KR101582157B1 - 액정표시패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

액정표시패널과 이의 제조방법에서, 액정표시패널의 제조방법에서, 스위칭 소자가 형성된 제1 베이스 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 스위칭 소자상의 화소 영역내에 배치된 커러필터, 상기 컬러필터가 형성된 기판상에 형성되고, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판을 형성하고, 공통 전극층 및 상기 공통 전극층 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판을 제조한 후, 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 반응성 메조겐을 포함하는액정 조성물을 개재시키고, 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 상에 메조겐 경화물을 형성한다. 이에 따라, 평면구조를 갖는 반응성 메조겐이 경화속도를 증가시켜 액정표시패널의 제조시간을 단축시키고 품질을 향상시킬 수 있다.
반응성 메조겐, 경화 속도, 배향막

Description

액정표시패널 및 이의 제조방법{A LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 생산성을 향상시킨 액정표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다
일반적으로, 액정표시장치는 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어하는 방식으로 화상을 표시한다. 액정표시장치의 동작 모드 중에서 VA 모드(Vertical alignment mode)의 액정표시장치의 일종인 PVA 모드(Patterned Vertical Alignment mode)는, 패터닝된 투명 전극을 이용하여 액정 조성물들을 서로 다른 방향으로 배열시켜 액정 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다.
한편, 반응성 메조겐으로 불리는 액정 성질의 메조겐기를 포함하는 광가교성 고분자 공중합체에 편광된 자외선을 조사하여 상기 광가교성 고분자에 이방성을 유도하고, 이후 상기 광가교성 고분자를 열처리함으로써 상기 배향막의 이방성을 향상시켜 액정을 배향하는 방식이 연구되고 있다.
상기 반응성 메조겐이 상기 배향막 표면에서 경화되지 못하고, 상기 액정층 내부에 잔류하는 경우에, 상기 액정표시장치의 잔상을 유발하여 표시 품질을 저하시키는 원인이 되고 있다 이를 해결하기 위해서, 상기 광반응성 모노머의 경화 공정에 제공되는 에너지를 상승시키거나, 노광 시간을 증가시킬 수 있다. 또한, 동일한 에너지를 제공받더라도 광에 대한 광반응 속도가 빠른 반응성 메조겐을 이용하여 상기 반응성 메조겐의 경화 시간을 단축시킬 수 있다.
그러나, 상기 에너지를 상승시키기 위해서 경화 공정에 제공되는 광원의 조도를 높이면, 소비 전력이 증가하여 제조 원가를 상승시킬 수 있고 상기 액정 분자들 및/또는 배향막이 손상됨으로써 표시 품질을 저하시킬 수 있다. 또한, 상기 노광 시간을 증가시키면, 액정표시장치의 제조 공정 전체의 공정 시간이 증가함으로써 생산성을 저하시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 제조 시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시킨 액정표시패널 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 액정표시패널의 제조방법에서, 스위칭 소자가 형성된 제1 베이스 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 스위칭 소자상의 화소 영역내에 배치된 컬러필터, 상기 컬러필터가 형성된 기판상에 형성되고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판을 형성한다. 이어서, 제2 베이스 기판 상에 형성된 공통 전극층 및 상기 공통 전극층 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판을 형성한다. 이어서, 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 하기 화학식 1로 나타내는 반응성 메조겐을 포함하는 액정 조성물을 개재시킨다. 이어서, 상기 반응성 메조겐이 경화되어 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 상에 메조겐 경화물을 형성할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009047803498-pat00001
(상기 화학식 1에서, A는
Figure 112015079475091-pat00148
,
Figure 112015079475091-pat00149
,
Figure 112015079475091-pat00150
,
Figure 112015079475091-pat00151
,
Figure 112015079475091-pat00152
,
Figure 112015079475091-pat00153
,
Figure 112015079475091-pat00154
,
Figure 112015079475091-pat00155
,
Figure 112015079475091-pat00156
,
Figure 112015079475091-pat00157
및
Figure 112015079475091-pat00158
중에서 하나를 나타내며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로
Figure 112015079475091-pat00159
,
Figure 112015079475091-pat00160
,
Figure 112015079475091-pat00161
및 단결합 중에서 하나를 나타내고, B1 및 B2는 각각 독립적으로
Figure 112015079475091-pat00016
또는
Figure 112015079475091-pat00017
를 나타내며, A에 해당하는 환구조에서 외곽부 수소원자들은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F, Cl, OCF3 및 OCH3 중에서 하나로 치환될 수 있다.)
상기 반응성 메조겐은 상기 액정조성물의 전체 중량에 대해 약 0.1중량% 내지 1.0중량%를 포함할 수 있다.
상기 액정조성물은 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 개시제는 상기 반응성 메조겐의 전체 중량에 대해 약 0.1중량% 내지 1중량%를 포함할 수 있다.
상기 개시제는 예를 들어, 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7, 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10, 화학식 11, 화학식 12, 화학식 13 또는 화학식 14등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112009047803498-pat00018
<화학식 3>
Figure 112009047803498-pat00019
<화학식 4>
Figure 112009047803498-pat00020
<화학식 5>
Figure 112009047803498-pat00021
<화학식 6>
Figure 112009047803498-pat00022
<화학식 7>
Figure 112009047803498-pat00023
<화학식 8>
Figure 112009047803498-pat00024
<화학식 9>
Figure 112009047803498-pat00025
화학식 9에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.
<화학식 10>
Figure 112009047803498-pat00026
화학식 10에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나 타낸다.
<화학식 11>
Figure 112009047803498-pat00027
<화학식 12>
Figure 112009047803498-pat00028
<화학식 13>
Figure 112009047803498-pat00029
<화학식 14>
Figure 112009047803498-pat00030
상기 메조겐 경화물을 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 전압을 인가하는 단계 및 상기 전압이 인가된 상태에서 상기 제1 및 제2 기판들에 UV광을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 메조겐 경화물을 형성하는 단계는 상기 광을 제공하는 단계 이후에, 전압이 인가되지 않은 상태에서 UV광을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막 및 제2 배향막은 전기장이 오프시 액정 분자의 장축이 수직으로 배열되도록 배향처리된 것을 특징으로 한다.
상기 제1 배향막 및 제2 배향막은 메조겐 경화물을 형성하는 단계 이후 전기장이 인가되면 액정 분자가 프리틸트(pre-tilt)되는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 전극은 마이크로 슬릿 패턴을 포함하고, 상기 공통 전극층은 상기 제2 기판의 전면에 형성될 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 액정표시패널은 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 스위칭 소자상의 화소영역내에 배치된 컬러필터와, 상기 컬러필터가 형성된 기판상에 형성되고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판, 제2 베이스 기판상에 형성된 공통 전극층 및 상기 공통 전극층 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판 및 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 하기 화학식 1로 나타내는 반응성 메조겐을 포함하는 액정조성물로 이루어진 액정층을 포함하고, 상기 반응성 메조겐이 경화되어 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막상에 메조겐 경화물을 형성할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009047803498-pat00031
(상기 화학식 1에서, A는
Figure 112009047803498-pat00032
,
Figure 112009047803498-pat00033
,
Figure 112009047803498-pat00034
,
Figure 112009047803498-pat00035
,
Figure 112009047803498-pat00036
,
Figure 112009047803498-pat00037
,
Figure 112009047803498-pat00038
,
Figure 112009047803498-pat00039
,
Figure 112009047803498-pat00040
,
Figure 112009047803498-pat00041
또는
Figure 112009047803498-pat00042
를 나타내며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로
Figure 112009047803498-pat00043
,
Figure 112009047803498-pat00044
,
Figure 112009047803498-pat00045
또는 단결합을 나타내고, B1 및 B2는 각각 독립적으로
Figure 112009047803498-pat00046
또는
Figure 112009047803498-pat00047
를 나타내며, A에 해당하는 환구조에서 외곽부 수소원자들은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F, Cl, OCF3 또는 OCH3로 치환될 수 있다.)
상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 간격을 유지하고, 상기 컬러필터가 형성된 영역위에 배치된 유지 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 유지 부재는 상기 블랙 매트릭스와 동일한 물질로 이루어 진 것을 특징으로 한다.
상기한 액정표시패널 및 이의 제조방법에 따르면, 반응성 메조겐의 평면구조화로 인해 자유 라디칼이 안정적으로 유지됨에 따라, 반응성 메조겐의 경화속도를 증가시켜 액정표시패널의 제조시간을 단축시키고 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정 하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 액정표시패널(500)은 제1 기 판(100), 제2 기판(200) 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 제1 스위칭소자(SW1), 제2 스위징소자(SW2), 게이트 절연층(130), 액티브층(140), 패시베이션층(160), 컬러필터(170), 블랙 매트릭스(180), 제1 화소 전극(PE1), 제2 화소 전극(PE2) 및 제1 배향막(AL1)을 포함한다.
본 발명에 따른 제1 기판은 상기 블랙매트릭스 및 컬러필터를 모두 포함하고 있는 BOA(Black matrix on array)방식이다. 상기 BOA방식은 자외선 조사시 일반적인 비유기막 구조 또는 유기막 구조 및 COA(color filter on array)구조에서 금속배선 또는 블랙매트릭스 층에 가려진 부분에서는 반응이 진행되지 않은 단점을 커버할 수 있는 구조로, 제2 기판에는 투명한 공통 전극만이 형성되어 상판에 자외선 조사시 기판 전면에서 경화반응이 가능하다.
상기 게이트 라인들(GL1, GL2)과 상기 데이터 라인들(DL1, DL2)이 교차하여, 상기 제1 기판(100)의 하나의 화소 영역을 정의한다. 상기 제1 및 제2 스위칭소자들(SW1, SW2)과, 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)이 상기 화소 영역에 형성된다. 상기 제1 및 제2 스위칭소자(SW1, SW2)가 상기 화소 영역을 온/오프 시키고, 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)이 상기 스위칭 소자와 연결된 화소 전극으로 정의된다. 상기 2개의 화소전극들(PE1, PE2)중 높은 레벨의 화소 전압이 인가되는 화소전극을 메인(main)화소전극으로, 낮은 레벨의 화소 전압이 인가되는 화소전 극을 서브(sub)화소전극으로 부르기도 한다.
상기 게이트 배선(GL)은 제1 방향(D1)을 따라 복수개가 병렬로 형성되고, 제2 방향(D2)으로 길게 연장되어 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 방향(D1)과 상기 제2 방향(D2)은 서로 수직할 수 있다. 게이트 배선(GL)은 스위칭 소자(SW1, SW2)의 게이트 전극(121a, 121b)과 전기적으로 연결되어, 게이트 배선(GL)으로부터 전달된 게이트 신호는 스위칭 소자(SW1, SW2)의 게이트 전극(121a, 121b)에 인가된다.
상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제1 스위칭소자(SW1)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제2 데이터 라인(DL2)을 통해 제1 전압을 인가한다. 상기 제2 화소 전극(PE2)은 상기 제2 스위칭소자(SW2)와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 화소 전극(PE2)은 상기 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 제2 전압을 인가하다. 상기 제1 화소 전극(PE1)이 형성된 영역이 상기 액정표시패널(500)의 로우 픽셀(LP)로 정의되고, 상기 제2 서브 전극(PE2)이 형성된 영역이 하이 픽셀(HP)로 정의될 수 있다.
상기 제1 화소 전극(PE1)은 제1 마이크로 전극(183a), 제1 콘택 전극(185a) 및 브릿지 패턴(184a)을 포함한다. 제1 브릿지 패턴(184a)은 상기 제2 서브 전극(PE2)을 둘러싸도록 형성되며, 상기 제1 마이크로 전극들(183a)은 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 십자형의 제1 몸체부(181a)로부터 방사형으로 분기되어 형성될 수 있다. 상기 제2 화소 전극(PE2)은 제2 마이크로 전극(183b) 및 제2 콘택 전극(185b)을 포함한다. 상기 제2 마이크로 전극들(183b)은 십자형의 제2 몸체부(181b)로부터 방사형으로 분기되어 형성될 수 있다.
상기 제1 배향막(AL1)은 상기 제1 및 제2 화소전극들(PE1, PE2)을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 액정층(300)의 액정 조성물들(310)이 상기 제1 기판(100)의 표면을 기준으로 수직한 수직 방향으로 배열시킬 수 있다. 상기 제1 배향막(AL1)은 예를 들어, 폴리이미드계 화합물로 형성될 수 있다.
상기 제1 배향막(AL1) 상에 제1 메조겐 경화물이 형성될 수 있다. 상기 제1 메조겐 경화물은 상기 액정 분자들(310)을 상기 수직 방향에 대하여 소정의 각도로 프리틸트(pretilt)시킬 수 있다. 상기 제1 메조겐 경화물은 모노머인 반응성 메조겐이 광에 의해 경화됨으로써 형성될 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 대향하는 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 오버 코팅층(240), 공통 전극층(250) 및 제2 배향막(AL2)을 포함한다. 상기 공통 전극층(250)은 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)과 대향하고, 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면에 걸쳐 전체적으로 형성된다.
상기 제2 배향막(AL2)은 상기 공통 전극층(250) 상에 형성되고, 상기 제2 배향막(AL2) 상에 제2 메조겐 경화물이 형성될 수 있다. 상기 제2 배향막(AL2) 및 상기 제2 메조겐 경화물은 상기 제2 기판(200)에 형성된 것을 제외하고는 실질적으로 상기 제1 배향막(AL1) 및 상기 제1 메조겐 경화물과 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.
상기 액정층(300)은 상기 액정 분자들(310) 및 반응성 메조겐(320)을 포함하는 액정 조성물로 이루어진다. 상기 액정 분자들(310)은 통상의 액정 화합물을 포 함할 수 있다. 일례로, 상기 액정 분자들(310)은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다. 상기 액정 분자들(310)은 상기 제1 및 제2 배향막들(AL1, AL2)에 의해서 상기 제1 기판(100)의 표면과 수직한 수직 방향으로 배향될 수 있다. 상기 액정 분자들(310)은 상기 제1 및 제2 배향막들(AL1, AL2)의 표면에 형성된 상기 제1 및 제2 메조겐 경화물에 의해서 상기 수직 방향으로부터 소정 각도 기울어져 프리틸트될 수 있다.
이하에서는, 도3을 참조하여 도 2에 도시된 액정표시패널의 제조 방법을 설명하기로 한다.
도 3은 도 2에 도시된 액정표시패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 제1 및 제2 게이트 전극들(121a, 121b)을 포함한다. 상기 게이트 전극(G)은 게이트 배선(GL)과 동일한 금속층으로 형성되며, 게이트 배선(GL)으로부터 연장되어 형성된다. 게이트 배선(GL)은 예를 들어, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(120)은 일례로, 질화 실리콘(SiNx) 내 지 산화 실리콘(SiOx)으로 형성할 수 있다. 상기 게이트 절연층(130) 상에 스위칭 소자(TFT)의 전기적 통로인 액티브층(140)이 형성된다. 상기 액티브층(140)은 일례로, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, s-Si:H)으로 이루어진 반도체층(142) 및 이온 도핑된 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 오믹 콘택층(144)이 적층된 구조로 형성된다.
상기 액티브층(140)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 소스 패턴을 형성한다. 상기 소스 패턴은 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 제1 및 제2 소스 전극들(151a, 151b), 상기 제1 및 제2 드레인 전극들(153a, 153b)을 포함한다. 상기 소스 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(160)을 형성한다.
상기 컬러필터(170) 및 상기 블랙 매트릭스(180)는 상기 패시베이션층(160)상에 형성된다.
상기 컬러필터(170)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 및 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)이 정의하는 화소 영역에 형성될 수 있다. 상기 컬러필터(170)은 제1 컬러필터, 제2 컬러필터, 및 제3 컬러필터를 포함할 수 있다. 상기 제1 컬러필터 내지 상기 제3 컬러필터는 서로 다른 컬러를 나타낸다. 예를 들어, 상기 제1 컬러필터는 레드 컬러를 나타내고, 상기 제2 컬러필터는 블루 컬러를 나타내고, 상기 제3 컬러필터는 그린 컬러를 나타낼 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(180)는 상기 제1 기판(100)의 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 제1 및 제2 스 위칭소자들(SW1, SW2)과 대응하여 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다.또한 상기 블랙 매트릭스(180)는 상기 화소 영역의 경계 영역의 제1 및 제3 데이터 라인들(DL1, DL3)에 대응하여 상기 제1 베이스 기판(110)상에 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(180)는 상기 제1 기판(100)의 하부에서 제공되는 광이 상기 액정층으로 제공되는 것을 차단할 수 있다.
상기 컬러필터(170) 및 상기 블랙 매트릭스(180)를 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)을 형성한다. 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)은 상기 화소 영역에 형성된다. 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)은 일례로 투명한 도전성 물질로 이루어지며 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉한다. 상기 투명한 도전성 물질은 일례로, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO)등으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 배향막(AL1)을 형성한다. 상기 제1 배향막(AL1)은 상기 제1 베이스 기판(110)의 전면에 형성될 수 있다.
한편, 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 오버 코팅층(240)을 형성하고, 상기 오버 코팅층(240)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 공통 전극층(250)을 형성한다. 상기 공통 전극층(250)은 별도의 패터닝 공정 없이 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면에 형성될 수 있다.
이어서, 상기 공통 전극층(250)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 제2 배향막(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향막(AL2)은 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면에 형성될 수 있다.
상기 제1 배향막(AL1)이 형성된 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 배향막(AL2)이 형성된 상기 제2 기판(200)을 결합하여, 상기 제1 및 제2 배향막들(AL1, AL2)이 서로 대향되도록 배치시킨다. 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200) 사이에는 액정 조성물이 개재된다. 상기 액정 조성물은 상기 제1 기판(100) 상에 상기 액정 조성물을 적하시킨 후, 상기 제2 기판(200)을 상기 제1 기판(100)과 결합시킴으로써 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200) 사이에 개재될 수 있다.
상기 액정 조성물은 상기 통상의 액정 조성물들(310) 및 상기 반응성 메조겐(320)을 포함한다. 상기 반응성 메조겐(320)은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009047803498-pat00048
(상기 화학식 1에서, A는
Figure 112015079475091-pat00162
,
Figure 112015079475091-pat00163
,
Figure 112015079475091-pat00164
,
Figure 112015079475091-pat00165
,
Figure 112015079475091-pat00166
,
Figure 112015079475091-pat00167
,
Figure 112015079475091-pat00168
,
Figure 112015079475091-pat00169
,
Figure 112015079475091-pat00170
,
Figure 112015079475091-pat00171
및
Figure 112015079475091-pat00172
중에서 하나를 나타내며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로
Figure 112015079475091-pat00173
,
Figure 112015079475091-pat00174
,
Figure 112015079475091-pat00175
및 단결합 중에서 하나를 나타내고, B1 및 B2는 각각 독립적으로
Figure 112015079475091-pat00063
또는
Figure 112015079475091-pat00064
를 나타내며, 상기 A에 해당하는 환구조에서 외곽부 수소원자들은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F, Cl, OCF3 및 OCH3 중에서 하나로 치환될 수 있다.
반응성 메조겐은 말단의 아크릴레이트(acrylate)기 또는 메타아크릴레이트(methacrylate)기에 형성된 자유 라디칼(free radical)에 의해 광중합 반응이 일어난다. 상기 반응성 메조겐 말단의 자유 라디칼(free radical)이 안정화되어 유지되어야 광경화 반응에 유리하다. 반응성 메조겐의 코어(core)부분이 평면구조를 가지는 경우, 인접한 반응성 메조겐들이 상대적으로 쉽게 적층되는 구조를 형성할 수 있다. 이에 따라 반응성 메조겐의 페닐 링(phenyl ring)들 간의 파이-파이 작용(pi-pi interaction)이 발생하여 공명(resonance)이 증가되며, 그 결과 반응성 메조겐의 자유 라디칼(free radical)을 안정화시키는데 기여할 수 있다. 따라서, 반응성 메조겐의 코어(core)부분이 평면구조에 가까울수록 자유 라디칼(free radical)의 라이프타임(lifetime)이 증가하면서 다른 반응성 메조겐과 반응할 확률이 높아지며, 동일한 에너지에서 더 많은 광경화 반응이 일어날 수 있다.
상기 반응성 메조겐(320)은 액정조성물의 전체 중량에 대해 약 0.1중량% 내지 약 1.0중량%를 포함할 수 있다. 상기 반응성 메조겐(320)의 함량이 약 0.1중량% 미만일 경우, 자외선에 의해 액정표시패널의 배향막과 인접하게 반응성 메조겐층이 만들어지지 않을 수 있으며, 약 1.0중량%를 초과하는 경우, 상기 반응성 메조겐(320)이 상기 액정표시패널(500)의 하부에 배치된 백라이트 어셈블리(미도시) 또는 외부로부터 제공받는 광에 의해 경화되어 잔상을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 액정조성물내의 상기 반응성 메조겐(320)의 중량은 약 0.1중량% 내지 약 1.0중량%인 것이 바람직하다.
상기 액정조성물은 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 개시제는 상기 반응성 메조겐(RM)의 경화반응을 촉진시키기 위해 이용될 수 있다. 상기 개시제는 약 300nm 내지 약 400nm의 UV를 흡수하여 아주 쉽게 라디칼로 분해되어 UV에 의한 광중합반응을 촉진시킨다. 상기 개시제를 포함하는 경우, 장파장 UV를 사용하기 때문에 다른 유기재료에 치명적인 단파장 UV를 사용하지 않아도 되는 장점이 있다.
상기 개시제의 구체적인 예로서는, 하기 화학식 2 내지 화학식 14로 나타내는 화합물들을 들 수 있다. 상기 개시제는 하기의 예에 한정되지 않는다.
<화학식 2>
Figure 112009047803498-pat00065
<화학식 3>
Figure 112009047803498-pat00066
<화학식 4>
Figure 112009047803498-pat00067
<화학식 5>
Figure 112009047803498-pat00068
<화학식 6>
Figure 112009047803498-pat00069
<화학식 7>
Figure 112009047803498-pat00070
<화학식 8>
Figure 112009047803498-pat00071
<화학식 9>
Figure 112009047803498-pat00072
화학식 9에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.
<화학식 10>
Figure 112009047803498-pat00073
화학식 10에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나 타낸다.
<화학식 11>
Figure 112009047803498-pat00074
<화학식 12>
Figure 112009047803498-pat00075
<화학식 13>
Figure 112009047803498-pat00076
<화학식 14>
Figure 112009047803498-pat00077
상기 개시제는 상기 반응성 메조겐(RM)의 전체 중량에 대해 약 0.1중량% 내지 약 1중량%, 바람직하게는 약 0.5중량%인 것이 바람직하다. 상기 개시제의 함량이 약 0.1중량%미만일 경우에는 반응성이 미미하고, 약 1중량%를 초과하는 경우에는 개시제가 불순물로 작용하여 잔상에 악영향을 미칠 수 있다.
상기 액정 분자들(310)의 구체적인 예로서는, 하기 화학식 15 내지 20으로 나타내는 화합물들을 들 수 있으며, 하기의 예에 한정되지 않는다.
<화학식 15>
Figure 112009047803498-pat00078
<화학식 16>
Figure 112009047803498-pat00079
<화학식 17>
Figure 112009047803498-pat00080
화학식 15 내지 17에서, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타낸다. 상기 R1 내지 R6의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -CH=CH-, -CO-, -OCO- 또는 -COO-로 치환될 수 있다.
<화학식 18>
Figure 112009047803498-pat00081
<화학식 19>
Figure 112009047803498-pat00082
<화학식 20>
Figure 112009047803498-pat00083
화학식 18 내지 20에서, R7, R8, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타낸다. R7 내지 및 R12의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -CH=CH-, -CO-, -OCO- 또는 -COO-로 치환될 수 있다.
이어서, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 전압을 인가하여 전계(fringe field)를 형성함으로써, 상기 액정 분자들(310) 및 상기 반응성 메조겐들(320)에 틸트를 형성한다. 상기 전압이 인가된 상태로, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 광을 조사한다. 예를 들어, 상기 광은 자외선일 수 있다. 상기 광에 의해서 상기 반응성 메조겐들(320)이 중합함으로써 상기 반응성 메조겐 들(320)의 경화 반응이 일어난다. 상기 광을 조사하는 단계에서도, 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200) 사이에는 전계가 형성되어 있으므로, 상기 액정 분자들(310)은 틸트된 상태를 유지할 수 있다.
상기 광을 조사하는 단계 이후에, 전압이 인가되지 않은 상태에서 광을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 전압을 인가하지 않은 상태에서의 추가적으로 수행되는 자외선 조사공정은 미반응된 반응성 메조겐(RM)을 소거하기 위한 공정으로 잔여 반응성 메조겐(RM)의 함량이 감소될 수 있다.
상기 광을 조사한 후 소정 시간이 경과하면, 상기 제1 기판(100) 상에 상기 제1 메조겐 경화물이 형성되고, 상기 제2 기판(200) 상에 상기 제2 메조겐 경화물이 형성된다(S30). 상기 제1 메조겐 경화물은 상기 제1 배향막(AL1) 상에 형성되고, 상기 제2 메조겐 경화물은 상기 제2 배향막(AL2) 상에 형성된다. 상기 제1 및 제2 메조겐 경화물은 상기 액정 분자들(310)을 프리틸트시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200) 사이에 전계가 형성되지 않은 상태가 되어도, 상기 액정 분자들(310)은 상기 제1 및 제2 메조겐층들(RML1, RML2)에 의해 소정 각도 기울어진 상태를 유지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반응성 메조겐의 평면구조화로인해 자유 라디칼이 안정적으로 유지됨에 따라, 반응성 메조겐의 경화속도를 증가시켜 액정표시패널(500)의 제조시간을 단축시키고 품질을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시패널(600)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 액정표시패널(600)은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
상기 액정표시패널(600)은 유지부재(190)를 더 포함한다는 것을 제외하고는 도 2에 도시된 액정표시패널(500)과 실질적으로 동일한다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.
상기 유지부재(190)는 상기 컬러필터(170)위에 형성되어, 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)과의 간격을 유지시킨다. 예를 들어, 상기 유지부재(190)는 n번째 게이트 배선에 대응하는 상기 컬러필터(170)위에 형성된다. 또는 상기 유지부재(190)는 게이트 금속패턴 및 소스 금속패턴이 형성된 영역에 대응하여 형성된다. 상기 유지부재(190)는 상기 블랙 매트릭스(180)와 동일물질로 형성된다.
상기 컬러필터(170), 상기 블랙 매트릭스(180) 및 상기 유지부재(190)를 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110)상에 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)을 형성한다. 상기 제1 및 제2 화소 전극들(PE1, PE2)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110)상에 상기 제1 배향막(AL1)을 형성하고, 상기 제2 베이스 기판(210)상에는 상기 공통 전극층(250) 및 상기 제2 배향막(AL2)이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 액정표시패널의 제조방법에 의하면, 반응성 메조겐의 평면구조화로 인해 자유 라디칼이 안정적으로 유지됨에 따라, 반응성 메조겐의 경화속도 를 증가시켜 액정표시패널의 제조시간을 단축시키고 품질을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 액정표시패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시패널을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
500: 액정표시패널 100, 200: 제1, 제2 기판
300: 액정층 310: 액정 분자
320: 반응성 메조겐 AL1, AL2: 제1, 제2 배향막
183a, 1383b: 제1, 제2 마이크로 전극
250: 공통 전극층
170: 컬러필터

Claims (17)

  1. 스위칭 소자가 형성된 제1 베이스 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 스위칭 소자상의 화소 영역내에 배치된 컬러필터, 상기 컬러필터가 형성된 기판상에 형성되고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계;
    제2 베이스 기판 상에 형성된 공통 전극층 및 상기 공통 전극층 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 기판들 사이에 하기 화학식 1로 나타내는 반응성 메조겐을 포함하는 액정 조성물을 개재시키는 단계; 및
    상기 반응성 메조겐이 경화되어 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막상에 메조겐 경화물을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시패널의 제조 방법.
    <화학식 1>
    Figure 112015079475091-pat00084
    (상기 화학식 1에서, A는
    Figure 112015079475091-pat00176
    ,
    Figure 112015079475091-pat00177
    ,
    Figure 112015079475091-pat00178
    ,
    Figure 112015079475091-pat00179
    ,
    Figure 112015079475091-pat00180
    ,
    Figure 112015079475091-pat00181
    ,
    Figure 112015079475091-pat00182
    ,
    Figure 112015079475091-pat00183
    ,
    Figure 112015079475091-pat00184
    ,
    Figure 112015079475091-pat00185
    및
    Figure 112015079475091-pat00186
    중에서 하나를 나타내며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로
    Figure 112015079475091-pat00187
    ,
    Figure 112015079475091-pat00188
    ,
    Figure 112015079475091-pat00189
    및 단결합 중에서 하나를 나타내고, B1 및 B2는 각각 독립적으로
    Figure 112015079475091-pat00099
    또는
    Figure 112015079475091-pat00100
    를 나타내며, A에 해당하는 환구조에서 외곽부 수소원자들은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F, Cl, OCF3 및 OCH3 중에서 하나로 치환될 수 있다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 상기 액정조성물의 전체 중량에 대해 0.1 내지 1.0중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 액정조성물은 개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 개시제는 상기 반응성 메조겐의 전체 중량에 대해 0.1 내지 1중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 개시제는 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7, 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10, 화학식 11, 화학식 12, 화학식 13 및 화학식 14로 나타내는 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
    <화학식 2>
    Figure 112009047803498-pat00101
    <화학식 3>
    Figure 112009047803498-pat00102
    <화학식 4>
    Figure 112009047803498-pat00103
    <화학식 5>
    Figure 112009047803498-pat00104
    <화학식 6>
    Figure 112009047803498-pat00105
    <화학식 7>
    Figure 112009047803498-pat00106
    <화학식 8>
    Figure 112009047803498-pat00107
    <화학식 9>
    Figure 112009047803498-pat00108
    (화학식 9에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.)
    <화학식 10>
    Figure 112009047803498-pat00109
    (화학식 10에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.)
    <화학식 11>
    Figure 112009047803498-pat00110
    <화학식 12>
    Figure 112009047803498-pat00111
    <화학식 13>
    Figure 112009047803498-pat00112
    <화학식 14>
    Figure 112009047803498-pat00113
  6. 제1항에 있어서, 상기 메조겐 경화물을 형성하는 단계는
    상기 제1 및 제2 기판들 사이에 전압을 인가하는 단계; 및
    상기 전압이 인가된 상태에서 상기 제1 및 제2 기판들에 UV광을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 메조겐 경화물을 형성하는 단계는,
    상기 광을 제공하는 단계 이후에, 전압이 인가되지 않은 상태에서 UV광을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향막 및 제2 배향막은 전기장이 오프시 액정 분자의 장축이 수직으로 배열되도록 배향처리된 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 배향막 및 제2 배향막은 메조겐 경화물을 형성하는 단계 이후 전기장이 인가되면 액정 분자는 프리틸트(pre-tilt)되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 화소 전극은 마이크로 슬릿 패턴을 포함하고,
    상기 공통 전극층은 상기 제2 기판의 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조 방법.
  11. 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 스위칭 소자상의 화소영역내에 배치된 컬러필터와, 상기 컬러필터가 형성된 기판상에 형성되고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판;
    제2 베이스 기판상에 형성된 공통 전극층 및 상기 공통 전극층 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판; 및
    제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 하기 화학식 1로 나타내는 반응성 메조겐을 포함하는 액정조성물을 포함하는 액정층이 개재되고,
    상기 반응성 메조겐이 경화되어 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막상에 메조겐 경화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
    <화학식 1>
    Figure 112015079475091-pat00114
    (상기 화학식 1에서, A는
    Figure 112015079475091-pat00190
    ,
    Figure 112015079475091-pat00191
    ,
    Figure 112015079475091-pat00192
    ,
    Figure 112015079475091-pat00193
    ,
    Figure 112015079475091-pat00194
    ,
    Figure 112015079475091-pat00195
    ,
    Figure 112015079475091-pat00196
    ,
    Figure 112015079475091-pat00197
    ,
    Figure 112015079475091-pat00198
    ,
    Figure 112015079475091-pat00199
    및
    Figure 112015079475091-pat00200
    중에서 하나를 나타내며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로
    Figure 112015079475091-pat00201
    ,
    Figure 112015079475091-pat00202
    ,
    Figure 112015079475091-pat00203
    및 단결합 중에서 하나를 나타내고, B1 및 B2는 각각 독립적으로
    Figure 112015079475091-pat00129
    또는
    Figure 112015079475091-pat00130
    를 나타내며, A에 해당하는 환구조에서 외곽부 수소원자들은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, F, Cl, OCF3 및 OCH3 중에서 하나로 치환될 수 있다.)
  12. 제 11항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 상기 액정조성물의 전체 중량에 대해 0.1 내지 1.0중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  13. 제12항에 있어서, 상기 액정조성물은 개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  14. 제13항에 있어서, 상기 개시제는 상기 반응성 메조겐의 전체 중량에 대해 0.1 내지 1중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  15. 제13항에 있어서, 상기 개시제는 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6, 화학식 7, 화학식 8, 화학식 9, 화학식 10, 화학식 11, 화학식 12, 화학식 13 및 화학식 14로 나타내는 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
    <화학식 2>
    Figure 112009047803498-pat00131
    <화학식 3>
    Figure 112009047803498-pat00132
    <화학식 4>
    Figure 112009047803498-pat00133
    <화학식 5>
    Figure 112009047803498-pat00134
    <화학식 6>
    Figure 112009047803498-pat00135
    <화학식 7>
    Figure 112009047803498-pat00136
    <화학식 8>
    Figure 112009047803498-pat00137
    <화학식 9>
    Figure 112009047803498-pat00138
    (화학식 9에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.)
    <화학식 10>
    Figure 112009047803498-pat00139
    (화학식 10에서, 상기 R은 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 저급알킬기를 나타낸다.)
    <화학식 11>
    Figure 112009047803498-pat00140
    <화학식 12>
    Figure 112009047803498-pat00141
    <화학식 13>
    Figure 112009047803498-pat00142
    <화학식 14>
    Figure 112009047803498-pat00143
  16. 제11항에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 간격을 유지하고, 상기 컬러필터가 형성된 영역위에 배치된 유지 부재를 더 포함하는 액정표시패널.
  17. 제16항에 있어서, 상기 유지 부재는 상기 블랙 매트릭스와 동일한 물질로 이루어 진 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
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