TW583419B - Display device and the manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

583419 A7 B7 五、發明説明（ 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種顯示裝置及其製造方法。更詳古之， 係有關-種平坦化技術，其係在積體形成的像素電：及開 關用薄膜電晶體的主動矩陣型顯示裝置中，掩埋薄膜電晶 體或薄膜電晶體配線之凹凸，並且在已平.几> ^ :…二、 • — 1C*之面上形成 像素電極者。 【習知技術】 習知的顯示裝置係具有包含經由特定間隙相互接合的一 對基板與保持於該間隙的液晶等電性光學物質的面板構造 。且在一側基板上形成有薄膜電晶體集合、
體集合的平坦化膜與配置於該平坦化膜上的像素電極集Z 。而在另-側基板上形成相對於像素電極集合的相向電極。 【發明所欲解決之課題】 彩色顯示裝置係在另-侧基板上事先形成有彩色渡光片 ’並在每個像素電極上分配紅藍綠三原色的顯示色。各像 素電極將所分配的顯示色波長的光予以透過或者反射，並 顯示出所期望的彩色圖像。此時，配合對應於所分配的顯 示色之光的波長，為了獲得最合適的透過率或者反射率， 可依據分配於每一個像素之顯示色的波長來調整液晶等電 性光學物質的厚度。然而，在習知的彩色顯示裝置中，若 不事先實施如此的步驟，則難以在紅藍綠三原色間達到色 彩平衡。 眾所週知，習知的主動型顯示裝置係採用高性能的多結
裴 订
晶石夕薄膜電晶體，且係於同-基板上—體積體形成像素陣 列與周ϋ驅動電路部之一㈣動電路藏型㈣示裝置。像 素陣列部係以像素電極與驅動該像素電極的薄膜電晶體構 成。驅動電路部同樣亦以薄膜電晶體事先構成並驅動像素 陣列部。以共同的平坦化膜同時覆蓋形成於同一基板上的 像素陣列部與驅動電路部。然而，由於像素陣列部與驅動 電路部上基板表面的微細構造不同，所以兩部全體&法平 坦化且在液晶等電性光學物質的厚度產生局部的偏差分布 ，因而降低圖像的品質。 此外，反射㈣示裝置係在平坦膜化表面形成微細的凹 凸，且於平坦化膜上形成光反射型的像素電極。藉此可 賦予所期望的光擴散性至像素電極。然而，為了在平坦化 膜上形成凹凸因而必須具有特殊的步驟，如此會產生製造 步驟複雜化的問題。 【解決課題之手段】 為了解決習知技術的課題，而採取以下的手段。亦即， 本發明的顯示裝置，係具備有包含經由特定間隙相互接合 的一對基板與保持於該間隙的電性光學物質的面板構造Υ 且在一側基板上形成有薄膜電晶體集合、|蓋薄膜電^體 集合的平坦化膜與配置於該平坦化膜上的像素電極集合， 以及在另-側基板上形成相對於像素電極集合的相向;極 者’其特徵在於具備彳··上述平坦化膜係包含有感光性材 料，並透過曝光處理以在一側基板内具有不同厚度之方式 形成。-實施形態中，上述一側基板係包括由像素 583419 A7 ____B7 3、發明説明（3~) " "~^ 驅動該像素電極的薄膜電晶體所構成的像素陣列部，以及 為了驅動該像素陣列部而以薄膜電晶體構成的驅動電路部 ;上述平坦化膜之形成範圍係由像素陣列部至週邊的驅動 電路部，且該像素陣列部與該驅動電路部上的膜厚為不同 。其他貫施形態中，上述平坦化膜係以在表面產生凹凸之 方式形成具有不同厚度的區域，且該像素電極係包含反射 膜並配置於該凹凸所產生的區域。另一實施形態中，在各 像素電極上事先分配不同的顯示色，且上述平坦化膜係因 應分配於各像素電極上的顯示色波長，使對應於各像素電 極部分的厚度不同之方式形成。 又，本發明的顯示裝置製造方法係具有包含經由特定間 隙相互接合的一對基板與保持於該間隙的電性光學物質的 面板構造，係由以下步驟構成：在一側基板上形成有薄膜 電晶體集合、覆蓋薄膜電晶體集合的平坦化膜與配置於該 平坦化膜上的像素電極集合，以及在另一側基板上形成相 對於像素電極集合的相向電極之步驟；形成該平坦化膜的 步驟係使包含感光性材料的平坦化膜塗布於該一側基板上 之塗布步驟；在曝光量的平面分布進行變化的狀態下進行 該平坦化膜的感光處理之曝光步驟；蝕刻所感光的平坦化 膜表面，並使該平坦化膜的厚度隨著該曝光量的平面分布 而不同之方式予以加工之加工步驟。最理想的狀態為，上 述曝光步驟係經由在透過率的平面分布進行變化之遮罩， 使光照射於該平坦化膜以進行曝光處理。此時，上述曝光 乂驟係為了照射特定能量的光而使用不同的遮罩以進行複 本紙張尺度適用中國iii^s)A4規格---- 583419
數次感光處理。或者，上述曝光步驟係為了以相同遮罩照 射不同能量的光，而使用設有特定部分不同能量的濾光片' 之遮罩。此時，上述曝光步驟係使用可繞射光的圖案作為 該濾光片。或者，上述曝光步驟係使用由具有不同透過率 之二種以上的遮光物質形成該濾光片。最佳的狀態為，上 述曝光步驟係使用具有1〇/〇至50〇/〇透過率的濾光片之遮罩。 根棣本發明，在由液晶等電性光學物質構成的顯示裝置 中，設法在薄膜電晶體等主動元件積體形成的基板表面上 塗布平坦化膜，俾使平坦化膜以在基板内具有不同厚度之 方式形成。藉此，可以在彩色顯示裝置之紅藍綠的每個像 素上獲致最合適的液晶厚度。又，在一體形成像素陣列與 周邊的驅動電路之驅動電路内藏型的顯示裝置中，可改善 在像素陣列部與驅動電路部兩者的面板内之間隙偏差分布 又’在反射型顯示裝置中’藉著平坦化膜之表面成為凹 凸形狀之方式，使平坦化膜的厚度變化，可達到以較少的 步驟對於具有反射膜功能的像素電極賦與所期望知光散射 功能。 【發明之實施形態】 以下，參照圖面詳細說明本發明之實施形態。首先，為 了明示本發明的背景，參照圖i簡單說明本發明彩色顯示裝 置的一般構成。如圖示，該顯示裝置係成為在一對玻璃基 板100、135之間用以保持包含液晶等電性光學物質13〇之面 板構造。在上側玻璃基板135上形成相向電極131、偏光層 132、彩色濾光片133及黑矩陣134。 ....... - 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 583419 A7 -----B7 _ 五、發明説明（1 ) ~ 一' -- 相對於此，在下側基板100上形成有像素陣列部與配置於 其周邊的驅動電路部。該像素陣列部係包括有像素電極！ U 以及使其開關驅動之像素用薄膜電晶體（丁。 TFT-PXL係具有雙閘型之底閘構造，為N通道型。另外，驅 動電路部為了驅動像素用薄膜電晶而以電路用 的薄臈電晶體（TFT-CKT)構成。圖中為單閘型之底閘構造 ，所以僅顯示一個N通道型的丁FT-CKT。各薄膜電晶體 TFT-PXL與TFT-CKT具有使半導體薄膜1〇5、閘極ι〇ι=介 存於上述兩者之間的閘極絕緣膜（1〇2、1〇3)重疊之積層構 造。半導體薄膜1〇5例如包含多結晶矽。閘極絕緣膜係包含 閘極氮化膜102與閘極氧化膜1〇3的積層構造。 •半導體薄膜105配合各薄膜電晶體的元件區域而圖案化 為島狀。所圖案化的半導體薄膜105具有··位於閘極1〇1端 部内側的通道區域ch ;與通道區域ch外側接連的低濃度雜 質區域（LDD區域）；以及與低濃度雜質區域（LDD區域）外側 接連的高濃度雜質區域（源極區域S及汲極區域d)。此外， 各薄膜電晶體通道區域ch係以阻擋膜1 〇6予以保護。具有該 構成的薄膜電晶體丁FT-PXL與丁 FT-CKT係以層間絕緣膜 107及保護膜108覆蓋。在保護膜log上形成配線電極ι〇9。 各配線電極109係經由層間絕緣膜1〇7及保護膜ι〇8上所開 口之接觸孔而電性連接於各薄膜電晶體的源極區域s或汲 極區域D。配線電極109係以平坦化膜11〇覆蓋。並於其上 圖案化形成有像素電極111。 如上說明，圖1所示的彩色顯示裝置係以液晶等電性光學 __ 本紙張尺度適財國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 583419 A7
583419 A7 -----一 B7 五、發明説明（？) ' 一;4素陣列^的像素電極集合。此外，省略像素電極的圖 :又在薄膜電晶體的集合4上事先形成配線6，並以覆 if:、？方式成膜平坦化膜5。如上述，薄膜電晶體的集 刀為複數像素PXL積體形成的像素阵列部與周邊的驅 電路部。相對於此，在上側基板^上形成與像素電極集合 對之相向電極。然而，圖中省略相向電極。就特徵而言 W化膜5係包含感光性材料並以透過曝光處S而在一側 基板1内具有不同厚度之方式形成。本實施形態中，在基板 力上相向電極且事先形成有彩色濾光片CF或黑矩陣7 化些構件可利用保護膜8予以覆蓋。實際上，在該保護膜 8的表面形成相向電極。藉由彩色遽光片CF在各像素他 上分為紅（R)綠（G)藍（B)等不同的顯示色。相對於此，平坦 化膜5係因應與各像素pxL對應之部分的厚度分配於各像 素上之顯示色的波長形成不同的樣子。 如上述，圖2所示的實施形態中，將感光性有機平坦化膜 5—予以加玉’並以在各像素pxL所分配的顯*色波長區域中 實現最大透過率的液晶3膜厚之方式來設計該平坦化膜5。 ^時’液晶3採用使用於…模式等的ECB液晶。例如··液 曰曰3以紅色像素部分為3·7 μπι、綠色像素部分為3·5 μηι及藍 色像素部分為2·8 μηι之方式，改變基板丨側之平坦化膜5的 膜厚。 為了調節平坦化膜使其厚度局部為不同，可組合感光性 平坦化膜材料與光微影及蝕刻。一般，為了製造具有包含 、座由特疋間隙相互接合的一對基板以及保持於該間隙的液
五、發明説明（8 晶等電性光學物質的面板構造之顯示裝置，而在一側基板 上形成有薄膜電晶體集合、覆蓋薄膜電晶體集合的平坦化 膜及配置於該平坦化膜上的像素電極集合，且在另一側基 板上形成相對於像素電極集合的相向電極。形成平坦化膜 的步驟如上述係包括有：塗布步驟，係在_側基板上將感 光性材料所組合的平坦化膜加以塗布；曝光步驟，係在曝 光量的平面分布上施以變化的狀態下進行平坦化膜的感光 處理，加工處理，係蝕刻所感光的平坦化 的厚度隨曝光量的平面分布而不同之方式予以：：： 的狀態為，曝光步驟係經由在透過率的平面分布施以變化 之遮罩，而使光照射於平坦化膜以進行感光處理。此時， 曝光步驟為了照射特定能量的光而使用不同的遮罩並可進 行複數次感光處理。或者，曝光步驟為了以相同的遮罩照 射不同能量的A，亦可使用特定部分具有不同能量的濾光 片之遮罩。曝光步驟可使用可繞射光的圖案（無法解像的圖 案）作為濾光片，或者，亦可使用由具有不同透過率之二種 以上的遮光物質（半色調物質）所形成者作為濾光片。例如 ••曝光步驟可使用具有1%至50%透過率的半色調濾光片之 遮罩。 尤其，在每個像素上改變平坦化膜的膜厚方面，平坦化 膜的膜厚控制方式亦可為，在各像素中半曝光並依曝光量 的蝕刻量而使膜厚減少。於此，平坦化膜曝光量與蝕刻量 的關係係如圖3所示。圖3中，橫軸係以曝光時間加^勾表 示曝光量，而縱軸係平坦化膜的蝕刻量（μηι)。平坦化膜曝 -12 · 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公袭·) 583419 五、發明説明（£ 光量的控制係使用利用繞射圖案的遮罩。可使用該遮罩來 曝光以進行顯像，藉此控制膜厚。圖3的表格係表示使用三 種不同遮罩時之曝光量/平坦化膜蝕刻量的關係。曲線A為 使用全開遮罩時的資料，係表示曝光時間增加之同時，蝕 刻量（平坦化膜減少量）亦增加。然而，當曝光時間超過5〇〇 msec時蝕刻量達到飽和。相對於此，曲線B為亮部與暗部交 互配置的條紋圖案，表示利用亮部的寬度為〇·25 ，暗部 的寬度同樣為0·25 μπι之繞射圖案作為遮罩之情況。此時， 可與曝光時間相同比例來控制平坦化膜的蝕刻量。再者， 曲線C係同樣使用條紋圖案的遮罩之情況，惟比6暗，圖案 C條紋圖案的亮部為〇·25 μιη而暗部為〇·75 。因此，雖曝 光時間增加時蝕刻量（平坦化膜減少量）亦增加，但是增加 速率卻低於Β。亦可使用相當於特定透過率的半色調材料來 取代使用如上的繞射圖案之曝光量控制。此時，亦可以將 特定曝光波長中判斷透過率之材料（例如]^〇以等）的透過光 量加以調整之方式所控制膜厚層上製造遮罩。如上，例如 ••若使用紅色像素部分具有25%透過率、綠色像素部分具 有20%透過率之2種半色調材料與藍色部分完全遮光材料 形成3層遮罩，則可控制4種膜厚（包括完全拔出部分 繼之，在谠明本發明第二實施形態之前，參照圖4簡單說 明背景技術。圖4表示主動矩陣型顯示裝置的參考例之模式 的部分剖視圖，係顯示一像素左右。該顯示裝置係包含破 璃等的基板201上具有呈矩陣狀配列的像素。一個像素可分 配為開口區域與非開口區域。在開口區域上形成有通過基 -13- 本纸張尺度適用中國國豕標準(Cns) Α4規格(210X297公复） 583419 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 板201使光出射的像素pXL ^具體言之，該像素ρχΕ係包含 保持於相對的透明電極210、2〇9之間的液晶217 ,稱為所謂 的液晶胞。此外，一側的電極210係形成於玻璃基板2〇1側 作為像素電極，而另一側的電極219係形成於相對基板220 側作為相向電極。該液晶胞具有使由配置於玻璃基板2〇 i 裡面側的背光板（圖未示）入射的光，出射於表面側的燈泡 功能。像素電極210的表面以定向膜216覆蓋，且相向電極 219的表面亦以定向膜218覆蓋。 另一方面，非開口區域上具有驅動上述液晶胞的薄膜電 晶體TFT。如圖示，該薄膜電晶體具有底閘構造，並在包 含金屬的閘極202上經由包含有由氧化矽等的閘極絕緣膜 2030，形成由包含多結晶矽等的多晶半導體薄膜2〇4p。該 夕aa半導體薄膜204P係以包含氮化石夕的層間絕緣膜207N 事先加以覆蓋，並於層間絕緣膜207N上形成源極電極2〇5S 及及極電極205D。這些電極5S、5D係以包含有機透明樹脂 膜的平坦化膜209予以覆蓋。該平坦化膜2〇9在使玻璃基板 201的表面平坦化之同時，亦為薄膜電晶體丁F丁的保護膜。 如上述，在平坦化膜209上形成像素電極210，並經由汲極 電極205D電性連接於薄膜電晶體TFT。重疊閘極絕緣膜 2030、層間絕緣膜207N、平坦化膜209等以形成第i膜構成 。該第1膜構成係以由上下包圍薄膜電晶體TFT之方式形成 。一方面，在接鄰於非開口區域的開口區域上，配置有由 第1膜構成延伸的第二膜構成。圖示的例中，第二膜構成僅 由平坦化膜209構成，並位於形成於像素電極21〇上的液晶 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 11 五、發明説明（ 胞與玻璃基板201之間。 參考例中，除去開口區域上不要的膜，且僅在玻璃基板 201上形成有機樹脂平坦化膜2〇9。使用丙烯基樹脂時，平 坦化膜209的繞射率為lt4至16，與透明玻璃基板2〇1幾乎沒 有差別。因此，不會在該界面發生因繞射率差所產生之不 要的反射。如此，藉由盡量在開口區域上除去繞射率不同 的層來減少多重干涉，俾使面板透過率得以提昇。又，為 了使干涉效果消失，可減少固體製造上的偏差分布。此外 ，可減少面板的反射。此時，因為可利用共同步驟處理非 開口區域與開口區域，所以製造上不需要新的步驟。 圖5為模式的部分剖視圖，係包含圖4所示的顯示裝置像 素陣列部上加上驅動電路部之構成。此外，為了容易理解 ，在與圖2所示的本發明第一實施形態相對應的部分附加對 應的參照號碼。如圖示，顯示裝置係分配為像素pxL積體 形成的像素陣列部與其周邊的驅動電路部。上述的圖4係將 像素陣列部上所形成之一個左右的像素pxL予以擴大之圖 不。驅動電路部及像素陣列同時事先形成於絕緣基板丨上且 包含有薄膜電晶體的集合4。該配線6在驅動電路部與像素 陣列部上並以平坦化膜5予以覆蓋。在上側基板2的内表面 形成彩色濾光片CF或黑矩陣上下基板}、2係以液晶3為 中間，並以密封材9相互接合。在兩基板丨、2的間隙配置間 隙空間11。參照圖4之說明，在像素陣列部之各像素pxL的 開口區域上殘留平坦化臈5,藉由除去其他繞射率不同的膜 以減少因干涉而產生的反射，可改善透過率及色溫度。然
本紙張尺度適用中® ®家料(CNS) A4規格(210 X 297公釐） ^83419 A7
而，就平坦化膜5而言，難以將由閘極絕緣膜或層間絕緣膜 10所形成的段差（例如：0 6 μηι左右）完全覆蓋所以驅動電 路部與像素陣列部上平坦化膜5的表面段差會變大。因此， 當散布於像素陣列部上的間隙空間丨i位於驅動電路部的平 坦化膜5上時，面板的周邊部分會產生填料偏差分布的問 圖6表示本發明第二實施形態的例示，係解決圖$所示之 參考例問題點的構造。為了容易理解，在與圖5所示的參考 例相對應的部分附加對應參照號碼。如圖所示，在驅動電 路。卩中’如虛線所示使平坦化膜5的表面僅以特定厚度薄於 像素陣列部。藉此，防止面板周邊部的間隙偏差分布。亦 即’先考慮周邊驅動部之層間絕緣膜丨0等的厚度，藉由在 平坦化膜5的表面蝕刻相當於層間絕緣膜丨〇的厚度，使基板 1整體的平坦化膜5表面均一化。例如在基板丨表面塗布由感 光性有機樹脂形成的平坦化膜5之後，藉由在周邊驅動電路 4上以具有25°/。透過光量的遮罩進行局部的曝光處理，可 利用#刻僅除去驅動電路部上部之平坦化膜5的表面。 繼之’說明本發明顯示裝置第三實施形態的例示之前， 參照圖7簡單說明背景技術。如圖示，該顯示裝置具有包含 經由特定間隙相互接合的前後一對基板3〇 i、3〇2，以及由 保持於該間隙的液晶層3〇3等電性光學物質，並具備呈矩陣 狀配置的像素且該像素係將來自前面側外光反射於前面側 °該反射區域係包括形成於前後一對基板3〇1、3 〇2的電極 310、322與挾持於這些電極31〇、322間的液晶層303以及形 _ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)
裝 訂
線 583419 A7 _B7 五、發明説明（13 ) 成於後面侧基板302的反射層308,以構成所謂的反射型液 晶顯不元件LC。 在前面基板301之外表面形成有偏光層34〇與四分之一波 長板309。在基板301之内表面形成有由著色層35〇構成之彩 色濾光片CF。以將彩色濾光片CF區劃為每一像素之方式， 使黑矩陣同樣形成於基板1的内面。在彩色渡光片C f及零 矩陣BM的表面上，於所有像素上配置有共同形成之相向電 極3 10。於其上成膜有定向膜307。再者，事先介存有具備 複繞射性之液晶層3 0 3，並於其下配置後側之基板3 〇 2。以 定向膜315事先覆蓋基板3〇2的表面，並與上述前側基板3〇1 之疋向膜307 —起動作，使液晶層3〇3水平定向。在定向膜 315下形成有成為像素電極的反射層3〇“反射層3〇8係由形 成於平坦化膜314的凹凸面之金屬膜構成像素電極。在平坦 化膜3 14下面形成有薄膜電晶體3〇8。該薄膜電晶體3〇8為底 閘構造’具有從下依序重疊閘極電極3丨6、閘極絕緣膜3 i 7 及半導體薄膜3 1 8之積層構造。半導體薄膜3 1 8由多結晶矽 構成’與閘極電極316整合的通道區域係藉由擋片319從上 側予以保護。可藉由層間絕緣膜32〇覆蓋具有該構成之底閘 構造的薄膜電晶體308。在層間絕緣膜320上預先開口一對 接觸孔’經由該一對接觸孔使源極電極3 2丨以及汲極電極 322電性連接於薄膜電晶體3〇8。這些電極321及322例如為 圖案化链之構造。在汲極電極322上連接有上述反射層3〇8 。亦即’透過形成於平坦化膜314的接觸孔312使反射層3〇8 電性連接於汲極電極322。另一方面，可將信號電壓供給至 --------- -17 . 本紙張尺度適用中國圉π豕標準(CNS) a4規格(21〇x 297公釐） 583419 A7
源極電極321。 上述的反射型顯示裝置中，在基板302表面所塗布的平括 化膜314上形成無規則凹凸，以改善反射光的視認性。然而 ’習知之製造方法中，^ 了形成無規則的凹凸形狀所使用 之二層有機平坦化膜的曝光處理等，在生產上會產生問題 所以在本發明的第二貫施形態中，提案有圖8所示的構 造及製造方法。為了容易理解，圖8僅顯示顯示裝置下側的 基板1。並在基板1上形成平坦化膜5。在該平坦化膜5上形 成有反射膜用的凹凸12與接觸孔c〇N。為了形成該凹凸12 與接處孔CON，而採用光微影及蝕刻技術。亦即，使用遮 罩Μ進行具有感光性的平坦化膜5的曝光處理以局部控制 平坦化膜的膜厚。具體言之，遮罩，使有機平坦化膜 完全除去的接觸孔CON部分具有100%透過率，且形成凹凸 12的部分係以20%的半色調材料51與完全遮光層52形成， 亦即，在遮罩Μ的基材50上成膜半色調材料51與完全遮光 層52。藉此，可同時形成凹凸12與接觸孔c〇N。在控制凹 凸形狀方面，以使用g線或h線等曝光波長較長的曝光裝置 為佳。又，曝光時若使用散焦，可容易形成平滑的凹凸形 狀。此外，使有機平坦化膜5加熱並施加平坦化熱處理，可 形成更平順的凹凸形狀。根據此方法，具有習知製造次數 的凹凸12更易於製造而且可降低成本。本說明中，使用具 代表性的底閘型電晶體，然而並不限定於此，亦可應用其 他頂閘型電晶體、a-Si電晶體或者是單純矩陣型的液晶。 圖9係表示本發明行動電話終端裝置的例式之模式平面 I -18 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
圖。如圖示’行動電話終端裝置構係成為—體組裝以下構 件之小型構造：進行關於傳送與接收操作之操作部、因應 該操作而可通話之通話部以及至少可顯示關於操作資就 顯示部的小型構造。具體言…圖所示，行動電話終端 裝置400係具備有無線接收傳送用的天線431、收話器 (speaker) 432及傳話器（micr〇ph〇ne) 433，同時，具備有撥 舌鍵等操作鍵434與顯示部435。該行動電話終端裝置4〇〇 可將個人姓名與電話號碼等電話薄資訊顯示在顯示部 上。根據情況，亦可將所接收的電子郵件顯示在顯示部435 圖1 〇係關於本發明行動資訊終端裝置之例式的模式斜視 圖。行動資訊情報終端裝置（PDA) 5〇〇係成為一體組裝以下 構件之小型構造··輸入命令之操作部5 n、依命令處理資訊 之處理部5 10及顯示顯示所處理的資訊之顯示S2〇之小型構 造。處理部510具備有PDA的基本功能（通信部、聲音處理 部、控制部及記憶部等卜利用包含有€1)1；等的控制部控制 這些功旎，可貫現電話功能、郵件功能、個人電腦功能、 個人電腦通信功能、個人資訊管理功能等。更具有操作部 511而透過操作操作部511 ,可選擇各種功能。處理部51〇 因應所執行的處理内容而生成圖像資訊。顯示部520係顯示 資訊處理部510所生成的圖像資訊。在此，該顯示部52〇可 製作於本發明之彩色顯示裝置、反射型顯示裝置、驅動電 路一體組裝顯示裝置中任一種裝置。 -19- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公嫠) 583419 A7 B7 五、發明説明（16 )
如上說明，根據本發明，藉由在相同曝光遮罩内製造改 變透過光亮的圖案，可在相同基板上以較少的步驟數形成 具有不同膜厚的感光性有機平坦化膜。據此，可形成多重 間隙的面板，以提昇透過率及色再現性。又，透過使周邊 驅動電路上的有機平坦化膜薄化，可改善間隙偏差分布以 提昇顯示品質。此外可利用相同步驟製造反射型顯示裝置 的凹凸形狀與接觸孔，以減少步驟數及成本。 【圖面之簡要說明】 圖1係顯示裝置參考例之模式部分剖視圖。 裝 圖2係本發明顯示裝置第一實施形態之剖視圖。 圖3係曝光時間與平坦化膜侵蝕量的關係圖表。 圖4係顯示裝置的參考例之部分剖視圖。 訂
圖5係顯示裝置的參考例之部分剖視圖。 圖6係顯不裝置第二實施形態之模式部分剖視圖。 圖7係顯示裝置的參考例之部分剖視圖。 圖8係本發明顯示裝置的第三實施形態之模式圖。 圖9係本發明行動電話終端裝置之例之模式平面圖。 圖1〇係本發明行動電話終端裝置之例的模式斜視圖。 【元件符號之說明】 1···基板、2···基板、3···液晶、4···薄膜電晶體的集合、5··· 平坦化膜、6···配線、7.··黑矩陣、9···密封材、CF···彩色濾 •20-

Claims (1)

  1. 1· -種顯示裝置，其係具有包含介以特定間隙相互接合的 一對基板與保持於該間隙的電性光學物質之面板構迕， 在-側基板上形成有薄膜電晶體集纟、覆1該薄：電 晶體集合的平坦化膜、與配置於該平坦化膜上的像素電 極集合， 在另—侧基板上形成有與像素電極集合相對之相向 電極者， 其特徵在於： 上述平坦化膜係由感光性材料構成，並以藉由曝光處 理在該一側基板内具有不同厚度之方式形成。 2·如申請專利範圍第i項之顯示裝置，其中上述一側美板 係包含··由像素電極與驅動該像素電極之薄臈電晶：構 成的像素陣列部；以及為了驅動該像素陣列部而以薄膜 電晶體構成的驅動電路部； 上述平坦化膜係從像素陣列部以至週邊的驅動電路 部形成，且該像素陣列部與該驅動電路部上之膜厚不 同。 3. 如申請專利範圍第丨項之顯示裝置，其中在上述平坦化 膜係具有以在表面產生凹凸之方式，使厚度相異之區域 ，忒像素電極由反射膜構成，並配置於該凹凸所產生的 區域。 4. 如申請專利範圍第！項之顯示裝置，其中在各像素電極 係被分配不同的顯示色，且上述平坦化膜係因應分配於 各像素電極上的顯示色波長，使對應於各像素電極之部 O:\75\75762-921021.DOC 6 583419 A8 B8 C8 D8
    分的厚度不同之方式形成。 5· —種顯示裝置的製造方法，該顯示裝置具備有介以特定 間隙相互接合的一對基板與由保持於該間隙的電性光 學物質所構成之面板構造者，且包含有以下步驟： 在側基板上形成薄膜電晶體集合、覆蓋薄膜電晶體 集合的平坦化膜與配置於該平坦化膜上的像素電極集 合，以及在另一側基板上形成與像素電極集合相對之相 向電極之步驟； 形成該平坦化膜的步驟係使包含感光性材料的平坦 化膜塗布於該一側基板上之塗布步驟； 在曝光量的平面分布被賦與變化的狀態下進行該平 坦化膜的感光處理之曝光步驟； 敍刻所感光之平坦化膜表面，因應該曝光量的平面分 布使該平坦化膜的厚度加工成不同狀態之加工步驟。 6·如申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法，其中上 述曝光步驟係經由在透過率的平面分布具有變化之遮 罩，使光照射於該平坦化膜而進行曝光處理。 7·如申請專利範圍第6項之顯示裝置的製造方法，其中上 $曝光*步驟係為了照射特定能量的光而使用不同的遮 罩以進行複數次感光處理。 8·如申請專利範圍第6項之顯示裝置的製造方法，其中上 述曝光步驟為了以相同遮罩照射不同能量的光，而使用 没有使特定部分成為不同能量的濾光片之遮罩。 9·如申清專利範圍第8項之顯示裝置的製造方法，其中上 -2 - O:\75\75762-921021.DOC6 :297公釐） 583419 申請專利範圍 述曝光步驟係使用可繞射光的圖案作為該渡光片。 10.如申请專利範圍第8項之顯示裝置的製造方法，其中上 述曝光步驟係使用ϋ由具有不同透過率之二種以上的 遮光物質所形成之渡光片作為該滤光片。 11·如申請專利範圍第8項之顯示裝置的製造方n中上 =曝光步驟係使用具有1%至5〇%透過率的據光片之遮 12.如申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法，其中在 t述御J基板形成有：由像素電極與驅動該像素電極的 =膜電晶體所構成的像素陣列部；以及為了驅動該像素 P列α卩而以薄膜電晶體構成的驅動電路部； 上述平坦化膜係從該像素陣列部以至週邊的驅動電 部形成’且該像素陣列部與該驅動電路部上之膜厚 不同。 、 α如申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法， 上述平坦化膜具有以在表面產生凹凸之方式，使厚产相 凹 且該像素電極由反射膜構成，並配置於： 凸所產生的區域。 如申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法， 各像素電極上係被分配不同的顯示色，上述平域 因應分配於各像素電極上的顯示 …、 部分的厚度不同之方式形成。色，皮長使各像素電極 a -種行動f話終端裝 與接收㈣作之操作部、可依該操作肋料話部與至 -3- O:\75\75762-921021.DOC 6 本紙張尺度適财s ϋ標準_) A4規格(21〇 X 297公釐） 583419 -4- 申請專利範園 少可顯示有關該操作的資訊之顯 具備有·· 1八特徵在垓裝置 上^ 顯示部係具有由介以特定 基板與保持於該間隙的電性 的-對 造； %予物貝所構成之面板構 在一側基板上形成有薄膜電 曰栌隹入ΑΛΤ 日體集合、覆盍該薄膜雷 日日體集合的平坦化膜與配置於該平 :電 極集合； 一膜上的像素電 極在另一侧基板上形成相對於像素電極集合的相向電 :述=膜係由感光性材料構成，並藉由 以在一側基板内具有不同厚度之方式形成。 16.如申請專利範圍第15項之行動電話終端裝置，宜中 :侧基板係包括：由像素電極與用以驅動該像素電極^ 缚膜電晶體所構成的像素陣列部；以及為了驅動該 陣列部而利用薄膜電晶體構成的驅動電路部；/ ” 上述平坦化膜之形成範圍係由像素陣列部至週邊的 驅動電路部，且該像素陣列部與該驅動電路部上的膜厚 為不同。 17·如申請專利範圍第15項之行動電話終端裝置，其中上述 平坦化膜係具有以在表面產生凹凸之方式，使厚度相異 之區域，該像素電極由反射膜構成，並配置於該凹凸所 產生的區域。 18.如申請專利範圍第丨5項之行動電話終端裝置，其中在各 O:\75\75762-921021 .DOC 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 裝 訂
    申請專利範
    =電極上係被分配不同的顯示色，且上述平坦化膜係 於各像素電極上的顯示色波長，以使對應於各 像素電極之部分厚度不同之方式形成。 19·::行動資訊終端裝置，係一體組裝有：輪入命令之操 作4、依據命令處理資訊的處理部、及顯示所處理的資 Λ之顯示部，其特徵在該裝置具備有： 上述顯示部具有由介以特定間隙相互接合的一對基 板與保持於該間隙的電性光學物質所構成的面板構造； 上側基板上形成有薄膜電晶體集合、覆蓋該薄膜電 :曰？集合的平坦化膜與配置於該平坦化膜上 極集合， 極在另一側基板上形成相對於像素電極集合的相向電 上述平坦化膜係由感光性材料構成，並藉由曝光處理 以在一側基板内具有不同厚度之方式形成。 20.如申請專利_第19項之行動資料端裝置，其中上述 -側基板係包括：由像素電極與驅動該像素電極的薄膜 電晶體所構成的像素陣列部；以及為了驅動該像素陣列 部而以薄臈電晶體構成的驅動電路部； 上述平坦化膜係從像素陣列部以至週邊的驅動電路 部形成，且該像素陣列部與該驅動電路部上之膜厚不同 21.如申凊專利範圍第1 9項之行動資訊終端裝置，其中上述 平坦化膜係具有以在表面產生凹凸之方式，使厚度相異 O:\75\75762-921021.DOC 6 -5- 8 8 8 8 A B c D 583419 六、申請專利範圍 的區域，且該像素電極由反射膜構成，並配置於該凹凸 所產生的區域。 22.如申請專利範圍第19項之行動資訊終端裝置，其中在各 像素電極係被分配不同的顯示色，且上述平坦化膜係因 應分配於各像素電極上的顯示色波長，使對應於各像素 電極之部分的厚度不同之方式形成。 O:\75\75762-921021.DOC6 - 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
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