KR0182053B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 드레인 전극에 별도의 스티치 보정 전극을 적용하여 인접 게이트선에 오버랩 시킴으로써, 스티치 오차 발생에 의한 기생 용량 값의 변화를 보정하여 블록 결함을 방지 하는 액정 표시 장치에 관한 것이다. 게이트 전극과 소스 전극 사이에서 형성되는 기생 용량의 크기는 게이트 전극과 드레인 전극의 오버랩되는 면적이 결정하므로, 그 면적과 동일하면서, 폭이 동일하도록 스티치 오차 보정용 전극을 드레인 전극에 연결되게 형성하기 때문에, 게이트 전극과 드레인 전극의 오버랩되는 면적과 동일한 크기를 갖는 스티치 오차 보정용 전극을 형성하면, 스티치 오차 보정용 전극과 인접 게이트 배선과의 사이에서 오버랩되어 형성되는 면적이 같게 된다. 따라서 공정 중에 부정합이 발생하더라도 기생 용량의 합이 일정하여 화상 정보의 변화를 막을 수 있다.

Description

액정 표시 장치
제1도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고,
제2도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도이고,
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고,
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도이고,
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 스티치 보정용 전극을 나타낸 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면, 드레인 전극에 별도의 스티치(stitch) 보정 전극을 적용하여 인접 화소 전극에 오버랩(overlap) 시킴으로써, 스티치 오차 발생에 의한 기생 용량 값의 변화를 보정하여 킥백 전압을 방지하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는, 박막 트랜지스터와 화소 전극으로 이루어진 화소 단위가 행렬의 형태로 다수 개가 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선이 각각 화소 단위의 행과 열을 따라 형성되어 있는 액정 표시 장치의 상부 기판인 박막 트랜지스터 기판, 그리고 공통 전극이 형성되어 있는 액정 표시 장치의 하부 기판인 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하고 있다.
박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극은 게이트선을 통해 게이트 구동 드라이브로부터 게이트 구동 신호를 전달받아 반도체층에 채널을 형성시키며, 이에 따라 데이터 구동 드라이브로부터의 데이터 신호가 데이터선을 통해 소스 전극에 전달되어, 반도체층과 드레인 전극을 통하여 화소 전극에 전달된다.
제1도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고, 제2도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도이다.
제1도 및 제2도에 도시한 바와 같이, 기판 위에 게이트 선(11)이 행 방향으로 형성되어 있고, 게이트 선의 분지에 게이트 전극(10)이 형성되어 있다. 이 게이트 전극(10)과 오보랩하여 소스 전극(20)과 드레인 전극(30)이 형성되어 있다. 이때 소스 전극(20)과 드레인 전극(30)은 게이트 전극(10)을 제외한 다른 게이트 선(11)에는 오버랩되지 않는다.
이러한 오버랩 구조는 수 회에 걸쳐 노광하는 분할 노광시, 각각의 샷(shot)별 부정합이 발생한다.
여기서, 샷이란 분할 노광시 노광 단위를 말하며, 이러한 단위 샷마다의 구역을 블록이라고 한다. 또한 드레인 전극(30)이 절연막을 매개로 게이트 전극(10)과 오버랩되는 면적은 샷별로 다르게 나타나는데 그 정도의 차이를 스티치 오차라 부른다.
이와 같은 스티치 오차에 의해 아래 식에서와 같이, 화소의 공정 단위인 블록 단위 마다 킥백 전압(kickback voltage:Vk)이 차이가 나서 화상 결함이 발생한다.
이것을 수식으로 설명하면 다음과 같이 표현된다.
여기서 드레인 전극과 게이트 전극의 오버랩되는 면적이 변화하면 Cgd값이 변화하여 킥백 전압이 변화한다.(단, Cgd는 게이트와 드레인 사이의 정전 용량 즉, 기생 용량이고, Cs는 정전 용량이고, Clc는 액정 정전 용량이고, Vgp-p는 게이트펄스 변화 전압이다.)
따라서 만약 공정 상에서 부정합이 발생하면, 기생 용량이 변화 한다. 이러한 스티칭 오차에 의한 블록 결함 발생은 불가피하고, 포토 공정시 스티치 보정에 의해 오차를 최소화하는 방법밖에 없다.
그러므로 본 발명의 목적은 이러한 종래의 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 드레인 전극에 연결되어 있는 스티치 보정 전극을 형성하여 인접 게이트선에 오버랩시킴으로써 스티치 오차 발생에 의한 기생 용량 값의 변화를 보정하여 블록 결함을 방지하는 액정 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 행 방향으로 형성되어 있는 다수의 게이트선, 상기 게이트선에 분지로 형성한 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 상기 절연막을 매개로 오버랩되게 형성되어 있는 소스 전극, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 상기 절연막이 매개로 오버랩되게 형성되어 있는 드레인 전극, 동일 게이트선의 인접한 부분과 오버랩되게 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 연결괴어 있는 스티치 오차 보정용 전극을 포함한다.
첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고, 제4도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면도이고, 제5도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 스티치 보정용 전극을 나타낸 단면도이다.
제3도 내지 제5도에 도시한 바와 같이, 기판 위에 도전막으로 게이트 전극(10) 및 게이트선(11)이 형성되어 있고, 그 위에 절연막(12)을 형성되어 있다. 상기 게이트선(11) 위에 반도체막(13)이 패턴되어 있다.
도전막으로 소스 전극(20)과 드레인 전극(30)이 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극(30)과 동일한 폭을 가지며 동일 게이트선의 인접한 부분에 상기 드레인 전극(30)과 게이트 전극(10) 사이의 오버랩 면적(S20)과 동일한 크기를 갖는 스티치 오차 보정용 전극(35)이 형성되어 있다.
이 오차 보정용 전극(35)은 동일 게이트선의 인접한 부분(50)과 오버랩 되게 형성되어 있으며, 드레인 전극(30)에 연결되어 있다.
액정 표시 장치에서 기생 용량의 크기는 게이트 전극(10)과 드레인 전극(30)의 오버랩되는 면적(S20)이 결정한다. 따라서, 드레인 전극의 면적과 폭이 동일하게 스티치 오차 보정용 전극(35)이 형성하여 주었다.
이와 같은 액정 표시 장치는 오차 보정용 전극(35)과 동일 게이트선의 인접한 부분(50)과의 사이에서 발생하는 정전 용량은 드레인 전극(30)과 게이트 전극(10) 사이에서 발생하는 정전 용량과 같아지게 된다.
따라서 공정 중에 부정합이 발생하더라도, 드레인 전극(30)과 게이트 전극(10) 사이에서 발생하는 정전용량과 스티치 보정용 전극(35)과 인접 게이트선(50)과의 오버랩 부분에서 발생하는 정전용량의 합은 항시 일정하게 된다.
그러므로 본 발명은 등레인 전극과 연결되게 스티치 보정용 전극을 형성함으로써 스티치 오차에 의한 블록 간의 기생 용량 변화를 보정시켜주는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 행 방향으로 형성되어 있는 다수의 게이트선, 상기 게이트선에 분지로 형성한 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 상기 절연막을 매개로 오버랩되게 형성되어 있는 소스 전극, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 상기 절연막을 매개로 오버랩되게 형성되어 있는 드레인 전극, 동일 게이트선의 인접한 부분과 오버랩되게 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 스티치 오차 보정용 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서, 상기 스티치 오차 보정용 전극이 상기 절연막을 매개로 상기 동일 게이트선의 인접한 부분과 형성하는 정전 용량은 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에서 형성되는 정전 용량과 동일하게 형성되어 앴는 액정 표시 장치.
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