JP2011187525A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体レーザ装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011187525A
JP2011187525A JP2010048704A JP2010048704A JP2011187525A JP 2011187525 A JP2011187525 A JP 2011187525A JP 2010048704 A JP2010048704 A JP 2010048704A JP 2010048704 A JP2010048704 A JP 2010048704A JP 2011187525 A JP2011187525 A JP 2011187525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
semiconductor laser
lens
lens fixing
laser device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010048704A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011187525A5 (ja
Inventor
Yoshiaki Takenaka
義彰 竹中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2010048704A priority Critical patent/JP2011187525A/ja
Publication of JP2011187525A publication Critical patent/JP2011187525A/ja
Publication of JP2011187525A5 publication Critical patent/JP2011187525A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】本発明は半導体レーザ装置および、その製造方法に関するもので、コストを下げることを目的とするものである。
【解決の手段】そして、この目的を達成するために本発明は、基台7と、この基台7上に配置された半導体レーザ素子1と、この半導体レーザ素子1のレーザ光出射部1aに、そのレーザ光入射側が対向配置されたロッドレンズ3と、このロッドレンズ3のレーザ光出射側に対向配置されたれファイバアレイ6とを備え、前記ロッドレンズ3は、鉄とニッケルを含む合金で形成されたレンズ固定台4を介して、前記基台7上に固定された構成とした。
【選択図】図1

Description

本発明は半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである。
近年、電気入力に対するレーザ発振出力の変換効率の高さから半導体レーザ装置を、固体レーザの励起光として、あるいは直接加工光源として利用するニーズが高まっている。
図5は従来例を示し、基台101と、この基台101上に配置された半導体レーザ素子102と、この半導体レーザ素子102のレーザ光出射部102aに、そのレーザ光入射側が対向配置されたコリメートレンズ103と、このコリメートレンズ103のレーザ光出射側に対向配置されたれレーザ光伝送体104とを備えた構成となっていた(これに類似する構成は例えば下記特許文献1に記載されている)。
特開平5−93828号公報
従来の半導体レーザ装置において、コリメートレンズ103は、レンズ固定台105を介して、前記基台101上に固定されているが、このレンズ固定台105は、半導体レーザ素子102のレーザ光出射部102aからのレーザ光出射による温度上昇が発生した時でも、熱膨張が小さいことが重要となる。
すなわち、前記レーザ光出射等による温度上昇が発生した時に、このレンズ固定台105が大きく熱膨張した状態となると、半導体レーザ素子102のレーザ光出射部102aと、コリメートレンズ103と、レーザ光伝送体104との配置関係が崩れ、その結果としてレーザ光の伝送効率が低下してしまうからである。
そこで、従来例では、レンズ固定台105を、熱膨張係数の小さな石英によって形成している。
しかしながら、石英は、材料としても高価な上、脆性材料のため加工も困難であるため、結論としてレンズ固定台105は高価になり、それにともなって半導体レーザ装置も高価になってしまうと言う課題があった。
そこで、本発明は、コストを低下することを目的とするものである。
そして、この目的を達成するために本発明は、基台と、この基台上に配置された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のレーザ光出射部に、そのレーザ光入射側が対向配置されたコリメートレンズと、このコリメートレンズのレーザ光出射側に対向配置されたレーザ光伝送体とを備え、前記コリメートレンズは、鉄とニッケルを含む合金で形成されたレンズ固定台を介して、前記基台上に固定された構成とし、これにより所期の目的を達成するものである。
以上のように、本発明は、基台と、この基台上に配置された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のレーザ光出射部に、そのレーザ光入射側が対向配置されたコリメートレンズと、このコリメートレンズのレーザ光出射側に対向配置されたレーザ光伝送体とを備え、前記コリメートレンズは、鉄とニッケルを含む合金で形成されたレンズ固定台を介して、前記基台上に固定された構成としたものであるので、そのコストを下げることができる。
すなわち、レンズ固定台を、鉄とニッケルを含む合金で形成すると、このレンズ固定台の熱膨張率を小さなものとすることができるので、前記レーザ光出射等による温度上昇が発生した時でも、このレンズ固定台が大きく熱膨張せず、その結果として、半導体レーザ素子のレーザ光出射部と、コリメートレンズと、レーザ光伝送体との配置関係が大きく崩れることはなく、レーザ光の伝送効率低下も抑制することができる。
また、レンズ固定台を、鉄とニッケルを含む合金で形成すると、その加工が簡単になるだけでなく、このレンズ固定台自体が安価で、しかもこのレンズ固定台を基台上に固定することも簡単に行えるようになるので、その結果としてコストを下げることができるのである。
本発明の実施の形態1における半導体レーザ装置の斜視図 (a)本発明の実施の形態2における半導体レーザ装置の斜視図(b)そのレンズ固定台の形状を示す正面図 (a)本発明の実施の形態3におけるレンズ固定台の形状を示す正面図(b)その背面図 本発明の実施の形態4におけるレンズ固定台の形状を示す正面図 従来の半導体レーザ装置を示す斜視図
(実施の形態1)
図1において、1はレーザ光を出射する半導体レーザ素子、2は前記半導体レーザ素子1を冷却するヒートシンク、3は前記半導体レーザ素子1のレーザ光出射部1aから出射されたレーザ光をコリメートするためのコリメートレンズの一例として用いたロッドレンズである。
また、4は前記ロッドレンズ3を固定するためのレンズ固定台、5は前記ロッドレンズ3と前記レンズ固定台4を接着固定するための接着剤である。
また、6は前記ロッドレンズ3によりコリメートされたレーザ光が入射するレーザ光伝送体の一例として用いたファイバアレイである。
さらに、7は前記半導体レーザ素子1、前記ヒートシンク2、前記ロッドレンズ3、前記レンズ固定台4、前記接着剤5、前記ファイバアレイ6等を取り付けるための基台である。
前記基台7は、上面が開口した皿状(図5の従来例参照)となっており、その上面にヒートシンク2が固定され、このヒートシンク2上に半導体レーザ素子1が固定されている。
また、この半導体レーザ素子1のレーザ光出射部1aに、ロッドレンズ3のレーザ光入射側が対向配置され、さらに、このロッドレンズ3のレーザ光出射側に、ファイバアレイ6対向配置された構造となっている。
つまり、基台7上において、この半導体レーザ素子1、ロッドレンズ3、ファイバアレイ6が、所定空間をおいて、直線状に配置されているのである。
また、そのように、半導体レーザ素子1、ロッドレンズ3、ファイバアレイ6が直線状配置されるようにするために、前記ロッドレンズ3を、レンズ固定台4を介して、前記基台7上に固定している。
具体的には、先ず、基台7は、この図1に示すように、その半導体レーザ素子1とファイバアレイ6間部分を境に、半導体レーザ素子1側が平面状の上段面7a、ファイバアレイ6側が平面状の下段面7b、また上段面7aと下段面7b間が垂直壁7cとなっている。
そして、上段面7a上には、板状のヒートシンク2を介して半導体レーザ素子1が固定されており、また、下段面7bには、レンズ固定台4が固定されている。
レンズ固定台4は、この図1に示すように、水平方向に伸びた角柱状の基台固定部4aと、このレンズ固定台4の両端から上方に立ち上がった固定腕4bと、この固定腕4bの上面で形成された平面状のレンズ固定部4cとを有する構成となっている。
したがって、レンズ固定台4の基台固定部4aを、下段面7b上を垂直壁7cに当接するまでスライド移動後に、ここで非光硬化型の接着剤、例えば熱硬化型接着剤(図示せず)を用いて接着固定すれば、レンズ固定台4は基台7の上面の所定部分に簡単に位置決め固定が行える。
レンズ固定部4cは、図1に示すごとく、固定腕4bから半導体レーザ素子1側に突出することで、この固定腕4bよりは、半導体レーザ素子1方向の面積を大きくしており、その状態でロッドレンズ3の両端を接着剤5によってレンズ固定部4c上面に固定している。
以上のように構成された半導体レーザ装置について、その動作を説明する。
電源装置(図示せず)から半導体レーザ素子1に電力が供給されると、この半導体レーザ素子1のレーザ光出射部1aからレーザ光が、ロッドレンズ3に向けて出射される。
レーザ光はロッドレンズ3によりコリメートされ、ファイバアレイ6に向けて出射され、その後、ファイバアレイ6から基台7外部に導光され、固体レーザの励起光や直接加工光源として利用される。
上述のごとく、半導体レーザ素子1に電力が供給されると、半導体レーザ素子1は発振し、それによりレーザ光出射部1aからレーザ光が、ロッドレンズ3に向けて出射されるが、その時、この半導体レーザ素子1は発熱することになる。
また、レーザ光出射部1aからレーザ光が、ロッドレンズ3に向けて出射されると、レーザ光や、その散乱光により、基台7上の空間は加熱されることになる。
もちろん、その時には、基台7を冷却媒体により冷却したり、ヒートシンク2に直接冷却媒体を循環させたりすることにより、半導体レーザ素子1や基台7上の空間を冷却し、温度上昇を抑制する構造となっているが、ある程度の温度上昇は発生する。
この温度上昇により、半導体レーザ素子1とロッドレンズ3の位置関係が変化すると、ファイバアレイ6への光結合効率の低下や、ビーム品質が悪化するため、半導体レーザ素子1とロッドレンズ3の位置関係は、基台7上の空間の温度変化によらず、実用上常に一定である必要がある。
そこで本実施形態では、レンズ固定台4を、熱膨張率が小さく、加工性が優れている鉄とニッケルを含む合金、例えばインバー合金で、形成した。
このように、レンズ固定台4を、熱膨張率が小さいインバー合金で形成すれば、上述した温度上昇が発生しても、このレンズ固定台4が大きく熱膨張せず、その結果として、半導体レーザ素子1のレーザ光出射部1aと、ロッドレンズ3との配置関係は、大きく崩れることはなく、レーザ光の伝送効率低下も発生しない。
また、ロッドレンズ3とファイバアレイ6との直線状態も大きく崩れることはなく、この部分でも、レーザ光の伝送効率低下も発生しない。
さらに、レンズ固定台4を、インバー合金で形成すると、その加工が簡単になるだけでなく、このレンズ固定台4自体が安価で、しかもこのレンズ固定台4を基台7上に固定することも簡単に行えるようになるので、その結果としてコストを下げることができる。
本実施形態においては、先ず、このようにしてレンズ固定台4を、基台7上に固定し、次に、ロッドレンズ3の位置を、半導体レーザ素子1に対して調整し、その後ロッドレンズ3をレンズ固定台4に接着剤5で固定する。
なお、本実施の形態においてはレンズ固定台4と基台7とを直接固定としているが、レンズ固定台4と基台7の間には別の部材を介して間接的に固定してもよい。
また、レンズ固定台4の基台固定部4aを、基台7に、ネジ(図示せず)を用いてネジ固定しても良いし、さらにレンズ固定台4の基台固定部4aを、基台7に、ロウ剤を用いてロウ付け固定しても良いし、さらにまた、レンズ固定台4の基台固定部4aを、基台7に、溶接固定しても良い。
なお、この実施形態では、前記基台7上にヒートシンク2を介して半導体レーザ素子1を固定したが、基台7上に半導体レーザ素子1を直接固定しても良い。
(実施の形態2)
図2は本発明の実施の形態2を示し、図1に示した、実施の形態1と同一箇所については、同一の符号を付して詳細を簡略化する。
本実施の形態2においては、レンズ固定台4のレンズ固定部4dは、凹形状とし、この凹部内に、ロッドレンズ3の一部を、この凹部内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このロッドレンズ3の外表面と、前記凹部内壁面との間には接着剤5を介在させた状態としている。
なお、凹形状のレンズ固定部4dは、基台7に対して直交する方向(上方)に開口部を有する構成となっているので、接着剤5やロッドレンズ3は上方から、この凹形状のロッドレンズ固定部4d内に配置される。
本実施形態において、ロッドレンズ3をレンズ固定台4のレンズ固定部4dに接着固定する場合、接着剤5が硬化の際、硬化収縮するので、ロッドレンズ3が移動する可能性がある。
しかしながら、本実施形態では、レンズ固定台4のレンズ固定部4dを、凹形状とし、この凹部内に、ロッドレンズ3の一部を、この凹部内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このロッドレンズ3の外表面と、前記凹部内壁面との間には接着剤5を介在させた状態としている。
このため、接着剤5の硬化収縮は矢印8の方向(凹部内壁面に向けて)となり、この場合には、ロッドレンズ3両側のX軸方向は互いの収縮力を打ち消し合うことになるので、接着剤5の硬化収縮によるX軸方向のロッドレンズ3の移動を抑制することができる。
なお、本実施の形態においては、レンズ固定部4dを、図2のごとく矩形状としたが、このレンズ固定部4dは、ロッドレンズ3の両側(Y軸)に対称な形状であれば、例えばV字状でも、U字状でも良い。
(実施の形態3)
図3は本発明の実施の形態3を示し、図1、図2に示した、実施の形態1、2と同一箇所については、同一の符号を付して詳細を簡略化する。
本実施の形態3においては、レンズ固定台4のレンズ固定部4eは、基台に対して平行方向に開口部を有する凹形状とし、この凹部内に、ロッドレンズ3の一部を、この凹部内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このロッドレンズ3の外表面と、前記凹部内壁面との間には接着剤5を介在させた状態としている。
このため、接着剤5の硬化収縮は矢印9の方向(凹部内壁面に向けて)となり、この場合には、ロッドレンズ3両側のY軸方向は互いの収縮力を打ち消し合うことになるので、接着剤5の硬化収縮によるY軸方向のロッドレンズ3の移動を抑制することができる。
なお、本実施の形態においては、レンズ固定部4eを、図3のごとく矩形状としたが、このレンズ固定部4eは、ロッドレンズ3の上下側(X軸)に対称な形状であれば、例えば横向きのV字状でも、横向きのU字状でも良い。
(実施の形態4)
図4は本発明の実施の形態4を示し、図1〜図3に示した、実施の形態1〜3と同一箇所については、同一の符号を付して詳細を簡略化する。
本実施の形態4においては、レンズ固定台4のレンズ固定部4fは、貫通孔により形成し、この貫通孔内に、ロッドレンズ3の一部を、この貫通孔内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このロッドレンズ3外表面と、前記貫通孔内壁面との間には接着剤5を介在させた状態としている。
このため、接着剤5の硬化収縮は矢印10の方向(凹部内壁面に向けて)となり、この場合には、ロッドレンズ3のX軸両側方向、Y軸両側方向は互いの収縮力を打ち消し合うことになるので、接着剤5の硬化収縮によるX軸方向、Y軸方向のロッドレンズ3の移動を抑制することができる。
なお、本実施の形態においては、レンズ固定部4fを、図4のごとく円形状としたが、このレンズ固定部4fは、ロッドレンズ3のX軸方向、Y軸方向に対称な形状であれば、例えば長円状や、菱形状等でも良い。
本発明の半導体レーザ装置は、レンズ固定台を安価に作成することができるため、半導体レーザモジュールを低コスト化することが可能であり、半導体レーザ光を直接加工に使用するレーザ装置や半導体レーザ光を励起光とするレーザ装置などに有用である。
1 半導体レーザ素子
1a レーザ光出射部
2 ヒートシンク
3 ロッドレンズ
4 レンズ固定台
4a 基台固定部
4b 固定腕
4c,4d,4e,4f レンズ固定部
5 接着剤
6 ファイバアレイ
7 基台
8,9,10 矢印

Claims (17)

  1. 基台と、この基台上に配置された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のレーザ光出射部に、そのレーザ光入射側が対向配置されたコリメートレンズと、このコリメートレンズのレーザ光出射側に対向配置されたレーザ光伝送体とを備え、前記コリメートレンズは、鉄とニッケルを含む合金で形成されたレンズ固定台を介して、前記基台上に固定された構成の半導体レーザ装置。
  2. レンズ固定台は、このレンズ固定台を、基台に固定するための基台固定部と、このレンズ固定台に、コリメートレンズを固定するためのレンズ固定部とを有する請求項1に記載の半導体レーザ装置。
  3. レンズ固定台の基台固定部を、基台に、非光硬化型の接着剤を用いて接着固定した請求項2に記載の半導体レーザ装置。
  4. レンズ固定台の基台固定部を、基台に、ネジを用いてネジ固定した請求項2に記載の半導体レーザ装置。
  5. レンズ固定台の基台固定部を、基台に、ロウ剤を用いてロウ付け固定した請求項2に記載の半導体レーザ装置。
  6. レンズ固定台の基台固定部を、基台に、溶接固定した請求項2に記載の半導体レーザ装置。
  7. レンズ固定台のレンズ固定部は、凹形状とし、この凹部内に、コリメートレンズの一部を、この凹部内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このコリメートレンズ外表面と、前記凹部内壁面との間には接着剤を介在させた請求項2から6のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。
  8. レンズ固定台のレンズ固定部は、基台に対して直交する方向に開口部を有する請求項7に記載の半導体レーザ装置。
  9. レンズ固定台のレンズ固定部は、基台に対して平行方向に開口部を有する請求項7に記載の半導体レーザ装置。
  10. レンズ固定台のレンズ固定部は、貫通孔により形成し、この貫通孔内に、コリメートレンズの一部を、この貫通孔内壁面とは非接触状態で配置するとともに、このコリメートレンズ外表面と、前記貫通孔内壁面との間には接着剤を介在させた請求項2から6のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。
  11. レンズ固定台は、インバー合金により形成した請求項1から10のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。
  12. 半導体レーザ素子は、ヒートシンクを介して基台上に配置した請求項1から11のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。
  13. 基台と、この基台上に配置された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のレーザ光出射部に、そのレーザ光入射側が対向配置されたコリメートレンズと、このコリメートレンズのレーザ光出射側に対向配置されたれレーザ光伝送体とを備え、前記コリメートレンズは、鉄とニッケルを含む合金で形成されたレンズ固定台を介して、前記基台上に固定された構成の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記基台上に前記レンズ固定台を固定する第1のステップと、前記第1のステップの後に前記レンズ固定台と前記コリメートレンズとを固定する第2のステップとを、備えた半導体レーザ装置の製造方法。
  14. 第2のステップにおいて、レンズ固定台を、基台上に、非光硬化型接着剤により接着固定する請求項13に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  15. 第2のステップにおいて、レンズ固定台を、基台上に、ネジを用いてネジ固定する請求項13に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  16. 第2のステップにおいて、レンズ固定台を、基台上に、ロウ剤を用いてロウ付け固定する請求項13に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  17. 第2のステップにおいて、レンズ固定台を、基台上に、溶接固定する請求項13に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
JP2010048704A 2010-03-05 2010-03-05 半導体レーザ装置およびその製造方法 Pending JP2011187525A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010048704A JP2011187525A (ja) 2010-03-05 2010-03-05 半導体レーザ装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010048704A JP2011187525A (ja) 2010-03-05 2010-03-05 半導体レーザ装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011187525A true JP2011187525A (ja) 2011-09-22
JP2011187525A5 JP2011187525A5 (ja) 2012-12-20

Family

ID=44793516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010048704A Pending JP2011187525A (ja) 2010-03-05 2010-03-05 半導体レーザ装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011187525A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015153840A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 三菱電機株式会社 レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置
WO2023027096A1 (ja) * 2021-08-26 2023-03-02 三菱電機株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0593828A (ja) * 1990-11-16 1993-04-16 Spectra Physics Laser Diode Syst Inc 多重エミツタレーザダイオードをマルチモード光フアイバに結合するための装置
JPH0677608A (ja) * 1992-07-10 1994-03-18 Fujitsu Ltd レーザダイオードモジュール
JPH09113832A (ja) * 1995-08-11 1997-05-02 Hitachi Koki Co Ltd 光走査装置
JPH09183247A (ja) * 1995-12-22 1997-07-15 Eastman Kodak Co レーザー印刷ヘッドの製造方法
JP2001208941A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Hitachi Koki Co Ltd 光ファイバ結合光学系
JP2003161701A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Olympus Optical Co Ltd 照明装置
JP2003215406A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Kyocera Corp 半導体レーザモジュールとその製造方法
JP2003344719A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機
JP2004029161A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Ntt Electornics Corp 光半導体素子モジュール
JP2004034257A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 円柱体ホルダ
JP2004055634A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Topcon Corp 半導体レーザ装置
JP2004094033A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Corp 光通信モジュール及びその製造方法
JP2010021250A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 光通信用パッケージ

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0593828A (ja) * 1990-11-16 1993-04-16 Spectra Physics Laser Diode Syst Inc 多重エミツタレーザダイオードをマルチモード光フアイバに結合するための装置
JPH0677608A (ja) * 1992-07-10 1994-03-18 Fujitsu Ltd レーザダイオードモジュール
JPH09113832A (ja) * 1995-08-11 1997-05-02 Hitachi Koki Co Ltd 光走査装置
JPH09183247A (ja) * 1995-12-22 1997-07-15 Eastman Kodak Co レーザー印刷ヘッドの製造方法
JP2001208941A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Hitachi Koki Co Ltd 光ファイバ結合光学系
JP2003161701A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Olympus Optical Co Ltd 照明装置
JP2003215406A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Kyocera Corp 半導体レーザモジュールとその製造方法
JP2003344719A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機
JP2004029161A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Ntt Electornics Corp 光半導体素子モジュール
JP2004034257A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 円柱体ホルダ
JP2004055634A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Topcon Corp 半導体レーザ装置
JP2004094033A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Corp 光通信モジュール及びその製造方法
JP2010021250A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 光通信用パッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015153840A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 三菱電機株式会社 レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置
WO2023027096A1 (ja) * 2021-08-26 2023-03-02 三菱電機株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2716066C (en) Light source device
JP6459296B2 (ja) 発光モジュール及び多チャネル発光モジュール
KR101623651B1 (ko) 레이저 광원 모듈 및 레이저 광원 장치
JP5511944B2 (ja) レーザ装置
KR20100120301A (ko) 레이저 광원 모듈
CN102822710B (zh) 激光装置及其制造方法
US9341793B2 (en) Light source device
JP2000277843A (ja) 半導体レーザモジュールとその製造方法
TWI661627B (zh) 光纖冷卻裝置及雷射振盪器
JP2011187525A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
CA2717476C (en) Optical module
CN217882279U (zh) 光纤耦合激光模块
CN111264007B (zh) 激光光源装置及其制造方法
JP2016092319A (ja) 面発光型光源およびレーザー装置
JP6042083B2 (ja) 半導体レーザモジュール及びその製造方法
JP2016111133A (ja) 光源デバイス及び光源装置
JP6130427B2 (ja) レーザモジュール
JP6678956B2 (ja) レーザ装置、レーザ増幅器及びレーザ発振器
JP2004273545A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザシステムおよび半導体レーザ装置の製造方法
KR20150064109A (ko) 포커싱/광학 없는 길쭉한 고체 레이저의 레이저 다이오드 사이드 펌핑
JP2005243659A (ja) 半導体レーザ装置
JP4094478B2 (ja) 半導体レーザモジュールにおける光ファイバアレイとレーザダイオードアレイとを調心する方法および半導体レーザモジュール
JP2014202902A (ja) ホルダ、レーザ発振装置及びレーザ加工機
JPWO2016208703A1 (ja) 光ファイバ保持装置及びこれを有するレーザ発振器
RU56075U1 (ru) Твердотельный лазер

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121106

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121106

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20121218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131022

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131118

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20140107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140304