JP2011175245A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基本波を出射するレーザ素子と、
   前記基本波が入射され、入射された前記基本波の少なくとも一部を、該基本波より短波長の変換波に波長変換する波長変換素子と、
   前記波長変換素子からの出射波に含まれる前記基本波の成分を減衰させて変換波のみを導波および出射する径を有する導波路と、
   前記導波路に形成され、前記波長変換素子から出射された前記基本波をフィードバックして前記レーザ素子から出射する前記基本波の波長または周波数をロックする回折格子と、を備えた
   ことを特徴とするレーザ光源。
2. 前記導波路は、前記波長変換素子の出射波を導波する第１の導波路と、
   前記第１の導波路の出射波に含まれる前記基本波の成分を減衰させて導波する第２の導波路と、を備え、
   前記回折格子は、前記第１の導波路に形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ光源。
3. 前記第１の導波路は、前記基本波をシングルモードで導波する径を有し、
   前記第２の導波路は、前記変換波をシングルモードで導波する径を有する
   ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ光源。
4. 前記波長変換素子と前記導波路とを光学的に結合する結合部材として、グレーデッドインデックス型光ファイバを備える
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のレーザ光源。
5. 前記グレーデッドインデックス型光ファイバは、前記波長変換素子側に位置する開口数ＮＡ１の第１のＧＩレンズと、該第１のＧＩレンズに接続し、該第１のＧＩレンズより小さな開口数ＮＡ２の第２のＧＩレンズと、を有する
   ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ光源。
6. 前記グレーデッドインデックス型光ファイバの入射端面が当該光ファイバの光軸に対して斜めに形成された
   ことを特徴とする請求項４または５に記載のレーザ光源。
7. 前記グレーデッドインデックス型光ファイバの入射端面が先球状に形成された
   ことを特徴とする請求項４または５に記載のレーザ光源。
8. 前記導波路は、偏波保持ファイバである
   ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のレーザ光源。
9. 前記第１の導波路と、前記第２の導波路との間には、異なるモード径のモード変換を行うモード変換部を設けた
   ことを特徴とする請求項２〜８のいずれか一つに記載のレーザ光源。
10. 前記モード変換部は、一つのＧＩレンズまたは複数の開口数の異なるＧＩレンズである
    ことを特徴とする請求項９に記載のレーザ光源。
11. 前記モード変換部は、前記第１の導波路と、前記第２の導波路の融着接合部のコアに対し、ＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｅｘｐａｎｄｅｄ Ｃｏｒｅ）化処理によりテーパー部を形成させ、コア径を一致させる
    ことを特徴とする請求項９に記載のレーザ光源。
12. 前記レーザ素子を保持する基台と、
    前記基台上に設けられ、前記波長変換素子を保持する保持部材と、
    前記基台および前記保持部材のキャップと、
    前記キャップの開口部に取り付けられ、前記波長変換素子の光が入射される前記導波路、および前記波長変換素子と前記導波路とを光学的に結合する結合部材を固定するフェルールと、を有する
    ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のレーザ光源。
13. 収容溝が形成されたケースと、
    前記収容溝に収容され、前記レーザ素子および前記波長変換素子が搭載される半導体基板と、
    前記ケースの開口部に取り付けられ、前記波長変換素子の光が入射される前記導波路、および前記波長変換素子と前記導波路とを光学的に結合する結合部材を固定するフェルールと、を有する
    ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のレーザ光源。
14. 前記レーザ素子および前記波長変換素子が搭載される半導体基板と、
    前記半導体基板に接合され、前記波長変換素子の光が入射される前記導波路を固定する光ファイバ固定部と、を有する
    ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のレーザ光源。