TW583517B - Surface treatment process for chemically amplified resist and the material thereof - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 發明領域 本發明係關於使用化學放大型光阻劑來形成具有良好形 狀之阻劑圖案的方法，更詳細而言，減低因製程環境、特 別是游離鹼種核導致之影響，因而可形成具有良好形狀之 阻劑圖案的成形方法及其方法中所用之處理劑。 發明背景 於半導體兀件之製造中，於砂晶圓等之基板上形成光阻 膜，於其上選擇性地照射活性光線後，進行顯像處理，應 用於基板上形成阻劑圖案之微影技術。 近年來，爲了於LS I中得到較高積體度，快速地進展微 影製程中之加工線寬之細微化。於進行該加工線寬之細微 化時，進行關於光阻劑、防反射膜、曝光方法、曝光裝置 、顯像劑、顯像方法、顯像裝置等，以及微影技術之所有 步驟、使用材料之各種提案。例如，於專利第2643056號 公報或特開平7 - 1 8 1 685號公報中，記載於阻劑層上設置 包含低折射率之含氟化合物之表面防反射膜，因而防止因 從阻劑表面而來之反射光導致之阻劑圖案形成時之不良影 響。於阻劑層上設置防反射膜，則阻劑膜厚對靈敏度曲線 之振幅的幅度變小，即使在阻劑層之膜厚不均勻的情況下 ，有所謂靈敏度不均會變小，進一步阻劑圖案之尺寸不均 會變小之優點。又，使用表面防反射膜則具有可減低因入 射光與反射光或反射光之類之干涉所引起之駐波的優點。 近來係進行底層基板之平坦化，抑制了如前述之因膜厚不 583517 五、發明說明（2) 均所引起之尺寸不均、針對阻劑之尺寸不均來預先微調光 罩圖案等，亦成爲未設置表面防反射膜而形成所希望線寬 之阻劑圖案的辦法。 關於曝光裝置方面，係提案使用對高細微化有效之短波 長光源之製程，即K r F激光雷射（2 4 8 n m ) 、A r F激光雷射 (193nm)等之遠紫外線或進一步使用X射線、電子射線 作爲曝光光源的方法，並正在一部份實用化中。 在另一方面，集中關切半導體積體迴路製造中之良率提 升作爲極重要之問題，有許多良率惡化之主要因素，舉出 以阻劑形成圖案時之圖案形成不良亦爲其中之一的因素， 該阻劑圖案形成不良的原因方面，舉出有起因於灰塵附著 於阻劑中或阻劑表面者、因無塵室中之游離鹼種核所導致 之劣化、阻劑等之塗佈不良、顯像不良等。由於無塵室中 之游離化學種核所導致之劣化的例子方面，舉出有例如使 用化學放大型光阻劑之製程。於該製程中，化學放大型光 阻劑存在於環境氣壓中，由於敏感地受到鹼性物質及水分 之影響，一方面從曝光至PEB (後曝光烘焙）之放置時間 變長，一方面在正型光阻劑之情況下阻劑圖案之形狀變成 T字型形狀（T-頂部），另一方面於負型光阻劑之情況下 變成圓潤形狀（圓型頂部），有產生圖案尺寸變化之問題 〇 爲了解決如上述之問題而進行感光性樹脂組成物之組成 硏究及感光性樹脂之耐環境性的改善。從感光性樹脂組成 583517 五、 發明說明 ( 3) 物的 組成 方 面 來看， 提 案 有 以含有鹼 性 毓或 性 銨 ( 特 開 平 6 - 242605號公報及特開平6- 242606 號公 報 ) 並 且 降 低 樹 脂之 玻 璃 轉移溫 度 以 縮小樹脂 之 自由 體 積 、 降 低 感 光性 樹脂 組 成 物之鹼 性 物 質 吸附量（ J · Phc 1 t opo 丨1 y · Sc i . Te ch .Vol . 6 ,No. 4, ΡΡ . 547-562 9 1993 ) 來 提 昇 耐 境 性 ，或 進 — 步特定 前 述 樹 脂來進一* 步改善 耐 境 性 者 ( 特 開 平9 - 807 5 3號公 報 ) 〇 又，亦提 案 於感 光性 樹 脂 組 成 物 上 使用 聚 乙 烯、酸 性 聚 合 物等之有 機 材料作 爲 保 護 膜 者 ( 特 開平 7 -295228 號 公 報 )或使用 石 蠟膜 作 爲 保 護 膜 者 ( 特 開平 1 1 - 95442 Π|^ Wl 公 報 )。然而 現以 該 等 之 技 術 者 在如曝 光 波 長爲1 9 31 im 之 ArF雷射 光 源對 m 之 化 學 放大 型 光 阻劑 的 化 學放大 型 光 阻 劑中，亦 不 能達 到 充 分 解 決 上 述 問 題。 發 明 所欲 解 決 之問題 鑑 於如 上 述 之狀況 本 發 明係減低 因 游離 驗 種 核 所 致 之 對 化 學放 大 型 光阻劑 之 影 響 ，來提供 形 成形狀良 好 之 阻 劑 圖 案 的方 法 與 該方法 中 所使用之處理: 劑： 爲冃1 的: 者 〇 用 於 解決 課 題 之手段 本 發明 者 進 行專心 硏 究 > 檢討之結 果 ，發 現 在 曝 光 、 顯 像 形 成於 基 板 上之化 學 放 大 型光阻膜 所 得到 阻 劑 圖 案 之 圖 案 形成方 法 中 ，於化 學 放 大 型光阻膜 上 塗佈 酸 性 處 理 劑 並 曝 光 、曝 光烘 焙後， 由 於相 較於未使 用 該處 理 劑 之 情 況 下 ， 對 於在 顯 像 前水洗 旋 轉 乾燥來除 -5- 去 該處 理 劑 時 大 爲

583517 五、發明說明（4) 減低阻劑未曝光部分之顯像液的接觸角可達成上述目的， 而完成本發明。 即，本發明係關於以包含於基板上塗佈形成化學放大型 光阻膜之步驟、於該化學放大型光阻膜上塗佈含有pH値 爲1.3〜4.5有機酸之處理劑的步驟、於塗佈形成該化學放 大型光阻膜之步驟，及塗佈該處理劑步驟至少任一種之步 驟後的烘焙步驟、選擇性地曝光該化學放大型光阻膜之步 驟、曝光後烘焙該化學放大型光阻膜之步驟、及進行該化 學放大型光阻膜之顯像的步驟，將顯像處理前之該化學放 大型光阻劑上的處理劑水洗、旋轉乾燥後，未曝光部分之 顯像液接觸角在比較於無適用前述處理劑的情況下，減少 10°〜11(Γ者爲特徵之阻劑圖案的形成方法。 以下，更詳細地說明本發明。 於本發明之阻劑圖案形成方法中，係塗佈化學放大型光 阻劑於例如基板上來形成光阻膜，於該光阻膜上塗佈pH 値爲1.3〜4. 5有機酸之處理劑，於塗佈該處理劑後或塗佈 前烘焙光阻膜，曝光後、曝光後烘焙，接著將顯像處理前 之該化學放大型光阻劑上的該處理劑水洗、旋轉乾燥後， 未曝光部分之顯像液接觸角在比較於無適用前述處理劑的 情況，減少10°〜110°來選擇處理劑及製程條件。 於本發明之阻劑圖案形成方法中所使用之化學放大型光 阻劑方面，係以正型者爲佳。在正型之化學放大型光阻劑 方面，例如由以三級丁氧基羧基保護聚羥基苯乙烯之聚合 583517 五、 發明說明（5) 物 與 光氧產生劑的組合所構成者（參照Η . It 〇 , C . G . Will son :Polym. Eng. Sci.， 23, 1012(1983 ) ) 以 及 多 數者爲已知。又，阻劑之膜厚係以顯像後 得 到 之 阻 劑 圖 案 可適合於蝕刻步驟中之蝕刻者爲佳，一般 爲 C 丨· 2 〜1 .0 β m左右。 另 外，於本發明阻劑圖案形成方法中所使用 之 酸 性 處 理 劑 的 pH値雖爲1.3〜4.5、但是以1.7〜3. 5者爲 佳 ο 又 於 處 理 劑 中所含有之酸成分方面係以有機酸爲佳。 又 處 理 劑 之 pH 値與接觸角之關係爲通常處理劑之pH値小 > 則 對 於水 洗 旋轉乾燥後之化學放大型光阻膜之未曝光 部 分 的 顯 像 液 接 觸角變小。即對於化學放大型光阻膜未曝 光 部 分 之 顯 像 液 之接觸角的減少量變大。該接觸角之減少 旦 里 未 滿 10° 的 情 況下，得不到因塗佈處理劑所導致之效果 並 見 到 圖 案 形狀之惡化；又接觸角之減少量較11 0°大的 情 況 下 顯 像 時 之膜減少量變得過大，圖案形狀會劣化。 較 佳地使用於本發明之處理劑的有機酸方面 係 以 具 有 酸 基 之 氟碳化合物爲佳，該等之有機酸亦可爲例 如 銨 鹽 或 有 機 胺 鹽之任一種。在具有酸基氟碳化合物及其 鹽 類 之 中 亦 以 C4〜C15之過氟化烷基羧酸及其銨鹽、四 甲 基 銨 鹽 或 Cr 〜C 4之烷醇胺鹽；C4〜C1()之過氟化烷基磺酸及 其 銨 鹽 、 四 甲 基 銨鹽或C丨〜C4之烷醇胺鹽；氟化烷基4級 錢 碘 化 物 > CJBL 過 氟 化己二酸及其4級銨鹽爲佳，以C7〜C1()之 v'JH, m 氟 化 烷 基 羧 酸 四甲基銨鹽、C4〜C8之過氟化烷基磺酸及其 -7- C :1〜 c4 之 烷

583517 五、發明說明（6) 醇胺鹽爲更佳。有機酸之胺或銨鹽係可使用被製成預鹽者 ，亦可於製造處理劑溶液時，將有機酸與有機胺或銨等之 鹼基或者將該等製成溶液者加入處理劑溶液中’混合該等 溶液以進行於形成處理劑溶液基液等之處理液製造時之鹽 的形成。 上述有機酸及其鹽類係顯示界面活性，被使用作爲通常 製成0 . 1重量％〜25重量％ 、而以2〜4重量％爲佳之水溶 液之處理劑。此時，適當調製上述有機酸與有機胺、銨等 之鹼基混合比例，添加所使用之化學放大型光阻劑或製程 條件來調製組成物之鹼度等，使對於未曝光部分之顯像液 的接觸角減少量最適化，以此來使顯像時之膜減少量最適 化者爲佳。 即，例如，如果在使用正型光阻劑作爲化學放大型光阻 劑的情況下，於使用有機酸與有機胺及銨鹽時，可調製該 等之混合量而使處理劑之pH値成爲上述範圍內之最適pH 値，此時相較於全部由有機酸構成或全部由有機酸之胺或 銨鹽所構成者，較多的爲使用鹼基當量較過量的有機酸， 而得到以使用組成物成爲上述pH値範圍者爲佳之結果。 適用於正型化學放大型光阻劑之處理劑方面，有機酸：鹼 基（例如有機胺）之比，通常爲莫耳比7 : 0〜7 : 6左右， 而以7 : 4〜7 ·· 6爲佳，以7 : 5左右爲更佳。又，有機酸 :鹽方面則爲7 : 0〜1 ·· 6左右，通常以3 : 4〜1 : 6爲佳、 而以2: 5左右爲更佳。 583517 五、發明說明（7) 於本發明之處理劑中，必要時可於不損害性能之範圍內 來配合水溶性聚合物、過氟化烷基磺胺及各種添加劑。 用於本發明之處理技之水溶性聚合物方面，舉出有例如 聚（乙烯醇）、聚（丙烯酸）、聚（乙烯基吡咯酮）、聚 (α-三氟甲基丙烯酸）、（乙烯基甲基醚-馬來酸酐）共 聚物、（乙二醇-丙二醇）共聚物、（Ν -乙烯基吡咯酮-醋 酸乙烯酯）共聚物、（Ν -乙烯基吡咯酮-乙烯醇）共聚物 、（Ν -乙烯基吡略酮-丙烯酸）共聚物、（Ν -乙烯基吡咯 酮-丙烯酸甲酯）共聚物、（Ν-乙烯基吡咯酮-甲基丙烯酸 )共聚物、（Ν -乙烯基吡咯酮-甲基丙烯酸甲酯）共聚物 、（Ν -乙烯基吡略酮-馬來酸）共聚物、（Ν -乙烯基吡咯 酮-馬來酸二甲酯）共聚物、（Ν-乙烯基吡咯酮-馬來酸酐 )共聚物、（Ν-乙烯基吡咯酮-衣康酸）共聚物、（Ν-乙 烯基吡略酮-衣康酸甲酯）共聚物、（Ν -乙烯基吡咯酮-衣 康酸酐）共聚物、氟化聚醚等，而特別以聚（丙烯酸）、 聚（乙烯基吡咯酮）、氟化聚醚等爲佳者。以水溶性聚合 物之添加，可形成處理劑均勻被覆膜，同時以水溶性聚合 物形成游離鹼種核之物理性遮蔽，爲得到較佳結果之情況 〇 又，過氟化烷基磺胺方面，以通式 CnF2n + ]S02NH2 ( II ) 表示，以η爲1〜8之化合物爲佳，而以η爲4〜8之化合 物爲更佳。由於過氟化烷基磺胺之添加，改善處理劑之阻 583517 五、發明說明（8) 劑膜的潤濕性。 又，用於本發明處理劑之添加劑方面，舉例有以處理劑 塗佈特性之提升爲目的之所添加的非離子系界面活性劑、 陰離子界面活性劑、兩性界面活性劑等之界面活性劑。 非離子系界面活性劑方面，舉例有聚羥伸乙基十二烷基 醚、聚羥伸乙基油醯基醚、聚羥伸乙基十六烷基醚等之聚 羥伸乙基烷基醚；聚羥伸乙基脂肪酸二酯、聚羥基脂肪酸 單酯、聚羥伸乙基聚羥伸丙基區段共聚物、乙炔基二醇衍 生物等；又陰離子係界面活性劑方面，舉例有烷基二苯基 醚二磺酸、及其銨鹽或有機胺鹽；烷基二苯基醚磺酸、及 其銨鹽或有機胺鹽；烷基苯磺酸、及其銨鹽或有機胺鹽； 聚羥伸乙基烷基醚硫酸、及其銨鹽或有機胺鹽；烷基硫酸 、及其銨鹽或有機胺鹽等；兩性界面活性劑方面，舉例有 2 -烷基-N-羧基甲基-N-羥乙基咪唑啉三甲銨基乙內鹽、十 二酸胺丙基羥楓三甲銨基乙內鹽等。 再者，用於本發明處理劑的水方面，係以使用以蒸餾、 離子交換處理、過濾處理、各種吸附處理等來除去有機不 純物、金屬離子等者爲佳。 還有以塗佈性之提升爲目的，亦可同時使用可溶於水之 有機溶劑與水。可溶於水之有機溶劑方面，如果爲溶解相 對於水之〇 · 1重量％以上之溶劑的話並無特別之限制，舉 例有甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類；丙酮、甲基乙基酮等 之酮類；醋酸甲酯、醋酸乙酯等之酯類；二甲基磺胺、二 -10- 583517 五、發明說明（9) 甲基亞®、甲基乙二醇乙醚、乙二醇乙醚、丁基乙二醇乙 醚、乙二醇乙醚醋酸酯、丁基卡必醇、卡必醇醋酸酯等之 極性溶劑。該等具體例係只不過被單獨舉出作爲有機溶劑 之範例者，本發明中所使用之有機溶劑則爲不限於該等溶 劑者。 本發明之阻劑圖案形成方法中特佳地被使用之處理劑方 面，舉出至少含有下述（A)、（B)、（C)、（D)及（E)、pH値 爲1 . 3〜4 . 5之處理劑。 (A)以通式（I)表示之過氟化烷基磺酸 CnF2n + 1S03H ( I ) (式中，η表示4〜10之整數） (Β)有機胺 (C )水溶性聚合物 (D) 以通式（I I )表示之過氟化烷基磺胺 CnF2n + 1S02NH2 ( II ) (式中，η表示1〜8之整數） (E) 水 又該等之各成分比例係於以重量比之水溶性聚合物爲i 的情況下，以過氟化烷基磺酸（A ) /有機胺（B ) /過氟化 烷基磺胺（D) =2 . 0〜7 . 0/0 · 1〜1 · 0/0 . 01〜2 . 0爲佳。 還有，如已記載者，亦可預先混合（A )成分與（B )成 分，使用形成預鹽狀態者，上述成分亦包含預先混合（A ) 成分與（B )成份的情況。 -11- 583517 五、發明說明（1 o ) 還有，於本發明中，雖然接觸角之最適化係以酸性處理 劑之塗佈來進行，但必要的話，亦可由烘焙溫度之調整或 調整曝光後之處理劑除去時間來進行更最適化。 本發明中之處理劑膜厚係以80〜1 0000A爲佳、而以 3 30〜990A爲更佳。又，處理劑之塗佈係可由旋轉塗佈等 習知之任意塗佈方法來塗佈。 . 本發明之圖案形成方法係適當地適用於形成圖案於8吋 矽晶圓等之基板上而得。基板方面雖然一般爲矽基板，當 然於矽上具有金屬膜或氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等之氧 化膜、氮化膜等之薄膜者亦可，且基板材料亦不限定於矽 者，習知LSI等之1C製造時所使用之基板材料之任一種 均可。再者’本發明之圖案形成方法亦可適用於進行使用 聚矽胺烷、S i 02、聚亞胺等之層間絕緣膜處理之基板處理 〇 又，已知化學放大型光阻劑之塗佈、化學放大型光阻膜 及顯像減低用組成膜之烘焙、曝光方法、顯像劑、顯像方 法等亦可爲用於使用習知化學放大型光阻劑來形成阻劑圖 案時之任何已知者或條件。再者，於曝光步驟所用之曝光 光源亦可爲紫外線、遠紫外線、X射線、電子射線等之任 思者。 【實例】 以下，雖然已實例來較具體地說明本發明，但本發明係 不受該等實例之任何限制者。還有，以下實例中，「份」 -12- 583517 五、發明說明（11 ) 如無特別說明則表示「重量份」的意思。 處理液1之調整 於室溫下均勻地溶解3 . 5份過氟化辛基磺酸、0.4份胺 基乙醇、0 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於94 · 6份純水中，使其通過0 · 1 // m之過濾器過濾而得處 理劑1。該處理劑之pH値約爲2 . 5。 處理液2之調整 於室溫下均勻地溶解3 . 5份過氟化辛基磺酸、0.3份胺 基乙醇、0 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於94 . 7份純水中，使其通過〇 · 1 # m之過濾器過濾而得處 理劑2。該處理劑之pH値約爲2 · 3。 處理液3之調整 於室溫下均勻地溶解3 . 5份過氟化辛基磺酸、〇 . 2份胺 基乙醇、0 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於9 4 . 8份純水中，使其通過〇 . 1 # m之過濾器過濾而得處 理劑3。該處理劑之pH値約爲2 · 1。 處理液4之調整 於室溫下均勻地溶解3 · 5份過氟化辛基磺酸、〇 · 1 8份胺 基乙醇、〇 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於9 4.8 2份純水中’使其通過0 · 1 # m之過濾器過濾而得 處理劑4。該處理劑之PH値約爲1 · 9。 處理液5之調整 於室溫下均勻地溶解3 ·5份過氟化辛基擴酸、0.1份胺 583517 五、發明說明（12) 基乙醇、0 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於9 4 . 9份純水中，使其通過〇 · 1 # m之過濾器過濾而得處 理劑5。該處理劑之pH値約爲1 . 7。 處理液6之調整 於室溫下均勻地溶解3 . 5份過氟化辛基磺酸、0 . 5份過 氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮於95份純水中， 使其通過0 . 1 // m之過濾器過濾而得處理劑6。該處理劑之 pH値約爲1 . 5。 處理液7之調整 於室溫下均勻地溶解3 . 5份過氟化辛基磺酸、0 . 5份胺 基乙醇、0 . 5份過氟化烷基磺胺、及1份聚乙烯基吡咯酮 於94 . 5份純水中，使其通過0 . 1 // m之過濾器過濾而得處 理劑7。該處理劑之pH値約爲6 . 2。 實例1 於矽晶圓上塗佈包含丙烯酸系樹脂之對應193nm(ArF) 化學放大型光阻劑，進行1 1 0°C加熱處理（預烘焙）90秒 時間後，將膜厚調整成爲3 90A。然後，塗佈處理劑1於 前述光阻劑上後，進行9(TC加熱處理（溫和烘焙）60秒 ，將膜厚調整成爲330A。然後以水進行預濕潤60秒時間 ，剝離處理劑後，滴下2 · 38%之TMAH (氫氧化四甲基銨 )顯像液於光阻劑上，該接觸角係以協和界面科學公司製 接觸角計CA - D型來測定。該結果示於表1。 再者以前述同樣地塗佈處理劑1於光阻劑上，於該塗佈 -14- 583517 L2-13 五、發明說明（13) 膜上以Ultratech (超技）公司製A rF分檔曝光器193來 使線與間隙寬爲1 : 1、1 : 3、1 : 5之各種線寬爲一至之 測試圖案曝光，然後以1 3 0 °C、9 0秒進行PEB後，以2 . 3 8 %之TMAH (氫氧化四甲基銨）顯像液顯像處理60秒鐘。 所得之圖案中，以掃描型電子顯微鏡觀察線寬爲〇 .丨5 # m 之匱I案形狀’遵照以下之評估基準來評估。該結果示於表 1 ° [評估基準] ◎:圖案形狀非常良好 △:圖案頭部雖約略爲圓形，但顯示不會對於之後的蝕 刻等步驟造成影響之範圍之良好形狀。 ▲:圖案頭部雖約略爲T -形，但顯示不會對於之後的蝕 刻等步驟造成影響之範圍之良好形狀。 X :圖案形狀不良 實例2〜6、比較例1 使用處理劑2〜7，並與實例1同樣地進行，得到表1個 別之結果。 比較例2 除了不使用處理劑之外，與實例1同樣地進行，得到表 1之結果。 -15· 583517

五、發明說明（14) 表1 處理後之阻劑的 接觸角（度） 接觸角之減少角度 (度） 圖案之形狀 實例1 處理劑1 11 68 Δ 實例2 處理劑2 10 69 〇 實例3 處理劑3 9 70 ◎ 實例4 處理劑4 8 71 ◎ 實例5 處理劑5 8 71 〇 實例6 處理劑6 8 71 ▲ 比較例1 處理劑7 39 40 X 比較例2 無處理劑 79 0 X 由上述表1得知，以本發明之處理劑塗佈化學放大型光 阻劑，以除去曝光後處理劑，可得對環境無影響、良好形 狀之阻劑圖案。 【發明之效果】 如上所述，以本發明，可減低因化學放大型光阻劑之製 程環境所導致之影響，而形成經常具有良好形狀之阻劑圖 案。 -16-

Claims (1)

1. 忖正 申請專利範圍

   496號「圖案形成方法及其方法中所使用的處理劑 (92年1月29日修正） 六、申請專利範圍： 1 . 一種阻劑圖案之形成方法，其特徵爲包含於基板上塗佈 形成化學放大型光阻膜之步驟、於該化學放大型光阻膜 上塗佈含有pH値爲1 . 3至4 . 5有機酸處理劑之步驟、 塗佈形成該化學放大型光阻膜之步驟、及塗佈該處理劑 步驟之至少任一種步驟後的烘焙步驟、選擇性地曝光該 化學放大型光阻膜之步驟、曝光後烘焙該化學放大型光 阻膜之步驟、及進行該化學放大型光阻膜之顯像的步驟 ，將顯像處理前之該化學放大型光阻劑上的該處理劑水 洗、旋轉乾燥後，未曝光部分之顯像液接觸角在比較於 未使用前述處理劑的情況下，減少10°〜1 10°者。 2 .如申請專利範圍第1項之阻劑圖案之形成方法，其中該 化學放大型光阻劑爲對應ArF雷射光源之光阻劑。 3 . —種阻劑圖案之形成方法，其中記載於申請專利範圍第 1項之阻劑圖案之形成方法中，該處理劑含有有機酸。 4 . 一種處理劑，其係使用於如申請專利範圍第1至3項中 任一項之阻劑圖案之形成方法，其特徵爲至少含有下述 (八）、（6)、（〇、（0)及（£); (A )以通式（I )表示之過氟化烷基磺酸 CnF2n +丨 S〇3H (I) 583517 六、申請專利範圍 (式中，η表示4至10之整數） (Β)有機胺 (C )水溶性聚合物 (D )以通式（I I )表示之過氟化烷基磺胺 CnF2n + 1S02NH2 ( II ) (式中，η表示1至8之整數） (Ε)水。