JP2615542B2 - 高密度記録媒体用ベースフイルム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高密度記録媒体用ベースフイルムに関する。

〔従来の技術〕

Co,Ni,Cr,Feまたはそれらを主成分とする合金を真空
蒸着やスパツタリング，イオンプレーテイングなどの方
法によりフイルム基板上に形成させた金属薄膜タイプ磁
気記録媒体は，従来の塗布磁気記録媒体に比べて記録密
度を飛躍的に向上せしめることが可能である。

このような磁気記録媒体の基板としては，従来からポ
リエチレンテレフタレートフイルムが使用されている。
しかし，ガラス転移点が70℃前後と低いため蒸着等によ
り磁性層を形成する際にはフイルムを十分冷却しなけれ
ばならず，その結果磁気特性が低下したり，付着強度が
低かつたりする。従つて，この種の高密度記録媒体用ベ
ースフイルムには耐熱性のよい素材が望まれている。

芳香族ポリアミドと芳香族ポリイミドは200℃以上の
高温に耐えるため，ポリエチレンテレフタレートフイル
ムより高温で金属薄膜の形成ができ，静的な磁気特性で
ある保磁力や。ヒステリシスループの角形比が向上する
などこの種の高密度記録媒体用ベースフイルムとしては
非常に有望な素材である。

しかしながら金属薄膜タイプの磁性層は，従来の塗布
型のものに較べ厚さが非常に薄いため，使用するベース
フイルムの表面粗さが粗いと動的な特性，例えば出力の
低下やドロツプアウトが増加する。逆にこれら電磁交換
特性を向上するためにフイルム表面を全くの鏡面とする
と，すべり性が著しく低下し，記録媒体の製造時，ある
いは記録媒体形成後の走行性が阻害される。溶液製膜法
で製造される芳香族ポリアミドや芳香族ポリイミドフイ
ルムの表面性に関しての提案が，例えば，特願昭58−23
4340でなされている。この例は,SiO₂,Al₂O₃等の無機粒
子の大きさ，添加量を限定して，フイルム表面の微細突
起径と微細突起数を特定することにより表面を均一に粗
らして，表面性と走行性を一挙に改善しようとするもの
である。この例にみられる表面状態のものは，常温常湿
下の走行性，耐久性に関して非常に有効であるが，高温
高湿下においては走行性や耐久性が悪化するという欠点
があつた。

一方,Te,Teの酸化物,TeCやSb,Se,Bi,Ti,Al,Cr,Ag,Au
などの金属または，これらの合金，化合物,MnCuBi,GdTe
Fe,GdDyFeなどの合金をスパツタリング，反応蒸着，真
空蒸着，コーテイングなどにより基板上に単層または多
層状にして記録層を形成した光記録媒体は，従来の塗布
型磁気記録媒体に比べ記録密度を飛躍的に向上せしめる
ことが可能である。しかし金属薄膜タイプ同様，表面が
平滑ではないと，レーザー光の散乱がおこり，記録，再
生が正確にできなくなる。

また鏡面状にすると，記録媒体の製造時の走行性が阻
害されるという欠点があつた。また光記録テープとした
時，光記録層は，ヘツドとの接触はないが，金属ガイド
ロールとの接触があり，特に光記録層は，高温高湿下で
は耐久性の悪化するという欠点があつた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は，かかる従来技術の欠点を鑑み，芳香族ポリ
アミド，あるいは芳香族ポリイミドの優れた耐熱性を活
かすとともに，表面の平滑性や，高温高湿下で走行性や
耐久性の優れた高密度記録媒体用ベースフイルムを提供
せんとするものである。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は，かかる問題点を解決するために以下の如き
手段を採用するものである。

すなわち，芳香族ポリアミドあるいは，芳香族ポリイ
ミドを主体としたフイルムで，フイルム中に無機粒子を
0.01重量％以上,10重量％以下含有し，少なくともフイ
ルムの片面に形成された突起は， （イ） 微細突起高さRmが30Å以上500Å以下。

（ロ） 微細突起の面積平均径D_Aが0.01μ以上0.3μ未
満で，突起の平均扁平度D_A/Rmが15以下。

（ハ） 最大径が0.01μ以上の微細突起数N_Aが10⁴個/mm
²以上10⁹個/mm²以下。

（ニ） 微細突起の長短度a/b（ａは微細突起の最大径,
bは最大径と直角方向の微細突起径）が２以上の微細突
起数が,0.2×N_A以下。

（ホ） 微細突起の円形度πD_N/C_N（D_Nは微細突起の面
積径,C_Nは微細突起の周長，πは円周率）が0.7以下の微
細突起数が,0.2×N_A以下。

であることを特徴とする高密度記憶媒体用ベースフイル
ムである。

本発明の方向族ポリアミドとは，一般式 −NHOC−Ar₁−COHN−Ar₂− （ここで,Ar₁,Ar₂は少なくとも１個の芳香族環を含有
した２価の有機基，炭素数としては６ないし25が好まし
い）または−CO−Ar₃−NH−（ここでAr₃は少なくとも１
個の芳香族環を含有した２価の有機基，炭素数としては
６ないし25が好ましい）で示されるものを50モル％以上
含むものであり，例えば，パラフエニレンテレフタルア
ミド，パラフエニレンイソフタルアミド，メタフエニレ
ンテレフタルアミド，メタフエニルイソフタルアミドな
どから成るものが挙げられる。さらにフエニル核にハロ
ゲン（塩素，臭素，フツ素など）又はニトロ基，アルキ
ル基，アルコキシ基などの置換基を有するものも含まれ
る。この芳香族ポリアミドの中で，より好ましくはパラ
フエニレンテレフタルアミドを主体とするものであり，
フエニル核に塩素置換基を有するものは機械強度，弾性
率が大きく，吸湿率が低く，さらに耐熱性にも優れ，機
械的，熱的な寸法安定性が良いため良好な高密度記録媒
体用素材として好適である。

前述したような構造からなる芳香族ポリアミドを構成
する単量体としては，酸クロリドとジアミンからのポリ
マ合成を例にとるとテレフタル酸クロリド,2−クロルテ
レフタル酸クロリド,2,6−ジクロルイソフタル酸クロリ
ド,2−プロムテレフタル酸クロリド,2−メチル５−クロ
ルテレフタル酸クロリドや，パラフエニレンジアミン,2
−クロルパラフエニレンジアミン，メタフエニレンジア
ミンなどがある。

また、本発明の芳香族ポリイミドとは，下記（１）式
の構成単位で示されるものを50モル％以上含むものであ
る。

ここでR₁は少なくとも１個の芳香族環を含有しており
（かつ炭素数としては25以下が好ましく）イミド環を形
成する２つのカルボニル基は隣接する炭素原子に結合し
ている有機基である。

また，式中−R₂−は２価の有機基であり，これは一般
式H₂N−R₂−NH₂を有する芳香族ジアミンに由来してい
る。R₁基は一般式 を有する芳香族テトラカルボン酸成分によつてもたらさ
れる。このような芳香族テトラカルボン酸の代表例とし
ては次のようなものが挙げられる。

ピロメリツト酸二無水物,3,3′,4,4′−ビスフエニル
テトラカルボン酸二無水物,2,3,6,7−ナフタレンジカル
ボン酸二無水物,2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフエニ
ル）エーテル二無水物，ピリジン−2,3,5,6テトラカル
ボン酸二無水物,3,3′,4,4′ベンゾフエノンテトラカル
ボン酸二無水物，あるいはこれらテトラカルボン酸エス
テルなどがある。

一方，芳香族ジアミンとしては,2個のアミノ基は少な
くとも１つ以上の炭素を介して結合していることが好ま
しく，またR₂としては少なくとも１個の芳香族環を含有
しており（かつ炭素数としては25以下が好ましく）例え
ば，パラキシリレンジアミン，メタフエニレンジアミ
ン，ベンチジン,4,4′ジアミノジフエニルエーテル,4,
4′ジアミノジフエニルメタン,4,4′ジアミノジフエニ
ルスルホン,3,3′ジメチル−4,4′ジアミノジフエニル
メタン,1,5ジアミノナフタレン,3,3′ジメトキシベンチ
ジン,1,4−ビス（３メチル−５アミノフエニル）ベンゼ
ンなどが挙げられる。これら酸成分やアミン成分は各々
単独または混合して用いられることは言うまでもない。
また酸成分，アミン成分を適当に選ぶことにより得られ
るアミド結合，イミド環を有する芳香族ポリアミドイミ
ドは，本発明の芳香族ポリイミドに含まれる。

本発明のフイルムは，上記の芳香族ポリアミド，芳香
族ポリイミド（芳香族ポリアミドイミドを含む）を主体
としたフイルムであり，他のポリマを本発明の効果を損
わない程度（好ましくは５重量％以下）含有してもよ
い。

本発明の芳香族ポリアミド，芳香族ポリイミドのフイ
ルムの製造工程で添加される無機粒子は，粉末状の無機
粒子では後述する微細突起形状が得られない。本発明の
無機粒子は，特に限定されるものではないが，粒径の揃
つたコロイド粒子（湿式法による無機粒子）が好まし
く，具体的には，シリカゾル，アルミナゾル，酸化チタ
ンゾル，五酸化アンチモンゾルなどが挙げられるが，特
にシリカゾルが粒径がそろつていて好ましい。これらの
無機粒子は，粒径が5mμ以上300mμ以下の，粒径の揃つ
た単一分散状態の有機溶媒に分散したコロイドとして使
用する。分散安定化のために少量の水は含んでもよい。
又コロイドの表面は分散性を安定化するための表面処理
がなされていてもよい。

さらに，無機粒子はフイルムを透過型電子顕微鏡（倍
率30000倍）で観測した際に，フイルム中に約10個以上
の無機粒子が凝集しない様に分散されているのが好まし
い。またこれらの無機粒子は，ポリマ当り0.01重量以
上,10重量％以下含有することが必要である。好ましく
は,0.03重量％以上,5重量％以下である。0.01重量％未
満では走行性，耐久性に寄与せず,10重量％を超える
と，フイルムの物性低下を起こしたり，フイルム表面を
粗らしたりする。

さらに本発明のフイルムは表面の微細突起高さR_Mが30
Å以上500Å以下，好ましくは30Å以上300Å以下である
ことが必要である。30Å未満では滑べり性が低下し，記
録媒体の製造時やテープあるいはシートに加工する工程
ですり傷が大量に発生する。またテープやシートの使用
時に走行性が悪くなり，ヘツドで磁性層が削られ，ドロ
ツプアウトの原因になつたりして耐久性が著しく悪くな
る。一方,500Åより高いと，磁性層の電磁変換特性の一
つであるドロツプアウトやS/N比が悪化する。

次に，微細突起の面積平均径D_Aが0.01μ以上0.3μ未
満であることが必要である。0.01μ未満では，走行性，
耐久性に寄与せず,0.3μ以上では，高温高湿下での耐久
性が悪化し好ましくない。また突起の立体的ひろがりを
表わす平均扁平度D_A/Rmが15以下であることが必要であ
る。好ましくは２以上15以下である。15より大きくなる
と，なだらかな突起となり微細突起とヘツドとの接触面
積が大きくなり，高温高湿下での走行性，耐久性が悪化
する。

微細突起数は10⁴個/mm²以上10⁹個/mm²以下，好ましく
は,5×10⁴個/mm²以上,5×10⁸個/mm²以下である。より好
ましくは１×10⁵個/mm²以上,5×10⁸個/mm²以下である。
10⁴個/mm²未満では走行性や耐久性が悪化する。10⁹個/m
m²を超えると電磁変換特性が悪化する。

微細突起の平面的形状を表わす長短度a/b（ａは微細
突起の最大径,bは最大径と直角方向の微細突起径）が２
以上の微細突起数が0.2×N_A以下，好ましくは0.1×N_A以
下である。また微細突起の円形度πD_N/C_N（D_Nは微細突
起の面積径,C_Nは微細突起の周長，πは円周率）が0.7以
下の微細突起数が,0.2×N_A以下であることが必要であ
る。

長短度が2.0以上の微細突起数が0.2×N_Aを超えると，
すなわち微細突起数の20％を超えると細長い形の微細突
起が増加し，突起の形状がフイルムの走行に対して方向
性を持ち，削れやすくなる微細突起が多くなり，特に高
温高湿下での耐久性が悪化する。

また微細突起の円形度が0.7以下になると，丸みのな
い，多面体状の微細突起となり，削れやすく,0.2×N_Aよ
り大きくなると，すなわち微細突起数の20％をこえる
と，特に高温高湿下の耐久性が悪化する。

理由は定かではないが，芳香族ポリアミドや芳香族オ
リイミドは，ポリエチレンテレフタレートより一般的に
吸湿性が高いため，高温高湿下では極微量であるが軟化
あるいは膨潤して，常温常湿より微細突起が削れやすく
なり，長短度が2.0以上，円形度が0.7以下の微細突起数
がそれぞれ0.2×N_Aを超えると，又平均扁平度が15より
大きくなるとヘツドとの接触面積が大きくなり耐久性が
悪化すると考えられる。

本発明のフイルムが適用される高密度記録媒体の記録
層とは，特に限定されないが，公知の強磁性金属薄膜層
や，公知の光記録層を指す。

強磁性金属膜の形成手段は従来公知のすべての方法が
用いられ，例えば，スパツタ法，無電解メツキ法，イオ
ンプレーテイング法，真空蒸着法が使用できる。特に真
空蒸着法が好ましい。なお，強磁性金属材料としては，
鉄，コバルト，ニツケルまたはこれらの合金もしくはコ
バルト−クロム合金などを用いることができる。

以上のように，本発明のフイルムに高密度磁気記録材
である強磁性金属薄膜を設けた高密度記録媒体は，磁気
ヘツドとのスペーシングロスが非常に小さいために出
力，特にS/N比が良く，また磁気ヘツド，ガイド等との
接触面積が非常に小さくなるため，常温常湿下のみなら
ず，高温高湿下での走行性，耐久性は極めて良好なもの
となる。

光記録層の形成手段は従来公知のすべての方法が用い
られ，例えば，スパツタ法，反応蒸着法，真空蒸着法，
コーテイング法が使用できる。

なお、光記録材としては，公知のもの，例えばTe,Te
の酸化物,TeCなどが用いられ，また，光記録材の合金成
分や層形成成分としてSb,Se,Bi,Ti,Al,Cr,Ag,Auまたは
これらの合金，化合物などを用いることができる。

以上のように，本発明のフイルムに高密度記録材であ
る光記録層を設けた高密度記録媒体は，レーザー光の散
乱が少なく，また高温高湿下での耐久性が良くなる。

次に本発明のフイルムの製法について説明する。

本発明のフイルムは，芳香族ポリアミドあるいは芳香
族ポリイミドあるいはポリアミド酸（ポリイミド前駆
体）の溶液中に，上記の無機粒子を存在させ，この溶液
を製膜することにより形成することができる。

まず芳香族ポリアミドはＮ−メチルピロリドン，ジメ
チルアセトアミド，ジメチルホルムアミドなどの有機極
性アミド系溶媒中で，溶液重合したり，水系媒体を使用
する界面重合などで合成される。ポリマ溶液は単量体と
して酸クロリドとジアミンを使用すると塩化水素が副生
するためこれを中和するために水酸化カルシウムなどの
無機の中和剤，またはエチレンオキサイドなどの有機の
中和剤を添加する。このポリマ溶液はそのままフイルム
を成形する製膜原液にしてもよく，またポリマーを一度
単離してから上記の溶媒に再溶解して製膜原液を調製し
てもよい。製膜原液には溶解助剤として無機塩例えば塩
化カルシウム，塩化マグネシウムなどを添加する場合も
ある。製膜原液中のポリマ濃度は２〜40重量％程度が好
ましい。

一方，芳香族ポリイミドあるいはポリアミド酸の溶液
は次のようにして得られる。即ちポリアミド酸はＮ−メ
チルピロリドン，ジメチルアセトアミド，ジメチルホル
ムアミドなどの有機極性アミド系溶媒中でテトラカルボ
ン酸二無水物と芳香族ジアミンを反応させて調製するこ
とができる。又芳香族ポリイミドは前記のポリアミド酸
を含有する溶液を加熱したり，ピリジンなどのイミド化
剤を添加してポリイミドの粉末を得，これを再度溶媒に
溶解して調製できる。製膜原液中のポリマ濃度は５〜40
重量％程度が好ましい。

前記の無機粒子は，有機溶媒中に分散して使用する。
ここで有機溶媒とは，ポリマの重合あるいは製膜で使用
する有機溶媒がよく，例えば,N−メチルピロリドン，ジ
メチルアセトアミド，ジメチルホルムアミドを使用して
重合あるいは製膜する場合には，これらの溶液に分散し
て使用することが好ましい。これらの無機粒子は，重合
前の溶媒中へ添加もしくは重合に使用する溶媒全部に分
散されていてもよい。またポリマーを一度単離した後，
有機溶媒分散コロイド液にポリマを添加してもよい。ま
たポリマ溶液調整工程中で，ポリマ溶液の粘度が10ポイ
ズ以下のポリマ溶液に添加してもよい。好ましくは無機
塩類のないポリマ溶液の粘度が10ポイズ以下のポリマ溶
液に添加する。さらに好ましくは重合前に前もつて添加
しておくと良い。無機粒子の添加量は成形後のポリマに
対して0.01重量％以上,10重量％以下となるようにし，
キヤスト時の製膜原液中に均一に分散されていることが
重要である。

この無機粒子が添加混合された製膜原液は，いわゆる
溶液製膜法によりフイルム化が行なわれる。溶液製膜法
には，乾湿式法，乾式法，湿式法などがあるが，乾湿式
法，乾式法が表面性のよいフイルムを得るには好まし
い。キヤスト時の粘度は100〜10,000ポイズになるよう
に製膜原液のポリマ濃度や温度を調節することが好まし
い。

ここで粘度とは回転式Ｂ型粘度計でキヤスト時と同一
条件（濃度，温度）で測定した値をいう。キヤストは金
属ドラムやエンドレスの金属ベルトなどの支持体上に行
なわれ，ここで薄膜が自己保持性をもつまで乾燥あるい
はイミド化反応を促進させる。その際溶媒が急激に飛散
して面粗れを起こさないように調節する必要があり，一
般に室温〜300℃，好ましくは50〜250℃で60分以内の範
囲で行なわれる。

自己保持性をもつに至つたフイルムは支持体から剥離
され，乾湿式法のプロセスを採用する際には湿式浴中へ
導入される。この浴は一般に水系媒体からなるものであ
り，水の他に有機溶媒や無機塩等を含有していてもよ
い。該浴中でフイルム中の残存溶媒や無機塩，イミド化
剤が抽出される。さらにフイルム長手方向に延伸，ある
いはリラツクスが行なわれる。浴から出たフイルムは次
いで乾燥や延伸，リラツクス，熱処理が行なわれる。こ
れらの処理は一般に100〜500℃で行なわれる。

乾式法の場合には自己保持性をもつたフイルムは支持
体から剥離後，一般には残存揮発分を少なくとも３重量
％以下になるまで乾燥，延伸，リラツクス，熱処理がな
される。これらの処理は一般に150℃〜500℃で行なわれ
る。

以上，乾湿式法，乾式法のいずれの製膜方法をとる場
合にも，面倍率は0.8〜5.0倍，より好ましくは1.1〜3.0
倍で延伸あるいはリラツクスを行なうことが好ましい。
面倍率とはフイルム長手方向（MD方向）の延伸倍率と幅
方向（TD方向）の延伸倍率の積を言う。面倍率は0.8よ
り小さいとフイルム物性の低下や平面性の悪化が見ら
れ，また5.0を超すとフイルム中の無機粒子がフイルム
表面に出やすくなりフイルム表面を粗らすことになり好
ましくない。

さらに本発明の場合には延伸倍率が低いためにフイル
ム中へ添加した無機粒子のまわりにボイドが発生しにく
く，フイルム表面の微細突起の高さ及び径がほとんど延
伸の影響を受けないことが特徴である。このようにして
得られたフイルムは中心線平均粗さRa値（カツトオフ値
0.008mmの場合）は0.01μ以下となる。

なお,Ra値とは，触針表面粗さ計から得られる断面曲
線から適当なカツトオフ値を用いて，うねりを除いた粗
さ曲線において、中心線（中心線より上の部分と下の部
分の面積が等しくなる様にして求められる。）からの粗
さ曲線の高さ（低さ）の絶対値の算術平均である（DIN
4768による）。

本発明におけるフイルムは，前記のように製膜され厚
みは１μ以上1,000μ以下，好ましくは２μ以上500μ以
下である。又，磁性層を付着させる前に前処理としてグ
ロー放電処理やコロナ放電処理をすることは好ましいこ
とであり，未処理の場合に比較して磁性層の耐久性は非
常に向上する。なお本発明のフイルムには少量の帯電防
止剤，酸化防止剤等の添加剤が含有されていてもよい。

以上述べたようにして，本発明のフイルムが得られ
る。

〔用途〕

本発明の具体的な用途としては，ビデオテープ，オー
デオテープ，さらに各種のフロツピーデイスク用ベース
に好適な材質を提供するものである。また，磁気記録方
式は水平磁化，垂直磁化を問わない。

さらに光記録用ベースフイルムとしても好適な素材と
なる。即ち情報の書き込み時にはレーザー等で一般に10
0℃以上に加熱する必要があるが，今までは基板の耐熱
性の点からガラス板等が使用されてきた。しかし、本発
明のフイルムを使用すれば，耐熱的に全く問題がなくな
り，さらにフイルムのフレキシブル性を利用して，ガラ
ス基板使用では不可能であつた連続的な蒸着，スパツタ
リング等による記録媒体の作製が可能となる。

ここで連続的に媒体を作製する際には耐スリ傷性が重
要であるが，この点については磁気記録媒体と全く同様
なことが言え，本発明のフイルムを使用すれば全く問題
ない。さらに作製された光記録媒体の読み出し時にはレ
ーザー等の反射あるいは偏光を正確に行なう必要があ
り，フイルムの表面性はできるだけ平滑なほど良く，本
発明のフイルムはこの平滑性の点からも十分満足できる
ものである。

〔特性の測定法，評価法〕

本発明における特性の測定方法および評価基準は次の
通りである。

（１） フイルム表面の突起 イ 微細突起数 N_A 電子顕微鏡で１万倍以上でフイルム表面を観察し，微
細突起の最大径が0.01μ以上のものについて個数を数え
る。

ロ 微細突起の最大径a,最大径と直角方向の微細突起径
ｂ 電子顕微鏡で１万倍以上でフイルム表面を観察して求
める。

ハ 面積平均径D_A,面積径D_N,微細突起の周長C_N ケンブリツジインストルメント社製（英国製）“Quan
timet"720を用いた。電子顕微鏡で１万倍以上でフイル
ム表面の写真を撮影し，表面写真から表面突起をトレー
スして微細突起の最大径が0.01μ以上のものについてコ
ントラスト的に検出し画像処理させる。画像処理は，微
細突起の周長と微細突起の面積を測定する。面積径D_Nは
微細突起の面積から円相当径として計算され，微細突起
の面積径D_Nと微細突起の面積A_Nから，面積平均径D_Aが次
式より計算される。

ニ 微細突起高さ Rm 例えば，小坂研究所薄膜段差測定器（ET−10）を使用
して，触針半径0.5μ，荷重5mg,カツトオフ値0.008mmの
条件で，表面粗さ方向50万倍に拡大し，チヤートをかか
せ断面曲線のフイルム長500μに相当する部分につい
て，最大ピークと最小バレーとの差を求め，同様にして
任意に10回測定して，これを平均した値で表わす。

（２） 走行性 VHS方式のビデオテープレコーダを用い，テープ走行
の乱れによる画面のゆらぎを観察した。雰囲気は常温常
湿の25℃,55％RHと，高温高湿の40℃,80％RHの条件であ
る。

○：走行順調で再生画面のゆらぎが全くなし。

×：ところどころで走行が遅くなり，再生画面のゆらぎ
が生ずる。

（３） 耐久性 VHS方式のビデオテープレコーダを用い,100回繰り返
し走行させたあとの磁性面のすり傷や欠落を観察した。
雰囲気は常温常湿の25℃,55％RHと，高温高湿の40℃,80
％RHの条件である。

◎：テープ薄膜面上にほとんどすり傷の発生が見られな
い。

○：テープ薄膜面上に極めて弱いすり傷の発生が少し見
られる。

×：テープ薄膜面上にきついすり傷が発生する。

（４） S/N比 S/N比は50％白レベル信号を各テープの最適記録電流
で記録し，再生時のビデオ復調信号に含まれる信号と雑
音の比をビデオノイズメーターを用い，市販のVHS標準
テープを0dBとして比較測定した。

（５） ドロツプアウト ドロツプアウトは，磁気記録テープに３段階段波信号
を最適記録電流で記録し，再生時のビデオヘツドアンプ
出力の減衰量が18dB,継続時間20μsec以上のドロツプア
ウトを10分間ドロツプアウトカウンターで測定し,1分間
当りの平均をとつた。

〔実施例〕

以下，実施例に基づいて本発明の実施態様を説明す
る。

実施例１ 平均粒径50mμの単分散している水系コロイダルシリ
カにＮ−メチルピロリドンを少しずつ添加しながら，凝
集しないように水を蒸留除去し，シリカ濃度10wt％のＮ
−メチルピロリドン置換コロイダルシリカを調整した。

蒸留，脱水したＮ−メチルピロリドン80に上記Ｎ−
メチルピロリドン置換コロイダルシリカを，シリカが生
成ポリマの重量に対して添加量0.06wt％になるように分
散し，精製した２−クロルＰ−フエニレンジアミン2.50
kg,4,4′−ジアミノジフエニルエーテル1.50kgを撹拌溶
解させ０℃に冷却し，この中へ粉末状の精製したテレフ
タル酸クロリド5.08kgを添加し,2時間撹拌した後,1分精
製した水酸化カルシウム1.85kgを添加し,1時間室温にて
撹拌し中和を行ない,30℃で3000ポイズの透明な芳香族
ポリアミド溶液を得た。

この溶液を表面研摩した金属ドラム上へ30℃で均一に
流延し,120℃の雰囲気で約10分乾燥した。このフイルム
をドラムから剥離し,30℃の水槽中に連続的に約20分間
浸漬しながらMD方向に1.1倍延伸した。さらにフイルム
をテンターに導入し300℃でTD方向に11倍延伸して厚さ2
0μの透明なフイルムを得た。

このフイルムを真空槽中に装填し,10^-2トールのAr雰
囲気下でグロー処理し，次いで真空槽を10^-6トールまで
真空にして，フイルムを100℃に加熱したドラムに沿わ
せて走行させながら電子ビーム蒸着により,Co−Ni合金
（Co 75重量％,Ni 25重量％）を1000Åの膜厚になるよ
うに蒸着した。

これをスリツトして磁気テープとし，前記の方法で評
価した結果を表１に示す。これらの結果から，高温高湿
下の走行性，耐久性，電磁変換特性がすぐれていること
がわかる。

また，得られた膜の磁気特性は，長手方向の保持力Hc
が1100エルステツド，幅方向の保磁力Hcが550エルステ
ツド，角型比が0.96と非常に良好なものである。

実施例２ 実施例１のベースフイルム製造において，使用したコ
ロイダルシリカの添加量を0.5wt％にした他は実施例１
と同様にして磁気テープを得た。テープ特性を表１に示
す。

これらの結果から高温高湿下での走行性，耐久性，電
磁変換特性がすぐれていることがわかる。また，得られ
た膜の磁気特性は，長手方向の保磁力Hcが1,020エルス
テツド，幅方向の保磁力が520エルステツド，角型比が
0.94と非常に良好なものである。

実施例３ 実施例１のベースフイルム製造において，コロイダル
シリカの平均粒径を120mμ，添加量を0.1wt％にした他
は実施例１と同様にして磁気テープを得た。テープ特性
を表１に示す。

これらの結果から高温高湿下で走行性，耐久性，電磁
変換特性がすぐれていることがわかる。また，得られた
膜の磁気特性は，長手方向のHcが1100エルステツド，幅
方向のHcが480エルステツドと良好である。

実施例４ 蒸留，脱水したＮ−メチルピロリドン30中へシリカ
濃度が10wt％のＮ−メチルピロリドン置換コロイダルシ
リカ平均粒径100mμを，シリカがポリマの重量に対して
0.2wt％になるように分散し，精製したメタフエニレン
ジアミン1.08kgと4,4′−ジアミノジフエニルメタン1.9
8kgを撹拌溶解させ０℃に冷却し，この中へ粉末状の精
製したイソフタル酸クロリド4.06kg添加し,2時間撹拌し
た後，十分精製した水酸化カルシウム1.42gを添加し,1
時間室温にて撹拌し中和を行ない,30℃で3000ポイズの
透明な芳香族ポリアミド溶液を得た。この溶液を使用し
て実施例１と同様にして磁気テープを得た。テープ特性
を表１に示す。

これらの結果から高温高湿下での走行性，耐久性，電
磁変換特性がすぐれていることがわかる。また，長手方
向のHcが1050エルステツド，幅方向のHcが480エルステ
ツドと良好である。

実施例５ 平均粒径80mμの水系コロイダルシリカにジメチルア
セトアミドを少しずつ添加しながら，粒子が凝集しない
ように水を蒸留除去し，シリカ濃度10wt％のジメチルア
セトアミド置換コロイダルシリカを調整した。

蒸留，脱水したジメチルアセトアミド53kg中へ，平均
粒径80mμのジメチルアセトアミド置換コロイダルシリ
カを，シリカが生成ポリマの重量に対して0.5wt％にな
るように分散し，精製した4,4′−ジアミノジフエニル
エーテル5.01kgを溶解させ,0℃で撹拌しながら精製した
粉末状のピロメリツト酸二無水物を5.45kg徐々に添加
し,1時間撹拌を続けて透明なポリアミド酸溶液を得た。
このポリマ溶液は30℃で2000ポイズの均一な溶液であ
る。この溶液を表面研摩したエンドレスベルト上へ30℃
で流延し,140℃,12分加熱乾燥した。このフイルムをベ
ルトから剥離し，さらに250℃のテンター内で残存溶媒
を除去，次いで400℃で２分間熱処理して25μの芳香族
ポリイミドから成るフイルムを得た。延伸はMD,TD方向
とも1.07倍である。このフイルムを実施例１と同様に真
空蒸着し磁気テープを得た。このテープ特性を表１に示
す。

これから，電磁変換特性，高温高湿下での走行性，耐
久性とも非常にすぐれたものであることがわかる。ま
た，得られた膜の磁気特性は，長手方向のHcが1180エル
ステツド，幅方向のHcが510エルステツドと良好であつ
た。

実施例６ 実施例５のベースフイルム製造においてコロイダルシ
リカの平均粒径を20mμ，添加量を5wt％にした他は，実
施例５と同様にして磁気テープを得た。テープ特性を表
１に示す。

これから，電磁変換特性，高温高湿下での走行性，耐
久性とも非常にすぐれたものであることがわかる。ま
た，得られた膜の磁気特性は，長手方向の保磁力Hcが10
00エルステツド，幅方向の保磁力が530エルステツドと
良好であつた。

比較例１ 実施例１のベースフイルム製造において，コロイダル
シリカの平均粒径を100mμに，添加量を13wt％にした他
は実施例１と同様にして磁気テープを得た。テープ特性
を表２に示す。無機粒子量が多いためにフイルム表面の
微細突起高さが増大してドロツプアウトが悪化し，又微
細突起数が多いためS/N比も悪化した。さらにフイルム
物性が低下しているためテープ切れが多発するなど実用
に耐えるものではなかつた。

比較例２ 実施例６のベースフイルム製造において，コロイダル
シリカの添加量を0.005wt％にした他は実施例６と同様
にして磁気テープを得た。テープ特性を表２に示す。こ
れからわかるようにフイルム表面の微細突起数が少ない
ために走行性，耐久性が非常に悪かつた。

比較例３ 実施例１のベースフイルムの製造において，コロイダ
ルシリカの平均粒径を500mμ，添加量を0.2wt％にした
他は実施例１と同様にして磁気テープを得た。テープ特
性を表２に示す。微細突起径の面積平均径が0.6μと大
きく，電磁変換特性が悪く，高温高湿下での耐久性が悪
い。

比較例４ 実施例１のベースフイルムの製造において,N−メチル
ピロリドン置換コロイダルシリカの代りに，高速撹拌機
で分散された平均粒径120mμの乾式法シリカを含有する
Ｎ−メチルピロリドン溶液を使用したことと添加量を0.
2wt％にした他は実施例１と同様にして磁気テープを得
た。テープ特性を表２に示した。微細突起の円形度が0.
7以下のものが0.32×N_Aと多く，微細突起形状が悪いた
め，高温高湿下の走行性，耐久性が非常に悪かつた。

比較例５ 実施例４のベースフイルムの製造方法において延伸を
MD方向2.3倍,TD方向2.3倍にした。他は実施例４と同様
にして磁気テープを得た。テープ特性を表２に示した。
突起の平均扁平度が21.5と大きいため，高温高湿下の走
行性，耐久性が悪かつた。

比較例６ 実施例１のベースフイルムの製造において,N−メチル
ピロリドン置換コロイダルシリカの代りに，高速撹拌機
で分散された平均90mμ×30mμの粒子の大きさを持つ乾
式法アルミナを5wt％含有するＮ−メチルピロリドン溶
液を使用して，アルミナが生成ポリマの重量に対して0.
2wt％になるように添加した。他は実施例１と同様にし
て磁気テープを得た。テープ特性を表２に示した。長短
度が２以上のものが0.82×N_Aあり，微細突起形状が悪
く，高温高湿下の走行性，耐久性が悪かつた。

〔発明の効果〕 以上に述べたように，本発明は芳香族ポリアミドある
いは芳香族ポリイミドフイルムの表面の微細突起形状を
特定のフイルムとしたので，これらに高密度記録層を設
けた場合，高温高湿下において良好な走行性，耐久性を
得ることができる。さらに，耐熱性があるためにポリエ
チレンテレフタレートフイルムより高温で蒸着，スパツ
タリング等が可能であり，静的な磁気特性である保磁力
やヒステリシスループの角形比を向上させることができ
るなど本発明の効果は非常に大きなものがある。また，
本発明のフイルムは，平滑性がよいため良好な電磁変換
特性を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 77:00 Ｂ２９Ｌ 7:00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】芳香族ポリアミドあるいは芳香族ポリイミ
   ドを主体としたフイルムで，フイルム中に無機粒子を0.
   01重量％以上,10重量％以下含有し，少なくともフイル
   ムの片面に形成された突起は， （イ） 微細突起高さRmが30Å以上500Å以下。 （ロ） 微細突起の面積平均径D_Aが0.01μ以上0.3μ未
   満で，突起の平均扁平度D_A/Rmが15以下。 （ハ） 最大径が0.01μ以上の微細突起数N_Aが10⁴個/mm
   ²以上10⁹個/mm²以下。 （ニ） 微細突起の長短度a/b（ａは微細突起の最大径,
   bは最大径と直角方向の微細突起径）が２以上の微細突
   起数が,0.2×N_A以下。 （ホ） 微細突起の円形度πD_N/C_N（D_Nは微細突起の面
   積径,C_Nは微細突起の周長，πは円周率）が0.7以下の微
   細突起数が0.2×N_A以下。 であることを特徴とする高密度記録媒体用ベースフイル
   ム。