JP4573620B2 - Ic、ic間のインターフェースシステム、モジュール、携帯電子機器および電子機器 - Google Patents

Ic、ic間のインターフェースシステム、モジュール、携帯電子機器および電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、第1電源電圧で動作しそれと異なる第2電源電圧電圧レベルで信号を出力する第1IC(半導体集積回路)、この第1ICと第2電源電圧で動作する第2ICとの間のインターフェースシステム、及びそれらICを備えたモジュール、携帯電子機器や電子機器に関する。
一般に、ICでは、その内部回路で所要の信号処理を行い、その信号処理の結果を他のICに出力するように構成される。そのICの内部回路を駆動するための内部電圧レベルと、その内部回路で処理された信号を他のICに出力する電圧レベルが異なる場合がある。
このような場合には、通常、IC内部の信号処理に用いる第1の電圧レベルを、他のICへインターフェースするために第2の電圧レベルにレベルシフトしてから出力するように構成されている(特許文献1)。
しかし、この特許文献1のような従来のものでは、第1電源電圧と第2電源電圧を外部の電源回路から取り込むためにICに2つの電源用端子が必要になる。電源端子を複数設けることは、部品の寸法の増大や、基板配線の複雑化の要因となる。特に、携帯電話機などの小型の電子機器においては、例えば2電源を必要とする赤外線送受信モジュール(IrDA規格に準拠)等の部品の小型化やそれらを搭載する基板の基板配線の簡素化等の観点から、異なる電源電圧毎に電源用端子を設けることは困難な場合がある。また、この困難さを避けるために、1種類の電源電圧でICを構成しようとすると、伝達すべき信号の時間幅が変わるなどの他の問題が発生することもある。
特開平5−167427号公報
そこで、本発明は、第1電源電圧のみで動作しそれより低い電圧レベルで出力信号を出力するための第1ICを提供することを目的とする。また、第1電源電圧のみで動作しそれより低い電圧レベルで出力信号を出力するための第1ICと、第1電源電圧よりも低い第2電源電圧で動作する第2ICとの間のインターフェースシステムを提供することを目的とする。さらに、それらICを備えたモジュール、携帯電子機器、及び電子機器を提供することを目的とする。
請求項1のICは、電源電圧を外部から入力するための電源電圧入力用端子と、
基準電圧(例、グランド電圧)を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、
信号出力用端子と、
前記電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、直列に接続された第1スイッチ手段と第2スイッチ手段と、
前記信号出力用端子と前記基準電圧入力用端子との間に接続された第3スイッチ手段と、
指令信号に応じて前記第2スイッチ手段と前記第3スイッチ手段とを、互いに逆の状態にオンあるいはオフさせる駆動回路と、
前記信号出力用端子の電圧レベルを監視し、その電圧レベルが前記電源電圧より低い所定レベルに達しないときに前記第1スイッチをオンし、その電圧レベルが前記所定レベルを超えるときに前記第1スイッチをオフさせる電圧検出回路とを、有することを特徴とする。
請求項2のICは、請求項1に記載のICにおいて、前記第2スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第1オフ期間を設け、前記第3スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第2オフ期間を設けることを特徴とする。
請求項3のICは、請求項2に記載のICにおいて、前記第1オフ期間が前記第2オフ期間より所定時間だけ長いことを特徴とする。
請求項4のICは、請求項1乃至3のいずれかに記載のICにおいて、前記電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、前記第1スイッチ手段、前記第2スイッチ手段と直列に抵抗器を接続していることを特徴とする。
請求項5のIC間のインターフェースシステムは、第1電源電圧を外部から入力するための第1電源電圧入力用端子と、基準電圧(例、グランド電圧)を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、信号出力用端子と、前記第1電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、直列に接続された第1スイッチ手段と第2スイッチ手段と、前記信号出力用端子と前記基準電圧入力用端子との間に接続された第3スイッチ手段と、指令信号に応じて前記第2スイッチ手段と前記第3スイッチ手段とを、互いに逆の状態にオンあるいはオフさせる駆動回路と、前記信号出力用端子の電圧レベルを監視し、その電圧レベルが前記第1電源電圧より低い所定レベルに達しないときに前記第1スイッチをオンし、その電圧レベルが前記所定レベルを超えるときに前記第1スイッチをオフさせる電圧検出回路とを、有する第1ICと、
第2電源電圧を外部から入力するための第2電源電圧入力用端子と、前記基準電圧を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、前記信号出力用端子に接続される信号入力用端子と、前記第2電源電圧入力用端子と前記信号入力用端子との間に接続されたプルアップ用インピーダンス手段と、前記第2電源電圧と前記基準電圧とを動作電源とし、前記信号入力用端子への出力信号が入力される信号処理回路とを、有する第2ICとを備えることを特徴とする。
請求項6のIC間のインターフェースシステムは、請求項5に記載のIC間のインターフェースシステムにおいて、前記第1ICは、前記第2スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第1オフ期間を設け、前記第3スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第2オフ期間を設けることを特徴とする。
請求項7のIC間のインターフェースシステムは、請求項6に記載のIC間のインターフェースシステムにおいて、前記第1オフ期間が前記第2オフ期間より所定時間だけ長いことを特徴とする。
請求項8のIC間のインターフェースシステムは、請求項5乃至7のいずれかに記載のIC間のインターフェースシステムにおいて、前記第1ICは、前記第1電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、前記第1スイッチ手段、前記第2スイッチ手段と直列に抵抗器を接続していることを特徴とする。
請求項9の電子機器は、第1電源電圧と該第1電源電圧より低い第2電源電圧とを発生する電源回路と、請求項5乃至8のいずれかに記載のIC間のインターフェースシステムと、該インターフェースシステムを制御するための制御回路とを、備えることを特徴とする。
請求項10のモジュールは、請求項1乃至4のいずれかに記載のICと、受信素子及びまたは送信素子とを、1つのフレームに設けたことを特徴とする。
請求項11の携帯電子機器は、請求項1乃至4のいずれかに記載のICを含むことを特徴とする。
本発明によれば、第1電源電圧のみで動作する第1ICから、その第1電源電圧より低い電圧レベルの出力信号を出力する。これにより、第1ICの電源電圧用端子数を、従来のものより削減することができる。したがって、第1ICや、この第1ICをパッケージした部品(例えば、IrDAモジュール)の小型化に寄与することができるし、また、それらを搭載する基板配線を簡素化することができる。また、端子数が少なくなるから、基板設計が容易になる。
また、第1ICからの出力信号を低レベルから高レベルに立ち上げる際に、所定レベルまでは第1電源電圧にて急速に立ち上げる。そして、出力信号が所定レベルに達した後は、第2電源電圧でプルアップする。したがって、出力信号の立ち上がりを短時間で行える。これにより、出力信号のパルス幅を、入力信号のパルス幅とほぼ等しくすることが可能になる。
以下、本発明のICと、IC間のインターフェースシステム、およびそれらを備えた電子機器の実施例について、図を参照して説明する。
図1は、本発明に係る電子機器の全体構成を示す図である。電子機器としては、携帯電話機等であり、電圧レベルの異なる電源電圧を使用する。
図1において、高い第1電源電圧Vcc1を用いる第1IC100と、第1電源電圧よりは低い第2電源電圧Vcc2を用いる第2IC200と、第1電源電圧Vcc1と第2電源電圧Vcc2とを発生する電源回路300と、それらを制御する制御回路400を備えている。
第1IC100は、第1電源電圧Vcc1が第1電源電圧入力用端子Pvcc1を介して外部の電源回路300から供給され、基準電圧であるグランド電圧Vgndがグランド電圧入力用端子Pgnd1を介して外部の電源回路300から入力される。また、信号出力用端子Pout1から出力信号Soutが第2IC200へ出力される。
第1電源電圧Vcc1点と信号出力用端子Pout1との間に、第1スイッチ手段であるP型MOSトランジスタ11と、第2スイッチ手段であるP型MOSトランジスタ12と、抵抗器13(抵抗値R1)とが直列に接続される。
信号出力用端子Pout1とグランド電圧Vgnd点との間に、第3スイッチ手段であるN型MOSトランジスタ14が接続される。
駆動回路であるドライバ回路20は、例えばパルス形状の指令信号Sinが入力され、P型MOSトランジスタ12のゲートにゲート制御信号Sinpを供給し、N型MOSトランジスタ14のゲートにゲート制御信号Sinnを供給する。この制御信号Sinpと制御信号Sinnは、P型MOSトランジスタ12とN型MOSトランジスタ14とを互いに逆の状態にオンあるいはオフさせる。
そして、P型MOSトランジスタ12がオンしている状態からオフ状態へ移る際に、P型MOSトランジスタ12及びN型MOSトランジスタ14がともにオフしている第1オフ期間τ1を設ける。また、N型MOSトランジスタ14がオンしている状態からオフ状態へ移る際に、P型MOSトランジスタ12及びN型MOSトランジスタ14がともにオフしている第2オフ期間τ2を設ける。さらに、この第1オフ期間τ1が第2オフ期間τ2より所定時間だけ長くなるように設定されていることがよい。
このように、オフ期間τ1、τ2を設けることにより、第1電源電圧Vcc1点からグランド電圧Vgnd点へ流れる貫通電流を阻止することができる。また、第1オフ期間τ1を第2オフ期間τ2より所定時間だけ長くすることにより、出力信号Soutの立ち上がり制御と関連して、出力信号Soutのパルス幅を指令信号Sinのパルス幅にほぼ等しくする。
電圧検出回路30は、第1電源電圧Vcc1とグランド電圧Vgnd間に接続され、信号出力用端子Pout1の電圧レベル(即ち、出力信号Soutのレベル)を監視する。その出力信号Soutの電圧レベルが第1電源電圧Vcc1より低い所定レベルに達しないときにP型MOSトランジスタ11をオンし、その電圧レベルが所定レベルを超えるときにP型MOSトランジスタ11をオフさせる、ゲート制御信号Soutpを発生する。その所定レベルは、第2電源電圧Vcc2よりさらに若干低い電圧レベルに設定することがよい。
図2は、電圧検出回路30の構成例を示す図である。図2において、第1電源電圧Vcc1点とグランド電圧Vgnd点との間に、P型MOSトランジスタ31と抵抗器32とN型MOSトランジスタ33とがその順序で接続されている。P型MOSトランジスタ31のゲートとN型MOSトランジスタ33のゲートが共通に接続され、それらゲートに出力信号Soutが印加される。このP型MOSトランジスタ31と抵抗器32とN型MOSトランジスタ33とで、入力される出力信号Soutが所定電圧レベルで出力が反転するインバータ回路が構成される。
その抵抗器32とN型MOSトランジスタ33との接続点の電圧レベル(高(H)レベルまたは低(L)レベル)が、反転回路34により反転されて、P型MOSトランジスタ11へのゲート制御信号Soutpとして 出力される。
図1に戻って、説明する。第2IC200は、第2電源電圧Vcc2が第2電源電圧入力用端子Pvcc2を介して外部の電源回路300から入力され、グランド電圧Vgndがグランド電圧入力用端子Pgnd2を介して外部から入力される。また、出力信号Soutが、第1IC100の信号出力用端子Pout1に接続された信号入力用端子Pin2に入力される。
キャパシタ15が信号出力用端子Pout1とグランド電圧入力用端子Pgnd1との間に存在する。このキャパシタ15はキャパシタンスCsを持っているが、浮遊キャパシタで構成されることがよい。ただ、必要とされるキャパシタンスCsによっては、ディスクリート部品のキャパシタや、第1IC100や第2IC200内部に作り込んだキャパシタでもよい。
第2IC200の内部では、第2電源電圧Vcc2点と信号用入力端子Pin2との間に接続されたプルアップ用インピーダンス手段202を設けている。このプルアップ用インピーダンス手段202は、高抵抗値の抵抗器や微少な電流を流せる電流源などが用いられる。
また、信号処理回路201は、第2電源電圧Vcc2とグランド電圧Vgndとを動作電源とし、信号入力用端子Pin2への出力信号Soutが入力され、所要の信号処理を行う。また、信号処理回路201は、制御回路400との間で、入出力端子Pi/oを介して、入出力制御信号Si/oをやり取りする。
本発明の実施例の動作を、図3のタイミングチャート及びその一部を拡大した図4をも参照して、説明する。
図3(a)のような、所定時間幅Tpの指令信号Sinがドライバ回路20に入力される。所定時間幅Tpは、1種類の場合もあるが、複数種類を用いてその時間幅によって異なる情報を伝達することが行われる。したがって、複数の時間幅の指令信号Sinを用いるものでは、その時間幅を正確に伝達することが重要となる。
時点t1以前の区間iでは、図3(a)〜(e)に示されているように、指令信号SinはLレベル、ゲート制御信号SinpはLレベル、ゲート制御信号SinnはLレベル、出力信号SoutはHレベル、ゲート制御信号SoutpはHレベルにある。これらの信号の中で、出力信号SoutのHレベルは第2電源電圧Vcc2にあり、他の信号のHレベルは、第1電源電圧Vcc1にある。
時点t1で、指令信号SinがHレベルになると、ドライバ回路20は、ゲート制御信号Sinpを直ちにHレベルにするとともに、ゲート制御信号Sinnを第1オフ期間τ1時間後の時点t2でHレベルにする。この第1オフ期間τ1の区間iiは、P型MOSトランジスタ12とN型MOSトランジスタ14がともにオフしているから、それらを通した第1電源電圧Vcc1点とグランド電圧Vgnd点間の貫通電流が流れることが阻止される。
時点t2で、ゲート制御信号SinnがHレベルにされると、N型MOSトランジスタ14がオンして、第2電源電圧Vcc2に充電されていたキャパシタ15の電荷が直ちに放電され、出力信号SoutはLレベルになる。出力信号SoutがLレベルになったことが電圧検出回路30で検出されて、ゲート制御信号SoutpがLレベルになり、P型MOSトランジスタ11がオンされる。
時点t3で指令信号SinがLレベルになるまでの区間iiiは、P型MOSトランジスタ11がオン、P型MOSトランジスタ12がオフ、N型MOSトランジスタ14がオンの状態にある。
時点t3で、指令信号SinがLレベルになると、ドライバ回路20はゲート制御信号Sinnを直ちにLレベルにして、N型MOSトランジスタ14がオフする。その後、第2オフ期間τ2が経過後の時点t4でゲート制御信号SinpがLレベルにされ、P型MOSトランジスタ12がオンする。その第2オフ期間τ2の区間ivは、P型MOSトランジスタ12とN型MOSトランジスタ14がともにオフしているから、それらを通した第1電源電圧Vcc1点とグランド電圧Vgnd点間の貫通電流が流れることが阻止される。この第2オフ期間τ2は、さらに第1オフ期間τ1よりも短い時間とされていることがよい。
時点t4で、P型MOSトランジスタ12がオンされることによって、浮遊キャパシタ15が抵抗器13を通して第1電源電圧Vcc1で充電が開始される。この充電時のタイミングチャートの拡大図が、図4に示されている。
時点t4で充電が開始されると、浮遊キャパシタ15の充電電圧は、抵抗器13の抵抗値R1及びプルアップ用インピーダンス手段202のインピーダンス値Z1と浮遊キャパシタ15のキャパシタンスCsとで決まる時定数にしたがって、図4に破線で示されるような曲線で第1電源電圧Vcc1に向けて、主に第1電源電圧Vcc1により速やかに充電されていく。
その浮遊キャパシタ15の充電電圧が電圧検出回路30の所定電圧レベルに達した時点t5で、電圧検出回路30からHレベルのゲート制御信号Soutpが出力されて、P型MOSトランジスタ11がオフする。即ち、時点t4から時点t5までの区間vでは、浮遊キャパシタ15が第1電源電圧Vcc1から急速に充電される。
なお、時点t4から時点t5の間に、第2電源電圧Vcc2からプルアップ用インピーダンス手段202を通しても浮遊キャパシタ15に充電されているが、プルアップ用インピーダンス手段202のインピーダンス値が高いこと(Z1≫R1)及び、第2電源電圧Vcc2が低いこと(Vcc2<Vcc1)により、プルアップ用インピーダンス手段202はキャパシタ15の充電にはほとんど寄与していない。
時点t5で、P型MOSトランジスタ11がオフされると、その所定電圧レベルが第2電源電圧Vcc2より低く設定されている場合には、浮遊キャパシタ15は、第2電源電圧Vcc2に向けてプルアップ用インピーダンス手段202を通って、図4に実線で示すように緩やかに充電されて行く。
この出力信号Soutが信号処理回路201に入力されるが、信号処理回路201での信号の判定レベルを、電圧検出回路30での所定電圧レベルと同じにすることにより、出力信号Soutのパルス幅は、指令信号Sinのパルス幅Tpとほぼ等しくすることができる。この場合には、区間ivと区間v(第2オフ期間τ2)の合計時間が、区間ii(第1オフ期間τ1)と等しくなる。
時点t5以後の区間viでは、各信号レベルは、区間iと同様になる。
このように、第1電源電圧Vcc1のみで動作する第1IC100から、その第1電源電圧Vcc1より低い電圧レベルの出力信号を出力する。これにより、第1IC100の電源電圧用端子数を、従来のものより削減することができる。したがって、第1IC100や、それを搭載する基板配線を簡素化することができる。また、第1ICを含む携帯電子機器を構成することにより、端子数が少なくなり、基板設計が容易になり、且つ小型化が容易になる。
また、第1IC100からの出力信号SoutをLレベルからHレベルに立ち上げる際に、所定電圧レベルまでは第1電源電圧Vcc1にて急速に立ち上げる。そして、出力信号Soutが所定電圧レベルに達した後は、第2電源電圧Vcc2で緩やかにプルアップする。したがって、出力信号Soutの立ち上がりを短時間で行える。これにより、出力信号Soutのパルス幅を、引き延ばすことなく、指令信号Sinのパルス幅Tpとほぼ等しくすることが可能になる。
図1では、第1IC100と第2IC200との間で、第1IC100から第2IC200への出力信号Soutが伝達されることとして示されている。しかし、実際には、出力信号Soutのみではなく、各種の制御信号や指令信号が第1IC100と第2IC200との間で送受信される。また、そのための各端子や回路部が、第1IC100と第2IC200に、それぞれ設けられる。
図5は、第1IC100の適用例を示す、光送受信モジュールの内部構造の例を模式的に示す図である。
この図5は、例えばIrDA規格に対応した赤外線送受信モジュールであり、ガラスエポキシなどのフレーム140に、図1の第1IC100や、光信号を送信するためのLED(発光ダイオード)110、光信号を受信するためのホトダイオード(PINダイオード)120等が設けられ、また、第1IC100とLED110、ホトダイオード120との間を接続するワイヤ130が設けられる。外部端子群は、フレーム140に形成される。
これらが、非難燃性エポキシ性樹脂などモールド材150で、図のようにモールドされる。LED110の上部の凸部160とホトダイオード120の上部の凸部170は、光信号を通すレンズ部分となっている。
第1IC100の内部には、図1で示した各回路の他に、LED110に駆動電流を流すためのバッファ回路や、ホトダイオード120に受光量に応じて流れる電流を電圧に変換する抵抗器や、その変換された電圧を増幅する増幅器や波形整形回路や、外部からの制御信号に応じて内部回路の動作を停止させるためのパワーダウン回路等が含まれている。
このIrDA規格に対応した赤外線送受信モジュールでは、LED110を発光させたり、また、ホトダイオード120で光信号を受信させるために、比較的高い電源電圧を必要とする。このために、それらを制御する第1IC100は高い第1電源電圧Vcc1を用いることになり、一方、主にディジタル信号の処理を行う第2IC200は低い第2電源電圧Vcc2を用いる。したがって、本発明の第1IC100、及びIC間のインターフェースシステムは、IrDA規格等に対応した赤外線送受信モジュール、及びそのモジュールを用いた電子機器に、好適に用いることができる。また、第1IC100と、受信素子及びまたは送信素子とを、1つのフレームに設けたモジュールを構成することができる。このモジュールは、端子数が少なくなり、基板設計が容易になる。
本発明に係る、ICを含む電子機器の全体構成を示す図 電圧検出回路30の構成例を示す図 本発明の動作を説明するためのタイミングチャート 図3の一部を拡大した図 本発明のICの適用例を示す、赤外線送受信モジュールを模式的に示す図
符号の説明
100 第1IC
11、12 P型MOSトランジスタ
13 抵抗器
14 N型MOSトランジスタ
15 浮遊キャパシタ
20 ドライバ回路
30 電圧検出回路
31 P型MOSトランジスタ
32 抵抗器
33 N型MOSトランジスタ
34 反転回路
200 第2IC
201 信号処理回路
202 プルアップ用インピーダンス手段
300 電源回路
400 制御回路
Pvcc1、Pvcc2 第1、第2電源電圧入力用端子
Pgnd1、Pgnd2 グランド電圧入力用端子
Pout1 信号出力用端子
Pin2 信号入力用端子
Pi/o 入出力端子
Vcc1 第1電源電圧
Vcc2 第2電源電圧
Sin 指令信号
Sinp、Sinn、Soutp ゲート制御信号
Sout 出力信号

Claims (11)

  1. 電源電圧を外部から入力するための電源電圧入力用端子と、
    基準電圧を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、
    信号出力用端子と、
    前記電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、直列に接続された第1スイッチ手段と第2スイッチ手段と、
    前記信号出力用端子と前記基準電圧入力用端子との間に接続された第3スイッチ手段と、
    指令信号に応じて前記第2スイッチ手段と前記第3スイッチ手段とを、互いに逆の状態にオンあるいはオフさせる駆動回路と、
    前記信号出力用端子の電圧レベルを監視し、その電圧レベルが前記電源電圧より低い所定レベルに達しないときに前記第1スイッチをオンし、その電圧レベルが前記所定レベルを超えるときに前記第1スイッチをオフさせる電圧検出回路とを、有することを特徴とする、IC。
  2. 前記第2スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第1オフ期間を設け、前記第3スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第2オフ期間を設けることを特徴とする、請求項1に記載のIC。
  3. 前記第1オフ期間が前記第2オフ期間より所定時間だけ長いことを特徴とする、請求項2に記載のIC。
  4. 前記電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、前記第1スイッチ手段、前記第2スイッチ手段と直列に抵抗器を接続していることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のIC。
  5. 第1電源電圧を外部から入力するための第1電源電圧入力用端子と、基準電圧を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、信号出力用端子と、前記第1電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、直列に接続された第1スイッチ手段と第2スイッチ手段と、前記信号出力用端子と前記基準電圧入力用端子との間に接続された第3スイッチ手段と、指令信号に応じて前記第2スイッチ手段と前記第3スイッチ手段とを、互いに逆の状態にオンあるいはオフさせる駆動回路と、前記信号出力用端子の電圧レベルを監視し、その電圧レベルが前記第1電源電圧より低い所定レベルに達しないときに前記第1スイッチをオンし、その電圧レベルが前記所定レベルを超えるときに前記第1スイッチをオフさせる電圧検出回路とを、有する第1ICと、
    第2電源電圧を外部から入力するための第2電源電圧入力用端子と、前記基準電圧を外部から入力するための基準電圧入力用端子と、前記信号出力用端子に接続される信号入力用端子と、前記第2電源電圧入力用端子と前記信号入力用端子との間に接続されたプルアップ用インピーダンス手段と、前記第2電源電圧と前記基準電圧とを動作電源とし、前記信号入力用端子への出力信号が入力される信号処理回路とを、有する第2ICとを備えることを特徴とする、IC間のインターフェースシステム。
  6. 前記第1ICは、前記第2スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第1オフ期間を設け、前記第3スイッチ手段がオンからオフへ移る際に、前記第2スイッチ手段及び前記第3スイッチ手段がともにオフしている第2オフ期間を設けることを特徴とする、請求項5に記載のIC間のインターフェースシステム。
  7. 前記第1オフ期間が前記第2オフ期間より所定時間だけ長いことを特徴とする、請求項6に記載のIC間のインターフェースシステム。
  8. 前記第1ICは、前記第1電源電圧入力用端子と前記信号出力用端子との間に、前記第1スイッチ手段、前記第2スイッチ手段と直列に抵抗器を接続していることを特徴とする、請求項5乃至7のいずれかに記載のIC間のインターフェースシステム。
  9. 第1電源電圧と該第1電源電圧より低い第2電源電圧とを発生する電源回路と、請求項5乃至8のいずれかに記載のIC間のインターフェースシステムと、該インターフェースシステムを制御するための制御回路とを、備えることを特徴とする、電子機器。
  10. 請求項1乃至4のいずれかに記載のICと、受信素子及びまたは送信素子とを、1つのフレームに設けたことを特徴とするモジュール。
  11. 請求項1乃至4のいずれかに記載のICを含むことを特徴とする携帯電子機器。
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