JP2009176918A - Soi基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOI基板の製造方法は、表面に酸化膜11aが形成された活性層用ウェーハ11を支持基板用ウェーハ12に貼り合わせて貼り合わせウェーハ13を得た後に活性層用ウェーハ11を研削してSOI基板を得る。活性層用ウェーハ11又は支持基板用ウェーハ12のいずれか一方が両面研磨されたシリコンウェーハからなり、活性層用ウェーハ11又は支持基板用ウェーハ12のいずれか他方が片面研磨されたシリコンウェーハからなる。
【選択図】 図1
Description
11a 酸化膜
12 支持基板用ウェーハ
13 貼り合わせウェーハ
Claims (1)
- 表面に酸化膜が形成された活性層用ウェーハを支持基板用ウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを得た後に前記活性層用ウェーハを研削してSOI基板を得るSOI基板の製造方法において、
前記活性層用ウェーハ又は前記支持基板用ウェーハのいずれか一方が片面研磨されたシリコンウェーハからなり、
前記活性層用ウェーハ又は前記支持基板用ウェーハのいずれか他方が両面研磨されたシリコンウェーハからなる
ことを特徴とするSOI基板の製造方法。
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2008
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