TW581907B - Liquid crystal display and the manufacturing method thereof - Google Patents

Description

581907 五、發明說明（1) ' , 【發明所屬技術領域】 本發明係有關於一種液晶顯示裝置，該裝置係將薄膜 電晶體（TFT)配置成矩陣狀並以其作為切換（switching)元 件使用，以及有關於該液晶顯示裝置之製造方法。 【習知技術】 在玻璃基板上將薄膜電晶體（Thin Film Transistor ;以下簡稱為’’TFT")以矩陣狀形成，並將其作 為切換元件使用之主動矩陣（acvi ve matrix)型液晶顯示 裝置，已被間發作為高畫質之平面顯示器。 在習知中廣為使用的扭轉向列（twisted nematic ;以 下簡稱為"TN")型之主動矩陣型液晶顯示裝置中，驅動液 晶層之電極係使用形成於2片玻璃基板上之相對且透明的 電極，未施加電壓時之液晶分子在基板表面呈平行排列而 顯示「亮」之狀態，施加電壓後液晶分子會順著電場方向 配向而產生向量方向之變化，並藉著以上之變化由「亮」 之顯示狀態而轉成「暗」之顯示狀態。 但是，因為该施加電壓之液晶分子之上述特有舉，動， 使得TN型液晶顯示裝置有所謂視角狹小的問題。該視角狹 小的問題於灰階顯示時，在液晶分子之站立向上方 別明顯。 因而，改善液晶顯示裝置視角特性之方法，被提出如 於特開平4-261 522號公報或特開平6__43461號公報中所揭 不之技術。在上述技術中，係先作成垂直（h〇me〇tr〇pic) 配向之液晶穴（cel 1)，再將該液晶穴夾於偏光軸垂直相交

581907 五、發明說明（2) 之2片偏光板之門 具有開口部之妓§’/.如該公報甲之圖所示般，藉著使用 使各書辛裉出9二電極使各畫素内產生傾斜電場，再藉此 性。ί別二/枯固以上的液晶區域（d〇main)以改善視角特 虔時方T22:公報中，可藉著在施加電 之作斜方向，而實現高對比（contrast)。 應使用先平6 一43461號公報中所述般，必要時得對 特開平6 4^ Λ 以改善暗之視角特性。更進一步’於 Ϊ 公報中，不僅是在垂直配向…穴 w 液晶穴中亦藉由傾斜電場而使各晝素分割 上的區域（domain)而改善視角特性。 分子ί與特許平5,5247號公報中，為了使液晶 署/Ιι土板水平之方向旋轉，而提出將2個電極一起設 置在一邊的基板上，並於該2個，電極間施加電壓以產生盥 =板2平方向的電場之IPS(In_plane_switching)式液晶 1不裝置。在該方式中，於施加電壓時液晶分子之長轴不 二j基板上站立。因此具有在改變視角方向時液晶之複屈 折變化小，因而視角廣之特性。 有關於如上述般之將2個電極一起設置於一邊的基板 上而成之IPS式主動矩陣型液晶顯示裝置，將於以下進行 說明。該IPS式之TFT液晶顯示裝置，其構成為如第12圖所 不般。另外，在第12圖中，第12圖（a)所示係為第12圖（1)) 之呼面圖中的AA，線剖面。 首先，在玻璃基板1201上形成由鉻所構成之閘極 (gate) 1 202及共通電極1 203 ’並於上述之電極上層疊形成 581907

由虱化矽所構成之閘極絕緣膜1 204。接著，在閘極12〇2上 隔著閘極絕緣膜1 204形成由非晶性矽所構成之半導體膜 1 205 ’以形成作為電晶體動能層之功能。 又’在半導體膜1205之圖案（pat tern)的一部份上層 邊形成由翻所構成之沒極（drain)i2〇6及源極 (sour ce)l 207，再形成將以上所述者全部被覆之由氮化矽 '所構成的保護膜1 2 〇 8。 另外’如第12圖（b)所示般，在源極1207及其所延伸 出之共通電極1203之間配置以1畫素弋區域。 然後’將如上述般構成之單位畫素以矩陣狀配置於主 動矩陣型基板的表面上，以形成配向膜0RI1。該配向膜 0RI1表面並施以摩擦（rubbing)處理。 另一方面·，在相反方向之由玻璃構成的基板1231上， 彩色濾光器（color filter)層1232形成於遮光部1233間之 區塊中，並於其上再形成保護膜1 234。然後，亦於該保護 膜1 234之表面上形成配向膜0RI2，同時該配向膜0RI2的表 面亦施以摩擦處理。 接著，將玻璃基板1201與相向基板1231以配向膜ORII 及配向膜OR I 2之形成面相向而配置，並於其間配置液晶組 成物1 240。又，在玻璃基板1201及相向基板1231之外側面 形成偏光板1251。另外，間隔配置於彩色濾光器層1 232間 之遮光部1 233，其一部份之區域係以配置於由半導體膜 1 2 0 5所構成之薄膜電晶體上而形成。， 如上述般構成之主動矩陣型液晶顯示裝置，在液晶組

581907 五、發明說明（4) 成物1240未施加電場時，液晶分子124ia在其電極之延伸 方向大致呈平行狀態排列’即呈平行（h〇m〇gene〇us)配 向。亦即液晶分子1241a是以下述方式配向：液晶分子 1241a之長軸（光學轴）方向與由閘極12〇7和其所延伸出的 共通電極1203之間形成的電場方向所構成之角度為45〇以 上未滿900。此外，面對面配置之玻璃基板12〇1及相向基 板1231與液晶分子1241a間的配向方式係呈互相平行之狀 態。又’液晶分子1241a之誘電各向異性為正。

在此處，施加電壓於閘極1 202而使薄膜電晶體（τη) 處於ON之狀態後，再於源極12〇7施加電壓而誘發位於源極 1207及與其相向配置的共通電極12〇3 藉由該電場，使液晶分子12仏偏轉為液晶分電=241；:後該 液晶分子1241b之排列方向大略平行於在源極丨2〇7及與苴 相向配置的共通電極12〇3之間所形成之電場方向。接、著、， 將偏光板1251之變更透過轴依規定角度配置，並藉由上述 液晶分子之偏轉即可改變光之透過率。

因此，在該IPS式之主動矩陣型液晶顯示裝置由，即 使沒有透明電極也可賦予其對比變化。然上 :式=矩陣型液晶顯示裝置中’液晶分子之長轴；1 二 ί二”二施加電壓亦不會立起。因1^，在改變視角 方向時之凴度變化小，具有大幅改善視覺特性的效果。 更進一步，在文獻（Journal 〇f Applied Physics V〇l· 45，No· 12(1.9 74) 5466 )或特開平^ 8635 1 號公 上，發表了上述IPS模式之顛倒應用方式：該方式係將誘

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電率各向異性為正之液晶垂直於基板而進行垂直配向，並 以平行於基板方向之電場使液晶分子朝平行基板之方向偏 轉。此時因電場之方向而使垂直配向的液晶分子偏轉方向 不同，因而分成2個以上之區域。 ° 可是在IPS式中，習知以來，因為在液晶配置層與相 向基板之間配置有彩色濾光器層，而在源極及與其相向配 置的共通電極12〇3之間施加電壓所形成之電場會影響到該 彩色濾光器層，所以造成主動矩陣型液晶顯示裝置會有顯 示特性惡化的問題。 亦即，在彩色濾光器層之構成色素中因為含有作為不 純物之鈉離子等，所以若在彩色濾光器層施予電場的話，| 該處就會因電荷積存而造成電荷累積（charge up)。然 後’彩色濾光器層產生電荷累積後，因在其下部之液晶一 直存在不必要之電場，最終就影響了其顯示特性。 【用以解決課題之手段】 本發明之目的，係於上述之液晶顯示裝置中抑制色斑 之產生。本發明之另一目的，係提供一容易製成如上述般 之液晶顯示裝置之製造方法。 本發明之液晶顯示裝置，係在透明的第1基板與透明 ，第2基板之間夹有液晶層及彩色濾光器層，該彩色濾光 器層配置於第1基板上，液晶層配置於彩色濾光器層及第2 基板之間；而在彩色濾光器層下之第丨基板上，具有複數 掃描信號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 581907

五、發明說明（6) 體，·在包圍著複數掃描信號電極及映像信號電極之個別區 域上構成至少一個畫素；在個別的畫素間，具有給予由共 通電極電路所跨接之複數畫素基準電位之共通電極以及在 接續於對應之薄膜電晶體的晝素區域中與共通電極相向配 置之畫素電極；共通電極及畫素電極隔著由透明絕緣物構 成之層間分離膜而配置於該膜之相異兩側；藉由施加於共 通電極及畫素電極間之電壓，會在液晶層對第1基板產生 具有可控制平行成份之電場，且施加電壓前之液晶對第1 基板大略成平行地配向。

另外，本發明之第2液晶顯示裝置，係在透明的第i基 板與透明的第2基板之間夾有液晶層及彩色濾光器層，該 彩色濾、光器層配置於第1基板上，液晶層配置於彩色據光 器層及第2基板之間；而在彩色濾光器層下之第丨基板上， 具有複數掃描信號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映傳 信號電極以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數 膜電晶體；在包圍著複數掃描信號電極及映像信號電之 個別區域上構成至少一個畫素；在個別的畫素間，具 予由共通電極電路所跨接之複數畫素基準電位之共通^ 以及在接續於對應之薄膜電晶體的畫素區域中盥丘 相向配置之畫素電極；共通電極及畫素電極隔著： 緣物構成之層間分離膜而配置於該膜之、相異兩侧、 加於共通電極及畫素電極間之電壓，會在液晶層對^由掷 板產生具有可控制平行成份之電場，且施加土 對第1基板大略成垂直地配向。· 則之液盖 581907 五、發明說明（7) 因此，利用藉由施加於共通電極及畫素電極間之電壓 所產生之電場，可使㈣液晶層之液晶自動地分成2個以 f之區域而倒向平行於基板之方向，而使得在該液晶層所 產生之電場不會影響到彩色濾光器層。 另外，在本發明之液晶顯示裝置中，為了抑制開口率 之降低，亦可將共通電極或畫素電極之至少一邊以透明性 導電膜來形成。更進一步，也可將晝素電極以透明性導電 膜來形成，共通電極以鉻等金.屬來形成，以及在與該共通 電極相同之層形成替TFT遮光之遮光層。 ^ 又，本發明之液晶顯示裝置，為了改善視角特性，在 偏光板及液晶穴之間至少具有一片光學補償板。該補償板 ，為了使在未施加電壓時液晶能呈垂直（h〇me〇tr〇pic)配 向，並從斜視時能抵消延遲（retardation)之變化的觀點 來看，以使用負的光學補償板較佳。上述之補償板可使用 以2轴延伸的方法所作成之1片的薄膜，或使兩重疊 2片以上的1轴延伸薄膜而成之實質上負的丨軸補償板亦可" 得到相，之效果。更進一步，在一開始理論上為垂直配 向，但是因為元件之特性而造成往某方向偏移之情形下 時，為了再進一步進行補償，亦可貼附光學各向異性為正 之薄膜。 ' 又本發明之液晶顯示裝置’為了避免因靜電等而對 顯不造成不良之影響，亦可於第2基板之液晶層及相反側 上設置透明性之導電膜。 又’本發明之液晶顯示裝置之製造方法，係藉由將電

IEH 第10頁 581907 五、發明說明（8) 壓施加於共通電極及畫素電極之間以 藉著將少量混合於液晶中之聚合性單 (oligomer)進行高分子化，即可更進 之液晶配向。在控制起始配向時，可 達到各向同性相之後，同時施加電壓 極之間，再使溫度下降，亦可僅在室 電極及晝素電極之間。又，單體之反 性相前引發，亦可於加熱中引發，也 外，在室溫十施加電壓於共通電極及 起始配向時，可、於電壓施加前引發反 後引發反應。 又，本發明之液晶顯示裝置之製 使用預摩擦或光配向等方法以依其分 之控制，同時為了使起始配向之控制 動電壓來防止上述之配向變亂，更進 量混合於液晶中之聚合性單體或寡聚 更：異的效果。此外，在光配 將少量混合於液晶中之聚合性單體或 化’即可於驅動時瑞香 【圖式簡單說ΐ】時確實地維持分割。 杰=U’ 1Β圖】本發明實驗例1中 成剖面圖以及平面圖。 、【第2Α —2Ε圖】用以說明實驗例1 造方法之說明圖。 Λ 控制起始 體或寡聚 一步確實 先猎由加 於共通電 溫下施加 應可於加 可於冷卻 畫素電極 應，亦可 造方法， 割形狀進 能極確實 一步，若 物進行高 向的情形 养聚物進 之液晶顯 的液晶顯 配向後’再 物 地穩固起始 熱使液晶層 極及畫素電 電壓於共通 熱至各向同 後引發。另 之間以控制 於電壓施加 係在基板上 行預傾斜角 ’並藉由驅 再藉著將少 分子化，即 下，若藉由 行南分子 示裝置的構 示裝置之製

第11頁 581907 、發明說明（9) 例1 的 【第3F,3G圖】接續第2A-2E圖，用以說明實每 液晶顯示裝置之製造方法之說明圖。、 【第4A，4B圖】本發明實驗例2中之液晶顯示裝 成剖面圖以及平面圖。 置的構 【第5A, 5B，5C圖】本發明實驗例3中之液晶顯厂 的構成剖面圖以及平面圖。 不袭置 之製 示裝置的構 & #法之說明圖 【第7A - 7C圖】本發明實驗例4中之液晶顯 成平面圖以及剖面圖。 -第6A-6E圖】用以說明實驗例3的液晶顯示襄置 【第8A-8E圖】用以說明實驗例4的液晶顯示裝置之製 造方法之說明圖。 【第9A-9B圖】本發明實驗例5中之液晶顯示裝置的構 成平面圖以及剖面圖。 【第10A-10C圖】本發明實驗例5中之摩擦處理方法的 工程圖。 【第11A-11C圖】本發明實驗例5中之其他摩擦處理方 法的工程圖。 【第12A，12B圖】習知之IPS式TFT液晶顯示裝置的構 成示意圖。 【發明之實施例】 以下就本發明之實驗例參照圖式進行說明。 [實驗例1 ] 首先’使用第1圖就本發明實驗例i中之液晶顯示裝置 第12頁 581907 五、發明說明（10) 進行說明。另外在第1圖中，第1A圖所示係第…圖平面圖 中AA’線之剖面。 在本貫驗例1之液晶顯示裝置中，於玻璃基板1〇1上配 置由鉻所構成之閘極（掃描信號電極）1〇2，並於該閘極1〇2 上覆蓋形成由氮化矽所構成之閘極絕緣膜丨〇4。 接著’在閘極102上隔著閘極絕緣膜丨〇4配置由非晶性 矽所構成之半導體膜1 05，以形成作為薄膜雩晶體（TFT)動 旎層之功能。又’在半導體膜1〇5之圖案的一部份上層疊 配置由鉬所構成之汲極106及源極1〇7，再形成將以上所述 者全部被覆之由氮化矽所構成的保護膜丨〇8。另外，將未 圖示之汲極106及源極1〇7個別隔著導入n型不純物之非晶 質矽膜而層疊於半導體膜105之圖案的一部份上。接著， 如第1B圖所示般，將汲極1〇6接續於訊號（data)線（映像信 號電極）106a上。換言之，汲極1〇6形成為訊號線i〇6a的一 部分。 然後，在本實驗例1中，於其保護膜108上將彩色濾光 器層11 0間隔配置於遮光部111之間。另外，再於彩色遽光 器層110及遮光部111上利用上覆層（overcoat)ii2予以覆 蓋。該上覆層11 2係以不易產生電荷累積之透明絕緣材料 所構成。 然後，將藉由貫通保護膜108、遮光部111以及上覆層 112所形成的貫通孔而接續於源極107上之畫素電極114配 置於上覆層112之上。接著，於同平面上之1畫素的區域 中，與畫素電極114相向而形成由共通電極電路l〇3a延伸

581907 五、發明說明（π) 出之丼通電極103。在此處，該共通電極1〇3係配置於遮光 部1 11上並被上覆層11 2所覆蓋著。 因此，在本實驗例1中，共通電極1 〇 3係配置於彩色濾 光器層110上，然後再於覆蓋在該共通電極1〇3及彩色濾光 器層110上所形成的上覆層112上配置晝素電極114。接 著，在該畫素電極114及共通電極103所夾的區域處形成1 畫素之構成。 再來，在將上述般構成之單位畫素以矩陣狀配置之主 動矩陣型基板的表面上，即在晝素電極114形成於其上之 上覆層112上形成配向膜115。該配向膜11 5的表面並施以 摩擦處理。、 另一方面，在相反方向.之由玻璃構成的基板131上也 形成配向膜132，並將該配向膜132的表面亦施以摩擦處 理0 然後，將玻璃基板101與相向基板131以配向膜115及 配向膜132之形成面相向而配置，並於其間配置液晶組成 物層140。又，在玻璃基板1〇1及相向基板131之外側面形 成偏光板1 51。另外.，間隔配置於彩色濾光器層11 〇間之遮 光部111，其一部份之區域係以配置於由半導體膜丨〇 5所構 成之薄膜電晶體上而形成。 如上述般構成之TFT液晶顯示裝置，在液晶組成物層 140未施加電場時，液晶組成物層1 40之液晶分子在其電極 之延伸方向大致呈平行狀態之平行（homogeneous)配向。 亦即液晶分子之長軸（光學轴）方向與由畫素電極114和共

第14頁 581907 五、發明說明（12) 通電極1 0 3之間形成的電場方向所構成之角度為以例如4 5 〇 以上未滿9 0 0般而將液晶分子配向。 此外，面對面配置之玻璃基板101及相向基板丨31與液 晶分子的配向方式係呈互相平行之狀態。又，液晶分子的 誘電各向異性為正。在此處，施加電壓於閘極1 〇 2而使薄 膜電晶體（TFT)處於ON之狀態後’再於源極1〇7施加電壓而 誘發位於畫素電極114及與其相向配置的共通電極之間 的電場。然後，藉由該電場，使液晶分子丨41之排列方向 大略平行於在晝素電極114及與其相向配置的共通電極ι〇3 之間所形成之電場方向。 然後’將偏光板151之變更.透過轴依規定角度配置， 並藉由上述液晶分子之偏轉即可改變光之透過率。 其次’就上述實驗例1的液晶顯示裝置之製造方法進 行簡單地說明。 首先，進行鉻膜成膜並利用習知之微影成像 (photolithography)及蝕刻技術施行圖案化 (patterning) ’而如第2A圖所示般，在玻璃基板1〇ι上形 成閘極1 0 2 〇 其次’如第2B圖所示般，在閘極1〇2上及包含該閘極 之玻璃基板101上形成由氮化矽所構成之閘極絕緣膜1〇4， 並隔^閘極絕緣膜1 〇 4而.在閘極1 〇 2上形成由非晶性矽所構 成之半導體膜105。該半導體膜1〇5可藉著先在閘極絕緣膜 1/4上層叠非晶性石夕後，再藉由習知的微影成像及蝕刻技 術將該非晶性矽之膜進行圖案化而形成。接著，如第2C圖

581907 五、發明說明（13) 所不般’在半導體膜105之圖案的一部份上層疊形成由鉬 所構成之汲極1 0 6及源極1 0 7。 再來，如第2D圖所示般，以將汲極1〇6、源極1〇7以及 半導體膜105全部覆蓋之型式於閘極絕緣膜1〇4上形成保護 膜 108。 其次，如第2E圖所示般，在該保護膜1〇8上形成彩色 滤光器層110及遮光部111。又，同時形成共通電極1〇3。 此外’彩色濾光器層11 〇係由例如含有紅色、綠色或藍色 的染料或顏料之樹脂膜所構成。又，遮光部丨丨1可由含有 黑色的染料或顏料之樹脂膜所構成，亦可使用金屬來形 成。 該彩色濾光器層11 〇可舉例如將欲得到紅色等之期望 的光學特性之類料，分散於以丙烯系樹脂作為基材（base) 之負（nega)形感光性樹脂中，再使用顏料分散光阻 (resist)來形成。首先，藉著將該顏料分散光阻塗佈於保 護膜108上而形成光阻膜。其次，於該光阻膜之規定區域 内’即於呈矩陣狀配置之畫素區域内，以選擇性照光的方 式使用光罩（photo mask)進行曝光。曝光之後，再使用規 定之顯影液進行顯影，即可形成規定之圖案（pattern)。 將上述工程的色數，例如紅、藍、綠3色分3次進行反 覆操作’即可形成彩色濾光器層11 0。 接著’如第3F圖所示般，在包含共通電極1〇3之彩色 濾' 光器層11 〇及遮光部丨n上形成由透明的絕緣材料所構成 之上覆層11 2。該上覆層丨丨2可使用例如丙烯系樹脂等之熱

581907 五、發明說明（14) 硬化樹脂。又，於該上覆層112上亦可使用光硬化性之透 明樹脂。 其次’如第3G圖所示般，形成貫通孔並將藉由該貫·通 孔而接續於源極107上之畫素電極114形成於上覆層112之 上。 其後，於形成配向膜11 5之舞，再藉由液晶組成物層 140等之形成而完成如第1圖所示般之液晶顯示裝置。 如以上所示般，在本實驗例1中，藉著於配置在彩色 濾光器層110上之畫素電極114及與其相向配置之共通電極 103之間形成電場，即可驅動配置於上述者之上的液晶分 子141。 因此’根據本實施例的話，彩色濾光器層1 1 〇與液晶 组成物層140係以夾於畫素電極114及共通電極103之間而 配置。所以，為了藉由畫素電極114及共通電極1〇3而軀動 液晶分子141所施加之電場，就不會對彩色濾光器層11()造 成任何引響。 、又，於共通電極1〇3之上方，雖然液晶組成物層ho形, 成於上覆層112之上，但是上覆層112卻幾乎不會產生電荷 累積的現象。 綜上所述，若按照本實驗例丨，因為可抑制位於液晶. 組成物層140上下不必要之電場，故可形成與習知相異之 不易產生顯示特性劣化的構造。又因晝素電極114、共通 電極103以及共通電極電路1〇3a係隔著上覆層ιΐ2而形成， 所以不會發生互相接觸的情況。

1H 第17頁 581907 五、發明說明（15) [實驗例2 ] , 首先’使用第4圖就本發明實驗例2中之液晶顯示裝置 進行說明。另外在第4圖中，第4A圖所示係第4B圖平面圖， 中BB’線之剖面。 在本實驗例2之液晶顯示裝置中，於玻璃基板4〇1上配 置由鉻所構成之閘極4〇2，並於該閘極402上覆蓋形成由氮 化石夕所構成之閘極絕緣膜4〇4。接著，在閘極402上隔著閘 極絕緣膜404配置由非晶性矽所構成之半導體膜4〇5，以形 成作為薄膜電晶體動能層之功能。 又，在半導體膜4 05之圖案的一部份上層疊配置由鉬 所構成之汲極4 06及源極407，再形成將以上所述者全部被 覆之由氮化矽所構成的保護膜”8。另外，將未圖示之汲 極406及源極407個別隔著導入n型不純物之非晶質矽膜而 •層番於半導體膜40 5之圖案的一部份上。接著，如第“圖 所示般’將灰極4 06接續於訊號線4 06a上。以上之步驟皆 與上述實驗例1相同。 然後，在本實驗例2中，將彩色濾光器層41〇配置於其 保護膜408上。另外，再利用上覆層412將彩色濾光器層 41 0覆蓋。該上覆層41 2係以例如丙烯樹脂等不易產生電荷 累積之透明材料所構成。 然後，將接續於由源極407延伸出之延伸電極4〇7a上 之晝素電極414配置於上覆層412之上。該畫素電極414係 藉由貫通保護膜408及上覆層412所形成的貫通孔而接續於 延伸電極407a上。又，該畫素電極414係由ίτ〇(ίη2〇3 :Sr〇

581907 五、發明說明（16) 等之透明電極所構成，並配置於同一平面上將1畫素之區 域大略平分之中央部處。 接著，圍繞於該1畫素之區域而形成共通電極電路 403。又，該共通電極電路403係配置於彩色濾光器層410 上並被上覆層412所覆蓋著。然後，該共通電極電路403在 從上部看時，配置於下層的汲極40 6、訊號縣406a、源極 407、閘極402以及由上述者所構成之TFT皆呈隱藏狀態配 置，因而兼具有遮光層之作用。 再來，在將上述般，成之單位畫素以矩陣狀配置之主 動矩陣型基板的表面上，即在畫素電極414形成於其上之 上覆層412上形成配向膜415。該配向膜415的表面並施以 摩擦處理。 另一方面，在由玻璃構成之相向基板4 31上也形成配 向膜432，並將該配向膜432的表面亦施以摩擦處理。然 後’將玻璃基板401與相向基板4 31以配向膜415及配向膜 432之形成·面相向而配置，並於其間配置液晶組成物層 440。又，在玻璃基板4〇1及相向基板431之外側面形成偏 光板4 51。 如上述般，在本實驗例2之中也與上述實驗例1同樣地 將共通電極電路403配置於彩色濾光器層41〇上，然後再於 覆蓋在該共通電極電路403及彩色濾光器層41〇上所形成的 上覆層412上配置畫素電極414。此時，共通電極電路403 亦兼具於上述實驗例1中之共通電極的功用。 然後’於本實驗例2中，在圍繞在以格子狀形成之共

第19頁 19p7 五、發明說明（17) 一一" 通·電極電路40 3的區域内構成1晝素，並於通過其中央部而 將1晝素平分處配置畫素電極414。 如上述般構成之TFT液晶顯示裝置，在液晶組成物層 440未施加電場時，液晶組成物層44〇之液晶分子在其電胃極 之延伸方向大致呈平行的狀態。亦即液晶分子之長軸（光 學軸）方向與由畫素電極414和共通電極403之間形成的電 場方向所構成之角度為以例如45°以上未滿90。般而將液 晶分子配向。此外，面對面配置之玻璃基板4〇1及相向基 板431與液晶分子的配向方式係呈互相平行之狀態。又， 液晶分子的誘電各向異性為正。 在此處，施加電壓於閘極402而使薄膜電晶體（TFT)處 於ON之狀態後，再於源極4〇 7施加電壓而誘發位於畫素電 極414及與其相向配置的共通電極4〇3之間的電場^然後， 藉由該電場，使液晶分子441之排列方向大略平行於在畫 素電極414及與其相向配置的共通電極403之間所形成之電 方向。 然後，將偏光板451之變更透過軸依規定角度配置， 並藉由上述液晶分子之偏轉即可改變光之透過率。 如以上所示般，在本實驗例2中，也藉著於配置在彩 色濾光器層410上之畫素電極414及與其相向配置之共通電 極電路403之間形成電場，來驅動配置於上述者之上的液 晶分子4 41。 亦即在本實驗例2中，彩色濾光器層41〇與液晶組成物 層440亦以夾於畫素電極41 4及共通電極電路4〇3之間而配

第20頁 581907 五、發明說明（18) 置。所以，為了藉由晝素電極414及共诵^ , ΛΟ ，、通電極電路403两驅 動液晶分子441所施加之電場，就不會對每 Α ^ ^ 曰去7衫色濾光器層41 0 造成住何引響。

又，於共通電極電路403之上方，雖然液晶組成物層 440形成於上覆層412之上，但是上覆層412卻幾乎不會產 生電荷累積的現象。 S 綜上所述，若按照本實驗例2，因為可抑制位於液晶 組成物層440上下不必要之電場，故可形成與習知相異之 不易產生顯示特性劣化的構造。 又因畫素電極414以及共通電極電路4〇3係隔著上覆層 412而形成，所以畫素電極414及共通電極電路jog之間不 會發生互相接觸的情況。並且，若按照本實驗例2的話， 則因為可如前述般的以共通電極電路4〇3兼任遮光層之功 能’所以可將彩色濾光器層之製造工程簡略化。 另外，雖然在上述實驗例1、2中僅於丨個畫素内設置 1组共通電極及畫素電極，然其並非用以限定本發明。亦 即在1個畫素的區域内也可設置複數組共同電極及粗電 極。例如，可將該等電極以月芽形來形成並使其相向配 置。利用上述之方式，即使在1個畫素較大的情況下，也 因為可縮短晝素電極及共通電極之間的距離，而可降低用 以驅動液晶之施加電壓。 [實驗例3 ] 其次’使用第5圖就本發明實驗例3中之液晶顯示裝置 進行說明。另外在第5圖中，第5A圖係液晶顯示裝置之一

第21頁 581907 五、發明說明（19) 〜--- 部份畫素的平面圖，而第5B圖及第5C圖則分別表示a〜a， B - B ’線之剖面。 在本實驗例3之液晶顯示裝置中，於玻璃基板5〇1上形 成閘極505，並隔著閘極絕緣臈5〇4形成由及極5〇6及源極v 5 0 7所構成之薄膜電晶體，再於其上如實驗例j般形成保護 (passivation)膜512。然後，繼續在該保護膜512上形成 彩色遽光器層517，並以第1上覆層513將以上所述者覆 蓋。該上覆層5 1 3係由不易產生電荷累積之透明絕緣材料 所構成。 ’ 然後，將藉由貫通保護膜51 2及第1上覆層51 3所形成 的貫通孔而接續於源極507上之畫素電極5〇8配置於第1上· 覆層51 3之上。 接著，形成將上述者全部覆蓋之第2上覆層514，並於 其上形成由共通電極電路延伸出之共通電極5〇9。在此 處’為了使共通電極5 09及畫素電極5 08之間的電場能及於 液晶層515，以將第2上覆層514薄膜化至〇·卜lam的程 度，並進而使用誘電率高的材料較佳。 因此，在本實驗例3中，晝素電極508係配置於彩色濾 光器層517上的第1上覆層513之上，而共通電極5〇9係配置 於將上述者全部覆蓋而形成之第2上覆層514之上。接著， 在該晝素電極508及共通電極509所夾的區域處形成1畫素 之構成。又，配置在電路上及TFT上之共通電極509，與實 驗例2同樣地兼具有遮光的作用。 接著，在將上述般構成之單位畫素以矩陣狀配置之主

581907 五、發明說明（20) 動矩陣型基板的表面以及其相向基板的表面上形成配向 膜，並依規定方向進行摩擦處理，然後同實驗例丨般，利 用配^於主動矩陣型基板上之畫素電極及共通電極間所產 生之棱方向電場來驅動液晶，以使光的透過率可產生變 化。此外，液晶層515係夾於相向基板516及第2上覆層514 之間。 接者’就上述實驗例3的液晶顯示裝置之製造方法進 行簡單地說明。 如第6A圖所示般，在玻璃基板501上形成薄膜電晶 體，並於其上層疊保護用之保護膜512，之後如實驗例}般 使用顏料分散型之感光性丙烯樹脂等來形成彩色濾光器。 其次，如第6B圖所示般，使用透明的感光性丙烯樹脂 等來形成第1上覆層，並進行貫穿孔518之開孔，而位於保 護膜512上之貫穿孔亦同時開孔。 然後，如第6C圖所示般，將藉由貫穿孔518而接續於 源極507之畫素電極508以ITO等而形成於第1上覆層之上。 再來，如第6D圖所示般，形成第2上覆層。在第2上覆 層係藉著利用感光性之有機膜等塗佈法來形成時，以將貫 穿孔518平坦化以免造成畫素電極及共通電極之間的短路 為較佳。 然後，如第6E圖所示般，利用鉻、鉬等來形成共通電 極509。 綜上所述，若按照本實驗例3，因為可抑制位於液晶 層515上下不必要之電場，故可形成與習知相異之不易產

第23頁 581907 五、發明說明（21) 生顯示劣化的構造。又，第1上覆層上之貫穿孔因為藉著 第2上覆層之平坦化，所以成為極少會在晝素電極及共通 電極之間發生短路之構造。 [實驗例4 ] 接著，使用第7圖就本發明實驗例4中之液晶顯示裝置 進行說明。另外在第7圖中，第7A’圖係液晶顯示裝置之一 部份畫素的平面圖，而第7B圖及第7C圖則分別表示A-A’及 B-B’線之剖面。

在本實驗例4之液晶顯示裝置中，於TFT玻璃基板上形 成閘極705，並隔著閘極絕緣膜704形成由汲極706及源極 十〇7所構成之薄膜電晶體，再於其上如實驗例1般形成保護 膜 712。 然後，在該保護膜712上形成彩色濾光器層717，並以 第1上覆層713將以上所述者覆蓋。該上覆層713係由不易 產生電荷累積之透明絕緣材料所構成。接著，在保護膜 712以及第1上覆層713上形成由共通電極電路延伸出之共 通電極709。再來，形成將上述者全部覆蓋之第2上覆層 714，並配置藉由貫通第2上覆層所形成之貫穿孔而接續於 源極707之畫素電極708。

在此處，為了使共通電極及畫素電極之 於液晶層71 5，以將第2上蓆恳祛时儿^ Λ 光、隹而你田4帝玄一覆層溥膜化至〇·卜1 的程度 並進而使用誘電率尚的材料較佳。 因此，在本實驗例4中，止、畜恭& ^ Λ λ 光器m上的第!上覆層713之：通=9係配置於彩色 之上’而晝素電極7〇8係配置

581907 五、發明說明（22) " * 將上述者全部覆蓋而形成之第2上覆層之上。 然後，在該晝素電極7 08及共通電極709所夾的區域處 形成1畫素之構成。又，配置在電路上及TFT上之共通電極 709，與實驗例2同樣地兼具有遮光的作用。、 〜 接著’在將上述般構成之單位畫素以矩陣狀配置之主| 動矩陣型基板的表面以及其相向基板的表面上形成配向 膜’並依規定方向進行摩擦處理，然後同實驗例1般，利 用配置於主動矩陣型基板上之畫素電極及共通電極間所產 生之橫方向電場來驅動液晶，以使光的透過率可產生蠻 化。 此外，液晶層715係夾於相向基板71 6及第2上覆層71 4 之間。 曰 接著’就上述實驗例4的液晶顯示裝置之製造方法進 行簡單地說明。如第8A圖所示般，在玻璃基板7〇1上形成 薄膜電晶體，並於其上層疊保護用之保護膜71 2，之後如 實驗例1般使用顏料分散型之感光性丙烯樹脂等來形成彩 色濾光器。 / 其次’如第8 B圖所示般’進行第1上覆層之塗佈後， 將共通電極70 9利用鉻、鉬等之金屬來形成圖案 (pattern) 〇 然後’如第8C圖所示般’進行第2上覆層之塗佈後， 形成貫通第1、2上覆層及保護膜之貫穿孔718。 最後，如第8D圖所示般，將藉由貫穿孔7^8而接續於 源極707之畫素電極708以I TO等而形成於第2上覆層之上。

第25頁 581907 五、發明說明（23) 綜上所述，若按照本實驗例4，因為可抑制位於液晶 層715上下不必要之電場，故可形成與習知相異之不易產 生顯示劣化的構造。又，因為第1、2上覆層之圖案化係一 起進行而形成貫穿孔，所以可較第3實施例之製造工程更 簡化。 [實驗例5] 接著，使用第9圖就本發明實驗例5中之液晶顯示裝置 進行說明。另外在第9圖中，第9A圖所示係第9B圖平面圖 中AA’線之剖面。 在將與實驗例1同樣構成之單位晝素·以矩陣狀配置之 主動矩陣型基板的表面上，即在畫素電極914形成於其上 之上覆層912上形成垂直配向膜915。將該配向膜915的表 面對應必要的摩擦處理或施予光配向處理。 另一方面’在由透明性基板構成之相向基板931上也 形成垂直配向膜932，並將該配向膜932的表面亦對應以必 要的摩擦處理或施予光配向處理。又，為了防止因靜電而 造成晝質變差’也可於相向基板之配向膜及相反側的表面 上設置ΙΤ0等之透明性導電膜。 將基板9 01與相向基板9 31以配向膜915及配向膜932之 形成面相向而配置，並於其間配置液晶層94〇。又，以透 過型使用時，在基板9〇1及相向基板931之外侧面形成偏光 板951 °另外，間隔配置於彩色濾光器層91〇間之遮光部 911 ’其一部份之區域係以配置於由半導體膜905所構成之 薄膜電晶體上而形成。

581907 如上述般構成之主動矩陣型液晶顯示裝置，在液晶層 940未施加電場時，液晶層940之液晶分子係在基板上大略 呈垂直配向。液晶之誘電率各向異性為正。 在此處，施加電壓於閘極9〇2而使薄膜電晶體（TFT)處 於ON之狀態後，再於源極9 〇7施加電壓而誘發位於畫素電 極9 14及與其相向配置的共通電極9〇3之間的電場。一然後， 藉由該電場，使液晶分子941之排列方向大略平行於在畫 素電極914及與其相向配置的共通電極9〇3之間所形成之電 場方向。亦即變成倒向基板之方向。 又，因為此時電場的方向不完全與基板平行，所以電 極間的液晶分子分兩方向而倒。 因此在本發明方法中，即使不特別對配向膜施加處 理，液晶倒下之方向也會自動地分開，因而可達到視角變 廣的效果。 、 '但疋’在液晶向不同方向.所倒下之個別區域中，若僅 ，電場之方向來控制，是無法將其明確地分開的。因此， 内&狀^不良時，其邊界會在顯示畫面產生畫素 一清形下成為顯示不良發本之原因。 處，為了能更完全地控制液晶倒下方向不同之邊 ，坌"利用以下所示之方法將其邊界進行固定。 之摩換處S方法可如第圖所示般，在每個區域進行不同 域的 ’如第10Α圖所示般，在畫素内邊界線之一邊區 垂直配向膜915上形成光阻圖案（risi st 581907 五、發明說明（25) pattern)1001，並在該狀態下使摩擦滾筒（rubbing roil) 1010向規定方向移動。藉此，就可將垂直配向膜915上未 被光阻圖案1001所覆蓋之區域依規定方向進行摩擦處理。 但是，該處為光阻圖案1001所覆蓋之區域未施以摩擦處 理。 接著，將光阻圖案1001去除後，如第10B圖所示般， 在畫素内邊界線之另一邊區域的垂直配向膜915上形成光 阻圖案1002。亦即覆蓋已經摩擦處理之區域而形成光阻圖 案1 002。然後，在該狀態下使摩擦滾筒1010朝與上述相反 之方向移動。 藉此’就可將垂直配向膜915上之未以光阻圖案i〇Q2 所覆蓋的區域施行與已經摩擦處理之區域相反方向之摩擦 處理。但是，該處理對於先前已經摩擦處理之區域，由二 有光阻圖案1002之覆蓋，因此並未因而產生再摩擦處理。、 然後，將光阻圖案1 002去除後，以將其相向基板931 側之垂直配向膜932也進行同樣地處理，並如第1〇(：圖所二 般而於上述基板間配置液晶層940為佳。根據上述之結不 果，在液晶層940之邊界線上，液晶分子941形成倒向° 方向之狀態。亦即藉由上述之方法，可固定其分割區、 又，為了能更完全地控制液晶倒下方向不同ϋ „。 亦可利用以下所示之方法將其邊界進行固定。該 個太 法，係使用藉由照射經偏光之光而使其配向方向 配向膜。 口疋（光 以下，進行更詳細之說明，首先，如第11Α圖所示

第28頁 581907 五、發明說明（26) 般，一面形成由光配向膜構成之垂直配向膜915，一面在 規定的邊界線一邊之區域配置遮光用光罩11〇1，在該狀態 下將傾斜方向之偏向光1 Π 0從上部進行照射。藉此，可使 垂直配向膜9 15上未被光罩（mask) 1 101所覆蓋之區域形成 規疋之配向狀態。但是在該處，位於光罩1 1 〇 1上部之區域 並未形成規定之配向狀態。 其次，如第11B圖所示般，在畫素内邊界線之另一邊 區域的垂直配向膜915上配置光罩11〇2。亦即覆蓋先前已 依規定配向狀態配向之區域而配置光罩丨丨〇 2。然後，在該 狀態下將與上述傾斜方向相反之偏向光從上部進行照射。 藉此，就可將垂直配向膜915上之未以光罩11 〇2所覆蓋的 區域形成規定之配向狀態。 同時藉此就可將垂直配向膜915上之未以光罩11〇2所 覆蓋的區域，形成與先前之規定配向狀態區域相反方向之 規定配向狀態。然而，該處理對於先前已依規定配向狀態 配向之區域，由於有位於上部之光罩11〇2擋住光之照射， 因此並未因而產生再配向之情形·。 然後，如第11C圖所示般，將其相向基板931側之垂直 配向膜9 3 2也進行同樣地處理，並於上述基板間配置液晶 層940為佳。根據上述之結果，在液晶層94〇之邊界線上， 液晶分子941形成倒向相異方向之狀態。亦即藉由上述之 方法，可固定其分割區域。 另外，以該，光配向膜而言，可使用具有肉栓酸基般可 藉由偏光來控制液晶之配向之官能基的物質，或使用如

ϋηΠΗ 581907 五、發明說明（27) AM-LCD， 96/IDff， 96 Digest of Technical Papers 的第 3^7頁所述之可藉由偏光照射而進行感光基之聚合的高分 更進步，在利用上述2個方法都無法抑制凌亂之液 晶配向的情形了，也可以藉由使用有機高分子材料來記憶 液晶之配向狀態。該方法首先係將作為材料之單體 〜 (m〇n = er)或寡聚物（〇lig〇mer)導入液晶，接著使液晶 成規疋的配向狀態，再藉由照射紫外線 根據上述結果即可使液晶的配向狀態變成 田：作為上述有機高分子材料之單體或募聚物而 吕：使用《硬化性單冑、熱硬化性單體或上述者之 物等，又’也可以使用包含有上述等 养t 之物質。在本發明所使用之所謂「光硬 份 別以後者較佳。 右從知作之容易性來看特 又，上述之高分子化合物雖然可為與含肴 =單聚物之液晶分子具有相 :曰 為不，使液晶配向…，所以 二疋因 (alkylene)鏈般柔軟性之物。此外， 六’況得 合物，或可為具有3官能以上之多官能性°單為=能= 明中呤使用之光或紫外線硬化單體 . 以本發 所列舉者。 遐而舌，可使用以下例中 581907 五、發明說明（28)

首先，可使用以下所例舉之單官能丙烯酸酯化合物： 2-乙基己基丙烯酸酯、丁基乙基丙烯酸酯、丁氧基乙基丙 嫦酸S旨、2-氰基乙基丙烯酸S旨、苄基丙浠酸醋（benzyl aery late)、環己基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙稀酸S旨、N，N-乙基胺基乙基丙烯酸酯、M，N-二甲基胺基乙基丙稀酸S旨、二環戊基丙稀酸醋、二環戊稀 基丙稀酸S旨、環氧丙基丙稀酸醋（giyCidyl acrylate)、 四氫糠基丙稀酸8旨（七61^&117(1]：〇{11『[11『71&(：『71&16)、異 冰片基丙浠酸酯（isobornyl acrylate)、異癸基丙烯酸 酯、月桂基丙烯酸醋（lauryl acrylate)、嗎啉丙稀酸酯 (morpholine)、笨氧基乙基丙烯酸酯、苯氧基二乙烯乙二 醇丙烤酸S曰（phenoxydiethylene glycol acrylate)、 2, 2，2-三I乙基丙烯酸酯、223, 33—五氟丙基丙烯酸 S旨、2, 2, 3, 3〜四氟丙基丙烯酸醋以及2, 2, 3, 4, 4, 4-六氟丁 基丙稀酸醋等。

此外’也可使用以下所例舉之單官能甲基丙烯酸酯化 $物· 2-乙基已基曱基丙烯酸酯、丁基乙基甲基丙烯酸 ^ 工氧基乙基甲基丙烯酸酯、2-氰基乙基曱基丙烯酸 δ旨、下基甲基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、2一羥基丙 基甲基丙稀酸®旨、2-乙氧基乙基丙烯酸g旨、ν，Ν-二乙基胺 t乙基:基內烯酸酯、Ν，Ν—二甲基胺基乙基曱基丙烯酸 切片 衣戍基甲基丙稀酸醋、子環戊稀基甲基丙稀酸S旨、 環氧丙基I基丙烯酸醋、四氫糠基甲基丙烯酸酯、異冰片 基甲基丙烯酸酯、異癸基甲基丙烯酸酯、月桂基甲基丙烯

581907 五、發明說明（29) 酸醋、嗎啉甲基丙烯酸酯、苯氧基乙基甲基丙烯酸酯、苯 氧基二乙烯乙二醇甲基丙烯酸酯、2, 2, 2一三氟乙基甲基丙 烯酸醋、2, 2, 3, 3-四氟丙基甲基丙烯酸酯以及2, 2, 3, 4, 4, 4-六氟丁基·甲基丙稀酸g旨等。

進而’亦可使用以下所例舉之多官能丙烯酸酯化合 物：4, 4’-聯笨二丙烯酸酯、二乙基己烯雌酚二丙烯酸酯 (diethylstilbestrol diacrylate)、1，4-雙丙烯醯基苯 紛（1，4-bisacryloyl hydroxybenzene)、4，4’- 雙丙稀醢 基羧基二苯基 _(4, 4’- bisacryloyl hydroxy diphenyl ether) .、4, 4’ -雙丙烯醯基羥基二苯基甲烷 (4, 4’ -bisacryloyl hydroxy diphenyl methane)、3, 9-雙[1，1-二甲基-2_丙烯醯基羥基乙基]-2, 4, 8, 10 -四螺[5, 5 ] Η--烧

(3,9-bis[l，l-dimethyl-2-acryloylhydroxyethyl]-2,4, 8, 1 0-tetraspi ro[ 5, 5]undecane)、a，α’-雙[4- 丙烯醯 基羥基苯基]-1，4-二異丙基苯（a，a’- bis [4-acryloylhydroxyphenyl]-l, 4-diisopropylbenzene) 、1，4-雙丙烯醯基羥基四氟苯、4, 4’-雙丙烯醯基羥基八 氟聯苯、雙乙烯乙二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸 酯、1，3-丁烯乙二醇二丙烯酸酯、二環戊基二丙烯酸酯、 丙三醇二丙烯酸酯（glycerol diacrylate)、1，6-己二醇 二丙烯酸酯、新戊一醇二丙烯酸酯（neopentylglycol diacrylate)、四乙稀乙二醇二丙稀酸醋、二經甲基丙烧 三丙烯酸酯（trimethy lolpropane triacrylate)、季戊四

第32頁 581907 五、發明說明（30) 醇四丙烯酸醋（petaerythritol tetraacrylate)、季戍四 醇三丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯 (ditrimethylolpropane tetraacrylate)、二季戊四醇六 丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、4, 4’ -二丙烯 醯基經基（4，4’-diacryloylhydroxy stilbene)、4,4,-二丙烯酿基經基二甲基长（4, 4’ -diacryloylhydroxy dimethylstilbene)、4,4’-二丙稀醯基經基二乙基笑、4, 4’_二丙稀醯基經基二丙基、4, 4’-二丙稀酿基經基二丁 基S、4, 4’ -二丙稀酿基經基二戊基％、4, 4’-二丙烯醯基 經基二己基fC、4，4’ -二丙稀酿基經基二氟汽、 2, 2, 3, 3, 4, 4-六氟戊二醇-1，5 -二丙烯酸酯 (2, 2, 3，3, 4, 4-hexafluoropentanediol-1，5-diacrylate) 、1，1,2, 2, 3, 3-六氟丙基-1，3-二丙烯酸酯以及尿烷丙烯 酸酯寡聚物（urethane acrylate oligomer)等。 •再進一步，亦可使用以下所例舉之多官能曱基丙烯酸 酯化合物：雙乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二 甲基丙烯酸酯、1，3 - 丁稀乙二醇二甲基丙烯酸酯、二環戊 基二曱基丙烯酸酯、丙三醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇 二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二曱基丙烯酸酯、四乙烯乙二 醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊 四醇四甲基丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、二三羥 甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、 二季戊四醇單羥基五曱基丙烯酸酯、2, 2, 3, 3, 4, 4_六氟戊 二醇-1，5-二甲基丙烯酸酯以及尿烷甲基丙烯酸酯寡聚物

第33頁 581907 五、發明說明（31) 等，雖然其他還有苯乙橋. 7w ^ 尽G铈（styrene)、胺基苯乙烯及乙酸 乙烯等，然而以上所沭去并m τ逆者並非用以限定本發明。 又，在本發明中’因為液晶顯示裝置各元件之驅動電 5會觉到局分子材料與液晶材料之間界面相互作用的影 丄所以亦可使用含有氟元素之高分子化合物。以上所述 之南分子化合物，可舉例如由含2, 2, 3, 3, 4, 4_六氟戊二醇 =，5-二丙烯_酸^旨、1，1，2,2,3,3-六氟丙基一1，3—二丙烯酸 5日、2,2,2-二氟乙基丙烯酸酯、2,2,3,3,3—五氟丙基丙烯 酸酯、2, 2, 3, 3-四氟丙基丙烯酸酯、2, 2, 3, 4, 4, 4—六氟丁 基丙烯酸酯、2,2, 2 -三氟乙基甲基丙烯酸酯、2,2, 3, 3—四 >丙基甲基丙稀酸醋、2, 2, 3, 4, 4, 4-六氟丁基曱基丙烯酸 酯及尿烷曱基丙烯酸酯寡聚物等之化合物所合成的高分子 化合物’但是以上所述者並非用以限定本發明。若作為本 發明所使用之高分子化合物在須使用到光或紫外線硬化單 體時，亦可使用光或紫外線用之引發劑。 以上述之引發劑而言，許多種類之物質皆可使用，例 如2,2-二乙氧基苯乙酮（2,2-(1161:11〇又5^〇61;〇011611〇116)、2〜 羥基-2-甲基-1-苯-1-酮、1-（4_異丙苯基）一2-羥基-2-曱 基丙-1-酮以及1-(4-十二烷苯基）-2_羥基-2-甲基丙-1-_ 等之苯乙_系’苯偶因甲基S|(benzoin methyl ether)、 本偶因乙基謎及节基二曱基明縮醇（benzyl dimethylketal)等之苯偶因系，二笨甲酮、苯醯 (benzoy 1 )安息香酸、4-苯基二苯甲酮、3, 3-二甲基-4-甲 氧基二苯甲酮等之二苯曱酮系，噻嘲剩（thioxanthone)、

IH 第34頁 581907

2-氣噻噸酮及2 -甲基噻噸酮等之噻噸酮系 (diazonium)鹽系、鎏（sulfonium)鹽系、 鹽系及硒鹽系等皆可使用。 ’以及重氮鐵 碟麵（i odon i um) 然後’將偏光板951之偏光透過轴依規定角度配置， 並藉由上述液晶分子之偏轉即可改變光之透過率。 又’在偏光透過轴垂直相交時，即成為垂直變暗模式 下，為了去除起始液晶配向的延遲之觀察角度依存^

將負的一軸補償膜及正的一轴補償膜組合使用。藉此，因 為暗狀態之觀察角度依存性不存在了，所以晝質^向上 昇，並能謀求視角之寬廣化。 〇 綜上所述，若按照本實驗例5，因為可抑制位於液晶 層940上下不必要之電場，故可形成與習知相異之不易I 生顯示特性劣化的構造。又，因為液晶分子相對於基板3 體上呈垂直配向之狀態，且又為可藉由電場而倒下之構 成，故與習知之液晶分子單獨在平行於基板的面内旋轉$ 構成相比，從斜方向觀察時不會有染色之情形， 其寬廣視角之特性。 【實施例】

以下使用實施例就本發明進行更詳細之說明。 (實施例1) 一將具有非晶性矽薄膜電晶體陣列（TFT)之基板反覆 行成膜過程及微影過程而於玻璃基板上製作完成。該抒 係從基板側開始由閘極-鉻層、氮化矽—閘極絕緣 性矽-半導體層以及汲極·源極-鉬層所構成（參照第孔Β

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五、發明說明（33) 圖）。 形成將上述者皆覆蓋的由氮化發所構成之保護膜。 其次’例如將綠的彩色滤光層塗佈於保護膜上加熱 乾燥後，再藉由微影成像而形成。關於紅、藍之彩色淚光 器層亦由反覆進行相同之操作而作成彩色濾光器層。同樣 地，使用含黑色顏料之樹脂而形成遮光部。 使用鉻作成共通電極後，塗佈由丙烯系樹脂構成之上 覆層’並在200 °C下加熱1小時。 接著，使用微影成像及钱刻以形成到達源極之貫穿 孔。 使用鉻形成畫素電極後，塗佈作為垂直配向膜之曰產 化學社製SE121 1，並在20(TC下加熱1小時。 在I TO成膜於裏面之玻璃基板上，塗佈作為垂直配向 膜之日產化學社製SE1 211，並在20 0。(：下進行1小時之加熱 以作為相向基板。 在基板的週邊部塗佈封裝（seal)材，將配向膜之塗佈 面以面對面的方式隔著間隙壁（ Spacer)而層叠，並藉由 1 6 0 °c、3小時的加熱而使封裝材硬化。此時因相向基板已 為完全之beta基板，所以不需要高精密度之孔合口。 、〉主入誘電率各向異性為正之向列型（nematic)液晶， 並將注入孔以光硬化樹脂加以密封。貼附與液晶層之△ nd 大小相等、符號相反之光學負補償膜後，再將偏光板以在 上下基板其透過轴呈垂直相交的方式進行貼附。 測定根據上述所得之面板的視角特性時，完全沒有灰

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五、發明說明（34) 階反轉之情形，且在高對比區域可得到非常廣之優異視 特性。特別是沒有一般以橫方向電場驅動之面板從钭方白 看時之染色現象，又色斑等亦完全看不見，顯示出其優L (實施例2) /與實施例1同樣地，在玻璃基板上反覆進行成膜過程 及微影過程而作成非晶性矽薄膜電晶體陣列（Τη)。 該TFT亦與實施例1同樣般，係從基板侧開始由閘極— 鉻層、氮化矽-閘極絕緣層、非晶性矽—半導體層以及汲 極·源極-鉬層所構成。 4 幵成將上述者皆覆蓋的由氮化矽所構成之保護膜，並 與實施例1同樣般而形成紅、藍、綠之彩色濾光器層。使 用鉻作成共通電極後，塗佈由丙烯系樹脂構成之上 並在200 t下加熱1小時。 復θ 接著，形成到達源極之貫穿孔及形成使用1>1()之畫素 進行與實施例1完全相同之步驟，塗佈作為垂直配卢 、之日產化學社製SE1211，並在20(TC下加熱1小時。

在ΙΤ0.成膜於裏面之玻璃基板上，塗佈作為垂直配卢 以^ f化學社製如211，並在2〇〇t：下進行1小時之加 以作為相向基板。 叮 ^板的it邊部塗佈封褒#，冑配向冑之塗佈面以 埶而Ϊ方式隔著間隙壁而層疊，並藉由16〇t、3小時的 …、吏封裝材硬化。此時因相向基板已為完全之““基

581907 五、發明說明（35) 板，所以不需要高精密度之孔合口。 注入誘電率各向異性為正之向列型.液晶，並將注入孔 以光硬化樹脂加以岔封。貼附與液晶層之△ 大小相等、 符號相反之光學負補償膜後，再將偏光板以在上下基板其 透過軸呈垂直相交的方式進行貼附。 八 測定根據上述所得之面板的視角特性時，完全沒有灰 階反轉之情形，且在高對比區域可得到非常廣之優異視角 特性。特別是沒有一般以橫方向電場驅動之面板從斜方向 看時之染色現象，又色斑等亦完全看不見，顯示出直優良 之視角特性。另外，因為晝素電極係以IT〇製成，所以開 口率高，可得明亮之顯示。 【發明效果】 如以上所述般，本發明之液晶顯示裝置，係在透明的 =1基板/與透明的第2基板之間夹有液晶層及彩色遽光器 層，該彩色濾光器層配置於第j基板上， 色遽光器層及第2基板之間；而在彩色濾光器層下=基 板上，具有複數掃描信號電極、在其間交又成矩陣狀 Ϊ:ί Ϊ Ϊ電極以及個別對應於上述等電極交點所形成之 薄Ϊ晶體；纟包圍著複數掃描信號電極及映像信號 具右办早i政、：J 畫素，在個別的畫素間， =給予由共通電極電路所跨接之複數 於對應之薄膜電晶體的畫素區域中：： 於彩色濾光器層及液晶声 |電極（配置 饮日日看之間，且共通電極及畫素電極為 581907

2149-2704.PF2.ptc 第39-1頁 2004.01. 12. 042

Claims (1)

1. 581907

   、申請專利範圍 」· 一種液晶顯Y 7 ST在透明的第1基板與透明的 土板之間夾有液晶層及彩色濾光器層，其特徵在於： 上述彩色慮光器層係配置於上述第1基板上； 上述液晶層係配置於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； ^ 在上述彩色濾光器層下之上述第1基板上，具有複數 掃描信號電極、在其間交又成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 體； 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； · 、 在個別的畫素間，具有給予由共通電極電路所跨接之 複數畫素基準電位之共通電極以及在接續於對應之薄膜電 曰曰體的上述畫素區域中與上述共通電極相向配置之畫素電 極； 一… 上述共通電極及上述畫素電極係配置於上述彩色濾光 器層及上述液晶層之間，且上述共通電極及上述畫素電極 係隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相異之 層； ’、 藉由施加於上述共通電極及上述畫素電極間之電壓， 可在上述液晶層對上述第1基板產生具有可控制平行成份 之電場’，且施加電壓前之液晶係對第1基板大略成平行地 配向。 2·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 第40頁 六、申請專利範圍 __ 上述共通電極及上述畫素電極之 — 導電膜所構成。 π至少有一方係由透明性 液晶顯示，裝置，其 中·· .3.如申請專利範圍第〗項所述之 在上述彩色濾光器層上形成政 在該共通電極上形成上述層極； 在上述層間分離膜上 :離膜； 所迷之液晶顯示裝置，其 中·· 4.如申請專利範_項^素電極 述彩色濾光器 層之ίί層述彩色遽光器層上形成用《保護上 在該上覆層上形成共通電極； 在該共通電極上形成上述層間分離 在上述層間分離膜上形成畫素電極。， 中： 5.如申請專利範圍第】項所述之液晶顯示裝置，其 声之f ί:彩色濾光器層上形成用以保護上述彩色濾光器 層之上覆層； 在該上覆層上形成畫素電極； 在該晝素電極上形成上述層間分離膜； 在上述層間分離膜上形成共通電極。 中： 6·如申睛專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其 上述共通電極係圍繞上述晝素以格子狀形成； 第41頁 581907 六、申請專利範圍 、 上述畫素電極係以橫切於上述畫素之中而配置； 上述共通電極係由上述共通電極電路之一部分延伸而 形成。 7·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中 上述共通電極及畫素電極係在上述晝素内以複數組進行配 置。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中 上述共通電極係以從上述第2基板侧看去，上述薄膜電晶 體呈被隱藏狀而形成。 9 ·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中 上述共通電極係以從上述第2基板側看去，上述掃描信號 電極及映像信號電極呈被隱藏狀而形成。 10· —種液晶顯示裝置，係在第1基板與透明的第2基 板之間夾有液晶層及彩色濾光器層，其特徵在於： 上述彩色濾光器層係配置於上述第1基板上； 上述液晶層係配置於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； 在上述彩色濾光器層下之上述第1基板上，具有複數 掃描彳S號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 體； ' 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； 在個別的畫素間，具有給予由共通電極電路所跨接之

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   複數畫素基準電位之it请雷搞η + —备 a ^ ^ 逋電極以及在接續於對應之薄膜電 曰曰體的上述畫素區域中盥上沭丘 ..^

   τ /、工您，、通電極相向配置之畫素電 口上述共通電極及上述·畫素電極係配置於上述彩色濾光 器層及上述液晶層之間，且上述共通電極及上述畫素電極 係隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相異之 層； 藉由施知於上述共通電極及上述畫素電極間之電壓， 可在上述液晶層對上述第1基板產生具有可控制平行成份 之電場’且施加電壓前之液晶係對第1基板大略成垂直地 配向。 11·如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示裝置，其 中上述共通電極及上述畫素電極之内至少有一方係由透明 性導電膜所構成。 12·如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其 中： 在上述彩色濾光器層上形成共通電極； 在該共通電極上形成上述層間分離膜； 在上述層間分離膜上形成畫素電極。 13·如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其 中： 在上述彩色濾光器層上形成用以保護上述彩色濾光器 層之ΐ覆層； 在該上覆層上形成共通電極；

   第43頁 581907 六、申請專利範圍 在該共通電極上形成上述層間分離膜； \ 在上述層間分離膜上形成畫素電極。 14 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之液晶顯示裝置，其 •中： 在上述彩色礴光器層上形成用以保護上述彩色濾光器 層之上覆層； 在該上覆層上形成畫素電極； 在該晝素電極上形成上述層間分離膜； 在上述層間分離膜上形成共通電極。 15·如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其 中： 上述共通電極係圍繞上述畫素以格子狀形成； 上述畫素電極係以橫切於上述畫素之中而配置； 上述共通電極係由上述共通電極電路之一部分延伸而 形成。 16·如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其 中上述共通電極及晝素電極係在上述畫素内以複數組進 配置。 ^ 1 7 ·如申請專利範圍第丨5項所述之液晶顯示裝置，其 中上遂共通電極係以從上述第2基板側看去，上述薄興^ 晶體呈被隱藏狀而形成。 、 18·如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置， 。中上述共通電極係以從上述第2基板側看去，上述掃插作 號電極及映像信號電極呈被隱藏狀而形成。 "

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   19.如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其 中藉著將光學的負補償膜及光學的正補償膜設置於第 第2基板與偏光板之間，可使液晶層與補償膜的屈折率各 向異性變成各向同性。 2 0 ·如申請專利範圍第丨9項所述之液晶顯示裝置，其 中在施加電壓時沿液晶倒下之2方向預先形成預傾斜角 21 ·如申請專利範圍第1 9項所述之液晶顯示裝置，其 中在施加電壓時於液晶倒下之任何方向中的一方向預先形 成預傾斜角。 22·如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示裝置，其 中液晶含有高分子有機化合物。 2 3· —種液晶顯示裝·置之製造方法，該液晶顯示裝置 係在第1基板與透明的第2基板之間夾有液晶層及彩色濾光 器層，包括下列步驟： 將上述彩色濾光器層形成於上述第1基板上； 將上述液晶層形成於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； 在上述彩色濾光器層下之上述第1基板上，形成複數 掃描信號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 渡， 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； 在個別的畫素間，形成.給予由共通電極電路所跨接之

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   複數晝mi：位之共通電極以及在接續於對應之薄膜電 晶體的上述晝素區域中與上述共通電極相向配置之晝素電 w將上述丼通電極及上述晝素電極配置於上述彩色濾光 器層，上述液晶層之間，且將上述共通電極及上述畫i電 極隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相里之 層； ’、 將上述液晶於施加電壓未施加在上述共通電極及上述 畫素電極之間時，對第丨基板形成大略呈垂直配向之狀 態； 以及 、 在上述液晶中添加由單體或募聚物構成之有機材料， 並將該液晶注入於上述第丨基板及第2基板之間，之後再將 上述液晶中的有機材料進行高分子化。 24· —種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 係在第1基板與透明的第2基板之間夾有液晶層及彩色濾光 器層，包括下列步驟： 將上述彩色濾光器層形成於上述第1基板上；

   將上述液晶層形成於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； · 在上述彩色濾光器層下之上述第1基板上，形成複數 掃描信號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶

   第46頁 581907

   f包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； ' 在個別的晝素間，形成給予由共通電極電路所跨接之 複數畫素基準電位之共通電極以及在接續於對應之薄膜 晶體的上述畫素區域中與上述共通電極相向配置之畫素電 極； 。將上述共通電極及上述畫素電極配置於上述彩色濾光 器層f上述液晶層之間，且將上述共通電極及上述畫素電 極隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相里 層； /、 將上述液晶於施加電壓未施加在上述共通電極及上述 畫素電極之間時，對第丨基板形成大略呈垂直配向之狀 態； 以及 將光學的負補償膜及光學的正補償膜形成於第1或第2 基板與偏光板之間，並於對上述補償膜施加電壓時，沿液 晶倒下之2方向以摩擦的方法形成預傾斜角。 25· —種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 係在第1基板與透明的第2基板之間夾有液晶層及彩色濾光 器層，包括下列步驟： 將上述彩色濾光器層形成於上述第1基板上； 將上述液晶層形成於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； 在上述彩色濾光器層下之上述第丨基板上，形成複數

   581907 六、申請專利範圍 掃描信號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 體； 曰曰 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個晝素； 在個別的畫素間，形成給予由共通電極電路所跨接之 複數畫，素基準電位之共通電極以及在接續於對應之薄膜電 晶體的上述畫素區域中與上述共通電極相向配置之晝素電 極； 、

   將上述共通電極及上述畫素電極配置於上述彩色遽光 器層及上述液晶層之間，且將上述共通電極及上述畫^電 極隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於 層； 、、 將上述液晶於施加電壓未施加在上述共通電極及上述 畫素電極之間時，對第丨基板形成大略呈垂直配向之 態； 以及 將光學的負補償膜及光學的正補償膜形成於第1或第2 f板與偏光板之間，並於對上述補償膜施加電壓時，在液 ^曰隹’i下之任何方向中的一方向以摩擦的方法形成預傾斜 26· 種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯干验番 係在第1基板與透明的繁？其把夕„十士先日成^不裝置 n居，勺# π 第基板之間夾有液晶層及彩色濾光 裔層 包括下列步驟：

   第48頁 581907 六、申請專利範圍 將上述彩色濾光器層形成於上述第丨基板上； 將上述液晶層形成於上城忽a、各》 9 &取方、上述衫色濾光器層及上述第2基 板之間； ’ 掃層下之上述第1基板上，形成複數 柃描w電極、在其間交又成矩陣狀之複數映像信號電極 =及個別對應於上述等電極交點所形成之複 體； 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； 在個別的畫素間，形成給予由共通電極電路所跨接之 複數畫素基準電位之共通電極以及在接續於對應之薄膜電 晶體的上述畫素區域中與上述共通電極相向配置之畫素電 極·， 將上述共通電極及上述畫素電極配置於上述彩色濾光 器層及上述液晶層之間，且將上述共通電極及上述畫素電 極隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相里之 層； ’、 將上述液晶於施加電壓未施加在上述共通電極及上述 晝素電極之間時，對第1基板形成大略呈垂直配向之狀 態； 以及 將光學的負補償膜及光學的正補償膜形成於第1或第2 基板與偏光板之間，並於對上述補償膜施加電壓時，沿液 晶倒下之2方向藉由光照射而形成預傾斜角。

   麵 第49頁 581907

   2 7· 一種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置 係在第1基板與透明的第2基板之間夾有液晶層及彩色濾光 器層，包括下列步驟： 將上述彩色濾光器層形成於上述第1基板上； 將上述液晶層形成於上述彩色濾光器層及上述第2基 板之間； 夺述彩色濾光器層下之上述第1基板上，形成複數 掃描、號電極、在其間交叉成矩陣狀之複數映像信號電極 以及個別對應於上述等電極交點所形成之複數薄膜電晶 體； 在包圍著上述複數掃描信號電極及映像信號電極之個 別區域上構成至少一個畫素； 在個別的畫素間，形成給予由共通電極電路所跨接之 複數a素基準電位之共通電極以及在接續於對應之薄膜電 晶體的上述畫素區域中與上述共通電極相向配置之書 極； 一尔电 將上述共通電極及上述晝素電極配置於上述彩色濾光 器層及上述液晶層之間，且將上述共通電極及上述畫素電 極隔著由透明絕緣物構成之層間分離膜而配置於相里之 層； 、 將上述液晶於施加電壓未施加在上述共通電極及上述 晝素電極之間時，對第1基板形成大略呈垂直配向之狀a 態； 581907

   、土 28.如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示裝置之製 以方法，其中用以形成上述預傾斜角之光照射係以傾斜於 上述補償膜面而進行。 ^ 29·如申請專利範圍第28項所述之液晶顯示裝置之製 过方法，其中用以形成上述預傾斜角之光照射係傾斜於上 述補償膜面而以偏光進行照射。 ^ 3〇·如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示裝置之製 造方法，其中用以形成上述預傾斜角之光照射係以傾斜於 上述補償膜面而進行。 31·如申請專利範圍第3〇項所述之液晶顯示裝置之製 邊方法，其中用以形成上述預傾斜角之光照射係傾斜於上 述補償膜面而以偏光進行照射。 32· —種液晶顯示裝置之製造方法，包括下列步驟： 在透明基板上形成薄膜電晶體之製程；

   形成用以保護該薄膜電晶體之保護膜之製程； 將複數感光性彩色光阻依照順序進行塗佈、曝光、顯 彩及烘烤以形·成彩色濾光器之製程； … 形成共通電極之製程； 形成由透明性絕緣膜構成的層間分離膜之製程； >乂及

   第51頁 581907 六'申請專利範圍 形成晝素電極之製程 3 3 · —種液晶顯示裝置之製造方法，包栝下列步騾·· 在透明基板上形成薄膜電晶體之製程； 形成用以保護該薄膜電晶體之保護膜之製赛， 將複數感光性彩色光阻依照塗佈、曝光、顯影及烘烤 之順序以形成彩色濾光器之製程； + 形成用以保護該彩色濾光器之上覆膜之製箨； 形成共通電極之製程；

   形成由透明性絕緣膜構成的層間分離膜之製程 以及 ' 形成畫素電極之製程。 34·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯系裝置’其 中： 上述共通電極係圍繞上述畫素以格子狀衫成， 上述畫素電極係以橫切於上述畫素之中而齡置’ 上述共通電極係由上述共通電極電路之/部分延伸而 形成。

   3 5 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置’其中 上述共通電極及畫素電極係在上述畫素内以複數組進行配 置。 36·如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其 中： 上述共通電極係圍繞上述畫素以格子狀形成； 上述晝素電極係以橫切於上述晝素之中而配置；

   第52頁 581907 六、申請專利範圍 上述共通電極係由上述共通電極電路之一部分延伸而 形成。 3 7 ·如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中 上述共通電極及畫素電極係在上述畫素内以複數組進行配 置。 3 8 ·如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置，其 中： 上述共通電極係圍繞上述畫素以格子狀形成； 上述畫素電極係以橫切於上述畫素之中而配置； 上述共通電極係由上述共通電極電路之一部分延伸而 形成。 上述^ ·诵如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置，其中 二’、、電極及畫素電極係在上述畫素内以複數組進行配