JP2015153840A - レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置 - Google Patents

レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は高密度に配置可能なレーザ光源モジュールの提供を目的とする。また、このレーザ光源モジュールを高密度に複数搭載するレーザ光源装置の提供を目的とする。【解決手段】レーザ光源モジュール１００は、板状のステム１と、上端がステム１の一方主面である上面に突出し、下端がステム１の他方主面である下面側に貫通して延在した給電用リードピン２Ａ，２Ｂと、ステム１上面に固定されたブロック３と、ブロック３のステム１上面と平行な面に固定され、半導体レーザアレイ５をマウントするサブマウント基板４と、光射出方向がステム１上面と平行になるようにサブマウント基板４上に配置される半導体レーザアレイ５と、半導体レーザアレイ５の前面に配置され、半導体レーザアレイ５の出力光を平行光束にするコリメータレンズアレイ６と、を備え、コリメータレンズアレイ６は、ブロック３のステム１上面と垂直な面に固定されていることを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明はレーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置に関し、特に、複数のレーザ光源モジュールを搭載し、複数のレーザ光を集光して出力するレーザ光源装置に関する。
近年、半導体レーザを光源としたプロジェクタ等の映像表示装置やレーザ加工機が普及し、より小型で高出力のレーザ光源が必要とされている。このため、半導体レーザ素子がアレイ状に並んでいる半導体レーザアレイを搭載するレーザ光源モジュールが提案されている。また、このレーザ光源モジュールを複数搭載し、複数のレーザ光源モジュールからのレーザ光を集光して出力するレーザ光源装置が提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
特許文献１においては、複数の給電用リードピンが立設されたステムとステム上に実装されたヒートシンクとサブマウント基板、リードフレームを介して複数の半導体レーザ素子がアレイ状に並べられて成る半導体レーザアレイが接合されたレーザ光源モジュールが示されている。本レーザ光源モジュールでは、レーザ光源モジュールの取り付けおよび冷却面となるステム底面から伸びたリードピンに電流を供給することにより、半導体レーザアレイからステム底面に対して垂直な方向に、発散光を出射する構成となっている。
また、特許文献２においては、複数の半導体レーザアレイを階段状に配置し、各半導体レーザアレイからのレーザ光をファーストアクシスおよびスローアクシスともコリメートし、集光レンズ用いてファーストアクシスのみをまとめて集光し、集光レンズから照射される複数のビームと同数でかつ同ピッチで光ファイバを配列した光ファイバアレイに光結合を行うレーザ光源装置が示されている。
国際公開第２００９／０８１４７０号 特開２０１１−２４３７１７号公報
しかしながら、特許文献１の技術によれば、レーザ光源モジュールの取り付けおよび冷却面となるステム底面に対して垂直な方向に発散光を出射する。そのため、本レーザ光源モジュールを複数搭載して、これらレーザ光源モジュールから出射されるレーザ光を集光するレーザ光源装置（いわゆる空間結合型のレーザ光源装置）を構成する場合、ステムを隣接配置してもレーザ光出射部の間隔を小さくすることが困難であった。従って、これらレーザ光を集光するための大型の集光レンズが必要になり、レーザ光源装置が大型化してしまうという課題があった。
また、複数のレーザ光源モジュールから出射されたレーザ光をまとめて集光するためには、各レーザ光源モジュールから出射された発散光を精度よく平行光束にするためのコリメートレンズが必要で、さらに各平行光束は互いに高精度に平行となっている必要があるため、各レーザ光源モジュールを配置する際、レーザ光源モジュールやコリメータレンズを調整して配置する必要があり、組立、調整が複雑になるという課題があった。
また、上記特許文献２の技術によれば、複数のビームと同数でかつ同ピッチの高価な光ファイバアレイが必要であるとともに、光ファイバアレイに集光させるためには、各半導体レーザアレイ、コリメータレンズの位置を高精度に調整をして固定する必要があるため、組立、調整作業が複雑になるという課題があった。さらに半導体レーザアレイをレーザアレイの並び方向に並べて配置することができず、小型化、低価格化の妨げになっていた。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、高密度に配置可能なレーザ光源モジュールの提供を目的とする。また、このレーザ光源モジュールを高密度に複数搭載するレーザ光源装置の提供を目的とする。
本発明に係るレーザ光源モジュールは、板状のステムと、上端がステムの一方主面である上面に突出し、下端がステムの他方主面である下面側に貫通して延在した、半導体レーザアレイへの電力供給線となる給電用リードピンと、ステム上面に固定されたブロックと、ブロックのステム上面と平行な面に固定され、半導体レーザアレイをマウントするサブマウント基板と、光射出方向がステム上面と平行になるようにサブマウント基板上に配置される半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイの前面に配置され、半導体レーザアレイの出力光を平行光束にするコリメータレンズアレイと、を備え、コリメータレンズアレイは、ブロックのステム上面と垂直な面に固定されていることを特徴とする。
本発明に係るレーザ光源モジュールにおいて、光射出方向がステム上面と平行になるように半導体レーザアレイが配置されている。そのため、レーザ光源モジュールを階段状に配置した場合、垂直方向（階段の高さ方向）にレーザ光源モジュールを高密度に配置することが可能となる。つまり、水平方向および垂直方向にコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。
実施の形態１に係るレーザ光源モジュールの斜視図である。 実施の形態１に係るレーザ光源モジュールの上面図である。 実施の形態１に係るレーザ光源モジュールの正面図である。 実施の形態１に係るレーザ光源モジュールの側面図である。 実施の形態１に係るレーザ光源モジュールの分解斜視図である。 実施の形態２に係るレーザ光源装置の固定台の斜視図である。 実施の形態２に係るレーザ光源装置の斜視図である。 実施の形態２に係るレーザ光源装置の上面図である。 実施の形態２に係るレーザ光源装置の側面図である。
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００の斜視図である。図２、図３、図４のそれぞれは、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００の上面図、正面図、側面図である。また、図５は、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００の分解斜視図である。
図１から図５に示すように、レーザ光源モジュール１００は、板状のステム１と、ステム１に設けられた複数の給電用リードピン２Ａ，２Ｂと、ステム１の上面に固定されたブロック３を備える。
金属材料からなるステム１は板状である。つまり、互いに平行な一方主面（即ち上面）と他方主面（即ち下面）を有する形状である。また、ステム１は平面視で、後述する位置決め用切り欠き１Ａ、固定用切り欠き１Ｂなどの切り欠き部分を除けば、対向する辺が平行な四角形である。
一対の給電用リードピン２Ａおよび一対の給電用リードピン２Ｂは、ガラス封止によりステム１に固定されている。給電用リードピン２Ａ，２Ｂは、ステム１の主面を貫通している。つまり、給電用リードピン２Ａ，２Ｂの上端は、ステム１上面に突出し、給電用リードピン２Ａ，２Ｂの下端は、ステム１の下面側に延在している。給電用リードピン２Ａ，２Ｂは後述する半導体レーザアレイ５に電力を供給する。
ブロック３は熱伝導性に優れた材料で作製される。ブロック３はステム１上面に例えばハンダ接合により固定されている。
レーザ光源モジュール１００はさらに、ブロック３の上面に固定されたサブマウント基板４と、サブマウント基板４上に配置された半導体レーザアレイ５を備える。サブマウント基板４が固定されるブロック３の上面は、ステム１の上面と平行である。半導体レーザアレイ５は、光射出方向がステム１上面と平行になるように、サブマウント基板４上に配置される。ここで、光射出方向とは、図１、図２、図４中の矢印Ａで示す方向である。また、半導体レーザアレイ５におけるアレイ配列方向とは、半導体レーザアレイ５に複数備わるレーザ素子の配列方向であり、光射出方向と直交する方向である。
サブマウント基板４は絶縁性に優れた材料を基材とし、サブマウント基板４表面には電極パターンが形成されている。半導体レーザアレイ５は、サブマウント基板４上にハンダにより実装されている。
ステム１において、位置決め用切り欠き１Ａは、ステム１の光射出方向（矢印Ａ方向）前方側の側面の両端部分に一対に設けられる。また、固定用切り欠き１Ｂは、ステム１の光射出方向（矢印Ａ方向）側方側の両側面に一対に設けられる。固定用切り欠き１Ｂは、平面視で半円状である。位置決め用切り欠き１Ａは、レーザ光源モジュール１００を実施の形態２で述べる固定台１０に配置する際に、位置決めの基準として利用される。固定用切り欠き１Ｂは、レーザ光源モジュール１００を固定台１０（実施の形態２）にネジで固定するために利用される。
レーザ光源モジュール１００はさらに、半導体レーザアレイ５の出力光を平行光束にするコリメータレンズアレイ６を備える。コリメータレンズアレイ６は、半導体レーザアレイ５の前面に配置される。コリメータレンズアレイ６は、ブロック３の、ステム１上面と垂直な面に固定されている。
また、サブマウント基板４の表面には正極、負極の電極パターンが形成されている。また、半導体レーザアレイ５には上面電極、底面電極が設けられている。例えば、サブマウント基板４の正極の電極パターンには、半導体レーザアレイ５の底面電極が接続される。また、サブマウント基板４の負極の電極パターンには、半導体レーザアレイ５の上面電極が接続される。なお、半導体レーザアレイ５の上面電極とサブマウント基板４の電極パターンとは、複数のワイヤ７を介して接続されている。
サブマウント基板４の電極パターンと給電用リードピン２Ａ，２Ａ，２Ｂ，２Ｂの上端面は、給電用リボン８Ａ，８Ｂにより超音波接合されている。
レーザ光源モジュール１００を以上の構成とすることにより、一対の給電用リードピン２Ａと、一対の給電用リードピン２Ｂ間に所定の電流を通電すると、半導体レーザアレイ５が発光する。コリメータレンズアレイ６からは、半導体レーザアレイ５のエミッタ数に応じた平行光束がステム１の上面と平行な方向に出射される。
コリメータレンズアレイ６は、半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に長い形状である。コリメータレンズアレイ６は、長手方向の一端（図５中の領域９）において、ＵＶ硬化型の接着剤によってブロック３に固定される。コリメータレンズアレイ６を一箇所で固定することにより、コリメータレンズアレイ６とブロック３の線膨張係数の違いによるコリメータレンズアレイ６の割れや変形、ズレを防止することができる。つまり、信頼性の高いレーザ光源モジュール１００を提供することが可能になる。
なお、コリメータレンズアレイ６をブロック３に固定する際、半導体レーザアレイ５を発光させた状態で、コリメート光が適切な角度に出射するようにコリメータレンズアレイ６の固定位置を調整する。
また、ブロック３は純銅をワイヤ放電加工することにより作製されたものである。ブロック３の表面には、ニッケルめっきと金メッキが施される。ブロック３の表面には、ワイヤ放電加工による均一な放電痕が形成されている。
ブロック３の表面には均一な放電痕が形成されているため、ブロック３にサブマウント基板４をはんだ付けする際に、はんだ層が均一に形成される。はんだ層が均一に形成されるため、サブマウント基板４上に配置される半導体レーザアレイ５に、ブロック３の反りや応力が影響を与えにくくなる。そのため、ブロック３を薄型化しても、波長変動や半導体レーザアレイ５の内部劣化が起こらない信頼性の高い薄型のレーザ光源モジュール１００を提供することが可能になる。
＜効果＞
本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００は、板状のステム１と、上端がステム１の一方主面である上面に突出し、下端がステム１の他方主面である下面側に貫通して延在した、半導体レーザアレイ５への電力供給線となる給電用リードピン２Ａ，２Ｂと、ステム１上面に固定されたブロック３と、ブロック３のステム１上面と平行な面に固定され、半導体レーザアレイ５をマウントするサブマウント基板４と、光射出方向がステム１上面と平行になるようにサブマウント基板４上に配置される半導体レーザアレイ５と、半導体レーザアレイ５の前面に配置され、半導体レーザアレイ５の出力光を平行光束にするコリメータレンズアレイ６と、を備え、コリメータレンズアレイ６は、ブロック３のステム１上面と垂直な面に固定されていることを特徴とする。
従って、レーザ光源モジュール１００において、光射出方向がステム１上面と平行になるように半導体レーザアレイ５が配置されている。そのため、レーザ光源モジュール１００を階段状に配置した場合、垂直方向（階段の高さ方向）にレーザ光源モジュール１００を高密度に配置することが可能となる。つまり、水平方向および垂直方向にコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。
また、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００において、ステム１の側面には、位置決め用切り欠き１Ａと、固定用切り欠き１Ｂと、が設けられることを特徴とする。
従って、レーザ光源モジュール１００を固定する固定台にレーザ光源モジュール１００の搭載位置の基準となる位置決め用の突起を設けて、レーザ光源モジュール１００の位置決め用切り欠き１Ａと嵌合させることで、ステム１に位置決めのための余分なスペースを設けることなく、高精度で容易にレーザ光源モジュール１００を配置することが可能となる。
また、レーザ光源モジュール１００を固定する固定台に固定用切り欠き１Ｂと平面視で重なるネジ穴を設けて、固定用切り欠き１Ｂをネジでネジ穴にネジ留めすることで、ステム１に固定のための余分なスペースを設けることなく、レーザ光源モジュール１００を固定台にネジ留めすることが可能となる。
また、レーザ光源モジュール１００を固定台に配置するに際して、位置決め用切り欠き１Ａを、固定台に設けられた位置決め用突起に嵌合させることにより、レーザ光源モジュール１００を固定台に配置する位置が規定されることを特徴とする。
従って、レーザ光源モジュール１００を固定する固定台にレーザ光源モジュール１００の搭載位置の基準となる位置決め用の突起を設けて、レーザ光源モジュール１００の位置決め用切り欠き１Ａと嵌合させることで、レーザ光源モジュール１００を配置する位置を高精度かつ容易に規定することが可能である。
また、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００において、位置決め用切り欠き１Ａは、ステム１の光射出方向前方側の側面の両端部分に一対に設けられ、固定用切り欠き１Ｂは、ステム１の光射出方向側方側の両側面に一対に設けられ、固定用切り欠き１Ｂは、平面視で半円状であることを特徴とする。
従って、レーザ光源モジュール１００を固定する固定台にレーザ光源モジュール１００の搭載位置の基準となる位置決め用の一対の突起を設けて、レーザ光源モジュール１００の一対の位置決め用切り欠き１Ａと嵌合させることで、位置決めのための余分なスペースを設けることなく、より高精度でより容易にレーザ光源モジュール１００を配置することが可能となる。
また、レーザ光源モジュール１００を固定する固定台に一対の固定用切り欠き１Ｂと平面視で重なる一対のネジ穴を設けて、一対の固定用切り欠き１Ｂをネジで一対のネジ穴にネジ留めすることで、固定のための余分なスペースを設けることなく、レーザ光源モジュール１００を固定台により確実にネジ留めすることが可能となる。さらに、レーザ光源モジュール１００を半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に隣接して配置したときに、隣接するレーザ光源モジュール１００の固定用切り欠き１Ｂ間で、１つのネジ穴を共用することが可能となる。よって、レーザ光源モジュール１００を隣接して配置する場合、配置間隔を狭くすることが可能であり、水平方向（半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向）にレーザ光源モジュール１００を高密度に並べて配置することが可能となる。つまり、水平方向にコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。
また、固定用切り欠き１Ｂを平面視で半円状とすることにより、固定用切り欠き１Ｂをネジ留めしたときに、固定用切り欠き１Ｂとネジとの間に平面視でできる隙間が小さくなり、レーザ光源モジュール１００の固定位置がずれることを防止することが可能である。
また、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００において、サブマウント基板４には電極パターンが形成されており、給電用リードピン２Ａ，２Ｂの上端と電極パターンとが、給電用リボン８Ａ，８Ｂを介して電気的に接続されることを特徴とする。
従って、簡易な構造で半導体レーザアレイ５への電力の供給が可能なレーザ光源モジュール１００を提供することが可能である。
また、本実施の形態におけるレーザ光源モジュール１００において、ブロック３は、ワイヤーカット放電加工により作製されることを特徴とする。
従って、ブロック３の表面には均一な放電痕が形成されるため、ブロック３にサブマウント基板４をはんだ付けする際に、はんだ層が均一に形成される。はんだ層が均一に形成されるため、サブマウント基板４上に配置される半導体レーザアレイ５に、ブロック３の反りや応力が影響を与えにくくなる。そのため、ブロック３を薄型化しても、波長変動や半導体レーザアレイ５の内部劣化が起こらない信頼性の高い薄型のレーザ光源モジュール１００を提供することが可能になる。
また、本実施の形態におけるレーザ光源モジュールにおいて、コリメータレンズアレイ６は、半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に長い形状であり、コリメータレンズアレイ６は長手方向の端部の一箇所のみにおいてブロック３に接着剤により固定されていることを特徴とする。
従って、コリメータレンズアレイ６を一箇所でブロック３に固定することにより、コリメータレンズアレイ６とブロック３の線膨張係数の違いによるコリメータレンズアレイ６の割れや変形、ズレを防止することができる。つまり、信頼性の高いレーザ光源モジュール１００を提供することが可能になる。
＜実施の形態２＞
本実施の形態では、実施の形態１において説明したレーザ光源モジュール１００を複数搭載し、各レーザ光源モジュール１００から出射されたコリメート光束を１点に集光する空間結合型のレーザ光源装置について述べる。
図６は本実施の形態におけるレーザ光源装置の固定台１０の斜視図である。図７、図８、図９はそれぞれ、本実施の形態におけるレーザ光源装置の斜視図、上面図、側面図である。
図６に示すように、固定台１０は、互いに並行する複数の段を備える。図７、図８、図９に示すように、固定台１０の各段には、複数のレーザ光源モジュール１００が、半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に並べて配置される。本実施の形態におけるレーザ光源装置は集光レンズ１２をさらに備える。集光レンズ１２は、各レーザ光源モジュール１００から出力されたコリメート光束を１点に集光して、導光部１３（例えば、１本の光ファイバ、１本のロッドファイバなど）に入射させる。
図６に示すように、固定台１０には、各レーザ光源モジュール１００に対応して、一対の位置決め用突起１０Ａ、一対のネジ穴１０Ｂ、複数のリードピン通し穴１０Ｃが設けられている。
図７に示すように、レーザ光源モジュール１００の給電用リードピン２Ａ，２Ｂは、リードピン通し穴１０Ｃに挿入される。一対の給電用リードピン２Ａはリードピン通し穴１０Ｃの内部で電気的に接続されている。一対の給電用リードピン２Ｂも同様に、リードピン通し穴１０Ｃの内部で電気的に接続されている。
また、レーザ光源モジュール１００の一対の位置決め用切り欠き１Ａを一対の位置決め用突起１０Ａに押し付けた状態において、レーザ光源モジュール１００の固定用切り欠き１Ｂとネジ穴１０Ｂとが平面視で重なる。このように配置した状態で、レーザ光源モジュール１００の固定用切り欠き１Ｂの上方からネジ１１でネジ穴１０Ｂをネジ留めすることにより、レーザ光源モジュール１００が固定台１０に固定される。
レーザ光源モジュールを固定台１０に配置する際に、レーザ光源モジュール１００の取り付けの基準となる一対の位置決め用切り欠き１Ａを、一対の位置決め用突起１０Ａに押し付けることにより、容易かつ高精度にレーザ光源モジュール１００の位置決めが可能である。そして、レーザ光源モジュール１００の一対の固定用切り欠き１Ｂをネジ１１で一対のネジ穴１０Ｂにネジ留めすることにより、レーザ光源モジュール１００を固定台１０に確実に固定することができる。
また、隣接して配置される２つのレーザ光源モジュール１００において、隣接する側のネジ穴１０Ｂが共用される。つまり、２つのレーザ光源モジュール１００を隣接して配置すると、２つの半円状の固定用切り欠き１Ｂが向かい合うことで円状となる。つまり、この円状となった切り欠きに対して、１つのネジ１１で１つのネジ穴１０Ｂにネジ留めすることにより、その両側に配置された２つのレーザ光源モジュール１００の固定用切り欠き１Ｂを同時に固定することができる。
レーザ光源モジュール１００のステム１に一対の位置決め用切り欠き１Ａを設け、固定台１０に一対の位置決め用切り欠き１Ａと嵌合する一対の位置決め用突起１０Ａを設けることにより、レーザ光源モジュール１００を位置決めするための余分なスペースを設ける必要がない。また、レーザ光源モジュール１００のステム１に一対の固定用切り欠き１Ｂを設け、固定台１０に一対のネジ穴１０Ｂを設けることで、レーザ光源モジュール１００を固定するための余分なスペースを設ける必要がない。そのため、複数のレーザ光源モジュール１００を半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向（水平方向）に高密度に並べて配置することが可能になる。つまり、各レーザ光源モジュール１００から出力されるコリメート光束を水平方向に高密度に配置することが可能である。
また、レーザ光源モジュール１００において、光射出方向がステム１上面と平行になるように半導体レーザアレイ５が配置されている。そのため、レーザ光源モジュール１００を階段状に配置した場合、レーザ光源モジュール１００の高さを抑えることが可能である。つまり、垂直方向（階段の高さ方向）にレーザ光源モジュール１００を高密度に配置することが可能となる。つまり、垂直方向にもコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。
各レーザ光源モジュール１００は、一対の位置決め用切り欠き部１Ａと一対の位置決め用突起１０Ａとにより高精度に位置決めされているため、各レーザ光源モジュール１００から出射されたコリメート光束も高精度に平行となる。よって、集光レンズ１２を通して１点に集光することが可能である。集光されたレーザ光は導光部１３に入射される。
＜効果＞
本実施の形態におけるレーザ光源装置は、固定台１０と、固定台１０に固定された複数のレーザ光源モジュール１００と、を備え、複数のレーザ光源モジュール１００は、半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に直線状に並んで配置され、固定台１０はレーザ光源モジュール１００の各々に対して、給電用リードピン２Ａ，２Ｂを挿入するリードピン通し穴１０Ｃと、一対に設けられた位置決め用切り欠き１Ａと嵌合する一対の位置決め用突起１０Ａと、一対に設けられた位置決め用切り欠き１Ａが一対の位置決め用突起１０Ａと嵌合した状態で、一対に設けられた固定用切り欠き２Ｂと平面視で重なる一対のネジ穴１０Ｂと、を備え、一対に設けられた位置決め用切り欠き１Ａが一対の位置決め用突起１０Ａと嵌合した状態で、固定用切り欠き１Ｂの上方からネジ穴１０Ｂをネジ１１によりネジ留めすることにより、レーザ光源モジュール１００は固定台１０に固定され、隣接して配置されるレーザ光源モジュール１００において、隣接する側のネジ穴１０Ｂが共用されることを特徴とする。
従って、レーザ光源モジュール１００に一対に設けた位置決め用切り欠き１Ａに、固定台１０に設けた一対の位置決め用突起１０Ａを嵌合させることで、レーザ光源モジュール１００を高精度で固定台１０に配置することが可能である。
また、固定台１０に一対のネジ穴１０Ｂを設けて、一対の固定用切り欠き１Ｂの上方からネジ１１で一対のネジ穴１０Ｂをネジ留めすることで、固定のための余分なスペースを設けることなく、レーザ光源モジュール１００を固定台１０に確実にネジ留めすることが可能となる。さらに、レーザ光源モジュール１００を半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に並べて配置したときに、隣接するレーザ光源モジュール１００の固定用切り欠き１Ｂ間で、１つのネジ穴１０Ｂを共用することが可能となる。よって、レーザ光源モジュール１００を隣接して配置する場合、配置間隔を狭くすることが可能であり、水平方向（半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向）にレーザ光源モジュール１００を高密度に並べて配置することが可能となる。つまり、水平方向にコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。
また、本実施の形態におけるレーザ光源装置において、固定台１０は複数の段を備え、複数の段は互いに並行であり、複数の段の各段において、複数のレーザ光源モジュール１００は、半導体レーザアレイ５のアレイ配列方向に直線状に並んで配置され、レーザ光源モジュール１００から射出される光を一点に集光する集光レンズ１２をさらに備える。
レーザ光源モジュール１００において、光射出方向がステム１上面と平行になるように半導体レーザアレイ５が配置されている。そのため、レーザ光源モジュール１００を階段状に配置すれば、垂直方向（階段の高さ方向）にレーザ光源モジュール１００を高密度に配置することが可能となる。つまり、垂直方向にもコリメート光束を高密度に配置することが可能になる。つまり、本実施の形態におけるレーザ光源装置は、水平方向、垂直方向の両方向において、高密度でコリメート光束を配置可能である。よって、高密度でコリメート光束を配置可能なため、集光レンズ１２の径を小さくすることが可能である。よって、集光レンズ１２に掛かるコストを抑制することが可能である。また、レーザ光源装置の小型化が可能である。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１ ステム、１Ａ 位置決め用切り欠き、１Ｂ 固定用切り欠き、２Ａ，２Ｂ 給電用リードピン、３ ブロック、４ サブマウント基板、５ 半導体レーザアレイ、６ コリメータレンズアレイ、７ ワイヤ、８Ａ，８Ｂ 給電用リボン、９ 領域、１０ 固定台、１０Ａ 位置決め用突起、１０Ｂ ネジ穴、１０Ｃ リードピン通し穴、１１ ネジ、１２ 集光レンズ、１３ 導光部、１００ レーザ光源モジュール。

Claims (9)

  1. 板状のステムと、
    上端が前記ステムの一方主面である上面に突出し、下端が前記ステムの他方主面である下面側に貫通して延在した、半導体レーザアレイへの電力供給線となる給電用リードピンと、
    前記ステム上面に固定されたブロックと、
    前記ブロックの前記ステム上面と平行な面に固定され、前記半導体レーザアレイをマウントするサブマウント基板と、
    光射出方向が前記ステム上面と平行になるように前記サブマウント基板上に配置される前記半導体レーザアレイと、
    前記半導体レーザアレイの前面に配置され、前記半導体レーザアレイの出力光を平行光束にするコリメータレンズアレイと、
    を備え、
    前記コリメータレンズアレイは、前記ブロックの前記ステム上面と垂直な面に固定されていることを特徴とする、
    レーザ光源モジュール。
  2. 前記ステムの側面には、位置決め用切り欠きと、固定用切り欠きと、が設けられることを特徴とする、
    請求項１に記載のレーザ光源モジュール。
  3. 前記レーザ光源モジュールを固定台に配置するに際して、前記位置決め用切り欠きを、固定台に設けられた位置決め用突起に嵌合させることにより、当該レーザ光源モジュールを前記固定台に配置する位置が規定されることを特徴とする、
    請求項２に記載のレーザ光源モジュール。
  4. 前記位置決め用切り欠きは、前記ステムの前記光射出方向前方側の側面の両端部分に一対に設けられ、
    前記固定用切り欠きは、前記ステムの前記光射出方向側方側の両側面に一対に設けられ、
    前記固定用切り欠きは、平面視で半円状であることを特徴とする、
    請求項２又は請求項３に記載のレーザ光源モジュール。
  5. 前記サブマウント基板には電極パターンが形成されており、
    前記給電用リードピンの上端と前記電極パターンとが、給電用リボンを介して電気的に接続されることを特徴とする、
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のレーザ光源モジュール。
  6. 前記ブロックは、ワイヤーカット放電加工により作製されることを特徴とする、
    請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のレーザ光源モジュール。
  7. 前記コリメータレンズアレイは、前記半導体レーザアレイのアレイ配列方向に長い形状であり、
    前記コリメータレンズアレイは長手方向の端部の一箇所のみにおいて前記ブロックに接着剤により固定されていることを特徴とする、
    請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のレーザ光源モジュール。
  8. 固定台と、
    前記固定台に固定された複数の請求項３から請求項６のいずれか一項に記載のレーザ光源モジュールと、
    を備え、
    複数の前記レーザ光源モジュールは、前記半導体レーザアレイのアレイ配列方向に直線状に並んで配置され、
    前記固定台は前記レーザ光源モジュールの各々に対して、
    前記給電用リードピンを挿入するリードピン通し穴と、
    一対に設けられた前記位置決め用切り欠きと嵌合する一対の位置決め用突起と、
    一対に設けられた前記位置決め用切り欠きが前記一対の位置決め用突起と嵌合した状態で、一対に設けられた前記固定用切り欠きと平面視で重なる一対のネジ穴と、
    を備え、
    一対に設けられた前記位置決め用切り欠きが前記一対の位置決め用突起と嵌合した状態で、前記固定用切り欠きの上方から前記ネジ穴をネジによりネジ留めすることにより、前記レーザ光源モジュールは前記固定台に固定され、
    隣接して配置される前記レーザ光源モジュールにおいて、隣接する側の前記ネジ穴が共用されることを特徴とする、
    レーザ光源装置。
  9. 前記固定台は複数の段を備え、
    前記複数の段は互いに並行であり、
    前記複数の段の各段において、複数の前記レーザ光源モジュールは、前記半導体レーザアレイのアレイ配列方向に直線状に並んで配置され、
    前記レーザ光源モジュールから射出される光を一点に集光する集光レンズをさらに備える、
    請求項８に記載のレーザ光源装置。
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US14/475,914 US9966729B2 (en) 2014-02-13 2014-09-03 Laser light source module and laser light source device
CA2863712A CA2863712C (en) 2014-02-13 2014-09-15 Laser light source module and laser light source device
KR1020140126137A KR101623651B1 (ko) 2014-02-13 2014-09-22 레이저 광원 모듈 및 레이저 광원 장치
EP14191601.5A EP2928031B1 (en) 2014-02-13 2014-11-04 Laser light source module and laser light source device
CN201410643243.7A CN104852273B (zh) 2014-02-13 2014-11-10 激光光源模块及激光光源装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10868404B2 (en) 2016-02-22 2020-12-15 Mitsubishi Electric Corporation Laser light source device and method of manufacturing laser light source device

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015169761A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 ソニー株式会社 光コネクタとケーブルおよび光通信装置
JP6431617B2 (ja) * 2015-10-27 2018-11-28 三菱電機株式会社 レーザ光源モジュール
JP6640672B2 (ja) * 2016-07-27 2020-02-05 ファナック株式会社 レーザ装置
JP7033068B2 (ja) 2016-09-05 2022-03-09 古河電気工業株式会社 レーザ装置及び光源装置
CN110352539B (zh) * 2017-03-06 2020-12-25 三菱电机株式会社 激光光源单元
RU2677489C1 (ru) * 2017-09-12 2019-01-17 Общество с ограниченной ответственностью "Новые технологии лазерного термоупрочнения" (ООО "НТЛТ") Полупроводниковый многоканальный лазерный излучатель
WO2020135497A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Xiamen Chaoxuan Photoelectric Technology Co., Ltd. System and device with laser array illumination
DE102019125779B4 (de) * 2019-09-25 2024-03-21 Man Energy Solutions Se Schaufel einer Strömungsmaschine

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56108276U (ja) * 1980-01-22 1981-08-22
JPS62102581A (ja) * 1985-10-29 1987-05-13 Seiko Epson Corp 半導体レ−ザの実装方法
JPH05333246A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Hitachi Ltd 光結合装置
JPH06196816A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp レンズ付きレーザダイオードおよびその製造方法
JPH07221470A (ja) * 1994-02-01 1995-08-18 Fujitsu Ltd 回路モジュール取付け構造
JP2000335009A (ja) * 1999-06-01 2000-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光学素子結合体
JP2001228417A (ja) * 1999-12-08 2001-08-24 Ricoh Co Ltd 光源ユニット、光源ユニットを用いた画像形成装置及び光源ユニットの生産方法
JP2003158332A (ja) * 2001-09-10 2003-05-30 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置
JP2004047651A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置およびその製造方法
JP2005317925A (ja) * 2004-04-02 2005-11-10 Ricoh Co Ltd 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置
JP2006284851A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd レンズホルダおよびそれを用いたレーザアレイユニット
JP2007142439A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Nlight Photonics Corp 翼部付き取付ブロック部材を有するレーザダイオード部分組立体を用いたモジュール組立体
US20080054076A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 David Schleuning Lensed dual diode-laser bar package
JP2009124119A (ja) * 2007-10-22 2009-06-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2010135687A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2011008090A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Kyocera Corp レンズ機能複合型光学素子
JP2011187525A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Panasonic Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2011209318A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Sharp Corp レーザ定着装置、該レーザ定着装置を備える画像形成装置、および該画像形成装置を用いる画像形成方法
JP2012064609A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール及び電力変換装置
JP2012199447A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2013140837A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2014002284A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Alps Electric Co Ltd レンズアレイおよび光モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS556338A (en) 1978-06-27 1980-01-17 Ricoh Co Ltd Electrophotographic copying method
NL8901523A (nl) 1989-06-16 1991-01-16 Philips Nv Laserdiode module.
US6410904B1 (en) 1999-11-22 2002-06-25 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Multi-beam emitting device
DE10113943B4 (de) 2001-03-21 2009-01-22 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diodenlaserbauelement
JP2002314182A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置
US6975659B2 (en) 2001-09-10 2005-12-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode array, laser device, wave-coupling laser source, and exposure device
DE10229712B4 (de) 2002-07-02 2009-06-25 Jenoptik Laserdiode Gmbh Halbleitermodul
US7830945B2 (en) * 2002-07-10 2010-11-09 Fujifilm Corporation Laser apparatus in which laser diodes and corresponding collimator lenses are fixed to block, and fiber module in which laser apparatus is coupled to optical fiber
US7420996B2 (en) * 2005-11-22 2008-09-02 Nlight Photonics Corporation Modular diode laser assembly
JP5430406B2 (ja) 2007-12-21 2014-02-26 三菱電機株式会社 レーザ光源モジュール
JP5473534B2 (ja) 2009-10-28 2014-04-16 三菱電機株式会社 光源装置
US8562286B2 (en) 2010-04-06 2013-10-22 United Technologies Corporation Dead ended bulbed rib geometry for a gas turbine engine
JP5621318B2 (ja) 2010-05-18 2014-11-12 パナソニック株式会社 半導体レーザモジュールおよびこれを用いたファイバレーザ

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56108276U (ja) * 1980-01-22 1981-08-22
JPS62102581A (ja) * 1985-10-29 1987-05-13 Seiko Epson Corp 半導体レ−ザの実装方法
JPH05333246A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Hitachi Ltd 光結合装置
JPH06196816A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp レンズ付きレーザダイオードおよびその製造方法
JPH07221470A (ja) * 1994-02-01 1995-08-18 Fujitsu Ltd 回路モジュール取付け構造
JP2000335009A (ja) * 1999-06-01 2000-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光学素子結合体
JP2001228417A (ja) * 1999-12-08 2001-08-24 Ricoh Co Ltd 光源ユニット、光源ユニットを用いた画像形成装置及び光源ユニットの生産方法
JP2003158332A (ja) * 2001-09-10 2003-05-30 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置
JP2004047651A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置およびその製造方法
JP2005317925A (ja) * 2004-04-02 2005-11-10 Ricoh Co Ltd 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置
JP2006284851A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd レンズホルダおよびそれを用いたレーザアレイユニット
JP2007142439A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Nlight Photonics Corp 翼部付き取付ブロック部材を有するレーザダイオード部分組立体を用いたモジュール組立体
US20080054076A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 David Schleuning Lensed dual diode-laser bar package
JP2009124119A (ja) * 2007-10-22 2009-06-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2010135687A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
JP2011008090A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Kyocera Corp レンズ機能複合型光学素子
JP2011187525A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Panasonic Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2011209318A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Sharp Corp レーザ定着装置、該レーザ定着装置を備える画像形成装置、および該画像形成装置を用いる画像形成方法
JP2012064609A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール及び電力変換装置
JP2012199447A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2013140837A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2014002284A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Alps Electric Co Ltd レンズアレイおよび光モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10868404B2 (en) 2016-02-22 2020-12-15 Mitsubishi Electric Corporation Laser light source device and method of manufacturing laser light source device

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