TW583688B - Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same - Google Patents

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583688 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種能夠配置及使用在顯示器等之電磁 、 裝置之觀察側而遮蔽電磁波並且可以透視顯示器等之電磁 _ ♦ 裝置的電磁波遮蔽用薄片。特別是，本發明係關於一種具 _ 有透過黏接劑層而將網目狀金屬錫箔層積在透明基材薄膜 上之構造的電磁波遮蔽用薄片及其製造方法。 【先前技術】 認爲由電磁裝置所產生之電磁波，係對於其他電磁裝 置，造成不良影響，並且，即使是對於人體或動物，也會 有影響；已經使用各種電磁波遮蔽手段。特別是由最近所 開始使用之電漿顯示器面板（以後，簡記爲「PDP」。） ，產生頻率30MHz〜130MHz之電磁波，因此，對於位處 在周圍之電腦或電腦利用裝置，造成影響，希望儘可能地 使得所產生之電磁波，不會外洩到外部。 春 向來，作爲滿足所謂電磁波遮蔽性和透視性兩者性質 之對策’係檢討在透明基材薄膜上形成透明之氧化銦錫（ ITO )膜之具有透明性和導電性之電磁波遮蔽用薄片（例 * 如參照日本特開平 1 -278800號公報及日本特開平5-3 23 1 0 1號公報）。但是，在此種電磁波遮蔽用薄片，會 有所謂無法充分地確保導電性之問題產生。 因此’在最近，使用對於在透明基材薄膜上蝕刻金屬 箱而成爲網目狀者來進行層積之電磁波遮蔽用薄片（例如 -6- (2) (2)583688 參照日本特開平 11-119075號公報及日本特開 200 1-2 1 0988號公報）。如果藉由此種電磁波遮蔽用薄片的話 ’則能夠藉由金屬箔之厚度或網目尺寸，成爲適當，而即 使是例如由所釋放出之電磁波強度相當強之PDP之電磁 波裝置來放出之強度相當強之電磁波，也可以充分地進行 遮蔽，並且，也能夠同時具有不損害顯示器畫面之辨識性 之透視性。 但是，後者之電磁波遮蔽用薄片，通常係藉由在透過 黏接劑層而層積金屬箔和透明基材薄膜後，利用光微影法 ’來將金屬箔，加工成爲網目狀，以便於得到電磁波遮蔽 用薄片。 【發明內容】 【發明之槪要】 但是，在電磁波遮蔽用薄片成爲此種構造時，則在層 積金屬箔和透明基材薄膜時，容易在黏接劑層，混入氣泡 〇 就該方面而言，如果根據本發明人們之意見的話，則 此種氣泡之產生，主要係起因於金屬箔之表面（特別是黏 接劑層側之表面）粗糙之緣故，金屬箔之黏接劑層側之表 面越粗糙，則其傾向就變得越強。接著，像這樣混入至黏 接劑層之氣泡，係除了減弱黏接劑層之接著力以外，還使 得光進行亂反射，因此，導致反射率之上升。所以，在將 此種電磁波遮蔽用薄片適用於PDP等之顯示器之狀態下 (3) ，恐怕會使得影像之輝度（明暗度對比）降低。 本發明係考慮到此種方面而完成的；本發明之目的， 係提供一種可以防止在用以層積金屬箔和透明基材薄膜之 所使用之黏接劑層混入氣泡而避免反射率之上升的電磁波 遮蔽用薄片及其製造方法。 此外，爲了達成此種目的，因此，在本發明，正如後 面敘述，規定金屬箔之黏接劑層側之表面之表面粗度，使 得金屬箔之黏接劑層側之表面，成爲鏡面等之平滑性高之 面。但是，通常金屬箔之表面及背面，係處理成爲具有同 樣程度之平滑性，因此，在黏接劑層側之表面成爲平滑之 狀態下，相反於此之相反側之表面，係也成爲平滑。在此 ，在將金屬箔加工成爲網目狀時，通常係在相反於金屬箔 中之黏接劑層側之相反側之表面上，形成蝕刻用感光性樹 脂層，透過配置在該感光性樹脂層表面上之圖案光罩，而 進行圖案曝光。在此，於進行此種圖案曝光時，必須密合 感光性樹脂層和薄片狀圖案光罩，因此，在進行圖案曝光 前，先進行密合用真空吸引。但是，在相反於金屬箔中之 黏接劑層側之相反側之表面成爲平滑時，則形成於其上面 之感光性樹脂層之表面係也成爲平滑，因此，會有所謂不 容易對於密閉在感光性樹脂層表面和薄片狀圖案光罩間之 空氣進行排氣而使得密合用真空吸引之時間變長之問題產 生。 因此，本發明之目的，係提供一種可以一起解決此種 問題、也就是在將金屬箔加工成爲網目狀時之所需要之真 -8 - (4) 空吸引時間之長大化之問題的電磁波遮蔽用薄片及其製造 方法。 本發明之電磁波遮蔽用薄片，其特徵爲：具有透明基 材薄膜以及透過黏接劑層而層積在前述透明基材薄膜之單 面上並且緻密地配置及排列開孔部之網目狀金屬錫箔；前 述金屬箔中之至少前述黏接劑層側之表面，係具有藉由 JIS ( Japanese Industrial Standards :日本工業規格） B0601所規定之最大高度Rmax大於0//m而未滿4//m之 表面粗度。 如果藉由本發明之電磁波遮蔽用薄片的話，則規定金 屬箔之黏接劑層側之表面之表面粗度，成爲最大高度 Rmax之上限値4 // m，因此，黏接劑層係不含有在反射率 方面成爲障礙之大小之氣泡。因此，即使是在適用於顯示 器之狀態下，也能夠使得明亮度之降低變小，提高畫面之 辨識性。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片，前述最大高度 Rmax係最好爲大於〇 m而2 // m以下。在該狀態下，即 使是在黏接劑層爲在養生中而成長氣泡之種類之狀態下’ 於成長後，黏接劑層係也不含有在反射率方面成爲障礙之 大小之氣泡。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片，相反於前述金 屬范中之至少前述黏接劑層側之相反側之表面’係最好具 有藉由JIS (日本工業規格）B〇6〇l所規定之算術平均粗 度Ra在〇.〇2//m〜1/zm之範圍內之表面粗度。在該狀態 -9 - (5) (5)583688 下，由於規定相反於金屬箔之黏接劑層側之相反側之表面 之表面粗度，成爲算術平均粗度Ra之下限値〇.〇2// m， 因此，可以在相反於金屬箔之黏接劑層側之相反側之表面 形成感光性樹脂層後，接著，在進行圖案曝光前，於感光 性樹脂層上重疊薄片狀圖案光罩而進行真空吸引時，容易 對於感光性樹脂層表面和薄片狀圖案光罩間之空氣，進行 排氣，提高作業效率。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片，最好是在前述 金屬箔中之前述黏接劑層側之表面，形成黑化處理面。此 外，最好是在相反於前述金屬箔中之前述黏接劑層側之相 反側之表面，形成黑化處理面，在前述黑化處理面之可見 光區域之反射率係最好爲5 %以下。在該狀態下，於前述 金屬箔之前述黏接劑層側之表面、或者是前述金屬箔之前 述黏接劑層側之表面及相反於前述黏接劑層側之相反側之 表面之兩面，形成黑化處理面（黑化層），規定在其黑化 處理面之可見光區域之反射率成爲5%以下，因此，可以 更加抑制適用於顯示器時之影像明亮度之降低。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片，由於所謂在反 射率方面不成爲障礙之氣泡大小之意義，因此，前述黏接 劑層所含有之氣泡直徑係最好未滿5 0 // m。此外，即使是 在養生中而使得氣泡成長之狀態下，由於所謂在成長後、 於反射率方面不成爲障礙之氣泡大小之意義，因此，前述 黏接劑層所含有之氣泡直徑係更加理想爲20 // m以下。 本發明之電磁波遮蔽用薄片之製造方法，其特徵爲： -10- (6) 包含：藉由在透明基材薄膜之單面透過黏接劑層而層積金 屬箔來而形成電磁波遮蔽用薄片之層積體之作業、在前述 層積體之前述金屬箔上而層積感光性樹脂層之作業、對於 層積在前述層積體之前述金屬箔上之前述感光性樹脂層藉 由既定圖案而照射電離放射線來進行圖案曝光之作業、對 於進行圖案曝光之前述感光性樹脂層進行顯影而以既定圖 案來殘留光阻劑層之作業、以及藉由透過前述光阻劑層而 蝕刻前述層積體之前述金屬箔以便於形成緻密地配置及排 列開孔部之網目狀金屬錫箔之作業；此外，前述金屬箔中 之至少前述黏接劑層側之表面，係具有藉由Π S (日本工 業規格）B0601所規定之最大高度Rmax大於0// m而未 滿4 // m之表面粗度。 如果藉由本發明之電磁波遮蔽用薄片之製造方法的話 ，則使得層積於透明基材薄膜上之金屬箔之黏接劑層側之 表面之表面粗度（最大高度Rmax )之上限値’成爲4/zm ，因此，在透過接著劑而層積金屬箔和透明基材薄膜時， 於黏接劑層，並無混入在反射率方面成爲障礙之大小之氣 泡。因此，即使是在適用於顯示器之狀態下，也能夠得到 可以使得明亮度之降低變小而提高影像之辨識性之電磁波 遮蔽用薄片。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片之製造方法，前 述最大高度Rmax係最好是大於〇/zm而2/zm以下。在 該狀態下，即使是在黏接劑層爲在養生中而成長氣泡之種 類之狀態下，於成長後’黏接劑層係也不含有在反射率方 -11 - (7) (7)583688 面成爲障礙之大小之氣泡。 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片之製造方法，最 好是還包含：藉由在前述感光性樹脂層上配置薄片狀圖案 - 光罩並且進行真空吸引至既定壓力爲止而密合前述感光性 / 樹脂層和前述圖案光罩之作業；在進行前述圖案曝光之作 ' 業，透過前述圖案光罩，而對於前述感光性樹脂層，照射 電離放射線；相反於前述金屬箔中之至少前述黏接劑層側 之相反側之表面，係具有藉由JIS (日本工業規格） · B0601所規定之算術平均粗度Ra在0.02//m〜l//m之範 圍內之表面粗度。在該狀態下，使得感光性樹脂層和薄片 狀圖案光罩按照該順序而進行層積之相反於金屬箔之黏接 劑層側之相反側之表面之表面粗度（算術平均粗度Ra ) 之下限値，成爲0.02 // m，因此，可以在感光性樹脂層上 重疊薄片狀圖案光罩而進行真空吸引時，容易對於感光性 樹脂層表面和薄片狀圖案光罩間之空氣，進行排氣，提高 作業效率。 籲 此外，在本發明之電磁波遮蔽用薄片之製造方法’前 述層積體之前述金屬箔，係可以使得前述黏接劑層側之表 面、或者是前述黏接劑層側之表面和相反於前述黏接劑層 ' 側之相反側之表面之兩面’進行黑化處理。在該狀態下’ 可以抑制適用於顯示器時之影像明亮度之降低。 【實施方式】 【理想實施形態之詳細說明】 -12- (8) (8)583688 以下，參照圖式，就本發明之實施形態而進行說明。 第一 A圖至第一 C圖係顯示藉由本發明之電磁波遮 蔽用薄片之某一實施形態之構造之剖面圖。 、 <整體構造> 正如第一 A圖所示，電磁波遮蔽用薄片10，係具有 在透明基材薄膜14上透過黏接劑層13而層積網目狀金屬 錫箔1 1 ’之層積構造。在此，網目狀金屬錫箔1 1 ’係發揮 · 作爲具有透明性之電磁波遮蔽層之功能，可以整個面成爲 網目狀，也可以除了周邊部以外而成爲網目狀。此外，網 目狀金屬錫箔11’係可以配合透明基材薄片14之周邊部 而進行層積，也可以在透明基材薄片14之周邊部殘留空 白而進行層積。此外，雖然並無圖示，但是，也可以在電 磁波遮蔽用薄片10之圖中上下面，層積保護薄膜。此外 ，也包含以下之圖式，圖中之上側係使用時之觀察側，圖 中之下側係使用時之背面側。 · 正如第一 A圖及第一 B圖所示，網目狀金屬錫箔11’ 係成爲緻密地配置及排列開孔部1 1 a之網目狀，其開孔部 1 1 a係正如第一 C圖所示，線幅寬w係狹窄成爲5 // m〜 ' 2 0 // m，各個縱橫之間距a、b係可以爲相同或不同，但 是，皆成爲50//m〜500/zm左右。但是，每單位面積之 開孔率係最好爲90%〜95%左右。此外，線係可以對於 水平方向（觀察時之水平方向）具有適當角度0之傾斜。 此外，所謂「網目狀」係不限定爲第一 B圖所示之格子狀 -13- 583688 Ο) ，開孔部1 1 a係也可以是四角形以外之形狀 (蜂巢狀）或圓形或者橢圓形等，皆包含在 槪念中。 此外，在第一 A圖至第一 C圖所示之 狀金屬錫箔1 1 ’係直接層積在黏接劑層1 3 如第一 D圖所示，也可以在金屬箔11’中二 側之表面，形成黑化層（黑化處理面）1 2， 1 2而層積在黏接劑層1 3上。此外，雖然並 ，也可以在相反於金屬箔1 1 ’中之黏接劑層 側之表面，形成黑化層。 <詳細構造及製造方法> 接著，藉由第二（a)〜（f)圖而一起; 至第一 C圖所示之電磁波遮蔽用薄片之製造 構造。 首先，正如第二（a)圖所示，在透明塞 單面上，透過黏接劑層13而層積金屬箔11 磁波遮蔽用薄片之層積體。 (透明基材薄膜） 作爲透明基材薄膜1 4，係可以使用丙 聚碳酸酯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂、 、聚酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚礪樹脂或 等之薄膜。通常，可以最好是使用機械強度 、例如六角形 「網目狀」之 例子中，網目 上，但是，正 二黏接劑層1 3 透過該黑化層 無圖示，但是 1 3側之相反 兒明第一 A圖 過程及其詳細 丨材薄膜1 4之 ，準備用於電 燒酸系樹脂、 聚苯乙烯樹脂 聚氯乙烯樹脂 良好且透明性 -14- (10) 高之聚乙烯對苯二甲酸酯樹脂等之聚酯系樹脂之薄膜 透明基材薄膜1 4之厚度係並無特別限定，但是 所謂具有機械強度且對於彎曲之抵抗性變大之觀點來 §舌’則最好是5 0 // m〜2 0 0 // m左右。此外，在使用 波遮蔽用薄片1 〇而層積於其他透明基板之狀態下， 不一定是該範圍以上之厚度。可以配合需要，而在透 材薄膜14之單面或兩面上，施加電暈放電處理，或 設置易接著層。 (金屬箔） 作爲金屬箔11，係可以使用銅、鐵、鎳或鉻等 屬、或者是這些金屬間之合金或以這些金屬之1種以 作爲主體之合金箔。此外，金屬或合金係並無限定爲 者。作爲金屬范1 1，係由所謂電磁波遮蔽性高、餓 易及容易處理之理由來看的話，則最好使用銅箔。在 ，由於製法不同而有壓延銅及電解銅，但是，由所謂 製造厚度l〇//m以下之相當薄者、以及厚度之均一 者是在藉由電鍍處理來形成黑化層之狀態下而和黑化 之密合性呈良好之理由來看的話，則最好使用電解銅 作爲金屬泊11之厚度，係最好爲l//m〜100// 更加理想是5//m〜20/zm。由於在金屬箔11之厚度 時，則電磁波遮蔽性變得不充分，此外，在金屬箔1 厚度過厚時，則無法忽視側面鈾刻之進行，不容易藉 刻而以既定精度，來形成開孔部之緣故。 ，由 看的 電磁 可以 明基 者是 之金 上而 前述 刻容 銅箔 容易 性或 層間 〇 m， 過薄 1之 由蝕 -15- (11) (金屬箔之表面粗度） 在此，透明基材薄膜14中之金屬箔11透過黏接劑層 13而進行層積之部位，係成爲電磁波遮蔽用薄片10之觀 察側，在金屬箔1 1和黏接劑層1 3間或黏接劑層1 3中而 存在5 0 // m以上之氣泡時，則由於光之亂反射而使得反 射率呈上升。接著，在此種電磁波遮蔽用薄片10適用於 顯示器之狀態下，使得影像之明亮度受到損害。 此種氣泡之產生，係主要起因於金屬箔11之表面（ 特別是黏接劑層1 3側之表面）粗糙。因此，作爲金屬箔 11，係最好使用其表面粗度在既定範圍內者。具體地說， 金屬箔1 1中之至少黏接劑層1 3側之表面之表面粗度，係 藉由JIS (日本工業規格）B060 1所規定之最大高度 Rmax大於0//m而未滿4//m，最好是大於0//m而3/zm 以下，更加理想是大於〇//m而2//m以下。此外，最大 高度Rmax，係指由粗度曲線開始，沿著其平均線之方向 ，僅選出基準長度，在粗度曲線之縱倍率之方向上，測定 該選出部分之山頂線和谷底線間之間隔（單位爲微米（ // m ))。 在此，在這樣所定義之金屬箔11之最大高度Rmax 成爲4 // m以上時，則在金屬箔1 1和黏接劑層1 3間之層 積（層壓）時，機械式地捲入50//m以上之直徑之氣泡 。此外，所捲入之氣泡係捲入至金屬箔1 1和黏接劑層1 3 間之界面，無法侵入至金屬箔1 1中，因此，可以侵入至 黏接劑層1 3中。所以，層積狀態下之氣泡，通常係成爲 -16- (12) (12)583688 黏接劑層1 3所含有。在此，最大高度Rmax之値越小， 則越加得到良好之結果。在實際上，於金屬箔1 1，並無 法得到最大高度Rm ax成爲0者，因此，下限係大於〇。 此外，金屬箔11之最大高度Rmax之上限値，係必 須在使用二液硬化型等之聚胺基甲酸乙酯樹脂系接著劑而 作爲黏接劑層13時，設定得更低。換句話說，使用二液 硬化型等之聚胺基甲酸乙酯樹脂系接著劑，進行層壓，然 後，在進行養生時，產生成爲硬化反應之副產物之二氧化 碳氣體，由於二氧化碳氣體而成長呈機械式地所捲入之氣 泡。因此，爲了即使由於二氧化碳氣體而進行成長，也不 會使得氣泡之直徑超過50/zm，因此，馬上層壓後之氣泡 直徑係最好爲3 0 // m以下，更加理想是20 // m以下。在 此，爲了使得在金屬箔1 1和黏接劑層1 3間之層積時、呈 機械式地所捲入之氣泡直徑成爲30//m以下，因此，最 大高度Rmax係最好成爲大於0而3 // m以下。此外，爲 了使得氣泡成爲20// m以下，因此，最大高度Rmax係最 好成爲大於〇而2 // m以下。 此外，在以上說明，考慮到金屬箔1 1中之至少黏接 劑層13側之表面之表面粗度，但是，作爲實際形態，係 可以是金屬箔11之兩面具有相同程度之表面粗度。 (黑化層） 在第二（a)〜（f)圖之各圖說明中，列舉並無形成 黑化層12之狀態，作爲例子，但是，正如第一 D圖所示 -17- (13) (13)583688 ，可以在金屬箔1 1中之黏接劑層1 3側之表面，施加黑化 處理而形成黑化層1 2 (參照第一 D圖）。此外，也可以 配合需要，而除了該黑化層12以外，還在相反於金屬箔 1 1中之黏接劑層1 3側之相反側之表面，形成黑化層。可 以藉此而在金屬箔1 1，賦予防銹效果及反射防止性。此 外，在金屬箔1 1中之黏接劑層1 3側之表面而形成黑化層 1 2之狀態下，該黑化層1 2之表面粗度係在前述範圍內。 此種黑化層係可以藉由例如C 〇 - C u合金電鍍處理而形 成，可以防止在金屬箔1 1表面之反射。此外，也可以在 其上面，施加作爲防銹處理之鉻酸鹽處理。鉻酸鹽處理係 將處理對象物，浸漬在以鉻酸或重鉻酸鹽作爲主成分之溶 液中，進行乾燥而成爲防銹被覆膜；可以配合需要，而在 金屬箔11之單面或兩面進行。 在此，作爲施加黑化處理及鉻酸鹽處理之金屬箔11 ，爲了更加簡便地，係可以利用施加這些處理之市面上販 賣之銅箔等。此外，在使用並無預先施加黑化處理之金屬 箔11時，於後面之適當作業，施加黑化處理，形成黑化 層。具體地說，例如使用對於金屬箔1 1賦予黑色系被覆 膜之電鍍法等而形成。此外，如果是在相反於金屬箔11 中之黏接劑層1 3側之相反側之表面而形成黑化層之狀態 的話，則也可以在後面敘述之作業中，使用著色成爲黑色 之組成物，而形成層積於金屬箔11上並且可以成爲光阻 劑層之感光性樹脂層1 5，在蝕刻結束後，藉由不除去光 阻劑層而殘留阻劑層，以便於形成黑化層。 -18- (14) (14)583688 此外，在金屬箔11中之觀察側之表面（相反於黏接 劑層1 3側之相反側之表面）而施加黑化處理之狀態下， 在其黑化層之可見光區域之反射率係最好爲5%以下。由 於在黑化層之可見光區域之反射率超過5 %時，則在使用 附有此種黑化層之金屬箔1 1所構成之電磁波遮蔽用薄片 1 〇而適用於顯示器之狀態下，還是會損害到影像之明亮 度之緣故。此外，可見光區域之反射率係最好爲0，但是 ，在實際施加黑化處理之銅箔之狀態下，1 %左右係成爲 下限。 (黏接劑層） 作爲黏接劑層1 3，如果可以對於金屬箔1 1和成爲樹 脂薄膜之透明基材薄膜1 4進行接著的話，係可以使用任 何一種接著劑。但是，在金屬箔11加工成爲網目狀而形 成開孔部1 1 a (參照第一 A圖至第一 C圖）之狀態下，透 過其開孔部1 1 a而透視黏接劑層1 3，因此，最好是無色 或非常接近無色之透明性高者。此外，黏接劑層1 3係最 好是即使經過後面敘述之蝕刻作業，也不會變色。 具體地說，作爲黏接劑層1 3，係可以使用丙烯酸樹 脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸乙酯樹脂、聚乙烯醇樹脂、氯 乙烯/乙酸乙烯共聚樹脂或乙烯一乙酸乙烯共聚樹脂等之 接著劑。此外，除了這些以外，也可以使用熱固性樹脂或 電離放射線硬化性樹脂（紫外線硬化性樹脂或電子線硬化 性樹脂等）。即使是在這些中，由所謂接著力高並且由於 -19- (15) 和鈾刻液間之接觸所造成之變色少之方面來看的話，則最 好使用配合聚胺基甲酸乙酯系樹脂之接著劑或飽和聚酯樹 脂和異氰酸酯硬化劑之接著劑。特別是成爲後者主劑之飽 和聚酯樹脂，係可以對於金屬箔及樹脂薄膜兩者，具有良 好之接著力，即使溫度上升，也使得變色少，充分地得到 層壓時之接著劑之流動性，並且，還可以藉由分子量之調 整而調整玻璃轉移溫度，因此，變得特別理想。 此外，此種黏接劑層1 3係正如前面敘述，最好是在 最後製品之狀態（也就是在蝕刻作業而承受蝕刻液作用後 之製品狀態），於實質上，成爲無色透明。具體地說，L *a*b*表色系之Μ値，係最好收納在-6.0〜6.0之範圍內 。在b *値未滿-6.0時，則黏接劑層1 3之綠色係變得顯著 。另一方面，在b $値超過6.0時，則黏接劑層1 3之黃色 係變得顯著，並且，在配置於PDP等之顯示器之觀察側 時，則降低綠色之亮度。在藉由一般接著劑而形成黏接劑 層13時，普通接著劑係有機材料，因此，前述b *値係大 多爲1 . 〇以上，如果附加該方面的話，則b *値係最好爲 1.0 〜6.0。 此外，正如前面敘述’作爲金屬箔1 1，係在使用厚 度比較薄之狀態下，適合爲電解銅（浸漬於電解銅液中、 進行通電而在電極圓筒上電沉積成長銅後、由該電極圓筒 而剝下所製造的）。但是，此種電解銅、其表面粗度、特 別是電極圓筒面之相反面（相反於面對著電極圓筒之表面 之相反側之表面）之表面粗度Ra係成爲0.1 // m〜1.0// m -20- (16) (16)583688 左右，有粗糙存在而變得顯著。因此，適合作爲施加黑化 處理等之觀察側之表面，但是，作爲黏接劑層1 3側之表 面，係容易在金屬箔1 1和黏接劑層1 3間之層積（層壓） 時，使得氣泡進入至界面。但是，就此種氣泡而言’如果 使用玻璃轉移溫度爲20°C〜l〇〇°C之接著劑的話，則能夠 藉由層壓時之咬入溫度而消除氣泡。 此外，在所謂埋入此種電解銅之表面粗度之方面，最 好是使得接著劑之適用量，以乾燥時作爲基準而成爲1 g/ m2〜10 g/ m2。在未滿lg/ m2，所得到之接著力係變 得不充分。另一方面，在超過1〇 g/ m2時，則無法提高 接著力，無法充分地進行塗敷時之乾燥，並且，在變色之 狀態下，使得變色變得顯著。 此外，金屬箔1 1和透明基材薄膜1 4間之層積，通常 係藉由透過黏接劑層1 3之層壓法而進行。特別是金屬箔 1 1和透明基材薄膜1 4之任何一種，係皆非接著劑所能浸 透之素材，因此，最好是使用層壓法、也就是將接著劑溶 液塗敷在金屬箔11和透明基材薄膜14之其中某一邊或兩 者間之接著面而一旦進行乾燥後、接著進行加熱而再度使 得接著劑成爲活化之方式。此外，在該狀態下，接著劑之 塗敷，一般係最好僅在透明基材薄膜1 4側而進行。此外 ，金屬箔1 1和透明基材薄膜1 4間之層積，係在單獨使用 乙烯-乙酸乙烯共聚樹脂或離子鍵聚合物樹脂等之熱熔合 性樹脂薄膜或者是層積極使用其他樹脂薄膜而作爲透明基 材薄膜14時，使得透明基材薄膜14之一部分，發揮作爲 -21 - (17) (17)583688 黏接劑層之功能，並不需要成爲不同於透明基材薄膜14 之其他構成要素而重新設置黏接劑層。 在像以上這樣而準備用於電磁波遮蔽用薄片之層積體 後，於該層積體之金屬箔11上，正如第二（b)圖所示， 層積在後面之蝕刻作業而可以成爲光阻劑層之感光性樹脂 層1 5，藉由所謂光微影法而加工成爲網目狀。 具體地說，正如第二（c )圖所示，藉由在感光性樹 脂層15之表面上，配置薄片狀圖案光罩16，透過該圖案 光罩1 6而照射紫外線等之電離放射線，以便於進行圖案 曝光。此外，感光性樹脂層1 5係也包含以後之圖式而考 慮圖示正型，但是，可以是負型或正型之任何一種。 在此，於進行此種圖案曝光時，必須密合感光性樹脂 層15和薄片狀圖案光罩16，在進行圖案曝光前，使用真 空燃燒用框架，爲了進行密合而進行真空吸引至既定壓力 爲止。 此時，在層積金屬箔1 1中之感光性樹脂層1 5側之表 面（相反於黏接劑層1 3側之相反側之表面）成爲平滑（ 鏡面）時，則形成於其上面之感光性樹脂層1 5之表面係 也成爲平滑（鏡面），因此，不容易對於密閉在感光性樹 脂層1 5表面和薄片狀圖案光罩1 6間之空氣，進行排氣， 例如爲了使得進行真空吸引至IPa爲止，需要相當長之時 但是，在層積金屬箔1 1中之感光性樹脂層1 5側之表 面成爲某種程度粗糙之粗面時，則形成於其上面之感光性 -22- (18) (18)583688 樹脂層1 5之表面係也成爲粗面，因此，容易對於密閉在 感光性樹脂層1 5表面和薄片狀圖案光罩1 6間之空氣，進 行排氣，改善作業效率。 、 由此種觀點來看的話，則層積金屬箔1 1中之感光性 會 樹脂層1 5側之表面，係最好具有藉由JIS (日本工業規格 ~ )B060 1所規定之算術平均粗度Ra在0.02// m〜1 // m 之範圍內之表面粗度。如果算術平均粗度Ra之下限値爲 該程度的話，則在使用一般之真空燃燒用框架之狀態下， 鲁 可以在1分鐘左右而進行所要求之真空吸引。此外，在考 慮金屬箔11爲電解銅之狀態時，層積金屬箔11中之感光 性樹脂層1 5側之表面之表面粗度之控制，係藉由電解銅 所成膜之電極圓筒之表面粗度來決定，因此，可以藉由利 用硏磨法等而控制電極圓筒之表面，成爲所要求之表面粗 度，以便於進行表面粗度之控制。 在此，算術平均粗度Ra越大，則就有關於真空吸引 之時間而言，越加得到良好之結果，但是，在金屬箔11 · 之算術平均粗度Ra大於1 // m，則容易在金屬箔1 1整體 ，產生歪斜，並且，也在加工成爲網目狀時，使得網目狀 線之邊緣（直線）成爲在外觀上不理想之凹凸狀，因此， 上限値係1 // m左右。 此外，前述算術平均粗度Ra之下限値，係有效地實 現在金屬箔1 1中之觀察側之表面（在形成黑化層之狀態 下之其表面）之可見光區域之反射率爲5%以下。這個係 由於就抑制反射率而言，金屬箔1 1中之觀察側之表面之 -23- (19) (19)583688 鏡面性最好比較低之緣故。 (光微影法） 將第二（a)圖所示之層積體之金屬箔H，加工成爲 網目狀，因此，正如前面敘述，首先正如第二（b )圖所 示，在層積體之金屬箔11上，層積感光性樹脂層15。然 後，正如第二（c )圖所示，藉由在該感光性樹脂層1 5之 表面上，以密合狀態而配置薄片狀圖案光罩1 6，透過圖 案光罩1 6而照射紫外線等之電離放射線1 7，以便於進行 感光性樹脂層1 5之圖案曝光。此外，在此時，並不需要 一定使用圖案光罩16，結果，如果能夠進行圖案曝光的 話，則可以使用掃描電子束之方法等之任意方法。 在此，如果感光性樹脂層1 5爲負型的話，則使得曝 光部分呈硬化，對於顯影液，成爲不溶化，但是，未曝光 部分係具有溶解性。另一方面，如果感光性樹脂層1 5爲 正型的話，則分解曝光部分，對於顯影液，成爲可溶化。 然後，使用顯影液而對於這樣所曝光之感光性樹脂層 15，進行顯影。藉由前述圖案曝光而區分成爲可溶解部分 和不可溶解部分，因此，藉由使得根據形成感光性樹脂層 1 5之感光性樹脂之種類所預先決定之顯影液，發生作用 ，以便於溶解及除去可溶解部分。此外，在感光性樹脂層 1 5爲負型之狀態下，正如第二（d )圖所示，所硬化之既 定圖案之感光性樹脂層1 5 ’係殘留在金屬箔1 1上。 接著，利用像這樣殘留在金屬箔11上之既定圖案之 -24- (20) (20)583688 感光性樹脂層1 5 ’，作爲光阻劑層，而進行金屬箔1 1之 蝕刻。在此，此種蝕刻係使用既定之蝕刻液，對於金屬箔 1 1中之並無藉由光阻劑層所被覆之部分，進行開孔，一 直進行至貫通爲止，在得到既定形狀之時間點，停止進行 〇 藉此而正如第二（e )圖所示，得到緻密地配置及排 列開孔部1 1 a之網目狀金屬錫箔1 1 ’。此外，在蝕刻結束 之時間點，在像以上這樣所得到之網目狀金屬錫箔1 1 ’上 ，依然殘留硬化之阻劑層（感光性樹脂層15’），因此， 通常藉由阻劑除去液而除去這個。接著，正如第二（f) 圖所示，露出緻密地配置及排列開孔部1 1 a之網目狀金屬 錫箔1 1 ’，得到具有透過黏接劑層1 3而將網目狀金屬錫 箔11’層積在透明基材薄膜14上之構造之電磁波遮蔽用 薄片1〇。 此外，具有前述構造之電磁波遮蔽用薄片1 0，係在 本質上，像以上這樣而進行製造，但是，也可以配合需要 ，而在前述製造過程之前後或途中，附加對於成爲加工對 象之金屬箔11之表面進行脫脂或洗淨之作業、或者是在 除去殘留之光阻劑層（感光性樹脂層1 5 ’）後而對於阻劑 除去液進行流洗之作業等。 <保護薄膜> 此外，可以在像以上這樣所得到之電磁波遮蔽用薄片 1 0上，於其表面背面（也就是網目狀金屬錫箔1 1’側及/ -25- (21) (21)583688 或透明基材薄膜1 4側），層積保護薄膜。可以藉由在網 目狀金屬錫箔11’側，層積保護薄膜，以便於保護網目狀 金屬錫箔11’之窄幅寬線，不會由於接觸等而被切斷。另 一方面’可以藉由在透明基材薄膜14側，層積保護薄膜 ，以便於保護透明基材薄膜14之露出面，不會由於處理 中或不小心之接觸等而受到損傷。此外，如果在前述製造 過程前而層積透明基材薄膜1 4側之保護薄膜的話，則也 可以在蝕刻作業中，保護透明基材薄膜1 4之露出面，不 會受到污染或侵蝕。 在此，電磁波遮蔽用薄片1 0係最後組裝至第三圖所 示之電磁波遮蔽用面板中，而在其表面背面，層積各種層 。因此，層積在電磁波遮蔽用薄片1〇表面背面之保護薄 膜，係必須在該時間點，進行剝離。所以，保護薄膜係最 好可剝離地進行層積。具體地說，剝離強度係最好爲5mN / 25mni幅寬〜5N/ 25mm幅寬，更加理想是 10mN/ 2 5mm幅寬〜100N / 25mm幅寬。在未滿下限，則剝離變 得過於容易，因此，恐怕會由於處理中或不小心之接觸等 而剝離保護薄膜，在超過上限時，則在爲了進行剝離而需 要相當大之力並且層積於網目狀金屬錫箔1 1 ’側之狀態下 ，於進行剝離時，恐怕在每一個網目狀金屬錫箔11 ’，發 生剝離。 <電磁波遮蔽用面板> 正如前面敘述，像以上這樣所得到之電磁波遮蔽用薄 •26- (22) (22)583688 片1 ο，係使用及組裝至第三圖所示之電磁波遮蔽用面板 20。第三圖係顯示具有第一 Α圖至第一 C圖所示之電磁 波遮蔽用薄片1〇之電磁波遮蔽用面板20之槪略圖。第三 圖之上側係觀察側，下側係背面側，此種電磁波遮蔽用面 板20係整體配置在並未圖示之PDP等之顯示器之觀察側 〇 正如第三圖所示，在電磁波遮蔽用面板20，於電磁 波遮蔽用薄片1 〇之金屬箔1 Γ側之上面，層積觀察側用 薄膜（前面用薄膜）3 0，在電磁波遮蔽用薄片1 〇之透明 基材薄膜1 4側之下面，按照順序地層積近紅外線吸收薄 膜40、玻璃基板50及背面用薄膜（裏面用薄膜）30’。 此外，在第三圖，由於爲了容易了解之目的，因此，相互 分離地顯示觀察側用薄膜3 0、電磁波遮蔽用薄片1 〇、近 紅外線吸收薄膜40、玻璃基板5 0及背面用薄膜3 0 ’，但 是，在實際上，這些5個層積體係相互密切地進行層積。 其中，觀察側用薄膜3 0係具有黏著劑層3 3、基材薄 膜32及多重層31，這些各個層係由電磁波遮蔽用薄片1〇 之金屬箔1 1 ’側開始而按照順序地進行層積。此外，多重 層3 1係按照順序地層積硬塗敷層、反射防止層及防污層 等之層。 近紅外線吸收薄膜40係具有黏著劑層4 1、近紅外線 吸收層42、基材薄膜43及黏著劑層44，這些各個層係由 電磁波遮蔽用薄片1 〇之透明基材薄膜1 4側開始而按照順 序地進行層積。 -27- (23) (23)583688 玻璃基板50係用以保持電磁波遮蔽用面板20整體之 機械強度、自立性或平面性。 裏面用薄膜30’係相同於觀察側用薄膜30，由玻璃基 板5 0側開始而按照順序地層積黏著劑層3 3，、基材薄膜 32’及多重層31’。 此外，第三圖所示之電磁波遮蔽用面板20係究竟只 是一個例子，最好是層積前述5個層積體，但是，也可以 配合需要，進行適當之變化，而省略某一個之層積體，或 者是準備及使用一起具有各個層積體功能之層積體。 【實施例】 (實施例1 ) 準備幅寬700mm、厚度100/zm之透明聚乙燃對苯二 甲酸酯樹脂（=PET )薄膜（東洋紡（股）公司製、品號 :A43 00 )和在單面施加黑化處理之幅寬700mm、厚度10 // m之銅箔（接著劑面（黏接劑層側之表面）之表面粗度 Rmax= 0.6 // m、Ra= 0.2 1 // m、阻劑面（相反於黏接劑層 側之相反側之表面）之表面粗度Ra = 0 · 2 // m )，使用二 液硬化型聚胺基甲酸乙酯樹脂系接著劑（武田藥品工業（ 股）公司製、以 Takerack A310(主劑）/ Takenate A10 (硬化劑）/乙基乙酸=1 2/ 1 / 2 1之質量比而進行混合 (配合比係質量基準）），藉由乾式層壓法而連續地進行 貼合，以便於使得施加黑化處理之面，成爲內側，得到總 厚度115//m之層積薄片。 -28 - (24) (24)583688 在所得到之層積薄片之PET薄膜中之並無貼合銅箔 之部位，使用層壓滾筒而貼合總厚度28 // m之保護薄膜 (Panak工業（股）公司製、品號：HT-25 )。此外，該 保護薄膜係包含PET薄膜基材，在層積於該PET薄膜基 材中之層積薄片上之部位，層積黏著劑層，在並無層積黏 著劑層之部位，施加電暈放電處理。 藉此而得到整體由保護薄膜/ PET薄膜/黏接劑層/ 銅箔所構成之構造之層積體。此外，說明層積體時之記號 「/」，係顯示該記號前後者呈一體地進行層積之狀態。 在附有此種保護薄膜之層積體之銅箔側，塗敷酪蛋白 ，進行乾燥而成爲感光性樹脂層。然後，在該感光性樹脂 層上使用真空燃燒用框架而密合薄片狀圖案光罩後，接著 ，進行藉由紫外線所造成之密合曝光。光罩之圖案係使用 間距3 00 // m、線幅寬1 0 /z m之網目圖案形成於600mmx 800mm之範圍內者。 接著，在像這樣進行密合曝光後，接著，使用水而進 行顯影，施加硬化處理後，然後，在1 〇〇°C之溫度，進行 烘烤，成爲阻劑圖案。 在形成阻劑圖案之前述層積體，由阻劑圖案側開始而 使得氯化鐵溶液（波美度：4 2、溫度：6 0 °C )進行噴霧， 進行鈾刻後，進行水洗，接著，使用鹼溶液而進行阻劑圖 案之剝離，在剝離後，進行洗淨及乾燥，得到由保護薄膜 / PET薄膜/黏接劑層/網目狀銅箔所構成之構造之附有 保護薄膜之電磁波遮蔽用薄片。 • 29 - (25)583688 (實施例2〜5及比較例1〜3 ) 除了使用下列第一表所示之Rinax及Ra値 泊以外，其餘係相问於實施例1而進行，得到由 / PET薄膜/黏接劑層/網目狀銅箔所構成之構 例2〜5及比較例1〜3之附有保護薄膜之電磁波 片0 (評價結果） 以在實施例1〜5及比較例1〜3所得到之附准 膜之電磁波遮蔽用薄片，作爲試料，評價Rmax、 泡（有無氣泡、氣泡之大小（直徑、單位：// m ) 空吸引時間（單位：秒鐘）及外觀。將該結果，屬 列之第一表。此外，「真空吸引時間」係指在感为 層上使用真空燃燒用框架而密合薄片狀圖案光罩時 始進行真空吸引至真空度成爲IPa爲止之所需要；5 這個係最好未滿1 00秒鐘。就「外觀」而言，藉ΰ 觀察由於氣泡或變色所產生之不透明化、混濁及變 光學特性，使得顯著劣化者，成爲不合格（NG ) 例1〜5係全部合格。比較例1〜2係外觀不合格， 3係花費相當長之真空吸引時間。 作爲銅 護薄膜 之實施 蔽用薄 保護薄 Ra、氣 )、真 示在下 性樹脂 而由開 時間。 目視而 色等之 。實施 比較例 -30- (26)583688 [第一表]

項目 試料 銅箔之表面粗度 氣泡 (//m) 真空吸引 時間 外觀 接著劑面 阻劑面 Rmax (//m) Ra (//m) Ra (//m) 實施例1 0.6 0.21 0.21 姐 j\w 30秒鐘 OK 實施例2 0.6 0.02 0.02 姐 川N 90秒鐘 OK 實施例3 2 0.20 0.20 20 25秒鐘 OK 實施例4 3 0.30 0.30 30 23秒鐘 OK 實施例5 3.8 0.31 0.31 45 23秒鐘 OK 比較例1 6 0.43 0.43 100 20秒鐘 NG 比較例2 4 0.32 0.32 50 23秒鐘 NG 比較例3 0.6 0.01 0.01 川、 — 110秒鐘 OK

【圖式簡單說明】 第一 A圖至第一 C圖係顯示藉由本發明之電磁波遮 蔽用薄片之某一實施形態之構造之圖式； 第一 D圖係顯示藉由本發明之電磁波遮蔽用薄片之 其他實施形態之構造之圖式； 第二圖係顯示第一 A圖至第一 c圖所示之電磁波遮 蔽用薄片之製造過程之作業圖； 第三圖係顯示具有第一 A圖至第一 C圖所示之電磁 波遮蔽用薄片之電磁波遮蔽用面板之某一例子之圖式。 -31 - (27)583688 【圖號說明】 Θ 角 度 a 間 距 B 間 距 W 線 幅 寬 10 電 磁 波 遮 蔽 用 薄 片 11a 開 孔 部 1 Γ 網 巨 狀 金 屬 錫 箔 12 里 丨、N 化 層 13 黏 接 劑 層 14 透 明 基 材 薄 膜 15 感 光 性 樹 脂 層 15’ 感 光 性 樹 脂 層 16 圖 案 光 罩 17 電 離 放 射 線 20 電 磁 波 遮 蔽 用 面 板 3 0 觀 察 側 用 薄 膜 ( 刖 面 用 薄膜） 3 0’ 背 面 用 薄 膜 ( 裏 面 用 薄 膜） 3 1 多 重 層 3 1 ’ 多 重 層 32 基 材 薄 膜 3 2’ 基 材 薄 膜 3 3 黏 著 劑 層 3 3 J 黏 著 劑 層

-32- (28)583688 40 近 紅 外 線 吸 收 薄膜 4 1 黏 著 劑 層 42 近 紅 外 線 吸 收 層 43 基 材 薄 膜 44 黏 著 劑 層 50 玻 璃 基 板

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Claims (1)

1. (1) (1)583688 拾、申請專利範圍 1. 一種電磁波遮蔽用薄片，其特徵爲：具有： 透明基材薄膜；以及， · 網目狀金屬錫箔，透過黏接劑層而層積在前述透明基 / 材薄膜之單面上，緻密地配置及排列開孔部；此外， . 前述金屬箔中之至少前述黏接劑層側之表面，係具有 藉由 JIS (日本工業規格）B060 1所規定之最大高度 Rmax大於0//m而未滿4//m之表面粗度。 參 2. 如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 ，其中，前述最大高度Rmax係大於〇//m而2/zm以下 〇 3 .如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 ，其中，相反於前述金屬箔中之至少前述黏接劑層側之相 反側之表面，係具有藉由JIS (日本工業規格）B060 1所 規定之算術平均粗度Ra在0.〇2//m〜1/zm之範圍內之表 面粗度。 β 4.如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 ，其中，在前述金屬箔中之前述黏接劑層側之表面，形成 黑化處理面。 5 .如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 ，其中，在相反於前述金屬箔中之前述黏接劑層側之相反 側之表面，形成黑化處理面，在前述黑化處理面之可見光 區域之反射率係5 %以下。 6.如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 -34- (2) (2)583688 ，其中，前述黏接劑層所含有之氣泡直徑係未滿5 Ο // m。 7. 如申請專利範圍第一項所記載之電磁波遮蔽用薄片 ，其中，前述黏接劑層所含有之氣泡直徑係20/zm以下 〇 8. —種電磁波遮蔽用薄片之製造方法，其特徵爲：包 含： 藉由在透明基材薄膜之單面，透過黏接劑層，層積金 屬箔，而形成電磁波遮蔽用薄片之層積體之製程； 在前述層積體之前述金屬箔上，層積感光性樹脂層之 製程； 對於層積在前述層積體之前述金屬箔上之前述感光性 樹脂層，藉由既定圖案而照射電離放射線，進行圖案曝光 之製程； 對於進行圖案曝光之前述感光性樹脂層，進行顯影， 而殘留既定圖案之光阻劑層之製程；以及， 藉由透過前述光阻劑層而蝕刻前述層積體之前述金屬 箔’以便於形成緻密地配置及排列開孔部之網目狀金屬錫 箔之製程；此外， 前述金屬箔中之至少前述黏接劑層側之表面，係具有 藉由JIS (日本工業規格）B060 1所規定之最大高度 Rmax大於0/zm而未滿4//m之表面粗度。 9 ·如申請專利範圍第八項所記載之電磁波遮蔽用薄片 之製造方法，其中，前述最大高度Rmax係大於〇 V m而 2 // m以下。 -35- (3) (3)583688 1 0.如申請專利範圍第八項所記載之電磁波遮蔽用薄 片之製造方法，其中，還包含：藉由在前述感光性樹脂層 上配置薄片狀圖案光罩並且進行真空吸引至既定壓力爲止 j 而密合前述感光性樹脂層和前述圖案光罩之製程； / 在進行前述圖案曝光之作業，透過前述圖案光罩，而 對於前述感光性樹脂層，照射電離放射線； 相反於前述金屬箔中之至少前述黏接劑層側之相反側 之表面，係具有藉由JIS (日本工業規格）B 060 1所規定 參 之算術平均粗度Ra在〇.〇2//m〜1/zm之範圍內之表面粗 度。 11.如申請專利範圍第八項所記載之電磁波遮蔽用薄 片之製造方法，其中，前述層積體之前述金屬箔，係使得 前述黏接劑層側之表面、或者是前述黏接劑層側之表面和 相反於前述黏接劑層側之相反側之表面之兩面，進行黑化 處理。 -36-