JP2003344719A - レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 - Google Patents
レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機Info
- Publication number
- JP2003344719A JP2003344719A JP2002152309A JP2002152309A JP2003344719A JP 2003344719 A JP2003344719 A JP 2003344719A JP 2002152309 A JP2002152309 A JP 2002152309A JP 2002152309 A JP2002152309 A JP 2002152309A JP 2003344719 A JP2003344719 A JP 2003344719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- rod lens
- laser bar
- concentrator
- bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
ザビームを効率良く入射させ、かつ半導体レーザバーを
効率的に冷却可能なレーザ集光機用保持具を提供する。 【解決手段】 保持部材20に台形の突起状とされた第
1の位置決め部24と、二つの突起28の間に凹部29
を有する第2の位置決め部26を一体的に設ける。ロッ
ドレンズ14は、凹部29に嵌め込むことで位置決めで
きる。半導体レーザバー12は、第1の位置決め部24
の頂部に活性層側を向けて配置すれば、高さ方向の位置
決めは終了し、後は、半導体レーザバー12とロッドレ
ンズ14との距離を設定するだけでレーザ集光機10に
おける半導体レーザバー12とロッドレンズ14との位
置決めを簡単に終了することができる。半導体レーザバ
ー12は、発熱源である活性層側を保持部材20に接触
させているので冷却効率が良い。
Description
ムを光回路等の導波系に向けて出射するレーザ集光機に
係り、特に、複数の発光部が一列に並んだ半導体レーザ
バーからの出射光を、光ファイバや光回路等の導波系に
最小限の調整だけで効率良く入射させるためのレーザ集
光機に関する。
レーザビームを1個に集束して出射する光結合装置が特
開平11−346028号公報等に提案されている。
光結合装置では、半導体レーザバーから出射されたレー
ザビームをマイクロレンズで集光し、光導波路の入射口
に入射させているが、これを実際に実現するためには、
半導体レーザバーとマイクロレンズ及び光導波路の光軸
を一致させ、かつこれらの部品を決った位置に配置し固
定する必要がある。
11−346028号公報には、そのための方策につい
て記載がなく、実際に複数のレーザビームを1個に集束
して出射することは困難であった。
は、複数のマイクロレンズの代りに1個のシリンドリカ
ルレンズを用いる装置が提案されているが、同様に部品
を決った位置に配置し固定するための方策について記載
がなく、実際に複数のレーザビームを1個に集束して出
射することは困難であった。
導体レーザバーの発熱が大きくなり、効率的に半導体レ
ーザバーを冷却する必要があるが、効率的に半導体レー
ザバーを冷却する方法は未だ提案されていなかった。
もので、半導体レーザバー及びロッドレンズの位置決め
が容易であり、光ファイバや光回路等の導波系に最小限
の調整だけでレーザビームを効率良く入射させ、かつ半
導体レーザバーを効率的に冷却可能なレーザ集光機用保
持具、及びレーザ集光機を提供することが目的である。
に請求項1に記載の発明は、レーザビームを出射する光
放出部を有する活性層を半導体基板上に備え、複数の光
放出部を直線状に配置した半導体レーザバーと、前記半
導体レーザバーのレーザビーム出射側に設けられ、導波
系の入射部に向けてレーザービームを出射するロッドレ
ンズと、を保持するレーザ集光機用保持具であって、前
記半導体レーザバーの活性層側表面に接触して前記半導
体レーザバーの位置決めを行う第1の位置決め部と、前
記ロッドレンズに接触して前記ロッドレンズの位置決め
を行う第2の位置決め部と、を一体的に設けたことを特
徴としている。
持具の作用を説明する。
は、半導体レーザバーの位置決めを行う第1の位置決め
部と、ロッドレンズの位置決めを行う第2の位置決め部
とを一体的に備えているので、半導体レーザバーとロッ
ドレンズとを各々所定の位置に設置するだけで両者の相
対的な位置関係が最適になる。
に比較して極めて薄いため、半導体基板の厚み誤差より
も活性層の厚み誤差は極めて小さいものとなる。
は、半導体レーザバーの活性層側を第1の位置決め部に
接触させるので、半導体基板の厚み誤差を無視すること
ができ、半導体基板を第1の位置決め部に接触させるよ
りも精度良く位置決めすることができる。
た複数のレーザービームをロッドレンズに入射させ、ロ
ッドレンズを通過したレーザビームを導波系の入射部に
入射させることができる。
の出射時に発熱するが、発生した熱は第1の位置決め部
を介してレーザ集光機用保持具全体に伝達され放熱され
る。
側から放熱を行うので、半導体基板を介して放熱するよ
りも効率的に放熱することができ、冷却対策が容易にな
る。
のレーザ集光機用保持具において、前記保持手段は、平
板状の基部を備え、前記第1の位置決め部は、前記基部
の片面に一体的に設けられ前記半導体レーザバーの活性
層側表面に頂部を接触させて前記片面から前記半導体レ
ーザバーを離間させる突起であり、前記第2の位置決め
部は、前記片面に一体的に設けられ、前記ロッドレンズ
を嵌め込む凹部である、ことを特徴としている。
持具の作用を説明する。
は、半導体レーザバーを基部の片面より突起の高さ分だ
け浮かせることができるので、半導体レーザバーから出
射されるレーザビームが拡散する場合であっても、該レ
ーザビームは保持具表面でけられることなくロッドレン
ズへ入射できる。
ることにより、半導体レーザバーを第1の位置決め部に
載せて半田で接合する場合、余剰の半田が半導体レーザ
バーの上面である基板側に回り込んでショートする事を
防止できる。
とにより容易に位置決めすることができる。
1または請求項2に記載のレーザ集光機用保持具に、レ
ーザビームを出射する光放出部を有する活性層を半導体
基板上に備え、複数の光放出部を直線状に配置した半導
体レーザバーと、導波系の入射部に向けてレーザービー
ムを出射するロッドレンズと、を位置決め固定したこと
を特徴としている。
用を説明する。
体レーザバーから出射した複数のレーザービームをロッ
ドレンズに入射させ、ロッドレンズを通過したレーザビ
ームを導波系の入射部に入射させることができる。
施の形態の一例を詳細に説明する。
形態が斜視図にて示されている。
光機10は、半導体レーザバー12、ロッドレンズ1
4、及び保持部材20から構成されている。
は、一定厚みの矩形の平板形状を呈している。
は、レーザビームを出射する光放出部(図示せず)を有
する活性層16を半導体基板18の片面に備え、一端面
12A側に複数の光放出部を直線状に等間隔に配置した
一般的に知られている構造のものであり、該一端面12
Aから直角方向にレーザービームが出射される。
2から出射されたレーザビームを後述する光集束器30
の入射部に集光する役目をするものであり、本実施形態
では一定径の円柱形状を呈している。
ても良いし、シリコン等の半導体材料、あるいはセラミ
ックス等の不導体材料であっても良い。
は、平板状の基部22を備えている。
の位置決めを行う台形の突起状とされた第1の位置決め
部24が一体的に設けられている。
部22と平行でかつ平面状に形成されている。
導体レーザバー12よりも小さく形成されている。
頂部24Aに接触させて第1の位置決め部24に取り付
けられている。
位置決め部24または半導体レーザバー12の何れか一
方の接触面に半田層を設けておき、該半田層を溶かして
固化させることで第1の位置決め部24に固定すること
ができる。
極が設けられている場合、第1の位置決め部24に該電
極と接続する金属膜の配線パターンを形成し、電極と配
線パターンとを半田付けすることで半導体レーザバー1
2を保持部材20に固定することができる。
れている場合には、表面に金属膜の配線パターンを蒸着
などによって形成し、半導体レーザバー12との電気的
導通を取ることが望ましい。
けられた半導体レーザバー12から出射されるレーザー
ビームの光軸Cは、基部22の上面と平行である。
2のレーザビーム出射側に配置されている。
けられた第2の位置決め部26によって位置決めされて
いる。
4の長手方向両側に、各々一対の突起28を備えてい
る。本実施形態の突起28は台形状であり、基部22に
一体的に設けられている。
ンズ14が嵌り込んでおり、ロッドレンズ14は、突起
28の側面と基部22の上面に当接して位置決めされて
いる。
は、半導体レーザバー12と同様に何れか一方に半田層
を設け、半田を溶かして固化させればよい。なお、ロッ
ドレンズ14は電気的導通は必要ないので、接着剤で保
持部材20に固定しても良い。
ーザバー12を位置決め固定すると、半導体レーザバー
12から出射されるレーザービームの光軸Cとロッドレ
ンズ14の軸芯とは基部22の上面からの高さが一致す
るようになっている。
(一端面12A)とロッドレンズ14の中心との距離
(L1)は、後述する光集束器30に対応して所定の値
に設定する必要がある。
ンズ14の中心との距離(L1)を決めるには、例え
ば、基部22の上面に半導体レーザバー12の一端面1
2Aを合わせる基準線等の目印(図示せず)を設けた
り、図3に示すように、基部22の上面に半導体レーザ
バー12の一端面12Aを当接させる突起31を一対を
設ける、冶具(図示せず)を用いる等の方法があり、必
要に応じて選択すれば良い。
Aは、後述する光集束器30との位置決め用の基準面と
されており、ロッドレンズ14の軸芯と平行に形成され
ている。
束器30が配置されている。
光放射部と同じ数の光導波路32を備えている。
向に向うにしたがって互いに接近し、最終的には1本に
結合される。
レーザービームの入射口とされ、光集束器30の保持部
材20側の一端に一直線状に、半導体レーザバー12の
光放射部と同一間隔で配置されている。
Aは、保持部材20との位置決め用の基準面とされてお
り、保持部材20の端面20Aと密着するようになって
いる。
(ロッドレンズ14の軸芯)から端面20Aまでの距離
(L2)は、本実施形態では、ロッドレンズ14から出
射されたレーザビームが光導波路32の入射口に集光す
るように設定されている。
0の端面30Aに保持部材20の端面20Aを密着させ
ると、ロッドレンズ14から出射されたレーザビームが
光導波路32の入射口にて集光し、レーザビームを光導
波路32に高効率に入射させることができる。
は、最終的に1本のレーザビームにまとめられ、光集束
器30の保持部材20とは反対側の端面の出射口34か
らは高出力のレーザービームが出射される。 (作用)次に、本実施形態のレーザ集光機10の作用を
説明する。
ザービームは、ロッドレンズ14に入射して光集束器3
0の入射部に入射し、光集束器30の出射口34から高
出力のレーザービームが出射される。
されて固定されているので、半導体レーザバー12から
出射された拡散するレーザビームがけられることなくロ
ッドレンズ14へ入射させることができる。
6はレーザビームの出射時に発熱するが、発生した熱は
第1の位置決め部24を介して基部22に伝達され放熱
される。
活性層16側から放熱するので、半導体基板18を介し
て放熱するよりも効率的に放熱することができ、冷却効
率が良い。
部26の突起28間に嵌め込み、半導体レーザバー12
を第1の位置決め部24の頂部24Aに配置すれば、高
さ方向の位置決めは終了し、後は、半導体レーザバー1
2とロッドレンズ14との距離(L1)を設定するだけ
でレーザ集光機10における半導体レーザバー12とロ
ッドレンズ14との位置決めを簡単に終了することがで
きる。
第1の位置決め部24に接触させるので、半導体基板1
8を第1の位置決め部24に接触させるよりも精度良く
位置決めできる。
面20Aを、光集束器30との位置決め用の基準面とし
たので、保持部材20と光集束器30との位置関係を容
易に決めるでき、高効率に光導波路32にレーザビーム
を入射させることができる。
切削等の機械加工でも可能であるが、高精度な加工が簡
便にできることから、材料をシリコンとし、異方性エッ
チング技術を用いて加工することが好ましい。
を高めるために、保持部材20にヒートシンクやペルチ
ェ素子を取り付けたり、冷却水を流す冷却水用流路を形
成しても良い。
決め部24を1個設けたが、図4に示すように、基部2
2に第1の位置決め部24を複数(図4の例では3個)
設け、一つの保持部材20に複数個の半導体レーザバー
12を位置決め固定しても良い。この場合でも、1本の
ロッドレンズ14で集光が可能である。
長手方向の片側において、二つの突起28と基部22の
上面との3ヶ所に接触させて位置決めを行っていたが、
図5に示すように、突起28と突起28との間の凹部2
9をV字状の溝とし、二ヶ所に接触させて位置決めを行
っても良い。
ロッドレンズ14を嵌め込んでロッドレンズ14の位置
決めを行ったが、例えば、図6に示すように、半導体レ
ーザバー12側の突起28に押し付けるようにして固定
すれば、光集束器30側の突起28は省略することもで
きる。
器30とが別体であったが、保持部材20と、光集束器
30とは一体であっても良い。
アレイを用いても良い。
機用保持具、及びレーザ集光機によれば、半導体レーザ
バー及びロッドレンズを容易に位置決めでき、光回路等
の導波系に対して最小限の調整だけで効率良くレーザビ
ームを入射させることができ、さらに、半導体レーザバ
ーを効率的に冷却することができる、という優れた効果
を有する。
る。
る。
め部付近の側面図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザビームを出射する光放出部を有す
る活性層を半導体基板上に備え、複数の光放出部を直線
状に配置した半導体レーザバーと、 前記半導体レーザバーのレーザビーム出射側に設けら
れ、導波系の入射部に向けてレーザービームを出射する
ロッドレンズと、 を保持するレーザ集光機用保持具であって、 前記半導体レーザバーの活性層側表面に接触して前記半
導体レーザバーの位置決めを行う第1の位置決め部と、
前記ロッドレンズに接触して前記ロッドレンズの位置決
めを行う第2の位置決め部と、を一体的に設けたことを
特徴とするレーザ集光機用保持具。 - 【請求項2】 前記保持手段は、平板状の基部を備え、 前記第1の位置決め部は、前記基部の片面に一体的に設
けられ前記半導体レーザバーの活性層側表面に頂部を接
触させて前記片面から前記半導体レーザバーを離間させ
る突起であり、 前記第2の位置決め部は、前記片面に一体的に設けら
れ、前記ロッドレンズを嵌め込む凹部である、ことを特
徴とする請求項1に記載のレーザ集光機用保持具。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のレーザ
集光機用保持具に、レーザビームを出射する光放出部を
有する活性層を半導体基板上に備え、複数の光放出部を
直線状に配置した半導体レーザバーと、導波系の入射部
に向けてレーザービームを出射するロッドレンズと、を
位置決め固定したことを特徴とするレーザ集光機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002152309A JP2003344719A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002152309A JP2003344719A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003344719A true JP2003344719A (ja) | 2003-12-03 |
Family
ID=29769667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002152309A Pending JP2003344719A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003344719A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
JP2010197675A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | 光導波路およびそれを具備する光電気混載基板 |
JP2011187525A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0230485B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1990-07-06 | Nippon Telegraph & Telephone | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho |
JPH03227084A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体組立方法 |
JPH04221865A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-12 | Fujikura Ltd | 微小素子の固定方法 |
JPH06230236A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路 |
JP2000019362A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Nec Corp | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002152309A patent/JP2003344719A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0230485B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1990-07-06 | Nippon Telegraph & Telephone | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho |
JPH03227084A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体組立方法 |
JPH04221865A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-12 | Fujikura Ltd | 微小素子の固定方法 |
JPH06230236A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路 |
JP2000019362A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Nec Corp | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
US8153507B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-04-10 | Samsung Led Co., Ltd. | Method of manufacturing high power array type semiconductor laser device |
JP2010197675A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | 光導波路およびそれを具備する光電気混載基板 |
JP2011187525A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5828683A (en) | High density, optically corrected, micro-channel cooled, v-groove monolithic laser diode array | |
EP2584395B1 (en) | Light emitting systems | |
WO2018205355A1 (zh) | 阵列激光投影装置及深度相机 | |
CA2716066C (en) | Light source device | |
TWI269086B (en) | Optical assembly structure and manufacturing method thereof | |
US20130163626A1 (en) | Optical Illuminator | |
US6172997B1 (en) | Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser | |
US9859681B2 (en) | Optical device and light irradiation apparatus | |
WO2008010966A2 (en) | High power and high brightness diode-laser array for material processing applications | |
US6501781B1 (en) | Arrangement for aligning the light beam paths of a group of laser diodes on a common spot, especially for providing pumping light for a solid state laser | |
US20070097200A1 (en) | Light source module, optical unit array and pattern writing apparatus | |
WO2011118398A1 (ja) | テラヘルツ光受発光モジュール | |
JPH06196816A (ja) | レンズ付きレーザダイオードおよびその製造方法 | |
US9548586B2 (en) | Energy integrating device for split semiconductor laser diodes | |
JP2003344719A (ja) | レーザ集光機用保持具、及びレーザ集光機 | |
JPH09270531A (ja) | 発光素子アレイ組立体 | |
JP2005353759A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP3840367B2 (ja) | 光源 | |
CN115023659A (zh) | 透镜阵列、led照明单元、曝光装置及曝光方法 | |
JP2001044574A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US6778568B1 (en) | Semiconductor module and method of mounting semiconductor laser element on the same | |
JPH1117268A (ja) | 半導体レーザーアレイ装置 | |
JP6811912B1 (ja) | レーザ光源装置およびレーザ光源装置の製造方法 | |
JP2004039725A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
RU2396654C1 (ru) | Решетка лазерных диодов и способ ее изготовления |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070227 |