JP5034546B2

JP5034546B2 - フォトカプラ回路

Info

Publication number: JP5034546B2
Application number: JP2007040817A
Authority: JP
Inventors: 敬太藤丸; 康博白木
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-02-21
Filing date: 2007-02-21
Publication date: 2012-09-26
Anticipated expiration: 2027-02-21
Also published as: JP2008205920A

Description

この発明は、フォトカプラを備えたフォトカプラ回路に関するものである。

フォトカプラは発光素子である発光ダイオードとフォトダイオード、もしくはフォトトランジスタとを組み合わせ、光を媒介とした結合素子であり、入力された電気信号を内部で光信号に変換することで入力側と出力側を電気的に絶縁する絶縁伝送手段である。フォトカプラはノイズ発生源の近くに配置されるフォトカプラ回路の入力側に用いられることが多い。また、フォトカプラの入力側と出力側との絶縁耐圧は通常１ｋＶｒｍｓから５ｋＶｒｍｓ程度であり、入力側の高電圧信号を抵抗で定格入力電圧に分圧してフォトカプラに入力して、５Ｖのような通常のフォトカプラ回路の電源電圧に変換するとともに、信号伝送することも可能である。

一般にフォトカプラの入力逆電圧の絶対定格は５Ｖから６Ｖ程度であり、例えば雷、配電系統の切り替え、負荷の開閉等によって発生するサージや、入力端子の逆接続によるフォトカプラの破壊を防止するために、保護用のダイオードをフォトカプラの発光側（入力側）のアノード側とカソード側にダイオードを接続する。例えば技術文献１には保護用のダイオードがフォトカプラの入力側に接続され、フォトカプラの入力に接続された制御信号線に電流制限素子としての抵抗が、発光側のアノード側とカソード側のいずれにも挿入されたフォトカプラ回路が示されている。

特開平１０−１０６７７６号公報（第２頁乃至３頁、図６）

特許文献１のようなフォトカプラ回路では保護用のダイオードとフォトカプラの発光側のダイオードで閉ループが形成される。この閉ループに高周波の電磁波ノイズを受けると閉ループがアンテナとなり、この閉ループに起電力が発生することでフォトカプラが誤動作する問題があった。一般に高周波の電磁波ノイズのエネルギーは周波数が高くなると低下するので、アンテナとなる閉ループの回路の配線長を短くしてエネルギーの高い高周波の電磁波ノイズの成分と作用しないようにすることが必要になる。したがって、フォトカプラの誤動作を防止するために保護用のダイオードをフォトカプラの発光側のダイオードに近接して配置し、閉ループの回路の配線長を極力短くする必要があり、保護用のダイオードの配置に強い制約を設けなければならず、配置の自由度が低い問題点があった。

この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、フォトカプラを備えたフォトカプラ回路において、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、配置の自由度を高めることを目的とする。

この発明にかかるフォトカプラ回路は、回路入力端子が発光素子の入力端子に接続されたフォトカプラとこのフォトカプラの発光素子に並列かつ極性が逆向きに接続され、このフォトカプラを保護するダイオードを備えている。そしてフォトカプラとダイオードとで形成された閉ループに抵抗を配置したものである。

この発明は、フォトカプラを実装したフォトカプラ回路において、フォトカプラの発光素子とフォトカプラを保護するダイオードとで形成される閉ループに配置した抵抗の電圧降下によって、フォトカプラに印加される高周波の電磁波ノイズによる電圧を低下させたので、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードの配置の自由度を高めることができる。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１におけるフォトカプラ回路を示す図である。フォトカプラ回路１はｎ個のサブ回路Ｓｕｂ‐１乃至Ｓｕｂ‐ｎを備えている、ｎ個のサブ回路の入力マイナス側配線および出力マイナス側配線はそれぞれ入力マイナス側端子Ｉｎｎ及び出力マイナス側端子Ｏｕｔｎを共通として外部と接続されている。入力マイナス側端子Ｉｎｎには、入力マイナス側配線を通る高周波の外来ノイズに対して共通にインピーダンスを高めるために、インダクタＬが接続されている。サブ回路Ｓｕｂ‐１は、フォトカプラＰ１で発光側と受光側が絶縁されている。フォトカプラＰ１の入力側には保護用のダイオードＤ１が並列に接続されている。この保護用のダイオードＤ１によってフォトカプラＰ１の破壊を防止することができる。フォトカプラＰ１が接続される出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１には、後述するデジタル信号回路である処理回路２が駆動される電源電圧Ｖｃｃと同じ電圧の電源が接続されている。他のサブ回路もサブ回路Ｓｕｂ‐１と同様である。

フォトカプラＰ１で信号伝送を行うためには、フォトカプラＰ１の所定の制限電流内にするために入力側に電流制限素子として抵抗を挿入する。フォトカプラＰ１のアノード端子と入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１と入力プラス側配線で接続され、フォトカプラＰ１のカソード端子は入力マイナス側配線に接続されている。フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１で形成される閉ループに、抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４が配置されている。ダイオードＤ１と入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１の間に抵抗Ｒ１１が接続され、ダイオードＤ１と入力マイナス側端子Ｉｎｎの間に抵抗Ｒ１２が接続されている。サブ回路Ｓｕｂ‐２からサブ回路Ｓｕｂ‐ｎまで、それぞれサブ回路Ｓｕｂ‐１と同様な構成である。ここで抵抗の符号は、十の位がサブ回路番号を示し、一の位はそのサブ回路における任意の番号を示す。

図２はこの発明の実施の形態１におけるフォトカプラ回路を搭載した制御信号生成装置の概略ブロック図である。ここではフォトカプラ回路１のサブ回路が２つの場合を示している。フォトカプラ回路１の入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１及びＩｎｐ‐２はそれぞれ制御信号生成装置３の入力プラス側端子Ｉｓｉｇ‐１及びＩｓｉｇ‐２に接続される。フォトカプラ回路１の入力マイナス側端子Ｉｎｎは制御信号生成装置３の信号グランドＳＧ１に接続される。フォトカプラ回路１の出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１及びＯｕｔｐ‐２は処理回路２の入力プラス側端子Ｉｎｃｐ‐１及びＩｎｃｐ‐２に接続される。フォトカプラ回路１の出力マイナス側端子Ｏｕｔｎと処理回路２の入力マイナス側端子Ｉｎｃｎは、制御信号生成装置３の信号グランドＳＧ２に共通に接続される。処理回路２は電圧Ｖｃｃである電源で駆動される。制御信号生成装置３の筐体に接続されたフレームグランドＦＧはアースにつながっている。信号グランドＳＧ１及びＳＧ２とフレームグランドＦＧとは接続されない状態になっている。Ｃｘ１及びＣｘ２はそれぞれフレームグランドＦＧと信号グランドＳＧ１及びＳＧ２間とフレームグランドＦＧ間の寄生容量である。

次に動作について説明する。出力マイナス側端子Ｏｕｔｎは制御回路２と共通のグランド（電位Ｖｇｎｄ）に接続され、入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１と入力マイナス側端子Ｉｎｎ間に例えば電圧１００Ｖの立ち上がり入力信号が入力される場合を考える。入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１に電圧１００Ｖの立ち上がりパルスが入力されると、フォトカプラＰ１の入力側端子に直列接続された抵抗Ｒ１１乃至Ｒ１４で分圧された所定の電圧が印加され、所定の直流順電流Ｉ_Ｆが流れる。フォトカプラＰ１の発光素子である発光ダイオードが発光し、この光を受光するフォトカプラＰ１のフォトトランジスタがＯＮすることで、出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１はＶｃｃからＶｇｎｄに変化する。この状態から入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１に電圧１００Ｖの立ち下がりパルスが入力されると、フォトカプラＰ１の入力側端子に印加される電圧が低下し、フォトカプラＰ１の発光ダイオードが発光しなくなり、フォトトランジスタがＯＦＦすることで、出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１はＶｇｎｄからＶｃｃに変化する。このように高電圧の入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１に入力されたパルス信号に応じて、出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１に入力されたパルス信号を反転したパルス信号、即ち回路電源電圧Ｖｃｃの反転したパルス信号が伝送される。フォトカプラ回路１から伝送された信号を受ける処理回路２は、所定の演算等の処理を行い出力端子Ｏｓｉｇ‐１から被制御回路を制御するための制御信号を出力する。

フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１、抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４で形成される閉ループ中に高周波の電磁波ノイズが侵入する場合を考える。まず抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４がない従来の場合から説明する。フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１で形成される閉ループ中に高周波の電磁波ノイズが侵入すると、フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１が順方向となる向きの場合に電流が流れ、このときに閉ループに起電力が発生するようになる。このようにフォトカプラが高周波の電磁波ノイズを受けて、フォトトランジスタのベースの浮遊容量に電荷が蓄積されるとともに直流順電流Ｉ_Ｆに相当する高周波の電流が流れることで、フォトトランジスタがＯＮするようになる。本来ＯＦＦであるものがＯＮとなることで、誤信号が処理回路２に伝送され誤動作してしまう。これを防ぐ一つの方法がダイオードＤ１をフォトカプラＰ１に極力近接して閉ループの回路の配線長を短くする方法だった。

次に本実施の形態の場合を説明する。フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１、抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４で形成される閉ループ中に侵入した高周波の電磁波ノイズによって、フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１が順方向となる向きにノイズ電流Ｉが流れたとしても、抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４によってそれぞれＩ×Ｒ１３及びＩ×Ｒ１４の電圧降下が発生することで、フォトカプラのアノード端子とカソード端子間に印加される電圧を低下させることができる。即ち、抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４はノイズ電圧を分圧する分圧素子としての働きをしている。フォトカプラが高周波の電磁波ノイズを受けて、フォトトランジスタのベースの浮遊容量に電荷が蓄積されるとともに直流順電流Ｉ_Ｆに相当する高周波の電流が流れることがないので、フォトトランジスタはＯＦＦ状態を維持することができる。

したがって、ノイズのエネルギーが高い高周波成分を閉ループが受けたとしても、電圧降下が十分できる抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４の抵抗値を選ぶことによって、フォトカプラのアノード端子とカソード端子間にフォトカプラがＯＮしてしまう電圧が印加されないようにすることができる。これによってＯＦＦ状態のフォトカプラがＯＮとなることはなく、誤信号が処理回路２に伝送され誤動作してしまうことがないので、処理回路２の誤動作を防ぐことができる。

本実施の形態のフォトカプラ回路は高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性を上げることができたので、閉ループの回路の配線長を長くしても誤動作しないようにすることができる。したがってダイオードＤ１をフォトカプラＰ１から離して配置することができ、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。

以上のように本実施の形態のフォトカプラ回路は、ダイオードＤ１をフォトカプラＰ１に極力近接して閉ループの回路の配線長を短くしなければならなかった従来とは異なり、ダイオードＤ１とフォトカプラＰ１との間に抵抗を配置して、高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性を上げることができたので、閉ループの回路の配線長を長くしても誤動作しないようにすることができる。したがってダイオードＤ１をフォトカプラＰ１から離して配置することができ、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。

また、抵抗Ｒ１３及び抵抗Ｒ１４は電流制限素子であるとともに、高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性を上げる分圧素子でもある。電流制限素子と誤動作の耐性を上げる分圧素子を兼用することで、分圧素子としての抵抗を余分に設けなくてもよい利点がある。

次にフォトカプラ回路１に外来ノイズが侵入し処理回路２が誤動作する場合を考える。フォトカプラは入力側と出力側とが直流或いは低周波数領域では絶縁さているが、入力側と出力側に周波数が数ＭＨｚ以上のノイズが印加されると、フォトカプラ内の容量結合により発光側から受光側あるいはその逆方向に微小なノイズが移行する。侵入するノイズが処理回路２の電源電圧Ｖｃｃより高電圧である場合は、処理回路２内の論理ゲートの閾値、例えば電源電圧Ｖｃｃの１／２を超えてしまい、デジタル信号回路である処理回路２が誤動作してしまう。また、フレームグランドＦＧと信号グランドＳＧ１及びＳＧ２間とフレームグランドＦＧ間の寄生容量Ｃｘ１及びＣｘ２によってフレームグランドＦＧから侵入する高周波の外来ノイズが処理回路２を経由しフォトカプラを通過することでも処理回路２が誤動作する可能性がある。

入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１から侵入する高周波の外来ノイズの伝搬経路をサブ回路Ｓｕｂ‐１で考える。入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１を基点として抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１３を経由して、フォトカプラＰ１のアノード端子からフォトカプラＰ１のコレクタ端子に抜けるＰａｔｈ‐ｐ１がある。フォトカプラＰ１がＯＮ状態の場合に、この経路Ｐａｔｈ‐ｐ１を通る高周波の外来ノイズが出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１に電源電圧Ｖｃｃの１／２を超えたＨ電圧として伝搬すると処理回路２で誤動作に至る可能性がある。しかし抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１３の抵抗値が十分高ければ、抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１３での電圧降下によって、フォトカプラＰ１のアノード端子からフォトカプラＰ１のコレクタ端子に抜けたとしても、処理回路２中の論理ゲートの閾値を超えないようにすることができるので、高周波の外来ノイズによる誤動作を防止することができる。

入力マイナス側端子Ｉｎｎから侵入するノイズの伝搬経路をサブ回路Ｓｕｂ‐１で考える。入力マイナス側端子Ｉｎｎを基点としてインダクタＬ、抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４を経由して、フォトカプラＰ１のカソード端子からフォトカプラＰ１のエミッタ端子に抜けるＰａｔｈ‐ｎ１がある。また、入力マイナス側端子Ｉｎｎを基点としてインダクタＬ、抵抗Ｒ１２、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１３を経由して、フォトカプラＰ１のアノード端子からフォトカプラＰ１のコレクタ端子に抜けるＰａｔｈ‐ｎ２がある。

Ｐａｔｈ‐ｎ１を通る高周波の外来ノイズは、出力マイナス側端子Ｏｕｔｎの電位が上がり処理回路２の入力マイナス側端子Ｉｎｃｎの電位がグランドレベルから高くなることにより、処理回路２で誤動作に至る可能性がある。しかし抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４の抵抗値が十分高ければ、抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４での電圧降下によって、フォトカプラＰ１のカソード端子からフォトカプラＰ１のエミッタ端子に抜けたとしても、処理回路２中の論理ゲートの閾値に影響を与えないような電位上昇に収めることができるので、高周波の外来ノイズによる誤動作を防止することができる。

また、Ｐａｔｈ‐ｎ２を通る高周波の外来ノイズは、フォトカプラＰ１がＯＮ状態の場合に出力プラス側端子Ｏｕｔｐ‐１に電源電圧Ｖｃｃの１／２を超えたＨ電圧として伝搬すると処理回路２で誤動作に至る可能性がある。しかし抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１３の抵抗値が十分高ければ、抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１３での電圧降下によって、フォトカプラＰ１のアノード端子からフォトカプラＰ１のコレクタ端子に抜けたとしても、処理回路２中の論理ゲートの閾値を超えないにすることができるので、外来ノイズによる誤動作を防止することができる。

高周波の外来ノイズは交流成分であるから、フォトカプラ内の容量結合により受光側から発光側に電流を流し、処理回路２の入力マイナス側端子Ｉｎｃｎの電位がグランドレベルから高くなることにより、処理回路２が誤動作する可能性がある。出力マイナス側端子Ｏｕｔｎからサブ回路Ｓｕｂ‐１に侵入するノイズの伝搬経路を考える。出力マイナス側端子Ｏｕｔｎを基点としてフォトカプラＰ１のエミッタ端子からフォトカプラＰ１のカソード端子に抜け、抵抗Ｒ１４及び抵抗Ｒ１２、インダクタＬを経由して入力マイナス側端子Ｉｎｎに至るＰａｔｈ‐ｎ３がある。また、出力マイナス側端子Ｏｕｔｎを基点としてフォトカプラＰ１のエミッタ端子からフォトカプラＰ１のカソード端子に抜け、抵抗Ｒ１４、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１１を経由して入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１に至るＰａｔｈ‐ｎ４がある。

Ｐａｔｈ‐ｎ３を通る高周波の外来ノイズを防止するためには、抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４の抵抗値が十分高ければよい。抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４の抵抗値が十分高ければ、抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１４での電圧降下によって、処理回路２の入力マイナス側端子Ｉｎｃｎの電位上昇が低減され、処理回路２を構成する論理ゲートの閾値を超えないにすることができるので、高周波の外来ノイズを防止することができる。また、Ｐａｔｈ‐ｎ４を通る高周波の外来ノイズを防止するためには、抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１４の抵抗値が十分高ければよい。抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１４の抵抗値が十分高ければ、抵抗Ｒ１１及び抵抗Ｒ１４での電圧降下によって、処理回路２の入力マイナス側端子Ｉｎｃｎの電位上昇が低減され、処理回路２を構成する論理ゲートの閾値を超えないようにすることができるので、高周波の外来ノイズによる誤動作を防止することができる。

上述したＰａｔｈ‐ｐ１及びＰａｔｈ‐ｎ１乃至４を通る高周波の外来ノイズのいずれにも効果的に誤動作を防止できる抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４の抵抗値を考えると、例えばそれぞれの抵抗値が均等であればよい。各抵抗の抵抗値は製造ばらつきを伴っているので、それぞれの抵抗値は実質的に同一であればよいことになる。この場合でもダイオードＤ１をフォトカプラＰ１から離して配置することができ、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。したがって保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができるとともにフォトカプラ回路に侵入する高周波の外来ノイズによる誤動作を防止できる。

また、ｎ個のサブ回路の入力マイナス側配線が共通に接続される入力マイナス側端子ＩｎｎにはインダクタＬを配置することで、入力マイナス側配線を通る高周波ノイズに対して共通にインピーダンスを高めることができるので、外来ノイズによる誤動作をより効果的に防止することができる。

次に図１のサブ回路Ｓｕｂ‐１における４つの抵抗の抵抗値を変更した変形例について説明する。サブ回路Ｓｕｂ‐１における４つの抵抗の内、フォトカプラＰ１の発光ダイオードとダイオードＤ１を基本構成とする閉ループに配置される２つの抵抗Ｒ１３、Ｒ１４の抵抗値を他の２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２の抵抗値より大きくすることで、４つの抵抗の抵抗値が実質的に同一であるフォトカプラ回路に比べてダイオードＤ１をフォトカプラＰ１からさらに遠方に離して配置することができ、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度をさらに高めることができる。

この変形例は、４つの抵抗の抵抗値を以下のようにしたものである。抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４の抵抗値をそれぞれｒ１１、ｒ１２、ｒ１３、ｒ１４とする。抵抗値ｒ１１＋ｒ１３と抵抗値ｒ１２＋ｒ１４とが実質的に同一であって、抵抗値ｒ１１＋ｒ１２≦抵抗値ｒ１３＋ｒ１４である。このような条件でも４つの抵抗の抵抗値が実質的に同一であるフォトカプラ回路で説明した高周波の外来ノイズの経路Ｐａｔｈ‐ｐ１及びＰａｔｈ‐ｎ１乃至４のそれぞれの抵抗値が均等であり、どの経路を通る高周波の外来ノイズにも効果的に誤動作を防止できる。また閉ループに配置された抵抗Ｒ１３及びＲ１４の抵抗値ｒ１３及びｒ１４を高めたので、４つの抵抗の抵抗値が実質的に同一であるフォトカプラ回路に比べて高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性をさらに上げることができ、保護用のダイオードの配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。

実施の形態２．
実施の形態１では、高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性を上げる分圧素子は、電流制限素子と兼用した場合で説明したが、分圧素子を電流制限素子と兼用しない場合でも、保護用のダイオードＤ１の配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。図３はこの発明の実施の形態２におけるフォトカプラ回路を示す図である。図３において、抵抗Ｒ１３は高周波の電磁波ノイズに対する誤動作の耐性を上げる分圧素子である。分圧素子としての抵抗Ｒ１３を専用にすることで、入力プラス側端子Ｉｎｐ‐１と入力マイナス側端子Ｉｎｎに印加される入力信号の電圧と使用するフォトカプラＰ１の選択によって決定される電流制限素子としての抵抗の抵抗値とは無関係に、抵抗Ｒ１３を適用できるので、抵抗Ｒ１３の抵抗値をダイオードＤ１の配置の自由度だけの考慮によって選択できる利点がある。また電流制限抵抗は抵抗Ｒ１１または抵抗Ｒ１２の少なくとも一方であっても、保護用のダイオードＤ１の配置制約を緩めて、ダイオードＤ１の配置の自由度を高めることができる。

なお、サブ回路Ｓｕｂ‐１で説明したが、他のサブ回路でも同様に適用できることは言うまでもない。

なお、実施の形態１及び２では外来ノイズが通過する経路のインピーダンスを均等に高めることができた。これにより処理回路２内の電子デバイスの破壊を防止できることは言うまでもない。

この発明の実施の形態１におけるフォトカプラ回路を示す図である。実施の形態１のフォトカプラ回路を搭載した装置の概略ブロック図である。実施の形態２におけるフォトカプラ回路を示す図である。

符号の説明

１フォトカプラ回路
Ｐ１、Ｐ２、Ｐｎフォトカプラ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄｎダイオード
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４抵抗
Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４抵抗
Ｒｎ１、Ｒｎ２、Ｒｎ３、Ｒｎ４抵抗
ｒ１１、ｒ１２、ｒ１３、ｒ１４抵抗値
Ｉｎｐ‐１、Ｉｎｐ‐２、Ｉｎｐ‐ｎ入力プラス側端子
Ｉｎｎ入力マイナス側端子

Claims

回路入力端子が発光素子の入力端子に接続されたフォトカプラと、
このフォトカプラの発光素子に並列かつ極性が逆向きに接続され、前記フォトカプラを保護するダイオードと、
前記回路入力端子における第１の入力端子と前記フォトカプラのアノード端子との間であって、前記ダイオードのカソード側と前記第１の入力端子との間に接続された第１の抵抗と、
前記回路入力端子における第２の入力端子と前記フォトカプラのカソード端子との間であって、前記ダイオードのアノード側と前記第２の入力端子との間に接続された第２の抵抗と、
前記第１の入力端子と前記フォトカプラのアノード端子との間であって、前記ダイオードのカソード側と前記フォトカプラのアノード端子との間に接続された第３の抵抗と、
前記第２の入力端子と前記フォトカプラのカソード端子との間であって、前記ダイオードのアノード側と前記フォトカプラのカソード端子との間に接続された第４の抵抗とを備え、
前記第１の抵抗の抵抗値と前記第３の抵抗の抵抗値との合計と、前記第２の抵抗の抵抗値と前記第４の抵抗の抵抗値との合計とが同一であり、
並びに、前記第３の抵抗の抵抗値は前記第１の抵抗の抵抗値と同一またはそれより大きく、前記第４の抵抗の抵抗値は前記第２の抵抗の抵抗値と同一またはそれより大きいことを特徴としたフォトカプラ回路。
前記第１の抵抗乃至前記第４の抵抗の抵抗値がそれぞれ同一であることを特徴とした請求項１記載のフォトカプラ回路。