CN109565154B - 激光装置及光源装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够减少占用空间而实现省空间化的激光装置及光源装置。激光装置具有:底板部;半导体激光元件,设置在上述底板部上;及端子部,相对于上述底板部向上设置,能够与外部电连接。
Description
技术领域
本发明涉及具有半导体激光元件的激光装置、及具有多个激光装置的光源装置。
背景技术
半导体激光器具有耗电小、小型等特征,在光通信、光记录、物质加工等各种领域中广泛利用。作为安装有半导体激光器的半导体激光模块,公知有在封装内设置有多个半导体激光器的模块(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5730814号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,为了将光纤用作增益介质的光纤激光器的高输出化,要求激励光源的高输出化。激励光源的高输出化通过排列多个半导体激光模块而构成激励光源可实现。
然而,在以往的半导体激光模块中,引线管脚等棒状的电极从封装的壳体的侧壁部突出。因此,对于排列有多个半导体激光模块而成的光源装置而言,其占用空间增大,省空间化较为困难。
本发明是鉴于上述内容而完成的,目的在于提供能够减少占用空间而实现省空间化的激光装置及光源装置。
用于解决课题的技术方案
根据本发明的一观点,提供一种激光装置,其特征在于,具有:底板部;半导体激光元件,设置在上述底板部上;及端子部,相对于上述底板部向上设置,能够与外部电连接。
根据本发明的其他观点,提供一种光源装置,其特征在于,具有:上述的多个激光装置;和基座部件,具有设置有上述多个激光装置的设置面。
根据本发明的又一其他观点,提供一种光纤激光器,其特征在于,具有:上述的光源装置;放大用光纤;及入射部,使从上述光源装置的上述多个激光装置输出的激光向上述放大用光纤入射。
发明效果
根据本发明,能够减少占用空间而实现省空间化。
附图说明
图1A是表示本发明的第一实施方式的激光装置的概略图。
图1B是表示本发明的第一实施方式的激光装置的概略图。
图2A是表示本发明的第一实施方式的光源装置的概略图。
图2B是表示本发明的第一实施方式的光源装置的概略图。
图3是表示将本发明的第一实施方式的光源装置用作激励光源的光纤激光器的概略图。
图4是表示本发明的第二实施方式的激光装置的立体图。
图5是表示本发明的第二实施方式的光源装置的俯视图。
图6是表示本发明的第三实施方式的激光装置的立体图。
图7是表示本发明的第四实施方式的激光装置的立体图。
图8是表示本发明的第五实施方式的光源装置的俯视图。
图9是表示本发明的第六实施方式的激光装置的分解立体图。
图10是表示本发明的第六实施方式的激光装置的电子部件及端子部的放大立体图。
图11A是表示参考例的激光装置的概略图。
图11B是表示参考例的激光装置的概略图。
图12是表示参考例的光源装置的俯视图。
具体实施方式
[第一实施方式]
使用图1A~图2B对本发明的第一实施方式的激光装置及光源装置进行说明。
首先,使用图1A及图1B对本实施方式的激光装置的结构进行说明。图1A是表示本实施方式的激光装置的立体图。图1B是表示本实施方式的激光装置的分解立体图。
本实施方式的激光装置是作为激光元件而具有多个半导体激光元件的半导体激光模块。如图1A及图1B所示,本实施方式的激光装置10具有:多个半导体激光元件12和与多个半导体激光元件12对应设置的光学系统14。另外,本实施方式的激光装置10具有收容多个半导体激光元件12、光学系统14等的封装的壳体16。并且,本实施方式的激光装置10具有输出激光的输出部18和能够分别与外部电连接的端子部20、22。
壳体16具有例如扁平的大致长方体状的形状,并具有底板部24和盖部26。盖部26具有:在壳体16的一方的方向上亦即长边方向上彼此相对的前侧壁部28及后侧壁部30;和在与壳体16的一方的方向交叉的方向上亦即短边方向上彼此相对的左侧壁部32及右侧壁部34。并且,盖部26具有顶板部36,上述顶板部36以与底板部24相对的方式设置在各侧壁部28、30、32、34上。盖部26以空出内部空间而覆盖设置在底板部24的底面上的多个半导体激光元件12、光学系统14等的方式固定在底板部24上。需要说明的是,壳体16的形状未特别限定,能够采用各种形状。
在壳体16内收容有多个半导体激光元件12、光学系统14及后述的聚光透镜64。另外,如后述那样,在壳体16内,收容有端子部20、22的除突出到壳体16外的部分以外的部分。
如后述那样,底板部24是在将激光装置10设置于基板上时使该底板部24的下表面接触并设置于基板的设置面上的部分。在底板部24上设置有台阶部38。台阶部38成为台阶状,并具有以沿着壳体16的前后方向排列的方式设置的多个阶40。台阶部38的多个阶40随着从前方朝向后方而逐渐变高。台阶部38也可以与底板部24一体地形成,也可以是通过焊接等固定于底板部24的独立部件。
在底板部24上及台阶部38的多个阶40上设置有多个半导体激光元件12。多个半导体激光元件12例如是振荡波长、输出、其他激光特性彼此相同的相同半导体激光元件。需要说明的是,多个半导体激光元件12的数量未特别限定,能够根据激光装置10所要求的激光输出等而适当地设定。
多个半导体激光元件12是形成于各个芯片的彼此分开独立的元件。各半导体激光元件12例如以如下的形式设置在底板部24上及台阶部38的多个阶40上:通过利用焊接等固定并搭载于底座42上的芯片在底座上(Chip On Submount,COS)。
设置在底板部24上及台阶部38的多个阶40上的多个半导体激光元件12沿着壳体16的长边方向排列成一列。在排列成一列的多个半导体激光元件12之间设置有由台阶部38产生的阶梯差。多个半导体激光元件12分别配置为:激光的输出方向为壳体16的短边方向。排列成一列的多个半导体激光元件12配置为:向相对于其排列相同的一侧输出激光。需要说明的是,多个半导体激光元件12的排列也可以不仅为一列,而是多列设置。
在多个半导体激光元件12的排列中,相邻的半导体激光元件12的电极通过引线接合等而电连接。由此,多个半导体激光元件12串联连接。需要说明的是,将半导体激光元件12电连接的方法未特别限定,能够使用各种方法,但能够使用例如基于日本特开2015-185667号公报记载的引线接合的方法。
在多个半导体激光元件12的排列的前方侧且壳体16内的底板部24上设置有端子部20。另外,在多个半导体激光元件12的排列的后方侧且壳体16内的底板部24上设置有端子部22。端子部20、22分别能够与外部的驱动电源电连接,用于通过驱动电源向多个半导体激光元件12分别施加驱动电流。端子部20、22中的一方与驱动电源的正极端子连接,另一方与驱动电源的负极端子连接。
端子部20、22分别具有元件连接部44和与元件连接部44电连接的外部连接部46。端子部20、22分别是在与外部电连接时利用螺纹件的连接形式连接的部分。
各端子部20、22的元件连接部44设置在底板部24上。这样,作为各端子部20、22的一部分的元件连接部44设置于底板部24。各端子部20、22的元件连接部44分别具有片状导体48。片状导体48与底板部24平行地设置。片状导体48经由例如引线接合的引线而与串联连接的多个半导体激光元件12的排列中的端部的半导体激光元件12的电极电连接。
更具体而言,端子部20中的元件连接部44的片状导体48经由引线接合的引线而与串联连接的多个半导体激光元件12的排列中的前侧的端部的半导体激光元件12的电极电连接。另外,端子部22中的元件连接部44的片状导体48经由引线接合的引线而与串联连接的多个半导体激光元件12的排列中的后侧的端部的半导体激光元件12的电极电连接。需要说明的是,将元件连接部44的片状导体48与半导体激光元件12的电极电连接的方法不限定于基于引线接合的方法,也能够使用各种方法。
各端子部20、22的外部连接部46设置在元件连接部44上。各端子部20、22的外部连接部46作为由导体构成的导体部,具有例如以垂直的柱状形成于底板部24的柱状导体50。在各端子部20、22中,柱状导体50与片状导体48电连接。各柱状导体50在上端具有朝向上方开口的内螺纹孔52。如后述那样,各内螺纹孔52用于与外部的电连接。这样,各端子部20、22的外部连接部46相对于底板部24而向上设置。即,作为各端子部20、22的一部分的外部连接部46设置为:在与设置并固定有底板部24的设置面相反一侧,向与该设置面相反方向延伸。需要说明的是,相对于底板部24向上除了包括在与底板部24正交的方向上相对于底板部24向上的情况之外,还包括在相对于与底板部24正交的方向以规定的倾斜角度倾斜的方向上相对于底板部24而向上的情况。即,相对于底板部24向上的方向不仅是与底板部24正交的方向,也可以是相对于与底板部24正交的方向以规定的倾斜角度倾斜的方向。
在盖部26的顶板部36分别与端子部20、22的外部连接部46对应而设置有开口部54、56。端子部20、22的外部连接部46分别经由设置于顶板部36的开口部54、56而局部向顶板部36的上方即壳体16的外部突出。这样,端子部20、22的外部连接部46分别从壳体16的上表面局部向壳体16的外部突出。局部向壳体16的外部突出的各外部连接部46使内螺纹孔52朝向上方。另外,端子部20、22的外部连接部46也可以具有由绝缘体构成的绝缘部53。设置于顶板部36的开口部54、56和柱状导体50经由绝缘部53接触。并且,也可以经由绝缘部53而将设置于顶板部36的开口部54、56与柱状导体50密封。即,柱状导体50与开口部54、56之间也可以由绝缘部53封闭并密封。
各端子部20、22的外部连接部46能够利用与内螺纹孔52螺合的螺纹件或者螺纹部而与外部电连接。例如,通过与内螺纹孔52螺合的螺纹件,能够使作为导体棒的汇流条与柱状导体50接触并且固定于外部连接部46,并经由固定的汇流条而将外部连接部46与外部电连接。另外,使用具有与内螺纹孔52螺合的外螺纹部的外部端子,将外部端子的外螺纹部螺合并固定于内螺纹孔52,从而能够经由固定的外部端子将外部连接部46与外部电连接。另外,通过螺合于内螺纹孔52的外螺纹件,使例如圆形或者叉形(Y形)的压接端子亦即外部端子与柱状导体50接触并且固定于外部连接部46,能够经由固定的外部端子而将外部连接部46与外部电连接。
在多个半导体激光元件12的排列的一侧设置有光学系统14。光学系统14具有多组准直透镜58、60及反射镜62。多组准直透镜58、60及反射镜62与多个半导体激光元件12对应地设置在底板部24上及台阶部38的多个阶40上。多个准直透镜58为光学特性相同的相同部件。多个准直透镜60为光学特性相同的相同部件。多个反射镜62为光学特性相同的相同部件。
在准直透镜58、60及反射镜62的各组中,准直透镜58、60在对应的半导体激光元件12的激光的输出侧依次配置。另外,反射镜62配置于准直透镜60的后级。准直透镜58、60分别在纵向及横向上对从对应的半导体激光元件12输出的激光进行准直化而使该激光成为平行光。反射镜62使由对应的准直透镜58、60进而了准直化的激光向前方侧以90°反射,并导向设置有输出部18的壳体16的前方侧。
在底板部24的前方端部上设置有输出部18。在输出部18与光学系统14之间设置有聚光透镜64。在盖部26的前侧壁部28设置有供输出部18嵌合的缺口部66。输出部18具有用于输出激光的光纤68,通过光纤68输出激光。需要说明的是,光纤68的长度能够根据设计适当地变更。
输出部18的光纤68具有固定于壳体16的内部的一端亦即固定端和引出至壳体16的外部的一端亦即输出端。聚光透镜64与光学系统14一起构成用于使从多个半导体激光元件12输出的激光向光纤68的固定端入射的光学系统。聚光透镜64使由多个反射镜62分别反射的激光向光纤68的固定端聚光并入射。入射至光纤68的固定端的激光在光纤68传播,并作为激光装置10的输出而从光纤68的输出端输出。需要说明的是,用于使激光向光纤68的固定端入射的光学系统的结构也可以具有包含聚光透镜64的多个聚光透镜,也可以具有各种滤波器。
另外,在底板部24的前端部及后端部分别设置有供固定螺钉贯通的贯通孔70、72。贯通孔70、72相互位于对角的位置。在盖部26的顶板部36,与设置于底板部24的贯通孔70、72对应地分别设置有供固定螺钉贯通的贯通孔74、76。
如后述那样,本实施方式的激光装置10例如多个排列在基板上而作为光源装置使用。在排列有激光装置10的基板的设置面设置有供作为外螺纹件的固定螺钉螺合的内螺纹孔。通过贯通贯通孔70、74并与设置于基板的内螺纹孔螺合的固定螺钉及贯通贯通孔72、76并与设置于基板的内螺纹孔螺合的固定螺钉,将激光装置10安装并固定在基板的设置面上。需要说明的是,对于将激光装置10固定在基板的设置面上的方法而言,未特别限定,除了使用利用了固定螺钉的方法之外,还能够使用利用了螺栓及螺母的方法、利用了粘合剂的方法等各种方法。
这样,构成本实施方式的激光装置10。
在本实施方式的激光装置10的动作时,通过与端子部20、22电连接的外部的驱动电源,分别对串联连接的多个半导体激光元件12施加驱动电流。若施加驱动电流,则各半导体激光元件12进行激光振荡而输出激光。从各半导体激光元件12输出的激光在通过对应的准直透镜58、60被准直化后,由对应的反射镜62反射并向聚光透镜64引导。由各反射镜62反射后的激光通过聚光透镜64聚光并向输出部18的光纤68的固定端入射。入射至光纤68的固定端的激光作为激光装置10的输出而从光纤68的输出端输出。
通过排列多个本实施方式的激光装置10,能够构成光源装置。通过使用多个激光装置10,能够实现光源装置的高输出化。以下,使用图2A及图2B,对排列多个激光装置10而成的本实施方式的光源装置进行说明。图2A是表示本实施方式的光源装置的立体图。图2B是表示本实施方式的光源装置的俯视图。
如图2A及图2B所示,本实施方式的光源装置80具有基板82和排列设置在基板82上的多个激光装置10。需要说明的是,多个激光装置10的数量未特别限定,能够根据光源装置80所要求的激光输出等而适当地设定。
基板82是具有供所排列的多个激光装置10设置的设置面,且对设置在该设置面上的多个激光装置10进行支承的基座部件。多个激光装置10分别以使底板部24侧成为基板82侧的方式安装并固定在基板82的设置面上。如上述那样,通过贯通贯通孔70、74并与基板82的内螺纹孔螺合的固定螺钉84及贯通贯通孔72、76并与基板82的内螺纹孔螺合的固定螺钉86,将各激光装置10安装并固定在基板82的设置面上。
设置在基板82的设置面上的多个激光装置10例如将基板82的长边方向作为排列方向而沿横向排列成一列。排列成一列的多个激光装置10使输出部18朝向相对于其排列而相同的一侧。多个激光装置10分别配置为,其壳体16的长边方向相对于多个激光装置10的排列方向而正交。需要说明的是,激光装置10相对于排列方向的倾斜角度未特别限定,能够适当地设定。
相邻的两个激光装置10中的一个激光装置10的端子部20与另一个激光装置10的端子部22通过作为导体棒的汇流条88而电连接。汇流条88的一端通过与一个激光装置10的端子部20的内螺纹孔52螺合的固定螺钉90,固定于该端子部20并与端子部20电连接。汇流条88的另一端通过与另一个激光装置10的端子部22的内螺纹孔52螺合的固定螺钉92,固定于该端子部22并与端子部22电连接。这样,将多个激光装置10串联连接。需要说明的是,将多个激光装置10电连接的方法不限定于利用了汇流条88的方法,也能够使用利用了导线的方法等各种方法。
这样,构成本实施方式的光源装置80。
本实施方式的光源装置80例如能够用作光纤激光器的激励光源。此处,使用图3对将本实施方式的光源装置80用作激励光源的光纤激光器进行说明。图3是表示将本实施方式的光源装置80用作激励光源的光纤激光器的概略图。
如图3所示,将本实施方式的光源装置80用作激励光源的光纤激光器94具有作为激励光源的光源装置80和作为光耦合部的泵浦合束器96。另外,光纤激光器94具有作为放大用光纤的稀土类添加光纤98和输出侧光纤100。在稀土类添加光纤98的输入端及输出端分别设置有高反射FBG(Fiber Bragg Grating:光纤光栅)102及低反射FBG104。
光源装置80所包含的多个激光装置10的输出部18的光纤68的输出端分别与多输入一输出的泵浦合束器96的多个输入端口结合。在泵浦合束器96的输出端口连接有稀土类添加光纤98的输入端。在稀土类添加光纤98的输出端连接有输出侧光纤100的输入端。需要说明的是,作为使从多个激光装置10输出的激光向稀土类添加光纤98入射的入射部,也能够取代泵浦合束器96而使用其他结构。例如,也可以构成为,将多个激光装置10的输出部18的光纤68排列配置,使用包含透镜的光学系统等的入射部,使从多个光纤68输出的激光向稀土类添加光纤98的输入端入射。
这样,构成将本实施方式的光源装置80用作激励光源的光纤激光器94。
在光纤激光器94中,从多个激光装置10的光纤68输出的激光通过泵浦合束器96耦合而从其输出端口输出。作为入射部的泵浦合束器96使从其输出端口输出的作为激励光的激光向稀土类添加光纤98的输入端入射。在稀土类添加光纤98中,通过高反射FBG102及低反射FBG104,形成包含稀土类添加光纤98的谐振器。
对于作为放大用光纤的稀土类添加光纤98而言,所传播的激励光被掺杂于纤芯的稀土类元素吸收,在基态能级与亚稳态能级之间产生反转分布而释放出光。这样释放出的光通过稀土类添加光纤98的光放大作用和由高反射FBG102及低反射FBG104构成的激光谐振器的作用而进行激光振荡。这样,通过激光振荡而产生激光。所产生的激光从与稀土类添加光纤98的输出端连接的输出侧光纤100的输出端输出。
如上述那样,对于本实施方式的激光装置10而言,能够与外部电连接的端子部20、22相对于设置在基板82的设置面上的底板部24而向上设置。因此,在将多个激光装置10例如图2A及图2B所示沿横向排列而构成光源装置80的情况下,不需要确保端子部20、22的空间,从而能够减少光源装置80的占用空间。由此,能够实现省空间化。
另一方面,若与本实施方式的激光装置10不同,相对于壳体的底板部而朝向侧方的端子部设置于壳体的侧壁部,则难以实现省空间化。此处,使用图11A及图11B对相对于壳体的底板部而朝向侧方的端子部设置于壳体的侧壁部的参考例的激光装置进行说明。图11A是表示参考例的激光装置的立体图。图11B是表示参考例的激光装置的透视俯视图。
如图11A及图11B所示,参考例的激光装置810具有多个半导体激光元件812和与多个半导体激光元件812对应设置的光学系统814。另外,参考例的激光装置810具有收容多个半导体激光元件812、光学系统814等的壳体816。并且,参考例的激光装置810具有输出激光的输出部818和能够与外部电连接的端子部亦即引线管脚820、822。
多个半导体激光元件812与上述多个半导体激光元件12相同。光学系统814也与上述光学系统14相同,具有多组与上述准直透镜58、60和反射镜62相同的准直透镜858、860和反射镜862的组。多个半导体激光元件812、及多组准直透镜858、860和反射镜862同样地设置在与上述台阶部38相同的台阶部838的阶上。各半导体激光元件812例如通过利用焊接等固定并搭载于底座842上的COS的形式而设置。
在壳体816的前方端部设置有输出部818。在输出部818与光学系统814之间设置有与上述聚光透镜64相同的聚光透镜864。输出部818与上述输出部18同样具有用于输出激光的光纤868。光纤868具有固定于壳体816的内部的固定端和输出激光的壳体816的外部的输出端。聚光透镜864使分别由反射镜862反射的激光在光纤868的固定端聚光并入射。聚光并入射至光纤868的固定端的激光作为激光装置810的输出,从光纤868的输出端输出。
在壳体816的侧壁部且多个半导体激光元件812的排列的前方侧及后方侧分别设置有引线管脚820、822。引线管脚820、822分别贯通壳体816的侧壁部而在横向上突出,并相对于壳体816的底板部而朝向侧方设置。引线管脚820、822作为与外部的驱动电源电连接的端子部发挥功能,并用于通过驱动电源分别对多个半导体激光元件812施加驱动电流。
在壳体816的侧壁部的下端设置有在横向上突出的多个固定部870。在各固定部870分别设置有供固定螺钉贯通的贯通孔872。激光装置810与上述激光装置10相同,例如多个排列于基板上而用作光源装置。在排列有激光装置810的基板的设置面设置有供作为外螺纹件的固定螺钉螺合的内螺纹孔。通过贯通设置于各固定部870的贯通孔872并与设置于基板的设置面的内螺纹孔螺合的固定螺钉,将激光装置810安装并固定在基板的设置面上。
这样,构成参考例的激光装置810。
在将上述参考例的激光装置810横向排列在基板上而构成光源装置的情况下,相对于壳体816的底板部而朝向侧方的引线管脚820、822在横向上突出。因此,在参考例的激光装置810中,光源装置的占用空间增加,作为其结果,难以实现省空间化。
图12是表示将多个参考例的激光装置810在横向上排列而构成的参考例的光源装置的俯视图。如图12所示,参考例的光源装置880具有基板882和排列并设置在基板882上的多个参考例的激光装置810。
多个激光装置810分别以使壳体816的底板部侧成为基板882侧的方式安装在基板882的设置面上。如上述那样,通过贯通固定部870的贯通孔872并与基板882的内螺纹孔螺合的固定螺钉884,将各激光装置810安装并固定在基板882的设置面上。
设置在基板882的设置面上的多个激光装置810将例如基板882的长边方向作为排列方向而在横向上排列成一列。排列成一列的多个激光装置810使输出部818朝向相对于其排列而相同的一侧。多个激光装置810分别配置为,其壳体816的长边方向相对于多个激光装置810的排列方向以规定的倾斜角度倾斜。
相邻的两个激光装置810中的一个激光装置810的引线管脚820与另一个激光装置810的引线管脚822通过焊接而电连接。
这样,构成参考例的光源装置880。
在参考例的激光装置810中,相对于在基板882的设置面上设置的壳体816的底板部而朝向侧方设置的引线管脚820、822在横向上突出。因此,在将多个参考例的激光装置810沿横向排列而构成光源装置880时,需要确保用于引线管脚820、822的空间,与其对应地增加光源装置880的占用空间。
另外,引线管脚820、822通常通过焊接与其他端子连接,因此与焊接对应地增加工时。另外,一般而言,引线管脚820、822的焊接操作性不良好。
相对于此,本实施方式的激光装置10在如图2A及图2B所示排列时,由于相对于壳体16的底板部24而向上设置有端子部20、22,所以不需要确保这些端子部20、22的空间。因此,本实施方式的激光装置10与参考例的激光装置810比较,能够减少光源装置80的占用空间。因此,根据本实施方式的激光装置10,能够实现省空间化。
并且,在本实施方式的激光装置10中,端子部20、22具有内螺纹孔52,通过螺纹件与外部电连接。因此,根据本实施方式的激光装置10,不需要如引线管脚那样进行焊接。因此,根据本实施方式的激光装置10,在进行与外部的电连接时能够确保良好的操作性。
另外,在本实施方式的激光装置10中,端子部20、22的外部连接部46局部向顶板部36的上方即壳体16的外部突出。通过这样外部连接部46突出,从而根据本实施方式的激光装置10,能够利用例如如上述那样连接作业容易的汇流条88等,以较好的操作性进行与外部的电连接。
并且,本实施方式的激光装置10不需要使用实施了高价的气密密封的引线管脚。因此,根据本实施方式的激光装置10,能够实现更廉价的价格。
这样,根据本实施方式,能够减少占用空间而实现省空间化,并且在与外部的电连接时能够确保良好的操作性。
[第二实施方式]
使用图4及图5对本发明的第二实施方式的激光装置及光源装置进行说明。需要说明的是,对与上述第一实施方式的激光装置及光源装置相同的构成要素标注相同的标号,并省略或者简化说明。
本实施方式的激光装置的基本结构与第一实施方式的激光装置10的结构相同。本实施方式的激光装置在取代用于将激光装置10安装并固定在基板的设置面上的底板部24的贯通孔70、72及顶板部36的贯通孔74、76而具有固定部这点上与第一实施方式的激光装置10不同。
图4是表示本实施方式的激光装置的立体图。如图4所示,本实施方式的激光装置210具有设置于壳体16的底板部24的多个固定部212。需要说明的是,在本实施方式的激光装置210中,与第一实施方式的激光装置10不同,在底板部24未设置贯通孔70、72,在顶板部36也未设置贯通孔74、76。
各固定部212以从底板部24向壳体16的外侧突出的方式设置于底板部24。例如,在底板部24的沿着长边方向的两个缘端部中的一个缘端部设置有两个固定部212,在另一个缘端部设置有一个固定部212。需要说明的是,固定部212的数量及位置未特别限定,能够适当地变更。
在各固定部212设置有供固定螺钉贯通的贯通孔214。激光装置210与激光装置10相同,例如多个排列在基板的设置面上而用作光源装置。在激光装置210所排列的基板的设置面设置有供作为外螺纹件的固定螺钉螺合的内螺纹孔。通过贯通各固定部212的贯通孔214并与在基板的设置面设置的内螺纹孔螺合的固定螺钉,将激光装置210安装并固定在基板的设置面上。需要说明的是,将激光装置210固定在基板的设置面上的方法未特别限定,除了利用了固定螺钉的方法之外,还能够使用利用了螺栓及螺母的方法等各种方法。
图5是表示本实施方式的光源装置的俯视图。如图5所示,本实施方式的光源装置280具有基板282和排列并设置在基板282上的多个激光装置210。需要说明的是,图5中,省略将端子部20与端子部22之间电连接的汇流条88及固定螺钉90、92。
多个激光装置210分别以使底板部24侧成为基板282侧的方式安装在基板282上。如上述那样,通过贯通设置于各固定部212的贯通孔214并与基板282的内螺纹孔螺合的固定螺钉216,将各激光装置210安装并固定在基板282的设置面上。
如本实施方式那样,也可以是,用于将激光装置210安装并固定在基板282的设置面上的固定部212设置于壳体16的外侧。
[第三实施方式]
使用图6对本发明的第三实施方式的激光装置进行说明。需要说明的是,对与上述第一及第二实施方式的激光装置及光源装置相同的构成要素标注相同的标号,并省略或者简化说明。
本实施方式的激光装置的基本的结构与第二实施方式的激光装置210的结构相同。本实施方式的激光装置在取代端子部20、22而具有在壳体16的外部设置的端子部这点上,与第二实施方式的激光装置210不同。
图6是表示本实施方式的激光装置的立体图。如图6所示,本实施方式的激光装置310取代端子部20、22而具有在壳体16的外部设置的端子部320、322。
端子部320设置于盖部26的前侧壁部28。端子部322设置于盖部26的后侧壁部30。端子部320、322能够与外部电连接,并分别具有与端子部20、22相同的功能。
端子部320、322分别具有元件连接部344、和与元件连接部344电连接的外部连接部346。端子部320、322分别是在与外部电连接时利用螺纹件的连接形式连接的部分。
端子部320的元件连接部344以内外贯通盖部26的前侧壁部28的方式与底板部24平行地设置。端子部320的元件连接部344具有与上述片状导体48相同的未图示的片状导体。该片状导体经由引线接合的引线而与多个半导体激光元件12的排列中的前侧的端部的半导体激光元件12的电极电连接。
端子部322的元件连接部344以内外贯通盖部26的后侧壁部30的方式与底板部24平行地设置。端子部322的元件连接部344具有与上述片状导体48相同的未图示的片状导体。该片状导体经由引线接合的引线而与多个半导体激光元件12的排列中的后侧的端部的半导体激光元件12的电极电连接。
需要说明的是,将各元件连接部344的片状导体与半导体激光元件12的电极电连接的方法不限定于基于引线接合的方法,也能够使用各种方法。
各端子部320、322的外部连接部346设置在元件连接部344的在壳体16以外的部分上。各端子部320、322的外部连接部346作为由导体构成的导体部,分别具有例如以垂直的柱状形成于底板部24的柱状导体350。在各端子部320、322中,柱状导体350与元件连接部344的片状导体电连接。各柱状导体350在上端具有朝向上方开口的内螺纹孔352。这样,各端子部320、322的外部连接部346与第一实施方式的各端子部20、22的外部连接部46相同,相对于底板部24向上设置。即,作为各端子部320、322的一部分的外部连接部346设置为,在与设置并固定有底板部24的设置面相反一侧,向与该设置面相反方向延伸。
各端子部320、322的外部连接部346与上述端子部20、22的外部连接部46相同,能够利用与内螺纹孔352螺合的螺纹件或者螺纹部而与外部电连接。另外,端子部320、322的外部连接部346也可以具有由绝缘体构成的绝缘部353。
如本实施方式那样,能够与外部电连接的端子部320、322也可以设置于壳体16的外部。
需要说明的是,在上述中,对在与第二实施方式的激光装置210相同的结构中,取代端子部20、22而设置端子部320、322的情况进行了说明,但不限定于此。也能够在与第一实施方式的激光装置10相同的结构中,取代端子部20、22而设置端子部320、322。
[第四实施方式]
使用图7对本发明的第四实施方式的激光装置进行说明。需要说明的是,对与上述第一~第三实施方式的激光装置及光源装置相同的构成要素标注相同的标号,并省略或者简化说明。
本实施方式的激光装置的基本结构与第二实施方式的激光装置210的结构相同。本实施方式的激光装置在取代端子部20、22而具有形状及与外部连接的连接形式和端子部20、22不同的端子部这点上,与第二实施方式的激光装置210不同。
图7是表示本实施方式的激光装置的立体图。如图7所示,本实施方式的激光装置410取代端子部20、22而具有端子部420、422。
端子部420、422分别具有与端子部20、22相同的功能。但是,端子部420、422形状及与外部连接的连接形式与端子部20、22不同。即,端子部420、422分别是在与外部电连接时利用以下进行说明的开口部448的连接形式的部分。
端子部420、422分别具有:从盖部26的顶板部36朝向上方而向壳体16的外部突出的外部连接部446。各外部连接部446从壳体16的上表面局部向壳体16的外部突出。各外部连接部446作为由导体构成的导体部,具有与壳体16的长边方向正交的板状导体450。在各外部连接部446的板状导体450设置有沿着壳体16的长边方向贯通的开口部448。需要说明的是,各外部连接部446在壳体16内与和元件连接部44相同的元件连接部电连接。另外,各端子部420、422的外部连接部446也可以具有板状导体450和由绝缘体构成的绝缘部453。并且,在顶板部36具有与图1A的开口部54、56相当的开口部,这些开口部和板状导体450经由绝缘部453而接触。并且,也可以经由绝缘部453,而将设置于顶板部36的开口部与板状导体450密封。即,板状导体450与开口部之间也可以通过绝缘部453封闭并密封。
能够分别利用开口部448而将外部端子与端子部420、422的外部连接部446电连接。例如,通过穿过了开口部448的螺栓及对应的螺母,能够从外部连接部446的侧方将圆形或者叉形的压接端子亦即外部端子固定于外部连接部446。这样,能够将外部端子分别与端子部420、422电连接。
如本实施方式那样,也可以取代利用螺纹件的连接形式的端子部20、22而设置有利用开口部448的连接形式的端子部420、422。
需要说明的是,在上述中,对在与第二实施方式的激光装置210相同的结构中,取代端子部20、22而设置端子部420、422的情况进行了说明,但不限定于此。在与第一实施方式的激光装置10相同的结构中,也能够取代端子部20、22而设置端子部420、422。另外,在与第三实施方式的激光装置310相同的结构中,也能够取代端子部320、322而设置端子部420、422。
[第五实施方式]
使用图8对本发明的第五实施方式的光源装置进行说明。需要说明的是,对与上述第一至第四实施方式的激光装置及光源装置相同的构成要素标注相同的标号,并省略或者简化说明。
本实施方式的光源装置的基本的结构与第一实施方式的光源装置80的结构相同。在本实施方式的光源装置中,激光装置10相对于多个激光装置10的排列方向的倾斜角度与第一实施方式的光源装置80不同。
图8是表示本实施方式的光源装置的俯视图。如图8所示,本实施方式的光源装置580与第一实施方式的光源装置80相同,具有基板82、和排列并设置在基板82上的多个激光装置10。需要说明的是,图8中,省略将端子部20与端子部22之间电连接的汇流条88及固定螺钉90、92。
在第一实施方式的光源装置80中,如上述那样,多个激光装置10分别配置为,其壳体16的长边方向相对于多个激光装置10的排列方向正交。
相对于此,在本实施方式的光源装置580中,多个激光装置10分别配置为,其壳体16的长边方向相对于多个激光装置10的排列方向以锐角或者钝角的倾斜角度倾斜。即,各激光装置10配置为,其壳体16的长边方向相对于多个激光装置10的排列方向以90°以外的规定的倾斜角度倾斜。
需要说明的是,倾斜配置的多个激光装置10分别与第一实施方式的光源装置80的激光装置10相同,安装并固定在基板82的设置面上。
如本实施方式那样,也可以多个激光装置10分别配置为,激光装置10的壳体16的长边方向相对于多个激光装置10的排列方向以锐角或者钝角的倾斜角度倾斜。
[第六实施方式]
使用图9及图10对本发明的第六实施方式的激光装置进行说明。需要说明的是,对与上述第一~第五实施方式的激光装置及光源装置相同的构成要素标注相同的标号,并省略或者简化说明。
本实施方式的激光装置的基本结构与第一实施方式的激光装置10的结构相同。本实施方式的激光装置除了第一实施方式的激光装置10的结构之外,还具有与半导体激光元件12不同的电子部件及与其对应的端子部。
图9是表示本实施方式的激光装置的分解立体图。图10是表示本实施方式的激光装置的电子部件的放大立体图。
如图9及图10所示,本实施方式的激光装置610除了第一实施方式的激光装置10的结构之外,还具有电子部件612和与其对应的端子部614、616。
电子部件612收容于壳体16内。另外,如后述那样,端子部614、616的除了向壳体16外突出的部分以外的部分也收容于壳体16内。
电子部件612与半导体激光元件12不同,例如是对壳体16内的温度进行检测的热敏电阻等温度传感器。电子部件612设置在底板部24的输出部18附近的区域上。电子部件612例如通过利用焊接等固定并搭载在底座618上的COS的形式而设置在底板部24上。底板部24为了设置电子部件612及端子部614、616而比第一实施方式扩张。
需要说明的是,电子部件612不限定于温度传感器。电子部件612例如也可以是光电二极管等光检测器。
与电子部件612对应的端子部614、616在壳体16内,分别设置在底板部24的电子部件612的附近的区域上。端子部614、616分别与和电子部件612对应的外部的电路部电连接,且用于实现电子部件612的功能。在电子部件612为热敏电阻等温度传感器的情况下,端子部614、616分别与测温电路的规定的端子连接,实现基于温度传感器的温度测定。
端子部614、616分别具有部件连接部620、和与部件连接部620电连接的外部连接部622。端子部614、616分别是在与外部电连接时利用螺纹件的连接形式的部分。端子部614、616的部件连接部620及外部连接部622分别具有与端子部20、22的元件连接部44及外部连接部46相同的构造。
各端子部614、616的部件连接部620设置在底板部24上。这样,作为各端子部614、616的一部分的部件连接部620设置于底板部24。各端子部614、616的部件连接部620分别具有片状导体624。片状导体624与底板部24平行地设置。片状导体624例如经由引线接合的引线与电子部件612的电极电连接。
更具体而言,端子部614的部件连接部620的片状导体624经由引线接合的引线与电子部件612的一方的电极电连接。另外,端子部616的部件连接部620的片状导体624经由引线接合的引线与电子部件612的另一方的电极电连接。需要说明的是,将部件连接部620的片状导体624与电子部件612的电极电连接的方法不限定于引线接合的方法,能够使用各种方法。
各端子部614、616的外部连接部622设置在部件连接部620上。各端子部614、616的外部连接部622作为由导体构成的导体部,具有例如以垂直的柱状形成于底板部24的柱状导体626。在各端子部614、616中,柱状导体626与片状导体624电连接。各柱状导体626在上端具有朝向上方开口的内螺纹孔628。如后述那样,各内螺纹孔628为了与外部的电连接而使用。这样,各端子部614、616的外部连接部622与端子部20、22的外部连接部46相同,相对于底板部24而向上设置。即,作为各端子部614、616的一部分的外部连接部622设置为,在与设置并固定有底板部24的设置面相反一侧,向与该设置面相反方向延伸。
在盖部26的顶板部36分别与端子部614、616的外部连接部622对应而设置有开口部630、632。端子部614、616的外部连接部622分别经由设置于顶板部36的开口部630、632,局部向顶板部36的上方即壳体16的外部突出。这样,端子部614、616的外部连接部622分别从壳体16的上表面局部向壳体16的外部突出。局部向壳体16的外部突出的各外部连接部622使内螺纹孔628朝向上方。需要说明的是,盖部26为了将电子部件612及端子部614、616收容于壳体16内,与扩张的底板部24对应地比第一实施方式扩张。另外,端子部614、616的外部连接部622也可以具有由绝缘体构成的绝缘部629。设置于顶板部36的开口部630、632与柱状导体626经由绝缘部629而接触。并且,也可以经由绝缘部629而将设置于顶板部36的开口部630、632与柱状导体626密封。即,柱状导体626与开口部630、632之间也可以通过绝缘部629封闭并密封。
各端子部614、616的外部连接部622能够利用与内螺纹孔628螺合的螺纹件或者螺纹部而与外部电连接。例如,通过与内螺纹孔628螺合的螺纹件,能够使作为导体棒的汇流条与柱状导体626接触并且固定于外部连接部622,并经由固定的汇流条而将外部连接部622与外部电连接。另外,使用具有与内螺纹孔628螺合的外螺纹部的外部端子,将外部端子的外螺纹部螺合固定于内螺纹孔628,从而能够经由固定的外部端子将外部连接部622与外部电连接。另外,通过螺合于内螺纹孔628的外螺纹件,使例如圆形或者叉形的压接端子亦即外部端子与柱状导体626接触并且固定于外部连接部622,能够经由固定的外部端子而将外部连接部622与外部电连接。
如本实施方式那样,也可以还设置有电子部件612及与其对应的端子部614、616。在这种情况下,与电子部件612对应的端子部614、616也相对于在基板的设置面上设置的底板部24而向上设置。因此,与端子部20、22相同,在构成光源装置的情况下不需要确保端子部614、616的空间,能够减少光源装置的占用空间。由此,能够实现省空间化。
另外,端子部614、616也具有内螺纹孔628,通过螺纹件与外部电连接。因此,针对端子部614、616,也不需要如引线管脚那样进行焊接,在与外部电连接时能够确保良好的操作性。
需要说明的是,在上述中,对除了第一实施方式的激光装置10的结构之外还设置有电子部件612及端子部614、616的情况进行了说明,但不限定于此。也可以除了第二~第四实施方式的激光装置210、310、410的结构之外,还设置有电子部件612及端子部614、616。
另外,也可以是,和电子部件612对应的端子部614、616与第三实施方式的端子部320、322相同,设置于壳体16的外部。另外,也可以是,和电子部件612对应的端子部614、616与第四实施方式的端子部420、422相同,是利用开口部的连接形式的部分。
[变形实施方式]
本发明不局限于上述实施方式,能够进行各种变形。
例如,在上述实施方式中,将激光装置10、210、310、410、610具有多个半导体激光元件12的情况作为例子进行了说明,但不限定于此。激光装置10、210、310、410、610也可以具有一个半导体激光元件12。
另外,在上述实施方式中,将端子部20、22、320、322具有内螺纹孔52、352的情况作为例子进行了说明,但不限定于此。端子部20、22、320、322能够取代内螺纹孔52、352而具有用于与外部电连接的外螺纹部。在这种情况下,例如能够使用与该外螺纹部螺合的螺母等,通过插入外螺纹部的环状部等将与外螺纹部接触的外部端子固定于端子部20、22、320、322。针对与电子部件612对应的端子部614、616,同样能够使用具有外螺纹部的部件。
另外,在上述实施方式中,作为端子部20、22、320、322、420、422,将利用螺纹件或者开口部的连接形式的部分作为例子进行了说明,但不限定于这些,能够使用其他的连接形式的部分。例如,作为端子部20、22、320、322、420、422,能够为利用可供香蕉插头等插头插入的插孔的连接形式连接的部分。针对与电子部件612对应的端子部614、616,同样能够使用以其他的连接形式连接的部分。
另外,在上述实施方式中,以将多个激光装置10、210设置在基板82、282上的情况作为例子进行了说明,但不限定于此。多个激光装置10、210除了基板82、282之外,还能够设置在设置台等各种基座部件的设置面上。
另外,在上述实施方式中,如图2A及图2B所示,将排列成一列的多个激光装置10使输出部18朝向相对于其排列而相同的一侧的情况作为例子进行了说明,但不限定于此。例如,排列成一列的多个激光装置10也可以使输出部18相互不同地朝向相对于其排列的一侧和另一侧。在这种情况下,相邻的两个激光装置10中的应该由汇流条88连接的端子部20、22相互位于相同的一侧,因此能够缩短汇流条88的长度,因此,能够缩短电连接路径。
另外,在上述实施方式中,如图3所示,以将光源装置80用作光纤激光器94的激励光源的情况为例子进行了说明,但不限定于此。光源装置80能够作为进行波长合成的装置、进行偏振波合成的装置等各种装置或者系统的光源而使用。另外,光源装置80能够作为直接二极管激光器而使用。例如,光源装置80能够与供从其多个激光装置10输出的激光入射的光学系统一起使用。光学系统包括聚光透镜等透镜、合束器、反射器等。更具体而言,能够通过包含透镜的光学系统将从光源装置80的多个激光装置10输出的激光聚光并输出。另外,能够通过合束器将从光源装置80的多个激光装置10输出的激光耦合并输出。需要说明的是,对于光源装置80的多个激光装置10而言,激光的波长等激光特性可以彼此相同,也可以彼此不同。多个激光装置10的激光特性能够根据光源装置80的用途而适当地设定。
标号说明
10、210、310、410、610…激光装置;12…半导体激光元件;16…壳体;18…输出部;20、320、420…端子部;22、322、422…端子部;80、280、580…光源装置;82…基板;94…光纤激光器;96…泵浦合束器;98…稀土类添加光纤;612…电子部件;614…端子部;616…端子部。
Claims (14)
1.一种激光装置,其特征在于,具有:
底板部;
半导体激光元件,设置在所述底板部上;及
端子部,相对于所述底板部向上设置,能够经由导体部件与外部电连接,
所述端子部具有向壳体的外部突出的外部连接部,
所述导体部件通过与所述端子部螺合的螺钉,而与所述端子部接触并固定于所述端子部。
2.根据权利要求1所述的激光装置,其特征在于,
所述端子部的一部分设置于所述底板部。
3.根据权利要求1或2所述的激光装置,其特征在于,
具备壳体,该壳体具有所述底板部,
所述壳体收容所述半导体激光元件,
所述端子部设置在所述壳体内的所述底板部上。
4.根据权利要求3所述的激光装置,其特征在于,
所述外部连接部具有由绝缘体构成的绝缘部。
5.根据权利要求4所述的激光装置,其特征在于,
所述壳体具有与所述底板部相对的顶板部,
在所述顶板部设置有与所述外部连接部对应的开口部,
所述外部连接部具有由导体构成的导体部,
所述导体部与所述开口部经由所述绝缘部而接触,
所述外部连接部经由所述开口部而局部地向所述壳体的外部突出。
6.根据权利要求5所述的激光装置,其特征在于,
所述导体部与所述开口部经由所述绝缘部而密封。
7.根据权利要求3所述的激光装置,其特征在于,
所述外部连接部从所述壳体的上表面向所述壳体的外部突出。
8.根据权利要求1或2所述的激光装置,其特征在于,
所述端子部具有与所述半导体激光元件电连接的元件连接部。
9.根据权利要求1或2所述的激光装置,其特征在于,
具有设置在所述底板部上且与所述半导体激光元件不同的电子部件,
所述端子部具有与所述电子部件电连接的部件连接部。
10.根据权利要求1或2所述的激光装置,其特征在于,
所述端子部具有用于与所述外部电连接的内螺纹孔或者外螺纹部。
11.根据权利要求1或2所述的激光装置,其特征在于,具有:
输出部,通过光纤将从所述半导体激光元件输出的激光输出;和
光学系统,使所述激光向所述光纤的一端入射。
12.一种光源装置,其特征在于,具有:
权利要求1~11中任一项所述的多个激光装置;和
基座部件,具有设置有所述多个激光装置的设置面。
13.根据权利要求12所述的光源装置,其特征在于,
具有光学系统,所述光学系统供从所述多个激光装置输出的激光入射。
14.一种光纤激光器,其特征在于,具有:
权利要求12或13所述的光源装置;
放大用光纤;及
入射部,使从所述光源装置的所述多个激光装置输出的激光向所述放大用光纤入射。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016173114 | 2016-09-05 | ||
JP2016-173114 | 2016-09-05 | ||
PCT/JP2017/031902 WO2018043752A1 (ja) | 2016-09-05 | 2017-09-05 | レーザ装置及び光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109565154A CN109565154A (zh) | 2019-04-02 |
CN109565154B true CN109565154B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=61301901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780049220.5A Active CN109565154B (zh) | 2016-09-05 | 2017-09-05 | 激光装置及光源装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10777965B2 (zh) |
JP (2) | JP7033068B2 (zh) |
CN (1) | CN109565154B (zh) |
DE (1) | DE112017004448T5 (zh) |
WO (1) | WO2018043752A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
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- 2017-09-05 WO PCT/JP2017/031902 patent/WO2018043752A1/ja active Application Filing
- 2017-09-05 JP JP2018537593A patent/JP7033068B2/ja active Active
- 2017-09-05 CN CN201780049220.5A patent/CN109565154B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022065182A (ja) | 2022-04-26 |
CN109565154A (zh) | 2019-04-02 |
JP7033068B2 (ja) | 2022-03-09 |
JPWO2018043752A1 (ja) | 2019-06-24 |
WO2018043752A1 (ja) | 2018-03-08 |
US10777965B2 (en) | 2020-09-15 |
DE112017004448T5 (de) | 2019-07-04 |
JP7247391B2 (ja) | 2023-03-28 |
US20190157835A1 (en) | 2019-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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