TW590877B - Biaxially oriented film and magnetic recording medium comprising the same as a base film - Google Patents
Biaxially oriented film and magnetic recording medium comprising the same as a base film Download PDFInfo
- Publication number
- TW590877B TW590877B TW87117686A TW87117686A TW590877B TW 590877 B TW590877 B TW 590877B TW 87117686 A TW87117686 A TW 87117686A TW 87117686 A TW87117686 A TW 87117686A TW 590877 B TW590877 B TW 590877B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film
- coating
- patent application
- cns
- average particle
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/24—Acids; Salts thereof
- C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
- G11B5/7334—Base layer characterised by composition or structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73925—Composite or coated non-esterified substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2377/00—Characterised by the use of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Derivatives of such polymers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31725—Of polyamide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
590877
五、發明説明(1 ) 發明之詳細敘述 本發明係關於一種完全由芳香聚醯胺做成的雙軸配向 膜以及含有該膜以作爲底膜之磁性記錄媒介。更明確地, 其係關於一種完全由芳香聚醯胺做成的雙軸配向膜,其具 優異的執握性質例如強度、滑度及捲曲性質並具有優異的 耐磨耗性,以及含有該膜以作爲底膜之磁性記錄媒介。 、-0 近幾年,高密度磁性記錄已有令人驚訝的進展,如薄 層鍍膜的磁性記錄媒介之發展及實現所例證的,其中針狀 磁粉材料例如金屬粉末或鐵氧化物粉末係塗佈在鍍膜的磁 性記錄媒介上2μιη或更薄的厚度。例如,用於高密度磁性 記錄之極薄層鍍膜磁性記錄媒介係眾所皆知的(引用電子 、資料及通訊工程學會(1 9 9 5 - 0 2 )所發表的技術 記錄MR 94-78)。 經潢部中央if-^^M工消费合作社印裝 因爲先前技藝(一種磁性記錄媒介其中磁性粉末與無 機高分子接著劑之混合物係鍍在非磁性底膜上)之鍍膜磁 性記錄媒介具有低的記錄密度以及長的記錄波長,其具有 較大厚度大約2μΓΠ或更厚。另一方面,在極薄層鍍膜磁性 記錄媒介的例子中,有人提出一種磁性層像〇 · 1 3μιη — 樣之極薄,雖然其具有一非磁性底層。 隨著記錄媒介規格之減小,希望減小底膜之厚度以增 加記錄容量。 芳香聚醯胺膜係一種優於強u度、耐熱性及此類之列的 材料,因爲作成薄膜時具有高的楊氏係數,並且適用於高 密度磁性記錄媒介。 本紙張尺度適用中國國家《準(CNS)A4圯格(210X29W«.) 590877. A7 Η 7 五、發明説明(2 ) JP-A 51-1292 01 (用於此之 “JP — A ” 一詞表示一篇“未審查的公告日本專利申請案”)發 表一種磁性記錄媒介其由磁性層及芳香聚醯胺膜構成,其 中所有鍵結中7 0%或更多係對位鍵而且苯核之1 5%以 上具有一個以上的鹵素以及硝酸取代基在胺鍵之鄰位。 在高密磁性記錄媒介中,非磁性底膜的表面情況大大 地影響著磁性層的表面性質,而且表面的不規格性造成記 錄及再製訊號之雜訊。因此,希望非磁性底膜的表面儘可 能平滑。 另一方面,從非磁性底膜生成的觀點及執握性質例如 在膜生成過程中之運送、損壞、捲繞及攤開看來,當膜的 表面太平滑時,膜間滑度變差,結塊現象發生,滾轉成形 變得困難,而且成品產量減少,因此引起製造成本之增力口 。由此,從製造成本觀點看來,希望非磁性底膜的表面儘 可能粗糙。 關於上面反向需求之適用方法,有人提出一種方法形 成具有適當高度及密度之突出物,而其係由底膜上適當粒 徑顆粒衍變而成。 關於在芳香聚醯胺膜表面上生成突出物的方法,已經 有人提出a)其中加入預定量的無機顆粒以及b)加入無 機高分子顆粒或無機顆粒其表面係以有機高分子處理。 J P — A 6 1 - 246 9 J 9發表一種膜其本質上 由芳香聚醯胺或芳香聚亞醯胺組成,當利用方法a )製造 膜時含有0 · 0 1至l〇wt%之無機顆粒。膜具由無機 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4悅枋(210x29*7公 -5 - (-?*_?1閱^外而之注&萝^再項(:^本頁) 訂 590877 A7 B7 五、發明説明(3 ) 顆粒衍變而成的突出而且係標示如後。微細突出的高度 範圍從3 0至5 0 0A,微細突出之面平均外徑Da範圍從 0 · 0 Ιμπι或小於0 · 3μιη以下,突出之平均平坦度 DA/Rm係1 5或更小,具有極大外徑〇 · 01μ m或更 大之微細突出的數量Να係1 0.4至1 09/mm2,具有長 徑/短徑比a/b (a :微細突出之極大外徑,b :與極 大外徑呈直角正交之外徑)爲2或更大之微細突出的數量 係0 · 2 χΝα或更小,而具有圓周率π Dn/Cn (Dn : 微細突出之區域外徑,Cn:微細突出之圓周率)爲0 · 7 或更小之微細突出的數量係0 · 2 χΝα或更小。 訂 JP—A 8—203064發表一種由芳香聚醯胺 或芳香聚亞醯胺做成之膜其包含平均粒徑1 0至5 0 0 n m之有機高分子顆粒或表面經有機高分子處理過的無機 顆粒,具有一表面之中心線表面-糙度Ra爲〇·5至 5 0 n m以及另一面之R a粗糙度爲10 nm或更小。 經浸部中央if-^-^H工消贽合作社印於 然而,上面利用外加顆粒的方法涉及一個缺陷其在鍍 上磁性層之後的壓延步驟或實際使用期間顆粒受指針及膜 表面之間的磨擦會膜表面上的突出脫落並且污染該步驟, 因爲外加顆粒容易在添加的漿液中凝聚。 尤其,在施以磁性塗層之後的壓延步驟中,極高的剪 切力係施於底膜上。因此,形成於顆粒凝聚四周的大孔隙 因爲顆粒之脫落產生大量的磨損t粉塵,由此污染壓延滾輪 ,結果造成生產力大大地減低。 本發明之一個目的在於提供一種新穎的雙軸配向的完 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標莩(CNS ) ( 210X29*7公《 ) 590877 A7 Η 7 五、發明説明(4 ) 全的芳香聚醯胺膜。 本發明之另一個目的在於提供一種用於磁性記錄媒介 之雙軸配向的完全的芳香聚醯胺膜,其具有優異的執握性 質例如強度、滑度及捲曲性質並且具有高的耐磨耗性。 本發明還有另外一個目的在於提供一種磁性記錄媒介 其由本發明之該雙軸配向的完全的芳香聚醯胺膜作爲底膜 ’具有優異的電磁轉變特性並且適用於高密度記錄。 本發明之其他目的及優點從以下的說明將變得明顯。 、-0 根據本發明,首先,上面本發明的目的及優點可以完 全由酸氯程序製成之芳香聚醯胺做成的雙軸配向膜獲得, 其包含一種以上的無機顆粒其具有平均粒徑5至 2,OOOnm並係選自週期表上I A及I IA族金屬之 氫氧化物、碳酸鹽及二碳酸鹽,該無機顆粒係由以無機顆 粒當作中和劑加至還原系統中以中和酸氯反應造成之氯化 氫副產物,而且其加至反應系統之含量中過量部份與中和 氯化氫所需之化學計量一致。 經東部中央橾搫局只工消费合作社印製 構成本發明之雙軸配向膜之該完全地芳香聚醯胺沒有 特別限制,只要其主鏈含有芳香核並以醯胺鍵結基團作爲 主要的組成物。 形成本發明之完全地芳香聚醯胺的重覆單元之較佳實 施例包括以下化學式(1 )至(4 )表示的單元: 4CO — Ar1—CONH一Ar2—NH 七 (1)
其中Α Γ1及A I:2分別選自 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) AWt格(2丨0乂297公匁) 590877 A 7 Η 7 五、發明説明(5 ) 及- (其中p係〇至4之整數, q係0至6之整數,R係選自鹵素、硝基、氰基、具有丄 至4個碳原子之烷基、具有1至3個碳原子之烷氧基及三 烷基矽烷基)而k係〇或正數。. -4-C0 — Ar3— CONH —Ar4— Y1—Ar5— NH — (2) λ 其中Αγ3、Αγ4及Ar5分別選自與Ar1及Ar2 相同之基團,Y1係選自一 0 —、一 C (CH3) 2 —、 一 S〇2 -、一 S -及一 CO —,而1係〇或正數, -4-C0一Ar6—NH-)^ (3) 其中A r 6係選自與A r 1及A r 2相同之基團,而m 係0或正數,以及 CO—Ar7— Y2— AT8— NH ^ (4) 其中A r 7及A r 8分別選自與A r 1及A r 2相同之基 團,Y2係選自與Y1相同之基團,而n係0或正數。 經米部中央桴窣^只工消费合竹社印鉍 本發明之完全地芳香聚醯胺宜至少含有重覆單元(1 )及(2 )中之一。亦即,該完全的芳香聚醯胺包含(i )只有上面化學式(1)之重覆單元,(ii)只有上面 化學式(2)之重覆單元或(i i i)只有上面化學式( 1 )及(2 )之重覆單元。再者,一完全的芳香聚醯胺宜 包含(iv)上面化學式(1)及(2)之重覆單元中至 少一種以及上面化學式(3 )及,(4 )之重覆單元中至少 一種。 本發明中該完全的芳香聚醯胺係藉由酸氯程序製造。 木紙張尺度適用中國國家掠準(CNS ) Λ4«^( 210X297公) ~7〇Ζ 590877
A7 Η 7 五、發明説明(6 ) 在上面的化學式(1 )中,Α Γ 1及A r 2係分別得自. 芳香二羧酸氯移除酸氯基團之殘留基團及得自芳香二胺移 除氨基基團之殘留基團。 A I* 1及A r 2係分別選自這些之殘留的二價芳香基團
^4-p ®4-p 在上面的化學式中,R是鹵素、硝基、氰基、具有1 至4個碳原子之烷基、具有1至3個碳原子之烷氧基或三 烷基矽烷基。P是0至4之整數而q是0至6之整數。 上面的殘留二價芳香基之說明實施例包括1 ,4 -次 苯基、1,3 -次苯基、1,2 -次苯基、4,4’ 一二 次苯基、4,3’ 一二次苯基、4,2’ 一二次苯基、3 ,3’ 一二次苯基、3,2’ 一二次苯基、2,2, 一二 次苯基、1 ,4 一次萘基、1 ,5 —次萘基、1 ,6 —次 萘基、2,6 -次萘基、2,7 —次萘基以及得自利用上 面取代基取代這些基團的基團。這些當中,1 ,4 一次萘 基、4,4’ 一次萘基、1,4一次萘基、2,6—次萘 基、及得自利用上面取代物取代這些基團的基團爲宜。 鹵素以取代基R表示的較佳實施例包括氟、氯及溴。 具有1至4個碳原子之該烷基可以是直鏈或支鏈而其之較 佳實施例包括甲基、乙基、正一丙基、異丙基、正-丁基 、異丁基、新-丁基及此類之物。。具有1至3個碳原子之 該烷氧基可以是直鏈或支鏈,實施例例如甲氧基、乙氧基 、正-丙氧基及異丙基。再者,該三烷基矽烷基宜爲三烷 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) ( 210x29h>);. ) .9- --------------1------0 (^1間诸背而之注*事項丹^^:?本頁) 590877 A7 1Π 五、發明説明(7 ) 基砂烷基之每一個烷基各別含有1至3個碳原子,例如三 .甲基矽烷基。 以上面化學式(1 )表示之重覆單元的說明實施例可 從上面A 1: 1及A r 2之指定實施例明顯看到。例如,當 A'r1及Ar2兩者都是1,4 一次萘基時’重覆單元可以 表示以下列化學式: 其中k與上面的化學式(1 )中之定義相同。 在上面的化學式(2)中,Ar3、Ar4及Ar5分 別選自與Ar1及Ar2相同之基團,Υ1係選自一 0 —、 一 C (CH3) 2 -、一 S〇2 -、一 S -及一 C0 -。 以上面化學式(2 )表示之重覆單元的說明實施例可 從上面A I* 1、A r 2及Y 1之指定實施例明顯看到。例如 ,當Ar1及Ar2兩者都是1,4 一次萘基而Y1是 - 0 -時,重覆單元可以表示以下列化學式: ^C0 經米部中央桴挲灼只工消费合竹社印鉍 其中 < 與上面的化學式(2 )中之定義相同。 在上面的化學式(3)中,Ar6係選自與A r1及 A r 2相同之基團。 以上面化學式(3)表示之&重覆單元的說明實施例可 從上面A r 1及A r 2之指定實施例明顯看到。例如,當 A r 6係1,4 -次萘基時,重覆單元可以表示以下列化學 -10- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4圯枋(210X297*^7 590877. Α7 Η 7 五、發明説明(8 ) 式: -^cohQhnh^ 其中m與上面的化學式(3)中之定義相同。 在上面的化學式(4)中,a r7及A r8分別選自與 A r 1及A r 2相同之基團,而Y2係選自與Y1相同之基團 〇 以上面化學式(4 )表示之重覆單元的說明實施例可 從上面A r 1、A r 2及Y 1之指定實施例明顯看到。例如 ,當Ar7及Ar8兩者都是1,4 一次萘基而γ2是 -〇-時,重覆單元可以表示以下列化學式: ^00-〇-°Ό-νη+ 其中η與上面的化學式(4 )中之定義相同。 經W部中央if-纸而只工消费合竹社印裝 (^1閲-^背而之注&事項再硪、:^本万、) 本發明中該完全的芳香聚醯胺宜含有至少一部份選自 上面化學式(1 )至(4)所表示之重覆單元,而至少 50至99 · 5%的芳香基團係選自Ar1至Ar8其存在 至少一部份的重覆單元具有對位配向並形成主鏈。在該例 子中,該完全的芳香聚醯胺之重覆單元中至少有一個用上 述的化學式(1)及(2)表示。 在本發明中,該具有對位配向的芳香基團指的是,例 如,1 ,4 一次苯基、4,4、一二次苯基、1 ,4 一次 萘基或2 ’ 6 —次蔡基。 從重覆單元的觀點,本發明中該完全的芳香聚醯胺宜
本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) ( 210X297公H 590877 A7 H7 五、發明説明(9 ) 含有上述化學式(1 )及(2)表不之重覆單兀’ 爲化學式(1 )所表示之重覆單元其中A r 1及A r 都是1,4 一次苯基以及化學式(2 )所表示之重 其中Ar3是1,4 一次苯基,而Ar4是1 ,4 一 ,Υ1是一 0 -而A r 5是1,3 -次苯基,重覆單 列化學式表示:
NH 本發明之雙軸配向膜包含上述之完全的芳香聚 爲基底而且含有平均粒徑5至2,0 0 0 nm之無 。該無機顆粒係選自週期表上I A及I I A族金屬 化物、碳酸鹽及二碳酸鹽。該無機顆粒之說明實施 氫氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鈣、碳酸鈣、氫氧化鋇 鋇、二碳酸鈣及此類之物。這些會中,氫氧化鎂、 、氫氧化鈣及碳酸鈣較佳。 該無機顆粒係由週期表上I A及I I A族金屬 化物、碳酸鹽及二碳酸鹽衍生而成,其係加至反應 和酸氯反應造成之氯化氫副產物以製造出該完全的 醯胺,亦即,芳香二羧酸氯與芳香二胺之間的反應 是說,藉著加入中和副產物氯化氫之化學計量所需 無機顆粒,造成該無機顆粒係存在一含量其相當於 量化學之含量部份於反應系統中%。注意每一種加入 顆粒使得本發明變得更容易理解,較小顆粒可能完 和反應消耗而不見,而較大顆粒之表面部份係被消 本紙張尺度適用中國國家彳準(CNS )以圯枯(2ΙΟΧ297公《. ·) -12- 尤其宜 2兩者 覆單元 次苯基 元以下 醯胺作 機顆粒 之氫氧 例包括 、碳酸 碳酸鎂 之氫氧 系統中 芳香聚 。也就 之過量 過量計 全被中 耗,但 (^1閱^笏而之注*肀項-»填朽本頁) 590877 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 顆粒之核心部份在中和反應最終可能仍然存在。以此觀之 ,確認在膜中之無機顆粒具有平均粒徑5至2,000 nm,加至反應系統之該無機顆粒宜介於1 5 0至 20,OOOnm 之間,150 至 15,OOOnm 更佳 〇 如上之所述,包含於本發明雙軸配向膜中之該無機顆 粒之獲得係由於中和試劑在完全的芳香聚醯胺之聚合步驟 中之殘留顆粒。因爲在聚合步驟中其係完全分散於系統中 ,不可能有顆粒之凝聚其可能造成磨損。當包含於膜中之 平均粒徑小於5 nm時,在該表面形成突出物的效果小而 優良的執握性質例如滑度及捲曲性質將無法順利得到。當 平均粒徑大於2,0 0 O nm,拉伸膜造成的孔隙變得太 大,因而使得耐磨損性變差。包含於膜中之無機顆粒的平 均粒徑宜爲80至1 ,OOOnm,90至800nm更 佳,100至500nm特佳。 加至該反應系統之無機顆粒的平均粒徑宜爲1 5 0至 20,OOOnm,150 至 15,OOOnm 更佳,如 上之所述。當平均粒徑小於1 5 0 nm時,在表面上形成 突出之效果小而優良的執握性質例如滑度及捲曲性質將無 法順利得到。當平均粒徑大於2,0 0 0 n m,中和反應 之後的殘留顆粒粒徑過大,因而使得耐磨損性變差。 控制無機顆粒粒徑的方法宜..在該方法中顆粒分散於溶 劑中,然後用裝置例如砂磨機硏磨之,得到的分散物經過 過濾以移去大顆粒。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )/\4悅格(210/ 297公公) -13- #^間允竹而之注*事項再^巧本万) 、! 經潸部中央^-卑^只工消费合作社印鉍 590877 A7 B7 五、發明説明(11 ) 本發明中的完全的芳香聚醯胺係以酸氯方法製造。聚 ,· 合可藉界面間聚合或溶液聚合實現。在此之中,以溶液聚 合爲宜。 可用於溶液聚合中之較佳聚合溶劑包括二甲基甲醯胺 、二甲基乙醯胺、N —甲基吡喀烷酮、N —甲基己內醯胺 、二甲基亞碾、六甲基磷醯基三醯胺、四甲基尿素及1, 3 —二甲基一 2 -四氫咪唑酮。其可單獨使用或合倂兩種 或多種。當作主要成份之聚合溶劑可與其他溶劑合倂使用 訂 在聚合之前、之間或之後可添加適當量之無機鹽類例 如氯化鈣或氯化鋰至聚合溶劑中以改善最終高分子的溶解 度。 酸成份及胺成份幾乎以相同莫耳含量相互反應,而成 份之中任一皆可使用過量以控制聚合度。 小量的單官能基酸成份或胺成份可用作末端封蓋劑。 脂肪族或芳香胺或四價銨鹽可加至聚合系統以捕捉反 應產生的氯化氫。 再者,添加物例如紫外線吸收劑、染料、離形劑及此 類之物可限量加入而不會影響本發明之結果。 反應幾乎完成之後,上述具有平均粒徑1 5 0至 20,0 0 0 nm之無機顆粒係加至反應系統中以完成中 和反應。在這一點上,無機顆粒.係使用過量超過中和所需 之計量化學含量,如上之所述。
本質上完全的芳香聚醯胺的製造方法詳述於j P — B 本纸張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4圯彳M 210x297.〉># ) -14- 590877 _ Η 7 五、發明説明(12 ) 52 - 39719 (用於此之“JP - B” 一詞表示“經 審査的日本專利公告”)。 本公告之說明係涵括爲本規範之說明。 本發明中之完全的芳香聚醯胺可能包含添加物例如限 量之抗氧化劑、抗靜電劑及離形劑,以及其他高分子其不 會削減膜之物性。 本發明中完全的芳香聚醯胺包含平均粒徑5至 2,OOOnm的無機顆粒,以該芳香聚醯胺之重量爲 100份,含量宜爲0.001至10份重量, 0 · 004至8份重量更佳,0 . 01至5份重量最佳。 本發明之完全的芳香聚醯胺宜有對數黏度,3 0°C時 在濃硫酸中測量,至少0 · 5 d 1 / g,1 · 0 d 1 / g 以上更佳。成膜前高分子之對數黏之獲得係於3 0°C的濃 硫酸中測量,該高分子在聚合後,經過含完全的芳香聚醯 胺之原料溶液之再沉澱及分離後,係加入溶劑例如醇或水 中〇 本發明之雙軸配向膜可製造如下。 聚合如上述進行之後,該含有完全的芳香聚醯胺之高 分子原料溶液可加入溶液例如醇或水中,而高分子可以再 沉澱、分離,然後再溶於溶液,因此其可用於膜之製成。 然而,該高分子原料溶液宜直接使用或調成適當濃度,以 用於膜之製成。在該點濃度之調擎可利用溶劑濃縮或稀釋 。可使用之溶劑如列出用於聚合之溶劑者相同。 如上述製備之高分子原料溶液以溶液成膜方法製成膜 木紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4^& ( 210X29*7.公$ > - 15 - 、1Τ· 4 經滂部中央桴窣杓只工消费合作社印於 590877 A7 B7 五、發明説明(13 ) 。該溶液成膜方法係選自乾一溼、乾及溼法。以乾一溼及 .乾法爲宜,因爲可獲得具有優良表面性質的膜。
當膜以溼法製成時,該原料溶液宜直接從噴嘴押出浸 入膜之成形槽中或押至支撐物例如捲線輪上,然後與支撐 物一起浸入溼程序槽中。該槽通常以水溶液爲媒介並可能 含有機溶劑或無機鹽。藉著通入該溼程序槽,該內含鹽類 或有機溶液可能被蒸餾出來。必需通入潮溼程序槽之時間 宜爲1 0秒至3 0分鐘,雖然其膜厚不同。 該高分子通入溼程序槽時係受到縱向拉伸,橫向乾燥 、拉伸及熱固。這些處理宜在1 0 0至5 0 0 °C進行,時 間總共1秒至3 0分鐘。 訂
當膜係利用乾-溼法時,該原料溶液係押在支撐物例 如捲線輪或無接縫皮帶上以形成薄膜,溶劑由該薄膜上散 發出來,等到其達成自我支撐性質時膜才算乾燥。較佳的 乾燥條件,溫度係室溫度至3 0 0 °C而時間係6 0分鐘或 更短。在乾燥步驟之後該膜係從支撐物上脫離,引入溼步 驟以從膜中移去鹽及溶液,拉伸、乾燥並熱固,像溼法般 〇 經沪部中史忭^-局只工消资合竹社印說 當乾法係使用時,該膜其已在捲線輪或無接縫皮帶上 乾燥並達自我支撐性質從支撐物上脫離,乾燥以移去殘留 溶劑,拉伸並熱固。這些處理宜在溫度1 〇 〇至5 0 o°c 下執行,時間總共1秒至3 0分攀。 膜宜拉伸至面積拉伸比5 · 0倍或更大,6 · 0至 1 0 · 0倍更佳。 本纸張尺度適用中國國家樣4M CNS )/UKM 210X297公兌) -16- 590877. A7 B7 五、發明説明(Η ) 由上述方法獲得之本發明之雙軸配向膜的厚度沒有特 別限制但以0 · 1至2 0 μ m爲宜,0 · 5至1 0 μ m更佳 當膜厚介於上述範圍內時,其顯現優良的執握性質例 如強度、滑度及捲曲性及高耐磨耗性,並且利於用在磁性 記錄媒介。 本發明之雙軸配向膜具有平均粒徑5至2,0 00 nm之無機顆粒衍生的突出物在表面上,密度1 X 1 01至 lxlOS/mm^lxlO1 至 lxlO5 /mm2 更 佳。當突出物的密度低於1 X 1 0 1/mm2時,摩擦係數 變大,藉以得到之良好運轉性質便難以得到,捲曲性迅速 地變差,膜間不良的凝結易於發生。當突出物密度高於1 X 1 〇8/mm2時,電磁轉換特性迅速變差。 經漪部中史標濛局B工消资合竹社印於 在本發明之雙軸配向膜平面上相交於直角(例如一個 縱向而一個橫向)之兩方向的楊氏係數總和宜在 2,000kg/mm2以上,在 2,200kg/mm2 以上更佳。楊氏係數總和之較佳上限爲4,000kg/ mm2。當楊氏係數總和小於2,,0 0 0 k g/mm2而且 該膜係用作磁性記錄媒介之底膜時,該磁性記錄媒介與磁 頭間的接觸會變得不夠,藉以達到的電磁轉換特性容易變 差而具有厚度等級在幾個微米的底膜無法具有充分的強度 在相交於直角之兩方向中之任一者的楊氏係數宜在 600kg/mm2以上。 -17- (lit閱讀背而之注&事項再填朽本页) 本紙張尺度適用中國國家標孪(CNS )八4圯抬(210X 297公匁) 590877 A7 B7 五、發明説明(15 ) 以下對本發明之雙軸配向之兩個體系尤其佳。 (i )雙軸配向膜含有平均粒徑80至1,000 nm之無機顆粒並具有由無機顆粒衍生之突出物密度1X 1 01至1 X 1 05/mm2在其表面以及在膜平面上相交 於直角之兩方向之楊氏係數總和在2,0 0 0 k g/mm2 以上。 (i i)雙軸配向膜含有平均粒徑5至150nm之 無機顆粒並具有由無機顆粒衍生之突出物密度5 X 1 0 3至 1 X 1 〇8/· mm2在其表面以及在膜平面上相交於直角之 兩方向之楊氏係數總和在2,000kg/mm2以上。 d 該雙軸配向膜(i )在膜平面之一方向上宜具有撓曲 剛度 3 · 0 至 9 · 5mg *mm,5 · 0 至 9 · 5mg· mm更佳。當撓曲剛度小於3·Omg·mm或多於 9 · 5mg ·ιηιη時,膜與記錄頭間的接觸容易不足,因 此使得電磁轉換特性大大地變差。 經瀠部中央if-免趵K工消疗合作社印¾ 再者,膜在縱向的剪斷抗張強度宜爲3 8 k g/mm2 或更大,42kg/mm2或更大更佳。當剪斷抗張強度小 於3 8 k g/mm2時,膜可能難以用作磁帶其必須反覆地 運轉並停止。 該膜之一方向在1 5 0°C時的熱收縮宜小於1%。當 熱收縮係1 %或更大時,該膜物性的可靠度易視記錄媒介 之使用環境而損失。 t 再者,在上述之雙軸配向膜(i i)中,利用光電分 光光度計從膜的表面並未測出含有元素鹵離子。該雙軸配 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) ( 210χ 297,Γ>. 18 - 590877 經米部中央標绛局只工消赀合竹社印製 A7 B7 五、發明説明(16 ) 向膜之磁性金屬薄膜即使在高溫及高溼的環境下,也可免 於受到鹵元素的破壞,而且當其用於金屬薄膜型磁性記錄 媒介時,仍可保持其物性。 本發明之雙軸配向膜可以其本身作爲底膜用於磁性記 錄媒介,而且其亦可在塗層形成在膜上之後用作磁性記錄 媒介的底膜。 尤其有利的是在雙軸配向膜(i )上形成一塗層之後 其係用作底膜。 因此,根據本發明,也提供一種用於磁性記錄媒介之 底膜,其至少在本發明之雙軸配向膜(i )之一表面上具 有一塗層其含有例如接著劑成份,一種水可分散之共聚酯 樹脂其包含40至99mo 1%之2,6 -萘二羧酸、 0 · 1至5m ο 1 %之芳香二羧酸其具有磺酸鹽基以及〇 至55 m ο 1 %之其他芳香二羧酸當作芳香二羧酸成份以 及40至100mo 1%之乙二醇、〇至60mo 1%之 雙酚A與低烯氧化物之加成產物以及〇至l〇m ο 1 %之 其他甘醇當作甘醇成份,表面未與具有表面粗糙度WR a 爲0 · 5至10nm及WRz爲5至200nm之塗層的 雙軸配向膜接觸。 在水可分散之共聚酯樹脂作爲塗層之接著劑成份的組 成份中,當2,6 -次萘羧酸之比例小於40mo 1%時 ,膜之抗結塊性大大地降低,而篇比例大於9 Omo 1% 時,在分散共聚酯樹脂於水的過程中,該共聚酯樹脂係難 以溶於親水性有機溶劑中,因此使得難以水分散。在本例 (41^-¾背.而之注&事項4填巧本S) 訂 本纸張尺度適用中國國家標孪(CNS ) /\4况彳& ( 210Χ29·^>«.) -19- 590877 A7 B7 五、發明説明(17 ) 子中,其係有效而且宜藉著共聚合甘醇成份改善非結晶性 。然而,當2,6 —次萘羧酸之比例大於99mo 1%時 ,即使用於改善非結晶性之甘醇成份係共聚合,該共聚酯 樹脂亦無法再溶於親水性有機溶劑中。再者,當具有磺酸 鹽基之芳香二羧酸的比例小於0·lmo1%時,該共聚 酯的親水本性將會變差,因此使得極難以水分散。當比例 大於5m ο 1 %時,膜之抗結塊性將大大地變差。 、-=φ 該具有磺酸鹽基之芳香二羧酸之較佳實施例包括5 一 鈉硫代間苯二甲酸、硫代間苯二甲酸一 5 —鉀、硫代間苯 二甲酸一 5 —鋰及硫代間苯二甲酸一 5 —磷。用於改善水 之可分散性,以鹼金屬鹽例如5 -鈉硫代間苯二甲酸、硫 代間苯二甲酸一 5 —鉀、硫代間苯二甲酸一 5 —鋰較適宜。 該共聚酯的酸成份包括上述比例之2,6 -次萘羧酸 及具有磺酸鹽基之芳香二羧酸,而其他芳香二羧酸可與這 些合倂使用。該其他芳香二羧酸之說明實施例包括對苯二 甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、二苯基二羧酸及此類之物 。這些當中,以對苯二甲酸最佳。 經Μ部中次標鼙局Β工消费合竹杜印說 當用作共聚酯之甘醇之乙二,醇的比例小於4 0 m ο 1 %時,膜之抗結塊性將大大地變差。 雙酚A與可與乙二醇連結之較低環氧某烷之加成產物 可以下列化學式表示之:
X 严3 - X CH, 本紙張尺度適用中國國家標皁(CNS ) 格(210X297公^. ) -20- 590877 B? 五、發明説明(18 ) 其中X是Η或具有1至5個碳原子之低碳烷基,而1 + m是介於2至1 0之整數。雙酚Α與可與低環氧某烷之 加成產物之使用係有效於改善共聚酯之水可分散性。在上 述化學式中以X表示低烷基之說明實施例包括具有1至5 個碳原子的烷基例如甲基、乙基、丙基、丁基及戊基。這 些當中,甲基特佳。化合物以雙酚A與1 ,2 —環氧丙烷 之加成物特佳。當1 + m的値增加時’共聚合體之抗結塊 性會降低。因而,1 + m宜儘可能小,以2爲最佳。 雙酚A與較低環氧某烷之加成物之使用,以所有甘醇 成份爲基礎,宜含有10至50mo 1%,20至40 m ο 1 %更佳。 該共聚酯的甘醇成份包含上述比例之乙二醇及雙酚A 與較低環氧某烷之加成物。當這些甘醇成份之總比例小於 1 〇m ο 1 %時,其他可與這些合倂使用的脂肪族或脂環 族甘醇。該其他脂肪族或脂環施之較佳實施例包括1,4 一丁二醇、1,4 一環己烷二甲醇及此類之物。 除了上述接著劑成份之外,該塗層可包含平均粒徑 1 0至5 0 nm的細粒。該細粒的平均外徑宜爲1 5至 4 0 nm。當平均粒徑小於1 〇 nm時,抗結塊性變得不 足,而當平均粒徑大於5 0 nm時,塗層必須做厚以防止 顆粒減少造成抗結塊性變得不足。以共聚酯樹脂的重量爲 主,細粒的含量爲1至50wt。%,宜爲1至3 5wt% ,1至2 5 w t %更佳。 較佳地,細粒具有較低比重因此其難以沉積於塗層溶 -21 - 木紙張尺度適用中國國家椋準(CNS ) ( 210Χ297公片) 590877 A7 Η 7 五、發明説明(19 ) #1間?17竹而之;.1.&事項办磧(4本710 液中.。該細粒之較佳實施例包括耐熱高分子之細粒(例如 .交連矽氧樹脂、交連丙烯酸樹脂、交連聚苯乙烯、三聚氰 胺、甲醛樹脂、芳香聚醯胺樹脂、聚醯胺-亞胺樹脂、交 連聚酯、完全芳香聚酯及此類之物)、二氧化矽(矽石) 及碳酸鈣。這些當中,交連矽氧樹脂細粒、矽石及核心-外層型有機細粒(核心:交連聚苯乙烯,外層:聚甲基丙 烯酸甲酯)特別的佳。 當上述細粒係包含時,塗層的厚度應符合以下的方程 式(5 ): 〇.2^t/d<2.〇 (5) 其中t是塗層的厚度(nm),而d是細粒的平均粒 徑(n m ), 以下的方程式(6)較佳: 〇.3<t/d<1.5 (6) 其中t及d與方程式(5)中的定義一樣, 以下的方程式(7)更佳: 〇.4<t/d<l.〇 (7) 其中t及d與方程式(5 ),中的定義一樣, 以下的方程式(8)最佳: 0.5<t/d<0.8 (8) 其中t及d與方程式(5 )中的定義一樣。 當t/d (塗層厚度/細粒。之平均粒徑)小於〇 · 2 時,細粒無法受接著劑之把持而在成膜過程中減少或者製 造磁性帶時因而產生許多脫落,而且電磁轉換特性因而變 本紙張尺度適用中國國家榡卑(CNS ) Λ4現枯(210X 297^ -22· 590877. A7 B7 五、發明説明(20 ) 差。當t/d大於2 . 0時,自接著劑凸出之顆粒數目減 少而且無法得到足夠的抗結塊性。 細粒應不得凝結在塗層較好,而從耐磨損的觀點由 1 0個或更多主要顆粒構成之凝結物密度係0至3 0 / 1 0 μ m 2時更佳。 塗層表面(未與雙軸配向膜接觸)之中心面平均粗糙 度WRa 爲 0 · 5 至 10nm,1 至 8nm 較佳,1 · 5 至5nm更佳。當WRa小於0·5nm時,在成膜或製 造磁帶過程中介於膜與傳遞滾輪之間的滑度降低,膜被弄 破因此許多脫落產生而且電磁轉換特性變差。當WR a大 於1 0 nm時,磁性表面變得粗糙而且適當的電磁轉換特 性無法得到。 經瀠部中央忭鼕局h工消费合作社印¾ 上述膜之表面的1 0點平均粗糙度WR z係5至 200nm,10 至 15〇nm 較佳,15 至 lOOnm 更佳。當WR z小於5 nm時,該膜之脫氣性受限於滾筒 降解使得其難以得到膜之良好滾壓外形,因此降低了生產 產能。當WR z大於2 0 0 nm時,磁性表面變得粗糙而 且無法得到適當的電磁轉換特性。 塗佈以形成塗層可在膜形成期間或之後實現,但以膜 形成期間爲宜。塗佈宜在拉伸及熱固之後施行以防塗層過 塗佈可根據一般利用的方法廊行,例如吻塗、反向塗 佈、凹版塗佈、口模式塗佈或此類塗佈。 塗層厚度爲1至5 0 nm,以5至3 5 nm爲宜。當 本纸張尺度適用中國國家椋丰(CNS ) Λϋ( 210χ29ϋ1 - 23- 590877 Μ Η 7 五、發明説明(21 ) 厚度小於1 nm時,黏著力變得不足,而當厚度大於5 0 nm時,抗結塊性降低。當塗層含有細粒時,顆粒平均粒 徑與塗層厚度之間的關係應符合上面所述之方程式(5) 至(8 )。 視需求適度在不會不利於影響本發明之改良滑度及避 免帶電的目的之下,塗層中可能含有其他成份。 一種用於磁性記錄媒介之底膜,其由上述中本發明之 雙軸配向膜(i )及至少在該膜(i )之一側表面之塗層 構成,其藉著形成磁性塗層於塗佈層上以產生高密度磁性 記錄媒介。 亦即,根據本發明,也提供一種塗佈高密度磁性記錄 媒介其由上述中本發明的雙軸配向膜(i)及生成於該膜 (i )之一側的磁性塗層構成,以及一種塗佈高密度磁性 記錄媒介其由上述底膜其用於雙ίή配向膜(i )上有塗層 之磁性記錄媒介中及形成於塗層上之磁性塗層構成。 磁性塗佈物包括以金屬爲主的磁性塗佈物及以金屬氧 化物爲主的磁性塗佈物。 經米部中央代^->^h工消费合忭社印¾ 該以金屬爲主的磁性塗佈物係之製備係藉由包含磁性 金屬或磁性物質,其本質上由包含磁性金屬接著劑構成, 舉證一種塗佈物其製備係由均勻分散鐵或針狀磁性細粉, 本質上由包含鐵於氯化烯或氯化烯-乙酸乙烯酯共聚物構 成。 , 該金屬氧化物爲主之磁性塗佈物之製備係藉由包含磁 性金屬氧化物或磁性物質,其本資上由包含磁性金屬接著 -24- (ΪΛ1閱详背而之注*事項4^朽本丑) 本紙張尺度適用中國國家彳準(CNS ) ( 210X 297公)Ϊ.) 590877 A 7 Η 7 五、發明説明(22 ) 劑構成,舉證一種塗佈物其製備係由均勻分散針狀磁性細 粉例如氧化鐵或氧化鉻,或葉片狀磁性細粉例如鐵酸鋇於 接著劑例如氯化烯或氯化烯-乙酸乙烯酯共聚物中。 該磁性塗佈物係應用以確認得到之磁性層厚度爲2 μ m 或更薄,以0.1至2μιη爲宜。 一種用於高密度記錄之塗佈磁性記錄媒介具有優良的 電磁性轉換特性例如短波輸出、S/N及C/N,可藉由 已知的方法形成背面塗層於磁性層反面以獲得較少延遲及 較少失誤率d 相似地,本發明中上述的雙軸配向膜(i i )可提供 一種高密度磁性記錄媒介。 經瀠部中央Π工消费合作社印况 亦即,根據本發明,也可提供一種金屬薄膜高密度磁 性記錄媒介其構成係由上述本發明之雙軸配向膜(i i ) 及積附金屬薄膜於該膜(i i)之一側表面,以及一種多 層塗佈高密度磁性記錄媒介其係由上述本發明之雙軸配向 膜(i i )及形成於該膜(i i ) 一側表面的磁性塗層構 成,該包含非磁性緩衝塗層之磁性塗層直接形成於雙軸配 向膜表面而磁性塗層則形成於該緩衝塗層上。 該金屬薄膜高密度磁性記錄媒介之製造,根據目的及 應用及需求依上述之順序,藉著真空積附、濺鍍、離子電 鍍或諸如此類形成鐵、鈷、鉻或其之合金或氧化物鐵電金 屬薄膜層於該雙軸配向膜(ii,.)、類鑽石碳(DLC) 或此類之物上,以及含氟羧酸爲主的潤滑層於鐵電金屬薄 膜層的表面上,進一步再加一已知背面塗層於該金屬薄膜 •25- 本紙張尺度適用中國國家椋丰(CNS ) Λ4故枋(210χ297*#·) 590877 ____Η 7 五、發明説明(23 ) 層的反面。 ,· 該金屬薄膜高密度磁性記錄媒介其具有優良的電磁轉 換特性例如短波輸出、S/N及C/N,其較少延遲及較 少失誤率非常有用於類比式訊號記錄之H i 8、數位式訊 號記錄之數位卡式錄放影機(DVC) 、8mm電算數據 及DDS IV之膠帶媒介。 多層塗佈高密度度磁性記錄媒介之多層之製作係依此 順序將氧化鈦細粒分散於相同於磁性層之有機接著劑,並 將該有機接著劑用作非磁性層以及將該磁性塗佈物用於至 少以在本發明雙軸配向膜(i i )之一側。 磁性塗佈物包括金屬爲主的磁性塗佈物及金屬氧化物 -爲主的磁性塗佈物。金屬爲主的磁性塗佈物及金屬氧化物 爲主的磁性塗佈物如上面所列者一樣。 磁性層的厚度以1 · Ιμιη或更薄爲宜,〇 · 1至 1 · 0 μ m更佳。 非磁性層的厚度宜爲0 . 1至2 . ΟμπΊ,0 . 2至 1 · 5 μ m更佳。 經潢部中史橾氓局β工消费合竹社印說 用於高密度記錄之塗佈磁性記錄媒介其具有優良的電 磁轉換特性例如短波輸出、S/N及C/N,可藉由已知 的方法形成背面塗層於磁性層反面以獲得較少延遲及較少 失誤率。 該多層塗佈高密度磁性記錄踝介極有用於用作類比式 訊號記錄之8mm錄放影機、Hi 8、β —凸輪SP及W -VH S,數位式訊號記錄之數位式訊號記錄之數位卡式錄 本紙張尺度適用中國國家標卑(CNS ) ( 210X297,^1 · 26 - 590877 A7 Η 7 五、發明説明(24 ) 放影機(DVC)、數位式β—凸輪、D2、D3、SX及 數位式訊號記錄之數據帶Q I C。 上述之W — VH S是一種用於類比式HD TV訊號記 錄的VTR,而DVC則可用於數位式HDTV訊號記錄 。可以說本發明之芳香聚醯胺膜是一種極有用於V T R之 HDTV訊號記錄的磁性記錄媒介之底膜。 以下的實施例將進一步說明本發明。應了解的是本發 明不受以下的實施例限制而不同的改變及修正可用於本發 明中,只要不違背其之精神及範圍。本發明中之物理性質 及特徵性質係測量並定義如下。
(1)高分子溶液的pH 取出5 g高分子溶液後,加至3 0 〇m 1水中並攪拌 2分鐘,測量最終水溶液的p Η。 (2 )對位黏度 聚合後將含有芳香聚醯胺之高分子原料溶液加入溶劑 例如醇或水中,高分子其係再沉澱並分離之對數黏度係測 量於3 0 °C的濃硫酸中。 經浐部中央標负而K工消费合竹社印於 (3 )面拉伸比 此係將縱向拉伸比乘以膜之橫向拉伸比得到。 (4)平均顆粒粒徑 (a )加入高分子溶液前之顆粒平均粒徑 顆粒利用S h i m a d z u。有限公司的離心顆粒大小 分析儀型號C P - 5 0測定之。相當於5 0個重量百分比 之粒徑係讀自取得之離心沉降曲線計算出之各別顆粒直徑 -27· 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) ( 2丨0X297公i ) 590877
五、發明説明(25 ) 及其含量之累積曲線,而獲得之値係取作平均粒徑(指由 Nikkan Kogyo Press出版之“顆粒大小測量技術” ,2 4 2 一 247 頁,1975 年)。 (b)包含於膜中之平均粒徑 * 該膜係藉著攪拌於1 0 0°C時3 0分鐘使溶於含有3 w t %的氯化鋰N —甲基吡咯烷酮(之後可縮寫成NMP )中,殘餘未溶於NMP中的薄膜以相同於(a )中的方 法測量。 杯 爲了確認,相似的樣品之製備藉由包封一小片該膜於 環氧樹脂(Refinetec有限公司的Epomount )中,利用 Reichert· Jung有限公司的Microtome 2 0 5 0與樹脂一同 切成厚度6 0mm之薄片,切片以穿透式電子顯微鏡( Hitachi有限公司的Η - 8 0 0 )觀察以得到2 5個顆粒A 之截面積粒徑。獲得之粒徑係平均以得到平均粒徑。結果 ,得到與上面相同的値。 (5 )凸出物的密度 經潢部中央桴卑^负工消赀合竹社印於 2 5厘米燭光之薄膜表面以4 5°角度隨機取樣並用掃 描式電子顯微鏡(J E0L有限公司T 一 3 0 0型)以 5,0 0 0倍放大倍率點數膜表之凸出物數目。每1 mm2 凸出物數目以點數値之平均計算出來。 (6 )孔隙比 該膜係利用電漿反應器(Yapato Kagaku有限公司P R 3 1型)從表面蝕刻至深度5 0 0 nm。2 5厘米燭光之 蝕刻樣品表面以0°角度隨機取樣並用掃描式電子顯微鏡( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4^格(210/29\>尨) -28- 590877. A7 __Η 7 五、發明説明(26 ) JEOL有限公司T 一 300型)以5,000倍放大倍 率測量出現在表面上之顆粒的長徑以及在顆粒四周之孔隙 的長徑。孔隙比可由以下方程式得到。 孔隙比=(孔隙之長徑)/ (顆粒之長徑) (7 )機械性質 (a )楊氏係數 將該膜切成寬度1 0.mm及長度1 5 0mm製成一樣 品,該樣品以抗張測試儀(Toyo Baldwin有限公司)以夾 盤間距1 0 〇mm及拉伸拉速率1 〇mm/m i η拉伸, 室內溫度調整至2 0°C而且相對溼度50%。楊氏係數從 獲得之應力-變形曲線上升部份的切線算得。 (b )撓曲鋼度 這係以下列方程式爲基礎,用楊氏係數測量中之相同 裝置及測量條件,以夾盤間距1 0 0 m m及拉伸拉速率5 mm/m i η拉伸,從應力一變形曲線上升部份的切線的 傾斜角度算出。 撓曲鋼度(mg ·πιπί) =〔 (1〇6 (mg/kg) 經米部中火疗ίν-^β工消费合作社印災 x (切線的傾斜角(kg/mm2) ) x (膜厚(mm)) 3)/12 (c)剪斷抗張強度 利用楊氏係數測量中之相同裝置及測量條件,以夾盤 間距1 0 0mm及拉伸拉速率1.0 〇mm/m i η拉伸時 膜要斷裂時的應力當作剪斷強度。 (8 )熱收縮 -29- 本纸張尺度適用中國國家椋丰(CNS ) Λ4圯枋(210Χ 297公尨) 590877 A7 ___·_B7 五、發明説明(27 ) (1Α1閲讀背而之注念事項丹本R ) 準備十塊3 5 Ommx 3 5 0mm之膜的樣品,在樣 品中心部份註記兩點以確定兩點間的計量長度(L。( m m ))爲3 0 Omm。十塊註記膜係吊於熱氣循熱恒溫室中 在無張力情形下保持於1 5 0°C,等其係置於室中3 0分 鐘後取出這些膜,測是介於膜之兩點間的長度(L ( m m ))。從以下方程式獲得之熱收縮係被平均。 熱收縮=100x〔(L。一 L)/L〇〕 (9 )捲繞性質 等要剪切時所需之捲繞條件係調至適當之後,膜係剪 切以得到1 0捲,每一捲具有寬度5 6 Omm以及長度 9,0 0 0m而捲曲物係保存1個星期。捲曲物之捲繞性 質係以下列可商業化之捲曲物的數目,判斷膜之皴摺的發 生基準爲基礎評估之。 可商業化捲曲物的數目 ’基準 9或更多 ◎ 7 至 8 〇
4 至 6 X
3或更少 XX 經米部中央忭分局Η工消费合作社印鉍 ____ (1 0 )耐磨耗性(壓延) 此係利用三滾輪超小壓延機(耐隆滾輪X鋼材滾輪) 評估之。該膜係引發以5 Om/φ i η的速度行進 2,000m,加工溫度80 °C而線性壓力200kg/ c m。此係以下列基準爲基礎,判斷由黏到壓延機耐隆滾 本纸張尺度適用中國國家橾準(CNS ) ( 210χ297,:ϋ_· 30 · 590877 A7 Η 7 五、發明説明(28 ) 輪之磨擦粉末。 無磨擦粉末在耐隆滾輪上 ◎ 有微量磨擦粉末在耐隆滾輪上 〇
有大量磨擦粉末在耐隆滾輪上 X (1 1 )電磁轉換特性 如下製備之磁性塗佈物係施於膜之表面上達厚度 1 · 2μπι,以2,500高斯之DC磁場對齊,加熱至 120 °C乾燥之並施以超強壓延(線性壓力:300kg /(:111,溫度:90°(:),而最終薄膜係纏繞在滾輪中。 將該滾輪置於5 5 °C烘箱中3天。 IT- <磁性塗佈物之製備〉 等表示如下之該組成物係置入球形硏磨器之後,捏合 1 6小時並分散之,異氣酸化合物(Bayer AG之Demodule L)之5份重量係加至球形硏磨器並以高速剪切分散1小時 以製成磁性塗佈物。 經米部中决標41·局Π工消费合作社印¾ -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) ( 210X 297公17 590877 A7 B7 五、發明説明(29 ) * 塗佈物之組成物 針狀F e顆粒 1 0 0份 氯化烯-乙酸乙烯酯共聚合物 (Sekisui化學有限公司之Slec 7A) 1 5份 熱塑性聚氨基甲酸乙酯樹脂 5份 氧化鉻 5份 碳黑 5份 卵磷脂 2份 脂肪酸酯 1份 甲苯 ^ 3 0份 甲乙酮 5 0份 環己酮 7 0份 #1間试背而之注1事項再項{巧本頁)
、1T 經沪部中夾標洚局K工消贽合竹社印¾ 再者,具有下列組成物的塗佈溶液係施於膜之磁性記 錄層反面之膜表面上達厚度0 · 8μΠ1當作背面塗佈層,乾 燥並裁剪以得到磁帶。 本紙張尺度適用中國國家標皁(CNS ) Λ4規格() .32- 1 塗佈物之組成物 碳黑 1 0 0份 熱塑性聚氨基甲酸乙酯樹脂 60份 異氰酸化合物 t 1 8份 (Nippon Polyurethane Kogyo 有限公司之 Colonate L) 矽酮油 0 · 5份 590877 A7 Η 7 ___ 五、發明説明(30 ) 甲乙酮 2 5 0份 甲苯 5 0份 該帶子的特性係利用以下可由市面上購得之裝置測得 *使用裝置 8mm錄放影機:Sony公司的EDV—6000 S/N測量:Shibasoku有限公司的雜訊測量器 (a ) S / N測量 磁性錄影帶的S / N比係利用比較實施例3中之一値 爲參考,以下列基準爲基礎測量及評估之。 大於(參考値+3dB) ◎ (參考値+3dB)〜(參考値+ldB) 〇
小於(參考値+ 1 d B ) X (b )持續運轉耐性 經米部中央標準杓只工消费合作社印% 此帶子係運轉於高溫高溼條件之下,持續再現於溫度 5 5 °C及溼度7 5%RH下,觀察再現影像,持續運轉耐 性則從影像之震動判斷之。 影像沒有震動 〇
影像有震動 .X 實施例 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4圯枋(210χ 297^Μί ) 經澇部中央i?-^-^K工消费合作社印努 590877 A7 ____^__B7 五、發明説明(31 ) 以2 5mo 1%的對次苯基二胺及2 5mo 1%的3 •’4’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成物與5Omol%的對 苯二甲酸氯作爲酸組成物係聚合於NMP (N -甲基)中 。同時,具有平均粒徑8,OOOnm ( Inoue Sekkai有限 公司的產品)的氫氧化鈣係以均質器分散於NMP中,以 砂磨器磨成平均粒徑2,3 0 0 nm並以過濾器(Nihon Pall有限公司製造之5 Ομιη網目的HDC I I )過濾之, 製成含有平均粒徑1 ,5 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥 漿。該泥漿係加至上述之高分子中,以50mo1%對苯 二甲酸氯爲基準,確保氫氧化鈣的含量變成5 0 . 3 mo 1%,製成膜之原料溶液可藉以得到。該原料溶液具 有pH値4 · 7。該高分子具有對數黏度3 · 5。 該獲得用於製成膜之原料溶液係加熱於1 0 0°C,以 加熱於1 0 0°C之噴嘴使金屬帶保持受熱於1 0 〇°C上鑄 造,乾燥於1 0 0°C時2分鐘並逐步加熱於1 2 0°C,然 後乾燥於1 5 0 °C總共持續1 0分鐘,由此得到具有自我 支撐性之無配向膜。該無配向膜連續從帶子上分離並置入 水槽中以移除溶劑及鹽類,然後乾燥於1 5 0°C時1 5分 鐘。 得到之無配向膜係於3 5 0 °C時在低速及高速滾輪間 拉伸成2 · 5倍,然後在4 0 0 °C時以展幅機拉伸成 3 · 0倍以得到雙軸配向膜。該雙軸配向膜係熱固於 4 0 0°C時1分鐘以得到具有最終厚度4 · Ομιη之芳香聚 醯胺薄膜。 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) ( 210X 297^]; ) -34- ~
------------;--1Τ-------A 590877. A7 B7 五、發明説明(32 ) 包含於得到之薄膜中之殘留中和劑的平均粒徑係 3 0 0 nm。其他膜之物性及特性係表示於表1中。 實施例2 氫氧化鈣與實施例1中的中和劑一樣係以砂磨機磨至 平均粒徑4,800nm,然後直接製成NMP泥漿。以 5 0m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述 的高分子以確認氫氧化鈣的含量變成50·06m〇1% ,以製成用於生成膜之原料溶液A (pH : 5 · 2,高分 子之對數黏度:3.5)。 經潢部中央?έ^-^κ工消费合竹社印於 同時,氫氧化鈣與實施例1中的中和劑一樣係以砂磨 機磨至平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有 限公司製造之20μιη網目的HDCI I)過濾之,以製成 具有平均粒徑6 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。以 5 〇m 〇1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述 的高分子以確認氫氧化鈣的含量變成5 1 · 5mo 1%, 以製成用於生成膜之原料溶液B (pH : 4 . 8,高分子 之對數黏度:3·5)。 再者,這些原料溶液A及B係以等量混在一起製成最 終的原料溶液,而且芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的 方法得到。 包含於該得到膜中之殘留中和劑的粒度分佈曲線在 5 0 0 nm與1 8 0 nm處有尖峰。該膜之物性與特性係 列於表1中。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4化格(210x297公私> ~. 35 590877 A7 _ 137____ 五、發明説明(33 ) 實施例3 氫氧化鈣與實施例1中的中和劑一樣係以砂磨機磨至 平均粒徑2,200nm,然後直接製成NMP泥漿。芳 香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到’除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成5 2 · 3mo 1 %以製成 用於生成膜之原料溶液(pH : 4 · 8 ’高分子之對數黏 度:3 · 5 )·。該膜之物性與特性係列於表1中。 實施例4 經y部中央疗41-局K工消费合作社印裝 氫氧化鈣與實施例1中的中和劑一樣係以砂磨機磨至 平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公司 製造之20μιη網目的HDCI 1_)過濾之,以製成具有平 均粒徑6 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯薄 膜係以相同於實施例1的方法得到,除了以5 0 m ο 1 % 的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高分子以確 認氫氧化鈣的含量變成5 0 . 4mo 1 %以製成用於生成 膜之原料溶液(pH : 4 · 8,高分子之對數黏度: 3 · 5 )。該膜之物性與特性係列於表1中。 實施例5 , 氫氧化鈣與實施例1中的中和劑一樣係以砂磨機磨至 平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公司 本紙張尺度適用中國國家d- ( CNS ) 格(210X2W公-36- 590877 A7 R7 五、發明説明(34 ) 製造之20μπι網目的HDCI I)過濾之,以製成具有平 均粒徑6 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯薄 膜係以相同於實施例1的方法得到,除了以5 0 m ο 1 % 的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高分子以確 認氫氧化鈣的含量變成5 7 · 3mo 1%以製成用於生成 膜之原料溶液(pH: 5 · 0,高分子之對數黏度: 3 · 5 )。該膜之物性與特性係列於表1中。 實施例6 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 該膜係拉伸至縱向2·0倍而且橫向3·5倍之外。該膜 之物性與特性係列於表1中。 實施例7 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 該膜係拉伸至縱向2·8倍而且橫向2·8倍之外。該膜 之物性與特性係列於表1中。 經滅部中央代^π工消费合作杜印¾
I 實施例8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 該碳酸鈣係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列於表 1中。 二 實施例9 -37· (^t閱-Μ1Ϊ-而之注&事項再填巧本頁) 本紙張尺度適用中國國家椋窣(CNS ) ( 210X297公公) 經米‘部中央標枣而h工消费合竹社印繁 -38 - 590877 五、發明説明(35 ) 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 該氫氧化鎂係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列於 袠1中。 實施例1 0 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 以對次苯基二胺對3,4 ’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成物 之莫耳比係變成37·5/12·5(總共50mo1% )之外。該膜之物性與特性係列於表1中。 實施例1 1 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 以對次苯基二胺對3,4 ’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成物 之莫耳比係變成12·5/37·5(總共50mo1% )之外。該膜之物性與特性係列於表1中。 比較實施例1 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 乾燥的無配向膜未被拉伸之外。該膜之物性與特性係列於 表2中。該無配向膜的表面上有少量凸出物,滑度及捲繞 性差,並具有低楊氏係數。 比較實施例2 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的方法得到,除了 本紙張尺度適用中國國家彳:?:丰(CNS ) AWiMM 210X29*7公公) (ΙΛι^-λί-κ^:而之注态萝項汴續$本奴)
590877 A 7 B7 五、發明説明(36 ) 氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3·8以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑 的顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性 係列於表2中。 比較實施例3 芳香聚醯薄膜係以相同於實婶例1的方法得到,除了 準備製膜之原料溶液(pH : 2 · 3)時並未將中和劑的 NMP泥漿加至聚合系統之外。當作殘留中和劑的顆粒在 得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列於表 2中。 比較實施例4 經潢部中央標氓局Η η消費合作杜印狀 (^先閱允背而之注&事項再填$本頁) 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1的‘方法得到,除了 氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整pH至 3 · 8,進一步將預分散具有平均粒徑1 0 nm的矽石加 入以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑的顆 粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列 於表2中。 比較實施例5 芳香聚醯薄膜係以相同於實廊例1的方法得到,除了 氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3 · 8,進一步將預分散具有平均粒徑430nm的矽石 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) AAiUtf ( 210χ 297λ>^Π -39- " 590877 A7 Η 7 五、發明説明(37 ) 加入.以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑的 .顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係 列於表2中。 (¾^閱请背而之注*事項本頁) 丨鲁 經潢部中央ίέ^-^Μ工消费合作社印^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4^#,( 210x29*7^# ) •40- 590877 A7 ΙΠ 經潢部中央標Ή工消贽合竹社印¾ 五、發明説明(38 ) JJ •· Μ s i—H > · 零丨·Η S s 1 \ s i 1 i s < i s H s r—Η s , i s f i s r—H m 1 nn B 鬆 qq rn Ο rp :】 〇 cp_ ^ ro_ ^ ?「】 M X X X X X X X X X X X X -ij ¢1 w^i oo oo r 4 s p os 〇j v〇 csi CN cvi p i v〇 oi ΛΛ i〇 ίο »〇 ίο v〇 oo (P) v〇 ίο 卜· 卜: 卜· i= 泛 S s cn oo 〇j 豸 豸 X X X X X X X X X X X vn o3 〇5 wn oi l〇 oi i〇 wn 〇g oo cs l〇 oi i〇 〇j l〇 oi wn oi 8 cn 8 v〇 g 8 oo 8 r<\ 8 cn 8 cn 8 cn 8 cn 8 CO 8 cn 个 m 个 个 个 个 个 1 个 个 个 个 个 个 个 m 1 1 1 1 Ί Ί 1 1 1 1 〆 S S Q 8 8 8 8 8 S 8 8 8 騷 ilmil i H 吞 〇 VO S S r_H VO r—< V〇 wn f i wn -4 IT) r-H s P 醑 匿 S 鷗 •β- •N m te □ 4^5 <rn ΓΜ I s 5c K 会 会 会 K CaC〇3 ffi X 6c s o o o o o o o s 碧 o o c3 § § o /^N * r\ Ph < Q 4 P m CN cs v〇 CN m CN cn CO § B I1111 H CN m 寸 i〇 v〇 oo 〇> 〇 ▼—H . f 11114 m m 5 m 键 键 辑 辑 提 選 w W 佩 U u IK K fc IK 佩 n ---------- ^1間-^背而之注*事項再填^本万) 韜g浒U狴71— ·々*00 U) * *. 木紙張尺度適用中國國家樣率(CNS ) Λ4^& ( 210X 297 Α ^ _ 41 - 590877 五、發明説明(39 ) 經浐部中央疗導局h工消资合作社印製 運轉耐性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 I ◎ ◎ 〇 ◎ Ο ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 耐磨耗性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 捲繞性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 熱收縮 (極大値) (%) CO cn cn cn CO cn <r^ cn cn 一 in 剪斷強度 (縱向) (kg/mm2) VO On On 撓曲鋼度 (縱向) (mg· mm) P P p p p v〇 wS 〇〇 p p p p 楊氏模數 (縱向及橫向) (kg/mm2) 2500 2500 2500 2500 2500 2350 2600 2500 2500 2800 2300 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 、1Τ- 木紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4悅#, ( 210x29hM;) -42- 590877 經术部中央ii攻局只工消费合竹社印說 五、發明説明(4〇 ) ΟΊ (****) ows re (εε/皿親) ¥0§ϋ (**) (承1 ίδίδ £Hdva_-寸 t sds xs
§ σε X SOQ
8ε 个SSI S03 ^ tδςι S03 ^Iws
Jllr αΒ^ §pe χνητ ¾ (***) 2X Z/9 (***) οΙχ9·Ι
(s οΐ「CN oi 个 oi s«$0^ « 本紙張尺度適用中國國家標苹(CNS ) ( 210X2W,:M;.) (s οΐ soi 09 t orn寸 sii$os
Lrl ^Iwi iis¥§鏗Ίέϋ靼111Κ-Ν!鬆嵌綮驃鰂芻筚鲰ώ^ΜΜΊέ *§?|运迭账骧忉鋁鼷濉0: (丑最尨胆)召章货厄iM qit:5i ® 憩湖浒U狴Ηϋ Γ) * * ****, ----------- (^-^閱τέτιι1]而之注&箏項再填β本Ή ) 、1Τ -43- 590877
7 | A R 五、發明説明(41 ) 經沪部中央橾鼙灼只工消费合n.H印袈 運轉耐性 X 〇 〇 X X S X ◎ ◎ Ο X 耐磨耗性 〇 ◎ ◎ X X 捲繞性 X XX X x . X ◎ 熱收縮 (極大値) (%) Oj cn CO CO cn 雲$ 圓 1 i § Οί CN jo 撓曲鋼度 (縱向) (mg· mm) CN p p p p 楊氏模數 (縱向及橫向) (kg/mm2) 1200 2500 2500 2500 2500 比較實施例1 比較實施例2 比較實施例3 比較實施例4 比較實施例5 ^1閱^、”而之注*事項再^巧本石) 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Λ4〗)% ( 210乂2叼公私) -44- 590877 A7 ____Η 7 五、發明説明(42 ) 實施例1 2 以2 5mo 1%的對次苯基二胺及2 5mo 1%的3 ’4’ 一二胺二苯基醚當作胺組成物及以5Omol%的 對苯二甲酸二氯當作酸組成份係於NMP (N —甲基吡咯 烷酮)中聚合。同時,具有平均粒徑8,OOOnm ( Inoue Sekkai有限公司的產品)之氫氧化鈣係以均質器分散 於NMP中,以砂磨機磨成平均粒徑1,〇 〇 〇 nm並以 過濾器(Nihon Pall有限公司製造之5 Ομπι網目的 HDCII)過濾之,製成含有平均粒徑200nm之氫 氧化鈣的NMP泥漿。該泥漿係加至上述之高分子中,以 5 0m ο 1 %對苯二甲酸氯爲基準,確保氫氧化鈣的含量 變成5 1 · 2 m ο 1 %,製成膜之原料溶液可藉以得到。 該原料溶液具有pH値4 · 7。該高分子具有對數黏度 3.5° 經潢部中央忭妒灼只工消合竹杜印製 (^1閱^背而之注&萝項4功、?5本及) 該獲得用於製成膜之原料溶液係於1 0 o°c時加熱, 以加熱於1 0 0°C之噴嘴使金屬帶保持受熱於1 0 ot上 鑄型,乾燥於1 0 0°C時2分鐘並於1 2 0°C逐步加熱, 然後乾燥於1 5 0 °C下總共持續1 0分鐘,由此得到具有 自我支撐性之無配向膜。該無配向膜連續從帶子上分離並 置入水槽中以移除溶劑及鹽類,然後乾燥於1 5 0 °C時 1 5分鐘。 得到之無配向膜係於3 5 0 JC時在低速及高速滾輪間 拉伸成2 · 5倍,然後在400 °C時以展幅機拉伸成 3 · 0倍以得到雙軸配向膜。該雙軸配向膜係熱固於 本紙張尺度適用中國國家樣苹(CNS ) 枋(210x297.;>i"i - 45 _ 590877 A7 B7 _______ 五、發明説明(43 ) 4 0 0°C時1分鐘以得到具有最終厚度3 · Ομπι之芳香聚 .醯胺薄膜。 包含於得到之薄膜中之殘留中和劑的平均粒徑係6 0 nm。其他膜之物性及特性係表示於表3中。 實施例1 3 氫氧化鈣與實施例1 2中的中和劑一樣係以砂磨機磨 至平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公 司製造之2 0μιη網目的HDCI I)過濾之,以製成具有 平均粒徑4 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯 薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成50·15mo1%以製 成用於生成膜之原料溶液(pH : 5 · 1 ,高分子之對數 黏度:3 · 5 )。該膜之物性與特性係列於表3中。 實施例1 4 經溁部中央標妒局K工消资合作社印說 (^1¾¾¾而之注&萝項-S功g本打) 氫氧化鈣與實施例1 2中的中和劑一樣係以砂磨機磨 至平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公 司製造之20μιη網目的HDCI I)過濾之,以製成具有 平均粒徑6 5 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯 薄膜係以相同於實施例1 2的方铸得到,除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成50·05mo1%以製 本紙張尺度適用中國國家椋孪(CNS ) A 4 t 210X297A 'if] 590877. A7 B7_____ 五、發明説明(44 ) 成用於生成膜之原料溶液(pH: 5 · 1,高分子之對數 黏度:3 · 5)。該膜之物性與特性係列於表3中。 實施例1 5 氫氧化鈣與實施例1 2中的中和劑一樣係以砂磨機磨 至平均粒徑2,0 0 0 n m並以過濾器(Nihon Pall有限公 司製造之20μιη網目的HDCI I)過濾之’以製成具有 平均粒徑8 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯 薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥獎係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成5 0 · lmo 1 %以製成 用於生成膜之原料溶液( pH : 5 . 2,高分子之對數黏 度:3 · 5 )。該膜之物性與特性係列於表3中。 實施例1 6 經沪部中央標涕灼只工消费合作社印說 («1閱试背而之注*事項再填巧本頁) 氫氧化鈣與實施例1 2中的中和劑一樣係以砂磨機磨 至平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公 司製造之2 Ομιη網目的HDC I I )過濾之,以製成具有 平均粒徑5 5 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯 薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成j 〇 · 6 m ο 1 %以製成 用於生成膜之原料溶液(pH: 5 . 3,高分子之對數黏 度:3 · 5 )。該膜之物性與特性係列於表3中。 本紙張尺度適用中國國家標孪(CNS ) Λ心( 210x29h>-47 - 590877 A7 B7 五、發明説明(45 ) 實施例1 7 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了該膜係拉伸至縱向2.0倍而且橫向3.5倍之外。該 膜之物性與特性係列於表3中。 實施例1 8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了該膜係拉伸至縱向2 . 8倍而且橫向2 · 8倍之外。該 膜之物性與特性係列於表3中。 實施例1 9 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了該碳酸鈣係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列於 表3中。 實施例2 0 經米部中次抒汍豹以工消费合作社印說 ^lWJT'in背而之注念事項#硪巧本Κ ) 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了該氫氧化鎂係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列 於表3中。 實施例2 1 , 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了以對次苯基二胺對3,4’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) /\4化彳6 ( 2丨0x2^T^H") -48: 590877 A7 B7 五、發明説明(46 ) 物之莫耳比係變成37 · 5/12 · 5 (總共50 m ο 1 %)之外。該膜之物性與特性係列於表3中。 實施例2 2 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了以對次苯基二胺對3,4’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成 物之莫耳比係變成12 . 5/37 · 5 (總共50mo 1 % )之外。該膜之物性與特性係列於表3中。 比較實施例6 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了乾燥的無配向膜未被拉伸之外。該膜之物性與特性係列 於表4中。該無配向膜的表面上有少量凸出物,滑度及捲 繞性差,並具有低楊氏係數。 比較實施例7 經滅部中次伴绛局Π工消资合竹社印狀 (^1間^背而之注*事項#填巧本页) 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至,聚合系統以調整p Η至 3 · 8以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑 的顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性 係列於表4中。 比較實施例8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS )職1& ( 210Χ29ϋ -49- "~ 590877 A 7 Η 7 五、發明説明(47 ) "^閲诸背而之注^事項洱蛾巧本万) 了準備製膜之原料溶液(pH : 2 · 3)時並未將中和劑 的NMP泥漿加至聚合系統之外。當作殘留中和劑的顆粒 在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列於 表4中。 比較實施例9 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3 · 8,除了自金屬帶分離之無配向膜係乾燥於2 0 0 °C 時3 0分鐘而未在水槽中去鹽之外。該膜之其他物性與特 性係列於表4中。 比較實施例1 0 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例1 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整PH至 3 · 8 ’進一步將預分散具有平均粒徑1 〇 nm的砂石加 入以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑的顆 粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列 於表4中。 本紙張尺度適用中國國家;專(CNS ) /\4現枯(210X297公 -50· 590877 Α7 Β7 五、發明説明(佔)
r'i#部十次扰T,消於合代社印V
(丑«-}蹈胆)qif=5i 俚 MM 丑i=均厄 3Τ U*)憩權浒U狴:Γϋ U) --- - I-- - I - - - - -11 m si j— - -- 1-- 丁 m --- I— .....I - -I (^先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度这州中KS家樣彳(('NS ) Λ4規格(210X 297公釐) 590877 A7 Η 7 經瀠部中央if-^-^β工消费合作社印災
本紙張尺度適用中國國家標孪(CNS ) /\4况枱(210X297公公) .52 - 590877 五、發明説明(5〇 ) 經潢部中央忭取而h工消费合作杜印製 孔隙比 p 1 1 > 114 1—Η 5.0 (****> 凸出物密度 激目/mm2) 未定義 壊 壊 2.4 χ 105 6.7 χ 104 (***) ίο (Pi (η ί〇 J-J 1 i 6 t: L p r—< § ο cn ο cn X 〇· f < X v〇 oi X ν〇 oi X l〇 oi X w-> ▲ X—N 个 § m e s 不明 s o 个 个 个 1 个 £ Q g g騷 , s l/-\ ΐ- Csl i S ^ I1 4 着 •B- -N M i i 会 K E p <rn o 〇 〇 w i ^ o c3 漠 1 ^ ^ < 〇 wn CN VO CN v〇 CN 9 S S VO 卜 〇〇 On 〇 辑 辑 辑 辑 w 佩 K w im 鎰 鎰 鑑 鎰 JJ -1Λ JJ dJ jj 。丑靼 111KS Μ Ίέ菽翱瞰忉鬆嵌骧驃鎞芻迭鲰+i*NMΜ Ί^ΙδΪΙ写张> 嵌綮忉趑鼷魈M: -::w (qq«-}蹈陋)五紧铝厄 _x qJUf:??厄 ϊΤ Γ*) 韜S浒:::鏗Z:-·气Γ· U) (^1¾¾¾而之注ft事項办^巧本Ή )
本紙張尺度適用中國國家枕準(CNS ) ( 210x29hU< ) -53- 590877 A7
B 五、發明説明(Π)
在溼及熱條件f之穩定性 ◎ ◎ X X ◎ ife 驟 flmll X 〇 〇 〇 〇 5 U X ◎ ◎ ◎ X g m 〇 ◎ ◎ ◎ X m X X m X X X ◎ 〇 Μ 婴 顬 喔 〇 〇 X X W 〇 $ m ^ ^ 趣含i 8 8 8 8 8 酸i苕 CS 1 111 4 v〇 卜 〇〇 ON 〇 ί 辑 提 舞 U Κ w 伽K U 鎰 鎰 鎰 ±Λ JJ (許先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙怅尺度追ffl中KK家標彳((’NS ) Λ4規格(210X 297公釐) 590877 經澇部中决桴^-^h工消贽合作社印取 A7 η 7 五、發明説明(52 ) 在上述之表3及表4中,以下列的方法測量並定義鹵 素偵測、磨擦係數、細針擦傷、C / N、運轉耐性及溼熱 穩定性。 (1 2 )膜表面上鹵離子之偵測 一塊1 0 m m X 1 0 m m的薄膜樣品係以X光射線光 電光譜儀(VG有限公司之ESCALAB — 2 00)測 量而以Mg — Κα線當作激發X射線。鹵離子(F 一、 C 1 —、B r —、I —)之偵測係以下列基準爲標準從得到 之光譜判斷之。 未偵測到鹵離子 〇
偵測到鹵離子 X 關於鹵離子,當由2 ρ -軌域衍生之尖峰出現於鍵結 能小於2 0 3 Ε ν時則認爲C 1 —係存在的。當一個由共價 C 1原子衍生之尖峰,不是自由離子出現在2 0 3至 2 0 5 e V附近,其可從上述尖峰中分辨出來。 (13)磨擦係數 用滑度測量裝置及一片玻璃片作爲滑板(Toyo Tester 有限公司製造),根據ASTM D1894—63測量 荷重1 k g之靜態磨擦係數(μ s )。獲得的値係以下列的 基準評估。 , (^1閱诸背而之注&事項4填^"本^)
本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS )/\4圯彳& ( 210X 297公# ) -55- 經潢部中央標窣局只工消费合0社印% 590877 A7 ΙΓ 五、發明説明(53 )
μ S 基準 % 小於0 .6 ◎ 0 . 6 至0 · 8 〇 多於0 • 8 X (1 4 )耐磨耗性(對抗細針) 耐磨耗性係利用表示於以下圖1中裝置測量之。圖1 中,參考數字1表示入料輪,2表示張力控制器,3、5 、6、8、9及1 1表示自由滾輪,4表示張力偵測器( 入口),7表示不銹鋼SUS304固定細針(外徑:5 mm,表面粗糙度Ra : 20nm) ,10表示張力偵測 器(出口),12表示導輪而13表示引取輪。 在溫度2 0°C及溼度6 0%RH時,切成寬度1/2 英吋之薄膜係與固定細針7接觸以角度θ= ( 9 0/1 8 0 )π弧度(90°)並且以2m/min (入口張力固定於 4 0 g )運轉1 0 0 m,耐磨耗性係以下列基準判斷之。 無磨擦細粉黏到細針上 ◎ 微量的磨擦細粉黏到細針上 〇 大量的磨擦細粉黏到細針上 X (1 5 )電磁轉換特性 兩塊1 0 0%鈷鐵磁性薄膜屑係以汽化沉積法生成於 該膜表面使具有總厚度0 . 〇 2μιη (每一層厚度大約 Ο.ΟΙμιη)。一類鑽石碳(DLC)膜層及含氟羧酸爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) ( 210X297公^ -56- (#1間硪背而之注*事項再填巧本5.}
經滴部中央桴枣灼只工消费合作社印^ 590877 A7 B7 _ 五、發明説明(54 ) 主的潤滑層係連續生成於上述膜層表面上,而背面塗佈層 係利用已知的方法生成於磁性層反面上。接著該最終薄膜 係切成8mm寬的帶子,然後裝入商業上使用之錄影帶卡 匣中。然後,該帶子之特性係利用以下市面上可取得之裝 置測量之。 使用裝置: 8mm錄放影機:Sony公司的EDV—6000 型 C / N之測量:Shibasoku有限公司的雜訊測量儀 (a ) C / N之測量 記錄下記錄波0 · 5μιη (頻率大約7 · 4MHz)長 的訊號,以6.4MHz及7·4MHz之再生訊號値之 比當作帶子的C/N,一般可取得之8 mm錄影機用沉積 帶子的C/N當成0 d B,而C/N則利用以下基準爲基 礎之相對値評估之。 大於(參考値+5dB) ◎ (參考値+5dB)〜(參考値+ldB) 〇
小於(參考値+ldB) X (b )持續運轉耐性 此帶子係運轉於溫度5 5 °C。及溼度7 5%RH之下持 續再生,觀察再現影像,持續運轉耐性則從影像之震動判 斷之。 本紙張尺度適用中國國家準(CNS ) Λ4«^ί, ( 210x 297^"*! - 57 - (閱τ?«ι;背而之注念事項再硪巧本頁) 訂 590877 A7 _____ΙΓ 五、發明説明(55 ) 影像沒有震動 〇
影像有震動 X ^1閱详背而之注*1>項-&^%本^) (1 6 )溼/熱條件下的穩定性 當帶子承受過溫度6 0°C及溼度8 0%RH的條件之 後’溼及熱條件之下的穩定性係根據目視檢査沉積表面之 腐蝕及以下列基準爲基礎,以光學顯微鏡觀察沉積表面之 腐蝕產生的缺陷計數評估之。
目視檢查 顯微鏡 基準 無腐飽 少於 1 0/6 4mm2 ◎ 無腐触 1 0/6 4mm2或更多 〇 被腐蝕 X 實施例2 3 經瀠部中央標聿而只工消费合竹社印說 由實施例1中得到之無配向膜係於膜溫3 5 0 °C時’ 在低速及高速滾輪之間拉伸至2 · 5倍,然後在4 0 〇°C 時以展幅機拉伸成3 . 0倍以得到雙軸配向膜。該雙軸®3 向膜係熱固於4 0 0°C時1分鐘,冷卻至室溫,以底 塗佈溶液〔I〕,用滾輪塗佈器(乾燥之後塗層厚度: 1 〇nm)塗佈使含量爲1 · 〇g/m2,以2 1 0°C熱第 乾燥3 0秒以得到易於黏著具有最終厚度4 · Ομιη之雙1® 配向芳香聚醯胺膜。 t 包含於得到薄膜中之殘留中和劑的平均粒徑係3 〇 ^ nm。該膜之其他物性及特性係.表示於表7中。 _____;____ 木紙張尺度適用中國國家掠準(CNS )八4悅格(2]Ox29h>烊〉 -58- 590877 A7 Η 7 五、發明説明(56 ) 該塗佈溶液〔I〕如以下製備。 <共聚酯樹脂A之製造> 9 0份重量之2,6 -次萘基二羧酸、6份重量之間 苯二甲酸二甲酯、4份重量之5. —鈉硫代間苯二甲酸、 7 0份重量之乙二醇及3 0份重量之雙酚A與乙烯氧之加 成物(以底下之結構式表示)係置作酯置換反應器中, 0 · 0 5份重量之四丁氧基鈦係加至反應器中,溫度係於 氮氣環境下升至2 3 0 °C,而生成之甲醇係餾去以發生酯 置換反應。 (^lw-inll··而之注态事項再填$本頁)
、1T 經瀠部中央橾輩趵只工消费合作社印鉍 然後加入0 · 6份重量之Inganox 1010( Ciba Geigy有限公司)至該反應系統中,將溫度逐漸提高至 2 5 5°C,系統內壓力減至ImmHg以產生聚縮合反應
得到一種具固有黏度(OCp)〇 · 64之共聚酯樹脂A 〇 該聚酯樹脂A之組成物表示於表5中。 <聚酯分散於溶液“a”中之製輝> 將2 0份重量之共聚酯樹脂A溶於8 0份重量之四氫 呋喃中,並且1 80份重量之水係在1 0,000 r pm 本紙ft尺度適用中國國家榡準(CNS )八视诒(210X 297公兌) -59- 590877 經瀠部中央標ί-^β工消费合竹社印¾ A7 Η 7 五、發明説明(57 ) 高速攪拌之下逐滴加至得到之溶液中以得到被染成藍色的 半透明分散物。該分散物係蒸餾於2 0 mmH g的低壓以 移去四氫呋喃。因此,具有固形物含量1 〇w t %之聚酯 分散物溶液“ a ”係得到。 <用於塗層之塗佈溶液〔I〕的製備> 由1 0份重量之1 〇 w t %聚氧乙烯壬苯基醚水溶液 當作界面活性劑以及9 0份重量之獲到的聚酯分散物溶液 “ a ”構成之水分散組成物係用水稀釋以製成用於塗層之 水溶液塗佈溶液(固形物含量:1 · 0 w t % )。該組成 物係表示於表6中。 用於以下實施例及比較實施之塗佈溶液〔I I〕至〔 V I〕係如下製備。 <用於塗層之塗佈溶液〔I I〕至〔V I〕之製備〉 共聚酯B至F係製備以相同於上述之方法,除了表示 於表5中之該共聚合物組成物係利用相同於上述之方法製 備相關的水分散物“ b ”至“ f ” 。用於塗層之塗佈溶液 〔I I〕至〔VI〕係根據表示於表6中之配方,利用這 些水分散物製成。 本紙張尺度適用中國國家if:挛(CNS ) /\4忧抬(210x29·?公*^ 60· (¾尤閱-inli·-而之注*事項本頁) 、«5d
590877 A7 Η 7 五、發明説明(58 經瀠部中央標準而只工消費合竹杜印¾
(次一 οε)鬆链鹚§騮鉍袜-N,細迄昍 Ln撇 水中的分散物 • (10 %) cd O T3 <υ BPA-P Ο ο 1 1 Ο 扭 2 Ο s 1 i 〇 8 r ·Η 癸 二羧酸成份 NSIPA 寸 <N CN OO CN CS g VO 1 OO cn OO VO OO CO NDCA oo ON s s 癸 s m < m u ώ ω 鬆链呂忉嫲线Es(veaSK: d — vd at 趦Ε-:Γ 浒酲 νρΰι藤丨 9 : V d I S N 饀s-:r 浒酲:V d I 饀愁涨衫丨9 vCJaM (^先閲详背而之注*事項4硝^本及) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4Ζ〇·, ( 210x29*^>«. ) - 61 - 590877 A7 B7 五、發明説明(59 ) 經瀠部中央iiii-^M工消费合竹社印¾ 塗佈溶液之濃度 (wt%) r—ί i .....i 1 _ _蟑 r-H r-H t H Ο 〇 o 〇 〇 〇 重量比 m m Γ\ ilrml W cd X) o .T3 <υ Γ—1 r—i HH fc ..1.1.1 [HI] ['IV ] > [VI] 謎湖擗\fl褰N]嫲鉍:匿a胺陌瞭 ^1閱^背而之注*事項4填%本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家椋孪(〔^)八4圯格(2丨0/29*7公«) -62- 590877 A7 __B7______ 五、發明説明(60 ) 實施例2 4 擎· 實施例2 3之步驗係重覆實施例2之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之粒度分佈曲線在5 0 0 nm及1 8 0 nm有極大尖峰。該膜之其他物性及特性表示於表7中。 實施例2 5 氫氧化鈣與實施例2 3中的中和劑一樣係以砂磨機磨 至平均粒徑2,OOOnm並以過濾器(Nihon Pall有限公 司製造之20μιη網目的HDCI I)過濾之,以製成具有 平均粒徑6 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥漿。芳香聚醯 薄膜係以相同於實施例2 3的方法得到,除了以5 0 m ο 1 %的對苯二甲酸氯爲基準,該泥漿係加至上述的高 分子以確認氫氧化鈣的含量變成5 0 · 4mo 1 %以製成 用於生成膜之原料溶液(pH : 4 · 8,高分子之對數黏 度:3 · 5 )。 在得到的薄膜中殘留中和劑之平均粒徑係1 8 0 nm 。該膜之其他物性與特性係列於表7中。 經¥部中史標#^h工消费合作社印於 實施例2 6 實施例2 3之步驗係重覆實施例3之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之平均粒徑係8 0 0 nm。該膜之其他 物性及特性表示於表7中。 t 實施例2 7 -63- 本纸張尺度適用中國國家標孪(CNS ) ( 210X 297公《 ) 590877 A7 R7 五、發明説明(61 ) 實施例2 3之步驗係重覆實施例3之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之平均粒徑係3 0 0 nm。該膜之其他 物性及特性表示於表7中。 實施例2 8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了乾燥的無配向膜係拉伸至縱向2 · 0倍而且橫向3 . 5 倍之外。該膜之物性與特性係列於表7中。 實施例2 9 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了乾燥的無配向膜係拉伸至縱向2 . 8倍而且橫向2 . 8 倍之外。該膜之物性與特性係列於表7中。 實施例3 0及3 1 經潢部中史^κ工消赀合竹社印災 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了該塗佈溶液〔I I〕及〔I I I〕係各別用於實施例 3 0及3 1之外。該膜之物性與特性係列於表7中。 比較實施例1 1 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 3的方法得到,除 了乾燥的無配向膜未被拉伸之外該膜之物性與特性係列 於表8中。該無配向膜的表面上有少量凸出物,滑度及捲 繞性差,並具有低楊氏係數。因此,該膜之電磁轉換特性 -64- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) /\4队彳Μ 210Χ 297公兑) 590877 A7 B7 五、發明説明(62 ) 係差的。 比較實施例1 2 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 3的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3·8以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑 的顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性 係列於表8中。表面上不具凸出物之薄膜的抗結塊性係差 的。 比較實施例1 3 芳香聚醯薄膜係以相伺於實施例2 3的方法得到,除 了具有平均粒徑13,5 0 0 nm之氫氧化鈣的ΝΜΡ泥 漿其製備未經砂磨機硏磨係加至聚合系統以確保以5 0 mo 1%對苯二甲酸氯爲基準,氫氧化鈣之含量變成 50 · 3mo 1%。包含於得到薄膜中之殘留中和劑的平 均粒徑係2,2 5 0 n m。該膜之其他物性與特性係列於 表8中。因爲包含於該膜中顆粒之粒徑係超出本發明的範 圍之外,耐磨耗性變得不恰當而且會失去適當的表面平滑 度。因此,該膜之電磁轉換特性係差的。 比較實施例1 4至1 6 , 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了塗層之塗佈溶液〔I V〕至〔V I〕各別用於比較實施 -65- (^1閱-«猗而之注*事項4填,:^本頁) 木紙张尺度適用中國國家掠準(CNS ) Λ心兄彳&( 210X2W公夂) 590877 A7 Η 7 五、發明説明(63 ) 例1 4至1 6中。該膜之物性與特性係列於表8中 坏1閱-¾^:而之注Λ事項再功S本頁) 、1r d 66- 本紙張尺度適用中國國家彳1:丰(CNS )/\4悅彳& ( 210X2W公# 590877 A7 B7 五、發明説明(64 ) s 01 s
S.I
SI
SI s 01
Is eUIJt▼olx soc.l eul 谢▼olx (¾ eeffi ,2X (b ε£® ▼01 χ (¾ 1®▼olx (¾ εεω _oI X 卜οά εεω olx (-soo
εε» 一,2X OH
㈧UIUI ® -01 X Z/Z eUIJ®:olx 0·卜 εει® OIX 1.6 olx foo εΕ® OIX <-500 1谢 olx ,500 i 【二 (%1) 【I】 (%I) 【I】 (%I) 【I】 (%I) 【二 (%I) 【I】 (%I) 【二 (%I) 【II】 (%I) 【III】
0Έ XwnCN o.e X scsi o.e X ςτ o.e X scs (%Ι) 【I】
OOCSXOOCN
σε X S.CN o.cnx ςτ 經r;r部中央Sir^-^M工消费合作.H印装 00£§? 1 ♦181 个 ε_ 会§ AHScdu si e—ς 个 SU0009 ΚΗ§ eu§ 个ei ei 个£— KHScdu euoorn个.^1009
Ei 个 ♦ei KUSCQU eivn个 ♦震i KH§ ♦181 个 ♦s_ KFi§ ευοος 个 ♦eci KHO)cdu ♦181 个 ε_ eiwn个 eu0009 ♦181 个 6i icdu ♦65个 6U0009 §)ca3 s猶» ^1* ΗΪΜ SI* a itt lw
IlK 赕鼷(5)班枳^:2^^嫵鼷(61)坭^夺^;·*
、aT 本紙張尺度適用中國國家標孪(CNS ) ( 210Χ2π公# ) -67- 590877 7 五、發明説明(65 ) 經潆部中央標>ν·局Η工消费合竹社印鉍
· 訂 木紙張尺度適用中國國家if:隼(CNS ) Λ4化格(210Χ29·^>« ) -68- 590877 A7 ΙΓ 五、發明説明(66 ) 經滂部中央橾>ί·^;π.χ消费合作社印災
00撇 J-J 8 p 1 〇〇 i 4 i H 1 < < \ "H _ < * * m Ή ¢1 m 码 壊 1 册 ο X CM ^ 2 i 00 x谢 « 〇 i 一日 06 χ φ tn 1 °° X -〇 i —日 «5 x谢 ^ 1 00 x塒 -O "| 10 一日 & x谢 髮 链 m ::妥 u 〇 "^ ^ 〇 u 〇 鬥^ > ^ ^ 1—H I—J ^ r—π > S ·—-l 鬥 /^N > g ._«. ^ ±Λ 承 P i X p f 4 0 CO X v〇 01 〇 cn X vn CN 乏 X i〇 CN X oi X 10 cs 鷗 f ♦ ε c § Ε A S个 c3 ♦ε c S »' i if s个 cd Ί v〇 i 4 ♦s s Oi κ A S个 c3 ♦s c 8 v〇 cn r—< gl 1 S S 22 D 卜个 令 κ i 1 § I § cj s t a ♦一 +ε g i ^ S 8 22 CJ 卜个 S *1 1 § § i cj S丨 III CJ 卜个 <N ♦ K 1 1 i i i cj S 丨 i i m m n 鎰 CN i * cn i u § n 鎰 ·· IlA i 辑 w VO ί 堤 鎰 J-J d 本紙張尺度適用中國國家樣孪(CNS )八4圯彳& ( 210x297^/; ) -69- 590877 A7 B7 五、發明説明(67 ) (is)oo谳
N/S
X
X ill 0<s 跋19產 〇
X
X
X
X
X
SJHM/SM i6 / icsl
i9 / UIUf-H 曰囊 / muocn 目06 /1 目 06 /1 i06 /1 Μ.术部中央忭弘灼Η工消资合竹.η印¾ 0^0
_I 義 義 .is 8¾ ii --l*s ^ 1*^®^ 2 ί00^ ^ l«s 條 ϋ(ς)班4ςκ1έ 向 κι 赕 ϋ(6ϊ)班+RK1:(?** 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) /\4圯格(210x29D>i;) -70- 590877 . 經米部中央抒^-^h工消费合竹社印¾ A7 B7 五、發明説明(68 ) 在上述之實施例2 3至3 1及比較實施例1 1至1 6 中,以下列之方法測量並定義以下的物性値。 (1 7)加至黏著層之膠狀顆粒的平均粒徑 參照每個顆粒之大小以掃描式電子顯微鏡放大拍下每 一個顆粒,利用影像分析儀(Nippon Regulator有限公司的 Luzex 500 )計算膠狀顆拉之平均粒徑。 (1 8 )塗佈厚度 一小片薄膜係包封於環氧樹脂(Refinetec有限公司之 Epomount )中,利用 Reichert-Jung 有限公司的 Microtome 2050與樹脂一同被切成厚度6 0 nm。該薄片係透過穿透 式電子顯微鏡(Hitachi有限公司之H-800)觀察,而 且搜尋塗層界面以得到塗層的厚度。 (1 9 )凸出物的密度 上述的方法(5)或以下的方法(1 9)依據樣品之 檢査才使用。用於實施例及比較實施例中的方法表示於表 7之中。 2 5厘米燭光之薄膜表面用光學顯微鏡以5 0倍放大 倍率隨機取樣並以便點數膜表面之凸出物。每1 mm2凸出 物數目係由測量數値之平均計算出來。 (20)表面粗糙度(WRa、WRz) 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) ( 210/ 297公$ > -71- 、τ
590877 A7 五、發明説明(69 ) 中心平面粗糙度(WR a )及1 〇點平均粗糙度( WR z )之獲得係利用建構於WYKO有限公司之非接觸 式3 - D粗糙度計(TOPO — 3D)之上的表面分析軟 體,在 242μ,ιηχ239μιη (〇 · 〇58mm2)的測 量面積下以傳導測量1 0或更多點,而且測量之放大倍率 爲 4 0 X 0 中心平面平均粗糙度(WR a ) 此係由以下之式子及運作計算出的値。 (^1間^#而之注*_項异^巧本万)
Μ N Zjk -Z WRa=E Σ ' ΖτΐΓ k=l j=l Μ · N r provided ΐΛΙΖ-
k=l j=lM · N 經米部中央標攀杓只工消费合竹社印災 (η) 5
Zjk係於2 — D粗糙圖表中,測量方向(2 42μιτι )及垂直於(2 3 9μιη)方向之方向,當這些方向各被分 成Μ及Ν個區段時,第j個位置及第k個位置的高度。 (b) 10點平均粗糙度(WRz) 平均粗糙度WRz係平均第1至第5個最高峰(Hp )及第1至第5個最深谷(Hv)之粗糙度而得到。 5 WRz 1 (2 1 )耐磨耗性(壓延) 此係利用三滾輪超小壓延機“耐隆滾輪X鋼材滾輪) 評估之。該膜係引發以5 〇m/m i η的速度行進 2,000m,加工溫度80 °C而線性壓力200kg/ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4圯你(2丨0X297:'># ) -72· 590877
五、發明説明(7〇 ) c m。此係以下列基準爲基礎,判斷由黏到壓延機耐隆滾 輪之磨擦粉末。 無磨擦粉末在耐隆滾輪上 ◎ 有微量磨擦粉末在耐隆滾輪上 〇
有大量磨擦粉末在耐隆滾輪上 X (22)磁性層之黏著(MAG) 以下的磁性塗佈係施於薄膜(塗以底層)上,量測寬 度19 .4mm而長度8cm的Scotch帶子編號 600 (3M有限公司的產品),以這樣的方法黏在該膜 上使氣泡不含於其間,帶子係依據J I S C 2 7 0 1 ( 1 9 7 5 )之規範以人工施力滾輪滚平,該樣品之5 c m 黏著疊層部份利用Toyo Baldwin有限公司的Tensilon UM - 1 1以直角剝離之,以頭部速度3 0 0mm/ m i η獲得剝離強度。一個單位g / c m的値係由該剝離 強除以帶子的寬度得到。在該剝離過程中,疊層物係置以 這種方法其中該帶子係在較低側端固定之而且夾頭間距5 經瀠部中央疗孽,而h工消费合竹社印¾ 用於評估之磁性塗佈物的製備 43 · 9份重量之40wt%硝化纖維素溶液(含有 2 5%之異丙醇之薄片)(0以〇^1有限公司的1^8 1/ 2 )(塗佈用之稀釋用漆),32 · 5份重董之聚酯樹脂( Bayer AG 之 Desmophen #1700) ,26.0 份重量 本纸張尺度適用中國國家椋丰(CNS ) Λ4悅枋(210X29*7公) -73- 590877 A7 B7 五、發明説明(71 ) 之二氧化鉻磁性粉末,1份重量之大豆油脂肪酸(Riken Vitamin有限公司之Recion P) ,〇 · 5份重量之陽離子活 化劑(N 0 F股份公司之Cation AB ) ,0 · 8份重量之魚 鮫油萜(鯊魚肝油)作爲分散劑/溼潤劑以及2 8 2份重 量之甲乙酮、環己酮及甲苯的混合溶液(重量比3/4/ 3),倒入球形碾磨器中,混合並完全磨碎以製成塗佈物 母料(濃度45wt%)。 4 8份重量之三甲醇丙烷及二異氰酸甲苯烯酯( Nippon Polyurethane Kogyo 有限公司之 Colonate L )間的加 成反應產物及6 . 2 5份重量之乙酸丁酯係加入5 0份重 量之該母料溶液中,最後得到用於評估具有濃度4 2 . 7 wt%之磁性塗佈物。
評估根據以下基準以剝離強度決定之 多於4 0 g/cm 〇 3 0至4 〇 g / c m Δ 少於3 0 g/cm X (23)在溼/熱條件之下結塊 兩片薄膜以此方法疊在一起其中一薄膜之處理端及另 一薄膜之未處理端相互接觸,在6 0°C及8 0%RH之環 境下施以壓力6 k g/cm2持續1 7小時。這些薄膜彼此 剝離並在溼熱情況下結塊係由其身1離(g /寬度5 cm) 評估之。 評估根據以下基準以剝離強度決定之。 木紙张尺度適用中國國家榡孪(CNS ) Λ4規枯(210x297,~- 74 · 590877 A7 B7 五、發明説明(72) 少於10g/5cm 1 0 至 1 5 g / 5 c m 多於15g/5cm或斷裂 (^^?閱^外而之;1-*轳項搏硪、:^本石) 〇 Δ χ 實施例3 2 依實施例1程序之無配向膜在膜溫3 5 0 °C時在低速 及高速滾輪間拉伸至2 · 5倍,然後在4 0 0 °C時以展幅 機拉伸成3 . 0倍以得到雙軸配向膜。該雙軸配向膜係熱 固於4 0 0°C時1分鐘,冷卻至室溫,以底下的塗佈溶液 〔VII〕,用滾輪塗佈器塗佈至含量爲1·Og/m2, 以2 1 0 °C熱氣乾燥3 0秒以得到有黏性具有最終厚度 4 . Ομιη之雙軸配向芳香聚醯胺膜。 包含於得到之薄膜中之殘留中和劑的平均粒徑係 3 0 0 nm。其他膜之物性及特性係表示於表1 0中。 塗佈溶液〔V I I〕係如以下製備。 經沪部中央5έ^-^Η工消费合竹社印¾ 一種水分散組成物其包含1 0 0份重量之上述聚酯分 散物在溶液“a”中,3 · 5份重量之10wt%平均粒 徑2 0 nm之交連丙烯基顆粒的水分散物及1 1 · 5份重 量之1 〇w t %聚氧乙烯壬苯基醚之水溶液係以水稀釋製 成塗層(固形物含量1 〇wt%)用水塗佈溶液〔V I I ]° 用於以下之實施例及比較實旆例中的塗佈溶液〔 VI II〕至〔XIX〕係如下製備。 -75- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) ( 210/ 297公# ) 590877 A7 B7 )至〔X I X〕之製備> 五、發明説明(73)
<塗層用塗佈溶液〔VI 列於上述表5中的共聚醋BMF係用以製備相同的分 散物於溶液“b”至“f中’以相问於上述之方法爲之 ,而塗層用塗佈溶液〔VII〕至〔XIX〕係根據表9 中所示之配方製備。 丨象 經米部中次桴ίί·^Μ工消费合竹社印¾ 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4化枋(210X 297.公^ -76 590877. A7 B7 五、發明説明(
r-i#部十攻扰^ί-χ;π η消絷合M^i印V 孬链键忉燦链运劍旺_剡 塗佈溶液之濃度| (W1%) I r-H LO r-H i-H i-H r-H r—H r-H r-H 表面活性劑之重 量比 in ID CO CO CD CD 00 to in LO LO in r-H r-H O r-H f-H f-H i—1 <M i-H r-H t-H ι—H rH ι—Η rH r-H r-H r-H r-H t—1 t—i rH r-H 膠狀顆粒 重量比 LO CO LO CO i-H 卜 CO CM 卜 卜 吋 LO LO LTD CO LO CO LO rH CO CO CO 粒度(d ) ε c ο (Μ 令 ε c o (M 4 0 n m4 ♦ ε c LO CM 1 7 nm* ♦ ε c m (M e c 00 ♦ S c tr ee 2 0 n m4 ♦ S c o 〇〇 ♦ S c o (N 2 0 n m4 ♦ S a o oa 種類 丙烯基 丙烯基 丙烯基 核心一外層 矽石 矽石 矽石 矽石 丙烯基 丙烯基 丙烯基 丙烯基 丙烯基 重量比 Ο Ο 〇 o i-H 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 1 00 嵌 種類 «3 03 03 03 CO 00 cc 03 JD u Ό <υ v·—· /—Λ ►—Η Ν—^ > \_y r^\ ,一 > v—y Γ"~\ X \^J X | 〔X I〕 f—\ X r^\ X N_/ r—v > X I 〔XV〕 I 〔XVI〕 I [XVII] 1 ( XVIII ) r—\ X \_> £ (許先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 謎稍擗屮獎N3嫲嵌:蘅担徙胆虼 3:给盔幽"屯给 避.饀裝r湖 E-齡:酸 侧·β*Ν浒裝 獎N3浒鉍:(ιηΓΪ =靼傾勾逛/SMIS^)^^:到 s^-θ逛鬆一ί·^*Ν擀遐 U-避H-饀裝KgEB-齡··稍裝E: 本紙张尺度这州中KK家榀々(rNS ) Λ4規格(210X29*7公釐) 590877 A7 B7 五、發明説明(75 ) 實施例3 3 實施例3 2之步驗係重覆實施例2之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之粒度分佈曲線在5 0 0 nm及1 8 0 nm有極大尖峰。該膜之其他物性及特性表示於表1 〇中 實施例3 4 實施例3 2之步驗係重覆實施例3之薄膜。在得到的 薄膜中殘留中和劑之平均粒徑係1 8 0 nm。該膜之其他 物性與特性係列於表1 0中。 訂 實施例3 5 實施例3 2之步驗係重覆實施例3之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之平均粒徑係8 0 0 n m。該膜之其他 物性及特性表示於表10中。 實施例3 6 經浸部中央桴鼕心只工消费合竹社印况 實施例3 2之步驗係重覆實施例3之薄膜。包含於得 到薄膜殘留中和劑之平均粒徑係3 0 0 nm。該膜之其他 物性及特性表示於表10中。 實施例3 7 ·· 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了乾燥的無配向膜係拉伸至縱向2 . 0倍而且橫向3 . 5 本紙張尺度適用中國國家榡隼(CNS ) ( 210X297公# ) -78- 590877 A7 B7 五、發明説明(76 ) 倍之外。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 實施例3 8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例2 4的方法得到,除 了乾燥的無配向膜係拉伸至縱向2 · 8倍而且橫向2 . 8 倍之外。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 實施例3 9 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了該碳酸鈣係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列於 表1 0中。 實施例4 0 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了該氫氧化鎂係用作中和劑之外。該膜之物性與特性係列 於表1 0中。 實施例4 1 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了以對次苯基二胺對3,4’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成 物之莫耳比係改爲37 · 5/12 · 5 (總共50mo 1 %)之外。該膜之物性與特性係烈於表1 0中。 實施例4 2 -79- 本紙張尺度適用中國國家椋準(CNS ) ( 210X297公«.) 590877 A7 Η 7 五、發明説明(77) 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了以對次苯基二胺對3,4’ 一二胺二苯基醚作爲胺組成 物之莫耳比係改爲12 · 5/37 · 5 (總共50mo 1 % )之外。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 實施例4 3及4 4 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了塗層用塗佈溶液〔XV〕及〔XV I〕各別用於實施例 4 3及4 4之外。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 實施例4 5 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了塗層用塗佈溶液〔VI I I〕係用以2 · Og/m2含量 之外。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 實施例4 6至4 9 經瀠部中央稃枣局Κ工消费合竹社印¾ 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了塗層用塗佈溶液〔I X〕至〔X I I〕各別用於實施例 4 6至4 9中。該膜之物性與特性係列於表1 0中。 比較實施例1 7 芳香聚醯薄膜係以相同於實。施例3 2的方法得到,除 了乾燥的無配向膜未被拉伸之外。該膜之物性與特性係列 於表1 1中。該無配向膜有少量由膜表包含之顆衍生之凸 -80- 本紙張尺度適用中國國家榀孪(CNS ) AO.t枋(210Χ297^々) 經牙·部中央標负^巧工消资合作杜印¾ 590877 A7 B7 五、發明説明(78 ) 出物,滑度及捲繞性差,並具有低楊氏係數。因而,該膜 之電磁轉換特性差。 比較實施例1 8 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3 · 8以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑 的顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性 係列於表1 1中。該無配向膜沒有由膜表包含之顆衍生之 凸出物,滑度及捲繞性差。 比較實施例1 9 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 2的方法得到,除 了準備製膜之原料溶液(pH : 2 . 3)時並未將中和劑 的NMP泥漿加至聚合.系統之外。當作殘留中和劑的顆粒 在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列於 表1 1中。該無配向膜沒有由膜表包含之顆衍生之凸出物 ,滑度及捲繞性差。 比較實施例2 0 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至琴合系統以調整p Η至 3 · 8,進一步將預分散具有平均粒徑1 0 nm的矽石加 入以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑的顆 (^1閱讀11)-而之注&事項再^!巧本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家指:準(CNS ) Λ4故格(210乂297公烊) -81 - 590877 A7 Η 7 五、發明説明(79 ) 粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係列 .於表1 1中。因爲外加顆粒對於高分子沒有足夠的親合力 以致凝聚在一起,因此得到的薄膜的耐磨耗性係差的。再 者,因爲由該顆粒之凝聚物衍生之大凸出物造成表面的適 當平滑度喪失,因此該膜之電磁轉換特性係差的。 比較實施例2 1 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 2的方法得到,除 了氫氧化鈣的NMP泥漿係加至聚合系統以調整p Η至 3 · 8,進一步將預分散具有平均粒徑430nm的矽石 加入以製成用於製膜之原料溶液之外。當作殘留中和劑的 顆粒在得到的薄膜中並未發現。該膜之其他物性與特性係 列於表1 1中。因爲外加顆粒對於高分子沒有足夠的親合 力以致凝聚在一起,因此得到的薄膜的耐磨耗性係差的。 再者,因爲由該顆粒之凝聚物衍生之大凸出物造成表面的 適當平滑度喪失,因此該膜之電磁轉換特性係差的。 比較實施例2 2至2 4 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 了塗佈溶液〔XVI I〕及〔XIX〕各別用於比較實施 例2 2至2 4中。該膜之物性與特性係列於表1 1中。 ·· 比較實施例2 5至2 6 芳香聚醯薄膜係以相同於實施例3 3的方法得到,除 对1閱请背而之注&事項办磧r»:?本頁) 經米部中央橾免而K_t消费合作社印製
本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4忧佑(210X297公匁) -82· 590877 A7 B7 五、發明説明(8〇 ) 了塗佈溶液〔XI I I〕及〔XIV〕各別用於比較實施 例2 5及2 6中。該膜之物性與特性係列於表1 1中。 ----------- 对1閱请背而之注*f項4填·Γί>:?本K ) 訂 經潢部中央標枣而只工消費合作杜印¾ -83 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) ( 210χ 297^ίί ) 590877 A7 Η 7 五、發明説明(81 ) 0 ΐ撇 塗膜中顆粒 的凝聚 〇 〇 〇 〇 〇 , 〇 〇 〇 〇 〇 § in in IT) vn 乾燥後之塗層 厚度⑴ 10 nm 10 nm 10 nm 10 nm 画 o 10 nm 10 nm 10 nm 10 nm 10 nm 乾燥前之塗佈 量 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1 p 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1.0 g/m2 1.0 g/m2 塗佈溶液 [νπ]· (1%) [VII] (1%) [VII] (1%) [VII] (1%) [VD] (1%) [VII] (1%) [VII] (1%) [VII] (1%) [vn] (1%) [vn] (1%) 拉伸比 2.5 χ 3.0 2.5 χ 3.0 2.5 χ 3.0 2.5 χ 3.0 2.5 χ 3.0 2.0 χ 3.5 2.8 χ 2.8 2.5 χ 3.0 2.5 χ 3.0 X csj 中和劑**的顆粒 Ca(OH)2 1500nm* — 300nm4 Ca(OH)2 Ca(OH)2 6000nm4 700nm4 500nm4 -> 180nm4 Ca(OH)2 600nm* -> 120nm. Ca(OH)2 2200nm* -> 800nm* Ca(0H)2 600nm* -> 300nm· Ca(0H)2 Ca(0H)2 6000nm4 700nm4 * ->500nm4 -> 180nm4 Ca(0H)2 Ca(0H)2 6000nm4 700nm* -> 500nm4 -> 180nm4 Ca(0H)2 Ca(0H)2 6000nm4 700nm* 500nm4 180nm4 Mg(0H)2 Mg(0H)2 6000nm4 7〇〇nm4 -> 500nm4 -> 180nm4 Ca(0H)2 Ca(0H)2 6000nm4 700nm* 500nm4 -> 180nm* 3,4··ϋΑΡΕ* 之 比例 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 25mol% 12.5mol% 實施例32 實施例33 實施例34 實施例35 實施例36 實施例37 %% 實施例38 實施例39 實施例40 實施例41 (計1間^背而之注^事項再峭$本^0
木紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) ( 210X297公# •84- 590877 五、發明説明(82 經漪部中央標卑局h工消费合竹杜印我 A7 B7 (11) 0 Τ 谳 MAG層之 黏著力 〇 〇 〇 〇 〇· 〇 〇 〇 〇 〇 S/N i ◎ ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ _ 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 耐磨耗 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 捲繞性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ WRa/WRz 5nm / 70nm 4nm / 90nm 3nm / 40nm 8nm/160nm 8nm / 80nm 4nm / 85nm 4nm / 95nm 3nm / 90nm i_ 2nm / 85nm 5nm / 95 nm 楊氏模數 (縱向及橫向) € 1 CN 麵 $ S υη CN 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 i i_ 2500 kg/mm2 〇·曰 I § <NJ ΓΜ曰 1) 1 2500 kg/mm2 2800 kg/mm2 孔隙比 S s s s S s 1—4 s s P i i 凸出物密度 每mm2 1.8b, x 104 每mm2 每mm2 每mm2 每mm2 1.9 x 104 每mm2 1.7 X 104 每mm2 1.5 x 104 每mm2 6.7 x 103 每mm2 2.0 x 103 每mm2 2.7 x 103 b) • 〇 g w — 日 〇ό X臢 2.0 x 104 b) 2.7 x 103 b) 7.0 x 104 b) 9.1 x 101 每mm2 8.1 xlO1 每mm2 6.9 x 10' 每mm2 3.2 xl〇' 每mm2 9.4 xlO1 每mm2 實施例32 實施例33 實施例34 實施例35 實施例36 Pi 辑 H 實施例38 實施例39 實施例40 實施例41 本紙張尺度適用中國國家標皁(CNS )八4現枋(210X 297公# ) - 85 - 590877 經浸部中央if-卑而只工消贽合作社印^ 83 /_\明説明發、五 (驅)0 m mm 〇 〇 〇 〇 o o <3 <] tn wn o vq vn fti *N 〇 nM lit um i O 1 〇 f i B c 0 1 " < 1 O 11 4 I O B a 〇 r—^ I o 1 〇 - •N 2_ 溢劍 1 p l p 1 p r—4 i p 1 p p p p 柴 逆 m "备 s — > w t ..1 i is X w > 1 t \ 窆s X w * U—J 5S > w 1 * >< w 1—^ *—1 t—1 X w 1 J "£ *— jj ί a X o4 乏 X i〇 乏 X m Oi X CN 泛 X vn cs 乏 X wn CN 乏 X wn 05 X w^> 鼹 S * * 惡 ♦E A S K g ^ §g个 ΰ ^ ♦ ε κ I 7 §8 T u ^ ♦E ^ ♦ c§ ¢5 e 〇〇 Kg — §g个 ΰ ^ ♦ε c ^ §g个 CJ ^ 令 B 1 Dh c 1—4 §g个 ΰ ^ ♦| s e : §g个 6 ^ ♦日 Kg — S8 t u ^ ♦S s K C3 — §8个 ^ | 8 S Q sif ♦E 8 S Q e §iT ^ | 8 5 Q a gif ♦ε ,| 1 S Q a §| t CJ.^ ♦E ,| 8 gi' ♦ gil 磐_个 ♦ 1 § S x M ^ s|t .1 ^ i 8 s| t ΰ ^ •N * S < §s m -ία io Pi g g B g 1 CN ·—< 1 CN g 1 CO 1 (N OJ W m im cn i K 辑 w »0 提 K i 键 K i K 00 1 提 IK κ ----------- iil間讀背而之注^事^再蛾巧本万) Ί 本紙張尺度適用中國國家標皁(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公兑) -86- 590877 五、發明説明(84 ) (驄)0 ΐ漱 經潢部中央標妒局Κ工消费合竹社印^ A7 Η 7 MAG層 之黏著力 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 S/N ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 mn ,塘 圖j卜 岖癒 拓mj 〇 〇 〇 <3 〇 〇 < 〇 耐磨耗 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ 〇 〇 捲繞性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ WRa/WRz 4nm / 85nm 1_ 4nm / 90nm 4nm / 90nm 4nm / 90nm 4nm / 90nm 4nm / 90nm 4nm / 90nm 4nm / 95nm 楊氏模數 (縱向及橫向) 2300 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 孔隙比 S i i r··衊 1—H r-H T-H r—4 H r—H 凸出物密度 7.9 1.7 χ 10丨 χ 104 每mm2 每mm2 ΓΜ s,〇 i 〇〇 ^ c 二X蚶 CM -o 1 00 x Jt 8.5 a) 1.8b) χ 10l xlO4 每mm2 每mm2 〇〇 — £ “:x谢 ^ 0¾ ^ a 06 x 8.5 a) 1.8b) χ 101 χ 104 每mm2 每mm2 8.5a) 1.8b) χ ΙΟ1 χ 104 每mm2 每mm2 -'b)"! OO — fc: —· x Φ 06 x Jg 8.5a) 1.8b) χ 101 χ 104 每mm2 每mm2 實施例42 實施例43 實施例44 實施例45 實施例46 實施例47 實施例48 實施例49 本紙張尺度適用中國國家樣皁(CNS )/\4圯格(210X2W公綷) -87- 590877 Α Π 五、發明説明(85 ) 經瀠部中央標搫杓只工消资合竹杜印鉍
鼷 哥嵌 m m 劁s 〇 〇 〇 〇 〇 〇 § vn vn wn ^Τ) m *N 〇 M ft 溢幽 B a o -, B c o B c o f—H B c o £ c o r—< Β c ο 蝉 ll ^ i 1 p 1 p 1 p 1 p 1 p i p 链 m G — > w "g > ° 二 s > ° "备 G — > w 1—J 二 s > ° fc—J p i i X p X 乏 X to o CO X wn 〇4 乏 X 〇4 乏 X VO c4 鼹 s * * 令 B c 8 m 个 ♦E gi 〇 i〇 c3 If 个 gl i—l *fr 1 * * * Ii ό 2 * * * 莒♦口 |I in £Ϊ 1 § g个5 cj ^ 22 ♦曰 ^ I δ Q a |i T * s cn -N g I § B g B I I H 1 <N r- f—^ 提 in 鎰 UJ 〇〇 i 辑 K ON ί 佩 u κ 鎰 jj 键 辑 κ 鎰 -LJ 后^: * *餡«浒 u^u-·'^* (^1閱^背而之注&事項办^-^本石')
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4«J& ( 210X 297.公兑) -88· 590877 A7 B7 五、發明説明(扎 rji-rl^l^.n-^un^tAnc.n'w 幽_ O -m mlS < ^ S *N只 〇 〇 Ο 〇 D Ο 1 Z '—^ 00 X ◎ ◎ X X ◎ 在高壓、 溼且熱下 結塊 〇 X X 〇 〇 X 黴 ®紘 〇 ◎ ◎ X X ◎ 捲繞 性 X X X X X X ◎ ◎ WRa/WRz 2nm/9nm 1 nm/6nm 1 nm/6nm 6nm/20nm 15nm/200 n m 4nm/90nm 楊氏模數 (縱向及橫向) 1 200kg/mm2 2500kg/mm2 2500kg/mm2 2500kg/mm2 2500 kg/mm2 2500 kg/mm2 孔隙比 ο r—Η 1 1 * * ο * · * ό * m 1.01 凸出物密度 未定義 m m * * ~ :ε :ε 〇 ® X 卜 ν〇 1·6χ103*"* 每mm2 8.5 1.8 xlO1 xlO4 每mm2每mm 2 比較實 施例17 比較實 施例18 比較實 施例1 9 比較實 施例20 比較實 施例2 1 比較實 施例22 。鐮?|筚挪银胡鬆踩骧ffiillsi紫Η鬆Ώίι"**** (¾先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 杯 本紙张尺度这州中囚色1家榀今((’NS ) Λ4規格(210X297公釐)一灯· 590877 經潢部中央橾iv-/;K工消费合竹社印¾ 五、發明説明(87 〇
X ΡΛ 渥ft. q#i *3dva_ye ςο iol iol s 1
S
I ί 0·ϊ ε/3 σι ε/3 0.1 % σι (%Ι) 【ΠΙΛΧ】 ΟΈΧνοζ ♦ioooI 个♦euoovn个 ♦ml 〔(H§ 会§ ^l*s (%0 【XIX】 o.e χ soj ♦euoooI 个 61 ♦mu8g 个 ♦UIU0009 《Hscdu (%l) 鬥曰X】 (%Ι) 【ΛΙΧ】 o.e xwncs ♦ioooI 个 ♦i8卜 令!§个 ♦i_9 会§ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) ( 210χ2π/:'>;ί·) οχχνητ ♦UIU08I 个♦旨, 会οδ ε囊个 ♦目_9S03 olcs -90- 憩稍浒:r 鏗 ΖΓ-.^ε;· ---------— 許1間讀背而之注&事項孙蛾巧本页) 訂 m 590877 A7 B7 五、發明説明(跗)
,OS 2/s gTail!袒 跋15塵
X
X
X
X ◎
X
X
X ----------- (对先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) (鱺)ΐ ΐ谳 io6 /1 mug/1 i06 /1 —6 /1 0S0 訂 義 εε/2議 ΟΊ ΟΊ
Is
Is ^rnultεε® οί ΧΟΟΊΟΙ xwnoo ^muJt^rnuJt ,ΟΙΧΟΟ.ΙΟΙ xvooo ^muiteulmj®,οιχοο.ιοΙ χνηοο ^IIUI®^εε ®01 χοο·ϊοι χνηοο ^—*1 ^Ifcs 本紙张尺度这州中KK家橾垮(rNS ) Λ4規格(210X 297公釐) - f/ 590877 A7 R7 五、發明説明(89 ) 在實施例3 2至49及比較實施例1 7至2 6中,以 ,· 下的物性係以底下的方法測量並定義之,得到的(1 7 ) 、(18) 、(19)、(20)及(22)與上述者相 同。 (24)膠狀顆粒之凝聚 2 0厘米燭光之黏性芳香聚醯胺薄膜塗佈表面係利用 掃描式電子顯微鏡以5,0 0 0倍放大倍率點數黏著層中 由1 0個或更多塡充物顆構成之凝聚物的數目,而每1 〇 μ m 2之凝聚物數目係計算。此係以下列基準爲主評估之。 少於1 0 / 1 0 μ m 2 〇 、τ 10 至 30/10μιη2 Δ 多於 30/10μιη2 x (2 5 )耐磨耗性(壓延) 經浐部中史忭^-^Μ工消费合作社印¾ 此係利用5段式超小壓延機(鋼材滾輪X鋼材滾輪) 評估之。該膜係以50m/mi η的速度行進2,000 m,加工溫度80°C而線性壓力200kg/cm。耐磨 耗係以下列基準爲主,由黏到壓延機上滾輪之磨擦粉末的 磨耗判斷之。 無磨擦粉末在上滾輪 ◎ 有微量磨擦粉末在上滾輪 。〇
有大量磨擦粉末在上滾輪 X 本紙張尺度適用中國國家榡皁(CNS ) Λ4現格(210/ 297公公) -92- 590877 A7 __Π7 五、發明説明(90 ) (2 6 )在高壓、溼及熱條件之下結塊 兩片薄膜以此方法疊在一起其中一薄膜之處理端及另 一薄膜之未處理端相互接觸,在6 0°C及8 0%RH之環 境下施以壓力1 50kg/cm2持續65小時。這些薄膜 彼此剝離並在溼熱情況下結塊係由其剝離(g /寬度5 c m )評估之。 評估根據以下基準以剝離強度決定之。 少於10g/5cm 〇 10 至 15g/5cm Δ
多於15g/5cm—>斷裂 X 經潢部中央標卑趵只工消费合竹社印¾ 1 入 料 輪 2 張 力 控制器 3 白 由 滾輪 4 張 力 偵測器 (入 □ ) 5 白 由 滾輪 6 白 由 滾輪 7 不 銹 鋼S U S 3 0 4 固定細針 8 白 由 滾輪 9 白 由 滾輪 1 0 張 力偵測器 ( 出 □) 1 1 白 由滾輪 ·· 1 2 導 輪 1 3 引 取輪 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4d ( 210x29D># ) -93-
Claims (1)
- 590877 六、申請專利範圍 附件: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製A 8 B8 C8 D8 第87 1 1 7686號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年4月1日修正 1·一種由醯氯製程製成之完全芳香聚醯胺做成的雙 軸配向膜,此膜包含至少一種無機顆粒其平均粒徑5至 2,OOOnm並係選自週期表上la及II a族金屬之 氫氧化物、碳酸鹽及碳酸氫鹽,且此膜表面具有由該平均 粒徑5至2, 0 0 0 n m之無機顆粒產生的矣出物,突出 物密度爲1 X 1 0 1至1 X 1 0 8 / m m 2,該無機顆粒係得 自該醯氯反應中爲中和副產物氯化氫所加入反應系統裡作 爲中和劑的無機顆粒,其含量相當於加入該反應系統中超 過以化學計量中和該氯化氫所需用量的過量部分,其中該 完全芳香聚醯胺是由至少一種選自以下化學式(1 )至( 4 )所表示之重覆單元所組成(其中完全芳香聚醯胺總是 包含(化學式(1)及(2)重覆單元中之至少一種): -f CO—Αχ1— CONH—Ar2— NH-^- (1) 其中A r 1及A r 2分別選自由 及 ^所組成之群組(其中P係0至4之整數, q係0至6之整數,R係選自由鹵素、硝基、氰基、具有 1至4個碳原子之烷基、具有1至3個碳原子之烷氧基及 三烷基矽烷基所組成之群組),而k係0或正數, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本育)590877 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 -f CO — Ar3 — CONH — Ar4 — Y1 — Ar5 — NH-3p (2) 其中A r 3、A r 4及A r 5分別選自與A r 1及a r 2 相同之群組,Y 1係選自由一〇一、一 C H 2 —、 〜C (CH3) 2 — 、一 S〇2 — 、一 S —及一C〇〜所組 成之群組,而 < 係0或正數, -4-C0 — Ar6— NH 七 (3) 其中A r 6係選自與A r 1及A r 2相问之群組,而m 係0或正數,以及 4C〇一 Ar7 —Ϊ2—Ar8 —NH 七 (4) 其中A r 7及A r 8分別選自與A r 1及A i: 2相同之群 組,Y 2係選自與Y 1相同之群組,而η係0或正數,且該 完全芳香聚醯胺的對數黏度在3 0 °C濃硫酸中測得爲至少 〇· 5 d 1 / g, 其中以該完全芳香聚醯胺1 0 0重量份計,該平均粒 徑5至2,0 0 0 n m的無機顆粒之含量爲0 . 0 〇 1至 1 0重量份;在膜平面上以直角相交之兩方向的楊氏係數 (Young’s moduli)總和爲至少 2,0 0 〇 k g / m m 2 ;以直 角相交之兩方向中至少一方向的楊氏係數爲至少6〇0 k g / m m 2 ;在膜平面上一方向的撓曲剛度(flexural rigidity)爲3 . 0至9 · 5 m g · m m ;而此雙軸配向膜縱 向的斷裂抗張強度爲至少3 8 k g /m m 2。 2 .如申請專利範圍第1項之雙軸配向膜,其係由至 少一種選自上述(1 )至(4 )式所表示之重覆單元所組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 590877 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 成,50至99 · 5%之至少一種選自Ar1至A r 8的芳 香基團具有對位配向並構成主鏈。 3 .如申請專利範圍第1項之雙軸配向膜,其中該完 全芳香聚醯胺是由以上化學式(1 )所表示之重覆單元及 化學式(2 )所表示之重覆單元所組成。 4 .如申請專利範圍第3項之雙軸配向膜,其中以上 化學式(1 )中的A r 1及A r 2兩者都是1 ,4 一伸苯基 ,以上化學式(2)中的A 1: 3是1 ,4 一伸苯基而 一 A r 4 — Y 1 — A r 5 則是(請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 .如申請專利範圍第1項之雙軸配向膜,其中該無 機顆粒之平均粒徑8 0至1,0 0 0 n m,在膜表面上由 無機顆粒產生之突出物密度爲lxl 01至lxl 05/ m m 2,而在膜平面上以直角相交之兩方向之楊氏係數總和 爲至少 2,0 0 0 k g /m m 2。 6 ·如申請專利範圍第5項之雙軸配向膜,其一方向 的熱收縮小於1 %。 7 ·如申請專利範圍第1項之雙軸配向膜,其中該無 機顆粒的平均粒徑爲5至1 5 0 n m,在膜表面上由無機 顆粒產生之突出物密度爲5 X 1 0 3至1 X 1 〇 8 / m m 2, 而在膜平面上以直角相交之兩方向的楊氏係數總和爲至少 2,〇 〇 〇 k g / m m 2。 8 ·如申請專利範圍第7項之雙軸配向膜,其中以光 -----3________ _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 、1Γ ▼線 590877 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 電分光光度測定法(photoelectric spectrophotometry )並未 從膜的表面偵測出元素鹵離子。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 ·如申請專利範圍第1項之雙軸配向膜,其厚度爲 0 · 1 至 2 0 μτη。 1 0 · —種用於磁性記錄媒介之底膜,其在申請專利 範圍第5項之雙軸配向膜之至少一個表面上具有塗層,該 塗層包含一種水可分散之共聚酯樹脂作爲接著劑(bmder ) 成份,其包含4 0至99 mo 1%之2,6 —萘二羧酸、 0 · 1至5 m ◦ 1%之具有磺酸鹽基的芳香二羧酸、及〇 至5 5 m ο 1 %之其他芳香二羧酸作爲芳香二羧酸成份, 以及40至1〇〇 mol%之乙二醇、〇至60 mo 1% 之由雙酌A與低烯氧化物(lower alkylene oxide)所形成之 加成產物、及〇至1 〇 m ο 1 %之其他甘醇當作甘醇成份 ’該塗層未與該雙軸配向膜接觸之表面其表面粗糙度 WRa 爲 〇· 5 至 l〇nm,WRz 爲 5 至 2〇0nm, 其中該塗層包含平均粒徑1 〇至5 0 n m的細粒,此 細粒含量以上述接著劑成份爲基準,係爲1至5 0 w t % ,而且符合以下的方程式: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇.2st/ds2.〇 其中t是塗層的厚度(n m ),而d是細粒的平均粒 徑(n m )。 1 1 ·如申請專利範圍第7項之雙軸配向膜,其係用 於磁性記錄媒介的一種底膜。 1 2 · —種經塗佈之高密度磁性記錄媒介,其包括申 本&張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 590877 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 請專利範圍第5項之雙軸配向膜及形成於該雙軸配向膜一 表面上的磁性塗層。 1 3 · —種經塗佈之高密度磁性記錄媒介,其包括申 請專利範圍第1 0項之用於磁性記錄媒介之底膜及形成於 該底膜之塗層上的磁性塗層° 1 4 . 一種金屬薄膜高密度磁性記錄媒介,其包括申 請專利範圍第7項之雙軸配向膜及形成於該膜一表面上之 沈積金屬薄膜。. 1 5 . —種經多層塗佈之高密度記錄媒介,其包括申 請專利範圍第7項之雙軸配向膜及形成於該膜一表面上的 磁性塗層,該磁性塗層是由直接形成於該雙軸配向膜上的 非磁性緩衝塗層以及形成於該緩衝塗層上之磁性塗層所組 成。 ------------^-I17-----曹 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29406497 | 1997-10-27 | ||
JP34304797 | 1997-12-12 | ||
JP34304897 | 1997-12-12 | ||
JP6861598 | 1998-03-18 | ||
JP6861698 | 1998-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW590877B true TW590877B (en) | 2004-06-11 |
Family
ID=27524127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW87117686A TW590877B (en) | 1997-10-27 | 1998-10-26 | Biaxially oriented film and magnetic recording medium comprising the same as a base film |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6180254B1 (zh) |
EP (1) | EP0913421B1 (zh) |
KR (1) | KR100361241B1 (zh) |
DE (1) | DE69812534T2 (zh) |
TW (1) | TW590877B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW500662B (en) * | 1998-07-21 | 2002-09-01 | Teijin Ltd | Aromatic polyamide film laminate |
US6365261B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JP2001202614A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体 |
JP2002304719A (ja) | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
CH695687A5 (de) * | 2002-09-06 | 2006-07-31 | Ems Chemie Ag | Polyamid-Formmassen mit ultrafeinen Füllstoffen und daraus herstellbare Lichtreflektier-Bauteile. |
DE102006045269A1 (de) | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Ems-Chemie Ag | Metallisch beschichtete Lichtreflektierbauteile auf der Basis von thermoplastischen Formmassen |
DE102009059771A1 (de) | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Bayer MaterialScience AG, 51373 | Polycarbonat mit verbesserten thermischen und mechanischen Eigenschaften sowie reduziertem thermischen Ausdehnungskoeffizienten |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2313308A1 (de) * | 1973-03-17 | 1974-09-19 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von faeden, fasern und folien aus aromatischen polyamiden |
AU500143B2 (en) | 1974-12-27 | 1979-05-10 | Teijin Ltd | Fiber or film-forming copolyamide |
JPS51129201A (en) | 1975-05-06 | 1976-11-10 | Toray Ind Inc | Magnetic recording medium |
JPS5239719A (en) | 1975-09-25 | 1977-03-28 | Kubota Ltd | Glass fiber reinforced inorganic board |
JPS58154756A (ja) * | 1983-02-25 | 1983-09-14 | Teijin Ltd | 芳香族ポリアミド溶液の製造方法 |
JPS61123631A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Teijin Ltd | 芳香族ポリアミド共重合体の製造法 |
JP2615542B2 (ja) | 1985-04-23 | 1997-05-28 | 東レ株式会社 | 高密度記録媒体用ベースフイルム |
DE4312752A1 (de) * | 1993-04-20 | 1994-10-27 | Basf Ag | Flammgeschützte thermoplastische Formmassen auf der Basis von Polyamiden |
JPH08203064A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体用フィルム |
-
1998
- 1998-10-26 EP EP19980308720 patent/EP0913421B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-26 DE DE1998612534 patent/DE69812534T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-26 TW TW87117686A patent/TW590877B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-27 US US09/179,428 patent/US6180254B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-27 KR KR10-1998-0044948A patent/KR100361241B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990037400A (ko) | 1999-05-25 |
US6180254B1 (en) | 2001-01-30 |
KR100361241B1 (ko) | 2003-03-28 |
EP0913421B1 (en) | 2003-03-26 |
EP0913421A1 (en) | 1999-05-06 |
DE69812534D1 (de) | 2003-04-30 |
DE69812534T2 (de) | 2004-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW590877B (en) | Biaxially oriented film and magnetic recording medium comprising the same as a base film | |
JPH0432730B2 (zh) | ||
TW521032B (en) | Biaxially oriented laminate polyester film | |
TW500662B (en) | Aromatic polyamide film laminate | |
US20050227124A1 (en) | Magnetic recording medium having a smooth biaxially tensilized film substrate | |
KR100448034B1 (ko) | 이축배향적층전방향족폴리아미드막및자기기록매체 | |
KR102220142B1 (ko) | 이형필름 및 상기 이형필름의 제조방법 | |
JP3728892B2 (ja) | 芳香族ポリアミドフィルム、その製造方法およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
US6344257B1 (en) | Aromatic polyamide film for high-density magnetic recording media | |
EP0716414A1 (en) | Magnetic recording medium | |
JPH04345634A (ja) | 両面塗布ポリエステルフイルム及びその製造法 | |
JP3243966B2 (ja) | 磁気記録媒体用ベースフィルム | |
JPH1072531A (ja) | 芳香族ポリアミド/芳香族ポリイミドフィルム及び磁気記録媒体 | |
JP3292333B2 (ja) | 二軸配向ポリエステルフイルム | |
JP3351182B2 (ja) | 芳香族ポリアミドフィルムおよび磁気記録媒体 | |
JP3134700B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2002146058A (ja) | 芳香族ポリアミドフィルムおよび磁気記録媒体 | |
JP2000344913A (ja) | 芳香族ポリアミドフィルムおよび磁気記録媒体 | |
JPH11322975A (ja) | 二軸配向全芳香族ポリアミドフィルムおよびそれをベースフィルムとする磁気記録媒体 | |
JPS5941258A (ja) | ポリエステルフイルム | |
JP3082617B2 (ja) | 芳香族ポリアミドフィルム | |
JPS5941259A (ja) | ポリエステルフイルム | |
TW200800602A (en) | Labile metal laminate and process thereof | |
JP2001093134A (ja) | 高密度磁気記録媒体用芳香族ポリアミドフィルム | |
JPS6116017A (ja) | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |