JP2005065165A - 半導体リレー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオード11と、受光素子13と、受光素子13の第1及び第2の端子14、15間に接続された抵抗20と、第1の端子14に各アノードが接続されたダイオード21、22と、ダイオード21のカソードと第2の端子15との間に接続されたコンデンサ23と、エミッタがダイオード21のカソードに、ベースが第1の端子14に接続された第1のトランジスタ24と、第1のトランジスタ24のコレクタと第2の端子15との間に接続された抵抗素子25と、コレクタがダイオード22のカソードに、ベースが第1のトランジスタ24のコレクタに接続され、エミッタが第2の端子15に接続された第2のトランジスタ26と、ゲートがダイオード22のカソードに接続され、ソースが第2の端子15に接続された出力トランジスタ16とを具備している。
【選択図】 図1
Description
Claims (7)
- 入力信号に応じて発光する発光素子と、
上記発光素子からの光信号が照射されることで第1及び第2の端子間に光起電力を発生する受光素子と、
上記第1及び第2の端子間に接続された第1の抵抗素子と、
上記第1の端子に各アノード端子が接続された第1及び第2のダイオード素子と、
上記第1のダイオード素子のカソード端子と上記第2の端子との間に接続されたコンデンサと、
エミッタ端子が上記第1のダイオード素子のカソード端子に接続され、ベース端子が上記第1の端子に接続されたpnp型の第1のトランジスタと、
上記第1のトランジスタのコレクタ端子と上記第2の端子との間に接続された第2の抵抗素子と、
コレクタ端子が上記第2のダイオード素子のカソード端子に接続され、ベース端子が上記第1のトランジスタのコレクタ端子に接続され、エミッタ端子が上記第2の端子に接続されたnpn型の第2のトランジスタと、
ゲート端子が上記第2のダイオード素子のカソード端子に接続され、ソース端子が上記第2の端子に接続された出力トランジスタ
とを具備したことを特徴とする半導体リレー装置。 - 前記受光素子は、直列接続された複数個のフォトダイオードからなることを特徴する請求項1記載の半導体リレー装置。
- 前記出力トランジスタは、ゲート端子同士及びソース端子同士が共通に接続され、ゲート共通接続ノードが前記第2のダイオード素子のカソード端子に接続され、ソース共通接続ノードが前記第2の端子に接続されたnチャネル型の2個のMOSトランジスタからなることを特徴する請求項1記載の半導体リレー装置。
- 前記発光素子を除き、前記受光素子、第1の抵抗素子、第1及び第2のダイオード素子、コンデンサ、第1のトランジスタ、第2の抵抗素子、第2のトランジスタ、及び出力トランジスタが1チップに集積化されていることを特徴する請求項1記載の半導体リレー装置。
- 前記発光素子及び出力トランジスタを除き、前記受光素子、第1の抵抗素子、第1及び第2のダイオード素子、コンデンサ、第1のトランジスタ、第2の抵抗素子、及び第2のトランジスタが1チップに集積化されていることを特徴する請求項1記載の半導体リレー装置。
- 入力信号に応じて発光する発光素子と、
上記発光素子からの光信号が照射されることで光起電力を発生する受光素子と、
上記受光素子で発生した光起電力がゲート端子に供給されて導通する出力用のMOSトランジスタと、
バイポーラトランジスタを含み、このバイポーラトランジスタを導通させることにより上記出力用のMOSトランジスタのゲート端子に蓄積された電荷を放電し、上記バイポーラトランジスタを導通させるための電荷を予め蓄積する電荷蓄積手段を有する放電回路
とを具備したことを特徴とする半導体リレー装置。 - 前記電荷蓄積手段は、前記受光素子の両端間に接続されたコンデンサであることを特徴とする請求項6記載の半導体リレー装置。
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RU185192U1 (ru) * | 2018-07-06 | 2018-11-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Корректор коэффициента мощности |
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