JP5621318B2 - 半導体レーザモジュールおよびこれを用いたファイバレーザ - Google Patents
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Description
スローアクシス集光レンズとを有する。さらに、少なくとも2つの第1の発光エミッタのうちの一方および少なくとも2つの第2の発光エミッタのうちの一方から照射されたレーザが入射される光ファイバ、および、2つの第1の発光エミッタのうちの他方および2つの前記第2の発光エミッタのうちの他方から照射されたレーザが入射される光ファイバの、少なくとも2つの光ファイバを有する光ファイバアレイを有する。そして、第2のヒートシンクは、第1のヒートシンクに対して、第1のヒートシンクと第1の半導体レーザアレイとのファーストアクシス方向の厚みの和よりも小さいピッチでファーストアクシス方向に位置し、第2のヒートシンクは、第1のヒートシンクの第1の方向の長さよりも大きいピッチで、レーザ照射方向とは反対側に位置している。
図1および図2は本発明の半導体レーザモジュールの構成の一例を示すもので、図1は側面図、図2は上方視の平面図である。
本発明の半導体レーザモジュールについて上述の実施の形態とは異なる一例を詳細に説明する。本実施の形態において実施の形態1と同様の構成については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
本発明のファイバレーザに係る実施の形態の一例について、既に説明した図8を用いて詳細に説明する。
2 半導体レーザアレイ
3 コリメートレンズ(ファーストアクシス)
4 コリメートレンズ(スローアクシス)
5 集光レンズ(ファーストアクシス)
6 光ファイバアレイ
7 実施の形態2に係る半導体レーザモジュール
8 集光レンズ(スローアクシス)
9 発光エミッタ
10 ファーストアクシスの拡がり角
11 スローアクシスの拡がり角
12 光ファイバアレイ
13 マルチモードファイバ
14 光ファイバアレイのV溝基板
15 光ファイバカプラ
16 ファイババンドル束
17 融着部
18 ファイババンドル部の断面図
19 マルチモードファイバ
20 信号光ファイバ
21 融着部の断面図
22 ダブルクラッドファイバ
23 コア
24 インナークラッド
25 アウタークラッド
Claims (4)
- 第1のヒートシンクに実装され、第1の方向にレーザを照射し前記第1の方向とは垂直なスローアクシス方向に互いに並んだ少なくとも2つの第1の発光エミッタを有する第1の半導体レーザアレイと、
第2のヒートシンクに実装され、前記第1の方向にレーザを照射し前記スローアクシス方向に互いに並んだ少なくとも2つの第2の発光エミッタを有する第2の半導体レーザアレイと、
前記第1の半導体レーザアレイからレーザが照射される方向に配置され、前記第1の方向及び前記スローアクシス方向に対して垂直なファーストアクシス方向に広がるレーザをコリメートする第1のファーストアクシスコリメートレンズと、
前記第1のファーストアクシスコリメートレンズからレーザが照射される方向に配置され、前記スローアクシス方向に広がるレーザをコリメートする第1のスローアクシスコリメートレンズと、
前記第2の半導体レーザアレイからレーザが照射される方向に配置され、前記ファーストアクシス方向に広がるレーザをコリメートする第2のファーストアクシスコリメートレンズと、
前記第2のファーストアクシスコリメートレンズからレーザが照射される方向に配置され、前記スローアクシス方向に広がるレーザをコリメートする第2のスローアクシスコリメートレンズと、
前記第1のスローアクシスコリメートレンズおよび前記第2のスローアクシスコリメートレンズからレーザが照射される方向に配置され、前記ファーストアクシス方向においてレーザを集光するファーストアクシス集光レンズと、
前記ファーストアクシス集光レンズからレーザが照射される方向に位置し、前記スローアクシス方向においてレーザを集光するスローアクシス集光レンズと、
2つの前記第1の発光エミッタのうちの一方および2つの前記第2の発光エミッタのうちの一方から照射されたレーザが入射される光ファイバ、および、2つの前記第1の発光エミッタのうちの他方および2つの前記第2の発光エミッタのうちの他方から照射されたレーザが入射される光ファイバの、少なくとも2つの光ファイバを有する光ファイバアレイとを備え、
前記第2のヒートシンクは、前記第1のヒートシンクに対して、前記第1のヒートシン
クと前記第1の半導体レーザアレイとの前記ファーストアクシス方向の厚みの和よりも小さいピッチで前記ファーストアクシス方向に位置し、
前記第2のヒートシンクは、前記第1のヒートシンクの前記第1の方向の長さよりも大きいピッチで、レーザ照射方向とは反対側に位置している半導体レーザモジュール。 - 前記第1の半導体レーザアレイと前記第1のファーストアクシスコリメートレンズとの距離は、前記第2の半導体レーザアレイと前記第2のファーストアクシスコリメートレンズとの距離と等しく、
前記第1のファーストアクシスコリメートレンズと前記第1のスローアクシスコリメートレンズとの距離は、前記第2のファーストアクシスコリメートレンズと前記第2のスローアクシスコリメートレンズとの距離と等しく、
前記第1の半導体レーザアレイと前記ファーストアクシス集光レンズとの距離は、前記第2の半導体レーザアレイと前記ファーストアクシス集光レンズとの距離よりも小さく、
少なくとも2つの前記第1の発光エミッタおよび少なくとも2つの前記第2の発光エミッタから照射された少なくとも4つのレーザは、ファーストアクシス方向及びスローアクシス方向において互いにほぼ平行に前記ファーストアクシス集光レンズに達する請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記第1の発光エミッタの数および間隔と、前記第2の発光エミッタの数および間隔と、前記光ファイバの数および間隔とは等しい請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 信号光が伝搬する信号光ファイバと励起光が伝搬するマルチモードファイバとが密にバンドルされた光ファイバカプラと、
請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザモジュールとを備え、
前記光ファイバカプラと前記光ファイバアレイとを融着接続したファイバレーザ。
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