JP3456987B2 - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
- H04B10/114—Indoor or close-range type systems
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】赤外線方式の通信システム
は、ノートパソコン、携帯電話、ＰＤＡ（PersonalDigi
tal Assistant；パーソナル・デジタル・アシスタン
ト）等の情報通信機器で幅広く利用されている。
は、ノートパソコン、携帯電話、ＰＤＡ（PersonalDigi
tal Assistant；パーソナル・デジタル・アシスタン
ト）等の情報通信機器で幅広く利用されている。
【０００２】赤外線通信システムは、データを光送信す
る光送信装置とデータを光受信する光受信装置とを１パ
ッケージ化した受発光モジュールと、電気的にデータを
処理するシステムＬＳＩとで構成される。赤外線通信シ
ステムには、様々な規格が提案されているが、近年はＩ
ｒＤＡ規格を採用した赤外線通信システムが主流であ
る。
る光送信装置とデータを光受信する光受信装置とを１パ
ッケージ化した受発光モジュールと、電気的にデータを
処理するシステムＬＳＩとで構成される。赤外線通信シ
ステムには、様々な規格が提案されているが、近年はＩ
ｒＤＡ規格を採用した赤外線通信システムが主流であ
る。
【０００３】本発明は、上述の赤外線通信システムの構
成に使用されている光送信装置に関するものである。
成に使用されている光送信装置に関するものである。
【０００４】
【従来の技術】上述した従来の光送信装置は、図７に示
す回路構成を有している。この光送信装置は、図７に示
すように、入力端子５１に抵抗５２の一端を接続し、抵
抗５２の他端に発光素子駆動用のＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３のベースを接続し、ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３のコレクタに光送信用の発光ダイオード５
４のカソードを接続し、ＮＰＮバイポーラトランジスタ
５３のエミッタに抵抗５５の一端を接続し、発光ダイオ
ード５４のアノードを電源端子５６に接続し、抵抗５５
の他端をグラウンド端子５７に接続している。
す回路構成を有している。この光送信装置は、図７に示
すように、入力端子５１に抵抗５２の一端を接続し、抵
抗５２の他端に発光素子駆動用のＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３のベースを接続し、ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３のコレクタに光送信用の発光ダイオード５
４のカソードを接続し、ＮＰＮバイポーラトランジスタ
５３のエミッタに抵抗５５の一端を接続し、発光ダイオ
ード５４のアノードを電源端子５６に接続し、抵抗５５
の他端をグラウンド端子５７に接続している。
【０００５】以上のような光送信装置は、入力端子５１
に加えられる光送信用入力信号がハイレベルになると、
ＮＰＮバイポーラトランジスタ５３が導通し、発光ダイ
オード５４に電源から電流が流れ、発光ダイオード５４
が発光する。また、入力端子５１に加えられる光送信用
入力信号がローレベルとなると、ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３が遮断し、発光ダイオード５４に電流が流
れなくなり、発光ダイオード５４の発光が停止する。
に加えられる光送信用入力信号がハイレベルになると、
ＮＰＮバイポーラトランジスタ５３が導通し、発光ダイ
オード５４に電源から電流が流れ、発光ダイオード５４
が発光する。また、入力端子５１に加えられる光送信用
入力信号がローレベルとなると、ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ５３が遮断し、発光ダイオード５４に電流が流
れなくなり、発光ダイオード５４の発光が停止する。
【０００６】この回路構成の場合、図８（ａ）に示すよ
うな振幅ＶINの光送信用入力信号、すなわち、システム
ＬＳＩからの出力信号が光送信装置の入力端子５１に入
力された場合、光送信装置の発光ダイオード５４からの
光出力は、図８（ｂ）に示すように、システムＬＳＩか
らの出力信号と同じ形となる。
うな振幅ＶINの光送信用入力信号、すなわち、システム
ＬＳＩからの出力信号が光送信装置の入力端子５１に入
力された場合、光送信装置の発光ダイオード５４からの
光出力は、図８（ｂ）に示すように、システムＬＳＩか
らの出力信号と同じ形となる。
【０００７】しかしながら、システムＬＳＩのソフトウ
ェア等の原因で、入力端子５１の電位、すなわち光送信
用入力信号が、図９（ａ）に示すように、ハイレベル状
態に固定された場合、ＮＰＮバイポーラトランジスタ５
３が導通状態を持続し、発光ダイオード５３が図９
（ｂ）に示すように、光り続けることになる。
ェア等の原因で、入力端子５１の電位、すなわち光送信
用入力信号が、図９（ａ）に示すように、ハイレベル状
態に固定された場合、ＮＰＮバイポーラトランジスタ５
３が導通状態を持続し、発光ダイオード５３が図９
（ｂ）に示すように、光り続けることになる。
【０００８】このため、ＰＤＡ、携帯電話では電池切れ
になったり、発光ダイオード５４が破壊したりするとい
った、種々の問題が発生する可能性が指摘されている。
になったり、発光ダイオード５４が破壊したりするとい
った、種々の問題が発生する可能性が指摘されている。
【０００９】このような問題の発生を防止するために、
保護回路を光送信装置の入力端子５１の前段に入れて対
策をしている場合が多い。
保護回路を光送信装置の入力端子５１の前段に入れて対
策をしている場合が多い。
【００１０】しかしながら、この保護回路としては、タ
イマ等を用いて光送信用入力信号のパルス幅を計測し、
ある時間幅を超えると強制的に光送信用入力信号を停止
させるような構成である。
イマ等を用いて光送信用入力信号のパルス幅を計測し、
ある時間幅を超えると強制的に光送信用入力信号を停止
させるような構成である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す従来の回路
構成では、上記で説明したとおり、ソフトウェア等の原
因で、入力端子５１の電位、すなわち光送信用入力信号
がハイレベル状態に固定された場合、発光ダイオード５
４が光り続けることになり、ＰＤＡ、携帯電話では電池
切れになったり、発光ダイオード５４が破壊したりす
る、といった種々の問題を発生させるといった問題があ
る。
構成では、上記で説明したとおり、ソフトウェア等の原
因で、入力端子５１の電位、すなわち光送信用入力信号
がハイレベル状態に固定された場合、発光ダイオード５
４が光り続けることになり、ＰＤＡ、携帯電話では電池
切れになったり、発光ダイオード５４が破壊したりす
る、といった種々の問題を発生させるといった問題があ
る。
【００１２】また、光送信装置の入力端子５１の前段に
保護回路を設ける構成では、構成が複雑であり、高価で
あるという問題がある。
保護回路を設ける構成では、構成が複雑であり、高価で
あるという問題がある。
【００１３】したがって、本発明の目的は、光送信用入
力信号がハイレベルに固定されるなどの誤動作によっ
て、光送信用入力信号のパルス幅が所定値を超えたとき
に自動的に発光素子の発光動作を停止させることがで
き、誤動作による電池切れの防止、発光素子の破壊の防
止を図ることができ、しかもそのための構成が簡単で安
価に実現可能な光送信装置を提供することである。
力信号がハイレベルに固定されるなどの誤動作によっ
て、光送信用入力信号のパルス幅が所定値を超えたとき
に自動的に発光素子の発光動作を停止させることがで
き、誤動作による電池切れの防止、発光素子の破壊の防
止を図ることができ、しかもそのための構成が簡単で安
価に実現可能な光送信装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光送信装
置は、パルス波形からなる光送信用入力信号の高域成分
を通過させる高域通過フィルタと、高域通過フィルタの
出力信号を二値化してパルス波形に戻す二値化回路と、
光送信用の発光素子と、二値化回路の出力信号に応じて
発光素子を駆動する発光素子駆動回路とを備え、高域通
過フィルタの時定数と二値化回路における二値化のしき
い値とで決まる所定時間幅より短いパルス幅の光送信用
入力信号は、そのままのパルス幅で二値化回路より出力
し、所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信号は
所定時間幅のパルスとして二値化回路より出力するよう
にしている。 請求項２記載の光送信装置は、請求項１記
載の光送信装置において、光送信用入力信号は、高域通
過フィルタに通すことでレベルが徐々に下降していき、
所定時間が経過すると高域通過フィルタの出力信号のレ
ベルが二値化回路の二値化のしきい値より低くなるよう
にしている。
置は、パルス波形からなる光送信用入力信号の高域成分
を通過させる高域通過フィルタと、高域通過フィルタの
出力信号を二値化してパルス波形に戻す二値化回路と、
光送信用の発光素子と、二値化回路の出力信号に応じて
発光素子を駆動する発光素子駆動回路とを備え、高域通
過フィルタの時定数と二値化回路における二値化のしき
い値とで決まる所定時間幅より短いパルス幅の光送信用
入力信号は、そのままのパルス幅で二値化回路より出力
し、所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信号は
所定時間幅のパルスとして二値化回路より出力するよう
にしている。 請求項２記載の光送信装置は、請求項１記
載の光送信装置において、光送信用入力信号は、高域通
過フィルタに通すことでレベルが徐々に下降していき、
所定時間が経過すると高域通過フィルタの出力信号のレ
ベルが二値化回路の二値化のしきい値より低くなるよう
にしている。
【００１５】この構成によれば、パルス波形からなる光
送信用入力信号をそのまま発光素子駆動回路に入力する
のではなく、いったん高域通過フィルタに通してパルス
波形を微分し、微分された信号を二値化回路で二値化し
てパルス波形に戻した後で発光素子駆動回路に入力して
いるので、高域通過フィルタの時定数と二値化回路にお
ける二値化のしきい値とで決まる所定時間幅より短いパ
ルス幅の光送信用入力信号はそのままのパルス幅で二値
化回路より出力される。しかしながら、上記の所定時間
幅より長いパルス幅の光送信用入力信号については、高
域通過フィルタに通すことでレベルが徐々に下降してい
き所定時間が経過すると高域通過フィルタの出力信号の
レベルが二値化回路の二値化のしきい値より低くなって
しまう。その結果、上記の所定時間幅より長いパルス幅
の光送信用入力信号が入力されても、二値化回路から所
定時間幅より長いパルス幅の信号は出力されなくなる。
送信用入力信号をそのまま発光素子駆動回路に入力する
のではなく、いったん高域通過フィルタに通してパルス
波形を微分し、微分された信号を二値化回路で二値化し
てパルス波形に戻した後で発光素子駆動回路に入力して
いるので、高域通過フィルタの時定数と二値化回路にお
ける二値化のしきい値とで決まる所定時間幅より短いパ
ルス幅の光送信用入力信号はそのままのパルス幅で二値
化回路より出力される。しかしながら、上記の所定時間
幅より長いパルス幅の光送信用入力信号については、高
域通過フィルタに通すことでレベルが徐々に下降してい
き所定時間が経過すると高域通過フィルタの出力信号の
レベルが二値化回路の二値化のしきい値より低くなって
しまう。その結果、上記の所定時間幅より長いパルス幅
の光送信用入力信号が入力されても、二値化回路から所
定時間幅より長いパルス幅の信号は出力されなくなる。
【００１６】したがって、ソフトウェア等の原因で、光
送信用入力信号がハイレベル状態に固定された場合に
は、あるいは適用される通信システムで想定されるパル
ス幅より長くなった場合に所定のパルス幅の時間だけ発
光ダイオードが光るが、それ以上の時間は光らない。
送信用入力信号がハイレベル状態に固定された場合に
は、あるいは適用される通信システムで想定されるパル
ス幅より長くなった場合に所定のパルス幅の時間だけ発
光ダイオードが光るが、それ以上の時間は光らない。
【００１７】このため、光送信装置に給電する電池の電
池切れの防止、発光ダイオードの破壊防止を図ることが
できる。
池切れの防止、発光ダイオードの破壊防止を図ることが
できる。
【００１８】しかも、そのための構成として、高域通過
フィルタと二値化回路とを設け、高域通過フィルタの回
路定数を遮断すべき光送信用信号の時間幅に応じて適切
に設定するだけでよく、構成が簡単で安価に実現でき
る。
フィルタと二値化回路とを設け、高域通過フィルタの回
路定数を遮断すべき光送信用信号の時間幅に応じて適切
に設定するだけでよく、構成が簡単で安価に実現でき
る。
【００１９】請求項３記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、高域通過フィルタが
コンデンサおよび抵抗よりなるＬ型回路で構成されてい
る。
たは２記載の光送信装置において、高域通過フィルタが
コンデンサおよび抵抗よりなるＬ型回路で構成されてい
る。
【００２０】この構成によれば、高域通過フィルタがコ
ンデンサおよび抵抗で構成されているので、構成が簡単
で、安価に実現できる。
ンデンサおよび抵抗で構成されているので、構成が簡単
で、安価に実現できる。
【００２１】請求項４記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、二値化回路が縦続接
続された２段のインバータで構成されている。
たは２記載の光送信装置において、二値化回路が縦続接
続された２段のインバータで構成されている。
【００２２】この構成によれば、二値化回路が縦続接続
された２段のインバータで構成されているので、構成が
簡単で安価に実現できる。
された２段のインバータで構成されているので、構成が
簡単で安価に実現できる。
【００２３】請求項５記載の光送信装置は、請求項４記
載の光送信装置において、インバータがＣＭＯＳインバ
ータで構成されている。
載の光送信装置において、インバータがＣＭＯＳインバ
ータで構成されている。
【００２４】この構成によれば、インバータがＣＭＯＳ
インバータで構成されているので、待機電流を必要とせ
ず、バイポーラ型トランジスタを用いてインバータを構
成した場合に比べて低消費電力化ができる。
インバータで構成されているので、待機電流を必要とせ
ず、バイポーラ型トランジスタを用いてインバータを構
成した場合に比べて低消費電力化ができる。
【００２５】請求項６記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、ベースに入力される二値化回路の出力信号に応じて
発光素子へ供給する電流を断続するバイポーラトランジ
スタで構成されている。
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、ベースに入力される二値化回路の出力信号に応じて
発光素子へ供給する電流を断続するバイポーラトランジ
スタで構成されている。
【００２６】この構成によれば、請求項１記載の光送信
装置と同様の作用を有する。
装置と同様の作用を有する。
【００２７】請求項７記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、縦続接続された２段のバイポーラトランジスタから
なり初段のバイポーラトランジスタのベースに入力され
る二値化回路の出力信号に応じて発光素子へ供給する電
流を次段のバイポーラトランジスタで断続するダーリン
トン回路で構成されている。
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、縦続接続された２段のバイポーラトランジスタから
なり初段のバイポーラトランジスタのベースに入力され
る二値化回路の出力信号に応じて発光素子へ供給する電
流を次段のバイポーラトランジスタで断続するダーリン
トン回路で構成されている。
【００２８】この構成によれば、二値化回路の出力信号
が、発光素子を直接駆動する次段のバイポーラトランジ
スタのベースに与えられるのではなく、初段のバイポー
ラトランジスタのベースに与えられるので、二値化回路
としては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
が、発光素子を直接駆動する次段のバイポーラトランジ
スタのベースに与えられるのではなく、初段のバイポー
ラトランジスタのベースに与えられるので、二値化回路
としては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
【００２９】また、二値化回路の出力信号がダーリント
ン回路を構成する初段および次段のバイポーラトランジ
スタの直列接続された２個のベース・エミッタ間に印加
されるので、二値化回路の出力にノイズが発生したとき
に、発光素子駆動回路が１段のバイポーラトランジスタ
で構成されている場合に比べてノイズのレベルが高くな
いと発光素子が発光せず、耐ノイズ性を向上させること
ができる。
ン回路を構成する初段および次段のバイポーラトランジ
スタの直列接続された２個のベース・エミッタ間に印加
されるので、二値化回路の出力にノイズが発生したとき
に、発光素子駆動回路が１段のバイポーラトランジスタ
で構成されている場合に比べてノイズのレベルが高くな
いと発光素子が発光せず、耐ノイズ性を向上させること
ができる。
【００３０】請求項８記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、ゲートに入力される二値化回路の出力信号に応じて
発光素子へ供給する電流を断続するＭＯＳトランジスタ
で構成されている。
たは２記載の光送信装置において、発光素子駆動回路
が、ゲートに入力される二値化回路の出力信号に応じて
発光素子へ供給する電流を断続するＭＯＳトランジスタ
で構成されている。
【００３１】この構成によれば、動作電圧の下限を決め
るＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧がバイ
ポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低
いため、低電圧動作が可能となる。
るＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧がバイ
ポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低
いため、低電圧動作が可能となる。
【００３２】請求項９記載の光送信装置は、請求項１ま
たは２記載の光送信装置において、発光素子が発光ダイ
オードからなる。
たは２記載の光送信装置において、発光素子が発光ダイ
オードからなる。
【００３３】この構成によれば、請求項１と同様の作用
を有する。
を有する。
【００３４】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態：請求項１，
２，３，４，６に対応） 図１は、本発明の第１の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。この光送信装置は、図１に示すよ
うに、矩形波のパルス波形からなる光送信用入力信号の
高域成分を通過させる高域通過フィルタ２１と、高域通
過フィルタ２１の出力信号を二値化してパルス波形に戻
す二値化回路２２と、光送信用の発光素子である発光ダ
イオード８と、二値化回路２２の出力信号に応じて発光
ダイオード８を駆動する発光素子駆動回路２３とを備え
ている。
２，３，４，６に対応） 図１は、本発明の第１の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。この光送信装置は、図１に示すよ
うに、矩形波のパルス波形からなる光送信用入力信号の
高域成分を通過させる高域通過フィルタ２１と、高域通
過フィルタ２１の出力信号を二値化してパルス波形に戻
す二値化回路２２と、光送信用の発光素子である発光ダ
イオード８と、二値化回路２２の出力信号に応じて発光
ダイオード８を駆動する発光素子駆動回路２３とを備え
ている。
【００３５】高域通過フィルタ２１は、例えばコンデン
サ２および抵抗３よりなるＬ型回路で構成されている。
サ２および抵抗３よりなるＬ型回路で構成されている。
【００３６】二値化回路２２は、例えば縦続接続された
２段のインバータ４，５で構成されている。インバータ
４，５は例えばバイポーラトランジスタで構成されてい
る。
２段のインバータ４，５で構成されている。インバータ
４，５は例えばバイポーラトランジスタで構成されてい
る。
【００３７】発光素子駆動回路２３は、ベースに入力さ
れる二値化回路２２の出力信号に応じて発光ダイオード
８へ供給する電流を断続するＮＰＮバイポーラトランジ
スタ７と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに
挿入された抵抗６と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７
のエミッタに挿入された抵抗９とで構成されている。
れる二値化回路２２の出力信号に応じて発光ダイオード
８へ供給する電流を断続するＮＰＮバイポーラトランジ
スタ７と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに
挿入された抵抗６と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７
のエミッタに挿入された抵抗９とで構成されている。
【００３８】以下、光送信装置の各素子の接続関係を具
体的に説明する。入力端子１にコンデンサ２の一端が接
続され、コンデンサ２の他端に抵抗３の一端とインバー
タ４の入力端子とが接続されている。インバータ４の出
力端子にインバータ５の入力端子が接続され、インバー
タ５の出力端子に抵抗６の一端が接続され、抵抗６の他
端がＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに接続さ
れている。ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレクタ
に発光ダイオード８のカソードが接続され、発光ダイオ
ード８のアノードが電源端子１０に接続されている。Ｎ
ＰＮバイポーラトランジスタ７のエミッタに抵抗９の一
端が接続され、抵抗３の他端と抵抗９の他端とがグラウ
ンド端子１１に接続されている。
体的に説明する。入力端子１にコンデンサ２の一端が接
続され、コンデンサ２の他端に抵抗３の一端とインバー
タ４の入力端子とが接続されている。インバータ４の出
力端子にインバータ５の入力端子が接続され、インバー
タ５の出力端子に抵抗６の一端が接続され、抵抗６の他
端がＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに接続さ
れている。ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレクタ
に発光ダイオード８のカソードが接続され、発光ダイオ
ード８のアノードが電源端子１０に接続されている。Ｎ
ＰＮバイポーラトランジスタ７のエミッタに抵抗９の一
端が接続され、抵抗３の他端と抵抗９の他端とがグラウ
ンド端子１１に接続されている。
【００３９】ここで、実施の形態の説明上、コンデンサ
２と抵抗３とインバータ４の入力端子とが接続されてい
るノードを符号３１で示し、インバータ４の出力端子と
インバータ５の入力端子とが接続されているノードを符
号３２で示している。
２と抵抗３とインバータ４の入力端子とが接続されてい
るノードを符号３１で示し、インバータ４の出力端子と
インバータ５の入力端子とが接続されているノードを符
号３２で示している。
【００４０】図２（ａ）は入力端子１に光送信用信号と
してパルス幅が例えば７５μｓｅｃのパルス波形が入力
されたときの入力端子１の波形を示し、図２（ｂ）は同
じくノード３１の波形を示し、図２（ｃ）は同じくノー
ド３２の波形を示し、図２（ｄ）は同じく発光ダイオー
ド８の光パワーを示している。図３（ａ）は入力端子１
に光送信用信号としてパルス幅が例えば７５μｓｅｃを
超えるパルス波形が入力されたときの入力端子１の波形
を示し、図３（ｂ）は同じくノード３１の波形、図３
（ｃ）は同じくノード３２の波形、図３（ｄ）は同じく
発光ダイオード８の光パワーを示している。両図におい
て、ＶINは光送信用信号の振幅、ＶTは二値化回路２２
の初段のインバータ４がハイレベルまたはローレベルを
判別するしきい値である。
してパルス幅が例えば７５μｓｅｃのパルス波形が入力
されたときの入力端子１の波形を示し、図２（ｂ）は同
じくノード３１の波形を示し、図２（ｃ）は同じくノー
ド３２の波形を示し、図２（ｄ）は同じく発光ダイオー
ド８の光パワーを示している。図３（ａ）は入力端子１
に光送信用信号としてパルス幅が例えば７５μｓｅｃを
超えるパルス波形が入力されたときの入力端子１の波形
を示し、図３（ｂ）は同じくノード３１の波形、図３
（ｃ）は同じくノード３２の波形、図３（ｄ）は同じく
発光ダイオード８の光パワーを示している。両図におい
て、ＶINは光送信用信号の振幅、ＶTは二値化回路２２
の初段のインバータ４がハイレベルまたはローレベルを
判別するしきい値である。
【００４１】入力端子１に、図２（ａ）に示すような光
送信用入力信号（振幅ＶIN、周期Ｔ、ｄｕｔｙ３／１６
の矩形波）が入力されると、ノード３１には、下式
（１）で示される図２（ｂ）に示すような波形の電圧Ｖ
31が出力される。
送信用入力信号（振幅ＶIN、周期Ｔ、ｄｕｔｙ３／１６
の矩形波）が入力されると、ノード３１には、下式
（１）で示される図２（ｂ）に示すような波形の電圧Ｖ
31が出力される。
【００４２】
Ｖ31＝ＶIN＊ＥＸＰ｛−ｔ／（Ｃ2＊Ｒ3）｝ ・・・ 式（１）
ただし、Ｃ2はコンデンサ２の容量値を示し、Ｒ3は抵抗
３の抵抗値を示す。
３の抵抗値を示す。
【００４３】式（１）より、ノード３１の電圧Ｖ31は、
時定数Ｃ２＊Ｒ３の減衰率で徐々に小さくなっていく。
時定数Ｃ２＊Ｒ３の減衰率で徐々に小さくなっていく。
【００４４】このとき、所定のパルス幅を有した入力信
号がローレベルに戻るまでに、ノード３１の電圧Ｖ31が
しきい値ＶTをきらないようにＣ２、Ｒ３の値を決め
る。
号がローレベルに戻るまでに、ノード３１の電圧Ｖ31が
しきい値ＶTをきらないようにＣ２、Ｒ３の値を決め
る。
【００４５】例えば、ＩｒＤＡの規格で一番長いパルス
は、７５μｓｅｃ（２．４ｋｂｐｓｄｕｔｙ３／１６）
であるから、次式（２）を満たすように、Ｃ２、Ｒ３の
値を決める。
は、７５μｓｅｃ（２．４ｋｂｐｓｄｕｔｙ３／１６）
であるから、次式（２）を満たすように、Ｃ２、Ｒ３の
値を決める。
【００４６】
ｔ＝Ｃ２＊Ｒ３＊ｌｎ（ＶIN／ＶT）≧７５μｓｅｃ ・・・式（２）
ここで、電源電圧＝ＶIN＝３．０Ｖ、ＶT＝１．４Ｖと
した場合、例えば、Ｃ２＝１００ｐＦ、Ｒ＝１ＭΩとす
ると、式（２）を満たすことができる。
した場合、例えば、Ｃ２＝１００ｐＦ、Ｒ＝１ＭΩとす
ると、式（２）を満たすことができる。
【００４７】すると、ノード３２には、光送信用入力信
号を反転した図２（ｃ）に示すような波形が出力され
る。したがって、発光ダイオード８は図２（ｄ）に示す
ように、入力される光送信用入力信号と同じパルス幅の
期間発光する。光送信用入力信号のパルス幅が７５μｓ
ｅｃより短いときは、そのパルス幅と同じ時間だけ、発
光ダイオード８が発光する。
号を反転した図２（ｃ）に示すような波形が出力され
る。したがって、発光ダイオード８は図２（ｄ）に示す
ように、入力される光送信用入力信号と同じパルス幅の
期間発光する。光送信用入力信号のパルス幅が７５μｓ
ｅｃより短いときは、そのパルス幅と同じ時間だけ、発
光ダイオード８が発光する。
【００４８】つぎに、前段回路（システムＬＳＩ）の誤
動作で、図３（ａ）に示すように、７５μｓｅｃ以上の
長いパルス幅の光送信用入力信号が入力されたときは、
図３（ｂ）に示すように、ノード３１の電圧Ｖ31が立ち
上がりから７５μｓｅｃ経過した時点でしきい値ＶTを
下回るため、ノード３２は、光送信用入力信号のパルス
幅にかかわらず、光送信用入力信号の立ち上がりから７
５μｓｅｃ経過した時点でハイレベルに復帰し、発光ダ
イオード８は光送信用入力信号のパルス幅がいくら長く
ても最長７５μｓｅｃしか光らないことなる。
動作で、図３（ａ）に示すように、７５μｓｅｃ以上の
長いパルス幅の光送信用入力信号が入力されたときは、
図３（ｂ）に示すように、ノード３１の電圧Ｖ31が立ち
上がりから７５μｓｅｃ経過した時点でしきい値ＶTを
下回るため、ノード３２は、光送信用入力信号のパルス
幅にかかわらず、光送信用入力信号の立ち上がりから７
５μｓｅｃ経過した時点でハイレベルに復帰し、発光ダ
イオード８は光送信用入力信号のパルス幅がいくら長く
ても最長７５μｓｅｃしか光らないことなる。
【００４９】以上説明したように、発光ダイオード８へ
は、７５μｓｅｃ以上のパルス幅の光送信用入力信号
は、伝達されない回路システムとなる。
は、７５μｓｅｃ以上のパルス幅の光送信用入力信号
は、伝達されない回路システムとなる。
【００５０】この構成によれば、パルス波形からなる光
送信用入力信号をそのまま発光素子駆動回路２３に入力
するのではなく、いったん高域通過フィルタ２１に通し
てパルス波形を微分し、微分された信号を二値化回路２
２で二値化してパルス波形に戻した後で発光素子駆動回
路２３に入力しているので、高域通過フィルタ２１の時
定数と二値化回路２２における二値化のしきい値とで決
まる所定時間幅より短いパルス幅の光送信用入力信号は
そのままのパルス幅で二値化回路２２より出力される。
しかしながら、上記の所定時間幅より長いパルス幅の光
送信用入力信号については、高域通過フィルタ２１に通
すことでレベルが徐々に下降していき所定時間が経過す
ると高域通過フィルタ２１の出力信号のレベルが二値化
回路２２の二値化のしきい値より低くなってしまう。そ
の結果、上記の所定時間幅より長いパルス幅の光送信用
入力信号が入力されても、二値化回路２２から所定時間
幅より長いパルス幅の信号は出力されなくなる。
送信用入力信号をそのまま発光素子駆動回路２３に入力
するのではなく、いったん高域通過フィルタ２１に通し
てパルス波形を微分し、微分された信号を二値化回路２
２で二値化してパルス波形に戻した後で発光素子駆動回
路２３に入力しているので、高域通過フィルタ２１の時
定数と二値化回路２２における二値化のしきい値とで決
まる所定時間幅より短いパルス幅の光送信用入力信号は
そのままのパルス幅で二値化回路２２より出力される。
しかしながら、上記の所定時間幅より長いパルス幅の光
送信用入力信号については、高域通過フィルタ２１に通
すことでレベルが徐々に下降していき所定時間が経過す
ると高域通過フィルタ２１の出力信号のレベルが二値化
回路２２の二値化のしきい値より低くなってしまう。そ
の結果、上記の所定時間幅より長いパルス幅の光送信用
入力信号が入力されても、二値化回路２２から所定時間
幅より長いパルス幅の信号は出力されなくなる。
【００５１】したがって、ソフトウェア等の原因で、光
送信用入力信号がハイレベル状態に固定された場合に
は、所定のパルス幅の時間だけ発光ダイオード８が光る
が、それ以上の時間は光らない。
送信用入力信号がハイレベル状態に固定された場合に
は、所定のパルス幅の時間だけ発光ダイオード８が光る
が、それ以上の時間は光らない。
【００５２】このため、光送信装置に給電する電池の電
池切れの防止、発光ダイオード８の破壊防止を図ること
ができる等、ソフトウェア等の原因で、入力端子が、ハ
イレベル状態に固定された場合、あるいは想定されるパ
ルス幅より長くなった場合に生じる種々の問題を解決で
きる。
池切れの防止、発光ダイオード８の破壊防止を図ること
ができる等、ソフトウェア等の原因で、入力端子が、ハ
イレベル状態に固定された場合、あるいは想定されるパ
ルス幅より長くなった場合に生じる種々の問題を解決で
きる。
【００５３】しかも、そのための構成として、高域通過
フィルタ２１と二値化回路２２とを設け、高域通過フィ
ルタ２１の回路定数を遮断すべき光送信用信号の時間幅
に応じて適切に設定するだけでよく、構成が簡単で安価
に実現できる。
フィルタ２１と二値化回路２２とを設け、高域通過フィ
ルタ２１の回路定数を遮断すべき光送信用信号の時間幅
に応じて適切に設定するだけでよく、構成が簡単で安価
に実現できる。
【００５４】また、高域通過フィルタ２１がコンデンサ
２および抵抗３で構成されているので、構成が簡単で、
安価に実現できる。
２および抵抗３で構成されているので、構成が簡単で、
安価に実現できる。
【００５５】さらに、二値化回路２２が縦続接続された
２段のインバータ４，５で構成されているので、構成が
簡単で安価に実現できる。
２段のインバータ４，５で構成されているので、構成が
簡単で安価に実現できる。
【００５６】（第２の実施の形態：請求項８に対応）
図４は、本発明の第２の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。この光送信装置は、図４に示すよ
うに、発光素子駆動回路２４の構成が図１の回路とは異
なる。すなわち、この発光素子駆動回路２４は、ＮＰＮ
バイポーラトランジスタ７に代えて、ＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスタ１２が用いられている。その他の構成は
図１の光送信装置と同様である。
を示す回路図である。この光送信装置は、図４に示すよ
うに、発光素子駆動回路２４の構成が図１の回路とは異
なる。すなわち、この発光素子駆動回路２４は、ＮＰＮ
バイポーラトランジスタ７に代えて、ＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスタ１２が用いられている。その他の構成は
図１の光送信装置と同様である。
【００５７】図１の回路図では、光送信装置の動作電圧
は、発光ダイオード８の順方向電圧と抵抗９の端子電圧
とＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレタタ−エミッ
タ間電圧で決定される。
は、発光ダイオード８の順方向電圧と抵抗９の端子電圧
とＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレタタ−エミッ
タ間電圧で決定される。
【００５８】発光ダイオード８の動作電流は、発光パワ
ーより決定されるため、ここでは、一定と考えられる。
したがって、発光ダイオード８の順方向電圧と抵抗９の
端子電圧は一定となるため動作電圧の下限を決定するの
は、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレクタ−エミ
ッタ間電圧となる。一般的に、飽和時のＮＰＮバイポー
ラトランジスタ７のコレクタ−エミッタ間電圧は、２０
０ｍＶ程度である。
ーより決定されるため、ここでは、一定と考えられる。
したがって、発光ダイオード８の順方向電圧と抵抗９の
端子電圧は一定となるため動作電圧の下限を決定するの
は、ＮＰＮバイポーラトランジスタ７のコレクタ−エミ
ッタ間電圧となる。一般的に、飽和時のＮＰＮバイポー
ラトランジスタ７のコレクタ−エミッタ間電圧は、２０
０ｍＶ程度である。
【００５９】これに対し、図４の回路図の場合、動作電
圧の下限を決定するのはＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ１２の動作時のドレイン−ソース間電圧である。この
値は１０ｍＶとＮＰＮバイポーラトランジスタ７に比べ
て小さい。したがって、図１の回路に比べて低電圧動作
が可能となる。上記以外の効果は第１の実施の形態と同
様である。
圧の下限を決定するのはＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ１２の動作時のドレイン−ソース間電圧である。この
値は１０ｍＶとＮＰＮバイポーラトランジスタ７に比べ
て小さい。したがって、図１の回路に比べて低電圧動作
が可能となる。上記以外の効果は第１の実施の形態と同
様である。
【００６０】以上説明したように、この実施の形態の構
成によれば、動作電圧の下限を決めるＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスタ１２のドレイン・ソース間電圧がバイポ
ーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低い
ため、低電圧動作が可能となる。
成によれば、動作電圧の下限を決めるＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスタ１２のドレイン・ソース間電圧がバイポ
ーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低い
ため、低電圧動作が可能となる。
【００６１】（第３の実施の形態：請求項７に対応）
図５は、本発明の第３の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。この光送信装置は、図５に示すよ
うに、発光素子駆動回路２５の構成が図１の回路とは異
なる。すなわち、この発光素子駆動回路２４は、１段の
ＮＰＮバイポーラトランジスタ７に代えて、２段のＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタ１７，７が縦続接続されたダ
ーリントン回路が用いられていて、初段のＮＰＮバイポ
ーラトランジスタ１７のベースに入力される二値化回路
２２の出力信号に応じて、発光ダイオード８へ供給する
電流を次段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７で断続す
るようにしている。
を示す回路図である。この光送信装置は、図５に示すよ
うに、発光素子駆動回路２５の構成が図１の回路とは異
なる。すなわち、この発光素子駆動回路２４は、１段の
ＮＰＮバイポーラトランジスタ７に代えて、２段のＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタ１７，７が縦続接続されたダ
ーリントン回路が用いられていて、初段のＮＰＮバイポ
ーラトランジスタ１７のベースに入力される二値化回路
２２の出力信号に応じて、発光ダイオード８へ供給する
電流を次段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７で断続す
るようにしている。
【００６２】具体的に説明すると、抵抗６の他端に初段
のＮＰＮバイポーラトランジスタ１７のベースが接続さ
れ、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１７のコレクタが電
源端子１０に接続され、ＮＰＮバイポーラトランジスタ
１７のエミッタがＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベ
ースに接続されている。その他の構成は図１の光送信装
置と同様である。
のＮＰＮバイポーラトランジスタ１７のベースが接続さ
れ、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１７のコレクタが電
源端子１０に接続され、ＮＰＮバイポーラトランジスタ
１７のエミッタがＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベ
ースに接続されている。その他の構成は図１の光送信装
置と同様である。
【００６３】図１の回路構成では、前段の二値化回路２
２を構成するインバータ５の出力にノイズが出た場合、
そのノイズレベルが０．３Ｖ以上になると、トランジス
タ７が徐々に動作し始めるため、発光ダイオード８が徐
々に光り始める。しかし、図５に示す回路構成にすれ
ば、インバータ５の出力にノイズが出た場合でも、ＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタ７の前段にＮＰＮバイポーラ
トランジスタ１７がダーリントンの形で挿入されている
ので、１．０Ｖ以上にならないとＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタが徐々に動作し始めない。
２を構成するインバータ５の出力にノイズが出た場合、
そのノイズレベルが０．３Ｖ以上になると、トランジス
タ７が徐々に動作し始めるため、発光ダイオード８が徐
々に光り始める。しかし、図５に示す回路構成にすれ
ば、インバータ５の出力にノイズが出た場合でも、ＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタ７の前段にＮＰＮバイポーラ
トランジスタ１７がダーリントンの形で挿入されている
ので、１．０Ｖ以上にならないとＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタが徐々に動作し始めない。
【００６４】この実施の形態の構成によれば、二値化回
路２２の出力信号が発光ダイオード８を直接駆動する次
段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに与えら
れるのではなく、初段のＮＰＮバイポーラトランジスタ
１７のベースに与えられるので、二値化回路２２を構成
するインバータ４，５としては電流駆動能力の小さいも
のを使用できる。
路２２の出力信号が発光ダイオード８を直接駆動する次
段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７のベースに与えら
れるのではなく、初段のＮＰＮバイポーラトランジスタ
１７のベースに与えられるので、二値化回路２２を構成
するインバータ４，５としては電流駆動能力の小さいも
のを使用できる。
【００６５】また、二値化回路２２の出力信号がダーリ
ントン回路を構成する初段および次段のＮＰＮバイポー
ラトランジスタ１７，７の直列接続された２個のベース
・エミッタ間に印加されるので、二値化回路２２の出力
にノイズが発生したときに、発光素子駆動回路２５が１
段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７のみで構成されて
いる場合に比べてノイズのレベルが高くないと発光ダイ
オード８が発光せず、耐ノイズ性を向上させることがで
きる。
ントン回路を構成する初段および次段のＮＰＮバイポー
ラトランジスタ１７，７の直列接続された２個のベース
・エミッタ間に印加されるので、二値化回路２２の出力
にノイズが発生したときに、発光素子駆動回路２５が１
段のＮＰＮバイポーラトランジスタ７のみで構成されて
いる場合に比べてノイズのレベルが高くないと発光ダイ
オード８が発光せず、耐ノイズ性を向上させることがで
きる。
【００６６】その他の効果は第１の実施の形態と同様で
ある。
ある。
【００６７】（第４の実施の形態：請求項５に対応）
図６は、本発明の第２の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。この光送信装置は、二値化回路２
６の構成が図１とは異なる。すなわち、この二値化回路
２６は、バイポーラトランジスタ等で構成されるインバ
ータ４，５に代えて、ＣＭＯＳ構成のインバータ４０，
５０を用いている。なお、図４および図５の回路にも、
ＣＭＯＳ構成のインバータを適用することが可能であ
る。
を示す回路図である。この光送信装置は、二値化回路２
６の構成が図１とは異なる。すなわち、この二値化回路
２６は、バイポーラトランジスタ等で構成されるインバ
ータ４，５に代えて、ＣＭＯＳ構成のインバータ４０，
５０を用いている。なお、図４および図５の回路にも、
ＣＭＯＳ構成のインバータを適用することが可能であ
る。
【００６８】インバータ４０は、ＰチャンネルＭＯＳト
ランジスタ１３のゲートとＮチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１５のゲートが抵抗３とコンデンサ２へ接続され、
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１３のドレインとＮチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ１５のドレインが、Ｐチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ１４のゲートとＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ１６のゲートヘ接続され、Ｐチャン
ネルＭＯＳトランジスタ１４のドレインとＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ１６のドレインが抵抗６に接続さ
れ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１３，１４のソー
スが電源端子１０に接続され、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ１５，１６のソースがグラウンド端子１１に接
続されている。
ランジスタ１３のゲートとＮチャンネルＭＯＳトランジ
スタ１５のゲートが抵抗３とコンデンサ２へ接続され、
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１３のドレインとＮチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ１５のドレインが、Ｐチャ
ンネルＭＯＳトランジスタ１４のゲートとＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ１６のゲートヘ接続され、Ｐチャン
ネルＭＯＳトランジスタ１４のドレインとＮチャンネル
ＭＯＳトランジスタ１６のドレインが抵抗６に接続さ
れ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１３，１４のソー
スが電源端子１０に接続され、ＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ１５，１６のソースがグラウンド端子１１に接
続されている。
【００６９】この実施の形態では、インバータ４０，５
０がＣＭＯＳ構成であり、待機電流を必要としないの
で、バイポーラトランジスタで構成されたインバータ
４，５を用いる第１の実施の形態に比べて低消費電力化
ができる。その他の効果は第１の実施の形態と同様であ
る。
０がＣＭＯＳ構成であり、待機電流を必要としないの
で、バイポーラトランジスタで構成されたインバータ
４，５を用いる第１の実施の形態に比べて低消費電力化
ができる。その他の効果は第１の実施の形態と同様であ
る。
【００７０】なお、上記各実施の形態では、発光素子駆
動回路にＮＰＮバイポーラトランジスタまたはＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタを用いた回路を示したが、これ
らに代えて、ＰＮＰバイポーラトランジスタまたはＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタを用いて、同様の回路を構
成することもできる。
動回路にＮＰＮバイポーラトランジスタまたはＮチャン
ネルＭＯＳトランジスタを用いた回路を示したが、これ
らに代えて、ＰＮＰバイポーラトランジスタまたはＰチ
ャンネルＭＯＳトランジスタを用いて、同様の回路を構
成することもできる。
【００７１】
【発明の効果】請求項１記載の光送信装置によれば、パ
ルス波形からなる光送信用入力信号をそのまま発光素子
駆動回路に入力するのではなく、いったん高域通過フィ
ルタに通してパルス波形を微分し、微分された信号を二
値化回路で二値化してパルス波形に戻した後で発光素子
駆動回路に入力しているので、所定時間幅より長いパル
ス幅の光送信用入力信号が入力されても、二値化回路か
ら所定時間幅より長いパルス幅の信号は出力されなくな
り、ソフトウェア等の原因で、光送信用入力信号がハイ
レベル状態に固定された場合には、所定のパルス幅の時
間だけ発光ダイオードが光るが、それ以上の時間は光ら
ない。このため、光送信装置に給電する電池の電池切れ
の防止、発光ダイオードの破壊防止を図ることができ
る。
ルス波形からなる光送信用入力信号をそのまま発光素子
駆動回路に入力するのではなく、いったん高域通過フィ
ルタに通してパルス波形を微分し、微分された信号を二
値化回路で二値化してパルス波形に戻した後で発光素子
駆動回路に入力しているので、所定時間幅より長いパル
ス幅の光送信用入力信号が入力されても、二値化回路か
ら所定時間幅より長いパルス幅の信号は出力されなくな
り、ソフトウェア等の原因で、光送信用入力信号がハイ
レベル状態に固定された場合には、所定のパルス幅の時
間だけ発光ダイオードが光るが、それ以上の時間は光ら
ない。このため、光送信装置に給電する電池の電池切れ
の防止、発光ダイオードの破壊防止を図ることができ
る。
【００７２】請求項３記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する他、高域通過フィルタがコン
デンサおよび抵抗で構成されているので、構成が簡単
で、安価に実現できる。
項１と同様の効果を奏する他、高域通過フィルタがコン
デンサおよび抵抗で構成されているので、構成が簡単
で、安価に実現できる。
【００７３】請求項４記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する他、二値化回路が縦続接続さ
れた２段のインバータで構成されているので、構成が簡
単で安価に実現できる。
項１と同様の効果を奏する他、二値化回路が縦続接続さ
れた２段のインバータで構成されているので、構成が簡
単で安価に実現できる。
【００７４】請求項５記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する他、インバータがＣＭＯＳイ
ンバータで構成されているので、待機電流を必要とせ
ず、バイポーラ型トランジスタを用いてインバータを構
成した場合に比べて低消費電力化ができる。
項１と同様の効果を奏する他、インバータがＣＭＯＳイ
ンバータで構成されているので、待機電流を必要とせ
ず、バイポーラ型トランジスタを用いてインバータを構
成した場合に比べて低消費電力化ができる。
【００７５】請求項６記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する。
項１と同様の効果を奏する。
【００７６】請求項７記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する他、二値化回路の出力信号が
発光素子を直接駆動する次段のバイポーラトランジスタ
のベースに与えられるのではなく、初段のバイポーラト
ランジスタのベースに与えられるので、二値化回路とし
ては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
項１と同様の効果を奏する他、二値化回路の出力信号が
発光素子を直接駆動する次段のバイポーラトランジスタ
のベースに与えられるのではなく、初段のバイポーラト
ランジスタのベースに与えられるので、二値化回路とし
ては電流駆動能力の小さいものを使用できる。
【００７７】また、二値化回路の出力信号がダーリント
ン回路を構成する初段および次段のバイポーラトランジ
スタの直列接続された２個のベース・エミッタ間に印加
されるので、二値化回路の出力にノイズが発生したとき
に、発光素子駆動回路が１段のバイポーラトランジスタ
で構成されている場合に比べてノイズのレベルが高くな
いと発光素子が発光せず、耐ノイズ性を向上させること
ができる。
ン回路を構成する初段および次段のバイポーラトランジ
スタの直列接続された２個のベース・エミッタ間に印加
されるので、二値化回路の出力にノイズが発生したとき
に、発光素子駆動回路が１段のバイポーラトランジスタ
で構成されている場合に比べてノイズのレベルが高くな
いと発光素子が発光せず、耐ノイズ性を向上させること
ができる。
【００７８】請求項８記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する他、動作電圧の下限を決める
ＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧がバイポ
ーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低い
ため、低電圧動作が可能となる。
項１と同様の効果を奏する他、動作電圧の下限を決める
ＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧がバイポ
ーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧より低い
ため、低電圧動作が可能となる。
【００７９】請求項９記載の光送信装置によれば、請求
項１と同様の効果を奏する。
項１と同様の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の光送信装置の動作
を示す波形図である。
を示す波形図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の光送信装置の動作
を示す波形図である。
を示す波形図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態の光送信装置の構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図７】従来の光送信装置の構成を示す回路図である。
【図８】従来の光送信装置の動作を示す波形図である。
【図９】従来の光送信装置の動作を示す波形図である。
１，５１ 入力端子
２ コンデンサ
３，６，９，１８，５２，５５ 抵抗
４，５，４０，５０ インバータ
７，１７，５３ ＮＰＮバイポーラトランジスタ
８，５４ 発光ダイオード
１０，５６ 電源端子
１１，５７ グラウンド端子
１２，１５，１６ ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
１３，１４ ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
１９，２０ ダイオード
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０４Ｂ 10/28
(72)発明者 志水 雄三
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 茶藤 哲夫
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−284783（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−13344（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−264130（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04B 10/00 - 10/28
H04J 14/00 - 14/08
H04B 1/04
Claims (9)
- 【請求項１】 パルス波形からなる光送信用入力信号の
高域成分を通過させる高域通過フィルタと、前記高域通
過フィルタの出力信号を二値化してパルス波形に戻す二
値化回路と、光送信用の発光素子と、前記二値化回路の
出力信号に応じて前記発光素子を駆動する発光素子駆動
回路とを備え、 前記高域通過フィルタの時定数と前記二値化回路におけ
る二値化のしきい値とで決まる所定時間幅より短いパル
ス幅の光送信用入力信号は、そのままのパルス幅で前記
二値化回路より出力し、 前記所定時間幅より長いパルス幅の光送信用入力信号は
前記所定時間幅のパルスとして前記二値化回路より出力
することを特徴とする 光送信装置。 - 【請求項２】 前記光送信用入力信号は、前記高域通過
フィルタに通すことでレベルが徐々に下降していき、前
記所定時間が経過すると前記高域通過フィルタの出力信
号のレベルが前記二値化回路の二値化のしきい値より低
くなることを特徴とする請求項１記載の光送信装置。 - 【請求項３】 高域通過フィルタがコンデンサおよび抵
抗よりなるＬ型回路で構成されている請求項１または２
記載の光送信装置。 - 【請求項４】 二値化回路が縦続接続された２段のイン
バータで構成されている請求項１または２記載の光送信
装置。 - 【請求項５】 インバータがＣＭＯＳインバータで構成
されている請求項４記載の光送信装置。 - 【請求項６】 発光素子駆動回路がベースに入力される
二値化回路の出力信号に応じて発光素子へ供給する電流
を断続するバイポーラトランジスタで構成されている請
求項１または２記載の光送信装置。 - 【請求項７】 発光素子駆動回路が、縦続接続された２
段のバイポーラトランジスタからなり初段のバイポーラ
トランジスタのベースに入力される二値化回路の出力信
号に応じて発光素子へ供給する電流を次段のバイポーラ
トランジスタで断続するダーリントン回路で構成されて
いる請求項１または２記載の光送信装置。 - 【請求項８】 発光素子駆動回路がゲートに入力される
二値化回路の出力信号に応じて発光素子へ供給する電流
を断続するＭＯＳトランジスタで構成されている請求項
１または２記載の光送信装置。 - 【請求項９】 発光素子が発光ダイオードからなる請求
項１または２記載の光送信装置。
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