KR102067230B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판, 제 1 기판과 대향하도록 이격되어 형성된 제 2 기판, 제 1 기판의 일면에 형성된 제 1 배향막, 제 2 기판에서, 제 1 기판의 일면에 대향하는 면에 형성된 제 2 배향막, 제 1 배향막과 제 2 배향막 사이에, 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 가교결합(cross-linkage)된 복수의 고분자 격벽 및 복수의 고분자 격벽 사이에 위치하는 액정을 포함하는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치 기술은, 지속적인 발전을 거듭하여, 기존의 CRT(Cathode-Ray Tube)을 이용한 고착형 디스플레이 시장을 대체하고 있으며, 노트북용 표시소자, 컴퓨터 모니터, TV 등 점점 대형화하여 DID(Digital Information Display) 또는 PID(Public Information Display)시장으로도 확대되고 있다. 또한 모바일 영역에서도 자리를 지키고 있다. 이러한 액정표시장치 소자들은 유리 기판을 사용하기 때문에 깨지기가 쉽고, 변형할 수 없기 때문에 디스플레이 크기가 한정될 수밖에 없고 휴대하기 불편한 단점이 있다. 이를 극복하기 위한 방안으로 유리 기판 대신 유연한 기판을 사용하여 깨지지 않으며 변형이 가능한 차세대 디스플레이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
액정표시장치, 특히 플렉시블 표시장치를 위한 액정표시장치의 경우, 플라스틱 기판을 사용하기 때문에 기판이 휘어짐에 따라 액체 상태인 액정이 화소 내부에 국한되지 않으며, 기판 사이의 셀갭(cell gap)을 균일하게 유지할 필요가 있다.
이때, 액정표시장치 내에 구조물을 도입할 수 있는데, 구조물의 강성이나 내열성이 충분히 갖춰지지 않은 경우, 열이 가해지면 구조물이 붕괴되거나 이에 따라 셀갭이 유지되지 않는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은 셀갭을 견고하게 유지하고, 내열성이 향상된 액정표시장치 및 제조방법을 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향하도록 이격되어 형성된 제 2 기판; 상기 제 1 기판의 일면에 형성된 제 1 배향막; 상기 제 2 기판에서, 상기 제 1 기판의 일면에 대향하는 면에 형성된 제 2 배향막; 상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 사이에, 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 가교결합(cross-linkage)된 복수의 고분자 격벽; 및 상기 복수의 고분자 격벽 사이에 위치하는 액정을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명은, 제 1 지지기판 상에 제 1 접착층을 형성하고, 상기 제 1 접착층 상에 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판을 형성하는 단계; 제 2 지지기판 상에 제 2 접착층을 형성하고, 상기 제 2 접착층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 코팅하는 단계; 상기 제 2 기판 상에 제 2 배향막을 코팅하는 단계; 상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 사이에, 상기 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 가교결합된 고분자 격벽을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 지지기판과 상기 제 2 지지기판을 분리하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 액정표시장치의 셀갭이 견고하게 유지되고, 내열성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 실시예들이 적용되는 액정표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 2는 일실시예에 따른, 도 1의 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3a 내지 도 3e는 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 도면들이다.
도 4는 고분자 격벽에서의 가교결합을 나타내는 도면이다.
도 5a는 하나의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 형성된 고분자 격벽을 포함하는 액정표시장치의 내열성 테스트 결과를 나타낸 도면이이다.
도 5b는 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 형성된 고분자 격벽을 포함하는 액정표시장치의 내열성 테스트 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 다음과 같다.
"할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.
"알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
"할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.
"헤테로알킬기"는 알킬기를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 치환된 것을 의미한다.
"알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
"사이클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
"알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
"알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
"아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
"아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.
접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다.
"헤테로알킬"은 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 알킬을 의미한다. "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 아릴기 또는 아릴렌기를 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 이웃한 작용기기가 결합하여 형성될 수도 있다.
"헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.
"헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
다른 설명이 없는 한, "카르보닐"이란 -COR'로 표시되는 것이며, 여기서 R'은 수소, 탄소수 1 내지 20 의 알킬기, 탄소수 6 내지 30 의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
다른 설명이 없는 한, "에테르"란 -R-O-R'로 표시되는 것이며, 여기서 R 또는 R'은 각각 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕실기, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 탄소수 1 내지 20의 알킬티오펜기, 탄소수 6 내지 20의 아릴티오펜기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 8 내지 20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 실시예들이 적용되는 액정표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 액정표시장치(100)는 액정표시패널(140), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 콘트롤러(110) 등을 포함한다.
우선, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync)와 영상신호(RGB), 클럭신호(CLK) 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)와 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)를 출력한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템로부터 입력되는 영상신호(RGB)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식으로 변환하고 변환된 영상신호(R'G'B')를 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS) 및 변환된 영상신호(R'G'B')에 응답하여, 변환된 영상신호(R'G'B')를 계조 값에 대응하는 전압 값인 데이터 신호(아날로그 화소신호 혹은 데이터 전압)로 변환하여 데이터 라인에 공급한다.
게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 게이트 라인에 스캔신호(게이트 펄스 또는 스캔펄스, 게이트 온신호)를 순차적으로 공급한다.
한편 액정표시패널(140)은, 두 장의 기판들과 그 사이에 위치하는 액정층, 배향막 등으로 이루어진 액정표시장치일 수 있다.
액정표시패널(140)의 제 1 기판은 COT(Color filter On TFT) 구조로 구현될 수 있다. 이 경우에 블랙매트릭스와 컬러필터는 제 1 기판에 형성될 수 있다.
또한 액정표시패널(140)의 제 1 기판(하부 기판)에는 다수의 데이터라인들(D1~Dm, m은 자연수), 데이터라인들(D1~Dm)과 교차되는 다수의 게이트라인들(또는 스캔라인들)(G1~Gn, n은자연수), 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)의 교차부들에 형성되는 다수의 트랜지스터들, 액정셀들에 데이터전압을 충전시키기 위한 다수의 화소전극, 화소전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 캐패시터(Storage Capacitor) 등을 포함할 수 있다.
액정표시패널(140)의 제 2 기판(상부 기판)에는 블랙매트릭스, 컬러필터 등을 포함할 수 있다.
한편, 액정표시패널(140)의 화소(P)들은 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 의해 정의된 화소 영역에 형성되어 매트릭스 형태로 배치된다. 화소들 각각의 액정셀은 화소전극에 인가되는 데이터전압과 공통전극에 인가되는 공통전압의 전압차에 따라 인가되는 전계에 의해 구동되어 입사광의 투과량을 조절한다.
액정표시장치(100)가 플렉시블 표시장치인 경우, 액정표시패널(140)은 셀갭(cell gap) 유지를 위한 격벽을 포함할 수 있고, 이러한 격벽은 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 형성될 수 있다.
이러한 액정표시패널(140)은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching)모드 등 공지된 어떠한 액정 모드로도 구현될 수 있다.
이 때 공통전극은 TN 모드와 VA 모드와 같은 수직전계 구동방식에서는 제 2 기판에 형성될 수 있고, IPS 모드와 FFS 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소전극과 함께 제 1 기판에 형성될 수 있다.
이하에서는, 도 1에서 설명한 액정표시패널(140)을 포함하는 액정표시장치(100)에 관한 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 일실시예에 따른, 도 1의 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 액정표시장치(200)는, 제 1 기판(202a), 제 1 기판(202a)과 대향하도록 이격되어 형성된 제 2 기판(202b), 제 1 기판(202a)의 일면에 형성된 제 1 배향막(204a), 상기 제 2 기판(202b)에서, 상기 제 1 기판(202a)의 일면에 대향하는 면에 형성된 제 2 배향막(204b), 상기 제 1 배향막(204a)과 상기 제 2 배향막(204b) 사이에 형성된 복수의 고분자 격벽(206), 상기 복수의 고분자 격벽(206) 사이의 액정충진영역(208)에 위치하는 액정(210)을 포함한다.
우선 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycdarbonate), PES(polyethersulphone), PAR(polyarylate), PCO(polycyclic olefin), PI(polyimide) 등의 플라스틱 계열일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)은 유리전이온도, 열팽창계수, 치수안정성(dimensional stability) 등을 고려하여 선택될 수 있고, 특히 PI 계열은 열에 대한 안정성이 높아 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)으로 적합할 수 있다.
플라스틱 계열의 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)은 곡면 또는 휘어질 수 있는 플렉서블(flexible) 표시장치에 적용될 수 있고, 플렉서블 표시장치는 아래에서 설명할, 셀갭을 유지할 수 있는 구조가 필요하다.
제 1 배향막(204a) 및 제 2 배향막(204b)은 폴리이미드(polyimide) 계열의 화합물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제 1 배향막(204a) 및 제 2 배향막(204b)의 표면에는, 액정을 정렬시키기 위해 러빙(rubbing)처리가 될 수 있고, 제 1 배향막(204a) 및 제 2 배향막(204b)의 배향 패턴은 같을 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 액정 모드에 따라 달라질 수 있다.
한편 액정표시장치(200)의 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)이 플라스틱 재질로 이루어지는 경우에는, 셀갭(cell gap)을 유지시키고, 액정(210)의 쏠림으로 인한 씰(seal) 터짐의 문제를 방지하기 위해, 액정표시장치(200)의 비표시영역 내에 고분자 격벽(206)이 형성될 수 있다.
고분자 격벽(206)은, 액정(210)과 함께 주입된 단량체(monomer)가, 광경화 또는 열경화에 의해 상분리를 통한 중합 반응을 하여 형성될 수 있다. 단량체 이외에도, 액정(210)과 함께 중합 반응을 시작하기 위한 개시제, 고분자 격벽(206)의 강성을 증대시키기 위한 가교제 등이 추가로 포함될 수 있다.
단량체는 복수의 작용기를 포함한다. 작용기는 아크릴레이트(acrylate)일 수 있고, 하나의 단량체에 2개 이상의 작용기가 있을 수 있다.
복수의 작용기를 갖는 단량체는, 하기 화학식으로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112013107580212-pat00001
화학식에서, a와 b는 1 이상의 자연수이고, A는 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 60의 지방족고리와 탄소수 6 내지 60의 방향족고리의 융합고리기; 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 1 내지 30의 알콕실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
여기서, 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기가 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 경우에는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기; 탄소수 1 내지 20의 알콕실기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 플루오렌일기; 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기 및 탄소수 8 내지 20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환된다.
보다 구체적으로, A는 하기 화학식으로 표현되는 화합물들 중 하나일 수 있다.
<화학식 2> <화학식 3>
Figure 112013107580212-pat00002
Figure 112013107580212-pat00003
<화학식 4> <화학식 5>
Figure 112013107580212-pat00004
Figure 112013107580212-pat00005
<화학식 6> <화학식 7>
Figure 112013107580212-pat00006
Figure 112013107580212-pat00007
<화학식 8> <화학식 9>
Figure 112013107580212-pat00008
Figure 112013107580212-pat00009
<화학식 10> <화학식 11>
Figure 112013107580212-pat00010
Figure 112013107580212-pat00011
<화학식 12>
Figure 112013107580212-pat00012
<화학식 13> <화학식 14> <화학식 15>
Figure 112013107580212-pat00013
Figure 112013107580212-pat00014
Figure 112013107580212-pat00015
<화학식 16>
Figure 112013107580212-pat00016
(n, p, q는 1이상의 자연수, 단 p+q=3)
다만, A는 이에 제한되지 않고, 다양한 화합물이 될 수 있다.
합성예
전술한 단량체들은 예를 들어 다음과 같이 합성될 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112013107580212-pat00017
화학식 2는 반응식 1에서와 같이 에스터화 반응으로 형성될 수 있고, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 15, 화학식 16 또한 같은 방식으로 합성될 수 있다.
[반응식 2]
Figure 112013107580212-pat00018
화학식 7는 반응식 2에서와 같이 에스터화 반응으로 형성될 수 있고, 화학식 6, 화학식 7, 화학식 8, 화학식 9 또한 같은 방식으로 합성될 수 있다.
[반응식 3]
Figure 112013107580212-pat00019
화학식 7는 반응식 3에서와 같이 에스터화 반응으로 형성될 수 있고, 화학식 11, 화학식 12, 화학식 13, 화학식 14 또한 같은 방식으로 합성될 수 있다.
액정(210)에 대한 상기 단량체의 비율은 0.05 내지 0.33 일 수 있다. 즉, 액정(210) 대 단량체의 중량비는, 액정(210)이 75 중량% 내지 95 중량% 일 수 있고, 단량체의 중량비는 5 중량% 내지 25 중량%일 수 있다. 단량체의 중량비가 5 중량% 이하이면, 고분자 격벽(206)이 충분하게 양 기판 사이를 지지할 수 없어서 셀갭 유지에 문제가 발생할 수 있고, 반면 25 중량% 이상인 경우에는 잔류 단량체가 고분자 격벽(206) 형성에 참여하지 않고, 액정(210) 사이에 남아 액정표시장치(200)의 화질에 문제가 발생한다.
단량체에 포함된 복수의 작용기는, 예를 들어, 광 조사시 상분리를 통해 중합 반응을 하게 되는데, 그 과정에서 이격되어 있는 작용기끼리 가교결합을 할 수 있다. 이에 따라 고분자의 분자량이 더욱 커지게 되어, 고분자 격벽(206)의 강성이 증가하고, 내열성이 향상된다.
고분자 격벽(206) 형성을 위한 개시제(photoinitiator)는 클로로아세토피논(chloroacetophenone), 다이에톡시 아세토피논(diethoxy acetophenone), 1-하이드록시 사이클로헥실 페닐 케톤(1-hydroxy cyclrohexyl phenyl ketone), 벤조인 에테르(benzoin ether)등의 광개시제일 수 있고, 가교제(Cross-Linking Agent)는 다이벤조일 퍼옥사이드(dibenzoyl peroxide), 다이큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 터트-부틸 퍼옥시벤조에이트(tert-butyl peroxybenzoate) 등일 수 있다.
마지막으로, 고분자 격벽(206)을 통해 분리된, 제 1 기판(202a)과 제 2 기판(202b) 사이에는 액정충진영역(208)이 형성되고, 액정충진영역(208)에 액정이 채워져서, 배향에 따라 광을 투과시키게 되고, 경우에 따라 고분자 격벽(206) 형성에 참여하지 않은 단량체(잔류 단량체)가 포함될 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 도면들이다.
도 3a 내지 도 3e를 참조하면, 액정표시장치(200)의 제조방법은, 제 1 지지기판(312a) 상에 제 1 접착층(314a)을 형성하고, 제 1 접착층(314a) 상에 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판(202a)을 형성하는 단계, 제 2 지지기판(312b) 상에 제 2 접착층(314b)을 형성하고, 제 2 접착층(314b) 상에 제 2 기판(202b)을 형성하는 단계, 제 1 기판(202a) 상에 제 1 배향막(204a)을 코팅하는 단계, 제 2 기판(202b) 상에 제 2 배향막(204b)을 코팅하는 단계, 제 1 기판(202a)과 상기 제 2 기판(202b)을 합착하는 단계, 제 1 기판(202a)과 상기 제 2 기판(202b) 사이에 액정(210)과 복수의 작용기를 갖는 단량체(316)를 포함하는 혼합물을 주입하는 단계, 제 1 배향막(204a)과 제 2 배향막(204b) 사이에 고분자 격벽(206)을 형성하는 단계 및 제 1 지지기판(312a)과 제 2 지지기판(312b)을 분리하는 단계를 포함한다.
우선, 도 3a를 참조하면, 제 1 지지기판(312a) 및 제 2 지지기판(312b)이, 액정표시장치(200)가 공정 중에 물리적/화학적 스트레스로부터 보호될 수 있도록 준비된다. 제 1 지지기판(312a) 및 제 2 지지기판(312b)은 글래스(glass)일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
이어서 제 1 접착층(314a) 및 제 2 접착층(314b)을 제 1 지지기판(312a) 및 제 2 지지기판(312b)에 각각 형성하고, 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)을 부착시킨다.
여기서 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)은 PET, PEN, PC, PES, PAR, PCO, PI 등의 플라스틱 화합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)의 세정 단계와 열처리 공정이 포함될 수 있다.
제 1 배향막(204a)을 코팅하는 단계 및 제 2 배향막(204b)을 코팅하는 단계는, 제 1 기판(202a)의 일면 및 이에 대향하는 제 2 기판(202b)의 면의 전면에 제 1 배향막(204a)과 제 2 배향막(204b)을 도포하는 공정이고, 건식 코팅, 스핀 코팅(spin coating) 등의 습식 코팅, 스크린 프린팅(screen printing)이나 잉크젯 프린팅(inkjet printing)등의 프린팅 중 하나의 공정으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3b를 참조하면, 제 1 기판(202a) 및 제 2 기판(202b)을 합착하는 단계가 이어진다.
한편, 도 3c를 참조하면, 액정(210)과 복수의 작용기를 갖는 단량체(316)를 포함하는 혼합물을 주입하는 단계가 수행되고, 여기서 혼합물은 개시제, 가교제 등을 추가로 포함할 수 있다.
개시제는 다이벤조일 퍼옥사이드(dibenzoyl peroxide), 다이큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 터트-부틸 퍼옥시벤조에이트(tert-butyl peroxybenzoate) 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
가교제는 PEGDA, HDDA, TPGDA, TMPTA, TMPTMP, TMPTMA 등일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 가교제는 고분자 격벽(206) 형성시, 고분자 사슬 내의 작용기끼리 결합하여, 고분자 격벽(206)을 보다 견고하게 만드는 역할을 한다.
이러한 혼합물에는, 액정(210)에 대한 단량체(316)의 비율은 0.05 내지 0.33 일 수 있다. 즉, 액정(210) 대 단량체(316)의 중량비는, 액정(210)이 75 중량% 내지 95 중량% 일 수 있고, 단량체(316)의 중량비는 5 중량% 내지 25 중량%일 수 있다. 단량체(316)의 중량비가 5 중량% 이하이면, 고분자 격벽(206)이 충분하게 양 기판 사이를 지지할 수 없어서 셀갭 유지에 문제가 발생할 수 있고, 반면 25 중량% 이상인 경우에는 잔류 단량체(316)가 고분자 격벽(206) 형성에 참여하지 않고, 액정(210) 사이에 남아 액정표시장치(200)의 화질에 문제가 발생한다.
혼합물에는 단일의 단량체(316)가 포함될 수 있지만, 2이상의 종류의 단량체(316)가 포함될 수도 있다.
이어서 고분자 격벽(206) 형성을 위해, 자외선(UV)이 조사된다.
도 3d를 참조하면, 자외선 조사로 인해, 액정과 단량체(316)가 상분리되고, 단량체(316)들 간의 중합 반응으로 고분자 격벽(316)이 형성된다.
고분자의 형성 과정을 예로 들면 다음과 같다.
[반응식 1]
Figure 112013107580212-pat00020
(반응 1)
Figure 112013107580212-pat00021
Figure 112013107580212-pat00022
(반응 2)
(n은 1이상의 자연수)
반응식 1을 참조하여 예를 들어 설명하면, 반응식 1에서는 화학식 2의 물질을 예로써 제시하였고, 자외선 광 조사에 의해 광개시제(I)가 라디칼이 되어, 아크릴레이트 작용기의 π 결합을 깨뜨리면서, 라디칼 중합 반응을 개시한다(반응 1). 이어서 새로이 생겨난 라디칼이 다른 분자와 결합을 계속하면서 고분자를 형성한다(반응 2).
고분자의 형태는 반응식 1에 설명된 것처럼 직선형으로 형성될 수 있고, 하나의 탄소의 복수의 단량체(316)가 연결되어 고분자 가지를 포함할 수도 있다.
한편, 고분자 격벽(206)의 패턴 형상은 마스크(mask)를 통해 다양하게 설계될 수 있고, 패턴이 형성된 마스크가 액정표시장치(200)의 상부 또는 하부에 위치하고, 상부 또는 하부로부터 자외선이 조사된다. 자외선이 조사되는 영역에는 단량체(316)들이 중합반응을 일으켜서 상분리를 통해 고분자 격벽(206)이 형성되고, 자외선이 조사되지 않은 영역, 즉 표시영역에는 액정(210)들이 분리되어 위치한다. 액정(210)은 액정충진영역(208)에서, 배향 방향에 따라 정렬하게 된다.
도 4는 고분자 격벽에서의 가교결합을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 단량체(316) 중합 반응으로 고분자(418)가 형성되면서, 같은 분자 내 또는 다른 분자 사이에서, 중합 반응에 참여하지 않은 단량체(316)의 작용기들이 가교결합(420)을 형성할 수 있다.
일예로서 아크릴레이트 작용기들 사이에 에스터 사이의 축합 반응 등이 일어날 수 있고, 가교결합(420)은 다른 고분자(418) 사이에서 형성되거나, 같은 고분자(418) 내에서 형성될 수 있다.
이에 따라 고분자 격벽(206) 형성시 보다 견고한 결합이 이루어지기 때문에, 고분자(418)를 포함하는 고분자 격벽(206)은 강성 및 내열성이 향상된다. 또한 작용기의 수가 많을수록 가교결합(420)이 많이 일어날 수 있기 때문에, 강성 및 내열성 측면에서 유리하다.
도 5a는 하나의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 형성된 고분자 격벽을 포함하는 액정표시장치의 내열성 테스트 결과를 나타낸 도면이고, 도 5b는 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 형성된 고분자 격벽을 포함하는 액정표시장치의 내열성 테스트 결과를 나타낸 도면이다.
도 5a와 5b에는 액정표시장치(200)의 액정표시패널(140)의 평면도를 도시하였고, 각각의 단량체는 아크릴레이트 작용기를 갖는 화합물이며, 각각 1시간에 걸쳐 70℃의 열을 가한 경우의 결과를 나타낸 도면들이다.
도 5a를 참조하면, 하나의 작용기를 갖는 고분자 격벽(206)의 너비(width)가 증가하고, 형태가 불분명하게 붕괴된 것을 볼 수 있다.
반면, 도 5b를 참조하면, 복수의 작용기를 갖는 단량체(316)가 중합되어 고분자 격벽(206)이 형성된 경우에는, 고분자 격벽(206)의 너비 변화가 없고, 형태의 변화도 없는 것을 볼 수 있다.
이는 중합에 참여하지 않는 작용기들이 가교결합(420)을 형성하여, 보다 견고한 고분자 격벽(206)이 형성되었음을 나타낸다.
이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
202a: 제 1 기판 202b: 제 2 기판
204a: 제 1 배향막 204b: 제 2 배향막
206: 고분자 격벽 208: 액정충진영역
210: 액정 316: 단량체
420: 가교결합

Claims (10)

  1. 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 대향하도록 이격되어 형성된 제 2 기판;
    상기 제 1 기판의 일면에 형성된 제 1 배향막;
    상기 제 2 기판에서, 상기 제 1 기판의 일면에 대향하는 면에 형성된 제 2 배향막;
    상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 사이에, 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 가교결합(cross-linkage)된 복수의 고분자 격벽; 및
    상기 복수의 고분자 격벽 사이에 위치하는 액정;을 포함하고,
    상기 복수의 작용기를 갖는 단량체는,
    하기 화학식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    <화학식 1>
    Figure 112019090277290-pat00064

    [상기 화학식에서, a와 b는 1 이상의 자연수이고, A는 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 60의 지방족고리와 탄소수 6 내지 60의 방향족고리의 융합고리기; 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 1 내지 30의 알콕실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택된다.]
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기가 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 경우에는, 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기; 탄소수 1 내지 20의 알콕실기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 플루오렌일기; 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기 및 탄소수 8 내지 20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 A는 치환 또는 비치환된, 아래 화학식들 중 하나로 표현되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    <화학식 2> <화학식 3>
    Figure 112019090277290-pat00024
    Figure 112019090277290-pat00025

    <화학식 4> <화학식 5>
    Figure 112019090277290-pat00026
    Figure 112019090277290-pat00027

    <화학식 6> <화학식 7>
    Figure 112019090277290-pat00028
    Figure 112019090277290-pat00029

    <화학식 8> <화학식 9>
    Figure 112019090277290-pat00030
    Figure 112019090277290-pat00031

    <화학식 10> <화학식 11>
    Figure 112019090277290-pat00032
    Figure 112019090277290-pat00033

    <화학식 12>
    Figure 112019090277290-pat00034

    <화학식 13> <화학식 14> <화학식 15>
    Figure 112019090277290-pat00035
    Figure 112019090277290-pat00036
    Figure 112019090277290-pat00037

    <화학식 16>
    Figure 112019090277290-pat00038

    (n, p, q는 1이상의 자연수, 단 p+q=3)
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 액정에 대한 상기 단량체의 비율은 0.05 내지 0.33인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 1 지지기판 상에 제 1 접착층을 형성하고, 상기 제 1 접착층 상에 다수의 화소 영역으로 정의되는 제 1 기판을 형성하는 단계;
    제 2 지지기판 상에 제 2 접착층을 형성하고, 상기 제 2 접착층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 코팅하는 단계;
    상기 제 2 기판 상에 제 2 배향막을 코팅하는 단계;
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 합착하는 단계;
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 액정과 복수의 작용기를 갖는 단량체를 포함하는 혼합물을 주입하는 단계;
    상기 제 1 배향막과 상기 제 2 배향막 사이에, 상기 복수의 작용기를 갖는 단량체가 중합되어 가교결합된 고분자 격벽을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 지지기판과 상기 제 2 지지기판을 분리하는 단계;를 포함하고
    상기 복수의 작용기를 갖는 단량체는,
    하기 화학식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    <화학식 1>
    Figure 112019090277290-pat00065

    [상기 화학식에서, a와 b는 1 이상의 자연수이고, A는 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 60의 지방족고리와 탄소수 6 내지 60의 방향족고리의 융합고리기; 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 1 내지 30의 알콕실기; 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택된다.]
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기가 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 경우에는, 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기; 탄소수 1 내지 20의 알콕실기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알켄일기; 탄소수 2 내지 20의 알킨일기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 중수소로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 플루오렌일기; 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기 및 탄소수 8 내지 20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 A는 치환 또는 비치환된, 아래 화학식들 중 하나로 표현되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    <화학식 2> <화학식 3>
    Figure 112019090277290-pat00040
    Figure 112019090277290-pat00041

    <화학식 4> <화학식 5>
    Figure 112019090277290-pat00042
    Figure 112019090277290-pat00043

    <화학식 6> <화학식 7>
    Figure 112019090277290-pat00044
    Figure 112019090277290-pat00045

    <화학식 8> <화학식 9>
    Figure 112019090277290-pat00046
    Figure 112019090277290-pat00047

    <화학식 10> <화학식 11>
    Figure 112019090277290-pat00048
    Figure 112019090277290-pat00049

    <화학식 12>
    Figure 112019090277290-pat00050

    <화학식 13> <화학식 14> <화학식 15>
    Figure 112019090277290-pat00051
    Figure 112019090277290-pat00052
    Figure 112019090277290-pat00053

    <화학식 16>
    Figure 112019090277290-pat00054

    (n, p, q는 1이상의 자연수, 단 p+q=3)
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 혼합물을 주입하는 단계에서,
    상기 액정에 대한 상기 단량체의 비율은 0.05 내지 0.33인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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