TWI224356B - Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method - Google Patents

Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method Download PDF

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TWI224356B
TWI224356B TW092127765A TW92127765A TWI224356B TW I224356 B TWI224356 B TW I224356B TW 092127765 A TW092127765 A TW 092127765A TW 92127765 A TW92127765 A TW 92127765A TW I224356 B TWI224356 B TW I224356B
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Kouji Yoshimaru
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Description

1224356 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 及其所使用之 種貼合基板之 之貼合不良部 本發明係關於貼合基板及其製造方法， 晶圓外周加壓用治具類，詳言之，係關於一 製造技術’例如，貼合基板之活性層外周部 分的去除是在表面研削後以研磨來進行。 【先前技術】 將2片石夕晶圓貼合而成之貼合基板中，&知一種貼合 SOI(Silicon on Insulat〇r)基板。該貼合 s〇i 基板係 表面供元件形成之S0I層（活性層），與從背側支撐該s〇i 層之支撐基板用晶圓之間，埋入厚度數 矽氧化膜）而構成。 # m之埋置氧化膜（ 已知此種貼合S〇I基板之製造方法，係在進行研削活 性層用晶圓外周部之外周研削時，不將該晶圓外周部完全 肖J掉而留下右干篁’然後，將該削剩部分以鹼性蝕刻液去 除’接著對外周研削完之活性層用晶圓，依序進行表面研 削及表面研磨。 以下，根據第23圖〜第27圖，依序說明習知之貼合 SOI基板之製程。 〇 、cz法拉出之單結晶砍晶鍵切成薄片、研磨， 以準備加工成鏡面之2片矽晶圓（CZ晶圓）1〇1、1〇2(第23 圖（a))。製作中，於活性層用晶圓101之整個露出面，藉 由使用熱氧化爐之熱氧化處理來形成絕緣性之矽氧化膜 1224356 101a 〇 其次，將活性層用晶圓1 01與支撐基板用晶圓1 〇 2在 常溫疊合，來製作貼合晶圓1 〇3。藉此，在2片晶圓1 〇 1 、1 〇 2之間出現埋置矽氧化膜1 〇丨b。然後，對貼合晶圓 1 0 3 ’在氣化性氣氛下施加8 〇 〇。〇以上之貼合熱處理（第2 3 圖（b))。如此，在貼合晶圓1〇3之整個露出面形成矽氧化 膜l〇3a。此時，活性層用晶圓1〇1，係已預先以矽氧化膜 l〇la覆蓋。因此，藉由貼合熱處理之熱使矽氧化膜1〇1&
進一步成長，變厚。為求方便，在第23圖以不同顏色表 示石夕氧化膜1 〇 1 a、1 〇3a(第1圖亦相同）。
人’為了將去角之兩晶圓1〇1、1〇2之外周部形狀所 造成的貼合不良領域加以去除，而研削活性層用晶圓丨〇 ^ ( 第2 3圖（c))。若貼合不良領域存在，則在此後之洗淨製 :、研磨製程等，言亥不良部分剝落而飛散，其可能附著污 染SOI層（活性層）表面，或可能由於附著之飛散物，在隨 後製程之晶圓加工時損i SOI層之表面。該外周研削，係 在尚未達貼合界面時停止。其結果，在活性層用晶圓m 外周部出現若干量之削剩部分1 〇 1 c。 接著，削剩部分101c以鹼性蝕刻來去除（第Μ圖（ 。即，貼合晶Κ 1〇3之外周部，與_等鹼性蝕刻液 ，使削剩部分1〇lc溶解。如此，支撐基板用晶圓102
貼合側之面的外周部則露出。以了，將該露 台（terrace)部。 1刀料J 鏡面研磨 其次，藉由將活性層用晶圓101表面研削 7 丄224356 ’以製作貼合SOI基板（第23圖（e))，其薄SOI層101A 是由支撐基板用晶圓1 〇2從背面側支撐。 【發明内容】 然而，習知之貼合SOI基板之製造方法，有下列缺點 〇 (1) 在習知方法之SOI層101A之製作上，須經過下列 繁雜的製程··將活性層用晶圓1 〇丨外周研削，此時不將其 外周部完全削掉，接著將其削剩部分丨〇lc以外周蝕刻去 除，然後，對活性層用晶圓101施以表面研削及表面研磨 等。因此，貼合基板之製程數增加，製造費時。 (2) 在貼合熱處理製程上，將貼合基板1〇3插填於未圖 不之晶舟之晶圓插填槽，然後，將晶舟插入熱氧化爐進行 熱處理。此時，因支撐基板用晶圓1〇2之外周端面接觸晶 舟晶圓插填槽之内壁，故可能在支撐基板用晶圓1〇2之外 周端面產生瑕庇及氧化膜之成長不足。若在上述不良狀態 下將削剩部分101c外周蝕刻，該瑕疵及氧化膜之成長不 足部分便存在’該成長不足部分將比其他部分呈高館刻選 擇性。其結果’ S 24圖所示之_m(etchpit)a則在支 撐基板用晶圓1 0 2之外周端面出現。 ⑺在活性層用晶圓101之外周研削時，也可能在支撐 基板用晶® 102之外周面產生瑕疵，或在兩晶圓ι〇ι、1〇2 之外周部局部產生接著剝落’該部分選擇姓刻，出現如第 2 5圖所示之姓刻坑b。 1224356 (4)在上述鹼性蝕刻上，矽氧化膜1〇la、1〇3a係幾乎 不被蝕刻。因此，活性層用晶圓1〇1之表面研削及表面研 磨後，在支撐基板用晶圓1 〇2之露台部分殘留髭形狀之矽 氧化膜101a、103a之削剩部分c(第26圖），該削剩部分 剝落而飛散，附著於S0I層1〇1A之表面而造成污染，或 由於該附著物，在隨後製程之晶圓加工時損傷則層i〇ia 之表面。 (5)SOI層ι〇1Α <外周緣面除以定向平面 (onentahon fiat)或缺口（n〇tch)為基準向周方向， :倍數(90。、180。、27〇。）之附近以外，結晶方位係不 一致。例如依元件形成面係(100)面t SOI層，盥定向平 ”：口 ▲ 90。之倍數部分雖係成為[〇11]之結晶方位， 部分係結晶方位不整齊。因此，若將削剩部分 C周4，以_等之鹼性蝕刻液作異向性蝕刻， 二：101A之外周緣面中，在其結晶方位不一致之領域， 弟：圖所示之凹痕(indent，鑛齒狀凹痕)de ⑻例如依據以Wt_cu 使SOI層形成I J表k之SOI基板，月b 表面以研磨來加工之1口貼之人形狀’然而’在S01層101A之 研削則困難… t要以1:人研削進行沿缺口之周邊 其結果，比且t 用具有定向平面之形狀《謝層。 變小。 層之情形，元件之形成面積則 以上， (2) (6)之技術問題之對策 在實際之晶圓製造 1224356 上’係進一步追加複雜之製程，來確保貼纟SOI基板之品 質。此等追加製程提高了製造成本。 七⑺在貼合晶圓’為了識別晶圓，在支撐基板用晶圓之 路台部分或缺口部分，有刻印雷射標記之情形。即，在露 出於外部之露台部，顯示預先指定之條碼、數字、記號、 圖形等標記。纟雷射標記之種類，一般已知：槽深係 0. 1〜5//Π1之軟雷射標記，與槽深係5〜1〇〇〇"m之硬雷射標 記。在元件製程，使用軟雷射標記。當在SOI層厚係5em 以下之SO I晶圓之so I層表面打印軟雷射標記時，雷射光 線即到達埋置氧化膜，產生塵埃，污染S0I層之表面，降 低裝置之良率。 又，貼合SOI構造，與SIM0X等其他SOI構造相比， 有利於解決Si-Si〇2界面及薄膜Si層之結晶缺陷之問題。 然而，作為材料晶圓之CZ晶圓，含有許多使元件特性惡 化之 COP 或 BMD(Bulk Micro Defect)。 因此’解決上述問題之習知技術，已知日本之特開平 5 - 211 61 6號公報。該技術，係對貼合前之活性層用晶圓， 或貼合後之貼合SOI基板，進行在還原性氣氛或惰性氣氛 下之高溫熱處理，去除存在於SOI層表面之氧氣來提高於 晶品質。 (8)然而，對貼合前之活性層用晶圓，進行在還原性氣 氛或惰性氣體下之高溫熱處理時，將活性層用晶圓厚度減 少而獲得之SOI層表面會成為露出面。因此，單結晶石夕曰 錠成長時所產生之結晶缺陷、氧化膜形成時及貼合熱處理
時所產生之結晶缺陷會露出於S0I 層录面。因此，即使對 貼合前之活性層用晶圓進行哕古、、w 仃4阿溫熱處理，在SOI層仍存 在缺陷，實際上不能成為改善結晶品質之對策。 (9)對貼合後之活性層用曰圓 〇 屬用日日囫進行在還原性氣氛或惰性 氣氛下之熱處理之後，必須進行有別於貼 熱處理，致貼合基板之製造成本增加。'、 因此’本發明人經深入研究之結果，得知：若僅以表 面研削及表面研磨去除活性層用晶圓外周部之貼合不 分，替代習知之活性層用曰m 層用曰曰困的外周研削及外周蝕刻，即 可解決⑴〜（6)之問題，而完成本發明。 本發明之目的在於提供一插 杈供種貼合基板及其製造方法， 该貼合基板，係能謀求貼人 σ 土板之製耘數的減少及製造時 間之縮短，又能提高貼人其 ρ, ^ Α ^ ^ 口 土板之良率，並且能廉價地製造 貼合基板，亦更能獲得具有缺口的。 ，朴此=纟發明之目的在於提供一種晶圓外周加遷治具 糟以此利用既存之研磨裝置，對晶圓進行外周去除研磨 〇 又’本發明人得知：^將支撑基板用晶圓之露台部中 产=雷射標記之部分，例如定向平面部或缺口部之寬 & 、兴大冑月b抑制雷射照射所引起之來自活性層之塵 埃產生，解決上述之⑺之問題，而完成本發明。 曰圓外月之目的在於提供：一種即使在支撐基板用 二埃二：：部分施加雷射標記，亦不容易從活性層產 生塵埃的貼合基板，及其製造方法，以及其所使用之晶圓 1224356 局部去除加壓治具。 再者，本發明人得知：對活性層用晶圓進行表面研削 ，並且對活性層進行去除其外周部而留下中央部之外周去 除研磨，ϋ此’即使在室溫貼合活性層用晶圓與支撐基板 用晶圓後，即使不進行貼合強化熱處理，日日日圓周邊部二不 剝落’能製作貼合基板。並且，#此，若在活性層中央部 之研磨後，在還原性氣氛或惰性氣氛下進行熱處理，在^ 性層之表面則不存在結晶缺陷，藉此能解決上述之（8)、 (9)之問題，完成本發明。 即’本發明之目的在於：以低成本提供一種在活性層 之表面不存在結晶缺陷的貼合基板及其製造方法。 曰 發明之褐示 第1發明，係一種貼合基板，係將活性層，與從背面 側支撑活性層之支撐基板用晶圓貼合而成者；且該活性層 之外周φ ’係在活性層纟面之外周緣至貼合界面之外周緣 研磨出的傾斜面’該貼合界面是已經去除支揮基板用晶圓 之，合不良部分，·或係在活性層表面之外周緣至支撐基板 用晶圓之外周緣研磨出的傾斜面。 貼合基板，例如能採用貼合s〇I基板。其他，亦可採 用將活性層與支撐基板用晶圓直接貼合成之基板。活性層 ’例如可列舉貼合s〇I基板之s〇I層。在此情形，氧化膜 存在於活性層下，氧化膜外周緣之露出面亦形成為研磨出 之傾斜面。又，支撐基板用晶圓，例如可列舉矽晶圓。 在此，所謂「活性層表面之外周緣，係在活性層表面 12 1224356 至貼合界面之外周緣研磨出的傾斜面，該貼合界面是已經 去除支撐基板用晶圓之貼合不良部分」，係指活性層之外 周面為裙張開狀之研磨面而言。所謂裙張開狀，係指截面 直線狀（推拔狀）或載面圓弧狀。又，所謂截面圓弧狀，係 指由截面視之，中央比兩端更向外突出之形狀而言。
依據第1發明，對貼合晶圓之活性層用晶圓進行外周 去除研磨，而從活性層表面之外周緣至貼合界面（已經去 除支撐基板用晶圓之貼合不良部分）之外周緣，或從活性 層表面之外周緣至支撐基板用晶圓之外周緣，留下中央部 而形成活性層。藉此，能省略習知必要之活性層用晶圓之 外周研削製程、及活性層之外周蝕刻製程。其結果，減少 貼合基板之製程數，因此亦能縮短貼合基板之製造時間。 又，藉由進行外周去除研磨，能解決習知方法之下列 晶圓品質上之問題··活性層之外周蝕刻所造成之支撐基板 用晶圓外周面之蝕刻坑之發生；及在貼合基板係貼合1〇ι 基板之情形，外周蝕亥"吏’從活性層之外周部飛散的石夕氧
化臈之髭狀削剩部分所造成的活性層<污染或瑕疵等之發 生。藉此，提高貼合基板之良率。其結果，能降低貼合基 板之製造成本。再者，能容易製作習知認為製作困難之二 成具有缺口之活性層的貼合基板。 7 再者，活性層之外周部’因不是如習知以鹼性餘刻 而疋以研磨布之研磨（外周去除研磨）去除，故活性層之 周緣面中，以定向平面或缺σ為基準，即使向周方向曰⑽ 之倍數以外之領域’即結晶方位係不一致之領域也不 13 1224356 發生起因於異向性蚀刻之鑛齒狀凹痕。因此，能使活性層 之外周緣面全面形成光滑。 如上述所獲得之貼合基板，則形成在活性層表面之外 周緣至貼合界面（已經去除支撐基板用晶圓之貼合不良部 刀）之外周緣研磨出的斜面，或形成在活性層表面之外周 緣至支撐基板用晶圓之外周緣研磨出的傾斜面。 弟2發明，係如申請專利範圍第i項之貼合基板，其 中，在該活性層表面不存在結晶缺陷。 所謂結晶缺陷，係指例如單結晶矽晶錠之成長時所產 生之結晶缺陷，氧化膜形成時及貼合熱處理時所產生之結 晶缺陷""言°具體可列舉：⑽（㈣tai Griginate°d P-txcle) , BMD ^ OSFCOxidation Induced Stacking Fault)等。 g 在此所謂結晶缺陷不存在，係指直徑〇 l"m以上之結 s曰缺)½在活性層表面僅存在10個心2之狀態而言。 丨生層表面要實現結晶缺陷不存在之狀態的方法 並不限定。例如’能採用在支撐基板用晶圓之貼合侧之面 形成活性層後的熱處理等。 虞第2發明’因在活性層表面不存在結晶缺陷，故 能提高形成於活性層表面之元件的電氣特性等。 第3發明’係如申請專利範圍第}項或申請專利範圍 弟曰。、之貼合基板，其中，該研磨出之傾斜面之寬度，係 在晶圓周方向局部不同。 ” 所^斜面之寬度’係與活性層之外周緣之切線正交 14 1224356 之方向的傾斜面之長度。該傾斜面之寬度在晶圓周方向局 部不同，意味著在晶圓周方向，存在傾斜面之寬度廣闊部 分與狹窄部分。因活性層薄，故傾斜面之大部分則成為支 撐基板用晶圓外周部之貼合面側的部分（露台部）。其中 能將寬度廣闊部分，作為例如施以雷射標記之標記領域。 雷射標記，能採用軟雷射標記。晶圓周方向之^廣闊部 分的形成位置，其形成範圍並不限定。例如，亦可將定向 平面部或缺口部當作其寬度廣闊部分。 寬度狹窄部分之寬度係〇.5〜4mm ’較佳者為 。若未滿〇.5mm，則會產生未接著部分殘留之不良情況。 又，若超過4mra則有元件領域變小，使元件收率變差之 良情況。 寬度廣闊部分之寬度係3〜5mm，較佳者為3如若未 滿3mm，則有塵埃發生而污染s〇I層表面。又，若超過 5咖則有it件領域變小，使元件收率變差之不良情況。α 依據第3發明，若將傾斜面之寬度以在晶圓周方向局 部不同之方式研磨，在傾斜面之寬度廣闊部分，例如在缺 口部或定向平面部，活性層外周部之一部分則比其他、 被去^多，並且在支撑基板用晶圓之外周部出現寬度廣 闊之路台部。在廣闊之露台部，即使施以雷射標記= 射之雷射之影響亦不易達到活性層。其結果，能抑制作； 射標記時塵埃影響活性層。 乍雷 第4發明，係如申請專利範圍第3項之貼合基盆 中’該傾斜面中寬度廣闊的部分’係缺口部或定向平面部 15 1224356 傾斜面之見度廣闊部分，亦可為缺口部，亦可為定向 平面部。 第5發明，係如申請專利範圍第】項或第2項之貼合 基板，其中，t玄貼合基板’係於活性層與支撐基板用晶圓 之間形成埋置氧化膜而成之貼合s〇I基板。 在貼合SOI基板，被氧化膜覆蓋者可為活性層用晶圓（ 生層之基材），或支撐基板用晶圓。或，亦可為活性層 用晶圓與支樓基板用晶圓之雙方。氧化膜之形成方法並不 限定。例如’能採用乾式氧化、渔式氧化等。X，亦可在 貼合面形成n+層或SiGe膜。 弟6發明，係如申請專利範圍第3項之貼合基板，其 中。亥貼合基板，係於活性層與支撐基板用晶圓之間形成 埋置氧化膜而成之貼合SOI基板。 第7發明，係如申請專利範圍帛4項之貼合基板，其 中°亥貼合基板，係於活性層與支撐基板用晶圓之間形成 埋置氧化膜而成之貼合SOI基板。 人〃第8發明，係一種貼合基板之製造方法，其具備：貼 製私用以將，舌性層用晶圓與支撐基板用晶圓加以貼合 ’熱處理製程’用以増強貼合製成之貼合晶圓之貼合強度 ’表面研削製程’肖以將貼合晶圓之活性層用晶圓侧表面 研削’以減少活性層用晶圓之厚度而形成活性層；及外周 去除研磨H用以對活性層進行研磨，從其表面研削面 側起去除外周部之貼合不良部分，留下中央部。 16 ^224356 ▲活性層用晶圓與支撑基板用晶圓之貼合，例如 晶圓疊合後，進行貼合熱處理來進行。貼 =之加熱溫度係峨以上，例如llorc。貼合熱，：處 日守間，例如2小時。所使用之轨氧…、处之 氣等。 ，’、、乳化爐内之氣氛則使用氧 又，要將活性層用晶圓表面研削時，例如進行使 面研削砂輪之研削。表面研削之條件，例如，使用 #360〜#2000之樹脂研削磨石，進 成為.6Mm。 ㈣^性層餘厚 活性層之厚度並不限^。例如在膜厚厚之活性層係 1〜200以ra，又在膜厚薄之活性層係〇.卜^ 〇以阳。 外周去除研磨製程’例如，能藉由如下之表面研磨實 現：使活性層外周部之研磨率比中央部之研磨率大的表面 研磨，使活性層外周部之研磨劑之供應量比中央部之供應 量大的表面研磨；使活性層外周部之研磨壓力比中央部2 研磨壓力大的表面研磨；壓緊活性層外周部之研磨布之部 分的材料，使用比壓緊活性層中央部之研磨布之部分的材 料更容易研磨者來進行的表面研磨；或使壓緊活性層外周 部之研磨布之部分的温度，比壓緊活性層中央部之研磨布 之部分的溫度還高的表面研磨。 在任一種研磨之情形，均是例如於研磨裝置之研磨頭 裝設已表面研削之貼合晶圓，邊供應研磨劑，邊將活性層 用晶圓之研削面壓緊於黏貼在研磨平台上之研磨布來研磨 17
F限定。亦可連續式研磨裝置或分批式研 亦可需有蠟（wax)型之單面研磨裝置或無 研磨布之種類並不限定 氨酯而成之多孔性不繃亦刑 並不限定。例如，亦可在聚酯熟含浸聚 不織布型。又，可列舉將泡沫聚氨酯類 之塊切片而成之發泡性聚氨酯型。再者，亦可在聚酯氈含 〆文聚氣醋之基材之表面將泡珠聚氨酉旨積層，纟除聚氨酯之 表層部分而在泡沫層形成開口部的柔皮（suede)式。再者 ’亦可為陶兗或破璃。 "亥研磨劑中含有遊離磨粒（研磨粒）。藉由邊供應研磨 _ 劑，邊將厚度減少之活性層用晶圓研削面緊壓於旋轉中之 研磨布之研磨作用面，藉由遊離磨粒（微粒子）之研削作用 對活性層用晶圓之研削面進行外周去除研磨。 依據第8發明，貼合熱處理後，在貼合晶圓之活性層 用晶圓側，直接表面研削而減少活性層用晶圓之厚度後， 對活性層用晶圓進行外周去除研磨而去除晶圓外周部之貼 合不良部分，來形成活性層。 藉由採用如上述之外周去除研磨，能省去習知必要之 _ 活性層用晶圓之外周研削製程、及活性層之外周蝕刻製程 ，其結果，能減少貼合基板之製程數，因此亦能縮短貼合 基板之製造時間。 又，藉由施以外周去除研磨，便能消除活性層之外周 餘刻所造成支撐基板用晶圓外周面上蝕刻坑之發生；並能 消除在貼合基板係貼合so I基板之情形，矽氧化膜之髭狀 18 削剩部分所造成法 战活1±層之污染或瑕疵等之發生。藉此， 提而貼合基板之自玄 之良率。其結果，能降低貼合基板之製造 本。再者，能交且 。 4易製作形成具有缺口之活性層的貼合基板 nr 〆性層外周部不是以赋τ王城刻，而是以研』 于故活险層之外周緣面中，以定向平面或缺口為基i P使在向其周方向9()。之倍數以外之領域，不會發生$ 因於異向性巍約丨+力 蝕刻之鋸齒狀凹痕。因此，能將活性層之外） 緣面全面形成為光滑。
^第9么明，係如申請專利範圍第8項之貼合基板之製 以方法，其中，不進行該貼合後之熱處理，而是在外周去 除研磨進行研磨活性層中央部之中央研磨製程，並且 在中央邛之中央研磨後，進行在還原性氣氛或惰性氣氛下 …、处里來增強貼合晶圓之貼合強度，並且從活性層之 表面去除結晶缺陷。 在中央研磨製程中活性層中央部之研磨量，係例如
β 111車又佳者為7以m。若未滿5 “ m，則留下平面研削 之知傷。又，若超過丨〇 # m則研磨時間變長。 熱處理時之爐内氣體，係還原性或惰性氣氛。 還原性氣氛，例如由I等還原性氣體形成。 惰性氣氛，例如由He、Ne、Ar、Kr、Xe等惰性氣體形 成。又，亦可採用例如Η2·如5:1等之還原性氣體與還原 &氧體之混合氣體。 熱處理温度係1 000°C以上，較佳者為115(M25(rc。 19 1224356 若未滿1 ο ο o c ’則結晶缺陷不能充分收縮。若超過12 $ 〇 °c，則在活性層有發生滑移及金屬污染之虞。 熱處理時間，係例如1〜3小時。 依據第9 #明’在活性層中央部之研磨後的提高活性 層與支撐基板用晶圓之貼合強度的熱處理時，以還原性氣 氛或惰性氣氛施加熱處理，便能從活性層之表面去除結晶 缺陷，❿不必在貼合熱處理之外，再施加使用此等氣氛之 熱處理。 第1〇發明，係一種貼合基板之製造方法，係以
Smart-Cut法、ELTRAN法或SiGen法製作貼合基板；其具 備：貼合製程，用以將活性層用晶圓與支樓基板用晶圓加 以貼合；活性層用晶圓去除製程，用以貼合後，將貼合側 之部分留於支撐基板用晶圓而去除活性層用晶目，在支撐 基板用晶圓之-面形成活性層；及外周去除研磨製程，用 以對活性層進行研磨，從活性層用晶圓之去除面側，去除 外周部而留下中央部。
所謂 Smart-Cut 法，# 苦止 ^ Λ — ^係百先，從於露出面全域形成 ^化膜之活性層用日日日圓之―面，將輕元素作離子植入， 離子植人面貼合支撑基㈣晶Β。然後，對其施以熱處 " 増強貼合晶圓之貼合強度，並且從有輕元素作離子植 /分將貼合晶圓沿厚度方向分成2部分，將活性層用 =之貼合側之部分剝離，而形成與支揮基板用晶圓一體 /性層的方法(參照：株式會社—蘭年6月 所發行之「石夕科學」，第6章第3節 20 術，465 頁）。. 又’所*胃ELTRAN法，传舌生 乐百先，在活性層用晶圓之一面
以陽極化成形成多孔質層，在客j丨斯P 仕夕孔貝層之表面使單結晶膜 磊晶生長（epitaxial生長），並* 丄 人，在活性層用晶圓之單 結晶膜側之面’貼合露出面+祕泌 由王域形成有氧化膜之支撐基板 用晶圓。然後’施以熱處理，接古 捉阿貼合晶圓之貼合強度， 其次，將活性層用晶圓從盥豆肽人 ，、具貼合側之相反側之面研削至 多孔質層露出為止。或，以喑士 Λ丄 Μ噴水（water jet)從多孔質層 剝離。接著，將露出之多孔皙靥从、租上 、 負層作k擇餘刻，來形成單έ士 晶膜所構成之活性層（參照：姓碎各1 ^ 、株式《 社 Real ize 1 996 年 6 月28日所發行之「矽科學筮 打予」第6章第4節ELTRAN， 467 頁）。 所•月 S i G e π法，係首春太、、本α p 牙百先在活性層用晶圓之一面形成
SiGe層，在該SiGe層之砉而Ρ 衣面糟由乳相成長將單結晶膜成 膜’在該面形成氧化膜。盆戈 ，、人攸该晶圓之一面植入氫離 子，來使SiGe層内之應變增長。然:後，貼合露出面全域 形成有氧化膜之支撑基板用晶圓，喷上^氣體等惰性氣體 ，在SiGe層之應變部分剝離。接著將露出之以以作選 敍刻。 依據第1 0發明’剝離後，對該活性層用晶圓施加外周 去除研磨而去除晶圓外周部之貼合不良部分，來形成活性 層。 藉由抓用如上述之外周去除研磨，能省去習知認為必 要之活性層之外周钱刻製程。其結果，減少貼合基板之製 21 I224356 轾數，而能縮短貼合基板之製造時間。 口又，藉由施加外周去除研磨，能消除：支撐基板用晶 圓外周面之蝕刻坑之發生，起因於活性層之外周蝕刻丨及 ，活性層之污染或傷等之發生，在貼合基板係貼合s〇i基 板之情形’起因於矽氧化膜之髭狀削剩部分。藉此，能提 阿貼合基板之良品率。其結果，&減低貼合基板之製造成 本。 ，η 1 ,丨、〜〜峨，丨土挪刻，而是以研 磨去除，故活性層之外网祕 曰之外周緣面中，以定向平面或缺口為基 门即使在向其周方向9。。之倍數以外之領域 起因於異向性蝕刻之鋁告 ^ 月 、W狀凹痕。因此，能將活性層之外 周緣面全面形成為光滑。 "1 ’X $係如申請專利範圍第8項至 一項之貼合基板之製洪古i ^ U員中任 中，、壬地s L &方法’其中’該外周去除研磨製程 中，活性層之外周部之研磨 活性層外周部及中央 '、、邠之研磨率大。 要點在於：口要θ脾、° 研磨率並不具體地限定。 W、·八要疋將活性 是，亦有不研磨之情形） 、1至目標厚度時(但 藉研磨而消失的研磨率即可。9外周部之貼合不良部分 ，二二周部係約5 —分 υ 乙· u # m/分。 第12發明，係如申請 製造方法，其中，該活性 圍第U項之貼合基板之 央部之研磨壓力大。 θ 周部之研磨壓力，係比中 22 a在此，將活性層中央部研磨至目標厚度時，使活性声 外周部因研廢&、、由 曰 / 之大小的研磨壓力，是作用於貼合晶 圓0 具 體 而 一 ” ^ ’晶圓外周部之研磨壓力係約 O/SOOg/cn^ ’晶圓_央部之研磨壓力係〇〜。 制第13發明，係如申請專利範圍帛12項之貼合基板之 製造方法，1 + ，、中，該外周去除研磨製程中使用晶圓外周加 1 /口具，用以使活性層之外周部變形成比中央部更向研磨 面側大出。對晶圓外周加壓治具將於後述。 、、依據第13發明，利用晶圓外周加壓治具，使厚度減少 之：性層用晶圓外周部變形成，向研磨面側(向研磨布)突 八中央°卩，來進行外周去除研磨，故即使是既存之研磨 置也，、要裝設晶圓外周加壓治具，即可實;aH # 徵之外周去除研磨。 口實她本發明特 第14發明，係如申請專利範圍第8項至第1〇項中任 合基板之製造方法’係具有外周部分去除研磨製 王^在外周去除研磨後，僅將貼合晶圓外周部之周方向 之部分再研磨，以去除該部分之活性層。 再研磨部分之研磨量並不限定。例如係1〜“ m。 二外周部分去除研磨之加壓治具，例如，：：用一 /局部去除加壓治具，用以使貼合晶圓外周部中僅有 欲去除之部分變形成向研磨面 治具將於後述。 曰曰回局部去除加壓 依據第14發明，施加如上述之外周部分去除研磨，藉 23 1224356 以在晶圓外周部之 缺口部等，有活性> /之部分，例如在定向平面部或 晶圓外周部形丄;:部， 之露台部例如施加雷射標記時二:因二：使在該廣闊 易達到活性層。其結 …、冑射之影響便不 塵埃。 b抑制雷射標記時向活性層產生 第15發明，係如♦ f造方、、… 申明專利範圍第η項之貼合基板之 h方法，係具有外周部 土板之 研磨後，僅將貼人日” 1氣程，其在外周去除 1皇將貼曰晶圓外周 以去除該部分之活性層。 周方向之-部分再研磨， 製造明，係如申請專利範圍第12項之貼合基板之 糸具有外周部分去除研磨製程，其在外周去除 研磨後，僅將貼合晶圓外周部 鬥去除 L7, A r周邛之周方向之一部分再研磨， 以去除该部分之活性層。 弟17發明，係如申缚直 制m %專利乾圍帛13項之貼合基板之 係具有外周部分去除研磨製程，其在外周去除 研磨後，僅將貼合晶圓外周 ” 以去除該部分之活性層。周方向之—部分再研磨， m明’係如申請專利範圍第14項之貼合基板之 二/ 料周部分絲研磨製程中使用晶圓局 ^去除加壓治具，以僅使活性層外周部之待去除之部分變 形成向研磨面側突出。 晶圓局部去除加壓治具將於後述。 第19發明，係一種晶圓外周加壓治具，係介於用以在 24 1224356 研磨布之對向面保 ^ · y、寺半導體曰曰圓的研磨頭、與該半導體晶 " 二二備·治具本體；及環狀突條部，係形成於治 一 一半導體曰曰圓之保持側之面，用以使半導體晶圓之 外周部變形成比中央部更向研磨面側突出。 半導體晶圓，例如能採用石夕晶圓、坤化嫁晶圓。半導 體晶圓亦可單體，亦可將 ΛΙ J將/片+導體晶圓貼合而成之貼合 基板（包含貼合SOI基板）。 圓卜周加壓治具之材料，例如，能採用優拉鋼 咖加⑽，聚縮酸之商品名）、PEEKWyether ether ket_ ’ $ 鱗 _ )、聚碳 _ (PQly—ate)等硬樹 賴、哪等金制，或陶£類。突條部之材料亦相同。 犬條部’能與治具本體形成一體。亦可個別設置。 晶圓外周加壓治具之形狀，係按照貼合晶圓之外觀形 狀較外周加壓治具之大小，亦按照所研磨之 貼合晶圓之大小變更。 治具本體之形狀並不限定。例如，亦可圓板狀、筒形 狀。 突條部之外觀形狀，例如具有缺口之半導體晶圓或具 疋向平面之半導體晶圓等，按照其形狀可適宜變更。 又，犬條部，可連續地形成，亦可間斷地形成。 卜周去除研磨時’藉由比突條部内側之治具本體領 ’加壓半導體晶圓外周部以外之中央部。射央部亦可^ 用半導體晶圓保持側之平面加壓。但是，+導體晶圓之中 央部，未必須加壓。因此，晶圓外周加壓治具，亦可具有 25 1224356 襄狀治具本體。晶圓加壓面之大小，按昭 ^ ^ , …、丁等體晶圓之大 、交更。半導體晶圓在晶圓外周加壓治具 柢田古… 1米持’例如能 用真工吸附或模板（tempiate)保持。 突條部之前端面，能形成為高度向治具本體之中、、告 =降低之傾斜面。傾斜面之傾斜角1，按照半導體二 外周。P之研磨量在0.Γ，。之範圍適宜變更 圓外周部之研磨量大、使寬度狹窄’則使該傾斜角大。： 傾斜面，亦可不是截面直線狀，而是如晶圓去角後的曲： 依據第19發明，利用晶圓外周加麼治具，冑半導體晶 圓外周部變形成，向研磨面側突出中央部來進行外周去： 研磨。 ” 藉由如上述之外周去除研磨之採用，在半導體晶圓係 貼合基板之情形’能省去習知認為必要之活性層用晶圓之 外周研削製程，及活性層之外周㈣製程。其結果，減少 貼合基板之製程數，而亦能縮短貼合基板之製造時間。 人又’藉由外周去除研磨之進行，例如半導體晶圓係貼 s〇 I基板用之貼合晶圓之情形，便能消除：活性層之外 周_所造成之支撐基板用晶圓外周面之敍刻坑之發生； 及夕氧化膜之髮狀削剩部分所造成之活性層之污染或瑕疵 等之毛生。藉此，能提高貼合基板之良率。其結果，能降 低貼合基板之製造成本。再者，能容易製作形成有具缺口 之活性層的貼合基板。 再者，活性層之外周部不是以鹼性蝕刻，而是以研磨 26 1224356 層之外周緣面中，以定向平面或缺口 =基準，在向其周方向9Q。之倍數以外之領域，亦不會發 生起因於異向性蝕刻之鋸齒狀痕。 " 外周緣面全面形成為光滑。 口此，能將活性層之 又’如上述利用晶圓外周加壓治具，使厚度減少之活 :生層用晶圓外周部變形成向研磨面側(向研磨布)突 4來進行外周去除研磨，故即使是既存之研磨裝置，只教 裝設晶圓外周加壓治具，即可實施外周去除研磨' 、 :20發明，係如申請專利範圍第19項之晶圓外周加 ^口具，其中，在該突條部形成有缺口加壓部，用以 成於半導體晶圓外周部之缺口部， 夕 中央部更向研磨面側突出。 "^半導體晶圓之 所謂缺口加壓部，将母署仏命 係° 又置於大條部之内周緣之一部分 力：放在半導體晶圓之缺口形成部的突起用部 加壓部’係 '呈與半導體晶圓之缺口形狀相似之形狀，比缺 口僅大〇·卜0.5随。 ^比缺 依據第2 0發明，以晶圓从田丄 — 回外周加壓治具進行外周去除研 1夺，藉由缺口加壓部使半導_ 磨面側突出晶圓之中央之缺口部變形成向研 外周去除研磨。 伴隨缺口部之研磨的 弟21發明’係如申請衷刹 壓治具，其中，在該突條部心有二19項之晶圓外周加 ’ 7成有疋向平面加麼部，用以 =於半導體晶圓外周部之定向平面部，變形成比半導 體曰曰圓之中央部更向研磨面側突出。 27 1224356 所謂定向平面加壓部，係設置於突條部之内周緣之一 部分，用以放在半導體晶圓之定向平面形成部的半月形凸 部。定向平面加壓部，係呈與半導體晶圓之定向平面相似 之形狀’比定向平面僅小〇·卜〇.5min。 1 依據第21發明，使用晶圓外周加壓治具來進行外周去 除研磨時，藉由定向平面加壓部使半導體晶圓之定向：面 加壓部變形成向研磨面側突出晶圓之中央部，故能進行伴 隨定向平面加壓部之研磨的外周去除研磨。 第22發明，係、一種晶圓局部去除加壓治具，係介於供 貼合晶圓以活性層側朝向研磨布之方式保持之研磨頭、、與 貼合晶圓之間，該貼合晶圓是貼合活性層與支揮基板用晶 圓而成者，其具備：治具本體；及部分突出部，係形成於 治具本體之貼合晶圓保持側之面，用以僅使活性層外周部 之待去除之部分，變形成向研磨面側突出。 二圓：部去除加壓治具之材料，例如，㈣ 、PEEK、聚碳酸酯等硬樹脂類， 0寻金屬類，或陶奢錮 。部分突條部之材料亦相同。部分 犬條部，能與治具本體 形成為一體。亦可個別設置。 晶圓局部去除加壓治具之形狀，係按照貼合晶圓之外 嬈形狀變更。X，晶圓局部去除 y^ 丹之大小，亦按昭 待研磨之貼合晶圓之大小變更。 …、 治具本體之形狀並不限定。 狀。 例如，亦可圓板狀、筒形 部分突條部之外觀形狀，係 丹有覆蓋缺口部或定 28 1224356 向平面部之大小之半月形狀等，可按照貼合晶圓外周部之 欲去除部分之形狀適宜變更。 、貼口曰曰圓’係藉由比部分突出部内侧之治具本體之領 域’不僅是貼合晶圓中參立 7 曰曰回中央七還有晶圓外周部分中欲去除 71 之部分亦被加壓。貼合晶圓之中央部，亦可利用 ^頭保持側之平面來加壓。貼合晶圓在晶圓局部 去除加壓治具之保持，例如能採用真空吸附或模板保持。 部分突出部之前端面’能為高度向治具本體中心部漸 /斤降低之傾斜面。傾斜面之傾斜角，按照貼合晶圓 =研磨量在(M。，。之範圍適宜變更。若要將晶圓外周 ，研磨量增加，則要使該傾斜角變大。該傾斜面，亦可 疋截面直線狀，而是如晶圓去角後之形狀的曲面。 :據弟22發明，使預先經外周去除研磨之貼合晶 ^中僅有欲去除部分，以晶圓局部去除加壓治具之部分 =出。P來產生變形而向研磨面側突出，僅將該突出部分壓 緊研磨布來進行外周部分去除研磨。藉此，在晶圓外周部 之周方向之-部分’例如在定向平面部或缺口部等，活性 :八卜周彳之冑分被大量去除而以傾斜面之寬度廣闊之 見口此即使在寬度廣闊之部分施加雷射標記， :'、、、射之雷射之影響也不易達到活性層。其結果，能抑制 轭加雷射標記時從活性層產生塵埃。 第23發明’係如中請專利範圍第22項之晶圓局部去 除加壓治具’其中，該治具本體及/或部分突出部中，至 少接觸研磨布之部分，係以比其他部分更難研磨之材質來 29 1224356 形成。 不易研磨之材質之種類並不 、peek、聚碳酸酿等硬樹脂或陶究。歹’如能採用優拉鋼 使用不易研磨之材f之部分_ 為部分突出部。或，治具本 八；'、本體，或僅 F刀大出部>fefe > y 邛分突出部能與治具本體形成 ’、… 依據…明，在研磨中：使=別設置。 突出部之-部分接觸研磨布，該接 =成，故治具本體及/或部分突出部= 布引起之損傷。 刃又巧研原 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明。又，本發明，告 限定於本實施例。首先，依據第j 田’、、’ 施例。 "16圖說明第i實 如第1圖所示’首先以CZ法拉上單fcb a切曰▲ 丄平、、、σ日日矽晶錠，然後 ’對该所獲得之單結晶矽晶錠施以塊切割、缺口加工 片、去角、拋光（lapping)、蝕刻、鏡面研磨等，藉以2 備妥厚度725 // m、直徑200mm之完成鏡面加工 二 且具有缺口 的活性層用晶圓10。另一方面，藉由與該活性層用晶圓 相同之製造方法，準備相同厚度、相同直經、^ 元戍鏡面 加工之具缺口的支撐基板用晶圓20(第1圖（&))。作窃
/舌性層用晶圓1〇與支撐基板用晶圓2〇，亦可I AI』+同厚度。 其中，活性層用晶圓1 0，係插入熱氧化爐進行熱氧化户理 1224356 ，使其露出面全體覆蓋絕緣性之矽氧化膜i 〇a。又，亦可 僅將支撐基板用晶圓2〇氧化，亦可將兩晶圓工〇、氧化 〇 然後，將兩晶圓1 〇、2〇之鏡面彼此在潔淨室之室溫下 疊合（第1圖（b))。藉此，形成貼合基板30。藉由該Z合 ，"於活性層用晶圓丨〇與支撐基板用晶圓2〇之間的矽氧 化膜10a之部分便成為埋置矽氧化膜1 〇b。 其次，視必要，將貼合基板30插入貼合用熱氧化爐之 爐内，在氧化性氣氛下進行貼合熱處理。貼合溫度係1100 C，熱處理時間係2小時（同第1圖（b))。藉此，貼合基 板30之露出面全體被矽氧化膜3〇&覆蓋。其結果，活性 曰用曰曰圓1 〇所露出之矽氧化膜J 〇a則變厚。如此，形成 貼合基板30時，貼合熱處理變得非必要。其理由在於， 因以後只須對活性層用晶圓10施加表面研削，及對s〇I 層舌性層）1 〇 A施加外周去除研磨。由於不實施外周部之 研削與蝕刻，即使在室溫下之接合狀態仍能充分保持接合 強度。 八夂’使用紅外線進行空洞（v〇 i d)檢查。所謂空洞， 係在活性層用晶圓1 0與支撐基板用晶圓20之貼合界面間 由貼合不良所發生之空洞缺陷。對良品之貼合基板3〇， 將活性層用晶圓10，以#300〜#2000之樹脂研削磨石從其 表面側作表面研削（第1圖（c))。此時，表面研削量係約 7〇〇/zm’使藉加工而厚度減少之活性層用晶圓10的厚度 約為 2〇"m° 使貼合基板 30 之 TTV(total thickness 31 1224356 variation總厚度偏差）為1“瓜以下。 然後，使用晶圓外周加壓仏 爱’ 口具5 0，對厚度減+夕、、去# 層用晶圓10之研削面進行 '· m Μ ^ m JLU 周去除研磨，來去除貼合時 所產生的外周部之貼合 丁 卜民4分、留下中央部，製
層 10A(第 1 圖（d))。 I 作 SOI 首先，參照第2圖及第q闽 _ 治具5〇。 弟3圖，砰細說明晶圓外周加壓 晶圓外周加塵治且5 η，# υ〇,係具備：治具本體51;環狀乡 條部51 a，在治具本體^1 ω 、 51之外周部下面側形成為一體，拜
以使表面研削後之活性屏田曰 性層用晶圓1〇之外周部變形成，冷 研磨面側突出中央部；及雙 ’ 久踅甶膠π 52,黏貼於治具本儀 51之上面。 治具本體51係ΡΕΕΚ等硬樹脂製，具有厚度厚之圓盤 形狀。在該治具本體51之上面，黏貼雙面膠帶Μ之一面 。治具本體51之比突條部51a β側之領域，則形成為將 貼合基板30之中央部一帶從背面加壓之晶圓加壓部分。 該領域之大小，即貼合基板3〇之加壓面之大小對直徑 200mm之貼合基板30而言，若對晶圓外周部施加約ι. 〇咖 ，對缺口部施加約3· 0mm之外周去除研磨時，缺口之直秤 係大約197mm，其以外之部分係大約199_。貼合基板3〇 ，藉由真空吸引保持於加壓面51 b。 在突條部51a之内周面之一部分形成有缺口加壓部 51c，用以透過支撐基板用晶圓20之缺口部，使活性層用 晶圓1 0之缺口部變形成向研磨面側突出活性層用晶圓i 〇 32 1224356 之中央部。 突條部51a之前端面之内周部分 本體。之中心部漸漸降低之推拔面： 斜角㈣，’但是傾斜角係適當設定在巧面J之傾 晶圓外周加壓治具5〇，藉由 式研磨裝置40之研磨頭4…雙面膠帶52，黏貼於連續 壓治且50，# # % 。然後，透過晶圓外周加 …50將表面研削後之貼合晶 用晶圓10側朝向下方。接著 保持成，活性層 而陀砂^ 者將活性層用晶圓10之研削 面I緊，透過海綿橡膠黏貼在 研削 AQ M , A 丁 σ 42上面的研磨布 43 ’以去除晶圓外周部。 貼入不^八 精此去除活性層用晶圓10之 .ς , finn,A 3係Rodel社製之軟質不織布墊
Suba 600(Asker 硬度 80。）。 進行外周去除研磨時，研磨 ^ τ ^ ^傷貝41之轉速係6〇rpm，研 磨平台42之轉速係12〇 .,η 此呀透過晶圓外周加壓治 具50對研磨布43所加 广… 用日日0 1 〇中央部的研磨 壓力係約0kg/cm2，活性層用晶 ..ΛΛ1 7 9 iU外周部的研磨壓力係 約500kg/cm2。藉此，晶圓外周部 日日in外周σ卩之研磨率成為約5〜1〇 m/分’晶圓1 〇中央部之研磨率刖 1研磨羊則成為約〇#m/分。研磨量 ，在活性層用晶圓1 0中央部係 天丨係約0 # m，在晶圓外周部， 係該部分之活性層用晶圓1〇所消 巧天之約20# m。包含研磨 粒之研磨劑(石夕膠，colloidal silica) ca;之供應篁係1 800ml/ 分。 如上述，對經貼合熱處理之貼合晶圓3〇之活性層用晶 圓！〇側，進行外周去除研磨’其不必進行外周研削，而 33 1224356 直接作表面研削使活性層用曰曰曰》10#度減少、，然後，對 活性層用晶圓10,將貼合時所產生之外周部之貼合… 分加以去除，留下中央部而形成S0I層10A，故能省去習 知認為必要之外周研削及外周蝕刻。其結果，減少貼合 s〇i基板之製程數，而亦能縮短貼合s〇l基板之製造時間 。所獲得之soi層10A係約15〜2Mm，其m亦係約卜5 # m 〇
又’藉由如上述之外周去除研磨，能解決習知技術之 晶圓品質上之問題：S0I層之蝕刻所造成之在支撐基板用 晶圓之外周面發生姓刻坑’及外周#刻餘sqi層外周部 飛散的石夕氧化膜之髭狀削剩部分所造成之s〇i層之污染或 瑕疲等之發生。藉此，提高貼合S0I基板之良率。其= ，能減低貼合SOI基板之製造成本。再者，能容易製作在 習知法被認為製作困難之形成有具缺口之S0I層的貼合 SOI基板。藉此，相較於具定向平面之s〇i層之情形，更 能放大SOI層10A之元件形成面積。
再者，SOU 10A之外周部，係並非如習知般㈣性 姓刻去除而成，而是以機械研磨（外周去除研磨）來去除而 成，故即使在SOI層10A之外周緣面中，以缺口為基準， 向其周方肖90。之倍數以外之領域，即結晶方位不：致之 領域，亦不發生起因於異向性蝕刻之鋸齒狀凹痕。因此， 能使SO I層1 οA之外周緣面全面光滑。 如上述所獲得之貼合S0I基板，如第i圖（6)、（ei)所 示，其soil 10A之外周面，則形成為從s〇i@ 1〇八表面 34 之外周緣至貼合界面之外周緣（已去除支撐基板用晶圓20 之貼合不良部分）均被研磨的推拔面。並且，在So!層1〇A 之外周面之一部分形成缺口。又，如第1圖（e2)所示，亦 有將支撐基板用晶圓20周邊之矽氧化膜3〇a研磨之情形 再者，利用晶圓外周加壓治具50，使厚度減少之活性 層用晶圓1 0外周部變形成向研磨面側突出中央部來進行 外周去除研磨，故只要於既存研磨裝置4〇的研磨頭41下
面固定晶圓外周加壓治具50 ,便能進行第1實施例特徵之 外周去除研磨。 如上述所製作之貼合SOI基板，接著為了使S0I為 10A之TTV在1/zm以下，進行高精度、低損傷之平面研肖 或以未圖示之雙面研磨裝置進行高精度研磨，進行既定^ 加工至SOI層l〇A之層厚達到約5〜1〇//m。接著，藉由^ 圖示之連續式研磨裝置，將S()I & 1GA之層厚加工至最髮 目標值之3 # m。 並且’視必要’施加熱處理（以下’稱為無缺陷熱處理 )’用以增強貼合基板30之貼合強度’同時從SOI層10A 之表面去& cop、氧析出物、0SP等結晶缺陷。具體而言 ’在UOGC、H2氣體氣氛中實施熱處理i小時。如此，在 層10A中央部之研磨後施加熱處理，故實際能使观 層10A之表面成為結晶缺陷不存在的無缺陷表面。並且， 貼合基板3 0之貼合強度亦能增強。 其後，所獲得之貼合S0I基板，則經洗淨、包裝於晶 35 1224356 圓盒等後，出貨至元件製造廠。 在此，參照第4圖〜第13圖，說明與該第丨實施例之 晶圓外周加壓治具50不同構造之晶圓外周加壓治具。 第4圖及第5圖所示之晶圓外周加壓治具5〇a，係能 對具有疋向平面之貼合晶圓3 〇作外周去除研磨之構成的 例。在突條部51a之推拔面51d 一部分，向加壓面51b之 中心部突設有定向平面加壓部51e，用以透過支撐基板用 晶圓20，使活性層用晶圓1〇之定向平面部變形成，向研 磨面側突出活性層用晶目1〇之中央部。其他構成、作用 及效果，則與該第1實施例之晶圓外周加壓治具50大致 相同。 少又第6圖及第7圖所示之晶圓外周加壓治具50β , 係在推拔φ 51d之-部分形成定向平面加壓部5le，其為 、等八有疋向平面之貼合晶圓3 〇作外周去除研磨之治 並且將大條部51 a之推拔面51 d，形成為從突條部 之則端α卩外周緣到達突條部5丨&之底部内周緣之寬度
尹、。的推拔面。其他構成、作用及效果，則與該第1實施 例之晶圓外周加壓治具5〇大致相同。 3及弟9圖所示之晶圓外周加壓治具 ’係將治具本體 之尽度加厚，以雙面膠帶52將治 體51黏貼於研磨頭 〇 ^ ^ 員41 ’並且在突條部51a之外周側 收容且保持具有缺口之支樓基板用晶圓2〇的環狀 之例。治具本體51、突條部5ia與模板5if係以 材料一體形成。藉由模♦反51f，能提高外周去除研磨 36 1224356 貼合晶圓30之保持力。在該 51 f内貼人日n v，較佳者為盡量使模板 η贴。日日0 30之餘隙量為 晶圓30外周部入姑Λ 右如此構成，則在貼合 等。 ，月b使晶圓半徑方向之去除寬度為均 其他構成、仙及效果，係在於從該 圓外周加麼治且5 f)台t 、日丨— ” 50此推測之範圍，省略詳細說明。 再者，第10圖及第】】阊 一 5〇Ι) . θ ^ 弟11圖所不之晶圓外周加壓治 50D，係具有定向平 柘⑴』 卸《貼口曰曰0 30用的治具，且將該] 板51 f设置於此之例。盆
^ ，、構成、作用及效果，則與該E 固外周加壓治具50之情形大致相同。 再者’第12圖及第13圖所示之晶圓外周加壓治j 將大條51a之推拔面51d，形成為從突條部 前端部外周緣到達突條冑51a之底部内周緣之寬度廣動 推拔面，再設置模板51f之例。在推拔面5id之一部分 形成缺口加壓部 51 c。豆物m m竹 1 1C具他構成、作用及效果，則與該占 圓外周加壓治具50之情形大致相同。
並且，第14圖所示之晶圓外周加壓治具5〇F，係將治 具本體51，與外嵌於環狀槽41a(形成在研磨頭41下部） 之模板51f兼用之例。模板51f，係與該晶圓外周加壓治 具50C相同地收容且保持具有缺口之支撐基板用晶圓2〇 的型式。突條部51a與模板51 f係以相同材料—體形成。 圖中，0係突條部51 a推拔面51 d之傾斜角。 治具本體51係環狀，故研磨頭41下部成為晶圓加壓 部分。貼合晶圓30，直接真空吸附於該研磨頭41下面。 37 八他構成、作用及效果，係在於能從該第丨實施例之 晶圓外周加壓治具50推測之範圍，省略詳細說明。 在第15圖及第16圖，表示晶圓外周加壓治具50、 50A 50E之犬條部51a之推拔面5id的傾斜角0。其中， 在第15圖表不與晶圓外周加壓治具5〇、5〇a、5〇c、_ 同型式之推拔面51d的傾斜角θ。又，在第16圖表示與 晶圓外周加壓治具5GB、5()E同型式之推拔面5id的傾斜 肖Θ 〇 其-人，參照第1 7圖〜第22圖說明本發明之第2實施例 〇 第2實施例之特徵在於：進行第丄實施例之外周去除 研磨之後，僅將貼合晶圓30外周部之周方向之一部分再 研磨（第2次研磨），以進行去除該部分之s〇I層i〇a的外 周部分去除研磨。 欲再研磨之貼合晶圓30之具體部位，係定向平面附近 。，由該外周部分去除研磨之進行，使支樓基板用晶圓2〇 之疋向平面附近的露台部寬度d放大，在該處刻印硬雷射 標記Μ(第19圖）。在外周部分去除研磨，使用晶圓局部去 除加壓治具60。 在此，詳細說明晶圓局部去除加壓治具6 〇。 晶圓局部去除加壓治具60，係具備··治具本體61 ;及 部分突出部62, 一體形成於治具本體61之貼合晶圓加之 ^持側之面，用以僅使S0I層1〇Α外周部之欲去除之部分 變形成向研磨面側突出。 38 治具本體61係pEEK等硬樹 形狀。在治具本體61之上面，心上，具有厚度厚之圓盤 於治具本體61之外周部下面之=雙面膠帶52之一面。 部61a〇A 士 „ 周’一體形成環狀突條 邛61a。其中，在治具本體61外 近以外的部分，固接有大致呈下面之除定向平面附 61h 0 5 和咖 予形之陶瓷製磨耗防止框 61b。又，在突條部61a之定向 产之加严-h 千面邛分，藉由該部分厚 3〇之二體形成定向平面導件…，以將貼合晶圓 3 0之疋向平面部從外方引導。 域，來虑&田 ，比突條部61 a内側之領 加〜：…將貼合晶圓3〇中央部-帶從背面加壓之 ^分。該領域之大小，即貼合晶…加壓面61d 係對於直徑__之貼合晶圓Μ，足以將其定向 ^面=作外周部分去除研磨約4_之大小。在加壓面 之疋向平面部分-體形成有部分突出部62,用以將支 撐基板用晶圓20露台部之寬度d放大至4_。部分突出部 62，係鄰接定向平面導件61c而形成之高度0.2關之平坦 卩纟將貼合晶圓3〇真空西富於加壓面61d，藉由部 刀/ 〇出邛62 ’便使貼合晶圓3〇之定向平面部向研磨側變 形突：活性層用晶κ 1〇之中央部，並稍突出突條部… 下而面在加壓面61d之中央部形成有，連通於負壓力 產生裝置(未圖示)之5個分開配置的吸引口 6ie "。 外周部分去除研磨進行時，將研磨頭41以6〇rpm旋轉 將研磨平台42以6Orpm旋轉。此時，透過晶圓局部去 除加壓冶具60來對研磨布43作用之活性層用晶圓丨〇中 央邛的研磨壓力係約〇kg/cm2，活性層用晶圓丨〇之定向平 39 1224356 面部分的研磨壓力係約500kg/cm2。藉此，定向平面部分 的研磨率則成mop/分’晶圓中央部的研磨率則成為
Op/分。研磨量，在活性層用晶圓1()之中央部係約_ 在，圓外周部，係定向平面部分之活性層用晶圓ι〇僅 肖失見度d(4mm)之約2Qem。包含研磨粒之研磨劑（石夕膠） 之供應量係180 Oml/分。 如上述，施以外周部分去除研磨’故在晶圓外周部之 定向平面附近將SI0層10A之一部分大量去除，在晶圓外 胃部之傾斜面形成寬度廣闊之部分。因此’即使在該寬度 廣闊邛刀刻a又雷射標記M，所照射之雷射之影響亦不易達· 到SIO層10A。其結果，能抑制雷射標記時來自SIO層 10A之塵埃產生。 其他構成、作用及效果，因與該第i實施例之晶圓外 周加壓治具5 0大致相同，故省略說明。 〃第20圖〜第22圖所示之晶圓局部去除加壓治具6〇a， 係此將具有缺口之貼合晶圓3G外周部分去除研磨之構成 的例。在突條冑61a之缺口部分，藉由該部分之仰視加厚 A I ® H & —體形成用以將貼合晶圓之缺口部從 卜方引導的缺口導件61f。又，在加壓面6id之缺口部分 體$成用以將支撲基板用晶圓之露台部之寬度“ 放大至4mm的部分突出部62A。部分突出部62八，係鄰接 定向平面導件61f所形成之高度〇2咖之平坦隆起部。其 ㈣成 '作用及效果’係與該第1實施例之晶圓外周加壓 治具5 0大致相同。 40 1224356 雖沒有圖中之說明，為了使晶圓外周加壓治具或晶圓 局部去除加壓治具内部之貼合晶圓的餘隙量分別變小，亦 可將貼合晶圓分別夾緊在晶圓外周加壓治具内。 又，在上述之實施例，已經以貼合S〇i基板為例說明 ，該貼合SOI基板，係將活性層用晶圓與支撐基板用晶圓 貼合，然後，將活性層用晶圓藉由表面研削等減少厚度來 製作活性層而成。然而，本發明並不限定於此，例如能適 用於以Smart-Cut法製作之貼合基板。又，亦能適用於以 ELTRAN法或Si Gen法製作之貼合基板。 在該情形，使用Smart-Cut法、ELTRAN法或SiGen法 製作貼合基板時，將活性層用晶圓與支撐基板用晶圓貼合 後，將貼合側之部分留在支撐基板用晶圓並去除活性層用 晶圓，而於支撐基板用晶圓之一面形成活性層。接著Y對 活性層，從該活性層用晶圓之去除面側，進行去除外周部 而留下中央部之研磨（外周去除研磨）。再者，不僅是貼^ 基板，在研磨各種基板之周邊部分之情形能適宜適用。〇 如以上所述，依本發明，表面研削後之研磨，因採用 外周去除研磨來去除活性層用晶圓之外周部之貼合不戸立 分而留下中央部，故能省去習知活性層用晶圓之二周 、活性層之外周蝕刻。藉此，能減少貼合基板之製程數Ί 亦能縮短貼合基板之製造時間。 ’ 又，因進行外周去除研磨，故能消除：外周蝕刻戶生 成之支撐基板用晶圓1 〇外周面之蝕刻坑的發生；及斤込 層外周部之矽氧化膜之削剩部分所造成之活性芦 /舌性 曰〈5染或 1224356 疵等之發生。其結果，能提高貼合基板之良率。藉此， 靶降低貼合基板之製造成本。並且，能容易製作形成具有 缺口狀活性層的貼合基板。 再者，因不使用鹼性蝕刻液，故即便是活性層之外周 緣面之結晶方位不一致之領域，亦不會發生起因於異向性 餘刻之《狀凹痕。因&’能使活性層之外周緣面全 滑。 並且，因利用晶圓外周加壓治具施加外周去除研磨， 故即使是既存之研磨裝置，亦能容易實施本發明之外周去 除研磨。 又’進行外周去除研磨後，若使用晶圓局部去除加壓 治具來施加外周部分去除研磨，在晶圓外周部之周方向之 一部分，例如定向平面部或缺口部，將活性層之一部分大 量去除而於傾斜面形成寬度廣闊部分。因此，即使在S寬 度廣闊部分施加雷射標記，所照射之雷射之影響亦不易達 到活性層。其結果，能抑制雷射標記時從活性層發生塵埃 〇 再者，對活性層用晶圓施加表面研削，並且對活性層 外周部施加外周S除研磨，故在室溫作活性層用晶圓與支 撐基板用晶圓之貼合後，即使不進行貼合強化熱處理，晶 圓周邊部分亦不會剝落，而能形成貼合晶圓。其結果，Z 由在活㈣中央部之研磨後施加在還原性氣氛或惰性氣‘ 下之熱處理，即使不施加貼合熱處理之外之在此等氣氛下 之熱處理，亦能從活性層之表面去除結晶缺陷。即，使活 42 1224356 性層之表面為無缺陷表面。 如上述’本發明之貼合基板及其製造方法以及其所使 用之晶圓外周加壓治具類，是對下列基板有用：將活性層 與支撐基板用晶圓貼合而成之貼合基板、具有SO I構造之 貼合基板、及由Smart-Cut法、ELTRAN法或siGen法製造 之貼合基板。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1圖（a)〜（e)(ei)(e2)，係表示本發明第J實施例 之貼合基板之製造方法的流程圖。 、第2圖，係表示本發明第丨實施例之貼合基板之製造 方法的外周切研磨製程之使用狀態的縱剖面圖。 ^ 3、圖’絲*適用於本發明第i實施例之貼合基板 的立=法的將貼合晶圓裝設於晶圓外周加壓治具之製程 之曰L::，係表示本發明其他形態之附定向平面晶圓用 曰曰囫卜周加壓治具之使用狀態的剖面圖。 第5圖，係表示將貼合晶圓裝設於本發 圓外周加壓治具之製程的立體圖。 圖之晶 第6圖，係表示本發明更其他形態 用之晶圓外周加壓治具之使用狀態的剖面圖。平面晶圓 第7 ® ’係表示將貼合晶圓裝設於本發 圓外周加壓治具之製程的立體圖。 帛6圖之晶 43 1224356 第8圖，係表示本發明更其 曰m μ ，、他形悲之附缺口晶圓用之 曰曰囫外周加壓治具之使用狀態的剖面圖。 第9圖’係表示將貼合晶圓裳設於本發明第8圖之晶 圓外周加壓治具之製程的立體圖。 / 1〇圖’係表示本發明其他形態之附定向平面晶圓用 之晶圓外周加壓治具之使用狀態的剖面圖。 第"圖’係表示將貼合晶圓裝設於本發明第ι〇圖之 晶圓外周加壓治具之製程的立體圖。 。第12圖，係表示本發明更其他形態之附缺口晶圓用之 晶圓外周加壓治具之使用狀態的剖面圖。 第13圖，係表示將貼合晶圓裝設於本發明第a圖之 晶圓外周加壓治具之製程的立體圖。 第14圖，係表示本發明進一步更其他形態之晶圓外周 加壓治具的剖面圖。 第15圖’係表示適用於本發明第丨實施例之貼合基板 之製，方法的晶圓局部去除加壓治具之要部的剖面圖。 第16圖’係表示適用於本發明第i實施例之貼合基板 之製造方法的其他晶圓局部去除加壓治具之要部的剖面圖 第17圖，係表示將貼合晶圓裝設於適用在本發明第2 實把例之貼合基板之製造方法的附定向平面晶圓用晶圓局 部去除加壓治具之製程的剖面圖。 弟18圖，係本發明第2實施例之晶圓局部去除加壓治 具的仰視圖。 44 1224356 第19®，係使用本發明第2實施例之晶圓局部去除加 壓治具所製作之貼合晶圓的俯視圖。 第20圖，係表示將貼合晶圓裝設於適用在本發明另一 其他形態之貼合基板之製造方法的晶圓去除加壓治具 之製程的剖面圖。 第21圖，係表示適用於本發明第2〇圖之貼合基板之 製造方法的晶圓局部去除加壓治具的俯視圖。 第22圖，係使用本發明第2()圖之晶圓局部去除加壓 治具所製作之貼合晶圓的俯視圖。 第23圖（a)〜（e)，係表示習知手段相關之貼合基板製 造方法的流程圖。 第24圖，係習知手段相關之發生於支撐基板用晶圓外 周端面之姓刻坑的放大前視圖。 第25圖，係習知手段相關之發生於支撐基板用晶圓露 台部分之蝕刻坑的放大俯視圖。 第26圖，係習知手段相關之發生於支撐基板用晶圓外 周部之矽氧化膜之削剩部分的放大前視圖。 第2 7圖，係習知手段相關之發生於活性層外周緣面之 一部分之鋸齒狀凹痕的放大俯視圖。 (二）元件代表符號 1〇 活性層用晶圓 10A SOI層（活性層） 10a, 10b, 30a, 30b 矽氧化膜 45 1224356 20 支撐基板用晶圓 30 貼合基板 40 研磨裝置 41 研磨頭 42 研磨平台 43 研磨布 50,50A，50B，50C，50D，50E，50F 晶圓外 51 治具本體 51a 突條部 51b 加壓面 51c 缺口加壓部 51d 推拔面 51e 定向平面加壓部 51f 模板 52 雙面膠帶 60，60A 晶圓局部去除加 61a 突條部 61b 磨耗防止框 61c 定向平面導件 61d 加壓面 61e 吸引口 61f 缺口導件 62, 62A 部分突出部 M 雷射標記 46 1224356 101 活性層用晶圓 101A SOI層 101a,103a 矽氧化膜 101c 削剩部分 102 支撐基板用晶圓 103 貼合晶圓 a, b 餘刻坑 d 鋸齒狀凹痕
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Claims (1)

1224356 拾、申請專利範圍： 1· 一種貼合基板，係將活性層，與從背面側支撐活性 層之支撐基板用晶圓貼合而成者；且 牙/ 該活性層之外周面，係在活性層表面之外周緣至貼合 界面之外周緣研磨出的傾斜面，該貼合界面是已經去除支 撐基板用晶圓之貼合不良部分；或係在活性層表面之外周 緣至支撐基板用晶圓之外周緣研磨出的傾斜面。 2·如申請專利範圍第丨項之貼合基板，其中，在該活 性層表面不存在結晶缺陷。 3. 如申請專利範圍第丨項或第2項之貼合基板，其中 ，該研磨出之傾斜面之寬度’係在晶圓周方向局部不同'。 4. 如申請專利範圍第3項之貼合基板，其中，該傾斜 面中’寬度廣闊的部分係缺口部或定向平面部。 5·如申請專利範圍第1項或第2項之貼合基板，其中 ，該貼合基板，係於活性層與支撐基板用晶圓之間形成埋 置氧化膜而成之貼合SO I基板。 6·如申請專利範圍第3項之貼合基板，其中，該貼合 基板，係貼合SOI基板，其於活性層與支撐基板用晶圓之 間形成埋置氧化膜。 7·如申請專利範圍第4項之貼合基板，其中，該貼合 基板，係貼合SOI基板，其於活性層與支撐基板用晶圓之 間形成埋置氧化膜。 8· —種貼合基板之製造方法，其具備： 貼合製程，用以將活性層用晶圓與支撐基板用晶圓加 48 以貼合； 熱處理製程，用以增強貼合製成之貼合晶圓之貼合強 度； 表面研削製程，用以將貼合晶圓之活性層用晶圓側表 面研削’以減少活性層用晶圓之厚度而形成活性層；及 外周去除研磨製程，用以對活性層進行研磨，從其表 面研削面側起去除外周部之貼合不良部分，留下中央部。 9·如申請專利範圍第8項之貼合基板之製造方法，其 中’不進行該貼合後之熱處理，而是在外周去除研磨後， 進行研磨活性層中央部之中央研磨製程，並且在中央部之 中央研磨後，進行在還原性氣氛或惰性氣氛下之熱處理， 來增強貼合晶圓之貼合強度，並且從活性層之表面去除結 曰曰陷。 W· 一種貼合基板之製造方法，係以Smart-Cut法、 ELTRAN法或si Gen法製作貼合基板；其具備： 貼合製程，用以將活性層用晶圓與支撐基板用晶圓加 以貼合； 、c活性層用晶圓去除製程，用以貼合後，將貼合側之部 分2於支撐基板用晶圓而去除活性層用晶圓，在支撐基板 用晶圓之一面形成活性層；及 卜周去除研磨製私，用以對活性層進行研磨，從活性 層用晶圓之去除面側，去除外周部而留下中央部。 U·如申請專利範圍第8項至第1〇項中任一項之貼合 土板之製造方法中，該外周去除研磨製程中，活性層 49 之外周部之研磨率，係比中央部之研磨率大。 12. 如中請專利範圍第u項之貼合基板之製造方法， 懕广性層之外周部之研磨壓力，係比中央 磨 Μ力大。 13. 如申請專利範圍第12項之貼合基板之製造方法， 了中’該外周去除研磨製程中使用晶圓外周加壓治具，用 、〖生層之外周部變形成比中央部更向研磨面側突出。 14. 如申請專利範圍第8項至第項中任—項之貼合 土反之製造方法，係具有外周部分去除研磨製程，其在外 周去除研磨後，僅將貼合晶圓外周部之周方向卜部分再 研磨，以去除該部分之活性層。 15·如申請專利範圍f U，之貼合基板之製造方法， 係具有外周部分去除研磨製程，其在外周去除研磨後，僅 將貼合晶圓外周立P 闲 "卩之周方向之一部分再研磨，以去除該部 分之活性層。 16.如申請專利範圍帛12j^貼合基板之製造方法， 係具有外周部分去除研磨製程，其在外周去除研磨後，僅 將貼合晶圓外周部之周方向之—部分再研磨，以去除 分之活性層。 ^丨7·如申請專利範圍第13項之貼合基板之製造方法， 係八有外周部分去除研磨製程，其在外周去除研磨後，僅 將貼合日日圓外周部之周方向之-部分再研磨，以去除該部 分之活性層。 18.如申請專利範圍第14項之貼合基板之製造方法， 50 1224356 其中，該外周部分去除研磨製程中使用晶圓局部去除加壓 治具’以僅使活性層外周部之待去除之部分變形成向研磨 面側突出。 一種晶圓外周加壓治具，係介於用以在研磨布之對 向面保持半導體晶圓的研磨頭、與該半導體晶圓之間盆 具備： /' 治具本體；及 環狀突條部，係形成於治具本體之半導體晶圓之保持 側之面，用以使半導體晶圓之外周部變形成比中央部更向
研磨面側突出。 20.如申請專利範圍第19項之晶圓外周加壓治具，其 ^在該突條部形成有缺口加壓部，用以使形成於半導體 曰曰圓外周部之缺口部，變形成比半導體晶圓之中央部更向 研磨面側突出。 21·如申請專利範圍第19項之晶圓外周加壓治具，其 中在D亥大條部形成有定向平面加壓部，用以使形成於
導體晶圓外周部之定向平面冑，變形成比半導體晶圓之中 央部更向研磨面側突出。 22· -種晶圓局部去除加壓治具，係介於將貼合晶圓 活性層側朝向研磨布之方式保持之研磨頭、與貼合晶圓 間’忒貼合晶圓是貼合活性層與支撐基板用晶圓而 其具備： 考 治具本體；及 部分突出冑，係形成於治具本體之貼合晶圓保持側之 51 1224356 面，用以僅使活性層外周部之待去除之部分，變形成向研 磨面側突出。 23.如申請專利範圍第22項之晶圓局部去除加壓治具 ，其中，該治具本體及/或部分突出部中，至少接觸研磨 布之部分，係以比其他部分更難研磨之材質來形成。 拾壹、圖式： 如次頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470730B (zh) * 2012-09-18 2015-01-21 Asia Pacific Microsystems Inc Wafer holding device

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2860842B1 (fr) * 2003-10-14 2007-11-02 Tracit Technologies Procede de preparation et d'assemblage de substrats
US7919815B1 (en) * 2005-02-24 2011-04-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Spinel wafers and methods of preparation
JP4604889B2 (ja) * 2005-05-25 2011-01-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
JP4918229B2 (ja) * 2005-05-31 2012-04-18 信越半導体株式会社 貼り合わせウエーハの製造方法
FR2899594A1 (fr) 2006-04-10 2007-10-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de substrats avec traitements thermiques a basses temperatures
US7790565B2 (en) * 2006-04-21 2010-09-07 Corning Incorporated Semiconductor on glass insulator made using improved thinning process
JP2009176918A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Sumco Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
US9111981B2 (en) * 2008-01-24 2015-08-18 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
JP5564785B2 (ja) * 2008-12-08 2014-08-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ 貼り合わせ基板の製造方法
FR2957189B1 (fr) 2010-03-02 2012-04-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation d'une structure multicouche avec detourage post meulage.
JP2011210821A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置とその製造方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
FR2969373B1 (fr) * 2010-12-20 2013-07-19 St Microelectronics Crolles 2 Procede d'assemblage de deux plaques et dispositif correspondant
KR101570917B1 (ko) 2011-04-11 2015-11-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
US10857649B2 (en) * 2011-09-22 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for performing a polishing process in semiconductor fabrication
DE112012004373T5 (de) * 2011-10-18 2014-07-10 Fuji Electric Co., Ltd Verfahren zur trennung eines trägersubstrats von einem festphasengebundenen wafer und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
KR101544734B1 (ko) * 2011-11-22 2015-08-17 다즈모 가부시키가이샤 가압원판, 접합장치 및 접합방법
US10643853B2 (en) * 2012-02-10 2020-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer thinning apparatus having feedback control and method of using
US8580655B2 (en) 2012-03-02 2013-11-12 Disco Corporation Processing method for bump-included device wafer
JP5978764B2 (ja) * 2012-05-24 2016-08-24 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハの製造方法
US20140054748A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Genmao Liu Edge trimming method for semiconductor wafer and semiconductor wafer having trimmed edge
KR102061695B1 (ko) 2012-10-17 2020-01-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공 방법
US9028628B2 (en) 2013-03-14 2015-05-12 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer oxide fusion bonding
US9058974B2 (en) 2013-06-03 2015-06-16 International Business Machines Corporation Distorting donor wafer to corresponding distortion of host wafer
JP6230381B2 (ja) * 2013-11-15 2017-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
JP6843232B2 (ja) * 2016-09-29 2021-03-17 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー ２つの基板をボンディングするための装置および方法
US10553474B1 (en) 2018-08-29 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate
JP7339056B2 (ja) * 2019-07-31 2023-09-05 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法
CN113211306A (zh) * 2021-05-28 2021-08-06 福建晶安光电有限公司 一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
CN113510609B (zh) * 2021-07-12 2023-09-08 长鑫存储技术有限公司 晶圆以及晶圆的处理方法
WO2024103220A1 (zh) * 2022-11-14 2024-05-23 上海显耀显示科技有限公司 一种补偿键合形变量的键合治具

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02181469A (ja) 1989-01-05 1990-07-16 Fujitsu Ltd 半導体基板の製造方法
JPH0636413B2 (ja) * 1990-03-29 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
JP3618105B2 (ja) 1991-03-07 2005-02-09 株式会社日本自動車部品総合研究所 半導体基板の製造方法
JPH05109678A (ja) 1991-10-18 1993-04-30 Sony Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
JPH05226305A (ja) 1992-02-10 1993-09-03 Hitachi Ltd 張合せウェハの製造方法
JP3580600B2 (ja) * 1995-06-09 2004-10-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法
DE69917819T2 (de) * 1998-02-04 2005-06-23 Canon K.K. SOI Substrat
US6287941B1 (en) 1999-04-21 2001-09-11 Silicon Genesis Corporation Surface finishing of SOI substrates using an EPI process
EP1189266B1 (en) * 2000-03-29 2017-04-05 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Production method for silicon wafer and soi wafer, and soi wafer
US6722964B2 (en) * 2000-04-04 2004-04-20 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
JP2003142439A (ja) 2001-11-08 2003-05-16 Nikon Corp ウェハの研磨方法及びマスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470730B (zh) * 2012-09-18 2015-01-21 Asia Pacific Microsystems Inc Wafer holding device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003098695A1 (fr) 2003-11-27
TW200425222A (en) 2004-11-16
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