TW594342B - Liquid crystal display device having sunken gate electrode and fabricating method thereof - Google Patents

Liquid crystal display device having sunken gate electrode and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW594342B
TW594342B TW092113314A TW92113314A TW594342B TW 594342 B TW594342 B TW 594342B TW 092113314 A TW092113314 A TW 092113314A TW 92113314 A TW92113314 A TW 92113314A TW 594342 B TW594342 B TW 594342B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
gate
patent application
substrate
scope
Prior art date
Application number
TW092113314A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200307168A (en
Inventor
Kwang-Soon Park
Chul-Woo Im
Sang-Moo Song
Cheol-Min Woo
Seung-Kyu Choi
Original Assignee
Lg Philips Lcd Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Philips Lcd Co Ltd filed Critical Lg Philips Lcd Co Ltd
Publication of TW200307168A publication Critical patent/TW200307168A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TW594342B publication Critical patent/TW594342B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
    • H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關；^ 用於液晶顯示裝置3晶顯示裝置’J更尤其是有關具有 件及其製造方法。陣列基板之埋入式閘極電極之切換元 【先前技術】 向性ΐ :極：;广f: J (L CSD)使用液晶分子之光學非均 在其排列中具有特定之:曰；子由於其薄與長的形狀， 加電場而控制液日2方向順序。可以藉由對液晶分子施 強度改戀日士，^ L曰刀排列方向。換句話說，當電場之 根據液晶：子之方：ί :子之排列亦改變。由於入射光線 ::,先予非均向，生’而可控制入射光線之強度且可顯示 體(τί)通Λ?之各種形式之LCD裝置中，具有薄模電晶 陣式lcd(am_lcd)裝置，以及連接至設置 示移動中TFT之像素電才虽，由於其高的解析度以及顯 不私動影像之優越性而被發展。 圖。據習知技術之液晶顯示裝置之概要透視 具有：力*圖中液晶顯示（LCD)裝置11包括第一基板5，其 ^ ^ ^湄色過濾層7(包括次顏色過濾器7a至7c、以及在 =次顏色過渡器 /τ”、、’以及第二基板22(具有像素電極17、切換元件 、从及陣列線）。此外，液晶層14是設置介於第一基板 594342
Λ一Λ/ 匕第一與第二基板5與22通常各稱為顏 ^過慮基板與陣列基板。此切換元件,,τ"，例 矩貝 陣配置中之薄膜電晶體(TFT)，且連接至彼此相交之= 線13與f料線15。像素區"p，，是界定在閘極線"與資料線 1 5之相父σ卩刀，且像素電極1 7是由設置在像素區，，p，， 明導電材料製成。 灸 、fLCD裝置是由液晶層14之電子光學效應所驅動。由 於液晶層1 4是由具有介電非均向性與自發性偏極化之材料 製成，在當施加電壓時由於自性偏極化在液晶層丨4中形成 雙極。、，此，液晶分子之排列方向是根據由所施加電壓所 產生電場之方向而改變。其光學特性取決於對準狀態，且 此現象為一種光電調變。因此，此LCD裝置藉由使用u光電 調變以屏蔽或透射光線而顯示影像。 第2圖為概要平面圖，其顯示根據習知技術用於液晶 顯示裝置之陣列基板。在第2圖中，閘極線丨3與資料線】5 ，此相交，並且薄膜電晶體（TFT)” τ”是設置在閘極線13與 >料線1 5之父點。將掃描信號與影像信纟虎各由外部電路 (未圖示）供應至閘極線1 3與資料線1 5。此切換元件了 F τ " τ " 連接至閘極線1 3、資料線1 5、以及像素電極1 7。 TFTn Τπ包括閘極電極31、活性層32、源極電極33、以 及沒極電極35。閘極電極31連接至閘極線13。此等形成以 重疊閘極電極31之源極電極33與汲極電極35是彼此分離而 以活性層3 2為中間。此活性層3 2是由非晶矽（a - s i : Η)與 多晶石夕（p-Si)所形成。此連接至資料線15與汲極電極35之
第8頁 五、發明說明（3) 源極電極3 3是連接至傻夸丨丨p丨丨十7多主 17 i 9 w 素 像素電極17。像素電極 之Η ^雷，並且儲存電容器"CsT"形成介於重疊 電容器可以形成於其他結構中。 省存 將TFT當ΚΪ7言號經由閉Ϊ線13供應至閉極電極31時，則 、 、〇η 在同時，將與掃描信號同步之影像作 =由汲極電極35供應至像素電極17。因此，此在像素^ 之S層14(第1圖）根據所施加之影像信號藉由自 ίlit 重新配置。當未將掃描信號施加於閘極 導通狀態期間所積聚之：辛電極此切广狀態中，此在 U 非令人所欲地放電。為了防止非所欲地放電 (漏電）’而使用儲存電容器"Q"。將儲存電容器"c ” = 並聯以抵償所釋放之電荷以保“ 、著= =供ί應至像素電極17之影像信號隨 寄生電容"C " β在門朽：谷之影響而變化。此閘極-源極 生電合CGS疋在閘極電極3丨與源極電極33之重聶 生。閘極-汲極寄生電容丨丨「丨丨H产 且 刀產 35之重叠部分產t 疋在閘極電極31與汲極電極 產生。S性層32飽和時，電荷隼中在％朽 第53上圖，//此閘極，寄生電容、”增加 第3圖為概要平面圖，盆顯 日3 I^TFTV丨T丨丨—i 電日日體。在第3圖中，薄膜電 曰曰_)了包括··間極電極31、活性層32、源極電極電 W4342 五、發明說明（4) 3 3 > 、 極Μ以及汲極電極35。活性層32重疊閘極電極31、源極電 時，、i以及汲極電極35。當將掃描信號施加至閘極電極31 至^ ^ T F T T導通’且將影像信號經由汲極電極3 5施加 像^ =電容器與儲存電容器"Cst，，（第2圖）。此所施加之影 ^為像素電壓”v〆，，其甚至在將tft切斷後仍然保 =° ^’此像素電壓” Vp”隨著在閘極電極31與汲極電極 織之重s部份域” D„所產生之閘極_汲極寄生電容” Cgd，，而改 ί二ί由像素電壓” Vp，’之差異所界定之電壓偏移” Δν/通 二冉：、、位準偏離電壓或反轉電壓。此反轉電壓π △%，，是由 H ;及極寄生電容” CGD”、而由像素交流（AC)電壓"Vp” 直&(DC)偏移電壓所驅動。此反轉電壓π △可以如下 所示 c (Vgh—Vgl)/(Clc+Cst+。 ⑴ ^ :Γ谷，Q為儲存電容，CGD為閘極電極與及極電極 ，f4份之閘極-沒極寄生電容。當Μ 通時I為閘 ,ίΓ"切斷時 '為閑極低壓。 此反轉電屢"△、"造成數個缺點，例如：影像閃動、 :住 ' 以及&度不均句’因此’ Lc])裝置之顯示品質惡 發明内容 因此本么明疋針對液晶顯示裝置，豆實質上避免由 於習知技術之限制與缺點姘$丄衣置八只貝 太济明之目M i 產生之一或多個問題。 扠供一種液晶顯示裝置，其藉由將閘 五、發明說明（5) 極電極與汲極電極 質。 < 間之寄生電容最小化而具有高顯示品 電極之液晶顯示裝置。、為提供一種具有埋入形狀之閘極 本發明其他之特點與優點 部分將由此說明而之描述中說明，且其一 發明之目的與其他之優明之實施而得知。本 圍與申請專利範 實現與廣泛說明，此;其：優點，如同所 料綠只—目士 之閘極線；Μ閘極線相交資 科線界疋具有閘極線之 々乂之貝科線、此貧 薄膜電晶體、此薄膜電曰e ^連接至閉極線與資料線之 接觸層、源極電極：電及：=括==、活性層、歐姆 定第二重疊部份，此Li::;;;源口極重疊已界 一埋入部份；以及連接至 ς a =第一重豐部份中之第 電極是設置在像素區。，、、阳體之像素電極，此像素 以另一觀點而言，ilf田认、六η 製造方法包括： ；液日日顯示裝置之陣列基板之 在基板上形成閘極線與閘極 此面對之第-面與第二面、此閘極電極 一埋入部分；在問極線與間 之第 在問極絕緣層上形成活性 緣層； 性層上形成歐姆接觸
I 第11頁 594342 五、發明說明（6) 層；在歐姆 線與閘極線 在第一面重 極；在資料 純化層具有 成像素電極 以另一 之閘極電極 面、閘極電 上之活性層 極電極在第 極電極。 應瞭解 與說明，其 現在將 構成本說明 說明一起用 接觸層上形 相交且界定 疊閘極電極 線與源極電 曝露汲極電 、此像素電 觀點而言， 、此閘極電 極具有在第 ，·以及在活 成資料線 具有閘極 、源極電 極以及汲 極之汲極 極經由汲 薄膜電晶 極具有彼 一面之第 性層上之 面重疊閘極電極、 與源極與 線之像素 極在第二 極電極上 接觸孔； 極接觸孔 體包括： 此面對之 一埋入部 源極電極 源極電極 沒極電極 區、此汲 面重疊閘 形成純化 以及在像 連接沒極 基板、在 第一面與 分；在閘 與汲極電 在第二面 、資料 極電極 極電 層、此 素區形 電極。 基板上 第二 極電極 極、沒 重疊閘 以上一般性說明以及以下詳細說明是作為典 用意在提供本發明進一步說明。 、L J供本發明進一步瞭解之此等所附圖式併入以 玲之一部伤，其說明本發明之實施例，並與 於說明本發明之原理。 實施方式 現在請詳細參考本發明之動:^ 說明其例。 等气軏佳貝施例，在所附圖示中 第4圖為概要平面圖，其g 之液曰”肩不用於根據本發明實施例 之液日日顯不裝置之典範陣列基板。 顯示用於根摅H _ 弟5囷為概要平面圖， 根據本發明貫轭例之液晶顯示裝置陣列基板之典 594342 五、發明說明（7) 範薄膜電晶體。 在第4與5圖中，陣列基板1 〇 〇可以包括閘極線丨〇 2與資 料線11 2其彼此相交以界定像素區” p ”。薄膜電晶體 (TFT)π Τπ可以設置在閘極線1 〇 2與資料線11 2之交點。此 T F Τ Τ可以包括·閘極電極1 〇 4、活性層1 〇 8、歐姆接觸層 11 0、源極電極11 4、以及汲極電極丨丨6。閘極電極1 〇 4可以 從閘極線1 0 2突出，且可將掃描信號經由閘極線1 〇 2供應至 閘極電極1 0 4。源極電極11 4與汲極電極11 6可以彼此間 隔’且活性層1 0 8可以包括在源極電極丨丨4與汲極電極丨i 6 之間空間之通道區。源極電極11 4可以從資料線11 2突出， 且可將影像信號經由資料線11 2供應至源極電極11 4。歐姆 接觸層11 0可以設置介於源極電極1 1 4、汲極電極11 6與活 性層1 0 8之間。接觸汲極電極11 6之像素電極1 2 〇可以設置 在像素區1”。 在第5圖中，閘極電極1〇4包括：第一面i〇4a與104b。 閘極電極104之第一面i〇4a可以重疊汲極電極116以界定第 一重疊部份116a、閘極電極1〇4之第二面i〇4b可以重疊源 極電極11 4以界定第二重疊部份11 4 a。閘極電極1 〇 4可以具 有在第一面104a第一重疊部份u 6a中之第一埋入部分 1 0 5 a。例如，第一埋入部分丨〇 5 a可以具有” v ”之形狀（橫置 之"V”形狀）°當閘極電極1〇4具有沿著資料線112方向之第 一長度n d!π ’且第一埋入部分1 〇 5 a具有沿著資料線1 1 2方 向之第二長度’’ d/時，則第二長度，，d2”小於第一長度” di ” ’且可以長於大約4 # m。雖未顯示，此第二埋入部分可
第13頁 594342 五、發明說明（8) 以形成於第二面l〇4b之第二重疊部分114a中。 由於閘極電極104可以包括第一埋入部分1053，而可 以減少閘極電極1 〇 4與沒極電極11 6之重疊部份域。因此可 以減少反轉（kickback)電壓，以致於可以避免影像閃爍與 影像卡住之缺點。 第6圖為根據本發明沿著第4圖v I -V I線之概要橫截面 圖式。在第6圖中閘極電極104與連接閘極電極1〇4之閘極 線1 0 2 (第5圖）是形成於基板1 〇 1上。閘極電極丨〇 4與閘極線 1〇2(第5圖）可以由不透明導電材料製成。閘極電極1〇4可 以包括在第一面1〇4a(第5圖）之第一埋入部分i〇5a(第5圖） 。在另一實施例中，閘極電極1 04可以包括在第二面之第 二埋入部分。例如：第一埋入部分1〇5a(第5圖）可以具有 π v”之形狀（橫置之” ν’，形狀）。當閘極電極1〇4具有沿著資 料線112方向之第一長度” di”（第5圖）、且第一埋入部分 1 0 5 a (第5圖）具有沿著資料線11 2方向之第二長度"d2，，（第5 圖）時，第二長度”d2，，（第5圖）是短於第一長度”dl”（第5圖） 且可以長於大約4 /z m。 閘極絕緣層1 〇 6包括石夕氮化物（s i Nx)與石夕氧化物（s i 〇2) 之一而可以形成於閘極電極1 〇 4與閘極線1 〇 2 (第5圖）上。 可以藉由依序將非晶矽（a-Si : H)與經雜質摻雜之非晶矽 (n +a-Si : H)沉積與圖案化，而將活性層1〇8與歐姆接觸 層11 0形成於閘極絕緣層1 〇 6上。可以將活性層1 〇 8與歐姆 接觸層11 0圖案化而設置於資料線1 1 2與源極電極11 4與汲 極電極1 6之下（其將形成於隨後之製造步驟中）。資料線
第14頁 594342 五、發明說明（9) 11 2與源極電極11 4以及汲極電極11 6之附著性質可以藉由 活性層108與歐姆接觸層11〇而改善。可以藉由將導電金屬 材料沉積與圖案化而在歐姆接觸層11 〇上形成資料線丨丨2、 源極電極114以及沒極電極11 6。源極電極11 4可以從資料 線11 2延伸，且可與汲極電極丨丨6間隔。 在形成資料線11 2與源極電極1 1 4與汲極電極11 6之 後’可以在隨後將源極電極丨丨4與汲極電極丨丨6之間之歐姆 接觸層11 0之曝露部分蝕刻以曝露活性層丨〇8。鈍化層丨18 可以由包括環苯丁烯（BCB)與丙烯酸樹脂之有機絕緣材料 組之一所製成’而可以形成於資料線丨丨2與源極電極丨丨4與 /及極電極11 6之上。曝露汲極電極丨丨6之汲極接觸孔1丨8 a 可以經由將鈍化層丨丨8蝕刻而形成。像素電極丨2〇可以形成 於鈍化層118之上，且可以經由汲極接觸孔118&連 極電極116。 在第6圖中，由於閘極電極1〇4包括第一埋入部分 第5圖），此閘極電極1〇4與沒極電極116之第一重疊 ，份11 6a之第一寬度"wl ”可以窄於閘極電極1〇4與源極電 \14之第二重疊部份114a之第二寬度” w2”。因此，第一 ^ ::分11 之平面面積可以小於第二重疊部分11 4a之平 在門；於寄生電容是與寄生電容器之面積成正比，此 甲1和電極104與汲極電及116之間閘極-汲極寄生電容是 士於=電極m與源極電極114之間之閑極_源極= 二埋入部分時，可及以極诗寄生=減少。當間極電㈣4包括第 刀了 T以減少閘極-源極寄生電容。因此，由
第15頁 594342 五、發明說明（ίο) 於閘極-汲極寄生電容減少而反轉電壓降低，以致於可以 避免影像閃動與卡住之缺點。因此，可以獲得其具有高的. 顯示品質與大的顯示尺寸之LCD裝置。 對於熟習此技術之人士應為明顯，可以對本發明之液 晶顯示裝置作各種修正與改變而不會偏離本發明之精神與 範圍。因此，其用意為本發明包括在所附申請專利範圍與 其等同物中之本發明之修改與變化。
第16頁 圖式簡單說明 第1圖為根據習知技術之液晶顯 圖； n不裝置知之概要透視 第2圖為概要平面圖顯適用於根羽 裝置之陣列基板； 白知技術液晶顯示 第3圖為概要平面圖顯示適用於 示裝置之陣列基板之薄膜電晶體；x康$知技術液晶顯 第4圖為概要平面圖顯示適用於 用於液晶顯示裝置之典範陣列基板； 本务明實施例之 第5圖為概要平面圖顯示根 顯示裝置陣列基板之典範薄膜電晶體^ =貫施利用於液晶 第6圖為根據本發明沿著第 夕以及 面。 耆弟4圖之VI-VI線之概要橫截 元件符號說明 5 第一基板 6 黑色矩陣 7 顏色過濾層 7a 次顏色過濾層 7b 次顏色過濾層 7 c 次顏色過濾層 11 液晶顯示裝置 13 閘極線 14 液晶層
第17頁 594342
第18頁 圖式簡單說明 15 第 _ 一 基 板/資料線 17 像 素 電 極 18 透 明 共 同 電 極 22 第 二 基 板 31 閘 極 電 極 32 活 性 層 33 源 極 電 極 35 汲 極 電 極 100 陣 列 基 板 101 基 板 102 閘 極 線 104 閘 極 電 極 104a 第 面 104b 第 二 面 105a 第 一 埋 入 部 份 106 閘 極 絕 緣 層 108 活 性 層 110 歐 接 觸 層 112 資 料 線 114 源 極 電 極 114a 第 二 重 疊 部 份 116 汲 極 電 極 116a 第 _ — 重 疊 部 份 118 鈍 化 層 594342
第19頁

Claims (1)

  1. 594342 1修正替Μ 勢 號 92113314 曰 修正 1. 一種用於液晶顯示裝置之陣列基板，包括： 第一基板； 在基板上之閘極線； 貢料線其父叉間極線以界定像素區， 連接至閘極線與資料線之薄膜電晶體，且包括：閘極電 極、活性層、歐姆接觸層、源極電極與汲極電極；以及 連接至薄膜電晶體且設置在像素區之像素電極； 其特徵為，閘極電極包括重疊汲極電極之第一埋入部份， 以及重疊源極電極之第二部份。 2. 如申請專利範圍第1項之基板，其中閘極電極從閘極線 突出，以界定沿著資料線方向之閘極電極之第一長度，且 源極電極從資料線突出。 .如申請專利範圍第2項之基板，其中活性層與歐姆接觸 層在資料線下延伸。 4. 如申請專利範圍第3項之基板，其中活性層包括非晶 矽，且歐姆接觸層包括經雜質攙雜之非晶矽。 5. 如申請專利範圍第2項之基板，其中第一埋入部份具有’’ V ”之形狀。 6. 如申請專利範圍第5項之基板，其中第二重疊部份包括 第二埋入部份。 7. 如申請專利範圍第6項之基板，其中第二埋入部份具有” V π之形狀。 8. 如申請專利範圍第5項之基板，其中第一埋入部份具有
    第20頁 594342 A 號 9211·物/[ 六、申請專利範圍 |沿者負料線方向之第 4// m 〇 9.種製每用於液晶顯示裝置之陣 |徵為包括以下步驟. j暴板之方法 在基板上形成閘極線與閘極電極 對之第一與第二面且第一面包括，，且閘極電極具有相 I在間極線與閉極電極上形成：J::份； 在閘極絕緣層上形成活性層；、、，巴緣層； 在活性層上形成歐姆接觸層； 在I姆接觸層上形成資料線 ，此資料線與閉極線相交以界定極以及汲極電 一面重疊閘極電極，以 ，、區，此汲極電極在 極； "、“極在第二面重疊閘極 在 > 料線與源極電極 在像素區形成像音φ I極電極。 ，、極，且！由汲極接觸孔連接汲 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之方法， 突出沿著第一面界定第一長度， 11. 如申請專利範圍第丨〇項之方法 |觸層在資料線下延伸。 12. 如申請專利範圍第丨丨項之方法 曰 修正 度其車父第一長度為短，且長於 其特 其中閘極電極從閘極 且源極電極從資料線突 其中活性層與歐姆接 ，其中活性層包括非 矽層，且歐姆接觸層包括經雜質攙雜之非晶矽 第21頁 594342 _案號 92113314 六、申請專利範圍 曰 修正 1 3 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中第一埋入部份具 有” Γ’之形狀。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中第二面包括第二 埋入部份。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之方法，其中第二埋入部份具 有” Vn2形狀。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中此第一埋入部份 具有沿著資料線方向之第二長度，其較第一長度為短且長 於 4/z m〇
    1 7. —種薄膜電晶體，其特徵為包括： 基板； 在基板上之閘極電極具有相對之第一與第二面，此第一 面包括第一埋入部份； 在閘極電極上之活性層；以及 在活性層上之源極電極與汲極電極、汲極電極重疊在第 一面之閘極電極，且源極電極重疊在第二面之閘極電極。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之電晶體，其中第一埋入部份 具有’’ V"之形狀。
    1 9 .如申請專利範圍第1 8項之電晶體，其中第一面具有第 一長度，且第一埋入部份具有較第一長度為短之第二長 度，且長於4// m。
    第22頁
TW092113314A 2002-05-23 2003-05-16 Liquid crystal display device having sunken gate electrode and fabricating method thereof TW594342B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0028605A KR100491821B1 (ko) 2002-05-23 2002-05-23 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200307168A TW200307168A (en) 2003-12-01
TW594342B true TW594342B (en) 2004-06-21

Family

ID=19720654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092113314A TW594342B (en) 2002-05-23 2003-05-16 Liquid crystal display device having sunken gate electrode and fabricating method thereof

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6927810B2 (zh)
JP (1) JP2003347558A (zh)
KR (1) KR100491821B1 (zh)
CN (1) CN100390649C (zh)
DE (1) DE10323406A1 (zh)
FR (1) FR2840106B1 (zh)
GB (1) GB2388950B (zh)
TW (1) TW594342B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066303B1 (ko) * 2004-09-09 2011-09-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20070019457A (ko) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR100721949B1 (ko) 2005-09-16 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR101190071B1 (ko) * 2005-12-29 2012-10-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI293802B (en) * 2006-03-28 2008-02-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display device
GB2462296A (en) * 2008-08-01 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Pixel driver circuits
CN102254917B (zh) * 2011-07-07 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制法
CN113641048A (zh) * 2015-08-28 2021-11-12 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110931504A (zh) * 2019-09-17 2020-03-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
CA1313563C (en) * 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
JPH0488641A (ja) 1990-07-31 1992-03-23 Toshiba Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US5287206A (en) * 1990-11-30 1994-02-15 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device
JPH05119347A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3512849B2 (ja) * 1993-04-23 2004-03-31 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US5483366A (en) * 1994-07-20 1996-01-09 David Sarnoff Research Center Inc LCD with hige capacitance pixel having an ITO active region/poly SI pixel region electrical connection and having poly SI selection line extensions along pixel edges
KR0182053B1 (ko) * 1995-12-30 1999-05-01 김광호 액정 표시 장치
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
JP3208658B2 (ja) * 1997-03-27 2001-09-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 電気光学素子の製法
KR100508020B1 (ko) * 1997-08-13 2005-11-03 삼성전자주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터
KR100502794B1 (ko) * 1997-12-06 2005-10-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 패널 제조 방법
KR100511172B1 (ko) * 1998-05-21 2005-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터의 구조
KR100542310B1 (ko) * 1998-12-30 2006-05-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시소자_
JP4674926B2 (ja) * 1999-02-12 2011-04-20 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶ディスプレイパネル及びその製造方法
TW526355B (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Sanyo Electric Co Reflection type liquid crystal display device
KR100370800B1 (ko) * 2000-06-09 2003-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제작방법
JP3881160B2 (ja) * 2000-06-27 2007-02-14 株式会社アドバンスト・ディスプレイ Ｔｆｔアレイ基板およびこれを用いた液晶表示装置
US6639281B2 (en) * 2001-04-10 2003-10-28 Sarnoff Corporation Method and apparatus for providing a high-performance active matrix pixel using organic thin-film transistors
JP4728507B2 (ja) * 2001-06-08 2011-07-20 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR100494702B1 (ko) * 2001-12-26 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
GB0311482D0 (en) 2003-06-25
JP2003347558A (ja) 2003-12-05
US6927810B2 (en) 2005-08-09
KR100491821B1 (ko) 2005-05-27
CN100390649C (zh) 2008-05-28
TW200307168A (en) 2003-12-01
GB2388950A (en) 2003-11-26
FR2840106B1 (fr) 2006-05-05
CN1459658A (zh) 2003-12-03
US20030218699A1 (en) 2003-11-27
DE10323406A1 (de) 2003-12-04
GB2388950B (en) 2004-08-04
KR20030090339A (ko) 2003-11-28
FR2840106A1 (fr) 2003-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW406210B (en) Active matrix display device
CN100472305C (zh) 液晶显示面板及其制造方法
US8228456B2 (en) Liquid crystal display and driving method thereof
CN100399179C (zh) 液晶面板的像素结构及其制造方法与驱动方法
KR101322267B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US7212255B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
TW200302384A (en) Liquid crystal display device
TW200405949A (en) Liquid crystal display device
TWI238278B (en) Liquid crystal display device
CN104966501B (zh) 用于窄边框lcd的goa电路结构
US8115215B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
CN107346083A (zh) 显示装置
TW594342B (en) Liquid crystal display device having sunken gate electrode and fabricating method thereof
TW200527099A (en) Thin film transistor and liquid crystal display device
CN102779783A (zh) 一种像素结构及其制造方法、显示装置
JPH098311A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法とその構造
CN103996657A (zh) 一种薄膜晶体管基板及其制作方法和液晶显示器
KR100767631B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판 제작방법
US20140106489A1 (en) Method of manufacturing a display device
US20210165294A1 (en) Array substrate and driving method thereof, manufacturing method and display apparatus
KR101136269B1 (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US7626651B2 (en) Method for manufacturing an LCD device defining a TFD structure using a second mask removing a first metal layer, an insulating layer and a second metal layer to expose a transparent electrode layer
JP2698503B2 (ja) アクティブマトリックス液晶表示装置
KR100790934B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR101055202B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees