JP2011243717A5 - - Google Patents

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Claims (3)

  1. 各々がヒートシンクに実装された、少なくとも2個の発光エミッタを有する半導体レーザアレイと、
    前記半導体レーザアレイと同じ半導体レーザアレイを少なくとも2個、縦方向へかつ、前記ヒートシンクを含む半導体アレイの厚みより小さいピッチで階段状に配置する手段と、
    各々の半導体レーザアレイ直後にファーストアクシスおよびスローアクシスをコリメートするコリメートレンズと、
    各半導体レーザアレイからのコリメートされたビームの内、ファーストアクシスのみをまとめて集光する集光レンズと、
    前記集光レンズから照射される複数のビームと同数でかつ同ピッチで光ファイバを配列し、光結合を行う光ファイバアレイを備えた半導体レーザモジュール。
  2. 各々がヒートシンクに実装された、少なくとも2個の発光エミッタを有する半導体レーザアレイと、
    前記半導体レーザアレイと同じ半導体レーザアレイを少なくとも2個、縦方向へかつ、前記ヒートシンクを含む半導体アレイの厚みより小さいピッチで階段状に配置する手段と、
    各々の半導体レーザアレイ直後にファーストアクシスおよびスローアクシスをコリメートするコリメートレンズと、
    各半導体レーザアレイからのコリメートされたビームの内、ファーストアクシスのみをまとめて集光する集光レンズと、
    前記集光レンズから照射される複数ビームの各々についてスローアクシスを集光する集光レンズと、
    前記集光レンズから照射される複数のビームと同数でかつ同ピッチで光ファイバを配列し、光結合を行う光ファイバアレイを備えた半導体レーザモジュール。
  3. 信号光が伝搬する信号光ファイバと励起光が伝搬するマルチモードファイバが密にバンドルされた光ファイバカプラへ請求項1または請求項2記載の半導体レーザモジュールを融着接続し、前記半導体レーザモジュールを励起源としたことを特徴としたファイバレーザ。
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