. .
  • a high-pass filter 21 and a binarizing circuit 22 are provided as a configuration for this purpose, and the circuit constant of the high-pass filter 21 is appropriately set according to the time width of the optical transmission signal to be cut off.
  • the configuration is simple and can be realized at low cost.
  • the high-pass filter 21 is composed of the capacitor 2 and the resistor 3, the configuration is simple and can be realized at low cost.
  • the binarization circuit 22 is composed of two stages of cascaded inverters 4 and 5, the configuration can be realized simply and inexpensively.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of the optical transmission device according to the second embodiment of the present invention.
  • the configuration of a light emitting element driving circuit 24 is different from that of the light emitting element driving circuit 23 of FIG. That is, in the light emitting element drive circuit 24, an N-channel MOS transistor 12 is used instead of the NPN bipolar transistor 7.
  • Other configurations are the same as those of the optical transmitter in FIG.
  • the operating voltage of the optical transmitter is determined by the forward voltage of the light emitting diode 8, the terminal voltage of the resistor 9, and the collector-emitter voltage of the NPN bipolar transistor 7.
  • the lower limit of the operating voltage is determined by the collector-emitter voltage of the NPN bipolar transistor 7.
  • the voltage between the collector and emitter of the NPN bipolar transistor 7 at the time of saturation is about 200 mV.
  • the lower limit of the operating voltage is determined by the drain-source voltage of the N-channel MOS transistor 12 during operation. This value is 1 O mV, which is smaller than the collector-emitter voltage of NPN bipolar transistor 7. Therefore, the circuit of FIG. 4 can operate at a lower voltage than the circuit of FIG. The other effects are the same as those of the first embodiment.
  • the voltage between the drain and the source of the N-channel MOS transistor 12 that determines the lower limit of the operating voltage is lower than the voltage between the collector and the emitter of the bipolar transistor. Low voltage enables low-voltage operation.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the optical transmission device according to the third embodiment of the present invention.
  • the configuration of a light emitting element driving circuit 25 is different from that of the light emitting element driving circuit 23 of FIG. That is, the light-emitting element drive circuit 25 uses a two-stage Darinton circuit in which NPN bipolar transistors 17 and 7 are cascaded, instead of the single-stage NPN bipolar transistor 7.
  • the NPN bipolar transistor 7 in the next stage supplies the light emitting diode 8 in accordance with the output signal of the binarization circuit 22 inputted to the base of the NPN bipolar transistor 17 in the first stage.
  • the intermittent current is provided.
  • the base of the first-stage NPN bipolar transistor 17 is connected to the other end of the resistor 6, the collector of the NPN bipolar transistor 17 is connected to the power supply terminal 10, and the NPN bipolar transistor 17 Is connected to the base of NPN bipolar transistor 7.
  • Other configurations are the same as those of the optical transmitter in FIG.
  • the inverter that constitutes the binarization circuit 22 in the previous stage When the noise level is higher than 0.3 V, the transistor 7 starts to operate gradually, and the light emitting diode 8 starts to emit light gradually.
  • NPN bipolar transistor 17 is inserted in the form of a darlington connection before NPN bipolar transistor 7. If the noise level does not exceed 1.0 V, NPN bipolar transistors 17 and 7 do not start to operate gradually.
  • the output signal of the binarization circuit 22 is not supplied to the base of the next NPN bipolar transistor 7 that directly drives the light emitting diode 8, but the first NPN Given to the base of a bipolar transistor 17.
  • the inverters 4 and 5 constituting the binarization circuit 22 those having a small current driving capability can be used.
  • the output signal of the binarization circuit 22 is applied between two series-connected base-emitters of the first-stage and second-stage NPN bipolar transistors 17 and 7 constituting the Darlington circuit. You. That is, the output signal of the binarization circuit 22 is applied between the base of the first NPN bipolar transistor 17 and the emitter of the next NPN bipolar transistor 7. As a result, when noise is generated in the output of the binarization circuit 22, the noise level is not higher than when the light-emitting element drive circuit 25 is composed of only one NPN bipolar transistor 7. And the light emitting diode 8 does not emit light. Therefore, noise resistance can be improved.
  • FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of an optical transmission device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • This optical transmitter differs from FIG. 1 in the configuration of the binarization circuit 26. That is, the binarization circuit 26 uses CMOS inverters 40 and 50 instead of the inverters 4 and 5 composed of bipolar transistors and the like. Note that the CMOS configuration inverter can also be applied to the circuits shown in FIGS.
  • the circuit configuration of Inver 40 and 50 is as follows. That is, the gate of the P-channel MS transistor 13 and the gate of the N-channel transistor 15 are connected to the resistor 3 and the capacitor 2. The drain of the P-channel MOS transistor 13 and the drain of the N-channel MOS transistor 15 are connected to the gate of the P-channel MOS transistor 14 and the N-channel MOS transistor 16. It is connected to the. The drain of the P-channel MOS transistor 14 and the drain of the N-channel MOS transistor 16 are connected to the resistor 6. The sources of the P-channel MOS transistors 13 and 14 are connected to the power supply terminal 10. Also, the sources of the N-channel M ⁇ S transistors 15 and 16 are connected to the ground terminal 11 t.
  • the inverters 40 and 50 have a CMOS configuration and the standby current Do not need. Therefore, lower power consumption can be achieved as compared with the first embodiment using the inverters 4 and 5 formed of bipolar transistors. Other effects are the same as those of the first embodiment.
  • the NPN bipolar transistor or the N-channel MOS transistor is used for the light-emitting element driving circuit.
  • a PNP bipolar transistor or a P-channel MOS transistor is used to drive the light-emitting element.
  • a circuit can also be configured.

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Description

明 細 書 光送信装置 技術分野
赤外線方式の通信システムは、 ノートパソコン、 携帯電話、 P D A (Personal Digital Assistant ; パーソナル · デジタル · アシスタン ト) 等の情報通信機器で幅広く利用されている。
赤外線通信システムは、 受発光モジュールと、 電気的にデータを処理 するシステム L S I とで構成される。 受発光モジュールは、 データを光 送信する光送信装置とデータを光受信する光受信装置とを 1パッケージ 化したものである。
赤外線通信システムには、 様々な規格が提案されているが、 近年は I r D A規格を採用した赤外線通信システムが主流である。
本発明は、 上述の赤外線通信システムの構成に使用されている光送信 装置に関するものである。 背景技術
上述した従来の光送信装置は、 図 7に示す回路構成を有している。 す なわち、 図 7に示されるように、 入力端子 5 1が抵抗 5 2の一端に接続 され、 抵抗 5 2の他端が発光素子駆動用の N P Nバイポーラ トランジス 夕 5 3のベースに接続されている。 N P Nバイポーラ トランジスタ 5 3 のコレクタは、 光送信用の発光ダイオード 5 4の力ソードに接続され、 NP Nバイポーラ トランジスタ 5 3のェミ ッタは、 抵抗 5 5の一端に接 続されている。 発光ダイオード 54のアノードは電源端子 5 6に接続さ れ、 抵抗 5 5の他端はグラウンド端子 5 7に接続されている。 以上のような光送信装置は、 入力端子 5 1 に加えられる光送信用入力 信号がハイ レベルになると、 N P Nバイポーラ トランジスタ 5 3が導通 し、 発光ダイオー ド 5 4に電源端子 5 6から電流が流れ込み、 発光ダイ オード 5 4が発光する。 また、 入力端子 5 1 に加えられる光送信用入力 信号がローレベルとなると、 N P Nバイポーラ トランジスタ 5 3が遮断 し、 発光ダイオー ド 5 4に電流が流れ込まなくなり、 発光ダイオード 5 4の発光が停止する。
この回路構成の場合、 図 8 の波形 ( a ) で示すような振幅 V t Nの光 送信用入力信号、 すなわち、 システム L S I からの出力信号が光送信装 置の入力端子 5 1 に入力された場合、 光送信装置の発光ダイオード 5 4 からの光出力は、 図 8の波形 ( b ) で示すように、 システム L S I から の出力信号と同じ形となる。
しかしながら、 システム L S I のソフ トウエア等が原因で、 入力端子 5 1 の電位、 すなわち光送信用入力信号が、 図 9の波形 ( a ) で示すよ うに、 ハイ レべル状態に固定された場合、 N P Nバイポーラ トランジス 夕 5 3が導通状態を持続する。 その結果、 発光ダイオード 5 4が図 9の 波形 ( b ) で示すように、 光り続けることになる。
このため、 P D A、 携帯電話では、 電池切れになったり、 発光ダイォ ード 5 4が破壊したりするといつた、 種々の問題が発生する可能性が指 摘されている。
このような問題の発生を防止するために、 保護回路を光送信装置の入 力端子 5 1 の前段に入れて対策をしている場合が多い。
この保護回路は、 タイマ等を用いて光送信用入力信号のパルス幅を計 測し、 ある時間幅を超えると強制的に光送信用入力信号を停止させるよ うな構成である。
図 7 に示す従来の回路構成では、 上記で説明したとおり、 ソフ トゥェ ァ等が原因で、 入力端子 5 1 の電位、 すなわち光送信用入力信号がハイ レベル状態に固定された場合、 発光ダイォ一ド 5 4が光り続けることに なる。 その結果、 P D A、 携帯電話では電池切れになったり、 発光ダイ オード 5 4が破壊したりする、 といった種々の問題を発生させる。
また、 光送信装置の入力端子 5 1 の前段に保護回路を設ける構成では 構成が複雑であり、 高価であるという問題がある。 発明の開示
本発明の目的は、 光送信用入力信号がハイ レベルに固定されるなどの 誤動作によって、 光送信用入力信号のパルス幅が所定値を超えたときに 自動的に発光素子の発光動作を停止させることができ、 誤動作による電 池切れの防止、 発光素子の破壌の防止を図ることができ、 しかも、 その ための構成が簡単で安価に実現可能な光送信装置を提供することである < 本発明の光送信装置は、 パルス波形からなる光送信用入力信号の高域 成分を通過させる高域通過フィルタと、 高域通過フィルタの出力信号を 二値化してパルス波形に戻す二値化回路と、 光送信用の発光素子と、 二 値化回路の出力信号に応じて発光素子を駆動する発光素子駆動回路とを 備えている。
この構成によれば、 パルス波形からなる光送信用入力信号をそのまま 発光素子駆動回路に入力するのではなく、 いったん高域通過フィル夕に 通してパルス波形を微分し、 微分された信号を二値化回路で二値化して パルス波形に戻した後で発光素子駆動回路に入力している。 それによつ て、 高域通過フィルタの時定数と二値化回路における二値化のしきい値 とで決まる所定時間幅より短いパルス幅の光送信用入力信号はそのまま のパルス幅で二値化回路より出力される。
しかしながら、 上記の所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信 号については、 高域通過フィル夕に通すことでレベルが徐々に下降して いき、 所定時間が経過すると高域通過フィル夕の出力信号のレベルが二 値化回路の二値化のしきい値より低くなつてしまう。 その結果、 上記の 所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信号が入力されても、 二値 化回路から所定時間幅より長いパルス幅の信号は出力されなくなる。
したがって、 ソフ トウェア等が原因で、 光送信用入力信号がハイレべ ル状態に固定された場合、 あるいは光送信用入力信号のパルス幅が適用 される通信システムで想定されるパルス幅より長くなつた場合には、 所 定のパルス幅の時間だけ発光ダイォ一ドが光るが、 それ以上の時間は光 らない。
このため、 光送信装置に給電する電池の電池切れの防止、 発光ダイォ ードの破壊防止を図ることができる。
しかも、 そのための構成として、 高域通過フィル夕と二値化回路とを 設け、 高域通過フィル夕の回路定数を遮断すべき光送信用信号の時間幅 に応じて適切に設定するだけでよく、 構成が簡単で安価に実現できる。 上記本発明の光送信装置においては、 高域通過フィルタが、 例えばコ ンデンサおよび抵抗よりなる L型回路で構成されている。
この構成によれば、 高域通過フィル夕がコンデンサおよび抵抗で構成 されているので、 構成が簡単で、 安価に実現できる。
上記本発明の光送信装置においては、 二値化回路が、 例えば縦続接続 された 2段のインバー夕で構成されている。
この構成によれば、 二値化回路が縦続接続された 2段のインバー夕で 構成されているので、 構成が簡単で安価に実現できる。
上記本発明の光送信装置においては、 インバー夕が、 例えば C M O S インバー夕で構成されている。
この構成によれば、 インバー夕が C M〇 Sインバー夕で構成されてい るので、 待機電流を必要とせず、 バイポーラ型トランジスタを用いてィ ンバ一夕を構成した場合に比べて低消費電力化ができる。
上記本発明の光送信装置においては、 発光素子駆動回路が例えばバイ ポーラ トランジスタで構成されている。 バイポーラ トランジスタは、 ベ 一スにニ値化回路の出力信号が入力され、 それによつて二値化回路の出 力信号に応じて発光素子へ供給する電流を断続する。
上記本発明の光送信装置においては、 発光素子駆動回路が例えば縦続 接続された 2段のバイポーラ トランジスタからなるダーリ ン トン回路で 構成されている。 そして、 ダーリ ン トン回路の初段のパイポーラ トラン ジス夕のベースに二値化回路の出力信号が入力され、 それによつてダー リ ントン回路の次段のバイポーラ トランジスタが発光素子へ供給する電 流を二値化回路の出力信号に応じて断続する。
この構成によれば、 二値化回路の出力信号が、 発光素子を直接駆動す る次段のバイポーラ トランジスタのベースに与えられるのではなく、 初 段のバイポーラ トランジスタのベースに与えられるので、 二値化回路と しては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
また、 二.値化回路の出力信号がダーリン トン回路を構成する初段およ び次段のバイポーラ トランジスタの直列接続された 2個のベース · エミ ッタ間に印加される。 すなわち、 初段のバイポーラ トランジスタのベー スと次段のバイポーラ トランジスタのェミッタとの間に印加される。 そ の結果、 二値化回路の出力にノイズが発生したときに、 発光素子駆動回 路が 1段のバイポーラ トランジスタで構成されている場合に比べてノィ ズのレベルが高くないと発光素子が発光しない。 したがって、 耐ノイズ 性を向上させることができる。
上記本発明の光送信装置においては、 発光素子駆動回路が、 例えば M O S トランジスタで構成されている。 M O S トランジスタは、 ゲートに 二値化回路の出力信号が入力され、 それによつて二値化回路の出力信号 に応じて発光素子へ供給する電流を断続する。
この構成によれば、 動作電圧の下限を決める M O S トランジスタの ド レイン · ソース間電圧がバイポーラ トランジスタのコレクタ · エミ ッ夕 間電圧より低いため、 低電圧動作が可能となる。
上記本発明の光送信装置においては、 発光素子が、 例えば発光ダイォ 一ドカゝらなる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1 の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。
図 2は、 本発明の第 1 の実施の形態の光送信装置の動作を示す波形図 である。
図 3は、 本発明の第 1 の実施の形態の光送信装置の動作を示す波形図 である。
図 4は、 本発明の第 2の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。
図 5は、 本発明の第 3の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。
図 6は、 本発明の第 4の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。
図 7 'は、 従来の光送信装置の構成を示す回路図である。
図 8は、 従来の光送信装置の動作を示す波形図である。
図 9は、 従来の光送信装置の動作を示す波形図である。 発明の実施するための最良の形態 (第 1 の実施の形態 : 請求項 1, 2 , 3 , 5 に対応する) 図 1 は、 本発明の第 1 の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。 この光送信装置は、 図 1 に示すように、 矩形波のパルス波形か らなる光送信用入力信号の高域成分を通過させる高域通過フィル夕 2 1 と、 高域通過フィルタ 2 1 の出力信号を二値化してパルス波形に戻す二 値化回路 2 2 と、 光送信用の発光素子である発光ダイオード 8 と、 二値 化回路 2 2の出力信号に応じて発光ダイオード 8を駆動する発光素子駆 動回路 2 3 とを備えている。
高域通過フィルタ 2 1 は、 例えばコンデンサ 2および抵抗 3よりなる L型回路で構成されている。
二値化回路 2 2は、 例えば縦続接続された 2段のイ ンバー夕 4 , 5で 構成されている。 インバー夕 4 , 5は例えばバイポーラ トランジスタで 構成されている。
発光素子駆動回路 2 3 は、 N P Nバイポーラ トランジスタ 7 と抵抗 6 9 とで構成されている。 N P Nバイポーラ トランジスタ 7は、 ベースに 入力される二値化回路 2 2の出力信号に応じて発光ダイオード 8へ供給 する電流を断続する。 抵抗 6は、 N P Nバイポーラ トランジスタ 7 のべ 一スとニ値化回路 2 2の間に挿入されている。 抵抗 9は、 N P Nバイポ ーラ トランジスタ 7のェミツ夕とグラウンド端子 1 1 との間に挿入され ている。
以下、 光送信装置の各素子の接続関係を具体的に説明する。 入力端子 1 にコンデンサ 2 の一端が接続され、 コンデンサ 2 の他端に抵抗 3の一 端とイ ンバー夕 4の入力端子とが接続され、 イ ンバー夕 4の出力端子に インバー夕 5の入力端子が接続されている。 イ ンバー夕 5の出力端子に 抵抗 6の一端が接続され、 抵抗 6の他端が N P Nバイポーラ トランジス 夕 7のベースに接続されている。 N P Nバイボーラ 1、ランジス夕 7のコ レク夕に発光ダイォード 8のカソ一 ドが接続され、 発光ダイォード 8の アノードが電源端子 1 0に接続されている。 N P Nバイポーラ トランジ スタ 7のェミ ツ夕に抵抗 9の一端が接続され、 抵抗 3の他端と抵抗 9の 他端とがグラウン ド端子 1 1 に接続されている。
ここで、 実施の形態の説明上、 コンデンサ 2 と抵抗 3 とインバー夕 4 の入力端子とが接続されているノードを符号 3 1で示し、 インバー夕 4 の出力端子とインバー夕 5の入力端子とが接続されているノー ドを符号 3 2で示している。
図 2の波形 ( a ) は入力端子 1 に光送信用信号としてパルス幅が例え ば 7 5 n s e cのパルス波形が入力されたときの入力端子 1 の波形を示 している。 図 2の波形 ( b ) は同じく ノード 3 1 の波形を示している。 図 2の波形 ( c ) は同じくノード 3 2の波形を示している。 図 2の波形 ( d ) は同じく発光ダイオード 8の光パワーを示している。
図 3の波形 ( a ) は入力端子 1 に光送信用信号としてパルス幅が例え ば 7 5 s e c を超えるパルス波形が入力されたときの入力端子 1 の波 形を示している。 図 3の波形 ( b ) は同じく ノード 3 1 の波形を示して いる。 図 3の波形 ( c ) は同じく ノード 3 2の波形を示している。 図 3 の波形 ( d) は同じく発光ダイオード 8の光パワーを示している。
図 2および図 3 において、 V τ Nは光送信用信号の振幅、 V τはニ値化 回路 2 2の初段のインバー夕 4がハイ レベルとローレベルとを判別する しきい値である。
入力端子 1 に、 図 2の波形 ( a ) で示すような光送信用入力信号が入 力されると、 ノー ド 3 1 には、 図 2 の波形 ( b ) で示すような電圧 V 3 丄が出力される。 この図 2の波形 ( a ) で示される光送信用入力信号は, 振幅 V f N、 周期 T、 d u t y 3 Ζ 1 6の矩形波である。 また、 図 2 の 波形 ( b ) で示される電圧 V 3 1は、 下式 ( 1 ) で示される。 V 3 i = V I N * e x p { - t / ( C 2 * R 3)} · · · 式 ( 1 ) ただし、 C 2はコンデンサ 2の容量値を示し、 R 3は抵抗 3 の抵抗値 を示す。
式 ( 1 ) より、 ノード 3 1 の電圧 V 3 1は、 時定数 C 2 * R 3の減衰率 で徐々に小さくなつていく。
このとき、 所定のパルス幅を有した入力信号がローレベルに戻るまで に、 ノード 3 1 の電圧 V 3ェがしきい値 V τをきらないようにコンデンサ 2の容量値 C 2、 抵抗 3の抵抗値 R 3の値が決定される。
例えば、 I r D Αの規格で一番長いパルスは、 7 5 s e c ( 2. 4 k b p s d u t y 3 Z 1 6 の場合) であるから、 次式 ( 2 ) を満たす ように、 コンデンサ 2の容量値 C 2、 抵抗 3 の抵抗値 R 3の値が決定さ れる。
t = C 2 * R 3 * l n (V I NZVT) ≥ 7 5 s e c · · ' 式 ( 2 ) ここで、 電源電圧 V I Nが 3. 0 Vであり、 しきい値 VTが 1. 4 Vで あるとした場合、 例えば、
C 2 = 1 0 0 p F , R a = 1 M Ω
とすると、 式 ( 2 ) を満たすことができる。
このようにすると、 ノード 3 2 には、 光送信用入力信号を反転した図 2の波形 ( c ) が出力される。 したがって、 発光ダイオード 8は、 図 2 の波形 ( d ) で示すように、 入力される光送信用入力信号と同じパルス 幅の期間発光する。 光送信用入力信号のパルス幅が 7 5 z s e c より短 いときは、 そのパルス幅と同じ時間だけ、 発光ダイオード 8が発光する つぎに、 前段回路 (システム L S I ) の誤動作で、 図 3の波形 ( a ) で示すように、 Ί 5 n s e c以上の長いパルス幅の光送信用入力信号が 入力されたときには、 図 3の波形 ( b ) で示すように、 ノード 3 1 の電 圧 V 3 iが立ち上がりから 7 5 a s e c経過した時点でしきい値 VTを下 回る。 そのため、 ノード 3 2は、 光送信用入力信号のパルス幅にかかわ らず、 光送信用入力信号の立ち上がりから 7 5 a s e c経過した時点で ハイ レベルに復帰する。 したがって、 発光ダイオード 8は、 光送信用入 力信号のパルス幅がいく ら長くても最長 7 5 a s e c しか光らないこと なる。
以上説明したように、 発光ダイオード 8へは、 7 5 s e c以上のパ ルス幅の光送信用入力信号は、 伝達されない回路システムとなる。
この構成によれば、 パルス波形からなる光送信用入力信号をそのまま 発光素子駆動回路 2 3 に入力するのではなく、 いったん高域通過フィル 夕 2 1 に通してパルス波形を微分し、 微分された信号を二値化回路 2 2 で二値化してパルス波形に戻した後で発光素子駆動回路 2 3 に入力して いる。 それによつて、 高域通過フィルタ 2 1 の時定数と二値化回路 2 2 における二値化のしきい値とで決まる所定時間幅より短いパルス幅の光 送信用入力信号はそのままのパルス幅で二値化回路 2 2より出力される, しかしながら、 上記の所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信 号については、 高域通過フィルタ 2 1 に通すことでレベルが徐々に下降 していき、 所定時間が経過すると高域通過フィル夕 2 1 の出力信号のレ ベルが二値化回路 2 2の二値化のしきい値より低くなつてしまう。 その 結果、 上記の所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信号が入力さ れても、 二値化回路 2 2から所定時間幅より長いパルス幅の信号は出力 されなくなる。
したがって、 ソフ トウェア等が原因で、 光送信用入力信号がハイ レべ ル状態に固定された場合には、 所定のパルス幅の時間だけ発光ダイォー ド 8が光るが、 それ以上の時間は光らない。
このため、 光送信装置に給電する電池の電池切れの防止、 発光ダイォ ード 8の破壊防止を図ることができる等、 ソフ トウェア等が原因で、 入 力端子が、 ハイ レベル状態に固定された場合、 あるいは想定されるパル ス幅より長くなつた場合に生じる種々の問題を解決することができる。
しかも、 そのための構成としては、 高域通過フィルタ 2 1 と二値化回 路 2 2 とを設け、 高域通過フィルタ 2 1 の回路定数を遮断すべき光送信 用信号の時間幅に応じて適切に設定するだけでよく、 構成が簡単で安価 に実現できる。
また、 高域通過フィル夕 2 1がコンデンサ 2および抵抗 3で構成され ているので、 構成が簡単で、 安価に実現できる。
さらに、 二値化回路 2 2が縦続接続された 2段のィンバ一夕 4 , 5で 構成されているので、 構成が簡単で安価に実現できる。
(第 2の実施の形態 : 請求項 7に対応する)
図 4は、 本発明の第 2の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。 この光送信装置は、 図 4に示すように、 発光素子駆動回路 2 4 の構成が図 1 の発光素子駆動回路 2 3 とは異なる。 すなわち、 この発光 素子駆動回路 2 4では、 N P Nバイポーラ トランジスタ 7 に代えて、 N チャンネル M 0 S トランジスタ 1 2が用いられている。 その他の構成は 図 1の光送信装置と同様である。
図 1 の回路図では、 光送信装置の動作電圧は、 発光ダイオード 8の順 方向電圧と抵抗 9の端子電圧と N P Nバイポーラ トランジスタ 7 のコレ タタ一ェミ ッタ間電圧で決定される。
発光ダイオード 8 の動作電流は、 発光パワーより決定されるため、 こ こでは、 一定と考えられる。 したがって、 発光ダイオード 8の順方向電 圧と抵抗 9の端子電圧は一定となるため、 動作電圧の下限を決定するの は、 N P Nバイポーラ トランジスタ 7のコレクターエミッ夕間電圧とな る。 一般的に、 飽和時の N P Nバイポーラ トランジスタ 7のコレクター ェミッタ間電圧は、 2 0 0 m V程度である。 これに対し、 図 4の回路図の場合、 動作電圧の下限を決定するのは N チャンネル MO S トランジスタ 1 2の動作時のドレイン一ソース間電圧 である。 この値は 1 O mVと N P Nバイポーラ トランジスタ 7のコレク タ―ェミッタ間電圧に比べて小さい。 したがって、 図 4の回路は、 図 1 の回路に比べて低電圧動作が可能となる。 上記以外の効果は第 1 の実施 の形態と同様である。
以上説明したように、 この実施の形態の構成によれば、 動作電圧の下 限を決める Nチャンネル M〇 S トランジスタ 1 2のドレイン · ソース間 電圧がバイポーラ トランジスタのコレクタ · ェミ ッタ間電圧より低いた め、 低電圧動作が可能となる。
(第 3の実施の形態 : 請求項 6 に対応する)
図 5は、 本発明の第 3の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。 この光送信装置は、 図 5 に示すように、 発光素子駆動回路 2 5 の構成が図 1の発光素子駆動回路 2 3 とは異なる。 すなわち、 この発光 素子駆動回路 2 5は、 1段の N P Nバイポーラ トランジスタ 7 に代えて、 N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7 , 7が縦続接続された 2段構成のダ 一リ ントン回路が用いられている。 この発光素子駆動回路 2 5では、 初 段の N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7のベースに入力される二値化回 路 2 2の出力信号に応じて、 次段の N P Nバイポーラ トランジスタ 7が 発光ダイォード 8へ供給する電流を断続するようにしている。
具体的に説明すると、 抵抗 6の他端に初段の N P Nバイポーラ トラン ジス夕 1 7のべ一スが接続され、 N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7の コレクタが電源端子 1 0に接続され、 N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7のェミッタが N P Nバイポーラ トランジスタ 7のベースに接続されて いる。 その他の構成は図 1 の光送信装置と同様である。
図 1 の回路構成では、 前段の二値化回路 2 2を構成するインバー夕 5 の出力にノィズが出た場合、 そのノイズレベルが 0 . 3 V以上になると トランジスタ 7が徐々に動作し始めるため、 発光ダイオード 8が徐々に 光り始める。
しかし、 図 5に示す回路構成にすれば、 インバー夕 5の出力にノイズ が出た場合でも、 N P Nバイポーラ トランジスタ 7の前段に N P Nバイ ポーラ トランジスタ 1 7がダ一リ ン トン接続の形で挿入されているので ノイズレベルが 1 . 0 V以上にならないと、 N P Nバイポーラ トランジ ス夕 1 7 , 7が徐々に動作し始めない。
この実施の形態の構成によれば、 二値化回路 2 2の出力信号が、 発光 ダイォ一ド 8 を直接駆動する次段の N P Nバイポーラ トランジス夕 7の ベースに与えられるのではなく、 初段の N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7のベースに与えられる。 その結果、 二値化回路 2 2 を構成するイン バー夕 4, 5 としては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
また、 二値化回路 2 2の出力信号がダーリ ントン回路を構成する初段 および次段の N P Nバイポーラ トランジスタ 1 7, 7 の直列接続された 2個のベ一ス · ェミ ッタ間に印加される。 すなわち、 初段の N P Nバイ ポーラ 卜ランジス夕 1 7のべ一スと次段の N P Nバイポーラ トランジス 夕 7のェミツ夕との間に二値化回路 2 2の出力信号が印加される。 その 結果、 二値化回路 2 2 の出力にノイズが発生したときに、 発光素子駆動 回路 2 5が 1段の N P Nバイポーラ トランジスタ 7のみで構成されてい る場合に比べて、 ノィズのレベルが高くないと発光ダイォード 8が発光 しない。 したがって、 耐ノイズ性を向上させることができる。
その他の効果は第 1 の実施の形態と同様である。
(第 4の実施の形態 : 請求項 4に対応する)
図 6 は、 本発明の第 4の実施の形態の光送信装置の構成を示す回路図 である。 この光送信装置は、 二値化回路 2 6の構成が図 1 とは異なる。 すなわち、 この二値化回路 2 6は、 バイポーラ トランジスタ等で構成さ れるインバー夕 4, 5に代えて、 C MO S構成のインバータ 4 0 , 5 0 を用いている。 なお、 図 4および図 5の回路にも、 C M O S構成のイン バー夕を適用することが可能である。
インバー夕 4 0, 5 0は以下のような回路構成になっている。 すなわ ち、 Pチャンネル M〇 S トランジスタ 1 3のゲートと Nチャンネル M〇 S 卜ランジス夕 1 5のゲートとが抵抗 3 とコンデンサ 2に接続されてい る。 また、 Pチャンネル M O S トランジスタ 1 3の ドレインと Nチャン ネル MO S 卜ランジス夕 1 5の ドレインとが、 Pチャンネル MO S トラ ンジス夕 1 4のゲ一 卜と Nチャンネル M O S トランジスタ 1 6 とのゲー 卜に接続されている。 また、 Pチャンネル M O S トランジスタ 1 4の ド レインと Nチャンネル M O S 卜ランジス夕 1 6の ドレインとが抵抗 6 に 接続されている。 また、 Pチャンネル MO S トランジスタ 1 3 , 1 4の ソースが電源端子 1 0に接続されている。 また、 Nチャンネル M〇 S ト ランジス夕 1 5 , 1 6のソースがグラウン ド端子 1 1 に接続されている t この実施の形態では、 インバー夕 4 0 , 5 0が C M O S構成であり、 待機電流を必要としない。 そのため、 バイポーラ トランジスタで構成さ れたインバー夕 4 , 5を用いる第 1 の実施の形態に比べて低消費電力化 ができる。 その他の効果は第 1 の実施の形態と同様である。
なお、 上記各実施の形態では、 発光素子駆動回路に N P Nバイポーラ トランジスタまたは Nチャンネル M〇 S トランジスタを用いていたが、 これらに代えて、 P N Pバイポーラ トランジスタまたは Pチャンネル M O S トランジスタを用いて、 発光素子駆動回路を構成することもできる。

Claims

5冃 求 の 範 囲
1 . パルス波形からなる光送信用入力信号の高域成分を通過させる高 域通過フィル夕と、 前記高域通過フィルタの出力信号を二値化してパル ス波形に戻す二値化回路と、 光送信用の発光素子と、 前記二値化回路の 出力信号に応じて前記発光素子を駆動する発光素子駆動回路とを備えた 光送信装置。
2 . 前記高域通過フィルタがコンデンサおよび抵抗よりなる L型回路 で構成されている請求項 1記載の光送信装置。
3 . 前記二値化回路が縦続接続された 2段のィンバ一夕で構成されて いる請求項 1記載の光送信装置。
4 . 前記インバー夕が C M O Sィ ンバ一夕で構成されている請求項 3 記載の光送信装置。
5 . 前記発光素子駆動回路がバイポーラ トランジスタで構成され、 前 記バイポーラ トランジスタは、 ベースに前記二値化回路の出力信号が入 力され、 それによつて前記二値化回路の出力信号に応じて前記発光素子 へ供給する電流を断続するようにしている請求項 1記載の光送信装置。
6 . 前記発光素子駆動回路が縦続接続された 2段のバイポーラ トラン ジス夕からなるダーリン トン回路で構成され、 前記ダーリ ン トン回路の 初段のバイポーラ トランジスタのベースに前記二値化回路の出力信号が 入力され、 それによつて前記ダーリ ントン回路の次段のパイポーラ トラ ンジス夕が前記発光素子へ供給する電流を前記二値化回路の出力信号に 応じて断続するようにしている請求項 1記載の光送信装置。
7 . 前記発光素子駆動回路が M O S トランジスタで構成され、 前記 M O S トランジス夕は、 ゲー卜に前記二値化回路の出力信号が入力され、 それによつて前記二値化回路の出力信号に応じて前記発光素子へ供給す る電流を断続するようにしている請求項 1記載の光送信装置。
8 . 前記発光素子が発光ダイオードからなる請求項 1記載の光送信装
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