TWI223483B - Semiconductor laser apparatus - Google Patents

Description

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發明所屬之技術領域 本發明有關於一種將半導體雷射元件配置 半導體雷射裝置。 、丞座上的 先前技術 半導體雷射係利用於各種用途。將半導體雷射元件 (LD chip)搭载在突出於稱為基座（stem)的基台上之 、鬼狀部上的微細雷射光頭（head )使用於光記錄用。於該 光頭’雷射光從半導體雷射元件端部的發光點，相對於基 主的面，垂直上方射出。在此狀況下，半導體雷射元件配 置於桿面的上方。由於半導體雷射元件的長度大約1毫 米’所以從桿面到發光點的高度約1. 2 7毫米。 · 而且’在習知的半導體雷射中，雷射元件支持於桿的 上方（例如，參照專利文獻一）。 ^ 近年來’為了作為高密度的光記錄用，半導體雷射進 V到=波長化及高輸出化，半導體雷射元件開發為短波長 化及南輸出化。一方面，要求機械的小型化，雷射光頭的 ^組成構件亦要求小型化。具體而言，搭載半導體雷射元 4的基座的面到發光點的高度被降低，同時也抑制基座的 鬲度。 專利文獻一：特開平9-232684號 籲 發明内容 發明欲解決之課題 伴隨上述半導體雷射元件的高輸出化，半導體雷射元 件内共振器的長度有變長的傾向。在習知的半導體雷射裝

五、發明說明（2) 水如上所述之基座上由於搭載有半導體雷射元件，為 使發光點高度降低為約1毫米 導趙雷射元件。 愛水，而僅搭載約1毫米長度的半 可搭ίί長= 在於提供一種半導體雷射裝置’ 成一定的發光點高度Γ '70件之同時’不管長度而可調整 解決課題的手段 裝置，包括：-基座，具有-主 從上述主面突出部之同時’具有鄰接於上述凹部而 述凹部的i、t^ a狀部；一小裝配構件，設置於面向上 於上上；-半導體雷射元件，在垂直 面的交點為0，上、+ /上從主面算起的距離中，垂線與主 下，在上什，壯述主面内側為負號，外側為正號的情況 正號及負^ 配構件上，兩端部從上述主面起的距離為 實施方式端子’與上述半導體雷射元件連接。 元件而必須，^ ^經過做說明。f知係對應於半導體雷射 搭載的半導^ φ衣作保持雷射光頭長度的基座。又，若所 更拾光（Pick田射7°件變長，由於發光點變高，有必要變 半導體雷射裝fUP)側的設計。於此，本發明欲提供一種< 較長的半導體φ不改變基座面到發光點的高度而可使用 明之目的。以每射元件，經過種種檢討的結果而達到本發 式做說明。而I針對本發明的半導體雷射裝置，用附加圖 ’在圖面上，同一構件給予同一符號。

1223483 五、發明說明（3) 第一實施形態 針對本發明之第一實施形態的半導體雷射裝置，用第 1圖做說明。第1圖為表示該半導體雷射裝置丨〇的構造的示 意圖。該半導體雷射裝置1〇具有供搭載半導體元件（LD) 的基座1。基座1由厚壁的圓板形的鐵（Fe)構成，在主面 上具有凹部5，並具有塊狀部7，鄰接於凹部5而從該主面 向外。卩犬出。一方面’面向塊狀部7的凹部5之同時，在垂 直於主面的面上，經由氮化鋁< A 1N )組成的小裝配構件 (submount )半導體雷射元件3的兩端部6a、6b從凹部5的 内側橫越至主面的外側。更詳細地說明，在垂直於上述主_ 面的垂線方向上從主面算起的距離中，垂線與主面的交點 為〇 ’上述主面内側為負號，外側為正號的情況下，半導 體雷射元件3的兩端部6a、6b與主面的距離分別為正號及 負號。凹部5設於該主面上，面對該凹部的塊狀部的面上 配置有半導體雷射元件3，凹部5的深度可比配置半導體雷 射元件3的長度長。於此，兩端部的間隔L即使在使用長的 半導體雷射元件3的狀況下，從主面算起發光點高度h2及 塊狀部高度h 1保持一定低之同時，無須變更拾光側的設 計’不會使熱擴散性劣化。而且，在基座1的裡面，具有 與上述半導體雷射元件3連接的三根端子4。 _ 又’在構成凹部5的底面上，設有相對於主面傾斜的 傾斜面8。從半導體雷射元件3的另一方的發光點6b射出的 雷射光以傾斜面8反射於傾斜方向，而不返回發光點6 b。 藉由設置傾斜面8，不會產生返回光所造成的雜訊

2065-5860-PF(Nl).ptd 第7頁 1223483 五、發明說明（4) (external feedback noise 第一"貫施形態 針對本發明第二實施形態的半導體雷射裝置，用第2 圖做說明。第2圖表示該半導體雷射裝置1〇的構造的示魚 圖。該半導體雷射裝置1 0與第一實施形態的半導體雷射^ 置做比較，不同點在於使用長度約i毫米的短半導體雷射、 元件3，塊狀體高度hl為！毫米，發光點仏離基座1之主面 的南度h2為〇·8毫米。即使在此狀況下，由於從設於主面 的凹部5的内側向主面的外側配置半導體雷射元件3，使發 光點6a的高度h2仍比半導體雷射元件3的長度l低。 第二實施形態 |對本發明第二實施形態的半導體雷射裝置，用第3 圖做說明。第3圖表示該半導體雷射裝置20的構造的示意 η半導體雷射裝置2〇與第一實施形態的半導體雷射； 較，不同點為基座1的塊狀部與基座1為個別的構 熱傳導率比基座1高，例如用銅製的塊狀 南熱傳導率的塊狀部頭丨7可使放熱性提升。 第四實施形態 圖做=本明:：實施形態的半導體雷射裝置，用第4. 圖。哼丰莫Ζ圖表示該半導體雷射裝置20的構造的示意《 置做雷射裝置20與第三實施形態的半導體雷射裝 元件3，狀不點在於使用長度約1毫米的短半導體雷射 的高度匕2為^:度Μ為1毫米，發光點6a離基座1之主面 ' 宅米。在此狀態下亦使用高熱傳導率的塊

U23483 五、發明說明（5) 狀部頭1 7而可使放熱性提升。 發明之效果 ^ 在本發明之半導體雷射裝置中，基座的主面上設有凹 ’在該主面上，更具有鄰接於凹部而突出的塊狀部。 又’在面向該凹部的塊狀部的面上，經由小裝配構件，半 導體雷射元件的兩端部構成凹部的内側及主面的外側。如 此將凹部設於主面，藉由在面向該凹部的塊狀部的面上配 置半導體元件，凹部的深度可比配置半導體雷射元件 2。於此’即使在兩端部的間隔用長半導件2 场合，發光點離主面的高度及塊狀部高度保 —件的 時，無須變更拾光側的設計，並使熱擴散性不會2,同鲁

2065-5860-PF(Nl).ptd 第9頁 1223483 圖式簡單說明 第1圖為本發明第一實施形態之半導體雷射裝置之構 造的示意圖。 第2圖為本發明第二實施形態之半導體雷射裝置之構 造的示意圖。 第3圖為本發明第三實施形態之半導體雷射裝置之構 造的示意圖。 第4圖為本發明第四實施形態之半導體雷射裝置之構 造的示意圖。 符號說明 1〜基座； 2〜小裝配構件； ⑩ 3〜半導體雷射元件；4〜端子； 5〜凹部； 6 a、6 b〜發光點； 7〜塊狀部； 8〜傾斜面； 10、20〜半導體雷射裝置； 17〜金屬塊； L〜半導體雷射元件長度； h 1〜塊狀部高度； h 2〜發光點高度。

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Claims (1)

1223483 申請專利範圍 1· 一種半導體雷射裝置，包括·· 基座’具有一主面，在上述主面具有凹部之同時 具有鄰接於上述凹部而從上述主面突出的塊狀部； 一小裝配構件，設置於面向上述凹部的上述塊狀部的 面上； f導體雷射元件，在垂直於上述主面的垂線方向· 從主面算起的距離中，垂線與主面的交點為0，上述主面 t側ί 外側為正號的情況下，在上述小裝配構件 ’一她I從上述主面起的距離為正號及負號； 一，1，與上述半導體雷射元件連接。 其 中構成二凹，的底面係相對於上= 装 中上述：以：：：口二半導體雷射裝置 你由與上述基座相異之材質構成。