TWI224082B - Glass ceramic mass and ceramic body with the same - Google Patents

Description

五、發明說明（1 ) 本發明涉及一種玻璃陶瓷物件，具有至少一種有鋇、鈦 並且至少一種稀土金屬Rek的氧化陶瓷，和至少一種玻璃 材料，該玻璃材料有至少一種硼的氧化物。除此本發明還 具有一種玻璃陶瓷物件，該玻璃陶瓷物件具有至少一種氧 化陶瓷，鋇、鈦和至少一種稀土金屬Rek ;具有至少一種 玻璃材料，該玻璃材料具有至少一種硼的氧化物；具有至 少一種氧化物，該氧化物具有至少一種四價金屬Me4+。除 此玻璃陶瓷物件之外還提出一種此玻璃陶瓷物件的應用。 所述各類的玻璃陶瓷物件由US5 264 403所公知。所述 的玻璃陶瓷物件用氧化鋇（BaO)、二氧化鈦（Ti02)、一種 稀土金屬的氧化物（Rek203 )，有時用三氧化二鉍（Bi 20 3 )製 造。稀土金屬Rek例如是銨。所述的氧化陶瓷稱爲微波陶 瓷，因爲其介電係數（ε r )、品質（Q)和頻率的溫度特性 (Tkf)很好地適用於微波技術中。玻璃陶瓷的玻璃材料由 三氧化二硼（B203 )、二氧化矽（Si02)及氧化鋅（ZnO)組成。 玻璃陶瓷物件上的氧化陶瓷的陶瓷成份例如占90%而玻璃 材料的玻璃成份占10%。玻璃陶瓷物件的凝縮在約9 50 °C 的燒結溫度進行。 由JP 08 073 239A公知一種玻璃陶瓷物件，它主要地 由一種玻璃材料的玻璃成份組成。玻璃材料在不同的組合 中有二氧化矽、三氧化二鑭（La203 )、二氧化鈦、一種鹼土 金屬氧化物和二氧化鉻（Zi:02)。 兩種玻璃陶瓷物件都適用於LTCC(低溫共燒）技術。所述 1224082 五、 發明說明 ( 2) LTCC 技術例如在 D.L. Wi 1 C OX 等 的 P r 〇 c . 1997 ISAM, Phi 1 ad e1ph i a ，第 L7至 23 ； 頁丨 中i 說1 明 〇 ] 」TCC技 術 是 一 種 陶 瓷 的 多 層工 藝 ，其 中可 以 在 陶 瓷 的 多 層 體的空 間 中 集 成 一 種 JXW 源 的電 子 元件 。所 述 的無 源 電 子 元 件例如 是 --- 種 電 的 導 線 > 一種 線 圈、 一種 電 感 或 者 — 種 電 容器。 集 成例如 通 過 把 一 個相 應 於所 述元件 的 金 屬 結 構 印 製在一 或 多 個 陶 瓷 的 綠 膜 上， 把 受覆 蓋的 陶 瓷 綠 膜 逐 個 地 疊放成 複 合 物 並 且 燒 結 此 複合 物 。因 爲陶 瓷 綠 膜 採 用 低 燒 結的玻 璃 陶 瓷 物件 1 可以 在此 複 合物 中一 起 燒 結 低 熔 點 高電導 率 的 元 素 金 屬 M e ’例如銀或者銅。 由 WO 00/04577 公失1； I - -種 LTCC 工 藝 ，其中 爲 了 在 燒 結 時 避 免 橫向 的 收縮 (零 xy 收縮）由 陶 瓷 綠膜製 造 的 複 合物 用 第 一 和至 少 另一 個玻 璃 陶 瓷 物 件 構 成 。第一 和 第 二 玻 璃 陶 瓷 物 件在 不 同的 溫度 下 凝 縮 〇 在 一 個 兩步的 燒 結 過 程 中 燒 結 此 複合 物 。在 一個 較 低 的 溫 度 下 (例如750t)下 凝 縮 第 一 玻 璃陶 瓷 物件 。未 凝 縮 的 另 —* 個 玻 璃陶瓷 物 件 阻止 凝 縮 的 第 一玻 璃 陶瓷 物件的 的 橫 向 收 縮 〇 在第一 玻 璃 陶 瓷 物 件 的 凝 縮結 束 後在 較筒 的 溫 度 (例如 900〇C )下 凝 縮 另 一 個 玻 璃 陶 瓷物件 。已 經凝 縮 的 第 一 玻 璃 陶 瓷物件 這 時抑 制 在 較 局 溫 度下 凝 縮的 另一 個 玻 璃 陶 瓷 物件 的橫向收 縮 〇 第 一 y 在 較 低溫 度 下凝 縮的 玻 璃 陶 瓷 物 件 主 要由具 有有 鋇 、 鋁 和矽 的 玻璃 材料（鋇鋁矽玻璃）的 玻 璃 成份組成 〇 另 一 個 在 較 筒 溫度 下 凝縮 的玻 璃 陶 瓷 -4 物 件 主 要 由一種 氧 化 陶 瓷 組 1224082 五、發明說明（3) 成，其正式成份是 Ba6.xRek8 + 2xTi18O54(0Sx$l)，其中 Rek 是一種稀土金屬鑭、銨或者釤。通過兩步過程得到的陶瓷 多層體的特徵是橫向收縮（橫向偏移）^2%。 在一種氧化陶瓷中有高陶瓷成份的玻璃陶瓷物件，玻璃 陶瓷物件凝縮首先通過反應性的液體相燒結進行。在凝縮 (燒結過程中）從玻璃材料構成一種液體的玻璃相（熔玻璃） 。在較高的溫度下氧化陶瓷溶解於熔玻璃中，直到達到飽 和濃度並且形成再析出。通過溶解和再析出氧化陶瓷可以 改變氧化陶瓷的組成並且從而也改變玻璃相確切地說即玻 璃材料的玻璃相的組成。例如氧化陶瓷的一個成份在冷卻 後保留在玻璃相中。 相反在有較高的玻璃成份的玻璃陶瓷物件，凝縮首先通 過玻璃材料的熔玻璃的粘液體在玻璃材料的軟化溫度TS()ft 的範圍進行。這裏凝縮燒結在900°C下進行。玻璃材料的 玻璃成份越高，玻璃陶瓷物件凝縮的溫度就越低。但是如 果玻璃成份越高，玻璃材料的介電係數就越低。隨著玻璃 成份的增加，玻璃陶瓷物件的優値和Tk f値也受到如此的 影響，從而所述的玻璃陶瓷物件不再適用於微波技術。 本發明的目的是，提出一種在850°C以下的溫度凝縮但 是仍然適用於微波技術的玻璃陶瓷物件。 爲了達成此目的，提出一種玻璃陶瓷物件，具有至少一 種有鎖、駄並且至少一*種稀土金屬Rek的氧化陶瓷’及至 少一種有至少一種硼的氧化物、至少一種四價金屬Me4 +氧 1224082 五、發明說明（4) 化物的玻璃材料。所述的玻陶瓷物件的特徵在於，其玻璃 材料至少有一種氧化物，該氧化物有至少一種稀土金屬 Reg. °這裏特別是，所述玻璃材料至少有一種氧化物，該 氧化物有至少一種五價金屬Me5+。 爲了達成此目的也提出一種玻璃陶瓷物件，具有至少一 種有鋇、鈦和至少一種稀土金屬R e k的氧化陶瓷，及至少 一種玻璃材料，該玻璃材料有至少一種硼的氧化物。所述 玻璃陶瓷物件的特徵在於，其玻璃材料至少有一種氧化物 ’該氧化物有至少一種五價金屬Me5 +和至少有一種稀土金 屬Reg。這裏特別是，所述玻璃材料至少有一種氧化物， 該氧化物有至少一種四價金屬Me4+。 所述玻璃陶瓷物件是一種玻璃陶瓷的複合物並且與其狀 態無關。所述的玻璃陶瓷物件可以存在爲陶瓷綠體。在綠 體’例如，綠膜中，可以把氧化陶瓷的粉末和玻璃材料的 粉末借助於有機的膠合劑相互複合。還可以考慮玻璃陶瓷 物件存在爲氧化陶瓷和玻璃材料的粉末混合物。此外玻璃 陶瓷物件還可以存在爲燒結了的陶瓷體。例如在燒結的過 程中產生的陶瓷多層體由此種玻璃陶瓷物件組成。這種陶 瓷多層體可以送交在較高的燒焙溫度下的進一步的燒結工 序或者說燒焙工序。 氧化陶瓷可以以單一相存在。然而也以多個相存在。例 如可以考慮氧化陶瓷由用各自不同成份的相組成。從而所 述的氧化陶瓷是不同的氧化陶瓷的混合物。還可以考慮存 1224082 五、發明說明（5) 在氧化陶瓷的一或者多個初始複合，它們在燒結時才轉變 成本來的氧化陶瓷。 玻璃材料同樣也可以是單一的相，例如是所述相是由三 氧化二硼、二氧化鈦、和三氧化二鑭製成的熔玻璃。還可 以考慮玻璃材料由多個相組成，例如玻璃材料由所述氧化 物的粉末混合物組成。由所述氧化物在燒結中構成一種總 體的熔玻璃。玻璃材料的軟化溫度優選地是8〇(TC，以在 盡可能低的溫度下粘液體。特別是還可以考慮，玻璃材料 有一個晶體相。晶體相例如熔玻璃的結晶產物構成。這意 味著所述的玻璃材料例如在燒結後不僅可以作爲熔玻璃存 在’也可以以結晶形式存在。這樣的結晶產物例如是硼酸 鑭（LaB03)。特別是還可以考慮在燒結前向玻璃材料中加 入結晶產物或者其他晶體成份。所述的結晶產物和晶體成 份可以起晶核的作用。 玻璃陶瓷物件的成份優選地如此選擇，使得凝縮過程通 過粘液體進行。由於粘液體，凝縮在相對低下的溫度進行 。對凝縮工序起決定性作用的粘度溫度特性，例如在玻璃 的過渡點Tg中在玻璃材料的軟化溫度（Ts()ft)範圍外，可 以例如通過三氧化二硼對四價金屬Me4 +的比例或者對五價 金屬Me5 +的氧化物的比例調節。 同時可以與凝縮溫度無關地改變玻璃陶瓷物件的材料介 電特性。首先，通過稀土金屬的氧化物可以由玻璃材料的 材料介電特性確定氧化陶瓷的材料介電特性。例如在玻璃 1224082 五、發明說明（6) 材料中的三氧化二鑭成份越多，玻璃材料介電係數越高。 如此地選擇氧化陶瓷和玻璃材料的成份··使得在凝縮時（ 例如通過相關的液體燒結）並且特別是在凝縮後（在較高的 燒結溫度）構成結晶產物。這種結晶產物以有利的方式影 響玻璃陶瓷物件的材料介電係數，從而使玻璃陶瓷物件適 用于微波技術中。以此方式例如在較低的凝縮溫度下玻璃 陶瓷物件可以有相對高的1 5以上的介電係數和有350以 上的優値。 在一個特定的實施中氧化陶瓷有一種正式的成份 BaRek2Ti4Ol2。稀土金屬Rek例如是鑭。所述組成的氧化 陶瓷特別適用于微波技術。所述氧化陶瓷的Tk f値在-20ppm./k和+2 0ppm/k之間。通過適當的氧化陶瓷和玻璃材 料的組合和結合可以得到較低的Tk f絕對値。當主要的玻 璃陶瓷物件的Tkf値是負値時，例如可以用BaLa2Ti4012、 二氧化鈦和/或欽酸锆（SrTi03)沿玻璃材料的±0ppm/k的 方向進行補償控制。相反當主要的玻璃陶瓷物件的Tkf値 是正値時，例如可以用BaSm2Ti4012、氧化鋁和硼酸鑭 (LaB03)對Tkf値進行平衡。用於補償的添加氧化物可以 在燒結玻璃陶瓷前添加。然而，這些氧化物也可以有所述 的結晶產物。 稀土金屬Reg例如存在爲三氧化物Re g203。用稀土金屬 Reg的氧化物可以把影響整個玻璃陶瓷物件的介電係數的 玻璃材料的介電係數與氧化陶瓷的介電係數相匹配。從而 1224082 五、發明說明（7) 可以有介電係數1 5至80甚至更高的玻璃陶瓷物件。 特別地，稀土金屬Rek和/或稀土金屬Reg從組鑭和/或 銨和/或釤中選擇。還可以考慮其他的鑭族或者锕族元素 。稀土金屬Rek和Reg可以是相同的，也可以是不同的稀 土金屬。 一個特別的實施中四價的金屬Me4 +選自組矽和/或鍺和/ 或鋅和/或鈦和/或锆和/或給。特別是副族元素鈦、鉻和 給的氧化物本身影響玻璃陶瓷物件的材料介電係數特性。 特別是這些氧化物影響結晶產物的構成。主族元素矽、鍺 、和鋅的氧化物首先支援玻璃材料的玻璃性。借助於這些 氧化物控制玻璃材料的粘度溫度特性。 在一個特別的實施中五價金屬Me5 +選自組鉍和/或釩和/ 或鈮和/或鉅。副族元素釩、鈮和钽的氧化物（例如五氧化 二鈮Nb 205或者五氧化二鉅Ta205 )直接影響玻璃陶瓷物件 的材料介電係數特性。特別是這些氧化物影響結晶產物的 構成並且從而間接地影響材料的特性。主族元素鉍的氧化 物首先支援玻璃材料的玻璃性。 在另一個實施中，玻璃材料至少有另一種金屬Mex的氧 化物’所述金屬選自組鋁和/或鎂和/或鈣和/或鉻和/或鋇 和/或銅和/或鋅。所述的另一種金屬Mex可以作爲原來的 氧化相存在，借助於氧化物三氧化二鋁（A 1 203 )、氧化鎂 (MgO)、氧化鈣（Ca〇)、氧化鉻（Sr〇)和氧化鋇（Ba〇)可以穩 定玻璃材料的玻璃性。 1224082 五、發明說明（8) 在一個特定的實施中，除了鋇之外，氧化陶瓷還有至少 一種二價金屬Me2 +作爲摻雜。所述二價金屬Me2 +特別是從 組銅和/或鋅中選擇。例如BaRek2Ti4012組成的氧化陶瓷 用鋅摻雜。二價金屬Me2 +控制氧化陶瓷的材料介電特性。 在燒結時特別是在較高溫度進一步處理玻璃陶瓷時，它可 以在把氧化陶瓷部分地溶解在玻璃材料的熔玻璃中接著就 進行結晶。事實表明，如果玻璃材料或者玻璃材料的氧化 物用二價金屬Me2 +進行摻雜，它也在氧化陶瓷中出現是特 別有利的。這對其他的玻璃材料中的晶體添加物也是成立 的。用鹼土金屬作二價金屬Me2 +提高玻璃材料的鹼性並且 從而提高玻璃材料對鹼性氧化陶瓷的反應性。從而在凝縮 時氧化陶瓷的組成繼續保持不變。事實表明，如果玻璃材 料或者玻璃材料的氧化物用二價金屬Me2 +進行摻雜，它也 在氧化陶瓷中出現是特別有利的。這裏特別要提出用鋅作 二價金屬Me2+。 在一個特別的實施中100體積％的玻璃陶瓷物件由選自 在20體積％(含）至60體積％(含）之間範圍的氧化陶瓷，和 選自80體積％(含）至40%(含）之間範圍的的玻璃成份組成 。特別是陶瓷成份選自在.30體積％ (含）至50體積％(含）之 間範圍，而玻璃材料成份選自在70體積％(含）至50體積 %(含）之間範圍。在這樣的組成中凝縮首先是通過粘液體 進行。 特別地，氧化陶瓷和/或玻璃材料有一種中粒度（D5()値） -10- 1224082 五、發明說明（9) 的粉末，其範圍選擇在0.8微米（含）至3.0微米之間。中 粒度也稱爲半値粒度。氧化陶瓷和玻璃材料存在爲這樣的 粉末。中粒度的範圍是在1.5微米（含）至2.0微米之間。 事實表明在選自上述範圍的粒度可以盡可能良好地控制氧 化陶瓷的各個成份的反應性析出或者玻璃材料的結晶添加 物。粒度不超過3微米是有利的，從而可以進行玻璃陶瓷 物件的凝縮燒結。 一般地爲了降低燒結溫度及提高陶瓷物件的介電係數在 玻璃材料中添加氧化鉛（PbO)。在本發明中，玻璃陶瓷物 件和/或氧化陶瓷和/或玻璃材料中的氧化鉛成份和/或氧 化鎘成份最高在0.1%，特別是最高lppm。優選地從環境 保護觀點出發，氧化鉛和氧化鎘的近乎於零。.以本發明， 達到此點沒有對陶瓷物件的材料特性有重大影響。 特別地，陶瓷物件有最高850°C的凝縮溫度，並且特別 是有最高800°C的凝縮溫度。這裏，特別是，玻璃陶瓷物 件可達到選自20(含）至80(含）的範圍的介電係數、選自 3 00(含）至5000 (含）的優値，和選自-20ppm/k(含）至+ 20ppm/k(含）範圍的Tkf値。具有這樣的材料特性的玻璃 陶瓷物件顯然適用于微波技術。 根據本發明的第二方面提出一種具有上述玻璃陶瓷物件 的陶瓷體。特別是這種陶瓷體至少有一種選自組金和/或 銀和/或銅的元素金屬MeO。優選地所述的陶瓷體有一個陶 瓷的多層體。採用前述的玻璃陶瓷製造這種陶瓷體。特別 -11- 1224082 五、發明說明（1〇) 地可以以此方式製造陶瓷多層體形式的的陶瓷體。這種玻 璃陶瓷物件特別適用於LTCC技術。從而爲用LTCC技術製 造微波技術元件提供有卓越的材料特性的玻璃陶瓷物件。 此外還低溫下燒結的玻璃陶瓷物件也可以用於在製造陶瓷 多層體時抑制橫向收縮。 綜上所述，本發明有以下優點： *如此地選擇氧化陶瓷和玻璃材料的成份，使得凝縮 主要地通過粘液體並且在凝縮時和/或凝縮後構成結晶產 物。 *在玻璃陶瓷物件的燒結時氧化陶瓷的成份基本保持 恒定。從而玻璃陶瓷物件的材料特性能夠得到很好的預調 節。 * 通過對氧化陶瓷和玻璃材料適當地（氧化的）添加物 可以對玻璃陶瓷物件的燒結性能和材料特性能夠得到有目 的地且近乎任意地進行調節。從而可以在遵守較低的凝縮 溫度的條件下在大的範圍調節例如介電係數、優値和Tkf *在在850°C的溫度下就可以達到近乎完全的凝縮（凝 縮燒結），由此陶瓷適用於LTCC技術。特別是與在較高溫 度凝縮的玻璃陶瓷結合，可以在多步燒結工序中把橫向收 縮控制在2%之下。 *無氧化鉛及/或氧化鎘實現凝縮。 下面借助於一個實施例及所屬附圖說明本發明。圖式簡 -12- 1224082 五、發明說明（11) 單說明：第1圖未依比例畫出的以多層結構方式構成之玻 璃陶瓷物件中的陶瓷體之橫切面。

根據此實施例，玻璃陶瓷物件11是一種由氧化陶瓷製 造的粉末和一種由玻璃材料製造的粉末。所述氧化陶瓷有 正式成份BaRek2Ti4012。稀土金屬Rek是銳。氧化陶瓷有 一種鋅形式的二價金屬Me2+。把相應量的氧化鋇、二氧化 鈦和三氧化二銨與一個重量百分比的氧化鋅混合，鈣化即 燒結接著硏磨成相應的粉末以製造氧化陶瓷。 玻璃材料具有以下的成份：35.0摩爾％的三氧化二硼、 2 3.0摩爾％三氧化二鑭，和42.0摩爾％二氧化鈦。此外玻 璃材料還混合有5%重量的氧化物二氧化锆，這裏在三氧化 二硼與四價金屬鈦和鉻之間比例約爲〇 . 75。 100體積％的玻璃陶瓷物件由35體積％的陶瓷材料和65% 玻璃材料組成。陶瓷材料和玻璃材料有1 . 0微米的D5Q値 。玻璃陶瓷物件的凝縮溫度是760°C。

在一定的燒焙溫度下燒焙玻璃陶瓷時玻璃凝縮。此外二 氧化鈦構成結晶產物，是起調節Tk f値作用的成份。結晶 的二氧化鈦占15%重量。 取決於陶瓷物件的燒培溫度對玻璃陶瓷物件進行以下的 材料介電特性（在6GHz測量的）進行調節： 在79(TC的燒焙溫度下產生介電係數是34,優値是400 ，而Tkf是—163ppm/k。在820°C的燒焙溫度下產生介電 係數是32，優値是1000，而Tkf是—4ppm/k。得出所給 -13- 1224082 五、發明說明（12 ) 値的燒焙過程（燒焙規程）是：在第一升溫階段以2k / m i η 的升溫速度升到500°C，溫度的第一保持時間是30分鐘’ 第二升溫階段以10k/min的升溫速度升溫，溫度的第二保 持時間是5k/min，而冷卻階段以5k/min降到室溫。 使用所述的玻璃陶瓷物件1 1借助於LTCC技術在一個陶 瓷的多層體1中集成進無源的電子元件6和7。電子元件 6、7由元素金屬MeO銀組成。爲了製造多層體1製造一種 複合物，該複合物由玻璃陶瓷物件1 1的陶瓷綠膜和與玻 璃陶瓷物件12不同的陶瓷物件12的Heratape®陶瓷綠膜 構成。通過燒結從具有玻璃陶瓷物件11的陶瓷綠膜產生 陶瓷多層體1的陶瓷層3和4。陶瓷層2和5由 Haratape®陶瓷綠膜產生。在 86〇°c的燒焙溫度 (Har a tape®綠膜的凝縮溫度）複合物調節成玻璃陶瓷物件 的介電係數是3 0，優値是1000，而Tkf是+ 8ppm/k。在 900°C的燒焙溫度下得到的介電係數是28,優値是1 000, 而 T k f 是 + 1 4 2 p p m / k。 符號表： 1 多層體 2 陶瓷層 3 陶瓷層 4 陶瓷層 5 陶瓷層 6 無源的電子元件 -14- 1224082 五、發明說明（13) 7 無源的電子元件 11 玻璃陶瓷物件 12 陶瓷物件 -15-

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 第90 1 2 1 436號「玻璃陶瓷物件及具有其之陶瓷體」專利案 (9 3年8月修正） 六、申請專利範圍 1. 一種玻璃陶瓷物件，其具有： -至少一種有鋇、鈦並且至少一種稀土金屬Rek的氧 化陶瓷，及 -至少一種玻璃材料，該玻璃材料有：至少一種硼的 氧化物；及至少一種四價金屬Me4 +的氧化物，其特徵在 於， -所述玻璃材料有至少一種氧化物，該氧化物有至少 一種稀土金屬Reg， -玻璃陶瓷物件和/或氧化陶瓷和/或玻璃材料中的氧 化鉛成份和/或氧化鎘成份最高在0· 1%，特別是最高lppm -該玻璃陶瓷物件所具有之凝縮溫度不大於850°C。 2. 如申請專利範圍第1項之玻璃陶瓷物件，其中所述玻璃 材料有至少一種氧化物，該氧化物具有由釩，鈮及钽所 形成之至少一種五價金屬Me5+。 3·〜種玻璃陶瓷物件，其具有： 至少一種氧化陶瓷，所述的氧化陶瓷有鋇、鈦和至少 〜種稀土金屬Rek，及 至少一種玻璃材料，所述玻璃材料至少有一種硼的氧 化物， 1224082 六、申請專利範圍 其特徵在於，所述的玻璃材料 -至少有一種氧化物，該氧化物有至少一種五價金屬 Me5+，及 -至少一種氧化物，該氧化物有至少一種稀土金屬 Reg， -玻璃陶瓷物件和/或氧化陶瓷和/或玻璃材料中的氧 化鉛成份和/或氧化鎘成份最高在0.1%，特別是最高lppm -該玻璃陶瓷物件所具有之凝縮溫度不大於8 50°C。 4. 如申請專利範圍第3項之玻璃陶瓷物件，其中玻璃材料 至少具有一種氧化物，該氧化物具有由鈦，鉻及給所形 成之組中之至少一種四價金屬Me4+。 5. 如申請專利範圍第1〜4中任一項之玻璃陶瓷物件，其中 所述氧化陶瓷有一種正式成份BaRek2Ti4012。 6. 如申請專利範圍第1或3項之玻璃陶瓷物件，其中稀土 金屬R e k和/或稀土金屬R e g選自此組元素鑭和/或銳和 /或釤。 7. 如申請專利範圍第1項之玻璃陶瓷物件，其中四價金 屬Me4 +選自此元素組矽和/或鍺和/或錫和/或鈦和/或锆 和/或給。 8. 如申請專利範圍第 3項之玻璃陶瓷物件，其中五價金 屬Me5 +選自此組鉍和/或釩和/或鈮和/或鉅。 9. 如申請專利範圍第1或3項之玻璃陶瓷物件，其中玻璃 1224082 六、申請專利範圍 材料至少有一種氧化物，該氧化物至少有另外一種金屬 Mex，此金屬選自此組鋁和/或鎂和/或鈣和/或緦和/或 鋇和/或銅和/或鋅。 10. 如申請專利範圍第1或3項之玻璃陶瓷物件，其中氧化 陶瓷除了用鋇作二價金屬外還有至少另一種二價金屬 Me2 +之摻雜區。 11. 如申請專利範圍第丨〇項之玻璃陶瓷物件，其中另一種 二價金屬Me2 +選自此組銅和/或鋅。 12. 如申請專利範圍第1或3項之玻璃陶瓷物件，其中1 00 體積％的玻璃陶瓷物件由選自20體積％(含）至60體積％( 含）之間範圍的氧化陶瓷成份，和選自80體積％(含）至 40%(含）之間範圍的玻璃材料成份組成。 13. 如申請專利範圍第1 2項之玻璃陶瓷物件，其中氧化陶 瓷成份選自30體積％(含）至50體積％(含）之間的範圍， 而玻璃成份選自70體積％(含）至50%(含）之間的範圍。 14. 如申請專利範圍第1或3項之玻璃陶瓷物件，其中氧化 陶瓷和/或玻璃材料有一種中粒度的粉末，其範圍選擇 在0.8微米（含）至3.0微米（含）之間。 15. 如申請專利範圍第1 3項之玻璃陶瓷物件，其中玻璃陶 瓷物件和/或氧化陶瓷和/或玻璃材料中的氧化鉛成份和 /或氧化鎘成份最高在0.1%，特別是最高lppm。 16. 如申請專利範圍第1 5項之玻璃陶瓷物件，其中所述陶 瓷物件有最高850°C的凝縮溫度，並且特別是最高800 1224082 六、申請專利範圍 °c的凝縮溫度。 Γ7.如申請專利範圍第1 6項之玻璃陶瓷物件，其中所述陶 瓷物件有選自15(含）至80(含）的範圍之介電係數；選 自300 (含）至5000(含）的優値；和選自-20ppm/k(含）至 + 20ppm/k(含）範圍的Tkf値。 18. —種陶瓷體，其特徵爲具有如申請專利範圍第1或3項 之玻璃陶瓷物件。 19. 如申請專利範圍第1 8項之陶瓷體，其中陶瓷體至少有 一種選自此組金和/或銀和/或銅的元素金屬Me。 2〇.如申請專利範圍第1 8或1 9項之陶瓷體，其中所述的陶 瓷體是一種陶瓷多層體。 -4-