TW583658B - Optical data medium containing, in the information layer, a phthalocyanine dye as a light-absorbing compound - Google Patents

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TW583658B
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Horst Berneth
Karl-Friedrich Bruder
Wilfried Haese
Karin Hassenruck
Serguei Kostromine
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Description

583658 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（ 射波長λ/Μ換算。似為所使 儘可能高的f轉紐爾航徑。為獲得 u主道“， 則儘可能短的波長λ。目前， 1體㈣二極體為基礎，39G麵錢可能的。 專利文獻敘述，可錄製之先學資料 =且 =於CM™_R系統心!= m施）。在此，為使讀出訊號能有高的 射率:：的調變振幅，並為使錄製期間有著充分 用如下的事實：CD_R#IR波長78以鮮係位 =料吸㈣中長波長-_下部，❿dvd_r的紅光波 、635麵求或㈣老鮮則是位於染料吸收峰中短波長 一側的下部（比較 ΕΡ·Α 519 395 及 waA _9522)。 此概念於 JP-A 02 557 335、JP_A 10 058 828、爪八 ％ 336 086、JP-A 02 865 955、w〇_A 〇9 917 284 及 us a 5 旅 _ 中被延伸至包括吸收峰中短波一側之請麵求區域以及 長波一側中之紅光與IR區域的操作波長。 除了上述的光學性質之外，含有光吸收有機物質之可 錄製資訊層必須儘可能具有非晶形形態學以便在錄製及讀 出期間將雜§fL降低至表小。為達此目的，特別較佳為，若 疋於〉谷液中經由自旋式塗布，經由錢射或經由蒸氣沈積及 /或昇華以施用該物質的期間中，在隨後的真空中以金屬 或介電質層過度塗布期間中，應避免光吸收物質的結晶。 光吸收物質之非晶態層，較佳應具有高的熱變形抗 性，否則經由濺射或蒸氣沈積將有機或無機物質的另外一 層塗至光吸收資訊層時，將會因通過擴散而受到干擾並因 ^ ------—^---------^_wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
91· 1. 2,000 583658 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此不利的影_反射率。此外，在聚合性物質界面上具有 太低的熱變形紐之光魏㈣可擴散錢者，並 次不利地影響到反射率。 # 若光吸收物質具有太高的蒸氣壓時，在高度真空中， 延伸層於上述濺射或蒸氣沈積期間，該物質會進行昇華， 並因而減少所需該層厚度。因而導致不利影響反射率。 因此，本發明之目的在於提供符合高度要求（例如光 的穩定性、有利的訊號/雜訊比率、無破壞性塗至底材材 料等等）之適當化合物以便在可單一次錄製之光學資料媒 體之資亂層使用，特別是針對使用雷射波長範圍從360至 460毫徵米之高密度可錄製之光學資料儲存袼式。 令人驚奇地，現已發現到含有酞花青類之光吸收化合 物可相當優越地完成上述所需之輪廓。酞花青類在對雷射 重要的360-460老徵求波長範圍，即b或索雷(s〇ret)譜帶 中具有強烈的吸收。 因此，本發明相關於一種含有較佳通透底材之光學資 料媒體，其可視需要塗布以一層或更多層反射層，並於該 底材表面上，使用光對該資訊層進行錄製；其視需要可應 用一層或更多層反射層以及視需要可外加保護層或另外的 底材或覆蓋層；其可使用藍光，較佳為雷射光，特別較佳 為360-460毫徵若，特別是380-420毫徵米，非常特別較 佳為以390-410亳徵茗之光來進行錄製並讀入，而含有光 吸收化合物及視需要結合劑之資訊層，其特徵則是在於使 用至少一種酞花青以作為光吸收化合物。 5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一-裝
I— — II I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91. 1. 2,000 583658 A7 B7 五、發明說明（4) 於較佳具體實施例中，所使用之酞花青為具式(I)化合 物 MPc[R3]JR4]x[R5]y[R6]2 其中 Pc代表酞花青， Μ代表一個獨立的Η原子’代表一價金屬原子或代表 式(la)三價軸向經單取代之金屬原子 (I) (la), 或代表式(lb)四價軸向經二取代之金屬原子 ί1 Me I X〇 (lb) 或代表式(Ic)三價轴向經單取代及軸向經 屬原子 單配位之金 f1 Me (Ic) -------------------訂------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，在帶電荷配位基X2或Xl情形中，電荷可經相 ί反離子，例如陰離子An—或陽離子Kat+所對消， X和X各自獨立，代表鹵素，例如F、ci、Br、I、羥基、 氧、氰基、硫代氰酸基、氰酸基、稀基、块基、芳破 基、二烷胺基、烷基、烷氧基、醯氧基、烷硫基、芳 基方氧基、-0-S02R、-0-PR1()rii、_〇_p(〇)ri2ri3、 t s @ ii^7^S)A4 2,
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B 、發明說明（ r3 4 Sli^ RR、順2、垸胺基以及雜環性胺基團， 和R各自獨立’代表鹵素，例如F、^、所、 I一氰基、確基、絲、芳基、燒胺基、二烧胺基、 烷氧基、烷硫基、芳氧基、芳硫基、s〇3H、s〇2NRiR2、 C02R9、coNRlR2、通<0117或具式刺J基團， 其中 代表來自直接鍵結、、c〇、CH(絲）、C(烧基)2、 NH 、〇或-CHCH-所成群之橋員，代表橋員 B化學上合理的序列，其中m從丨至1〇，較佳瓜為 1、2、3 或 4 〇 請 先 閱 讀 背 面 注 t 項 再 填 寫 本 頁
D 代表下式氧化還原系統之單價基 團 (還原） 或 0 ©
ZtlltzCH-CHlXlY- (氧化） 釕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或代表金屬茂基或金屬茂基羰基 ，而欽、鎮、鐵 或锇係適合作為金屬中心。 Z1和Z2各自獨立，代表NR，R，，、OR"或SR，，， γ1代表NR’、〇或s，γ2代表NR，， n 代表1至10，以及 R和R各自獨立，代表氫、烧基、環烧基、芳基或雜芳 基’或與下式中C原子之一形成直接鍵結或架橋
X 297公釐） 583658 五、發明說明（6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 卞h=ch允或卞卜畔 獨立，代表。至4且二，二 R1和立等戶、燒基、經、或芳基，或 R至R各自獨立，代表錄、芳基、雜 地是代表絲、芳顧料基，，風’特別 An ^表陰離子，特別地是代表鹵化物 ::酸根離子、草酸根離子、乳酸根離 ΐΓο：仰化、啊—'啊肩〇： 子之表式(Ic)基團’特別地其係具有作為金屬原 〇 ) ’較佳之雜環性胺配位基或取代基，χ】和X2， 為嗎福喷、六氫妨、六氫♦井、。比。定、2»比咬、仏 „塔口井、σ密咬、咪哇、笨并咪嗤、異十坐、笨并異 σ亏唾、"亏唾、笨并坐、笨并較、料、t各、 ’朵以及3,3-二曱基，朵，其各自可在氮原子處經金屬原 子所配位或取代。 烷基、烷氡基、芳基及雜環基團可視需要帶有另外的 基團，例如錄、_素、錄、舰基 '胺基、烧胺基、 二烷胺基、硝基、氰基、c〇-nh2、烷氧基、烷氧羰基、 馬福°林基、/、鼠吼。定基、吼嘻。定基、吼略咬酮基 '三烧基 I 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 91. 1. 2,000 583658 A7 B7 五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 甲矽烷基、三烷基甲矽烷氧基或苯基。烷基和烷氧基可為 飽和、未飽和，直鏈或支鏈，烷基可部份豳化或過鹵化， 且烷基和烷氧基可被乙氧化、丙氧化或矽烷基化。芳基或 雜環鄰近的烷基及/或烷氧基可一起形成三或四員架橋。 較佳之式(I)化合物為該等符合底下基團R1至R16且 配位基或取代基為X1和X2者： 帶有“烷基”名稱為取代基者，較佳係記為CrCi6-烷基’特別是CrCV烧基，其視需要可經鹵素，如氣、溴 或氟’羥基，氰基及/或crc6-烷氧基所取代； 帶有“烷氧基”名稱為取代基者，較佳係記為^^^ 烷氧基’特別是crcr烷氧基，其視需要可經鹵素，如氣、 溴或氟，羥基，氰基及/或CrC6-烷基所取代； π帶有“環絲”名稱為取代基者，較佳係記為 壞絲，特別是c5•至cv環院基，其視需要可經函素， 如氣嫌溴錢，，祕，氰基及/或々絲所取代； π有烯基名稱為取代基者，較佳係記為烯 基，其視需要可經«，如氣、㈣a，錄，氰基及/ 或C1icr垸基所取代，特別地是㈣基指文為烯丙基； 二有m雜芳基名稱為取代基者，較佳係代表具有5-至7_員ί衣之雜環性基團，其較佳係含有 原子，並視轉可與㈣性軸合或視需要 =夕±的取代基’例如齒素、經基、氰基及/或统基， t係另較佳者：吼。定基、吱、嗔吩基、十坐基、嗔 土、味唾基、㈣基、苯并。f絲及苯并咪嗤基； i紙張尺細中國 X 297公釐） 91. 1. 2,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
H ϋ i·— n^OJ» ·ΜΜ MM I MM aw I *^ιι^^ι·ι I 583658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（8) 帶有“芳基”名稱為取代基者，較佳為C6-C1()-芳基， 特別是笨基或萘基，其視需要可經齒素，例如F或C1， 羥基，氰基，C「C6-烷基，CrC6-烷氧基，N02及/或CN 所取代。 R3、R4、R5和R6，各自獨立，較佳係代表氯、氟、溴、 碘、氰基、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁 基、第三-丁基、戊基、第三-戊基、羥乙基、3-二甲 基胺丙基、3-二乙基胺丙基、苯基、對-第三-丁苯基、 對-甲氧基苯基、異丙苯基、三氟甲苯基、萘基、甲 胺基、乙胺基、丙胺基、異丙胺基、丁胺基、異丁胺 基、第三-丁胺基、戊胺基、第三-戊胺基、苯甲胺基、 甲苯基己胺基、羥乙胺基、胺基丙胺基、胺基乙胺基、 3·二甲胺基丙胺基、3-二乙胺基丙胺基、二乙胺基乙 胺基、二丁胺基丙胺基、嗎福咁基丙胺基、六氫吡啶 基丙胺基、σ比洛咬基丙胺基、吼117各咬_基丙胺基、3-(甲基羥乙胺基)丙胺基、甲氧基乙胺基、乙氧基乙胺 基、甲氧基丙胺基、乙氧基丙胺基、甲氧乙氧基丙胺 基、3-(2·乙基-己氧基)丙胺基、異丙氧基丙胺基、二 甲胺基、二乙胺基、二乙醇胺基、二丙胺基、二異丙 胺基、二丁胺基、二異丁胺基、二·第三-丁胺基、二 戊胺基、二-第三-戊胺基、雙(2-乙己基)胺基、雙(胺 丙基)胺基、雙(胺乙基)胺基、雙(3-二甲基胺丙基)胺 基、雙(3-二乙基胺丙基)胺基、雙(二乙基-胺乙基)胺 基、雙(二丁基胺丙基)胺基、二(嗎福咁基丙基)胺基、 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91. 1. 2,000
Ρ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 583658 Α7 Β7 五、發明說明（） 二(六氫吡啶基丙基)胺基、二（吡咯啶基丙基)胺基、 二（吡咯啶酮丙基)胺基、雙(3-(甲基-羥乙胺基）丙基) 胺基、二甲氧基乙胺基、二乙氧基乙胺基、二甲氧基 丙胺基、二乙氧基丙胺基、二（甲氧基乙氧乙基)胺基、 二（甲氧基乙氧丙基)胺基、雙(3-(2-乙己氧基)丙基)胺 基、二(異丙氧基異丙基)胺基、甲氧基、乙氧基、丙 氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三-丁氧基、 戊氧基、第三-戊氧基、曱氧基乙氧基、乙氧基乙氧 基、甲氧基丙氧基、乙氧基丙氧基、甲氧基乙氧基丙 氧基、3-(2-乙己氧基）丙氧基、甲硫基、乙硫基、丙 硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第三-丁硫基、 戊硫基、第三-戊硫基、苯基、甲氧基苯基、三氟甲 基苯基、萘基、C〇2R7、CONFER2、NH-COR7、S〇3H、 SC^NW或較佳代表下式基團 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
其中· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (B)m代表 *—C—0— ， -CH2-〇-，^C2H4-0- » tCH(CH3)0- Ο 11 91. 1. 2,000 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583658 A7 B7 五、發明說明（1Q) —c—OCH— t 行一〇C2H4 〇 或 ό!... ， 其中星號(*)意指與5-員環鍵結， 、 Μι代表Μη或Fe陽離子， w、x、y和z，各自獨立，代表〇至4且w+x+y+z<12， NRiR2較佳係代表胺基、甲胺基、乙胺基、丙胺基、異丙 胺基、丁胺基、異丁胺基、第三-丁胺基、戊胺基、 第三-戊胺基、笨甲胺基、曱苯基己胺基、2-乙基-1-己胺基、羥乙胺基、胺基丙胺基、胺基乙胺基、3-二 甲胺基丙胺基、3-二乙胺基丙胺基、嗎福啡基丙胺基、 六氫吡啶基丙胺基、吡咯啶基丙胺基' 吡咯啶酮基丙 胺基、3-(曱基羥乙胺基）丙胺基、曱氧基乙胺基、乙 氧基乙胺基、甲氧基丙胺基、乙氧基丙胺基、甲氧乙 氧基丙胺基、3-(2-乙己氧基）丙胺基、異丙氧基異丙 胺基、二甲胺基、二乙胺基、二丙胺基、二異丙胺基、 一丁胺基、二異丁胺基、二-第三-丁胺基、二戊胺基、 二·第三-戊胺基、雙(2-乙己基)胺基、二經乙胺基、 雙(胺丙基)胺基、雙(胺乙基)胺基、雙(3_二甲基胺丙 基)胺基、雙(3-二乙基胺丙基)胺基、二(嗎福σ林基丙 基)胺基、一(六比咬基丙基)胺基、二(σ比π各咬基丙 基)胺基、二(吼咯啶酮丙基)胺基、雙(3-(甲基·羥乙胺 基)丙基)胺基、二甲氧基乙胺基、二乙氧基乙胺基、 二甲氧基丙胺基、二乙氧基丙胺基、二（甲氧基乙氧 丙基)胺基、雙(3-(2-乙己氧基)丙基)胺基、二(異丙氧 基異丙基)胺基、苯胺基、對-曱苯胺基、對-第三_丁 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱了 91. 1. 2,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583658 A7 __B7 發明說明（n) 苯胺基、對_甲氧基笨胺基、異丙苯胺基或萘胺基， 或NRiR2較佳代表吼σ各π定基、六氫吼0定基、六氫0比 畊基或嗎福咁基， R7和R16，各自獨立，較佳代表氫、甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、第三-丁基、戊基、第三_戊 基、苯基、對-第三-丁笨基、對_甲氧基苯基、異丙苯 基、對-三氟甲苯基、氰苯基、萘基、4_σ比啶基、2-σ比 啶基、2-喳咁基、2-吡咯基或2-,蜂基， 對烷基、烷氧基、芳基及雜環性基團而言，視需要攜帶有 另外的基團，例如烷基、齒素、羥基、羥烷基、胺基、烷 胺基、二烷胺基、硝基、氰基、、烷氧基、烷氧 Ik基、嗎福σ林基、六氫σ比α定基、吼略。定基、吼洛咬_基、 二烷基甲矽烷基、三烷基甲矽烷氧基或苯基是可能的，就 烷基及/或烷氧基而言，係可為飽和、未飽和、直鏈或支 鏈，就烷基而言，係可部份經鹵化或過鹵化，就烷基及/ 或烷氧基而言，係可經乙氧基化、丙氧基化或矽烷基化， 並且可與芳基或雜環性基團上鄰近之烷基及/或烷氧基一 起形成四員架橋。 於本申請案内容中，氧化還原系統係經瞭解為特別是 應用化學1978，第927頁以及現行化學專題，卷92，第 1頁（1980)中所述之氧化還原系統。 對-笨二胺、苯并。塞畊、二氫吩畊、二σ比咬鑌鹽（紫 精(viologen))及醌二甲烷為較佳。 於較佳之具體實施例中，式(I)之酞花青類， 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS— (21Q x 297公爱y 91. 1. 2,000 A7 五發明說明（12) 其中係使用 &代表兩個獨立的Η原子或代表選自Cu、Ni、Zn、Pd、
Pt、Fe、Μη、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Cd、Hg、 M Pb和Sn所成群之二價金屬原子Me，或 代表式(la)之三價軸向單取代金屬原子，其中金屬Me 係選自 Al、Ga、Ti、In、Fe 和 Μη，或 代表式(lb)之三價轴向二取代金屬原子，其中金屬Me 係選自 Si、Ge、Sn、Zr、Cr、Ti、Co 和 V。 χι和χ2特別較佳為鹵素，特別是氣，芳氧基，特別是苯 氧基，或烷氧基，特別是甲氧基。 反介代表特別是鹵素、院基或crc8-院氧基。 式I之酞花青類，其中Μ代表式(la)或(lb)之基團且 w ' X、y和Z各別代表0以及Χι及/或χ2各別表示鹵素 時為特別較佳者。 根據本發明所使用之酞花青類，其係可經已知之方法 製備得，例如： 〜藉由合成從相對應之經取代酞二腈，在對應的金屬、 金屬鹵化物或金屬氧化物存在下所得之晶核， 一藉由化學修飾酞花青，例如藉由對酞花青類硫氣化或 氣化作用並進一步進行反應，譬如自其結果所得之產 物縮合或取代， 一軸向取代基Xi和X2通常係自相對應之鹵化物經由交 換而製備得。 光吸收化合物較佳應具有熱修飾性。熱修飾作用較佳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨裝 tr--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 91. 1. 2,000 583658 A7 B7 五、發明說明（ 13 係在溫度<600°C時受影響。該等修飾作用可為，例如對 光吸收化合物發色中心進行分解或化學修飾。 在此所述之光吸收物質，以藍光，特別是雷射光，較 佳係以具有光波長範圍在360至460毫微米聚焦之點發光 期間’對於未錄製狀態之光學資料媒體保證具有充分高的 反射性並對於資訊層之熱降解具有充分高的吸收。資料媒 體上錄製與未錄製部份間之對比係根據入射光的振幅以及 相經由反射性的變化而實現，待經熱降解後，結果改變了 資訊層的光學性質。 換句活έ兒’光學資料媒體較佳係經由使用具有36〇_46〇 宅微米波長之雷射光來錄製並讀出。 以酞花青類作塗布較佳係經自旋式塗布、濺射或真空 蒸氣沈積而影響。經_射或真空蒸氣沈積時，特別地， 使得施用酞花青類，其係秘於有機或水性介f成為可 能，較佳地，該等是式(1)，其中w'x、y#nz各別代表〇 且Μ代表 于1 Si I X〇 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I ϋ n n n 1 n n I _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二或& ’其中Xl和Χ2具有前述意義。 =地丄該等可溶於有機或水性介質之敗花青類係適 作應用。此等酞花青類可互相混合或與 其他具有她光學性f之染料混合1訊層可含有添加 劑’例如結合劑、溼潤劑、安定劑、稀釋劑和敏烕劑 及另外的成份和酞花青類。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 S 297公f 以 91. 1. 2,000 583658 A7 B7 五、發明說明（ 光學資料儲存，除了資訊層 _ 層，例如金屬層、介電層以及’帶有另外的各 =來，_率以及4::==係 銀、銘、合金料，端視雷射〜1金屬可為金、 以及保護獏 二氧化碎及氮切。保護層為1 。；ί電層為，例如 及保護膜。 ’、s ”，、例如光固化塗料、黏合層 f可供選擇地，光學資料媒體之結構可為： 各有較佳透明底材於至少—層一 作為錄製，視需要含有s其可使用光 層且另外較佳:=:=以及視需要之黏合 含有輕伟夕；悉BH泛4*冬士人；a a _ 頁 心〜四啊外可採用。 s有較佳之剌底材於視需要之 為錄製之至少一層資訊声、使用忐作 ^ !貝甙層、硯需要之黏合層之声‘ 上’並且可採用透明霜筌层。 衣Φ CD-R 1 :層 既層 /反射層 保護層
DVD-R 高容量礙盤 訂 基層 基層 反射層 資 — A 訊層 毒占 [蓋層 本發明另相關於根據本發明之光學資料媒體，其係可 使用藍光，特別是雷射光，特別較佳為具有36〇_46〇毫微 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 “（210 X 297公£" ^ 2*〇0〇 583658 A7 Β7
米波長之雷射光來進行錄製。 底下之貫施例係在說明本發明之標的。 實施例 f施例1
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於南度真空（壓力尸》2.1〇-5老巴）中，以約5赛/秒之 速率，藉由蒸氣沈積，從抗熱性鉬船中將染料單氯_鋁_酞 花青(AlCIPc)塗至預具凹溝之聚碳酸酯底材上。塗層厚度 約為70毫徵茗。將該預具凹溝之聚碳酸酯底材經由注射 成型製成磁盤。此磁盤之直徑為120著若而其厚度為06 笔米。注射成型法中所應用之具凹溝結構其有約1徵米的 執道間隔，且凹溝深度和凹溝半寬長分別為約150毫徵求 和約260老徵求。將以染料塗層作為資訊載體之磁盤以蒸 氣沈積塗以100老徵茗之Ag。隨後，經由自旋式塗布進 行可UV製程之丙烯酸酯塗層並經由]JV燈進行製程。使 用動態錄製試驗設備進行測試，其係置於光學台上，其含 有用來產生線型極化雷射光之GaN二極體雷射（λ=405 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐）
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π裝 ----訂--------- 9^· 1. 2,000 583658 A7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ------- B7 發明說明（16 ) 盤/政米）—’偏極化敏感之光束分流器，λ/4平板以及具有 值孔！ A^G.65 (傳動裝置透鏡）之可移動懸式聚光透 ^將被磁盤所反狀U及藉祕上述偏極嫌感之光 分流器所分出之光束途徑偶合，並經由像散透鏡聚焦至 四象限偵測器上。於線速度F=5 24求/麥且寫入力^=13 瓦下，則仔说號/雜说比iS7A『=25分身。以此寫入力作鼻 脈衝序列，該磁盤在上述寫人力&下經…= ^且在頃出力尸r=〇.44毫无下以4邀矽交替照射。該磁 盤經以該脈衝序列照射直到其完成一次回轉。將如此所產 ^之標記以讀出力Θ.44紅讀出，並記錄上述之訊號/ 雜訊比5^。i^L2
經由類似於實施例1之蒸氣沈積，將厚45老徵若塗 層之染料二氣-矽-酞花青塗至具有相同厚度及凹溝結構之 磁盤上。使用相同的光學設備以及相同的錄製策略（寫入 力户w-13君瓦’讀出力Pr=〇.44老无）’於線速度v=4.19 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91. 1. 2,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 Ϊ 0. i emmm§ n n ^ I ϋ ϋ ·ϋ I fl— IK I i 583658 A7 _B7_ 五、發明說明（17 ) #7沙下測得訊號/雜訊比W=46分身。 底下實施例中之酞花青類亦使用類似於實施例1和2 之方法並顯示相較的性質。 實施例3
以類似於實施例1之蒸氣沈積，於各例中，將厚70 毫徵茗塗層之染料苯氧基-鋁-酞花青塗至具有相同厚度及 凹溝結構之磁盤上。如於實施例1中，使用相同的光學設 備以及相同的錄製策略（寫入力Pw=13老无，讀出力 毫瓦），於線速度F=5.24若/#下，測得訊號/雜 訊比5/Λ/=22分启。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼•裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 例 施 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91. 1. 2,000 583658 A7 B7 五、發明說明（18 )
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 以類似於實施例1之蒸氣沈積，於各例中，將厚70 毫羧茗塗層之染料二苯氧基-矽-酞花青塗至具有相同厚度 及凹溝結構之磁盤上。如於實施例1中，使用相同的光學 設備以及相同的錄製策略（寫入力尸w=13毫瓦，讀出力 Pr=0.44著瓦），於線速度F=5.24米/#下，測得訊號/雜 訊比5/#=23分启。 實施例5 —訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91. 1. 2,000

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  1. 申請專利範 圍 2. 二ί含Γ佳透明底材之光學㈣媒體，其視需要已 二布-層或更多層反射層，並且在其表面上具有一層 °以使用光作騎製之資訊層，視需要之—層咬更多 t射層以及視需要之保，或可外加另外的底材 或覆盍層，該資料髓可使職光，較佳為雷射光進 仃錄製並讀人’該魏層係含有光魏化合物以及視 需要之結合劑’其特徵為使用至少-種敵花青染料作 為光吸收化合物。 根據申請專利範圍第i項之光學資料媒體，其特徵在 於對應式(I)之酞花青染料 (1)， 其中 Pc代表欧花青， Μ代表二個獨立的H原子，代表二價金屬原子或 代表式(la)之三價軸向經單取代之金屬原子 (la) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 或代表式(lb)之四價軸向經二取代之金屬原子 ί1 Me I X。 (lb) 或代表式(Ic)之三價軸向經單取代及軸向經單 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）
    583658 A8 B8 C8 —------ 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 式(lb)之三價金屬原子，其中Me代表si、Ge、 Sn、Zn、Cr、Ti、Co 或 V 〇 4.根據申請專利範圍第2項之光學資料媒體，其特徵為 Μ代表式(la)或(Ib)之基團，其中Me代表八丨或&， x!和&代表鹵素，特別是氣，芳氧基，特別是笨氧 基，或烷氧基，特別是甲氧基，且 〜、乂1和2各別代表〇。 5· 一種用於製備根據申請專利範圍第1項之光學資料媒 體之方法’其特徵在於具有一種較佳的透明底材，其 視需要已塗布一層反射層，該層係塗布酞花青染料， 視需要組合適當的結合劑及添加劑及視需要之溶劑， 並且視需要提供反射層，另外的中間層以及視需要之 保護層或另外的底材或覆蓋層。 6· 一種用於製備根據申請專利範圍第5項之光學資料媒 體之方法，其特徵在於敵花青染料之塗布係受到自旋 式塗布'濺射或蒸氣沈積所影響。 7· 一種具有可錄製資訊層之光學資料媒體，其係經由使 用藍光，較佳為雷射光，特別是具有36〇-46〇毫微米 波長之雷射光於根據申請專利範圍第1項之光學資料 媒體上進行錄製。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583658 Α7 Β7 專利申請案第90123262號 五、發明說明（υ \ °ιφ kuu Fatent Appln. ino.^u 123202 修正後無劃線中文說明書修正頁-附件（ Amended Pages of the Chinese Specification - Enc (民國92年10月送呈) (Submitted on October yy, 2003) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 η 社 印 製 先前技藝 本發明相關於可單一次錄製之光學資料媒體，其資訊 層中含有至少-種可作為光吸收化合物域花青染料，以 及製造彼等之方法。 使用光吸收物質或其混合物之可單一次錄製之光學資 料媒體特別適合賴高紐可錄製之光學資料媒體情況 中，其係以藍光雷射二極體進行操作，特別是在以GaN或 SHG雷射一極體（勝糊毫徵未）及/或使用紅光（奶 -660 老徵表）或遠紅外光（狐83〇毫徵若）雷射二極體操作 之DVD]R或CD-R磁盤情形中，且經由自旋式塗布、蒸 氣沈積或騎轉上述染料塗至聚合物底材，制是聚碳 酸酯上。 曰可單一次錄製之磁盤（CD-R，780亳徵茗）最近在產 望上有著顯著的成長，並在技術上已為確定的系統。 目月，下一代的光學資料儲存一DVD —已經登陸市場 ^。經由使用短波雷射發射（63〇至66〇亳徵茗）以及較 冋數值孔徑編時，可提高儲存密度。在此情形中，可單 一次錄製之格式為DVD-R。 · 現已發展出使用藍光雷射二極體（以GaN為基礎， JP A 08 191 171 或倍頻（各ec〇nd garm〇nic ❽⑽此⑽） SHf JP_A-〇9 〇5〇 eg) (36〇毫微求至46〇老徵米）县具 有=雷射功率之光學資料儲存格式。因此，可錄製之光 學資料儲存亦在此倍頻中使用。可錄製儲存密度係視 雷射光點在資訊層上的聚焦而定。光點大小則是以雷 • I--— — — — — — —--· 11----•"訂 ---------IAWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 90. 11. 2,000 583658 B8 C8 D8 Θ 六、申請專利範圍 位之金屬原子 f1 Me IX. (Ic) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 度 尺 張 紙 本 ，、中’在帶電荷配位基或取代基Xi4X2情形中， 電荷可經相反離子所對消，並且 基團R3至R6對應酞花青之取代基， X和X2各自獨立，代表鹵素 '羥基 '氧、氰基、硫 代氰酸基、.氰酸基、烯基、炔基、芳硫基、二烷 胺基、烷基、烷氧基'醢氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、-0-S02R8、O-PR10RU、七屮(〇)r12r13、 e〇-SiR14Rl5R〖6、丽2、烷胺基及雜環性胺基團， 和R6各自獨立，代表齒素 '氰基、石肖基、 烷基、芳基、烷胺基、二烷胺基、烷氧基、烷硫 基、芳氡基、芳硫基、S〇3H、、CO#9、 COKRW、NH-cow或具式切基團，2其中 =表來自直接鍵結' CH2、C0、CH(絲）、c供 、S、〇或-CHK：H·所成群之橋員，⑼m =表橋員B化學上合理的序列，具有m從i至 10 ’較佳m為1、2、3或4， 代表下式氧化還原系統之單價基團Ζ1-^〇Η==〇Η^γ^_ (還原） R Β D (CNS)A4 (210 x 297 公？ I I---I I ^ --------« ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 583658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t、申請專利範圍 或 A8 B8 C8 D8 Q\r [° ^ Θ 、® 、 zb=£：CH-CH^CZY?— (氧化） 乂 — η 、、 或代表金屬茂基或金屬茂基羰基，而鈦、鎂、鐵、、. 釕或餓係適合作為金屬會心， … % Z1和Z2各自獨立，代表NWR"、OR"或SR"， Y1代表NR*、〇或S，Y2代表NR·， η 代表1至10，以及 W和R”各自獨立，代表氫、烷基、環烷基、芳基或 雜芳基，或與 一或 —CH-j— 鏈中C原子之一形成直接鍵結或架橋， w、x、y和z各自獨立，代表0至4且w+x+y+z<16， R1和R2各自獨立，代表烷基、羥烷基或芳基，或R1 和R2與彼等所鍵結之N原子一起形成雜環性 5-、6-或7-員環，視需要參與另外的雜原子，特 別是來自〇、N和S所成群之雜原子，NVR2特 別是代表ϋ比°各σ定基、喻σ定基或嗎福σ林基’ R7至R10互相獨立，代表烧基、芳基、雜芳基或氫。 3.根據申請專利範圍第2項之光學資料媒體，其特徵為 Μ 代表兩個獨立的Η原子或代表選自Cu、Ni、Zn、 Pd、Pt、Fe、Μη、Mg、Co、Ru、Τι、Be、€a、 Cd、Hg、Pb和Sn所成群之二價金屬原子，或 代表式(la)之三價軸向經單取代之金屬原子，其 中Me代表Al、Ga、Ti、In、Fe或Μη，或代表 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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