TW588114B - ITO sputtering target with few nodules - Google Patents

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Description

588114 玖、發明說明 [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種用以形成以液晶顯示器爲中心的顯 示裝置等所使用之透明電極膜的濺鍍靶。 [先前技術] ITO(以氧化銦-氧化錫爲主要成分之複合氧化物：In2Or Sn〇2)膜因其高穿透率與高導電性，被用來製造LSD、PDP 、ELD等以液晶顯示器爲中心之多種平面顯示器等其透明 電極（膜）。 該ITO膜之形成方法以真空蒸鍍法或濺鍍法等一般所 謂物理蒸鍍法之手段來進行，特別是在考慮操作性或膜之 安定性上則以DC磁控濺鍍法形成之。 使用濺鍍法成膜係藉著對設置在陰極之靶材以Ar離子 等正離子進行物理性撞擊，以該撞擊能量將組成靶材的材 料釋出，而在對面之陽極側基板上積層出與靶材材料大致 相同組成的膜來進行。 使用濺鍍法的被覆方式其特徵在於藉由調整處理時間 或供應電力等而可以穩定的成膜速度形成膜厚由埃單位之 薄膜至數十//m厚之膜。 然而，現今最常被使用之ITO系透明電極膜雖然其可 見光之穿透率及導電性佳，卻有以下主要的問題。 如上所述，雖然大部分的ITO薄膜以濺鍍法，尤其是 DC磁控濺鍍法製造，但在該濺鍍模式中，在靶材表面形成 許多稱爲結球的小突起物，其隨著濺鍍的進行而成長。 6 588114 一旦結球密集地生成，各種ITO薄膜的特性會變差。 例如，穿透率降低、電阻率升高、異常放電增加及因異常 放電使得在基板上生成之粒子亦增加。 諸如此類的問題阻礙了穩定的濺鍍操作，有時再度使 表面平坦（表面之硏磨處理）般頻繁地維修作業成爲必要。在 形成ΙΤΟ濺鍍膜之際，最根本的問題點可謂是結球的形成 。亦即，將其他的問題視爲因形成結球所二次引發者也不 爲過。 爲了降低該結球的產生，已知增加ΙΤΟ靶材的密度是 有效的，在這15年間，靶材密度由4.2左右提昇至7.1左 右（若將密度7.15視爲100%，則其相當於99%(相對密度）) 〇 由於近來可製造出99.3%以上之相對密度的ΙΤ0靶材， 故相對地減少了結球的發生。因此，減少了爲了去除該結 球之頻繁地靶材維修頻率，使得在濺鍍操作時的穩定性變 得非常好。 然而，即使使用如此高密度的靶材，然非顯著地降低 或者完全沒有結球的發生，而是依舊有著結球發生的問題 〇 另一方面，最近在要求高精密度且畫面大的平面顯示 器製造技術上要求更穩定的濺鍍操作，且強烈需要結球與 粒子變少、更高品質的Π0靶材。 [發明內容] 本發明之目的在於解決上述各項問題，維持良好的可 7 588114 見光穿透率與高導電性，且有效率地製造結球發生情形少 的燒結體靶材，藉此得到因結球發生所伴隨的生產性降低 或品質降低受到抑制之靶材。 本發明所得之見解爲，作爲ITO濺鍍靶材原料的氧化 錫粉末其混合比例與存在於該靶材上的氧化錫粒子間的關 係會影響結球的發生，藉由調整該關係至最適値，可製造 結球發生量少的ITO燒結體濺鍍靶材。 本發明基於該見解，提供： 1. 一種減少結球發生量之IT◦濺鍍靶，其特徵在於， 係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5 SxS 10.5(wt%)、剩餘 部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的ITO(以氧化銦-氧 化錫爲主成分之複合化合物:In203-Sn02)濺鍍靶；當該靶以 王水溶解並使用0.2// m的過濾器過濾後之溶解殘渣爲 y(wtppm)時，滿足 ySeaG3x_2G·3)。 2. 如上述1記載之減少結球發生量之ITO濺鍍靶，其 中，溶解殘渣之主成分爲氧化錫（Sn〇2)。 3. —種減少結球發生量之ΠΟ濺鍍靶，其特徵在於， 係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5SxS 10.5(wt%)、剩餘 部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的ITO(以氧化銦-氧 化錫爲主成分之複合化合物:In203-Sn02)濺鍍靶；存在於靶 中之平均直徑在1.3/zm以上之氧化錫粒子個數在400萬個 /cm3以下。 4. 如上述1或2記載之減少結球發生量之：[TO濺鍍靶 ，係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5SxS 10.5(wt%)、剩 8 588114 餘部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的ITO(以氧化銦-氧化錫爲主成分之複合化合物:In203-Sti02)濺鍍靶，且平均 直徑在1.3// m以上之氧化錫粒子個數在400萬個/cm3以下 〇 5. 如上述3記載之減少結球發生量之IT0濺鍍靶，其 中，平均直徑在1.3/zm以上之氧化錫粒子個數在200萬個 /cm3以下。 6. 如上述4記載之減少結球發生量之IT0濺鑛靶，其 中，平均直徑在1.3/z m以上之氧化錫粒子個數在200萬個 /cm3以下。 7. 如上述3記載之減少結球發生量之IT0濺鍍靶，其 中，平均直徑在1.3/zm以上之氧化錫粒子個數在100萬個 /cm3以下。 8. 如上述4記載之減少結球發生量之IT0濺鍍靶，其 中，平均直徑在1.3// m以上之氧化錫粒子個數在100萬個 /cm3以下。 [實施方式] 如前述般藉由改善靶材的密度來抑制結球的發生可視 爲達成大致之效果。因此，爲了更進一步抑制結球的發生 ，本發明者們針對在靶材中殘留的氧化錫與其分散狀態進 行硏究。 已知氧化錫的電阻至少比ΙΊΌ基體高兩位數。因此， 一旦在IT0基體中有Sn02粒子存在時，可預測這些粒子部 位電荷容易帶電且會引起濺鍍中的微電弧現象。一旦發生 9 588114 微電弧現象，靶材的表面會被破壞、飛散，而再附著於靶 材表面，成爲結球的生成核。 氧化錫粒子越大，必定在其上帶有更多的電荷而增加 微電弧發生的機會。因此，爲了抑制結球的生成，使存在 於靶材中的氧化錫成爲均勻地細微分散狀態可視爲有效的 〇 一般而言，ITO靶材中的氧化錫含量比例對電阻有很 大的影響，而通常氧化錫在l〇wt%左右電阻最低。 雖然一般認爲ITO燒結體靶材之氧化錫（Sn02)濃度的臨 界固溶約爲10wt%，但未獲得確立。 然而，一般而言，所謂在ITO靶材中的氧化錫濃度爲 10wt%，其可視爲約等於臨界固溶，實際上，ITO靶材中一 部份的氧化錫不易與氧化銦成爲固溶體，而以Sn02粒子殘 留於ITO基體中。因此，若氧化錫濃度在10wt%以上，則 表示此量必定有變多的傾向。 如此，可知在欲使ITO靶材的電阻（導電性）成爲更適當 的數値之情形下，Sn02粒子存在於ITO基體中是不可避免 的。 然而，另一方面，如上所述，存在於ITO基體中、未 調整過的巨大Sn02粒子有著促進結球生成的問題。 因此，本發明者們考慮藉由使Sn02粒子細微且均勻地 分散在ITO靶材中來大幅抑制結球的生成。 關於以上所述，以下列的實施例具體地說明之。 10 588114 眚施例與比較亂 接著，說明關於本發明之實施例。又，本實施例僅爲 一個例子，而非只限制在此例。亦即，在本發明之技術思 想的範圍內，實施例以外的形態或變化全部包含在內。 準備表1所示之5種靶材。 試樣No. 1〜2爲本發明之實施例的靶材，其氧化錫成分 爲10.36wt%及9.92wt%。該試樣ν〇·1〜2之靶材係使用使作 爲原料的氧化錫粉末變細，且與氧化銦混合後以濕式攪拌 式粉碎機混合攪拌時使氧化錫不易發生凝聚所製造而成的 原料’該耙材以王水溶解，以y(wtppm)表示使用0.2//m的 過濾器過瀘時的溶解殘渣時，位於y$e(2.Q3x-2〇·3)的範圍內。 試樣Νο·3〜5爲先前技術之比較例，其係氧化錫成分在 10.46wt%至8.87wt%範圍內之靶材。又，該靶材以王水溶解 ，當以y(wtppm)表示使用0.2"m的過濾器過濾時的溶解殘 渣時，其爲 e0·69"·34.")。
表1 試樣No. 氧化錫成分(%) 密度(g/cm3) 1 10.36 7.14 2 9.92 7.13 3 10.46 7.13 4 9.84 7.14 5 8.87 7.13 如上所述’圖l(a)係本實施例之靶材試樣Ν〇·ι之原料 的ΕΡΜΑ像；圖1(b)係比較例之習知靶材試樣ν〇·3之原料 的ΕΡΜΑ像。白點表示氧化錫，比較例靶材試樣的圖1(b) 11 588114 其白點大小較實施例靶材試樣的圖1(a)爲大。 又’圖2(a)係表示本實施例之靶材試樣no.1的原料燒 結後’靶材之氧化錫其分散狀態之EPMA像；圖2(b)係表 示比較例之習知靶材試樣No.3的原料燒結後，靶材之氧化 錫其分散狀態之ΕΡΜΑ像。 同樣地，明亮的白點表示錫的存在，圖2(a)之本實施 例革Ε材試樣No.l證實了藉由改善氧化錫的分散而使白點變 小且均勻。 相較於此，圖2(b)之比較例的習知靶材試樣N〇.3其白 點顆粒粗’表示具有引起微電弧的Sn〇2形態之氧化錫凝聚。 (實驗用具與方法） 濺鍍裝置之構造與濺鍍條件如表2所示。爲了確定糸士 球的生成特性，選擇可動磁控方式以及較低的濺鍍^力^密、 度。濺鍍功率密度簡單地以投入功率除以靶材全表面積胃 出。 表 2 _ ______ 濺鍍功率 : 322W 功率密度 0.5W/cm2 濺鍍氣虜 0.5Pa 濺鍍氣體流量 300SCCM 氧氣濃度 l.Ovol 磁控形式 移動式 濺鍍時間 320Hr 累積瓦特數 160WHrs/ cm 12 588114 本發明進行濺鍍靶的外觀觀察、試樣內的特定部位的 結球被覆率以及藉微電弧監視器檢測出之濺鍍中的微電弧 之累積測定。 ， 測定出在耙材中央1 〇mm x 5〇mm大小之指定位置結球 被覆部分的面積。計算該面積除以指定部分的面積 (500mm2) ° 微電弧次數係使用微電弧監視器（來德馬克公司）監控濺 鍍電壓，當其電壓値高於_100V時，當作微電弧來計算。 圖3(a)與（b)係表示本發明實施例之試樣No.1與比較例 ® 之試樣Νο·3經160WHrs/cm2濺鍍試驗後之結果。 在比較例之試樣Νο·3之祀材表面觀察到許多的結球。 然而，在本發明實施例之試樣No.1其靶材的濺蝕部分幾乎 沒有結球的形成。 ‘ 如此可知本發明之靶材顯著地改善其結球的生成。 - 圖4係表示本發明之上述實施例試樣No.l與比較例之 試樣Νο·3，其結球被覆率以累積電力之函數來表示的圖。 隨著濺鍍時間的經過，爲一般品的比較例試樣Ν〇·3其 _ 靶材的結球被覆率顯著地上升，且在靶材壽命 160KWHr/cm2 時達到 40.29%。 另一方面，試樣Ν〇·1之本實施例在靶材壽命 160KWHr/cm2 時僅生成 0.03% ° 表3表示各試樣（No.l〜5)在濺鍍後之結球被覆率的測定 結果。 13 表3 試樣No. 氧化錫成分(wt%) 結球被覆率(％) 1 10.36 0.03 2 9.92 0.02 3 10.46 40.29 4 9.84 3.22 5 8.87 0.55 588114 圖5係表示上述試樣No.1與試樣Νο.3之累積微電弧次 數以累積電力之函數來表示的圖。隨著濺鍍時間的經過， 一般品的靶材其累積微電弧次數在靶材壽命時已達到1200 次。 另一方面，試樣No.1之本實施例在靶材壽命時僅發生 210次而已。可知改善氧化錫的分散對降低結球生成與微電 弧是有效的。 關於上述的結果，尤其在高氧化錫濃度的試樣No.3中 ，Sn02的分散並不全是細小且均勻的，其顯示了氧化錫粉 末的一部份成爲引起微電弧原因的Sn02粒子而殘留在ΠΌ 基體中。 尤其，在本實施例No.1所示之氧化錫分散狀態改良後 的IT0靶材，證實了即使氧化錫的成分高亦有減少結球的 效果。 爲了證實，將10g的上述各試樣（No.1〜5)弄碎，以王 水溶解，且使用0.2//m的微過濾器過濾。在IT0靶材溶液 中，以Sn02形態存在的氧化錫無法溶解而殘留在過濾器上 14 588114 以SEM觀察這些殘渣的大小與數量並計算其重量。各 試樣的殘渣重量比例在實施例試樣No.l中爲2.2wtppm、試 樣 Νο·2 爲 〇.81wtppm;在比較例試樣 Νο·3 爲 93.2wtppm、 試樣 Νο·4 爲 9.8wtppm、試樣 Νο·5 爲 0.22wtppm。 該各試樣的燒結體耙材的氧化錫比例與祀材溶解在王 水中的殘渣比例如表4所示。由該表4可知，本實施例之 試樣No.l與試樣Νο·2其氧化錫殘渣均少。相較於此，可知 比較例試樣Νο·3與Νο·4之氧化錫殘渣很多。 又，雖然比較例試樣Νο·5之氧化錫殘渣低，僅 〇.22wtppm，但因爲最初的氧化錫含量低，而有無法達到 ITO靶材所需要的導電性的問題。 表4 試樣No. 氧化錫成分(％) 氧化錫殘渣(wtppm) 1 10.36 2.2 2 9.92 0.81 3 10.46 93.2 4 9.84 9.8 5 8.87 0.22
在此，非常重要的是，作爲燒結靶材原料的氧化錫比 例與靶材溶解在王水中的殘渣比例間有一定的關聯性。 當作爲燒結體靶材原料的氧化錫粉末其混合比例X爲 9.5$ l〇.5(wt%)、燒結後之靶材以王水溶解並使用0.2// m的過濾器過濾之溶解殘渣爲y(wtppm)時，在本發明品中 ，該關聯性可以式y$eaQn3)表示。 相較於此，習知品可以式y$e(3.69x·34·14)表示，可明瞭 15 588114 本發明之靶材與習知品之差異。 如上所述，本發明可得到結球發生量少的ITO濺鍍靶 材，且可同時維持良好的可見光的穿透率與高導電性。 換言之，其意味著當作爲燒結體靶材原料的氧化錫粉 末其混合比例X爲9.5Sx€10.5(wt%)、燒結後之靶材以王 水溶解並使用0.2#m的過濾器過濾之溶解殘渣爲y(wtppm) 時，若設定成y$ea()3x_2()_3)，則可得到結球發生量少的IT〇 濺鍍靶材，且藉由該靶材的濺鍍可得到可見光的穿透率高 以及具有高導電性的透明電極膜。 (發明之效果） 作爲ΙΤΟ濺鍍靶材原料的氧化錫粉末其混合比例與存 在於該靶材上的氧化錫粒子間的關係會影響結球的發生， 藉由調整該關係至最適値，可維持良好的可見光穿透率及 高導電性，且在形成透明電極膜的濺鍍製程中有效率地製 造高密度且結球發生量少的燒結體靶材，藉此可抑制因結 球的發生伴隨而來的生產性差或品質差，此爲其優異效果 所在。 [圖式簡單說明] 圖1(a)係本實施例之靶材試樣No.1之原料的ΕΡΜΑ像 ;圖1(b)係比較例之習知靶材試樣No.3之原料的ΕΡΜΑ像 。圖2(a)係表示本實施例之靶材試樣No.1之原料燒結後， 靶材之氧化錫其分散狀態之ΕΡΜΑ像；（b)係表示比較例之 習知靶材試樣No.3之原料燒結後，靶材之氧化錫其分散狀 態之ΕΡΜΑ像。圖3(a)係表示本發明實施例之試樣No.1經 16 588114 160WHi*s/cm2濺鍍試驗後結球的生成情形；（b)係表示比較 例之試樣No.3經160WHrs/cm2濺鍍試驗後結球的生成情形 。圖4係表示本發明之實施例試樣No.1與比較例之試樣 No.3，其結球被覆率以累積電力之函數來表示的圖。圖5 係表示試樣No.l與試樣Nq.3之累積微電弧次數以累積電力 之函數來表示之圖。
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Claims (1)

  1. 588114 拾、申請專利範圓 1. 一種減少結球發生量之ITO濺鍍靶，其特徵在於， 係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5S 10.5(wt%)、剩餘 部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的ITO(以氧化銦-氧 化錫爲主成分之複合化合物:In203-Sn02)濺鍍靶；當該靶以 王水溶解並使用0.2// m的過濾器過瀘後之溶解殘渣爲 y(wtppm)時，滿足 y$e(2.Q3x·2。·3)。 2. 如申請專利範圍第1項之減少結球發生量之ITO濺 鍍靶，其中，溶解殘渣之主成分爲氧化錫（Sn〇2)。 3. —種減少結球發生量之IT0濺鍍靶，其特徵在於， 係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5€xS 10.5(wt%)、剩餘 部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的IT0(以氧化銦-氧 化錫爲主成分之複合化合物:In20rSn02)濺鍍靶；存在於靶 中之平均直徑在1.3// m以上之氧化錫粒子個數在400萬個 /cm3以下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之減少結球發生量之 IT〇濺鍍靶，係將氧化錫粉末之混合比例X爲9.5 SxS l〇.5(wt%)、剩餘部分爲氧化銦粉末之混合粉末燒結而成的 IT〇(以氧化銦-氧化錫爲主成分之複合化合物：In203-Sn〇2) 濺鍍靶，且平均直徑在L3//m以上之氧化錫粒子個數在 400萬個/cm3以下。 5. 如申請專利範圍第3項之減少結球發生量之ITO濺 鍍靶，其中，平均直徑在1.3/zm以上之氧化錫粒子個數在 200萬個/cm3以下。 18 588114 6. 如申請專利範圍第4項之減少結球發生量之IT〇濺 鍍靶，其中，平均直徑在以上之氧化錫粒子個數在 200萬個/cm3以下。 7. 如申請專利範圍第3項之減少結球發生量之ITO濺 鍍靶，其中，平均直徑在1.3//m以上之氧化錫粒子個數在 100萬個/cm3以下。 8. 如申請專利範圍第4項之減少結球發生量之ITO濺 鍍耙，其中，平均直徑在1.3 // m以上之氧化錫粒子個數在 100萬個/cm3以下。 拾壹、圖式 如次頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8778234B2 (en) 2008-05-12 2014-07-15 Bizesp Limited Process for the manufacture of a high density ITO sputtering target

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4813182B2 (ja) * 2003-08-20 2011-11-09 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｉｔｏスパッタリングターゲット
JP7104001B2 (ja) * 2019-06-28 2022-07-20 田中貴金属工業株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04104936A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｉｔｏ焼結体の製造方法
JPH05179439A (ja) * 1992-01-06 1993-07-20 Mitsubishi Materials Corp 酸化インジウム−酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット
JPH05247636A (ja) * 1992-03-06 1993-09-24 Hitachi Metals Ltd インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
JP2523251B2 (ja) * 1992-07-03 1996-08-07 住友金属鉱山株式会社 Ｉｔｏ焼結体の製造方法
JP2001072470A (ja) * 1999-08-31 2001-03-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｉｔｏ焼結体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8778234B2 (en) 2008-05-12 2014-07-15 Bizesp Limited Process for the manufacture of a high density ITO sputtering target

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